CN117790621A - 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括以下步骤：在由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面印刷银浆；其中，银浆印刷于第一减反射层表面，银浆中铝的质量百分比低于0.3％，银浆的玻璃化转变温度为360℃～370℃；烧结银浆形成第一金属电极，使第一金属电极穿透第一减反射层和钝化层后与第一掺杂层欧姆接触；其中，烧结温度为650℃～720℃；使用激光增强接触优化工艺对表面进行处理，以在第一金属电极与第一掺杂层的接触界面处产生加热区域而形成金属‑半导体接触结构，金属‑半导体接触结构能够改善欧姆接触。
Description
技术领域
本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。
背景技术
目前太阳电池的金属电极常通过丝网印刷与高温烧结推进的方式来制作。其中，丝网印刷过程中主要采用银铝浆料，该含铝浆料可形成银铝尖刺改善欧姆接触，但同时也会导致金属电极与第一掺杂层的接触界面处载流子复合速率增大，导致太阳电池的开压降低，接触电阻增大。
此外，为了使金属电极与硅片形成良好的欧姆接触，常采用高温烧结推进的方式，以使电极嵌入硅片表面，另外沉积在第一掺杂层表面的银铝合金随着温度升高向下生长生成银铝尖刺，银铝尖刺形成良好的欧姆接触。然而较高的烧结温度易对硅片表面造成一定程度的损伤，加剧界面处载流子的复合速率，材料开压及效率降低。
发明内容
为了解决上述技术问题，本申请公开了一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件，以提升太阳电池的钝化效果，降低复合速率，进一步改善欧姆接触以及提升开路电压。
第一个方面，本申请实施例提供一种太阳电池的制备方法，所述太阳电池的制备方法包括以下步骤：
在由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面印刷银浆；其中，所述银浆印刷于所述第一减反射层表面，所述银浆中铝的质量百分比低于0.3％，所述银浆的玻璃化转变温度为360℃～370℃；
烧结所述银浆形成第一金属电极，使所述第一金属电极穿透所述第一减反射层和所述钝化层后与所述第一掺杂层欧姆接触；其中，烧结温度为650℃～720℃；
使用激光增强接触优化工艺对所述硅片表面进行处理，以在所述第一金属电极与所述第一掺杂层的接触界面处产生加热区域而形成金属-半导体接触结构，所述金属-半导体接触结构为分叉结构；其中，所述加热区域的温度为750℃～850℃。
可选地，所述银浆包括按质量百分比计的以下原料：
81.5％～89％的银粉；
1.0％～5.0％的玻璃粉；其中，以质量百分比计，所述玻璃粉包括28％～38％的SnO2、52％～62％的PbO和5％～15％的MgO；
7.5％～12.5％的有机载体；以及
1.0％～2.5％的添加剂。
可选地，所述银粉为球形或类球形；
和/或，所述银粉的粒径分布范围为0.2μm～5.5μm；
和/或，所述银粉的D50分布范围为0.9μm～2.0μm。
可选地，所述在由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面印刷银浆的步骤之前，所述太阳电池的制备方法还包括：
在所述第一掺杂层上沉积氧化铝膜作为所述钝化层；
在所述氧化铝膜的表面沉积氮化硅膜；其中，所述氮化硅膜的沉积温度为450℃～500℃，硅烷流量为2000sccm～3500sccm，氨气流量为5000sccm～10000sccm，功率为5000W～12000W，腔室压力为1000mTor～2000mTor；
