CN117810101A - 半导体封装方法、半导体组件及电子设备 - Google Patents

Abstract

本公开涉及本公开提供的半导体封装方法、半导体组件及电子设备，在该半导体封装方法中，在载板的第一目标位置处形成第一对准连接部，同时将互连器件固定在载板的第二目标位置处，互连器件背离载板的一侧设有第二对准连接部，利用熔融焊接工艺将半导体器件有源面的部分第三对准连接部与第一对准连接部，剩余第三对准连接部和第二对准连接部对准连接，第一对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘中的一种，与第一对准连接部对应的第三对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘的另一种，第二对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘中的一种，与第二对准连接部对应的第三对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘的另一种。

Description

半导体封装方法、半导体组件及电子设备

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体封装方法、半导体组件及电子设备。

背景技术

半导体封装和系统在设计方面一直追求密、小、轻和薄，同时在功能方面力求实现高集成度和多功能性。目前为满足上述技术要求而提出多种封装技术，如扇出(Fanout)型晶圆级封装、小芯片封装(chiplet)、异构集成(heterogeneous integration)、2.5维/三维(2.5D/3D)封装。

在各种半导体封装和系统制造过程中，需要对半导体器件进行高精度放置和固定。这一工艺步骤通常由高精度贴片设备进行，但是其贴装速度有限，导致生产效率低，而且设备成本昂贵，对位精度也低，主要取决于贴片机的精度，成为技术发展和普及的一大瓶颈。

发明内容

为了解决上述技术问题，本公开提供了一种半导体封装方法、半导体组件及电子设备。

第一方面，本公开提供了一种半导体封装方法，包括：

提供载板，并于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部；

提供互连器件，并将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，所述互连器件与所述第一对准连接部位于所述载板的同一侧，所述互连器件背离所述载板的一侧设有第二对准连接部；

提供半导体器件，所述半导体器件的有源面具有第三对准连接部，利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接；

其中，所述第一对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘中的一种，与所述第一对准连接部对应的所述第三对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘的另一种；所述第二对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘中的一种，与所述第二对准连接部对应的所述第三对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘的另一种。

可选地，所述利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：

对所述对准焊接凸点进行加热，使得所述对准焊接凸点至少部分处于熔融状态；

将至少部分处于熔融状态的所述对准焊接凸点与所述第一对准焊盘进行焊接。

可选地，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点和第一重布线层，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准连接部；

所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：

于所述载板一侧形成所述第一重布线层；

于所述第一重布线层背离所述载板一侧的所述第一目标位置处形成所述第一对准焊接凸点；

所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：

刻蚀位于所述第二目标位置的所述第一重布线层形成开口，所述开口暴露出所述载板；

于所述开口暴露的所述载板一侧形成第五对准连接部；

利用熔融焊接工艺将所述第五准连接部与所述第四对准连接部对准连接；其中，所述第四对准连接部和所述第五对准连接部中的一个为对准焊接凸点，另一个为对准焊盘。

可选地，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点和第一重布线层，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准连接部；

所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：

于所述载板一侧形成所述第一重布线层；

于所述第一重布线层背离所述载板一侧的第一目标位置处形成所述第一对准焊接凸点；

所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：

于所述第一重布线层背离载板的一侧的所述第二目标位置处形成第五对准连接部；

利用熔融焊接工艺将所述第五准连接部与所述第四对准连接部对准连接；其中，所述第四对准连接部和所述第五对准连接部中的一个为对准焊接凸点，另一个为对准焊盘。

可选地，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点、第一重布线层和第二重布线层；所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准连接部；

所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：

于所述载板一侧形成所述第二重布线层；

于所述第二重布线层背离所述载板一侧形成所述第一重布线层；

于所述第一重布线层背离所述第二重布线层一侧的所述第一目标位置处形成所述第一对准焊接凸点；

所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：

刻蚀位于所述第二目标位置处所述第一重布线层形成开口，所述开口暴露出所述第二重布线层；

于所述开口暴露的所述第二重布线层的一侧形成第五对准连接部；

利用熔融焊接工艺将所述第五准连接部与所述第四对准连接部对准连接；其中，所述第四对准连接部和所述第六对准连接部中的一个为对准焊接凸点，另一个为对准焊盘。

可选地，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点和第三对准焊盘，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准焊接凸点；

所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：

于所述载板一侧形成所述金属层；

对所述金属层进行刻蚀，于所述第一目标位置和所述第二目标位置处形成所述第三对准焊盘；

于位于所述第一目标位置的第三对准焊盘背离载板一侧形成所述第一对准焊接凸点；

所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：

利用熔融焊接工艺将所述第四对准焊接凸点与位于所述第二目标位置处的所述第三对准焊盘对准连接。

可选地，所述第二对准连接部包括第二对准焊接凸点，所述第三对准连接部包括第一对准焊盘；

利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：

利用熔融焊接工艺将部分所述第一对准焊盘与所述第一对准焊接凸点对准连接，以及将剩余所述第一对准焊盘与所述第二对准焊接凸点对准连接。

可选地，所述第二对准连接部包括第二对准焊盘，所述第三对准连接部包括第一对准焊盘和第三对准焊接凸点；

利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：

利用熔融焊接工艺将部分所述第一对准焊盘与所述第一对准焊接凸点对准连接，以及所述第三对准焊接凸点与所述第二对准焊盘对准连接。

可选地，所述第一对准连接部包括第三对准焊盘，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准焊接凸点；

