CN117800617A - 一种仿陶瓷结构及其制备方法、电子设备壳体 - Google Patents
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Abstract
为克服现有仿陶瓷玻璃后盖存在无法实现真实仿陶瓷效果的问题，本发明提供了一种仿陶瓷结构，包括透明基材、仿陶瓷膜层和油墨层，所述仿陶瓷膜层位于所述透明基材和所述油墨层之间，所述仿陶瓷膜层由第一高折射率材料层、第一低折射率材料层、第二高折射率材料层和第二低折射率材料层组成，所述第一高折射率材料层、所述第一低折射率材料层、所述第二高折射率材料层和所述第二低折射率材料层依次层叠。同时，本发明还公开了上述仿陶瓷结构的制备方法以及包括上述仿陶瓷结构的电子设备壳体。本发明提供的仿陶瓷结构在不同角度的入射光条件下以不同的观察角度观察，观察到的颜色差异性较小，无视觉变色效果，能够更好地模拟陶瓷结构的真实质感。
Description
技术领域
本发明属于电子设备壳体技术领域，具体涉及一种仿陶瓷结构及其制备方法、电子设备壳体。
背景技术
电子产品的壳体，如手机后盖，材质常见的有玻璃、陶瓷、塑胶板材。其中陶瓷后盖的制备成本相比于玻璃后盖的制备成本高，陶瓷一般应用在高端旗舰机型中，定位高端的其中一个原因就是陶瓷外观效果，温润如玉，同时有光质感，且色泽一体感强。而玻璃后盖由于其质感略差于陶瓷后盖，一般仅应用于中高端机型中。
目前有一类技术，通过在玻璃后盖上通过镀膜工艺或膜片+镀膜工艺以形成仿陶瓷效果，然而不管是纯镀膜工艺还是膜片+镀膜工艺，效果主要是幻彩的、或渐变的、或单一色，往往表现的没有质感，一方面，现有工艺得到的仿陶瓷玻璃后盖的对光线的反射率与陶瓷后盖还是存在一定的差异；另一方面，现有工艺得到的仿陶瓷玻璃后盖在正视的时候也许能够达到仿陶瓷的效果，但是一旦观察角度或是入射光角度发生变化后，会发现该种工艺得到的玻璃后盖会出现颜色的较大变化，而在真实的陶瓷后盖在各个角度观察的颜色是较为均一的，并没有该种颜色变化，主要原因有：常规的镀膜工艺在视觉上都会存在一定程度的变色现象(不同观测角度，颜色会有一定的视觉效果的变化)。同时一些仿陶瓷玻璃后盖上还设置有UV纹理层以达到正面仿陶瓷的效果，但UV纹理层同样存在随着观察角度变化变色的问题。因此，现有的仿陶瓷玻璃后盖没有达到真实的仿陶瓷效果。
发明内容
针对现有仿陶瓷玻璃后盖存在无法实现真实仿陶瓷效果的问题，本发明提供了一种仿陶瓷结构及其制备方法、电子设备壳体。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案如下：
一方面，本发明提供了一种仿陶瓷结构，包括透明基材、仿陶瓷膜层和油墨层，所述仿陶瓷膜层位于所述透明基材和所述油墨层之间，所述仿陶瓷膜层由第一高折射率材料层、第一低折射率材料层、第二高折射率材料层和第二低折射率材料层组成，所述第一高折射率材料层、所述第一低折射率材料层、所述第二高折射率材料层和所述第二低折射率材料层依次层叠；
所述第一高折射率材料层和所述第二高折射率材料层的折射率>2.3，所述第一低折射率材料层和所述第二低折射率材料层的折射率<1.6。
可选的，所述仿陶瓷结构的反射率为25％-30％。
可选的，所述第一高折射率材料层与所述透明基材接触。
可选的，所述第一低折射率材料层和所述第二低折射率材料层各自独立地选自SiO2和MgF2中的一种或多种。
可选的，所述第一低折射率材料层和所述第二低折射率材料层选自SiO2。
可选的，所述第一高折射率材料层和所述第二高折射率材料层各自独立地选自Nb2O5、Ti3O5和TiO2中的一种或多种。
可选的，所述第一高折射率材料层和所述第二高折射率材料层选自Nb2O5。
可选的，所述第一高折射率材料层的厚度为53.8～105.8nm，所述第二高折射率材料层的厚度为1～16nm，所述第一低折射率材料层的厚度为32.4～86.4nm，所述第二低折射率材料层的厚度为44.6～90.6nm。
可选的，所述透明基材为玻璃。
可选的，所述仿陶瓷结构还包括有抗摔层，所述抗摔层位于所述透明基材和所述仿陶瓷膜层之间，所述抗摔层为有机硅氧烷材料。
可选的，所述有机硅氧烷材料由小分子硅氧烷聚合得到，所述小分子硅氧烷包括带有有机基团的二烷氧基硅烷、带有有机基团的三烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷中的一种或多种，所述有机基团选自烃基、苯基、环氧基、氨基、异氰酸酯基和酯基及其组合。
可选的，所述抗摔层的厚度为100～2000nm。
再一方面，本发明提供了如权利要求1～8任意一项所述的仿陶瓷结构的制备方法，包括以下操作步骤：
提供一包括有透明基材的透明前体；
对透明前体依次进行第一高折射率材料层、第一低折射率材料层、第二高折射率材料层和第二低折射率材料层的镀膜操作，以在所述透明前体的表面形成仿陶瓷膜层；
在形成的仿陶瓷膜层的表面施加油墨，得到仿陶瓷结构。
可选的，在透明基材的表面覆盖有硅酸盐类材料以形成抗摔层，以得到透明前体；在所述抗摔层的表面形成所述仿陶瓷膜层。
