CN117792335A - 一种纵向耦合谐振器型滤波器、制作方法和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种纵向耦合谐振器型滤波器、制作方法和电子设备，涉及电子技术领域，解决了由高耦合强度的压电材料构成的纵向耦合谐振器型滤波器，带内插损较大的问题。具体方案为：提供一种纵向耦合谐振器型滤波器，该滤波器包括第一谐振器、耦合结构和第二谐振器，耦合结构设置在第一谐振器上，第二谐振器设置在耦合结构上。其中，耦合结构中设置有多个过孔，该多个过孔中的任一个过孔沿第二谐振器向第一谐振器的方向设置。

Description

一种纵向耦合谐振器型滤波器、制作方法和电子设备

技术领域

本申请实施例涉及电子技术领域，尤其涉及一种纵向耦合谐振器型滤波器、制作方法和电子设备。

背景技术

传统的声表面波(surface acoustic wave，SAW)滤波器包括梯形(ladder)结构和点阵(lattice)结构，由于具有工作频率高、通频带宽、选频特性好、体积小和重量轻等优点，被广泛应用于电子设备中。纵向耦合谐振器型滤波器(longitudinal coupledresonator filter，LCRF)由上下两单元谐振器、以及设置在上下两单元谐振器之间的耦合层构成，与传统的声表面波滤波器相比，具有更大的带宽、更好的带外抑制能力以及更小型化，因此更具优势。

但是，由高耦合强度的压电材料构成的纵向耦合谐振器型滤波器中，上下单元谐振器之间的耦合强度非常强，将导致纵向耦合谐振器型滤波器的带内插损较大。

发明内容

本申请实施例提供一种纵向耦合谐振器型滤波器、制作方法和电子设备，解决了由高耦合强度的压电材料构成的纵向耦合谐振器型滤波器带内插损较大的问题。

为达到上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：

本申请实施例的第一方面，提供一种纵向耦合谐振器型滤波器，该滤波器包括：第一谐振器、耦合结构和第二谐振器，耦合结构设置在第一谐振器上，第二谐振器设置在耦合结构上。其中，耦合结构设置有多个过孔，该多个过孔中的任一个过孔沿第二谐振器向第一谐振器的方向设置。

可选的，上述多个过孔的截面的形状可以包括方形、圆形、椭圆、三角形、菱形、五边形和其他多边形中的至少一种。本申请实施例对于该多个过孔的截面的具体形状并不限定。

本申请实施例提供的滤波器，通过在耦合结构中设置多个过孔，可以减弱第一谐振器和第二谐振器之间的耦合强度，从而可以减少滤波器的带内插损。同时，本申请实施例提供的滤波器通过在耦合结构中设置不同类型的过孔，可以调节第一谐振器和第二谐振器之间的耦合强度，因此可以采用不同类型高耦合强度的压电材料形成滤波器，可以实现不同类型高耦合强度的压电材料的大规模生产和应用。

结合第一方面，在一种可能的实现方式中，上述多个过孔用于抑制所述纵向耦合谐振器型滤波器的横向模态。

可选的，上述多个过孔可以周期排列，或者，该多个过孔也可以不按照周期排列。

本申请实施例提供的滤波器，通过调整耦合结构中的孔的排列，可以改变耦合结构的各向异性，从而可以抑制横向模态。

结合第一方面，在一种可能的实现方式中，上述多个过孔为多个沟槽，多个沟槽沿指定方向贯穿所述耦合结构的相对设置的两个侧面，指定方向平行于第一谐振器靠近所述耦合结构的侧面。

可选的，该多个过孔的截面的形状可以包括平行四边形的条状、波浪形条状和其他规则或不规则图形中的至少一种。

本申请实施例提供的滤波器，通过在耦合结构中设置多个过孔，可以减弱第一谐振器和第二谐振器之间的耦合强度，从而可以减少滤波器的带内插损。

结合第一方面，在一种可能的实现方式中，上述耦合结构包括层叠设置的多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层，多个耦合层中分别设置有多个过孔。

可选的，上述多个耦合层的厚度可以相同，或者，该多个耦合层的厚度也可以不同，本申请实施例对于多个耦合层的厚度是否相同并不限定。

可选的，上述每个耦合层中过孔之间的间距可以相同，或者，每个耦合层中过孔之间的间距可以不同，本申请实施例对于每个耦合层中过孔之间的间距是否相同并不限定。

可选的，上述耦合层的材料包括二氧化硅(SiO2)、SiOC、石英等材料中的至少一种。

可选的，上述多个耦合层的材料可以相同，或者，也可以不同，本申请实施例对于多个耦合层的材料是否相同并不限定。

本申请实施例提供的滤波器，通过在耦合结构中层叠设置多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层，在第一谐振器和第二谐振器之间双模态的耦合强度相同时，与设置一个耦合层相比，可以减小每一个耦合层的厚度，从而可以降低在每个耦合层中设置过孔的工艺难度，而且可以提高刻蚀精度。同时，可以调整多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层的参数，可以更好的调整耦合结构，以适应不同耦合强度的压电材料。而且，多个耦合层相比单个耦合层，可以更大程度的调整耦合结构的各向异性，能够更好的抑制横向模态。

结合第一方面，在一种可能的实现方式中，多个耦合层中的多个过孔，在耦合结构的靠近第一谐振器的侧面上的投影不重合。

本申请实施例提供的滤波器，通过将相邻两个耦合层中的过孔交错设置，以实现多个耦合层中的多个过孔，在耦合结构的靠近第一谐振器的侧面上的投影不重合，从而可以减少相邻两个耦合层之间声波的耦合。

结合第一方面，在一种可能的实现方式中，上述耦合层的材料包括SiO2、SiOC、石英中的至少一种。

结合第一方面，在一种可能的实现方式中，多个过孔相对耦合结构的靠近第一谐振器的侧面倾斜设置，或者，多个过孔相对耦合结构的靠近第一谐振器的侧面垂直设置。

结合第一方面，在一种可能的实现方式中，多个过孔的深度小于或等于耦合结构的厚度。

结合第一方面，在一种可能的实现方式中，滤波器还包括基底和衬底，衬底设置在基底上，第一谐振器设置在衬底，衬底包括空气腔或布拉格反射层。

本申请实施例提供的滤波器，通过采用空气腔或布拉格反射层作为衬底，可以提高滤波器的Q值，减小滤波器的带内插损，提高带外抑制能力。

结合第一方面，在一种可能的实现方式中，第一谐振器包括第一金属层和第二金属层，以及设置在第一金属层和第二金属层之间的第一压电层，第二谐振器包括第三金属层和第四金属层，以及设置在第三金属层和第四金属层之间的第二压电层。