在氮化硅膜远离所述氧化铝膜的一面上沉积氮氧化硅膜；其中，所述氮氧化硅膜的沉积温度为450℃～500℃，硅烷流量为1500sccm～3000sccm，氨气流量为6500sccm～11000sccm，功率为7000W～13000W，腔室压力为1000mTor～2000mTor；
在氮氧化硅膜远离所述氧化铝膜的一面上沉积氧化硅膜；其中，所述氧化硅膜的沉积温度为450℃～500℃，硅烷流量为500sccm～1500sccm，氨气流量为3000sccm～7000sccm，功率为8000W～14000W，腔室压力为500mTor～1500mTor；所述氮化硅膜、所述氮氧化硅膜和所述氧化硅膜组成所述第一减反射层。
可选地，所述氮化硅膜的折射率为2.22～2.32；
和/或，所述氮化硅膜的厚度为10nm～30nm；
和/或，所述氮氧化硅膜的折射率为2.11～2.21；
和/或，所述氮氧化硅膜的厚度为12nm～25nm；
和/或，所述氧化硅膜的折射率为2.02～2.10；
和/或，所述氧化硅膜的厚度为25nm～35nm。
可选地，所述在所述第一掺杂层上沉积氧化铝膜的步骤，包括：
采用ALD设备所述表面上沉积氧化铝，H2O或O3流量为10sccm～25sccm，三甲基铝流量为5sccm～50sccm，腔体设定温度为200℃～400℃，循环圈数为15圈～50圈，氧化铝厚度为3nm～10nm。
可选地，所述金属-半导体接触结构为亚微米尺寸级别的Ag-Si混合接触结构；
和/或，所述金属-半导体接触结构的接触电阻为0.5Ω～0.9Ω；
和/或，所述金属-半导体接触结构的密度是(5～7)×106个.cm-2。
可选地，所述使用激光增强接触优化技术对所述表面进行处理的步骤中，
激光为α激光、β激光和γ激光中的至少一种；
和/或，激光的频率为40Mhz～70Mhz；
和/或，激光的波长为610nm～910nm；
和/或，激光的扫描速度为50mm/s～200mm/s；
和/或，所述硅片的扫描速率为0.5s/片～3.5s/片。
第二个方面，本申请实施例提供一种太阳电池，所述太阳电池通过如第一个方面所述的太阳电池的制备方法制备得到；所述太阳电池包括硅片以及由内向外依次设置在所述硅片第一表面上的第一掺杂层、钝化层和第一减反射层；所述第一表面为正面或背面；
所述第一减反射层表面上设有第一金属电极，所述第一金属电极穿透所述第一减反射层和所述钝化层后与所述第一掺杂层欧姆接触，所述第一金属电极与所述第一掺杂层的接触界面处形成金属-半导体接触结构，所述金属-半导体接触结构为分叉结构。
可选地，所述金属-半导体接触结构为亚微米尺寸级别的Ag-Si混合接触结构；
和/或，所述金属-半导体接触结构的接触电阻为0.5Ω～0.9Ω；
和/或，所述金属-半导体接触结构的密度是(5～7)×106个.cm-2。
可选地，所述太阳电池还包括由内向外依次设置在所述硅片第二表面上的钝化氧化层、第二掺杂层以及第二减反射层，所述第一表面和所述第二表面中的其中一个为正面且另一个是背面；所述硅片和所述第二掺杂层具有第一导电类型，所述第一掺杂层具有第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型中的其中一种为N型而另一种为P型；
所述第二减反射层上设有第二金属电极，所述第二金属电极贯穿所述第二减反射层与所述第二掺杂层欧姆接触。
可选地，所述钝化氧化层具有沿所述钝化氧化层厚度方向贯穿的针孔结构；
所述钝化氧化层的厚度为2nm～5nm；
所述针孔结构的孔径为1.8nm～3.7nm。
可选地，所述第一减反射层包括背离所述硅片依次层叠在钝化层上的氮化硅膜、氮氧化硅膜以及氧化硅膜；