可选的，在形成所述抗摔层之前，对所述透明基材进行表面清洁处理。
可选的，通过真空镀膜的方式在所述透明前体上依次沉积第一高折射率材料层、第一低折射率材料层、第二高折射率材料层和第二低折射率材料层。
再一方面，本发明提供了一种电子设备壳体，包括如上所述的仿陶瓷结构。
根据本发明提供的仿陶瓷结构，发明人通过大量实验发现，通过在透明基材和油墨层之间采用特定数量和顺序的第一高折射率材料层、第一低折射率材料层、第二高折射率材料层和第二低折射率材料层组成仿陶瓷膜层，能够在透明基材的表面实现仿陶瓷效果，对陶瓷起到一定程度的替代，且常规透明基材的材料和加工成本较低，能够有效降低生产成本；尤其是，相比于现有其他仿陶瓷结构，得到的仿陶瓷结构具有与现有真实陶瓷结构相似的表面反射率，且所述仿陶瓷结构无角度变色的问题，在不同角度的入射光条件下以不同的观察角度观察，观察到的仿陶瓷结构的颜色差异性较小，无视觉变色效果，因此能够更好地模拟陶瓷结构的真实质感。
附图说明
图1是本发明提供的仿陶瓷结构的结构示意图。
说明书附图中的附图标记如下：
1、透明基材；2、抗摔层；3、仿陶瓷膜层；31、第一高折射率材料层；32、第一低折射率材料层；33、第二高折射率材料层；34、第二低折射率材料层；4、油墨层。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参见图1所示，本发明实施例提供了一种仿陶瓷结构，包括透明基材1、仿陶瓷膜层3和油墨层4，所述仿陶瓷膜层3位于所述透明基材1和所述油墨层4之间，所述仿陶瓷膜层3由第一高折射率材料层31、第一低折射率材料层32、第二高折射率材料层33和第二低折射率材料层34组成，所述第一高折射率材料层31、所述第一低折射率材料层32、所述第二高折射率材料层33和所述第二低折射率材料层34依次层叠；
所述第一高折射率材料层31和所述第二高折射率材料层33的折射率>2.3，所述第一低折射率材料层32和所述第二低折射率材料层34的折射率<1.6。
发明人通过大量实验发现，通过在透明基材1和油墨层4之间采用特定数量和顺序的第一高折射率材料层31、第一低折射率材料层32、第二高折射率材料层33和第二低折射率材料层34组成仿陶瓷膜层3，能够在透明基材1的表面实现仿陶瓷效果，对陶瓷起到一定程度的替代，且常规透明基材1的材料和加工成本较低，能够有效降低生产成本；尤其是，相比于现有其他仿陶瓷结构，得到的仿陶瓷结构具有与现有真实陶瓷结构相似的表面反射率，且所述仿陶瓷结构无角度变色的问题，在不同角度的入射光条件下以不同的观察角度观察，观察到的仿陶瓷结构的颜色差异性较小，无视觉变色效果，因此能够更好地模拟陶瓷结构的真实质感。
需要说明的是，术语“第一高折射率材料层31”、“第二高折射率材料层33”、“第一低折射率材料层32”和“第二低折射率材料层34”为相对概念，表示“第一高折射率材料层31”和“第二高折射率材料层33”的折射率高于“第一低折射率材料层32”和“第二低折射率材料层34”。
通过高折射率材料层和低折射率材料层的层叠设置，可以对光线的反射起到调节作用，与透明基材1和油墨层4共同影响所述仿陶瓷结构的表面光泽度；需要说明的是，不同的高折射率材料层和低折射率材料层的层叠数量和顺序会对其光泽度和不同方向上的反射率起到较大的影响，本发明中，所述仿陶瓷结构在不同角度入射光和观察条件下具有颜色差异性小的特点与高折射率材料层和低折射率材料层的数量和层叠顺序直接相关，任何对于其层叠数量和顺序上的改变均会导致其呈现效果的改变，进而无法得到本发明所要实现的真实陶瓷质感。
在一些实施例中，所述仿陶瓷结构的反射率为25％-30％。
通过控制所述仿陶瓷结构的表面反射率处于25％-30％之间，能够更好地模拟陶瓷的光泽感，满足仿陶瓷的要求。具体的，可对所述第一高折射率材料层31、所述第二高折射率材料层33、所述第一低折射率材料层32和所述第二低折射率材料层34的折射率进行选择以及膜层厚度的控制，以对所述仿陶瓷膜层3的反射率进行调控。
在不同的实施例中，所述第一高折射率材料层31与所述透明基材接触，即所述第一高折射率材料层31、所述第一低折射率材料层32、所述第二高折射率材料层33和所述第二低折射率材料层34沿远离所述透明基材1方向依次层叠。或，所述第二低折射率材料层34与所述透明基材接触，所述第一高折射率材料层31、所述第一低折射率材料层32、所述第二高折射率材料层33和所述第二低折射率材料层34沿远离所述油墨层4方向依次层叠。
且相比于“所述第二低折射率材料层34与所述透明基材接触”的方式，所述第一高折射率材料层31与所述透明基材接触，有利于提高各膜层之间的结合力，以提高所述仿陶瓷结构的耐磨性能。
在一些实施例中，所述第一低折射率材料层32和所述第二低折射率材料层34各自独立地选自SiO2和MgF2中的一种或多种。
在优选的实施例中，所述第一低折射率材料层32和所述第二低折射率材料层34选自SiO2。
在一些实施例中，所述第一高折射率材料层31和所述第二高折射率材料层33各自独立地选自Nb2O5、Ti3O5和TiO2中的一种或多种。
在优选的实施例中，所述第一高折射率材料层31和所述第二高折射率材料层33选自Nb2O5。