结合第一方面，在一种可能的实现方式中，还包括第三谐振器，第三谐振器与第二谐振器间隔设置在耦合结构上。

本申请实施例提供的滤波器，通过在耦合结构上与第二谐振器间隔设置第三谐振器，从而不需要从第一谐振器中引出信号的输入输出端，可以降低工艺难度，提高生产效率。

本申请实施例第二方面，提供一种纵向耦合谐振器型滤波器的制作方法，该方法包括：首先，形成第一谐振器，然后在第一谐振器上形成耦合结构，最后在耦合结构上形成第二谐振器。其中，耦合结构设置有多个过孔，该多个过孔中的任一个过孔沿第二谐振器向第一谐振器的方向设置。

结合第二方面，在一种可能的实现方式中，上述多个过孔用于抑制纵向耦合谐振器型滤波器的横向模态。

结合第二方面，在一种可能的实现方式中，多个过孔为多个沟槽，该多个沟槽沿指定方向贯穿耦合结构的相对设置的两个侧面，指定方向平行于第一谐振器靠近耦合结构的侧面。

结合第二方面，在一种可能的实现方式中，耦合结构包括层叠设置的多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层，多个耦合层中分别设置有多个过孔，该方法还包括：在第一谐振器上形成设置有多个过孔的第一耦合层，在第一耦合层上形成支撑层，在支撑层上形成设置有多个过孔的第二耦合层。其中，第一耦合层和第二耦合层为多个耦合层中相邻的两个耦合层。

结合第二方面，在一种可能的实现方式中，多个耦合层中的多个过孔，在耦合结构的靠近第一谐振器的侧面上的投影不重合。

结合第二方面，在一种可能的实现方式中，过孔相对耦合结构的靠近第一谐振器的侧面倾斜设置，或者，过孔相对耦合结构的靠近第一谐振器的侧面垂直设置。

结合第二方面，在一种可能的实现方式中，多个过孔的深度小于或等于耦合结构的厚度。

结合第二方面，在一种可能的实现方式中，该方法还包括：在基底上形成衬底，其中，衬底包括空气腔或布拉格反射层，上述形成第一谐振器包括：在衬底上形成第一谐振器。

结合第二方面，在一种可能的实现方式中，第一谐振器包括第一金属层、第一压电层和第二金属层，第二谐振器包括第三金属层、第二压电层和第四金属层，该方法还包括：形成第一金属层，在第一金属层上形成第一压电层，在第一压电层上形成第二金属层，以形成第一谐振器。形成第三金属层，在第三金属层上形成第二压电层，在第二压电层上形成第四金属层，以形成第二谐振器。

结合第二方面，在一种可能的实现方式中，滤波器还包括第三谐振器，第三谐振器与第二谐振器间隔设置在耦合结构上，该方法还包括：在耦合结构上形成第三谐振器。

本申请实施例第三方面，提供一种电子设备，该电子设备包括放大器和纵向耦合谐振器型滤波器，放大器与纵向耦合谐振器型滤波器电连接，该纵向耦合谐振器型滤波器的结构为如上述第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所述的纵向耦合谐振器型滤波器的结构。

可选的，该电子设备可以为终端设备、基站或雷达。

本申请实施例第四方面，提供一种与计算机一起使用的非瞬时性计算机可读存储介质，计算机具有用于创建滤波器的软件，计算机可读存储介质上存储有一个或多个计算机可读数据结构，一个或多个计算机可读数据结构具有用于制造上述第一方面或者第一方面的任一种可能的实现方式所提供的滤波器的数据。

本申请中第二方面至第四方面的描述，可以参考第一方面的详细描述；并且，第二方面至第四方面的有益效果，可以参考第一方面的有益效果分析，此处不再赘述。

附图说明

图1为一种滤波器的结构示意图；

图2为一种滤波器的三维结构示意图；

图3为一种滤波器的模态示意图；

图4为另一种滤波器的模态示意图；

图5为本申请实施例提供的一种滤波器的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的另一种滤波器的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的又一种滤波器的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的再一种滤波器的结构示意图；

图9为本申请实施例提供的再一种滤波器的结构示意图；

图10为本申请实施例提供的再一种滤波器的结构示意图；

图11为本申请实施例提供的一种滤波器响应曲线的示意图；

图12为本申请实施例提供的再一种滤波器的结构示意图；

图13为本申请实施例提供的再一种滤波器的结构示意图；

图14为本申请实施例提供的再一种滤波器的结构示意图；

图15为本申请实施例提供的另一种滤波器响应曲线的示意图；

图16为本申请实施例提供的再一种滤波器的结构示意图；

图17为本申请实施例提供的一种滤波器制作方法的流程示意图；

图18为本申请实施例提供的一种制作滤波器过程中的剖面图；

图19为本申请实施例提供的另一种制作滤波器过程中的剖面图；

图20为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

下文将详细论述各实施例的制作和使用。但应了解，本申请提供的许多适用发明概念可实施在多种具体环境中。所论述的具体实施例仅仅说明用以实施和使用本说明和本技术的具体方式，而不限制本申请的范围。

除非另有定义，否则本文所用的所有科技术语都具有与本领域普通技术人员公知的含义相同的含义。

各电路或其它组件可描述为或称为“用于”执行一项或多项任务。在这种情况下，“用于”用来通过指示电路/组件包括在操作期间执行一项或多项任务的结构(例如电路系统)来暗指结构。因此，即使当指定的电路/组件当前不可操作(例如未打开)时，该电路/组件也可以称为用于执行该任务。与“用于”措辞一起使用的电路/组件包括硬件，例如执行操作的电路等。

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。在本申请中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a和b，a和c，b和c或a、b和c，其中a、b和c可以是单个，也可以是多个。另外，在本申请的实施例中，“第一”、“第二”等字样并不对数量和次序进行限定。