所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：

于所述载板一侧的所述第一目标位置处和所述第二目标位置处形成第三对准焊盘；

所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：

利用熔融焊接工艺将所述第四对准焊接凸点与位于所述第二目标位置处的所述第三对准焊盘对准连接。

可选地，所述第二对准连接部包括第二对准焊盘，所述第三对准连接部包括第三对准焊接凸点和第五对准焊接凸点；

所述利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：

利用熔融焊接工艺将所述第五对准焊接凸点与所述第三对准焊盘连接部对准连接，以就将所述第三对准焊接凸点与所述第二对准焊盘对准连接。

可选地，所述第二对准连接部包括第二对准焊接凸点，所述第三对准连接部包括第五对准焊接凸点和第一对准焊盘；

所述利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：

利用熔融焊接工艺将所述第五对准焊接凸点与所述第三对准焊盘对准连接，以及将所述第一对准焊盘与所述第二对准连接凸点对准连接。

可选地，所述第二对准连接部包括具有焊锡膜的热压焊盘，所述第三对准连接部包括第五对准焊接凸点和第一对准焊盘；

所述利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：

利用熔融焊接工艺将所述第五对准焊接凸点与所述第三对准焊盘对准连接；

利用热压键合工艺将所述第一对准焊盘与所述热压焊盘对准连接。

所述半导体封装方法还包括：

形成塑封层，所述塑封层包裹所述半导体器件、所述互连器件和所述第一对准连接部；

去除所述载板；

于所述塑封层背离所述半导体器件的一侧形成第三重布线层；

于所述第三重布线层背离所述塑封层的一侧形成连接结构，所述连接结构与所述第三重布线层电连接。

第二方面，本公开还提供了一种半导体组件，所述半导体组件是基于上述任一种半导体封装方法进行封装得到的。

第三方面，本公开还提供了一种电子设备，包括：上述半导体组件。

本公开提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：

本公开提供的半导体封装方法、半导体组件及电子设备，在该半导体封装方法中，在载板的第一目标位置处形成第一对准连接部，同时将互连器件固定在载板的第二目标位置处，互连器件背离载板的一侧设有第二对准连接部，利用熔融焊接工艺将半导体器件有源面的第三对准连接部与第一对准连接部和第二对准连接部对准连接，第一对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘中的一种，与第一对准连接部对应的第三对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘的另一种，第二对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘中的一种，与第二对准连接部对应的第三对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘的另一种。由此，在对准焊接凸点与对准焊盘熔融焊接时，基于最小表面能原理，熔融状态的对准焊接凸点所产生的表面张力会将对准焊盘自动拉到目标位置，实现对准焊接凸点和对准焊盘的自动对准；同时，第一对准连接部和互连器件在载板上的位置是确定的，通过对准焊接凸点和对准焊盘的对准连接，将半导体器件精准地固定在目标位置，且对准焊接凸点在冷却后，能够防止半导体器件在塑封过程中发生漂移和旋转，可有效提高后续工序的良品率，鉴于对准焊接凸点的自对准能力而在拾取并放置半导体器件时容许一定程度的放置偏差，即降低了对半导体器件放置精度的要求，从而提高了半导体器件拾取和放置操作的速度，进而提高了工艺效率，降低了工艺成本。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开实施例提供的一种半导体封装方法的流程示意图；

图2为本公开实施例提供的一种半导体封装方法的各步骤的结构示意图；

图3为本公开实施例提供的另一种半导体封装方法的各步骤的结构示意图；

图4为本公开实施例提供的又一种半导体封装方法的各步骤的结构示意图；

图5为本公开实施例提供的又一种半导体封装方法的各步骤的结构示意图；

图6为本公开实施例提供的又一种半导体封装方法的各步骤的结构示意图；

图7为本公开实施例提供的一种半导体组件的结构示意图；

图8为本公开实施例提供的另一种半导体组件的结构示意图；

图9为本公开实施例提供的又一种半导体组件的结构示意图；

图10为本公开实施例提供的又一种半导体组件的结构示意图；

图11为本公开实施例提供的又一种半导体组件的结构示意图；

图12为本公开实施例提供的又一种半导体组件的结构示意图；

图13为本公开实施例提供的又一种半导体组件的结构示意图；

图14为本公开实施例提供的又一种半导体组件的结构示意图；

图15为本公开实施例提供的又一种半导体封装方法的各步骤的结构示意图；

图16为本公开实施例提供的又一种半导体组件的结构示意图；

图17为本公开实施例提供的另一种半导体封装方法的流程示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。

在一些实施例中，如图1所示，该半导体封装方法包括如下步骤：

S110、提供载板，并于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部。

结合图2-5，本公开实施例对载板8的类型不作限定，可采用本领域技术人员可知的所有类型的载板，例如载板8包括玻璃载板、陶瓷载板、金属载板、有机高分子材料载板和硅晶圆中的至少一种。

本步骤中，在载板8所在平面建立二维坐标系(x，y)，在第一目标位置处形成第一对准连接部1，第一对准焊接部1用于与后续步骤中位于半导体器件3有源面的部分第三对准连接部31对准连接。

S120、提供互连器件，并将互连器件附接至载板的第二目标位置，互连器件背离述载板的一侧设有第二对准连接部。

本公开实施例对互连器件2的类型不作限定，可采用本领域技术人员可知的所有具有互连功能的器件或结构，例如硅桥或一侧表面设有导通线路层的结构。互连器件2实现半导体器件3之间的电连接。

本步骤中，结合如2-5，将互连器件2精准地固定在第二目标位置处的载板上，互连器件2与第一对准连接1部位于载板8的同一侧，在互连器件2背离载板8的一侧设有第二对准连接部21，第二对准焊接部21用于与后续步骤中位于半导体器件3有源面的剩余第三对准连接部31对准连接。

互连器件2背离第二对准连接部21的一侧设有第四对准连接部22，在载板8的第二目标位置处形成与第四对准连接部22对应的第五对准连接部4，第四对准连接部22与第五对准连接部4中的一个为对准焊接凸点，另一个为对准焊盘，通过将第四对准连接部22和第五对准连接部4对准连接，将互联器件2精准地固定在载板的第二目标位置处。

在其他实施方式中，还可以利用位于互连器件2背离第二对准连接部21一侧的粘接层，将互连器件2固定在载板8上，在此不限定。

S130、提供半导体器件，半导体器件的有源面具有第三对准连接部，利用熔融焊接工艺将部分第三对准连接部与第一对准连接部对准连接，以及将剩余第三对准连接部与第二对准连接部对准连接。

其中，半导体器件3包括但不限于晶片(die)、芯片(chip)、高带宽动态随机存取存储器堆栈(High Bandwidth Memory，HBM)、集成电路芯片(System-on-a-Chip，SOC)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)和可编程逻辑器件(Programmable Logic Device，PLD)。半导体器件3包括相对设置的有源面和无源面，有源面包括第三对准连接部31。

其中，第一对准连接部1包括对准焊接凸点和对准焊盘中的一种，与第一对准连接部1对应的第三对准连接部31包括对准焊接凸点和对准焊盘的另一种；第二对准连接部21包括对准焊接凸点和对准焊盘中的一种，与第二对准连接部21对应的第三对准连接部31包括对准焊接凸点和对准焊盘的另一种。