在一些实施例中，所述第一高折射率材料层的厚度为53.8～105.8nm，所述第二高折射率材料层的厚度为1～16nm，第一低折射率材料层的厚度为32.4～86.4nm，所述第二低折射率材料层的厚度为44.6～90.6nm。
所述第一高折射率材料层31、所述第二高折射率材料层33、所述第一低折射率材料层32和所述第二低折射率材料层34的厚度对于所述防陶瓷结构的防陶瓷效果具有较大的影响，当所述第一高折射率材料层31、所述第二高折射率材料层33、所述第一低折射率材料层32和所述第二低折射率材料层34的厚度处于上述范围中时，有利于保证所述仿陶瓷结构的表面反射率与真实陶瓷效果的一致性，避免厚度过低或过高导致的显示差异问题。
在一些实施例中，所述透明基材1可以为单层透明材料或多层透明材料叠加。
所述仿陶瓷结构的形状主要由所述透明基材1的的结构决定，根据不同的应用领域，可对所述透明基材1的形状进行调整，例如，所述透明基材1的形状可以为板状、立体结构或不规则结构，其尺寸可根据实际进行选择，例如，当所述仿陶瓷结构为手机背板时，其面积和厚度可根据具体的手机形状进行调整。
在一些实施例中，所述透明基材1为透明塑胶材料和玻璃的一种或多种。
在优选的实施例中，所述透明基材1为玻璃。
相比于透明塑胶材料，采用玻璃作为透明基材1，具有高硬度、透明度高和低雾度的特点，能够更好的体现类似于陶瓷的触摸质感和釉质感。
但是采用玻璃作为透明基材1同样存在一定的不足，其主要在于目前的玻璃由于其材料限制，抗冲击能力不足，尤其是，在沉积所述仿陶瓷膜层3时，所述仿陶瓷膜层3自身具有较大的内应力存在，进而导致玻璃存在较大的表面应力，在受到外部的冲击条件下，更易导致玻璃内部的裂纹扩大，进而导致玻璃碎裂的情况发生，为解决上述问题，在一些实施例中，所述仿陶瓷结构还包括有抗摔层2，所述抗摔层2位于所述透明基材1和所述仿陶瓷膜层3之间，所述抗摔层2为有机硅氧烷材料。
有机硅氧烷材料具有较好的形变适应能力，通过采用有机硅氧烷材料作为所述玻璃和所述仿陶瓷膜层3之间的抗摔层2，可以填充所述玻璃上的微裂缝，从而达到对于玻璃的增强效果，提高玻璃本身的抗冲击性能，同时所述抗摔层2可以较好地缓冲由所述仿陶瓷膜层3产生的应力作用，解决所述仿陶瓷层和所述玻璃之间的应力不匹配的问题，有效地提高了所述仿陶瓷结构的强度和抗冲击性能。
在一些实施例中，所述有机硅氧烷材料由小分子硅氧烷聚合得到，所述小分子硅氧烷包括带有有机基团的二烷氧基硅烷、带有有机基团的三烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷中的一种或多种，所述有机基团选自烃基、苯基、环氧基、氨基、异氰酸酯基和酯基及其组合。
所述抗摔层可通过采用有机硅氧烷作为靶材在所述透明基材1上蒸镀得到，或是采用所述小分子硅氧烷直接在所述透明基材1上涂布并聚合固化得到。
在一些实施例中，所述抗摔层2的厚度为100～2000nm。
当所述抗摔层2的厚度处于上述范围中时，一方面能够起到较好的缓冲作用，提高所述仿陶瓷结构的抗冲击性能；另一方面也可以避免由于厚度过高影响所述仿陶瓷结构的光学显示效果。
在一些实施例中，所述油墨层4可以为不同颜色的油墨层，作为示例，所述油墨层4可以为红色、黄色、蓝色、绿色、黑色或以上颜色混合后的颜色。
在优选的实施例中，所述油墨层4为黑色。
在一些实施例中，所述仿陶瓷结构还可包括其他不影响其仿陶瓷效果的功能层，如硬化层、抗指纹层等。
本发明的另一实施例提供了如上所述的仿陶瓷结构的制备方法，包括以下操作步骤：
提供一包括有透明基材1的透明前体；
对透明前体依次进行第一高折射率材料层31、第一低折射率材料层32、第二高折射率材料层33和第二低折射率材料层34的镀膜操作，以在所述透明前体的表面形成仿陶瓷膜层3；
在形成的仿陶瓷膜层3的表面施加油墨，得到仿陶瓷结构。
在一些实施例中，在透明基材1的表面覆盖有硅酸盐类材料以形成抗摔层2，以得到透明前体；在所述抗摔层2的表面形成所述仿陶瓷膜层3。
在一些实施例中，在形成所述抗摔层2之前，对所述透明基材1进行表面清洁处理。
所述透明基材1的表面清洁操作包括去离子水清洗、表面活性剂清洗和超声清洗中的一种或多种。
通过表面清洁处理有利于去除所述透明基材1表面的灰尘等杂质，避免所述透明基材1的表面杂质对于仿陶瓷膜层3结合效果和光学性能的影响。
在一些实施例中，通过真空镀膜的方式在所述透明前体上依次沉积第一高折射率材料层31、第一低折射率材料层32、第二高折射率材料层33和第二低折射率材料层34。
第一高折射率材料层31、第一低折射率材料层32、第二高折射率材料层33和第二低折射率材料层34可通过物理气相沉积、蒸发镀膜或磁控溅射的方式制备得到。
具体的，根据选择的材料不同，可通过离子源轰击对应的靶材以形成溅射源，在真空或惰性气体的环境下进行沉积，在必要时可加入氧气或氮气等辅助气源，例如，当所述第一低折射率材料层32和所述第二低折射率材料层34选自SiO2，可采用硅为靶材，并通入氧气作为辅助气体以形成SiO2层；当所述第一高折射率材料层31和所述第二高折射率材料层33选自Nb2O5时，可采用金属铌为靶材，并通入氧气作为辅助气体以形成Nb2O5层。