需要说明的是，本申请中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。

在介绍本申请实施例之前，首先对本申请涉及的技术术语和背景技术进行介绍。

品质因数Q：用于指示器件的能量利用率，即在一个振动周期内，器件接收到的总能量与耗散掉的能量的比值，品质因数Q可以用来反映滤波器的插入损耗的大小。例如，当品质因数Q越小时滤波器的插入损耗越大，当品质因数Q越大时滤波器的插入损耗越小。

有效机电耦合系数Keff2：可以反映机械能与电能间的转换效率，还与薄膜体声波谐振滤波器的带宽有关，薄膜体声波滤波器包括纵向耦合谐振器型滤波器。具体的，当Keff2越大时，谐振器构成的滤波器的带宽也越大，当Keff2越小时，谐振器构成的滤波器的带宽也越小。

滤波器的带宽：一般以信号的增益下降3dB时，对应的两个频率确定的区间作为滤波器的带宽。

分数带宽：一种通过百分比表示带宽的形式，带宽除以中心频率得到的比值为分数带宽，例如，带宽2MHz，中心频率10MHz，分数带宽为20％。

如图1所示，为一种纵向耦合谐振器型滤波器的结构示意图，该纵向耦合谐振器型滤波器包括第一谐振器110、第二谐振器120、以及设置在第一谐振器110和第二谐振器120之间的耦合层130。其中，第一谐振器110和第二谐振器120通过耦合层130耦合以形成滤波器，第一谐振器110和第二谐振器120均为三明治结构，通过将压电材料夹在两块金属电极之间，以实现电信号和声信号的转换，该转换的过程也可以称为压电效应。

具体的，第一谐振器110包括第一金属层111、第一压电层112和第二金属层113，第二谐振器120包括第三金属层121、第二压电层122和第四金属层123。如图2所示为该纵向耦合谐振器型滤波器的三维结构示意图。

如图1所示，当应用该纵向耦合谐振器型滤波器对信号进行滤波处理时，可以从第一金属层111引出第一端D1，从第二金属层113引出第二端D2，从第三金属层121引出第三端D3，从第四金属层123引出第四端D4，从而可以通过该第一端D1至第四端D4输入或输出信号，以对信号进行滤波处理。

例如，可以将第二端D2和第三端D3与接地端耦合，将第一端D1作为输入端接收信号，将第四端D4作为输出端发送滤波处理后的信号。如图3所示，当第一端D1输入的信号与第四端D4输出的信号为共极性时，该纵向耦合谐振器型滤波器激励的模态可以用第一曲线表示，根据第一曲线可知该模态是对称模态。如图4所示，当第一端D1输入的信号与第四端D4输出的信号极性相反时，该纵向耦合谐振器型滤波器激励的模态可以用第二曲线表示，根据第二曲线可知该模态是反对称模态。可以理解的，当第一端D1输入的信号与第四端D4输出的信号极性变化时，该纵向耦合谐振器型滤波器激励的模态也将变化，从而能够实现对称模态和反对称模态该两个模态，也可以称为双模态。

在设计纵向耦合谐振器型滤波器时，通过改变纵向耦合谐振器型滤波器的结构，使得双模态之间的频率分离(frequency separation)接近0Hz，以构成滤波器响应。但是，当纵向耦合谐振器型滤波器中的第一压电层112和第二压电层122，由高耦合强度的压电材料构成时，例如由具有超高声速的氮化铝(AlN)构成时，第一谐振器110与第二谐振器120之间双模态的耦合强度将非常强，双模态之间的频率分离相差很大，将导致纵向耦合谐振器型滤波器的带内插损较大。可以理解的，设计纵向耦合谐振器型滤波器的关键在于调控上述两种模态之间的耦合强度，通过调整该两种模态的耦合强度，使得该两种模态之间的频率分离接近0Hz，从而减少纵向耦合谐振器型滤波器的带内插损，以构成滤波器响应。

为了解决由高耦合强度的压电材料构成的滤波器带内插损较大的问题，本申请实施例对纵向耦合谐振器型滤波器的结构重新进行设计，该纵向耦合谐振器型滤波器可以应用于现代移动通信系统或者其他射频电路中，下面对各种实现方式进行详细描述。

如图5中的(a)所示，本申请实施例提供一种纵向耦合谐振器型滤波器的结构示意图，为了便于描述，下述实施例中简称为滤波器。该滤波器包括第一谐振器510、耦合结构520和第二谐振器530。其中，耦合结构520设置在第一谐振器510上，第二谐振器530设置在耦合结构520上，耦合结构520中设置有多个过孔(via)，该多个过孔中的任一个过孔沿第二谐振器530向第一谐振器510的方向设置。图5中的(a)所示的滤波器的结构为示例性说明，其并不对本申请实施例构成限定。

上述多个过孔可以包括盲孔(blind via)、埋孔(buried via)或通孔(throughvia)中的至少一种。其中，盲孔是指不贯穿耦合结构520的孔，该孔在耦合结构520的一个侧面可以看到，在该侧面相对设置的另一个侧面看不到。埋孔是指不贯穿耦合结构520的孔，该孔在耦合结构520的侧面均看不到，位于耦合结构520的内部。通孔是指贯穿耦合结构520的孔，该孔在耦合结构520的相对设置的两个侧面均可以看到。本申请实施例对于该多个过孔的具体类型并不限定。

上述多个过孔用于抑制该滤波器的横向模态。具体的，通过改变上述多个过孔的排列方式，可以改变耦合结构520的各向异性，从而可以抑制横向模态。

可选的，上述多个过孔可以周期排列，或者，该多个过孔也可以不按照周期排列。本申请实施例对于该多个过孔具体如何排列并不限定，下述实施例以该多个过孔周期排列为例进行示例性说明。

在一种可能的实施例中，第一谐振器510可以包括第一金属层511和第二金属层512，以及设置在第一金属层511和第二金属层512之间的第一压电层513。第二谐振器530可以包括第三金属层531和第四金属层532，以及设置在第三金属层531和第四金属层532之间的第二压电层533。

可选的，第一金属层511、第二金属层512、第三金属层531和第四金属层532的材料可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钌(Ru)、金(Au)、银(Ag)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、镍(Ni)等材料中的至少一种。