示例性地，若第一对准连接部1和第二对准连接部21均为对准焊接凸点，则第三对准连接部31为对准焊盘(如图2-4所示)。若第一对准连接部1和第二对准连接部21均为对准焊盘，则第三对准连接部31为对准焊接凸点(如图9所示)。若第一对准连接部1为对准焊接凸点，第二对准连接部21为对准焊盘，则与第一对准连接部1对应的第三对准连接部31为对准焊盘，与第二对准连接部21对应的第三对准连接部31为对准焊接凸点(如图6-8所示)。若第一对准连接部1为对准焊盘，第二对准连接部21为对准焊接凸点，则与第一对准连接部1对应的第三对准连接部31为对准焊接凸点，与第二对准连接部21对应的第三对准连接部31为对准焊盘(如图5所示)。

其中，对准焊接凸点包括由焊锡料形成的凸点结构，凸点结构下方可以包括焊基结构，也可不包括焊基结构(例如，对准焊接凸点为焊球)。本公开实施例对凸点结构下方的焊基结构不作限定，焊基结构可以是焊盘，也可以是凸块。熔融焊接可采用本领域技术人员可知的所有熔融焊接方式，包括但不限于回流焊、激光焊、高频焊接和红外焊接等。

在本步骤中，将半导体器件3的有源面朝向第一对准连接部1和第二对准连接部21，并将部分第三对准连接部31与对应的第一对准连接部1基本对准，剩余第三对准连接部31与对应的第二对准连接部21基本对准，此时第三对准连接部31与对应的第一对准连接部1(以及第三对准连接部31与对应的第二对准连接部21)彼此接触但在垂直于载板8所在平面的方向上没有精准对中；在焊接过程中，第一对准连接部1和其对应的第三对准连接部31(以及第二对准连接部21和其对应第三对准连接部31)中作为对准焊接凸点的一方熔融或部分熔融并浸润作为对准焊盘的另一方，此时基于最小表面能原理，处于熔融或部分熔融状态的对准焊接凸点会趋于变形移动以使第一对准连接部1和第三对准连接部31(以及第二对准连接部21和第三对准连接部31)接近对中状态，从而带动较轻的半导体器件3精确对准至目标位置，待对准焊接凸点冷却后，半导体器件3被精准固定在目标位置，实现了半导体器件3的高强度机械固定(可达公斤力级别)，从而解决了后续塑封过程半导体器件3的漂移和旋转问题，有效提高了后续工序的良品率。由于第一对准连接部1和互连器件2在载板8上的位置是确定，通过控制半导体器件3与第一对准连接部1和互连器件2的相对位置，从而实现了将半导体器件3精确地固定在载板上的目标位置。

在本文中，“基本对准”表示包括第一对准连接部1与所述第三对准连接部31(或者第二对准连接部21与所述第三对准连接部31)分别彼此接触，但在垂直于无源表面的方向上未精确对中。本文中的“对中”通常表示第一对准连接部1与所述第三对准连接部31的中心在垂直于载板8所在平面的方向上对齐。“精确对准”表示半导体器件3相对于载板8上的实际位置与目标位置之间的偏差在本技术领域的容差范围内的状态。

需要说明的是，图2-9仅示例性地示出了将三个半导体器件3与第一对准连接部1和第二对准连接部21连接，并不构成对本公开实施例提供的半导体封装方法的限定。在其他实施方式中，可根据需求设置半导体器件3的数量，例如两个、四个或者更多个，在此不限定。

本公开实施例提供的半导体封装方法，在载板8的第一目标位置处形成第一对准连接部1，同时将互连器件2固定在载板8的第二目标位置处，互连器件2背离载板8的一侧设有第二对准连接部21，利用熔融焊接工艺将半导体器件3有源面的第三对准连接部31与第一对准连接部1和第二对准连接部21对准连接，第一对准连接部1包括对准焊接凸点和对准焊盘中的一种，与第一对准连接部1对应的第三对准连接部31包括对准焊接凸点和对准焊盘的另一种，第二对准连接部21包括对准焊接凸点和对准焊盘中的一种，与第二对准连接部21对应的第三对准连接部31包括对准焊接凸点和对准焊盘的另一种。由此，在对准焊接凸点与对准焊盘熔融焊接时，基于最小表面能原理，熔融状态的对准焊接凸点所产生的表面张力会将对准焊盘自动拉到目标位置，实现对准焊接凸点和对准焊盘的自动对准；同时，第一对准连接部1和互连器件2在载板8的位置是确定的，通过对准焊接凸点和对准焊盘的对准连接，将半导体器件3精准地固定在目标位置，且对准焊接凸点在冷却后，能够防止半导体器件3在塑封过程中发生漂移和旋转，可有效提高后续工序的良品率，鉴于对准焊接凸点的自对准能力而在拾取并放置半导体器件时容许一定程度的放置偏差，即降低了对半导体器件放置精度的要求，从而提高了半导体器件拾取和放置操作的速度，进而提高了工艺效率，降低了工艺成本。

在一些实施例中，利用熔融焊接工艺将部分第三对准连接部与第一对准连接部对准连接，以及将剩余第三对准连接部与第二对准连接部对准连接，包括如下步骤：

对对准焊接凸点进行加热，使得对准焊接凸点至少部分处于熔融状态；

将至少部分处于熔融状态的对准焊接凸点与第一对准焊盘进行焊接。

本实施例中，可采用本领域技术人员可知的所有熔融焊接方式进行焊接，包括但不限于回流焊、激光焊、高频焊接和红外焊接等。对准焊接凸点被加热至熔点，部分对准焊接凸点处于熔融状态或全部对准焊接凸点处于熔融状态，熔融状态的对准焊接凸点浸润对准焊盘，此时基于最小表面能原理，处于熔融或部分熔融状态的对准焊接凸点会趋于变形移动以使第一对准连接部1和第三对准连接部31(以及第二对准连接部21和第三对准连接部31)对准连接，从而带动较轻的半导体器件3精确对准至目标位置，待对准焊接凸点冷却后，半导体器件1精准固定在目标位置。

在一些实施例中，如图2所示，第一对准连接部1包括第一对准焊接凸点12和第一重布线层11；“于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部”包括如下步骤：