和/或，所述第一减反射层的膜厚均匀性为2.1％～4.5％。
第三个方面，本申请实施例提供一种光伏组件，包括如第二个方面所述的太阳电池。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
本申请实施例提供一种太阳电池的制备方法，该太阳电池的制备方法能够改善欧姆接触的同时无需形成银铝尖刺，进而不再需要高温烧结生长生成银铝尖刺，通过低温烧结的方式烧穿钝化层和第一减反射层，对硅片的损伤更少，进而降低复合速率，开压及效率均有一定程度的上升，具体如下：
本申请通过激光增强接触优化工艺使得第一金属电极与第一掺杂层的接触界面处产生加热区域而形成具有分叉结构的金属-半导体接触结构。分叉结构的金属-半导体接触结构能够增大金属和半导体的接触面积，而欧姆接触的电阻随着接触面积的增大而减小，因此金属-半导体接触结构能够改善欧姆接触，进而代替用于改善欧姆接触的银铝尖刺。该金属-半导体接触结构在降低接触电阻的同时不会加速材料表面载流子复合速率，材料开压及效率均有一定程度的上升。
进一步地，本申请不再需要高温烧结生长生成银铝尖刺同时不需要在银浆中加入铝粉成分以形成银铝尖刺，进一步可把银浆中的铝的质量百分比下调至低于0.3％，进而银浆中的其他成分可相应调整以使银浆的玻璃化转变温度调整为360℃～370℃，使得银浆在烧结时采用更低的烧结温度，烧结温度为650℃～720℃；该银浆与目前的银铝浆料相比，玻璃化转变温度更低，在更低的烧结温度下仍能够完成玻璃化转变以烧穿钝化层和第一减反射层，使得金属和第一掺杂层接触。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要的使用的附图做简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一种太阳电池的结构示意图；
图2是图1中所示A区域的局部放大图；
图3是图1中所示B区域的局部放大图；
图4是本申请一种太阳电池的分叉结构的结构示意图；
图5是实施例1一种太阳电池的制备方法的流程图。
附图标记说明：
1、硅片；2、第一掺杂层；3、钝化层；4、第一减反射层；41、氮化硅膜；42、氮氧化硅膜；43、氧化硅膜；5、钝化氧化层；51、针孔结构；6、第二掺杂层；7、第二减反射层；8、第一金属电极；81、分叉结构；9、第二金属电极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面将结合实施例和附图对本发明的技术方案进行说明。
第一个方面，本申请实施例提供一种太阳电池的制备方法，包括以下步骤：
在由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面印刷银浆；其中，银浆印刷于第一减反射层表面，银浆中铝的质量百分比低于0.3％，银浆的玻璃化转变温度为360℃～370℃；
烧结银浆形成第一金属电极，使第一金属电极穿透第一减反射层和钝化层后与第一掺杂层欧姆接触；其中，烧结温度为650℃～720℃；
使用激光增强接触优化工艺对硅片表面进行处理，以在第一金属电极与第一掺杂层的接触界面处产生加热区域而形成金属-半导体接触结构，金属-半导体接触结构为分叉结构；其中，加热区域的温度为750℃～850℃。
需要说明的是，本申请的硅片可以是N型硅片或P型硅片。由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面可以是硅片的正面或背面。第一掺杂层可以是N型掺杂层或P型掺杂层，第一掺杂层可以是直接在硅片表面上掺杂元素而形成的掺杂层，或者是形成在硅片表面上的掺杂多晶硅层，或者是沉积在硅片表面上本征硅层，再对本征硅层进行元素扩散掺杂而得到第一掺杂层。此外，硅片的另一面可以由内向外地依次设置钝化氧化层和第二掺杂层，以构成钝化接触结构。示例性的，硅片的正面由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层，硅片的背面由内向外依次设有钝化氧化层和第二掺杂层。