可选的，第一压电层513和第二压电层533的材料可以包括氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、铌酸锂(LiNbO3，LN)、钽酸锂(LiTaO3，LT)、锆钛酸铅(PbTiZrO3，PZT)、石英、以及掺杂的氮化铝和掺杂的氧化锌等材料中的至少一种。例如，第一压电层513和第二压电层533的材料可以为钪掺杂的氮化铝(ScAlN)。

在本申请实施例中，耦合结构520可以包括一个或者多个耦合层。当耦合结构520包括一个耦合层时，该耦合层中可以设置有多个过孔。当耦合结构520包括多个耦合层时，该多个耦合层中的每个耦合层中均可以设置有多个过孔。下面以耦合结构520包括一个耦合层为例，对耦合结构520进行详细描述。

在一种可能的实施例中，耦合结构520中的多个过孔可以相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面倾斜设置；或者，该多个过孔可以相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面垂直设置；或者，该多个过孔中的部分过孔可以相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面倾斜设置，其余部分过孔可以相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面垂直设置。本申请实施例对于该多个过孔具体如何进行设置并不限定。

例如，如图6中的(a)所示为滤波器的剖面示意图，耦合结构520中的多个过孔均相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面垂直设置，如图6中的(b)所示为滤波器的剖面示意图，耦合结构520中的多个过孔均相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面倾斜设置。

再例如，如5所示，以耦合结构520包括过孔G1、过孔G2和过孔G3为例，过孔G1相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面倾斜设置，过孔G2和过孔G3相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面垂直设置。本申请下述实施例中以耦合结构520中的多个过孔相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面垂直设置为例进行实施例性说明。

可选的，上述多个过孔的深度小于或等于耦合结构520的厚度。本申请实施例对于多个过孔的具体深度并不限定。

示例性的，耦合结构520中设置的多个过孔的深度可以均小于耦合结构520的厚度，或者，耦合结构520中设置的多个过孔的深度可以均等于耦合结构520的厚度，或者，耦合结构520中设置的多个过孔中，部分过孔的深度可以均小于耦合结构520的厚度，其余部分过孔的深度可以等于耦合结构的厚度。

例如，如图7中的(a)所示为滤波器的剖面示意图，耦合结构520中设置的多个过孔的深度均小于耦合结构520的厚度，该多个过孔可以称为埋孔，如图7中的(b)所示为滤波器的剖面示意图，耦合结构520中设置的多个过孔的深度均小于耦合结构520的厚度，该多个过孔可以称为盲孔，如图6中的(a)所示为滤波器的剖面示意图，耦合结构520中设置的多个过孔的深度均等于耦合结构520的厚度，该多个过孔可以称为通孔。

再例如，如图5中的(a)所示，以耦合结构520包括过孔G1、过孔G2和过孔G3为例。过孔G1和过孔G2的深度小于耦合结构520的厚度，过孔G3的深度等于耦合结构520的厚度。本申请下述实施例中以耦合结构520中的多个过孔的深度等于耦合结构的厚度为例进行示例性说明。

可选的，上述多个过孔的截面的形状可以包括方形、圆形、椭圆、三角形、菱形、五边形和其他多边形中的至少一种。本申请实施例对于该多个过孔的截面的具体形状并不限定。

例如，如图8所示为耦合结构520在多种情况下的俯视图，如图8中的(a)所示该多个过孔的截面可以为方形，或者，如图8中的(b)所示该多个过孔的截面可以为圆形，或者，如图8中的(c)所示该多个过孔的截面可以为椭圆形，或者，如图8中的(d)所示该多个过孔的截面可以为三角形，或者，如图8中的(e)所示该多个过孔的截面可以为菱形，或者，如图8中的(f)所示该多个过孔的截面可以为五边形。

在一种可能的实施例中，耦合结构520中的多个过孔为多个沟槽，多个沟槽沿指定方向贯穿耦合结构520的相对设置的两个侧面，指定方向平行于第一谐振器510靠近耦合结构520的侧面。

如图9所示，耦合结构520可以用长方体表示，该长方体包括第一侧面至第六侧面，其中，第一侧面和第二侧面为相对设置的两个侧面，第三侧面和第四侧面为相对设置的两个侧面，第五侧面与第一谐振器510靠近耦合结构520的侧面平行，第六侧面与第二谐振器530靠近耦合结构520的侧面平行。可以理解的，当沟槽沿指定方向贯穿耦合结构520的相对设置的两个侧面时，沟槽沿平行于第五侧面的方向贯穿耦合结构520的相对设置的两个侧面，上述多个过孔为耦合结构520中的多个沟槽。

可选的，该多个过孔的截面的形状可以包括平行四边形的条状、波浪形条状和其他规则或不规则图形中的至少一种。

例如，如图10所示为耦合结构520在多种情况下的俯视图，如图10中的(a)所示该多个过孔的截面可以为长方形条状，如图10中的(b)所示该多个过孔的截面可以为平行四边形条状，如图10中的(c)和(d)所示该多个过孔的截面可以为波浪形条状。

结合图5中的(a)，当应用该滤波器对信号进行滤波处理时，可以从第一金属层511引出第一端T1，从第二金属层512引出第二端T2，从第三金属层531引出第三端T3，从第四金属层532引出第四端T4，从而可以通过该第一端T1至第四端T4输入或输出信号，以对信号进行滤波处理。

可选的，该滤波器可以作为单端口滤波器使用，或者，可以作为双端口滤波器使用，本申请实施例对于具体将滤波器作为什么类型的滤波器使用并不限定。

例如，当将该滤波器作为单端口滤波器使用时，可以将第二端T2和第三端T3与接地端耦合，将第一端T1作为信号输入端，将第四端T4作为信号输出端。

再例如，如图5中的(b)所示，当将滤波器作为双端口滤波器使用时，可以将第四金属层532沿指定方向贯穿刻蚀出一个沟槽，以将第四金属层532分割为两部分，并从该两部分恩别引出第四端T4和第五端T5，该指定方向平行于第二压电层533靠近第四金属层532的侧面。将第一端T1作为信号输入端，将第二端T2与接地端耦合，将第三端T3与接地端耦合，将第四端T4和第五端T5作为输出端，此时该滤波器的结构也可以称为巴伦结构，采用该结构的滤波器对信号进行滤波处理，能够抑制偶次谐波，减少信号的传输损耗，提高信号的传输效率。