于载板一侧形成第一重布线层；

于第一重布线层背离载板一侧的第一目标位置处形成第一对准焊接凸点。

本实施例中，结合图2的步骤(A)～(B)，先在载板8一侧形成第一重布线层12，然后在第一重布线层12背离载板8的一侧形成第一对准焊接凸点11。采用本领域技术人员可知的所有工艺制备第一重布线层12和第一对准焊接凸点11，在此不再赘述。第一重布线层12包括至少一层金属层和至少一层绝缘层。

在一些实施例中，如图2所示，互连器件2背离第二对准连接部21的一侧设有第四对准连接部22；“将互连器件附接至载板的第二目标位置”包括如下步骤：

刻蚀位于第二目标位置的第一重布线层形成开口，开口暴露出载板；

于开口暴露的载板一侧形成第五对准连接部；

利用熔融焊接工艺将第五准连接部与第四对准连接部对准连接；

其中，第四对准连接部22和第五对准连接部4中的一个为对准焊接凸点，另一个为对准焊盘。示例性地，如图2所示，第五对准连接部4为对准焊盘，则第四对准连接部22为对准焊接凸点。示例性地，如图12所示，第五对准连接部4为对准焊接凸点，则第四对准连接部22为对准焊盘。

本实施例中，结合图2的步骤(C)，利用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺对第一重布线层12进行刻蚀，在第二目标位置处形成开口，开口暴露出位于第一重布线层12下方的载板8。然后利用电镀或沉积工艺在开口暴露的载板8上形成第五对准连接部4，第五对准连接部4与互连器件2上的第四对准连接部22相对应。

结合图2的步骤(D)，将互连器件2具有第四对准连接部22的一侧朝向第五对准连接部4，并将第四对准连接部22和第五对准连接部4彼此接触但在垂直于载板8所在平面的方向上没有精准对中；在焊接过程中，第四对准连接部22和第五对准连接部4中作为对准焊接凸点的一方熔融或部分熔融并浸润作为对准焊盘的另一方，此时基于最小表面能原理，处于熔融或部分熔融状态的对准焊接凸点会趋于变形移动以使第四对准连接部22和第五对准连接部4接近对中状态，从而带动较轻的互连器件2精确对准至第二目标位置，待对准焊接凸点冷却后，互连器件2被精准固定在第二目标位置。

在一些实施例中，如图3所示，第一对准连接部1包括第一对准焊接凸点11和第一重布线层12，互连器件2背离第二对准连接部21的一侧设有第四对准连接部22；“于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部”包括如下步骤：

于载板一侧形成第一重布线层；

于第一重布线层背离载板一侧的第一目标位置处形成第一对准焊接凸点；

本实施例中，结合图3的步骤(A)～(B)，先在载板8一侧形成第一重布线层12，然后在第一重布线层12背离载板8的一侧形成第一对准焊接凸点11。采用本领域技术人员可知的所有工艺制备第一重布线层12和第一对准焊接凸点11，在此不再赘述。第一重布线层12包括至少一层金属层和至少一层绝缘层。

“将互连器件附接至载板的第二目标位置”包括如下步骤：

于第一重布线层背离载板的一侧的第二目标位置处形成第五对准连接部；

利用熔融焊接工艺将第五准连接部与第四对准连接部对准连接；

其中，第四对准连接部和第五对准连接部中的一个为对准焊接凸点，另一个为对准焊盘。示例性地，如图3所示，第五对准连接部4为对准焊盘，则第四对准连接部22为对准焊接凸点。示例性地，如图13所示，第五对准连接部4为对准焊接凸点，则第四对准连接部22为对准焊盘。

本实施例中，结合图3的步骤(B)，利用电镀或沉积工艺在第一重布线层12背离载板8一侧形成第五对准连接部4，形成的第五对准连接部4位于第二目标位置处，第五对准连接部4与互连器件2上的第四对准连接部22相对应。

结合图3的步骤(C)，将互连器件2具有第四对准连接部22的一侧朝向第五对准连接部4，并将第四对准连接部22和第五对准连接部4彼此接触但在垂直于载板8所在平面的方向上没有精准对中；在焊接过程中，第四对准连接部22和第五对准连接部4中作为对准焊接凸点的一方熔融或部分熔融并浸润作为对准焊盘的另一方，此时基于最小表面能原理，处于熔融或部分熔融状态的对准焊接凸点会趋于变形移动以使第四对准连接部22和第五对准连接部4接近对中状态，从而带动较轻的互连器件2精确对准至第二目标位置，待对准焊接凸点冷却后，互连器件2被精准固定在第二目标位置。

在一些实施例中，如图4所示，第一对准连接部1包括第一对准焊接凸点11、第一重布线层12和第二重布线层13；互连器件2背离第二对准连接部21的一侧设有第四对准连接部22；“于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部”包括如下步骤：

于载板一侧形成第二重布线层，

于第二重布线层背离载板一侧形成第一重布线层；

于第一重布线层背离第二重布线层一侧的第一目标位置处形成第一对准焊接凸点；

本实施例中，结合图3的步骤(A)～(B)，先在载板8一侧形成第二重布线层13，然后在第二重布线层13背离载板8的一侧形成第一重布线层12，再在第一重布线层12背离第二重布线层13的一侧形成第一对准焊接凸点11。采用本领域技术人员可知的所有工艺制备第一重布线层12、第二重布线层13和第一对准焊接凸点11，在此不再赘述。第一重布线层12和第二重布线层13均包括至少一层金属层和至少一层绝缘层。第一重布线层12中金属层的数量，与第二重布线层13中金属层的数量可相等，也可不相等。

“将互连器件附接至载板的第二目标位置”包括如下步骤：

刻蚀位于第二目标位置处第一重布线层形成开口，开口暴露出第二重布线层；

于开口暴露的第二重布线层的一侧形成第五对准连接部；

利用熔融焊接工艺将第五准连接部与第四对准连接部对准连接；

其中，第四对准连接部和第六对准连接部中的一个为对准焊接凸点，另一个为对准焊盘。示例性地，如图4所示，第五对准连接部4为对准焊盘，则第四对准连接部22为对准焊接凸点。示例性地，如图14所示，第五对准连接部4为对准焊接凸点，则第四对准连接部22为对准焊盘。

