CN117812981A - 一种二维半导体薄膜的转移方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 144
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 96
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 27
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 72
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 36
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 14
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 12
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N bis(selanylidene)tungsten Chemical compound [Se]=[W]=[Se] ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MHWZQNGIEIYAQJ-UHFFFAOYSA-N molybdenum diselenide Chemical compound [Se]=[Mo]=[Se] MHWZQNGIEIYAQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 33
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 27
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 20
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 16
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 16
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 9
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 8
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000012612 commercial material Substances 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 230000003053 immunization Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 transition metal chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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Abstract
本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种二维半导体薄膜的转移方法。包括：步骤S1，在目标衬底上涂布聚合物封装材料；步骤S2，将生长有二维半导体薄膜的沉积衬底与所述目标衬底贴合，通过真空热压固化工艺进行固定；步骤S3，去除所述沉积衬底，完成转移。本发明提供的二维半导体薄膜的转移方法，采用了Brewer Science公司的PermaSOL材料作为粘结层，采用真空热压固化的技术工艺，并去除沉积衬底，最终实现了二维半导体薄膜在目标衬底表面的永久式转移，提高了转移的可靠性和成品率，且使转移后的所得材料能够具有高热稳定性，并能够满足低成本、大批量转移二维半导体材料的需求。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种二维半导体薄膜的转移方法。
背景技术
自2004年石墨烯被发现后，其它类石墨烯的二维半导体材料研究也获得极大发展，包括过渡金属硫族化合物(TMDC)、六方氮化硼(A-BN)、黑磷、层状金属氧化物等。这些超薄的二维半导体材料因其独特的微观结构而具有新奇的电学和光学等性质，如具有原子级的厚度和高迁移率，可突破传统半导体材料的微缩极限，具备有效免疫短沟道效应和降低静态功耗的能力。另外，在发光特性上，具有极低阈值发光、降低侧壁效应等特性。因而，二维半导体材料在微电子器件、光源器件等领域应用潜力巨大，为先进集成电路和光电技术的发展提供了广阔的平台。