同时，上述示例中，信号输入端与信号输出端之间电流隔离，在使用该滤波器时可以根据电路的实际情况进行阻抗变换，提升射频链路的工作效率。

如图11所示，为以第一压电层513和第二压电层533的材料为氮化铝为例，进行仿真得到的滤波器的响应曲线。其中，第一曲线为对称模态对应的响应曲线，第二曲线为反对称模态对应的响应曲线，第三曲线为频率响应曲线。根据第一曲线可知，对称模态的谐振频率fr为2.003GHz，反谐振频率fa为2.0699GHz，有效机电耦合系数Keff2为7.8447％，根据第二曲线可知，反对称模态的谐振频率fr为2.06863GHz，反谐振频率fa为2.1368GHz，有效机电耦合系数Keff2为7.7526％，根据第三曲线可知3dB(增益)的分数带宽为4.66％。

本申请实施例提供的滤波器两种模态的有效机电耦合系数分别为7.8447％和7.7526％，均大于图1中滤波器的两种模态的有效机电耦合系数6％，分数带宽达到了4.66％，远高于梯形结构和点阵结构的声表面波滤波器的分数带宽2％。可以理解的，本申请实施例提供的滤波器有效机电耦合系数更大，能够提供更大的带宽。同时，本申请实施例提供的滤波器中，对称模态的反谐振频率fa为2.0699GHz，反对称模态的谐振频率fr为2.06863GHz，频率分离为0.0016GHz接近0Hz，可以理解的，本申请实施例提供的滤波器通过在耦合结构520中设置多个过孔，可以减弱第一谐振器510和第二谐振器530之间双模态的耦合强度，使得该两种模态之间的频率分离接近0Hz，从而减少该滤波器的带内插损，以构成滤波器响应。

本申请实施例提供的滤波器，通过在耦合结构520中设置多个过孔，可以减弱第一谐振器510和第二谐振器530之间的耦合强度，从而可以减少滤波器的带内插损。同时，本申请实施例提供的滤波器通过在耦合结构中设置不同类型的过孔，可以调节第一谐振器510和第二谐振器530之间的耦合强度，因此可以采用不同类型高耦合强度的压电材料形成滤波器，可以实现不同类型高耦合强度的压电材料的大规模生产和应用。而且，本申请实施例提供的滤波器，通过调整耦合结构520中的孔的排列，可以改变耦合结构520的各向异性，从而可以抑制横向模态。

在一种可能的实施例中，如图12所示，耦合结构520包括层叠设置的多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层，该多个耦合层中分别设置有多个过孔。

需要说明的是，图12中以耦合结构520包括第一耦合层521、支撑层522和第二耦合层523为例进行示例性说明，其并不对本申请实施例构成限定。

可选的，上述多个耦合层的厚度可以相同，或者，该多个耦合层的厚度也可以不同，本申请实施例对于多个耦合层的厚度是否相同并不限定，下述实施例以该多个耦合层的厚度相同为例进行示例性说明。

可选的，上述每个耦合层中过孔之间的间距可以相同，或者，每个耦合层中过孔之间的间距可以不同，本申请实施例对于每个耦合层中过孔之间的间距是否相同并不限定，下述实施例以每个耦合层中过孔之间的间距相同为例进行示例性说明。

通过调整多个耦合层的厚度，或者，调整每个耦合层中过孔之间的间距，可以调节第一谐振器510和第二谐振器530之间双模态的耦合强度，从而可以减少滤波器的带内插损。

可选的，上述耦合层的材料包括二氧化硅(SiO2)、SiOC、石英等材料中的至少一种。

可选的，上述多个耦合层的材料可以相同，或者，也可以不同，本申请实施例对于多个耦合层的材料是否相同并不限定。

可选的，上述支撑层的材料二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、钨(W)、钼(Mo)、二氧化铪(HfO2)、氮化钨(WN)、五氧化二钽(Ta2O5)、氮化铪(HfN)、三氧化钨(WO3)等材料中的至少一种。

可选的，当耦合结构520包括多个支撑层时，该多个支撑层的材料可以相同，或者，也可以不同，本申请实施例对于该多个支撑层的材料是否相同并不限定。

可选的，当耦合结构520包括层叠设置的多个耦合层时，相邻两个耦合层中的过孔可以相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面倾斜不同的角度设置，或者，可以相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面倾斜相同的角度设置，本申请实施例对于相邻两个耦合层中的过孔具体相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面倾斜的角度并不限制。

例如，如图13中的(a)所示为滤波器的剖面示意图，相邻两个耦合层中的过孔可以相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面倾斜不同的角度设置，如图13中的(b)所示为滤波器的剖面示意图，相邻两个耦合层中的过孔可以相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面倾斜相同的角度设置。

可选的，上述多个耦合层中的多个过孔，在耦合结构的靠近第一谐振器的侧面上的投影可以重合，或者，也可以不重合，本申请实施例对此并不限定。本申请实施例以上述多个耦合层中的多个过孔，在耦合结构的靠近第一谐振器的侧面上的投影不重合为例进行示例性说明。

具体的，耦合结构520中相邻两个耦合层中的过孔可以交错设置，以实现多个耦合层中的多个过孔，在耦合结构的靠近第一谐振器的侧面上的投影不重合，从而可以减少相邻两个耦合层之间声波的耦合。

例如，如图14所示为滤波器的剖面示意图，相邻两个耦合层中的过孔交错设置，以实现多个耦合层中的多个过孔，在耦合结构的靠近第一谐振器的侧面上的投影不重合。

需要说明的是，上述关于耦合结构520中多个过孔的相关描述，均可引用至包括层叠设置的多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层的耦合结构520中，本申请实施例在此不再赘述。

当耦合结构520中层叠设置多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层时，滤波器的响应曲线可以有多种情况，或者，也可以称为多个解。如图15所示，为对滤波器进行仿真得到的一个解对应的响应曲线。其中，第一曲线为对称模态对应的响应曲线，第二曲线为反对称模态对应的响应曲线，第三曲线为频率响应曲线。根据第一曲线可知，对称模态的谐振频率fr为1.9759GHz，反谐振频率fa为2.041GHz，有效机电耦合系数Keff2为7.7482％，根据第二曲线可知，反对称模态的谐振频率fr为2.0410GHz，反谐振频率fa为2.1074GHz，有效机电耦合系数Keff2为7.6555％，根据第三曲线可知3dB(增益)的分数带宽为4.659％。