本实施例中，结合图4的步骤(C)，利用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺对第一重布线层12进行刻蚀，在第二目标位置处形成开口，开口暴露出位于第一重布线层12下方的第二重布线层13。然后利用电镀或沉积工艺在开口暴露的第二重布线层13上形成第五对准连接部4，第五对准连接部4与互连器件2上的第四对准连接部22相对应。

结合图4的步骤(D)，将互连器件2具有第四对准连接部22的一侧朝向第五对准连接部4，并将第四对准连接部22和第五对准连接部4彼此接触但在垂直于载板8所在平面的方向上没有精准对中；在焊接过程中，第四对准连接部22和第五对准连接部4中作为对准焊接凸点的一方熔融或部分熔融并浸润作为对准焊盘的另一方，此时基于最小表面能原理，处于熔融或部分熔融状态的对准焊接凸点会趋于变形移动以使第四对准连接部22和第五对准连接部4接近对中状态，从而带动较轻的互连器件2精确对准至第二目标位置，待对准焊接凸点冷却后，互连器件2被精准固定在第二目标位置。

在一些实施例中，如图5所示，第一对准连接部1包括第一对准焊接凸点11和第三对准焊盘14，互连器件2背离第二对准连接部21的一侧设有第四对准焊接凸点221；“于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部”包括如下步骤：

于载板一侧形成金属层；

对金属层进行刻蚀，于第一目标位置和第二目标位置处形成第三对准焊盘；

于位于第一目标位置的第三对准焊盘背离载板一侧形成第一对准焊接凸点；

本实施例中，结合图5的步骤(A)～(B)，利用电镀或沉积工艺在载板8一侧形成金属层，然后对金属层进行刻蚀，在第一目标位置和第二目标位置处形成第三对准焊盘14的图形，再在位于第一目标位置的第三对准焊盘14上形成第一多准焊接凸点11，位于第二目标位置处的第三对准焊盘14用于与互连器件2上的第四对准连接部22(即第四对准焊接凸点221)对准连接。

“将互连器件附接至载板的第二目标位置”包括如下步骤：

利用熔融焊接工艺将第四对准焊接凸点与位于第二目标位置处的第三对准焊盘对准连接。

如图5的步骤(C)所示，将互连器件2的第四对准焊接凸点221朝向第三对准焊盘14，并将第四对准焊接凸点221和第三对准焊盘14彼此接触但在垂直于载板8所在平面的方向上没有精准对中；在焊接过程中，第四对准焊接凸点221处于熔融状态或部分熔融状态，此时基于最小表面能原理，处于熔融或部分熔融状态的第四对准焊接凸点221会趋于变形移动以使第四对准焊接凸点221和第三对准焊盘14接近对中状态，从而带动互连器件2精确对准至第二目标位置，待对准焊接凸点冷却后，互连器件2被精准固定在第二目标位置。

在其他实施方式中，第一对准连接部1还可以仅包括第一对准焊接凸点11，即在载板8的一侧表面的第一目标位置处形成第一对准焊接凸点11，在第二目标位置处形成第五对准连接部4，后续步骤与图2-5任一图类似，在此不再赘述。

在一些实施例中，如图2-5任一图所示，第二对准连接部21包括第二对准焊接凸点211，第三对准连接部31包括第一对准焊盘311；“利用熔融焊接工艺将部分第三对准连接部与第一对准连接部对准连接，以及将剩余第三对准连接部与第二对准连接部对准连接”包括如下步骤：

利用熔融焊接工艺将部分第一对准焊盘与第一对准焊接凸点对准连接，以及将剩余第一对准焊盘与第二对准焊接凸点对准连接。

本实施例中，第一对准连接部1为对准焊接凸点(即第一对准焊接凸点11)，第二对准连接部21为对准焊接凸点(即第二对准焊接凸点211)，第三对准连接部31为对准焊盘(即第一对准焊盘311)。将部分第一对准焊盘311与载板8上的第一对准焊接凸点11基本对准，将剩余第一对准焊盘311与互连器件2上的第二对准焊接凸点211基本对准，在焊接过程中，对第一对准焊接凸点11和第二对准焊接凸点211进行加热，使其处于熔融状态或者部分熔融状态，处于熔融状态或者部分熔融状态的对准焊接凸点浸润第一对准焊盘311，基于最小表面能原理，处于熔融状态或者部分熔融状态的第一对准焊接凸点11会趋于变形移动以使第一对准焊接凸点11和第一对准焊盘311接近对中状态，处于熔融状态或者部分熔融状态的第二对准焊接凸点211会趋于变形移动以使第二对准焊接凸点211和第一对准焊盘311接近对中状态，从而带动较轻的半导体器件3精确对准至目标位置，待对准焊接凸点冷却后，半导体器件3被精准固定在目标位置，实现了半导体器件3的高强度机械固定(可达公斤力级别)，从而解决了后续塑封过程半导体器件3的漂移和旋转问题，有效提高了后续工序的良品率。

在一些实施例中，如图7-10任一项所示，第二对准连接部21包括第二对准焊盘212，第三对准连接部31包括第一对准焊盘311和第三对准焊接凸点312；“利用熔融焊接工艺将部分第三对准连接部与第一对准连接部对准连接，以及将剩余第三对准连接部与第二对准连接部对准连接”包括如下步骤：

利用熔融焊接工艺将部分第一对准焊盘与第一对准焊接凸点对准连接，以及第三对准焊接凸点与第二对准焊盘对准连接。

本实施例中，第一对准连接部1为对准焊接凸点(即第一对准焊接凸点11)，第二对准连接部21为对准焊盘(即第二对准焊盘212)，第三对准连接部31包括与第一对准焊接凸点11对应的第一对准焊盘311，还包括与第二对准焊盘212对应的第三对准焊接凸点312。将第一对准焊盘311与载板8上的第一对准焊接凸点11基本对准，将第三对准焊接凸点312与互连器件2上的第二对准焊盘212基本对准，在焊接过程中，分别对第一对准焊接凸点11和第三对准焊接凸点312进行加热，使其处于熔融状态或者部分熔融状态，基于最小表面能原理，处于熔融状态或者部分熔融状态的第一对准焊接凸点11会趋于变形移动以使第一对准焊接凸点11和第一对准焊盘311接近对中状态，处于熔融状态或者部分熔融状态的第三对准焊接凸点312会趋于变形移动以使第三对准焊接凸点312和第二对准焊盘212接近对中状态，从而带动较轻的半导体器件3精确对准至目标位置，待对准焊接凸点冷却后，半导体器件3被精准固定在目标位置，实现了半导体器件3的高强度机械固定(可达公斤力级别)，从而解决了后续塑封过程半导体器件3的漂移和旋转问题，有效提高了后续工序的良品率。