材料质量是高性能二维半导体器件性能提升的保证，因此高品质二维半导体薄膜制备技术的开发尤为关键。除了生长制备，二维半导体薄膜的高精准、无损转移对于器件应用也至关重要。
与基于铜基底的大面积石墨烯制备及相应转移技术不同，CVD制备的二维半导体薄膜材料，一般生长于硅、蓝宝石及氮化镓等耐高温衬底上，如何将其转移至目标衬底上，具有较高的技术挑战，决定了器件应用的效果。自2010年以来，国内外研究者们发展了一系列二维半导体材料精准转移技术，包括湿法转移、干法转移和非大气环境中的转移。其中湿法转移是构建大面积复杂异质结的常用转移方法。
然而，当前的转移方法主要存在如下缺陷：
1.其中一类是吸附式转移法，只能实现二维半导体薄膜在目标衬底表面吸附转移，导致二维半导体薄膜附着力太差，难以满足后续器件加工需求；
2.另外一类是胶转移方法，虽然能够将二维半导体薄膜粘接于目标衬底表面，但是这一类转移方法所用胶难以满足耐热、合适的介电参数、合适的热膨胀系数等需求，无法适用于二维半导体微电子器件加工和应用需求。
综上所述，当前的二维半导体薄膜，由于转移原因，难以满足实用化的需求，特别是大规模器件集成应用的需求。
发明内容
针对现有技术存在问题中的一个或多个，本发明提供了一种二维半导体薄膜的转移方法，包括以下步骤：
步骤S1，在目标衬底上涂布聚合物封装材料；
步骤S2，将生长有二维半导体薄膜的沉积衬底与所述目标衬底贴合，通过真空热压固化工艺进行固定；
步骤S3，去除所述沉积衬底，完成转移。
根据本发明的一个方面。所述步骤S2中，所述贴合操作是将所述沉积衬底生长有二维半导体薄膜的一面与所述目标衬底涂布有所述聚合物封装材料的一面进行贴合。
根据本发明的一个方面，所述步骤S1还包括：在沉积衬底上的二维半导体薄膜表面涂布聚合物封装材料，并进行固化。
进一步地，采用如下烘烤工艺进行固化：将所述涂布有所述聚合物封装材料的二维半导体薄膜升温至60-80℃，持续时间为1-5min，而后升温至100-140℃，持续时间为1-4min，最后升温至180-220℃，持续时间为10-20min。
优选地，所述聚合物封装材料为耐高温材料。
优选地，所述聚合物封装材料为PermaSOL材料。
优选地，将所述涂布有所述聚合物封装材料的二维半导体薄膜升温至60℃，持续时间2min，而后升温至120℃，持续时间为2min，最后升温至200℃，持续时间为15min。
根据本发明的一个方面，所述二维半导体薄膜表面还可以涂布PI预聚体材料替代所述聚合物封装材料。
进一步地，采用如下烘烤工艺进行固化：将所述涂布有所述PI预聚体材料的二维半导体薄膜升温至120-200℃，持续时间为1-20min，而后升温至250-350℃，持续时间为5-30min。
优选地，将所述涂布有所述PI预聚体材料的二维半导体薄膜升温至150℃，持续时间为5min，而后升温至260℃，持续时间为15min。
根据本发明的一个方面，所述涂布采用旋涂、喷涂或刮涂工艺，所述涂布厚度为10-100000nm。
根据本发明的一个方面，所述步骤S2中，所述真空热压固化工艺包括：
S2-1，将贴合后所得产物放置于真空热压机中进行压合，调整温度为25℃，真空度≤200Pa，压力为500-10000N，持续时间为1-20min。
S2-2，将真空热压后所得产物升温至60-80℃，持续时间为1-5min，而后升温至100-140℃，持续时间为1-4min，最后升温至180-220℃，持续时间为10-20min。
进一步地，所述压合形式为单片压合或多片压合。
根据本发明的一个方面，所述目标衬底为绝缘衬底，可选用高电阻硅，具体为二氧化硅、三氧化二铝、氮化硅中的一种。
根据本发明的一个方面，所述半导体薄膜为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼、二硒化钨、黑磷、氮化硼中的一种。
根据本发明的一个方面，通过将所得产物放入刻蚀设备进行刻蚀来去除所述沉积衬底。
根据本发明的一个方面，采用去离子水对刻蚀后所述产物进行冲洗，冲洗时间为2min；随后采用高纯氮气吹干产物待用。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
本发明提供的二维半导体薄膜的转移方法，采用了新型聚合物封装材料，即Brewer Science公司的PermaSOL材料作为粘结层，采用真空热压固化的技术工艺，并去除沉积衬底，最终实现了二维半导体薄膜在目标衬底表面的永久式转移，提高了转移的可靠性和成品率，且使转移后的所得材料能够具有高热稳定性，并能够满足低成本、大批量转移二维半导体材料的需求。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明提供的二维半导体薄膜的转移方法工艺流程示意图。
附图标记：