该太阳电池的制备方法能够为了改善欧姆接触无需形成银铝尖刺，进而不再需要高温烧结生长生成银铝尖刺，通过低温烧结的方式烧穿钝化层和第一减反射层，对硅片的损伤更少，进而降低复合速率，材料开压及效率均有一定程度的上升，具体如下：
本申请中的激光增强接触优化工艺可通过在硅片正面施加一定的恒定反向电压，从而产生数安培的电流，该电流会造成较大功率损耗，从而在接触界面处产生加热区域，750℃～850℃的高温使得该加热区域上Ag和Si的相互扩散，进而有利于在局部形成金属-半导体接触结构。
本申请通过激光增强接触优化工艺使得第一金属电极与第一掺杂层的接触界面处产生加热区域而形成具有分叉结构的金属-半导体接触结构。分叉结构的金属-半导体接触结构以一个或数个点作为端点，并向第一掺杂层内部经过多级分叉，相对银铝尖刺或者其他纤维状的银硅接触结构，能够在较小的区域内形成充分接触，进而具有较低的接触电阻。分叉结构的金属-半导体接触结构具有多个点接触，相对于银铝尖刺，点接触的接触面积更小，点接触在有效保证金属与半导体形成良好接触的情况下，抑制其对发射极及硅片的损伤，改善金属化复合，促进材料开压的提升。
该金属-半导体接触结构在降低接触电阻的同时不会加速材料表面载流子复合速率，材料开压及效率均有一定程度的上升。
进一步地，本申请不再需要高温烧结生长生成银铝尖刺同时不需要在银浆中加入大量的铝粉成分以形成银铝尖刺。目前的银铝浆料中铝的质量百分比为30％～70％，铝含量过高导致为了实现低玻璃化转变温度需要增加的成分无法提升至所需的占比。本申请的银浆中的铝的质量百分比下调至低于0.3％，进而银浆中的其他成分可相应调整以使银浆的玻璃化转变温度调整为360℃～370℃，使得银浆在烧结时采用更低的烧结温度，烧结温度为650℃～720℃。该银浆与目前的银铝浆料相比，玻璃化转变温度更低，在更低的烧结温度下仍能够完成玻璃化转变以烧穿钝化层和第一减反射层，使得金属和第一掺杂层接触。
进一步地，本申请不再需要高温烧结生长生成银铝尖刺，在烧结时可采用更低的烧结温度。优选地，烧结温度为650℃～720℃，而目前银铝浆料所用的烧结温度为780℃～880℃，更低的烧结温度能够抑制银浆出现穿刺现象，对硅片损伤更少，从而可有效抑制界面处载流子的复合，促进电池开压及效率的提升。同时，更低的烧结温度下对钝化层和第一减反射层的损伤更少，从而保证钝化和减反射性能。
为了避免银浆在650℃～720℃时难以烧穿钝化层和第一减反射层，采用玻璃化转变温度为360℃～370℃的银浆，而目前的银铝浆料的玻璃化转变温度为570℃～650℃。采用更低玻璃化转变温度的银浆，在更低的烧结温度下仍能够烧穿钝化层和第一减反射层，使得银浆中的金属成分和第一掺杂层接触。
进一步地，该银浆包括按质量百分比计的以下原料：
81.5％～89％的银粉；
1.0％～5.0％的玻璃粉；其中，以质量百分比计，玻璃粉包括28％～38％的SnO2、52％～62％的PbO和5％～15％的MgO；
7.5％～12.5％的有机载体；以及
1.0％～2.5％的添加剂。
该银浆中的银粉作为金属成分，用于和半导体形成欧姆接触。该银浆中的玻璃粉具有较低的玻璃化转变温度，能够在烧结阶段腐蚀掉钝化层和第一减反射层，使银和半导体材料接触。在烧结过程中，银以银离子的形式溶在玻璃材料中，在降温阶段，玻璃材料中的银在发射结表面沉积，用于传输电流。