在一些实施例中，如图6所示，第一对准连接部1包括第三对准焊盘14，互连器件2背离第二对准连接部21的一侧设有第四对准焊接凸点221，即第四对准连接部22为对准焊接凸点；“于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部”包括如下步骤：

于载板一侧的第一目标位置处和第二目标位置处形成第三对准焊盘；

如图6的步骤(A)所示，利用电镀或沉积工艺在载板8的一侧形成第三对准焊盘14，位于第一目标位置处的第三对准焊盘14用于与半导体器件3上的第三对准连接部31对准连接，位于第二目标位置处的第三对准焊盘14用于与互连器件2上的第四对准连接部22(即第四对准焊接凸点221)对准连接。

“将互连器件附接至载板的第二目标位置”包括如下步骤：

利用熔融焊接工艺将第四对准焊接凸点与位于第二目标位置处的第三对准焊盘对准连接。

如图6的步骤(B)所示，将互连器件2的第四对准焊接凸点221朝向第三对准焊盘14，并将第四对准焊接凸点221和第三对准焊盘14彼此接触但在垂直于载板8所在平面的方向上没有精准对中；在焊接过程中，第四对准焊接凸点221处于熔融状态或部分熔融状态，此时基于最小表面能原理，处于熔融或部分熔融状态的第四对准焊接凸点221会趋于变形移动以使第四对准焊接凸点221和第三对准焊盘14接近对中状态，从而带动互连器件2精确对准至第二目标位置，待对准焊接凸点冷却后，互连器件2被精准固定在第二目标位置。

在一些实施例中，如图6所示，第二对准连接部21包括第二对准焊接凸点211，第三对准连接部31包括第五对准焊接凸点313和第一对准焊盘311；

“利用熔融焊接工艺将部分第三对准连接部与第一对准连接部对准连接，以及将剩余第三对准连接部与第二对准连接部对准连接”包括如下步骤：

利用熔融焊接工艺将第五对准焊接凸点与第三对准焊盘对准连接，以及将第一对准焊盘与第二对准连接凸点对准连接。

本实施例中，如图6的步骤(C)所示，位于第一目标位置处的第一对准连接部1为对准焊盘(即第三对准焊盘14)，第二对准连接部21为对准焊接凸点(即第二对准焊接凸点211)，与第三对准焊盘14对应的第三对准连接部31为第五对准焊接凸点313，与第二对准焊接凸点211对应的第三对准连接部31为对准焊盘(即第一对准焊盘311)。将第五对准焊接凸点313与载板8上的第三对准焊盘14基本对准，将第一对准焊盘311与互连器件2上的第二对准焊接凸点211基本对准，在焊接过程中，对第五对准焊接凸点313和第二对准焊接凸点211进行加热，使其处于熔融状态或者部分熔融状态，处于熔融状态或者部分熔融状态的对准焊接凸点浸润与其对应的对准焊盘，基于最小表面能原理，处于熔融状态或者部分熔融状态的第五对准焊接凸点313会趋于变形移动以使第五对准焊接凸点313和第三对准焊盘14接近对中状态，处于熔融状态或者部分熔融状态的第二对准焊接凸点211会趋于变形移动以使第二对准焊接凸点211和第一对准焊盘311接近对中状态，从而带动较轻的半导体器件3精确对准至目标位置，待对准焊接凸点冷却后，半导体器件3被精准固定在目标位置，实现了半导体器件3的高强度机械固定(可达公斤力级别)，从而解决了后续塑封过程半导体器件3的漂移和旋转问题，有效提高了后续工序的良品率。

在一些实施例中，如图11所示，第二对准连接部21包括第二对准焊盘212，第三对准连接部31包括第三对准焊接凸点312和第五对准焊接凸点313；“利用熔融焊接工艺将部分第三对准连接部与第一对准连接部对准连接，以及将剩余第三对准连接部与第二对准连接部对准连接”包括如下步骤：

利用熔融焊接工艺将第五对准焊接凸点与第三对准焊盘连接部对准连接，以就将第三对准焊接凸点与第二对准焊盘对准连接。

本实施例中，位于第一目标位置处的第一对准连接部1为对准焊盘(即第三对准焊盘14)，第二对准连接部21为对准焊盘(即第二对准焊盘212)，与第三对准焊盘14对应的第三对准连接部31为第五对准焊接凸点313，与第二对准焊盘212对应的第三对准连接部31为对准焊接凸点(即第三对准焊接凸点312)。将第五对准焊接凸点313与载板8上的第三对准焊盘14基本对准，将第一对准焊盘311与互连器件2上的第二对准焊接凸点211基本对准，在焊接过程中，对第五对准焊接凸点313和第三对准焊接凸点312进行加热，使其处于熔融状态或者部分熔融状态，处于熔融状态或者部分熔融状态的对准焊接凸点浸润与其对应的对准焊盘，基于最小表面能原理，处于熔融状态或者部分熔融状态的第五对准焊接凸点313会趋于变形移动以使第五对准焊接凸点313和第三对准焊盘14接近对中状态，处于熔融状态或者部分熔融状态的第三对准焊接凸点312会趋于变形移动以使第三对准焊接凸点312和第二对准焊盘212接近对中状态，从而带动较轻的半导体器件3精确对准至目标位置，待对准焊接凸点冷却后，半导体器件3被精准固定在目标位置，实现了半导体器件3的高强度机械固定(可达公斤力级别)，从而解决了后续塑封过程半导体器件3的漂移和旋转问题，有效提高了后续工序的良品率。

在一些实施例中，如图15所示，第二对准连接部21包括具有焊锡膜的热压焊盘213，第三对准连接部31包括第五对准焊接凸点313和第一对准焊盘311；“利用熔融焊接工艺将部分第三对准连接部与第一对准连接部对准连接，以及将剩余第三对准连接部与第二对准连接部对准连接”包括如下步骤：