101、目标衬底/聚合物材料/二维半导体薄膜/沉积衬底结构的材料；102、二维半导体薄膜/沉积衬底结构的材料；201、聚合物材料(湿态)/二维半导体薄膜/沉积衬底结构的材料；202、聚合物材料(固化)/二维半导体薄膜/沉积衬底结构的材料；301、待转移的目标衬底；302、目标衬底/聚合物材料/二维半导体薄膜结构的材料；401、聚合物材料(湿态)/目标衬底结构的材料。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。下文给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
本文涉及到数值区间，如无特别说明，上述数值区间内视为连续，且包括该范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地，当范围是指整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外，当提供多个范围描述特征或特性时，可以合并该范围。换言之，除非另有指明，否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。
本文中的温度参数，如无特别限定，既允许为恒温处理，也允许在一定温度区间内进行处理。所述的恒温处理允许温度在仪器控制的精度范围内进行波动。
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
如图1本发明提供的二维半导体薄膜的转移方法工艺流程示意图。
根据本发明一个具体实施方式，提供了一种铜基多层石墨烯的制备方法，如图1所示，该方法包括如下的步骤S1-S3：
步骤S1，在待转移的目标衬底301上涂布聚合物封装材料。
在本发明的一些实施例中，所述涂布采用旋涂、喷涂或刮涂工艺，所述涂布厚度为10-100000nm。
在本发明的一些实施例中，所述待转移的目标衬底301为绝缘衬底，具体为二氧化硅、三氧化二铝、氮化硅中的一种。
在本发明的一些实施例中，所述聚合物封装材料为耐高温材料；
优选地，所述聚合物封装材料为PermaSOL材料。
在本发明的一些实施例中，待转移的目标衬底301上涂布聚合物封装材料后得到图1中聚合物材料(湿态)/目标衬底结构的材料401。
在本发明的一些实施例中，所用的聚合物封装材料为Brewer Science公司生产的PermaSOL材料，该材料是市场上现有的商业材料，通过采购可以获得，本发明创新之一在于将该封装材料用于二维半导体薄膜的转移中，其具有使用温度高、收缩率低的特点。本发明选用此材料主要是考虑材料具有以上两个性能优势，且容易和工艺兼容。
在本发明的一些实施例中，在二维半导体薄膜/沉积衬底结构的材料102上的二维半导体薄膜表面涂布聚合物封装材料得到图1中的聚合物材料(湿态)/二维半导体薄膜/沉积衬底结构的材料201，并进行固化，得到图1中的聚合物材料(固化)/二维半导体薄膜/沉积衬底结构的材料202。
进一步地，采用如下烘烤工艺进行固化：将所述涂布有所述聚合物封装材料的二维半导体薄膜升温至60-80℃，持续时间为1-5min，而后升温至100-140℃，持续时间为1-4min，最后升温至180-220℃，持续时间为10-20min。在一些具体示例中，温度可选60℃、70℃、80℃等；持续时间可选1min、2min、3min、4min、5min等；而后可升温例如100℃、110℃、120℃、130℃、140℃等；之后的持续时间可以是1min、2min、3min、4min等；最后升温可以是180℃、190℃、200℃、210℃、220℃等。
此处采用了分步阶梯式固化，主要是为了使固化更加完备，在低温下逐步将溶剂析出，防止直接高温固化，聚合反应过快，固化不均匀，表面产生裂纹等不利影响。
可选地，所述二维半导体薄膜表面还可以涂布PI预聚体材料替代所述聚合物封装材料。PI预聚体材料是常见的较为优秀的材料，容易获得；同时PI材料也是作为聚合物封装材料之一，应用于微电子封装领域。其它聚合物材料的耐热性等性能，相对PI预聚体材料一般更差。
进一步地，采用如下烘烤工艺进行固化：将所述涂布有所述PI预聚体材料的二维半导体薄膜升温至120-200℃，持续时间为1-20min，而后升温至250-350℃，持续时间为5-30min。在一些具体示例中，升温可选120℃、140℃、160℃、180℃、200℃等；持续时间可选1min、2min等；而后可升温例如250℃、300℃、350℃等。此处采用了分步阶梯式固化，主要是为了使固化更加完备，在低温下逐步将溶剂析出，防止直接高温固化，聚合反应过快，固化不均匀，表面产生裂纹等不利影响。
在本发明的一些实施例中，所述涂布采用旋涂、喷涂或刮涂工艺，所述涂布厚度为10-100000nm。在一些具体示例中，涂布厚度可以为10nm、100nm、1000nm、10000nm、100000nm。
步骤S2，将生长有二维半导体薄膜的沉积衬底与所述目标衬底贴合，通过真空热压固化工艺进行固定。