玻璃粉中的PbO用以赋予玻璃粉腐蚀钝化层和第一减反射层的能力，PbO的质量百分比小于52％，易造成腐蚀能力过小，从而使得玻璃的腐蚀能力较弱，钝化层和第一减反射层无法被穿透，进而无法形成欧姆接触；PbO的质量百分比大于62％，则腐蚀能力过强，会在腐蚀钝化层和第一减反射层后继续对硅片造成损伤。
该玻璃粉中加入一定量的SnO2，SnO2与PbO形成SnO2-PbO玻璃体系，因SnO2具有较低的热膨胀系数，一定程度上可缓解PbO对钝化层的腐蚀和玻璃的横向流动，减小钝化层的腐蚀面积，促进电池片开压提升的同时也保护了钝化层的优异的钝化效果，抑制了界面载流子的复合。
除外，还向该玻璃粉中添加了一定量的MgO，因Mg2+半径较小且具有较好的稳定性，进入该玻璃体系中不会与其中的成分发生反应仅作填充作用，从而达到降低玻璃化转变温度的作用。
可选地，银粉为球形或类球形；
和/或，银粉的粒径分布范围为0.2μm～5.5μm包括该粒径分布范围内的任一点值，例如是0.2μm、1μm、2μm、3μm、4μm、5μm；
和/或，银粉的D50分布范围为0.9μm～2.0μm包括该D50分布范围内的任一点值，例如是0.9μm、1μm、1.5μm、2.0μm。
进一步地，在由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面印刷银浆的步骤之前，该太阳电池的制备方法还包括：
在第一掺杂层上沉积氧化铝膜作为钝化层；
在氧化铝膜的表面沉积氮化硅膜；其中，氮化硅膜的沉积温度为450℃～500℃，硅烷流量为2000sccm～3500sccm，氨气流量为5000sccm～10000sccm，功率为5000W～12000W，腔室压力为1000mTor～2000mTor；
在氮化硅膜远离氧化铝膜的一面上沉积氮氧化硅膜；其中，氮氧化硅膜的沉积温度为450℃～500℃，硅烷流量为1500sccm～3000sccm，氨气流量为6500sccm～11000sccm，功率为7000W～13000W，腔室压力为1000mTor～2000mTor；
在氮氧化硅膜远离氧化铝膜的一面上沉积氧化硅膜；其中，氧化硅膜的沉积温度为450℃～500℃，硅烷流量为500sccm～1500sccm，氨气流量为3000sccm～7000sccm，功率为8000W～14000W，腔室压力为500mTor～1500mTor；氮化硅膜、氮氧化硅膜和氧化硅膜组成第一减反射层。
由于在使用PECVD镀减反射膜的初期，等离子体会对氧化铝膜的表面进行轰击，破坏氧化铝膜并造成膜层均匀性下降，材料钝化效果降低，界面处载流子复合速率增大。而本申请通过调低沉积氮化硅膜、氮氧化硅膜和氧化硅膜时的腔室压力、功率和气流流量，可有效降低对氧化铝膜的损伤，并促进形成致密均匀的氮化硅膜、氮氧化硅膜和氧化硅膜，从而有利于提升太阳电池的钝化性能。
致密均匀的氮化硅膜中因存在大量的氢原子，可饱和晶界上的悬挂键，显著减弱复合中心，降低表面态密度，对硅片表面和体相进行钝化，提高太阳电池的短路电流和开路电压。
在潮湿环境下，太阳电池的封装材料EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物)的酯键会分解产生可自由移动的醋酸。醋酸与玻璃表面的碱发生反应后会产生钠离子。在外加电场的作用下，钠离子会向电池片表面移动并富集到氮化硅层，而致密均匀的氮化硅膜能较好地阻止钠离子及其他杂质离子向电池片扩散。
另外，相对于疏松的氮化硅膜，致密均匀的氮化硅膜能够在烧结过程中腐蚀面积更小，结合上述低腐蚀面积的银浆，能够进一步减少氮化硅膜在烧结时的腐蚀面积，以改善钝化性能。
可选地，氮化硅膜的折射率为2.22～2.32包括该折射率范围内的任一点值，例如是2.22、2.25、2.30、2.32；