在一些实施例中，所述油墨层4可通喷涂、淋涂、辊涂或丝网印刷的方式制备得到。
本发明的另一实施例提供了一种电子设备壳体，包括如上所述的仿陶瓷结构。
在一些实施例中，所述电子设备壳体为手机、平板电脑、手表及其他可穿戴电子设备或家用电器。
以下通过实施例对本发明进行进一步的说明。
实施例1
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括以下操作步骤：
1)清洗：
把玻璃基材放入九槽超声波清洗1个小时，去除表面落尘、脏污残留。
2)镀抗摔层：
a.把清洗好的玻璃基材覆保护膜以覆盖非处理部分，然后固定在镀膜机的伞具上，完成上料。
b.开启镀膜机，采用有机硅氧烷作为膜料，在玻璃基材上蒸镀抗摔层。
3)镀仿陶瓷膜：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为54.8nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度84.4nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度9nm，完成镀膜；
f.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度45.6nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
4)丝印黑色油墨，烘烤120℃，90分钟。
实施例2
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为95.3nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度35.1nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度2.7nm，完成镀膜；
f.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，87.7nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
实施例3
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为84.2nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度34.5nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度15.3nm，完成镀膜；
f.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度46.3nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
实施例4
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为75.3nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度56.3nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度6.2nm，完成镀膜；
f.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度75.1nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
实施例5
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为26nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度84.4nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度9nm，完成镀膜；
f.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度45.6nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
实施例6
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为118nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度84.4nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度9nm，完成镀膜；
f.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度45.6nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