利用熔融焊接工艺将第五对准焊接凸点与第三对准焊盘对准连接；

利用热压键合工艺将第一对准焊盘与热压焊盘对准连接。

本实施例中，热压键盘213位于互连器件2背离载板8的一侧，热压键盘213背离互连器件2的一侧表面涂布焊锡膜，与前文描述的对准焊接凸点相比，热压键盘213具有的焊锡料较少，不会形成凸点结构，互连器件2的厚度更薄，能够实现更小尺寸的间距和直径，有利于实现更大密度和更薄的封装结构。虽然热压键盘213上的焊锡膜没有形成凸点，仍具有一定的自动对准功能。

如图15的步骤(C)所示，位于第一目标位置处的第一对准连接部1为对准焊盘(即第三对准焊盘14)，第二对准连接部21为热压焊盘213，与第三对准焊盘14对应的第三对准连接部31为第五对准焊接凸点313，与热压焊盘213对应的第三对准连接部31为对准焊盘(即第一对准焊盘311)。将第五对准焊接凸点313与载板8上的第三对准焊盘14基本对准，将第一对准焊盘311与互连器件2上的热压焊盘213基本对准，在焊接过程中，对第五对准焊接凸点313，使其处于熔融状态或者部分熔融状态，处于熔融状态或者部分熔融状态的对准焊接凸点浸润与其对应的对准焊盘，基于最小表面能原理，处于熔融状态或者部分熔融状态的第五对准焊接凸点313会趋于变形移动以使第五对准焊接凸点313和第三对准焊盘14接近对中状态，第五对准焊接凸点313产生的表面张力能够带动较轻的半导体器件3精确对准至目标位置，待第五对准焊接凸点313冷却后，半导体器件3被精准固定在目标位置，实现了半导体器件3的高强度机械固定(可达公斤力级别)，从而解决了后续塑封过程半导体器件3的漂移和旋转问题，有效提高了后续工序的良品率。

此时热压焊盘213与第一对准焊盘311彼此接触，但没有实现固定连接关系。如图15的步骤(D)所示，对热压焊盘213进行加热，使得热压焊盘213上的焊锡膜处于熔融状态，同时自半导体器件3的上方(即背离第一对准焊盘311的一侧)施加向下的压力，再保持向下压力的同时进行降温，使得热压焊盘213上的焊锡膜凝固，从而实现热压焊盘213与第一对准焊盘311的对准连接。其中，热压键合时的温度低于熔融焊接时的温度。

在一些实施例中，在半导体器件3背离第三对准连接部31的一侧放置平板，通过向下按压平板以进行压平处理，使得所有半导体器件3背离第三对准连接部31的一侧表面位于同一高度。

在一些实施例中，如图15所示，将步骤(C)的得到的封装结构放置于高压釜9中，利用热压薄膜覆盖上述封装结构以形成密闭空间，通过抽真空方式向半导体器件3施加均匀压力，使得不同半导体器件3背离第三对准连接部31的一侧表面无须位于同一高度，避免了因压力过大导致封装结构损坏。

需要说明的是，将第二对准连接部21设置为具有焊锡膜的热压焊盘213，并通过热压工艺实现热压焊盘213与第一对准焊盘311的对准连接，可应用于本申请提供的所有实施例中，为了避免重复描述，在此不再赘述。

在一些实施例中，如图16所示，第二对准连接部21包括第二对准焊盘212，与第二对准焊盘212对应的第三对准连接部31为具有焊锡膜的热压焊盘。具体制作步骤与图15所示步骤类似，在此不再赘述。

在一些实施例中，如图17所示，该半导体封装方法还包括如下步骤：

S240、形成塑封层，塑封层包裹半导体器件、互连器件和第一对准连接部。

将第三对准连接部31与第一对准连接部1与第三对准连接部21对准连接后，如图2-5任一图所示，可采用注塑、压注或印刷等模塑工艺进行塑封，塑封层5的制备材料包括树脂类材料(例如环氧树脂)的模塑化合物。塑封层5与半导体器件3位于载板8的同侧，且塑封层5覆盖半导体器件3的无源面，还包覆半导体器件3的侧面，并填充于半导体器件3、互联器件2以及第一对准连接部1之间的空隙中。

S250、去除载板。

本步骤中，采用热解键、激光解键或机械解键方式中的一种去除载板8。其中，可根据载板8的类型，选择去除载板的方式。若载板8为玻璃载板或其他透光的载板，则可采用热解键、机械解键和激光解键方式中的任一种来去除载板8；若载板8为不锈钢载板或者其他不透光的载板，则采用热解键或机械解键来移除载板。如图2所示，去除载板8后，暴露处第一重布线层12和第五对准连接部；如图3所示，去除载板8后，暴露出第一重布线层12；如图4所示，去除载板8后，暴露出第二重布线层13；如图5或13所示，去除载板8后，暴露出第三对准焊盘14。

S260、于塑封层背离半导体器件的一侧形成第三重布线层。

本步骤中，可采用本技术领域人员可知的所有工艺制备第三重布线层6，在此不再赘述。第三重布线层6包括至少一层金属层和至少一层绝缘层。重布线层具有较高的走线密度，从而减少外接电路板上的走线密度，既降低了布线难度，又有利于降低成本。

需要说明的是，第三重布线层6中金属层的数量，与前文提及的第一重布线层12和第二重布线层13中金属层的数量可相等，也可不相等。

S270、于第三重布线层背离塑封层的一侧形成连接结构，连接结构与第三重布线层电连接。

其中，连接结构7用于连接外部器件，可根据外接器件设置连接结构7的数量和分布。外部器件是本领域技术人员可知的所有器件，例如印制电路板Printed CircuitBoards，PCB)或处理器。

示例性地，如图2-16任一图所示，连接结构7包括焊球，焊球与第三重布线层6电连接，第三重布线层6与第一对准连接部1电连接，第一对准连接部1与半导体器件3电连接，如此实现了半导体器件3与外部器件的电连接。

需要说明的是，图2-16仅示例性地示出将连接结构6设置为球状，但并不构成对本公开实施例提供的半导体封装方法的限定。在其他实施方式中，连接结构7还可以设置为其他形式，例如柱状或块状，在此不限定。

步骤S210～S230与前文中S110～S130处相同，可参见在S110～S130处对的解释说明，在此不再赘述。

在一些实施例中，如图2-14任一图所示，互连器件2还包括贯穿互联器件本体的过孔，过孔连接第二对准连接部21和第四对准连接部22。如此设置半导体器件3还可以通过第三对准连接部31、第二对准连接部21、过孔、第四对准连接部、第五对准连接部实现对外连接，提高了半导体器件3的通线密度。