在本发明的一些实施例中，所述半导体薄膜为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼、二硒化钨、黑磷、氮化硼中的一种。
在本发明的一些实施例中，所述贴合操作是将具有聚合物材料(固化)/二维半导体薄膜/沉积衬底结构的材料202中涂布有聚合物封装材料的一面与聚合物材料(湿态)/目标衬底结构的材料401中涂布有聚合物封装材料的一面进行贴合，贴合后得到目标衬底/聚合物材料/二维半导体薄膜/沉积衬底结构的材料101。
在本发明的一些实施例中，所述贴合操作是将聚合物材料(湿态)/目标衬底结构的材料401中涂布有聚合物封装材料的一面与二维半导体薄膜/沉积衬底结构材料102中的二维半导体薄膜一面进行贴合。
在本发明的一些实施例中，所述真空热压固化工艺包括：
S2-1，将贴合后所得产物放置于真空热压机中进行压合，调整温度为25℃，真空度≤200Pa，压力为500-10000N，持续时间为1-20min。在一些具体示例中，真空度可以为100pa、200pa等；压力可以为500N、5000N、10000N等；持续时间可选1min、10min、20min等。
优选地，真空度为100Pa，压力为3000N，持续时间为3min。
S2-2，将真空热压后所得产物升温至60-80℃，持续时间为1-5min，而后升温至100-140℃，持续时间为1-4min，最后升温至180-220℃，持续时间为10-20min。在一些具体示例中，温度可选60℃、70℃、80℃等；持续时间可选1min、2min、3min、4min、5min等；而后可升温例如100℃、110℃、120℃、130℃、140℃等；之后的持续时间可以是1min、2min、3min、4min等；最后升温可以是180℃、190℃、200℃、210℃、220℃等。
优选地，将真空热压后所得产物升温至60℃，持续时间为2min，而后升温至120℃，持续时间为2min，最后升温至200℃，持续时间为15min。
进一步地，所述压合形式为单片压合或多片压合。
步骤S3，去除所述沉积衬底，完成转移。
在本发明的一些实施例中，通过将所得产物放入刻蚀设备进行刻蚀来去除所述沉积衬底。
在本发明的一些实施例中，刻蚀步骤后对所得产物进行清洗：采用去离子水对刻蚀后所述产物进行冲洗，冲洗时间为2min；随后采用高纯氮气吹干产物，最终得到转移完毕的目标衬底/聚合物材料/二维半导体薄膜结构的材料302。
以下是具体实施例。
实施例1：
步骤S1，在250微米厚氧化硅片表面，旋涂PermaSOL材料，涂布厚度为10微米，形成PermaSOL材料(液态)/氧化硅片结构；
在蓝宝石衬底上生长的二硫化钼薄膜材料的表面，旋涂PermaSOL材料，并采用如下烘烤工艺进行固化：将其升温至60℃，持续时间为2min，而后升温至120℃，持续时间为2min，最后升温至200℃，持续时间为15min；获得PermaSOL材料/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底的结构，固化后的PermaSOL层厚度为5微米；
步骤S2，将S1得到的PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底与PermaSOL材料(液态)/氧化硅片进行贴合，使得PermaSOL材料(固态)与PermaSOL材料(液态)粘合在一起，获得如下结构：氧化硅片/PermaSOL材料(液态)/PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底；
将氧化硅片/PermaSOL材料(液态)/PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底整体放入真空热压设备中进行压合(键合)，压合条件为：温度：25℃；真空度：100Pa；压力：3000N；时间：3min；
对完成压合的材料，进行加热固化处理：将其升温至60℃，持续时间为2min，而后升温至120℃，持续时间为2min，最后升温至200℃，持续时间为15min；
完成后获得如下结构：氧化硅片/PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底；
步骤S3，将S2得到的氧化硅片/PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底放入刻蚀设备中，刻蚀去除蓝宝石衬底，即获得氧化硅片/PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜结构，完成转移。
实施例2：
步骤S1，在250微米厚氧化硅片表面，旋涂PermaSOL材料，涂布厚度为15微米，形成PermaSOL材料(液态)/氧化硅片结构；