实施例7
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为54.8nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度14nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度9nm，完成镀膜；
f.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度45.6nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
实施例8
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为54.8nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度97nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度9nm，完成镀膜；
f.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度45.6nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
实施例9
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为54.8nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度84.4nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度0.5nm，完成镀膜；
f.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度45.6nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
实施例10
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为54.8nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度84.4nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度38nm，完成镀膜；
f.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度45.6nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
实施例11
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为54.8nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度84.4nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度9nm，完成镀膜；
f.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度20nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
实施例12
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为54.8nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度84.4nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度9nm，完成镀膜；
f.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度152nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
实施例13
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
MgF2采用溅射MgF2膜料获得；Nb2O5通过溅射Nb2O5膜料获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb2O5膜料蒸发电源，功率7KW，厚度设置为66.6nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.旋转至MgF2膜料位，沉积MgF2膜层，厚度58.1nm，完成镀膜；
e.旋转至Nb2O5膜料位，氧气流量40sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度9.4nm，完成镀膜；
f.旋转至MgF2膜料位，沉积MgF2膜层，厚度38.2nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭蒸发源电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
实施例14
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；TiO2通过溅射Ti靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Ti靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为56.9nm，完成TiO2的镀膜；
d.关闭Ti靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度38.6nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Ti靶电源，氧气流量200sccm，沉积TiO2膜层，厚度3.3nm，完成镀膜；
f.关闭Ti靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度122.8nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
实施例15
本实施例用于说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
2)不进行“镀抗摔层”的操作。
实施例16
本对比例用于对比说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度45.6nm，完成镀膜；
d.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度9nm，完成镀膜；
e.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度84.4nm，完成镀膜；
f.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度54.8nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Nb靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
对比例1
本对比例提供一种黑色陶瓷结构。
对比例2
本对比例用于对比说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为54.8nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度84.4nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度9nm，完成镀膜；
g.镀膜完成后，关闭Nb靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
对比例3
本对比例用于对比说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Nb靶材的溅射电源，功率10KW，厚度设置为54.8nm，完成Nb2O5的镀膜；
d.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度84.4nm，完成镀膜；
e.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度9nm，完成镀膜；
f.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度45.6nm，完成镀膜；
g.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度36nm，完成镀膜；
h.镀膜完成后，关闭Nb靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
对比例4
本对比例用于对比说明本发明公开的仿陶瓷结构及其制备方法，包括实施例1中大部分操作步骤，其不同之处在于：
3)镀仿陶瓷膜中：
Al2O3采用溅射Al靶镀膜方式获得，SiO2采用溅射Si靶镀膜方式获得；Nb2O5通过溅射Nb靶获得。
a.将玻璃基材放到溅射机的夹具上，并进行抽真空；
b.待镀膜腔室真空度达到3×10-3Pa时，通入Ar气，待气体稳定之后；
c.开启离子源，以及离子源的氧气，同时开启Al靶材的溅射电源，功率10KW，厚度为46nm，完成Al2O3的镀膜；
d.关闭Al靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度为54.8nm，完成镀膜；
e.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度84.4nm，完成镀膜；