在上述实施方式的基础上，本公开实施例还提供了一种半导体组件，该半导体组件是通过上述任一种半导体封装方法进行封装的，具有对应的有益效果，为避免重复描述，在此不再赘述。

在上述实施方式的基础上，本公开实施例还提供了一种电子设备，该电子设备包括上述半导体组件，具有对应的有益效果，为避免重复描述，在此不再赘述。

需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅是本公开的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本公开将不会被限制于本文所述的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (15)

1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：

提供载板，并于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部；

提供互连器件，并将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，所述互连器件与所述第一对准连接部位于所述载板的同一侧，所述互连器件背离所述载板的一侧设有第二对准连接部；

提供半导体器件，所述半导体器件的有源面具有第三对准连接部，利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接；

其中，所述第一对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘中的一种，与所述第一对准连接部对应的所述第三对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘的另一种；所述第二对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘中的一种，与所述第二对准连接部对应的所述第三对准连接部包括对准焊接凸点和对准焊盘的另一种。

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：

对所述对准焊接凸点进行加热，使得所述对准焊接凸点至少部分处于熔融状态；

将至少部分处于熔融状态的所述对准焊接凸点与所述第一对准焊盘进行焊接。

3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点和第一重布线层，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准连接部；

所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：

于所述载板一侧形成所述第一重布线层；

于所述第一重布线层背离所述载板一侧的所述第一目标位置处形成所述第一对准焊接凸点；

所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：

刻蚀位于所述第二目标位置的所述第一重布线层形成开口，所述开口暴露出所述载板；

于所述开口暴露的所述载板一侧形成第五对准连接部；

利用熔融焊接工艺将所述第五准连接部与所述第四对准连接部对准连接；其中，所述第四对准连接部和所述第五对准连接部中的一个为对准焊接凸点，另一个为对准焊盘。

4.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点和第一重布线层，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准连接部；

所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：

于所述载板一侧形成第一重布线层；

于所述第一重布线层背离所述载板一侧的第一目标位置处形成所述第一对准焊接凸点；

所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：

于所述第一重布线层背离载板的一侧的所述第二目标位置处形成第五对准连接部；

利用熔融焊接工艺将所述第五准连接部与所述第四对准连接部对准连接；其中，所述第四对准连接部和所述第五对准连接部中的一个为对准焊接凸点，另一个为对准焊盘。

5.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点、第一重布线层和第二重布线层；所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准连接部；

所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：

于所述载板一侧形成第二重布线层；

于所述第二重布线层背离所述载板一侧形成第一重布线层；

于所述第一重布线层背离所述第二重布线层一侧的所述第一目标位置处形成所述第一对准焊接凸点；

所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：

刻蚀位于所述第二目标位置的所述第一重布线层形成开口，所述开口暴露出所述第二重布线层；

于所述开口暴露的所述第二重布线层的一侧形成第五对准连接部；

利用熔融焊接工艺将所述第五准连接部与所述第四对准连接部对准连接；其中，所述第四对准连接部和所述第六对准连接部中的一个为对准焊接凸点，另一个为对准焊盘。

6.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点和第三对准焊盘，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准焊接凸点；

所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：

于所述载板一侧形成所述金属层；

对所述金属层进行刻蚀，于所述第一目标位置和所述第二目标位置处形成所述第三对准焊盘；

于位于所述第一目标位置的第三对准焊盘背离载板一侧形成所述第一对准焊接凸点；

所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：

利用熔融焊接工艺将所述第四对准焊接凸点与位于所述第二目标位置处的所述第三对准焊盘对准连接。

7.根据权利要求3-6任一项所述的半导体封装方法，所述第二对准连接部包括第二对准焊接凸点，所述第三对准连接部包括第一对准焊盘；

利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：

利用熔融焊接工艺将部分所述第一对准焊盘与所述第一对准焊接凸点对准连接，以及将剩余所述第一对准焊盘与所述第二对准焊接凸点对准连接。

8.根据权利要求3-6任一项所述的半导体封装方法，所述第二对准连接部包括第二对准焊盘，所述第三对准连接部包括第一对准焊盘和第三对准焊接凸点；

利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：

利用熔融焊接工艺将部分所述第一对准焊盘与所述第一对准焊接凸点对准连接，以及所述第三对准焊接凸点与所述第二对准焊盘对准连接。

9.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一对准连接部包括第三对准焊盘，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准焊接凸点；

所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：

于所述载板一侧的所述第一目标位置处和所述第二目标位置处形成第三对准焊盘；

所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：

利用熔融焊接工艺将所述第四对准焊接凸点与位于所述第二目标位置处的所述第三对准焊盘对准连接。

10.根据权利要求9所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第二对准连接部包括第二对准焊盘，所述第三对准连接部包括第三对准焊接凸点和第五对准焊接凸点；

所述利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：

利用熔融焊接工艺将所述第五对准焊接凸点与所述第三对准焊盘连接部对准连接，以就将所述第三对准焊接凸点与所述第二对准焊盘对准连接。

11.根据权利要求9所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第二对准连接部包括第二对准焊接凸点，所述第三对准连接部包括第五对准焊接凸点和第一对准焊盘；

所述利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：

利用熔融焊接工艺将所述第五对准焊接凸点与所述第三对准焊盘对准连接，以及将所述第一对准焊盘与所述第二对准连接凸点对准连接。

12.根据权利要求9所述的半导体封装方法，所述第二对准连接部包括具有焊锡膜的热压焊盘，所述第三对准连接部包括第三对准焊接凸点和第一对准焊盘；

所述利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：

利用熔融焊接工艺将所述第五对准焊接凸点与所述第三对准焊盘对准连接；

利用热压键合工艺将所述第一对准焊盘与所述热压焊盘对准连接。

13.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，还包括：

形成塑封层，所述塑封层包裹所述半导体器件、所述互连器件和所述第一对准连接部；

去除所述载板；

于所述塑封层背离所述半导体器件的一侧形成第三重布线层；

于所述第三重布线层背离所述塑封层的一侧形成连接结构，所述连接结构与所述第三重布线层电连接。

14.一种半导体组件，其特征在于，所述半导体组件是基于如权利要求1-13任一项所述的半导体封装方法进行封装得到的。

15.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求14所述的半导体组件。