可以理解的，本申请实施例提供的滤波器通过在耦合结构520中层叠设置多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层，可以减弱第一谐振器510和第二谐振器530之间双模态的耦合强度，对称模态的反谐振频率fa为2.041GHz，反对称模态的谐振频率fr为2.0410GHz，频率分离为0Hz，可以减少滤波器的带内插损，构成滤波器响应。

本申请实施例提供的滤波器，通过在耦合结构520中层叠设置多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层，在第一谐振器510和第二谐振器530之间双模态的耦合强度相同时，与设置一个耦合层相比，可以减小每一个耦合层的厚度，从而可以降低在每个耦合层中设置过孔的工艺难度，而且可以提高刻蚀精度。同时，可以调整多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层的参数，可以更好的调整耦合结构520，以适应不同耦合强度的压电材料。而且，多个耦合层相比单个耦合层，可以更大程度的调整耦合结构520的各向异性，能够更好的抑制横向模态。

在一种可能的实施例中，如图12所示，滤波器还包括基底540和衬底550，衬底550设置在基底540上，第一谐振器510设置在衬底550上。

需要说明的是，图12中以布拉格反射层作为衬底550进行示例性说明，其并不对本申请实施例构成限定。

可选的，衬底550可以包括空气腔，或者，可以包括布拉格反射层。本申请实施例以衬底550包括布拉格反射层为例进行示例性说明。

该衬底550采用布拉格反射层时，也可以称为固态装配(solid mountedresonator，SMR)结构。具体的，衬底550可以包括多个高声阻抗薄膜和多个低声阻抗薄膜，当声波经过高声阻抗薄膜和低声阻抗薄膜的界面时，会发生声学信号的反射，并且当高声阻抗薄膜和低声阻抗薄膜的声阻抗相差越大时，声学信号的反射越接近全反射，从而可以提高滤波器的Q值，减小滤波器的带内插损，提高带外抑制能力。本申请实施例对于衬底550包括高声阻抗薄膜和低声阻抗薄膜的具体数量并不限定。

在一种可能的实施例中，第四金属层532上还设置有抑制杂模凸起环，在第一金属层511靠近基底540侧还设置有抑制杂模凸起环，从而可以抑制滤波器的响应曲线中的杂模，得到更平滑的响应曲线。

本申请实施例提供的滤波器，通过采用空气腔或布拉格反射层作为衬底550，可以提高滤波器的Q值，减小滤波器的带内插损，提高带外抑制能力。

在一种可能的实施例中，如图12所示，滤波器还包括第三谐振器560，该第三谐振器560与第二谐振器530间隔设置在耦合结构520上。

具体的，第三谐振器560可以包括第五金属层561和第六金属层562，以及设置在第五金属层561和第六金属层562之间的第三压电层563。可以理解的，第三压电层563和第二压电层533为同一个压电层。如图16中的(a)所示为该滤波器的三维结构示意图，如图16中的(b)所示为耦合结构520中部分结构放大的示意图，可以理解的，耦合结构520中包括多个过孔。图16中的(c)为该滤波器的俯视图。

结合图12，当应用该滤波器对信号进行滤波处理时，可以从第三金属层531引出第一端P1，从第四金属层532引出第二端P2，从第五金属层561引出第三端P3，从第六金属层562引出第四端P4，从而可以通过该第一端P1至第四端P4输入或输出信号，以对信号进行滤波处理。可以理解的，与图5所示的滤波器相比，不需要从从位于耦合结构520下层的第一谐振器510引出信号的输入输出端，可以降低工艺难度，提高生产效率。

可选的，该滤波器可以作为单端口滤波器使用，或者，可以作为双端口滤波器使用，本申请实施例对于具体将滤波器作为什么类型的滤波器使用并不限定。

可选的，如图16所示，第二金属层512中可以设置金属开口，从而减小第一金属层511和第二金属层512之间的寄生电容。

本申请实施例提供的滤波器，通过在耦合结构520上与第二谐振器530间隔设置第三谐振器560，结合图16可以理解的，图12所示的滤波器与图5所示的滤波器相比，不需要从位于耦合结构520下层的第一谐振器510引出信号的输入输出端，可以降低工艺难度，提高生产效率。

如图17所示，为本申请实施例提供的一种纵向耦合谐振器型滤波器的制作方法的流程示意图，该滤波器可以为上述图5至图16任一图示所描述的滤波器，该方法可以包括以下步骤。图18为制作该滤波器过程中该滤波器的剖面图。

S1701、形成第一谐振器510。

在一种可能的实施例中，第一谐振器510包括第一金属层511、第一压电层513和第二金属层512。具体的，形成第一谐振器510包括：在第一金属层511上形成第一压电层513，如图18中的(a)所示。在第一压电层513上形成第二金属层512，以形成第一谐振器510，如图18中的(b)所示。

可选的，第一金属层511和第二金属层512的材料可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钌(Ru)、金(Au)、银(Ag)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、镍(Ni)等材料中的至少一种。

可选的，第一压电层513的材料可以包括氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、铌酸锂(LiNbO3，LN)、钽酸锂(LiTaO3，LT)、锆钛酸铅(PbTiZrO3，PZT)、石英、以及掺杂的氮化铝和掺杂的氧化锌等材料中的至少一种。例如，第一压电层513的材料可以为钪掺杂的氮化铝(ScAlN)。

S1702、在第一谐振器510上形成耦合结构520。其中，耦合结构520中包括多个过孔，该多个过孔中的任一个过孔沿第二谐振器530向第一谐振器510的方向设置。

上述多个过孔用于抑制该滤波器的横向模态。具体的，通过改变上述多个过孔的排列方式，可以改变耦合结构520的各向异性，从而可以抑制横向模态。

可选的，上述多个过孔可以周期排列，或者，该多个过孔也可以不按照周期排列。本申请实施例对于该多个过孔具体如何排列并不限定，下述实施例以该多个过孔周期排列为例进行示例性说明。

具体的，该步骤S1702包括：在第二金属层512上形成耦合结构520，如图18中的(c)所示。通过刻蚀在耦合结构520中形成多个过孔，如图18中的(d)所示。

可选的，如图9所示，该多个过孔可以为多个沟槽，该多个沟槽可以沿指定方向贯穿耦合结构520的相对设置的两个侧面，指定方向平行于第一谐振器510靠近耦合结构520的侧面。