f.关闭Si靶的溅射电源，开启Nb靶电源，氧气流量200sccm，沉积Nb2O5膜层，厚度9nm，完成镀膜；
g.关闭Nb靶材的溅射电源，开启Si靶电源，氧气流量150sccm，沉积SiO2膜层，厚度45.6nm，完成镀膜；
h.镀膜完成后，关闭Si靶电源，关闭离子源电源，之后关闭氩气、氧气，停止转架转动，等待工件降温后，开始冷冻机除霜，最后充气，恢复到大气压下取出。
性能测试
1、对上述实施例1～16和对比例2～4制备得到的仿陶瓷结构以及对比例1提供的真实陶瓷结构进行以下测试：
1.1、Lab颜色检测：采用色差仪对上述实施例1～16和对比例2～4制备得到的仿陶瓷结构以及对比例1提供的真实陶瓷结构进行不同入射光角度下的Lab颜色检测，上述L、a和b是指Lab色彩空间中的L值、a值和b值，其中，L值表示亮度，L值越大亮度越亮(或者颜色越白)，L值越小越暗(或者颜色越黑)，L值范围可以为0-100；a值为颜色值，a为正，表示红色，a值越大颜色越红，a为负，表示绿色，a值越小颜色越绿a值范围为-120～120；b值为颜色值，b为正，表示黄色，b值越大颜色越黄；b为负，表示蓝色，b值越小颜色越蓝，b值范围为-120～120。
1.2、反射率测试：采用的日本岛津的UV-2800分光光度计对上述实施例1～16和对比例2～4制备得到的仿陶瓷结构以及对比例1提供的真实陶瓷结构进行反射率测试，UV-2800分光光度计的配置参数如下：
1)光谱宽度:4nm
2)波长范围：190nm–1100nm
3)波长准确度：±0.5nm
4)波长重复性：0.3nm
5)波长分辩率:0.1nm
测试结果填入表1：
表1
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从表1的测试结果可以看出，采用本发明提供的制备方法制备得到的仿陶瓷结构与对比例1的真实陶瓷结构在不同入射光角度的颜色值较为近似，同时，对于光线的反射率也与对比例1的真实陶瓷结构接近，说明采用本发明提供的仿陶瓷结构在各个角度上没有明显的与真实陶瓷产生色差，实现了较好的仿陶瓷效果。
由实施例1～4和实施例5～12的测试结果可知，当所述第一高折射率材料层、所述第二高折射率材料层、所述第一低折射率材料层和所述第二低折射率材料层的厚度在本发明限定范围中时，能进一步提高仿陶瓷效果。
由对比例1～4的测试结果可知，仿陶瓷膜层数量或层叠顺序的变化均会导致所述仿陶瓷结构在颜色上产生较大的差异，尤其是，在不同的入射光角度下与真实陶瓷产生了明显的色差，存在变色的问题。
2、对上述实施例1～4和实施例15制备得到的仿陶瓷结构以及未经过任何处理的玻璃基板进行抗冲击测试，测试条件为110g球，5cm起落，冲击仿陶瓷结构或玻璃基板的4个R角，每个点冲击5次，如果不碎就升高5cm，继续按上述方法进行落球冲击，依次类推，直到出现破碎情况为止，并记录破碎高度。测试结果填入表2：
表2
从表2的测试结果可以看出，通过在玻璃基板和仿陶瓷膜层之间设置抗摔层，能够有效避免所述仿陶瓷膜层所产生的应力导致玻璃基板的抗冲击性能下降的问题，提高所述仿陶瓷结构的抗摔能力。
3、对上述实施例1和实施例16制备得到的仿陶瓷结构进行以下测试：
A、水煮百格测试条件：
1)在恒温水域箱中，加入适量的纯水，加热到100℃达到沸腾，放入产品。产品不能接触沸水溶器壁，水煮1H后拿出；
2)用无尘布擦干后常温恢复至少2h，与正常样品观察对比外观；
3)百格：用锋利刀片在表面区域划10×10个，1mm×1mm小格，每一条划线穿透到玻璃。用3M610胶纸贴在划格区域，把气泡挤出，静压5秒钟以上，产品保持不动，胶带单边以90°角迅速拉起，重复3次；
测试达标标准：百格不低于4B，外观无异常，无镀膜层和油墨层脱落。
B、高温高湿测试条件：
1)温度：65±1℃，湿度：91-95％RH，测试时间：96H；
2)达到实验规定时间后取出，在自然条件下放置至少2h，与正常样品观察对比外观；
3)百格：用锋利刀片在表面区域划10×10个2mm×2mm小格，每一条划线穿透到玻璃。用3M610胶纸贴在划格区域，把气泡挤出，静压5秒钟以上，产品保持不动，胶带单边以90°角迅速拉起，重复3次；
测试达标标准：百格不低于4B，外观无异常，无镀膜层和油墨层脱落。
C、化妆品测试条件：
1)先用棉布将产品表面擦干净，将NIVEA防晒油(SPF30)、NIVEA护手霜试样涂在产品正面，每种化妆品涂2个样品。注意涂抹时重点在产品边沿及孔位置，涂抹量多于其它区域。
2)温度：55±1℃，湿度：93±2％RH，测试时间：96H；
3)达到实验规定时间后取出，在自然条件下放置至少2h，与正常样品观察对比外观；4)百格：用3M610胶纸贴在油墨面上，把气泡挤出，静压5秒钟以上，产品保持不动，胶带单边以90°角迅速拉起，重复3次；
测试达标标准：百格不低于4B，外观无异常，无镀膜层和油墨层脱落。
D、人工汗测试条件：
1)按《人工汗水配置指导书》配置溶液，PH＝4.6±0.1
2)浸泡溶液的无尘布贴在样品表面并用密封胶袋封好在恒温恒湿箱储存达到实验规定时间(温度：55±1℃，湿度：93±2％RH，测试时间：96H；)