在蓝宝石衬底上生长的二硫化钼薄膜材料的表面，旋涂PermaSOL材料，并采用如下烘烤工艺进行固化：将其升温至60℃，持续时间为2min，而后升温至120℃，持续时间为2min，最后升温至200℃，持续时间为15min；获得PermaSOL材料/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底的结构，固化后的PermaSOL层厚度为2微米；
步骤S2，将S1得到的PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底与PermaSOL材料(液态)/氧化硅片进行贴合，使得PermaSOL材料(固态)与PermaSOL材料(液态)粘合在一起，获得如下结构：氧化硅片/PermaSOL材料(液态)/PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底；
将氧化硅片/PermaSOL材料(液态)/PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底整体放入真空热压设备中进行压合(键合)，压合条件为：温度：25℃；真空度：100Pa；压力：3000N；时间：3min；
对完成压合的材料，进行加热固化处理：将其升温至60℃，持续时间为2min，而后升温至120℃，持续时间为2min，最后升温至200℃，持续时间为15min；
完成后获得如下结构：氧化硅片/PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底；
步骤S3，将S2得到的氧化硅片/PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底放入刻蚀设备中，刻蚀去除蓝宝石衬底，即获得氧化硅片/PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜结构，完成转移。
实施例3：
步骤S1，在250微米厚氧化硅片表面，旋涂PermaSOL材料，涂布厚度为15微米，形成PermaSOL材料(液态)/氧化硅片结构；
在蓝宝石衬底上生长的二硫化钨薄膜材料的表面，旋涂PermaSOL材料，并采用如下烘烤工艺进行固化：将其升温至80℃，持续时间为5min，而后升温至140℃，持续时间为4min，最后升温至220℃，持续时间为20min；获得PermaSOL材料/二硫化钨薄膜/蓝宝石衬底的结构，固化后的PermaSOL层厚度为2微米；
步骤S2，将S1得到的PermaSOL材料(固态)/二硫化钨薄膜/蓝宝石衬底与PermaSOL材料(液态)/氧化硅片进行贴合，使得PermaSOL材料(固态)与PermaSOL材料(液态)粘合在一起，获得如下结构：氧化硅片/PermaSOL材料(液态)/PermaSOL材料(固态)/二硫化钨薄膜/蓝宝石衬底；
将氧化硅片/PermaSOL材料(液态)/PermaSOL材料(固态)/二硫化钨薄膜/蓝宝石衬底整体放入真空热压设备中进行压合(键合)，压合条件为：温度：25℃；真空度：200Pa；压力：10000N；时间：20min；
对完成压合的材料，进行加热固化处理：将其升温至80℃，持续时间为5min，而后升温至140℃，持续时间为4min，最后升温至220℃，持续时间为20min；
完成后获得如下结构：氧化硅片/PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底；
步骤S3，将S2得到的氧化硅片/PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜/蓝宝石衬底放入刻蚀设备中，刻蚀去除蓝宝石衬底，即获得氧化硅片/PermaSOL材料(固态)/二硫化钼薄膜结构，完成转移。
对比例1
步骤S1，在250微米厚氧化硅片表面，旋涂PMMA材料，涂布厚度为15微米，形成PMMA材料(液态)/氧化硅片结构；
在蓝宝石衬底上生长的二硫化钨薄膜材料的表面，旋涂PMMA材料(甲苯溶剂)，并采用如下烘烤工艺进行固化：将其升温至60℃，持续时间为2min，而后升温至120℃，持续时间为2min，最后升温至180℃，持续时间为30min；获得PMMA膜/二硫化钨薄膜/蓝宝石衬底的结构，固化后的PMMA层厚度为3微米；
步骤S2，将S1得到的PMMA膜/二硫化钨薄膜/蓝宝石衬底与PMMA材料(液态)/氧化硅片进行贴合，使得PMMA材料(固态)与PMMA材料(液态)粘合在一起，获得如下结构：氧化硅片/PMMAL材料(液态)/PMMA材料(固态)/二硫化钨薄膜/蓝宝石衬底；
将氧化硅片/PMMA材料(液态)/PMMA材料(固态)/二硫化钨薄膜/蓝宝石衬底整体放入真空热压设备中进行压合(键合)，压合条件为：温度：25℃；真空度：100Pa；压力：3000N；时间：3min；