可选的，如图6中的(b)所示，该多个过孔可以相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面倾斜设置，或者，如图6中的(a)所示，该多个过孔可以相对耦合结构520的靠近第一谐振器510的侧面垂直设置。

可选的，如图7所示，上述多个过孔的深度可以小于或等于耦合结构520的厚度。

在一种可能的实施例中，耦合结构520可以包括层叠设置的多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层，该多个耦合层中分别设置有多个过孔。本申请实施例以耦合结构520包括第一耦合层521、支撑层522和第二耦合层523为例进行示例性说明。

具体的，上述步骤S1702可以包括：在第一谐振器510中的第二金属层512上形成第一耦合层521，并在第一耦合层521中刻蚀形成多个过孔，如图19中的(a)所示。在第一耦合层521的多个过孔中填充牺牲层，并刻蚀去除多余的牺牲层，如图19中的(b)所示。在第一耦合层521上形成支撑层522，并在支撑层522中第一耦合层521的多个过孔对应的位置刻蚀形成释放孔，如图19中的(c)所示。在支撑层的多个释放孔中填充牺牲层，并刻蚀去除多余的牺牲层，如图19中的(d)所示。在支撑层上形成第二耦合层523，在第二耦合层523中第一耦合层521的多个过孔对应的位置刻蚀形成释放孔，如图19中的(e)所示。其中，第一耦合层和第二耦合层为多个耦合层中相邻的两个耦合层。

可选的，上述牺牲层的材料可以包括以下材料中的至少一种：多晶硅、单晶硅、氮化硅、氧化硅、聚酰亚胺和金属。例如，当耦合层的材料为二氧化硅或SIOC时，该牺牲层的材料可以为聚酰亚胺，当耦合层的材料为SI时，该牺牲层的材料可以为磷酸硅酸盐玻璃(phosphosilicate glass，PSG)。

可选的，多个耦合层中的多个过孔，在耦合结构的靠近第一谐振器的侧面上的投影不重合。

S1703、在耦合结构520上形成第二谐振器530。

在一种可能的实施例中，第二谐振器530包括第三金属层531、第二压电层533和第四金属层532，形成第二谐振器530，包括：在耦合结构520中填充牺牲层，并刻蚀去除多余的牺牲层，如图18中的(e)，图19中的(f)所示。在耦合结构520上形成第三金属层531，在第三金属层531中耦合结构520的多个过孔对应的位置刻蚀形成释放孔，如图18中的(f)所示。在第三金属层531中的多个释放孔中填充牺牲层，并刻蚀去除多余的牺牲层，如图18中的(g)所示。在第三金属层531上形成第二压电层533，并在耦合结构520的多个过孔对应的位置刻蚀形成释放孔，如图18中的(h)所示。在第二压电层533的多个释放孔中填充牺牲层，并刻蚀去除多余的牺牲层，如图18中的(i)所示。在第二压电层533上形成第四金属层532，并在第四金属层532中耦合结构520的多个过孔对应的位置刻蚀形成释放孔，以形成第二谐振器530，如图18中的(j)所示。通过第二谐振器530中多个释放孔，去除滤波器中的所有牺牲层以形成滤波器，如图18中的(k)所示。

可选的，第三金属层531和第四金属层532的材料可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钌(Ru)、金(Au)、银(Ag)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、镍(Ni)等材料中的至少一种。

可选的，第二压电层533的材料可以包括氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、铌酸锂(LiNbO3，LN)、钽酸锂(LiTaO3，LT)、锆钛酸铅(PbTiZrO3，PZT)、石英、以及掺杂的氮化铝和掺杂的氧化锌等材料中的至少一种。例如，第二压电层533的材料可以为钪掺杂的氮化铝(ScAlN)。

当耦合结构520包括层叠设置的多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层时，在耦合结构520上形成第二谐振器530的具体步骤，可以参考上述描述，本申请实施例在此不再赘述。

本申请实施例提供的滤波器制作方法，通过形成包括多个过孔的耦合结构520，可以减弱第一谐振器510和第二谐振器530之间的耦合强度，从而可以减少滤波器的带内插损。同时，本申请实施例提供的滤波器通过在耦合结构中设置不同类型的过孔，可以调节第一谐振器510和第二谐振器530之间的耦合强度，因此可以采用高耦合强度的压电材料，可以实现高耦合强度的压电材料的大规模生产和应用。而且，本申请实施例提供的滤波器，通过调整耦合结构520中的孔的排列，可以改变耦合结构520的各向异性，从而可以抑制横向模态。

在一种可能的实施例中，滤波器还包括基底540和衬底550，在形成第一谐振器510之前，该方法还包括步骤S1704。

S1704、在基底540上形成衬底550。其中，衬底550可以包括空气腔或布拉格反射层。上述形成第一谐振器，包括：在衬底550上形成第一谐振器510，如图18中的(l)所示。

本申请实施例提供的滤波器，通过采用空气腔或布拉格反射层作为衬底550，可以提高滤波器的Q值，减小滤波器的带内插损，提高带外抑制能力。

在一种可能的实施例中，滤波器还包括第三谐振器560，第三谐振器560与第二谐振器530间隔设置在耦合结构520上，上述在耦合结构520上形成第二谐振器530，还包括：在耦合结构520上形成第三谐振器560。此时滤波器的结构为如图12所示的滤波器的结构。

具体的，可以在形成第二谐振器530时，将第三金属层531通过刻蚀以形成第三金属层531和第五金属层561，将第四金属层532刻蚀以形成第四金属层532和第六金属层562。

在一种可能的实施例中，可以在上述耦合结构520的多个过孔中填充其他材料，以减弱第一谐振器510和第二谐振器530之间的耦合强度。可以理解的，通过在多个过孔中填充材料减弱第一谐振器510和第二谐振器530之间的耦合强度，不需要将该材料从耦合结构520中释放，可以降低工艺难度，提高生产效率。

本申请实施例提供的滤波器制作方法，通过在耦合结构520上与第二谐振器530间隔设置第三谐振器560，结合图12和图16可以理解的，与图5所示的滤波器相比，不需要从位于耦合结构520下层的第一谐振器510引出信号的输入输出端，可以降低工艺难度，提高生产效率。