3)在自然条件下放置至少2h，与正常样品观察对比外观；
4)百格：用锋利刀片在表面区域划10×10个2mm×2mm小格，每一条划线穿透到玻璃。用3M610胶纸贴在油墨面上，把气泡挤出，静压5秒钟以上，产品保持不动，胶带单边以90°角迅速拉起，重复3次；
测试达标标准：百格不低于4B，外观无异常，无镀膜层和油墨层脱落。
测试结果为填入表3：
表3
| 测试方案 | 水煮百格 | 高温高湿96H | 化妆品96H | 人工汗96H |
| 实施例1 | 5B | 5B | 5B | 5B |
| 实施例16 | 4B | 3B | 3B | 4B |
从测试结果可以看出，相比于将所述第一高折射率材料层、所述第一低折射率材料层、所述第二高折射率材料层和所述第二低折射率材料层沿远离所述油墨层的方向依次层叠，采用所述第一高折射率材料层、所述第一低折射率材料层、所述第二高折射率材料层和所述第二低折射率材料层沿远离所述透明基材的方向依次层叠的方式能够有效提高各膜层与透明基材和油墨层之间的结合力。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (17)
1.一种仿陶瓷结构，其特征在于，包括透明基材、仿陶瓷膜层和油墨层，所述仿陶瓷膜层位于所述透明基材和所述油墨层之间，所述仿陶瓷膜层由第一高折射率材料层、第一低折射率材料层、第二高折射率材料层和第二低折射率材料层组成，所述第一高折射率材料层、所述第一低折射率材料层、所述第二高折射率材料层和所述第二低折射率材料层依次层叠；
所述第一高折射率材料层和所述第二高折射率材料层的折射率>2.3，所述第一低折射率材料层和所述第二低折射率材料层的折射率<1.6。
2.根据权利要求1所述的仿陶瓷结构，其特征在于，所述仿陶瓷结构的反射率为25％-30％。
3.根据权利要求1所述的仿陶瓷结构，其特征在于，所述第一高折射率材料层与所述透明基材接触。
4.根据权利要求1所述的仿陶瓷结构，其特征在于，所述第一低折射率材料层和所述第二低折射率材料层各自独立地选自SiO2和MgF2中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述的仿陶瓷结构，其特征在于，所述第一低折射率材料层和所述第二低折射率材料层选自SiO2。
6.根据权利要求1所述的仿陶瓷结构，其特征在于，所述第一高折射率材料层和所述第二高折射率材料层各自独立地选自Nb2O5、Ti3O5和TiO2中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述的仿陶瓷结构，其特征在于，所述第一高折射率材料层和所述第二高折射率材料层选自Nb2O5。
8.根据权利要求1所述的仿陶瓷结构，其特征在于，所述第一高折射率材料层的厚度为53.8～105.8nm，所述第二高折射率材料层的厚度为1～16nm，所述第一低折射率材料层的厚度为32.4～86.4nm，所述第二低折射率材料层的厚度为44.6～90.6nm。
9.根据权利要求1所述的仿陶瓷结构，其特征在于，所述透明基材为玻璃。
10.根据权利要求1或9所述的仿陶瓷结构，其特征在于，所述仿陶瓷结构还包括有抗摔层，所述抗摔层位于所述透明基材和所述仿陶瓷膜层之间，所述抗摔层为有机硅氧烷材料。
11.根据权利要求10所述的仿陶瓷结构，其特征在于，所述有机硅氧烷材料由小分子硅氧烷聚合得到，所述小分子硅氧烷包括带有有机基团的二烷氧基硅烷、带有有机基团的三烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷中的一种或多种，所述有机基团选自烃基、苯基、环氧基、氨基、异氰酸酯基和酯基及其组合。
12.根据权利要求10所述的仿陶瓷结构，其特征在于，所述抗摔层的厚度为100～2000nm。
13.如权利要求1～12任意一项所述的仿陶瓷结构的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
提供一包括有透明基材的透明前体；
对透明前体依次进行第一高折射率材料层、第一低折射率材料层、第二高折射率材料层和第二低折射率材料层的镀膜操作，以在所述透明前体的表面形成仿陶瓷膜层；
在形成的仿陶瓷膜层的表面施加油墨，得到仿陶瓷结构。
14.根据权利要求13所述的仿陶瓷结构的制备方法，其特征在于，在透明基材的表面覆盖有硅酸盐类材料以形成抗摔层，以得到透明前体；在所述抗摔层的表面形成所述仿陶瓷膜层。
15.根据权利要求13所述的仿陶瓷结构的制备方法，其特征在于，在形成所述抗摔层之前，对所述透明基材进行表面清洁处理。
16.根据权利要求13所述的仿陶瓷结构的制备方法，其特征在于，通过真空镀膜的方式在所述透明前体上依次沉积第一高折射率材料层、第一低折射率材料层、第二高折射率材料层和第二低折射率材料层。
17.一种电子设备壳体，其特征在于，包括如权利要求1～12任意一项所述的仿陶瓷结构。
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