对完成压合的材料，进行加热固化处理：将其升温至60℃，持续时间为2min，而后升温至120℃，持续时间为2min，最后升温至180℃，持续时间为30min；
完成后获得如下结构：氧化硅片/PMMA材料(固态)/二硫化钨薄膜/蓝宝石衬底；
步骤S3，将S2得到的氧化硅片/PMMA材料(固态)/二硫化钨薄膜/蓝宝石衬底放入刻蚀设备中，刻蚀去除蓝宝石衬底，即获得氧化硅片/PMMA材料(固态)/二硫化钨薄膜结构，完成转移。
测试上述实施例1、2、3和对比例1所得样品的最高使用温度和粘结层收缩率，测试结果如表1所示。
表1
| 序号 | 样品 | 最高使用温度 | 粘结层收缩率 |
| 1 | 实施例1 | >350℃ | <0.1％ |
| 2 | 实施例2 | >350℃ | <0.1％ |
| 3 | 实施例3 | >350℃ | <0.1％ |
| 4 | 对比例1 | <250℃ | <0.6％ |
通过表1数据可知，相对PMMA作为粘结材料转移二维半导体材料(对比例1)，本发明组合体材料(绝缘衬底/粘结层材料/二维半导体薄膜)在最高使用温度和收缩率指标上，均有优势，材料组合体具有超强的耐热性效果，满足微加工工艺需求。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种二维半导体薄膜的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，在目标衬底上涂布聚合物封装材料；
步骤S2，将生长有二维半导体薄膜的沉积衬底与所述目标衬底贴合，通过真空热压固化工艺进行固定；
步骤S3，去除所述沉积衬底，完成转移。
2.根据权利要求1所述的二维半导体薄膜的转移方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述贴合操作是将所述沉积衬底生长有二维半导体薄膜的一面与所述目标衬底涂布有所述聚合物封装材料的一面进行贴合。
3.根据权利要求1所述的二维半导体薄膜的转移方法，其特征在于，所述步骤S1还包括：在沉积衬底上的二维半导体薄膜表面涂布聚合物封装材料，并进行固化；
优选地，所述聚合物封装材料为耐高温材料；
优选地，所述聚合物封装材料为PermaSOL材料。
4.根据权利要求3所述的二维半导体薄膜的转移方法，其特征在于，采用如下烘烤工艺进行固化：
将所述涂布有所述聚合物封装材料的二维半导体薄膜升温至60-80℃，持续时间为1-5min，而后升温至100-140℃，持续时间为1-4min，最后升温至180-220℃，持续时间为10-20min。
5.根据权利要求3所述的二维半导体薄膜的转移方法，其特征在于，在所述二维半导体薄膜表面还可以涂布PI预聚体材料替代所述聚合物封装材料，并采用如下烘烤工艺进行固化：
将所述涂布有所述PI预聚体材料的二维半导体薄膜升温至120-200℃，持续时间为1-20min，而后升温至250-350℃，持续时间为5-30min。
6.根据权利要求1或3所述的二维半导体薄膜的转移方法，其特征在于，所述涂布采用旋涂、喷涂或刮涂工艺，所述涂布厚度为10-100000nm。
7.根据权利要求1所述的二维半导体薄膜的转移方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述真空热压固化工艺包括：
S2-1，将贴合后所得产物放置于真空热压机中进行压合，调整温度为25℃，真空度≤200Pa，压力为500-10000N，持续时间为1-20min，所述压合形式为单片压合或多片压合；
S2-2，将真空热压后所得产物升温至60-80℃，持续时间为1-5min，而后升温至100-140℃，持续时间为1-4min，最后升温至180-220℃，持续时间为10-20min。
8.根据权利要求1所述的二维半导体薄膜的转移方法，其特征在于，所述目标衬底为绝缘衬底，具体为二氧化硅、三氧化二铝、氮化硅中的一种。
9.根据权利要求1所述的二维半导体薄膜的转移方法，其特征在于，所述半导体薄膜为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼、二硒化钨、黑磷、氮化硼中的一种。
10.根据权利要求1所述的二维半导体薄膜的转移方法，其特征在于，所述步骤S3包括：
将所得产物放入刻蚀设备进行刻蚀来去除所述沉积衬底，而后采用去离子水对刻蚀后所得产物进行冲洗，冲洗时间为2min；随后采用氮气吹干产物待用。
Priority Applications (1)
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| CN202311847045.8A CN117812981A (zh) | 2023-12-28 | 2023-12-28 | 一种二维半导体薄膜的转移方法 |
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