基于此，如图20所示，本申请实施例还提供一种电子设备2000，该电子设备2000包括放大器2100和纵向耦合谐振器型滤波器2200，该纵向耦合谐振器型滤波器2200的结构为上述图5至图16任一图示所描述的纵向耦合谐振器型滤波器的结构。

可选的，该电子设备2000可以为终端设备、基站或雷达。

需要说明的是，上文中提供的滤波器的相关描述均可引援至该电子设备中，本申请实施例在此不再赘述。

本申请实施例另一方面，还提供一种与计算机一起使用的非瞬时性计算机可读存储介质，计算机具有用于创建滤波器的软件，计算机可读存储介质上存储有一个或多个计算机可读数据结构，一个或多个计算机可读数据结构具有用于制造上述第一方面或者第一方面的任一种可能的实现方式所提供的滤波器的数据。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (22)

1.一种纵向耦合谐振器型滤波器，其特征在于，包括：

第一谐振器；

耦合结构，设置在所述第一谐振器上；

第二谐振器，设置在所述耦合结构上；

其中，所述耦合结构中设置有多个过孔，所述多个过孔中的任一个过孔沿所述第二谐振器向所述第一谐振器的方向设置。

2.根据权利要求1所述的纵向耦合谐振器型滤波器，其特征在于，所述多个过孔用于抑制所述纵向耦合谐振器型滤波器的横向模态。

3.根据权利要求1或2所述的纵向耦合谐振器型滤波器，其特征在于，所述多个过孔为多个沟槽，所述多个沟槽沿指定方向贯穿所述耦合结构的相对设置的两个侧面，所述指定方向平行于所述第一谐振器靠近所述耦合结构的侧面。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的纵向耦合谐振器型滤波器，其特征在于，所述耦合结构包括层叠设置的多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层，所述多个耦合层中分别设置有多个过孔。

5.根据权利要求4所述的纵向耦合谐振器型滤波器，其特征在于，所述多个耦合层中的所述多个过孔，在所述耦合结构的靠近所述第一谐振器的侧面上的投影不重合。

6.根据权利要求4或5所述的纵向耦合谐振器型滤波器，其特征在于，所述耦合层的材料包括SiO2、SiOC、石英中的至少一种。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的纵向耦合谐振器型滤波器，其特征在于，所述多个过孔相对所述耦合结构的靠近所述第一谐振器的侧面倾斜设置，或者，所述多个过孔相对所述耦合结构的靠近所述第一谐振器的侧面垂直设置。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的纵向耦合谐振器型滤波器，其特征在于，所述多个过孔的深度小于或等于所述耦合结构的厚度。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的纵向耦合谐振器型滤波器，其特征在于，所述滤波器还包括基底和衬底，所述衬底设置在所述基底上，所述第一谐振器设置在所述衬底，所述衬底包括空气腔或布拉格反射层。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的纵向耦合谐振器型滤波器，其特征在于，所述第一谐振器包括第一金属层和第二金属层，以及设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间的第一压电层；所述第二谐振器包括第三金属层和第四金属层，以及设置在所述第三金属层和所述第四金属层之间的第二压电层。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的纵向耦合谐振器型滤波器，其特征在于，所述滤波器还包括第三谐振器，所述第三谐振器与所述第二谐振器间隔设置在所述耦合结构上。

12.一种纵向耦合谐振器型滤波器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

形成第一谐振器；

在所述第一谐振器上形成耦合结构；

在所述耦合结构上形成第二谐振器；

其中，所述耦合结构中设置有多个过孔，所述多个过孔中的任一个过孔沿所述第二谐振器向所述第一谐振器的方向设置。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述多个过孔用于抑制所述纵向耦合谐振器型滤波器的横向模态。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述多个过孔为多个沟槽，所述多个沟槽沿指定方向贯穿所述耦合结构的相对设置的两个侧面，所述指定方向平行于所述第一谐振器靠近所述耦合结构的侧面。

15.根据权利要求12-14中任一项所述的方法，其特征在于，所述耦合结构包括层叠设置的多个耦合层、以及位于相邻的两个耦合层之间的支撑层，所述多个耦合层中分别设置有多个过孔；所述在所述第一谐振器上形成耦合结构，包括：

在所述第一谐振器上形成设置有多个过孔的第一耦合层；

在所述第一耦合层上形成支撑层；

在所述支撑层上形成设置有多个过孔的第二耦合层；

其中，所述第一耦合层和所述第二耦合层为所述多个耦合层中相邻的两个耦合层。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述多个耦合层中的所述多个过孔，在所述耦合结构的靠近所述第一谐振器的侧面上的投影不重合。

17.根据权利要求12-16中任一项所述的方法，其特征在于，所述多个过孔相对所述耦合结构的靠近所述第一谐振器的侧面倾斜设置，或者，所述多个过孔相对所述耦合结构的靠近所述第一谐振器的侧面垂直设置。

18.根据权利要求12-17中任一项所述的方法，其特征在于，所述多个过孔的深度小于或等于所述耦合结构的厚度。

19.根据权利要求12-18中任一项所述的方法，其特征在于，所述形成第一谐振器之前，所述方法还包括：

在基底上形成衬底；其中，所述衬底包括空气腔或布拉格反射层；

所述形成第一谐振器，包括：在所述衬底上形成所述第一谐振器。

20.根据权利要求12-19中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一谐振器包括第一金属层、第一压电层和第二金属层，所述形成第一谐振器，包括：

形成所述第一金属层，在所述第一金属层上形成所述第一压电层，在所述第一压电层上形成所述第二金属层，以形成所述第一谐振器；

所述第二谐振器包括第三金属层、第二压电层和第四金属层，所述形成所述第二谐振器，包括：

形成所述第三金属层，在所述第三金属层上形成所述第二压电层，在所述第二压电层上形成所述第四金属层，以形成所述第二谐振器。

21.根据权利要求12-19中任一项所述的方法，其特征在于，所述滤波器还包括第三谐振器，所述第三谐振器与所述第二谐振器间隔设置在所述耦合结构上，所述方法还包括：

在所述耦合结构上形成所述第三谐振器。

22.一种电子设备，其特征在于，包括：

放大器；

如权利要求1-11中任一项所述的纵向耦合谐振器型滤波器，所述放大器与所述滤波器电连接。