和/或，氮化硅膜的厚度为10nm～30nm包括该折射率范围内的任一点值，例如是10nm、15nm、20nm、25nm、30nm；
和/或，氮氧化硅膜的折射率为2.11～2.21包括该折射率范围内的任一点值，例如是2.11、2.15、2.20、2.21；
和/或，氮氧化硅膜的厚度为12nm～25nm包括该厚度范围内的任一点值，例如是12nm、15nm、18nm、20nm、25nm；
和/或，氧化硅膜的折射率为2.02～2.10包括该折射率范围内的任一点值，例如是2.02、2.06、2.08、2.10；
和/或，氧化硅膜的厚度为25nm～35nm包括该厚度范围内的任一点值，例如是25nm、30nm、35nm。
进一步地，在第一掺杂层上沉积氧化铝膜的步骤，包括：
采用ALD设备表面上沉积氧化铝，H2O或O3流量为10sccm～25sccm，三甲基铝流量为5sccm～50sccm，腔体设定温度为200℃～400℃，循环圈数为15圈～50圈，氧化铝厚度为3nm～10nm。
氧化铝膜具有储氢的作用，在高温热处理时可提供充足的氢原子，通过饱和悬挂键来减低界面电子态，因此，适当增加氧化铝膜至3nm～10nm，可促进场钝化及表面钝化效果增强，有效增加少子寿命。
可选地，金属-半导体接触结构为亚微米尺寸级别的Ag-Si混合接触结构；
和/或，金属-半导体接触结构的接触电阻为0.5Ω～0.9Ω包括该接触电阻范围内的任一点值，例如是0.5Ω、0.7Ω或0.9Ω；
和/或，金属-半导体接触结构的密度是(5～7)×106个.cm-2。
总的来说，该金属-半导体接触结构是银硅相互扩散而形成的低接触电阻的Ag-Si混合接触结构，接触电阻仅为0.5Ω～0.9Ω，低接触电阻有利于改善界面处接触性能。另外，术语“亚微米尺寸级别”是指0.1μm～1μm，较小的尺寸级别能够避免在硅片中形成时损坏硅片。通过较高的密度能够保证接触面积足够大，进而降低欧姆电阻。
进一步地，使用激光增强接触优化技术对表面进行处理的步骤中，
激光为α激光、β激光和γ激光中的至少一种；
和/或，激光的频率为40Mhz～70Mhz包括该频率范围内的任一点值，例如是40Mhz、50Mhz、60Mhz、70Mhz；
和/或，激光的波长为610nm～910nm包括该波长范围内的任一点值，例如是610nm、700nm、800nm、910nm；
和/或，激光的扫描速度为50mm/s～200mm/s包括该扫描速度范围内的任一点值，例如是50mm/s、150mm/s、200mm/s；
和/或，硅片的扫描速率为0.5s/片～3.5s/片包括该扫描速率范围内的任一点值，例如是0.5s/片、1s/片、1.5s/片、2s/片、3s/片、3.5s/片。
其中，激光频率大于70Mhz，会对第一金属电极与半导体接触界面处造成一定程度的损伤，导致穿刺现象的出现；激光功率小于40Mhz，对界面处欧姆接触的改善不明显，且无法达到降低烧结温度的作用，性能提升不明显。而激光的频率为40Mhz～70Mhz，既不会对接触界面处造成损伤，形成的是银硅混合的接触结构，而不是穿刺；此外，对界面处欧姆接触的改善明显，能够达到降低烧结温度的作用，性能提升明显。
第二个方面，本申请实施例提供一种太阳电池，该太阳电池通过如第一个方面所述的太阳电池的制备方法制备得到。
如图1至图3所示，该太阳电池包括硅片1以及由内向外依次设置在硅片1第一表面上的第一掺杂层2、钝化层3和第一减反射层4。第一表面为正面或背面。
第一减反射层4表面上设有第一金属电极8，第一金属电极8穿透第一减反射层4和钝化层3后与第一掺杂层2欧姆接触，第一金属电极8与第一掺杂层2的接触界面处形成金属-半导体接触结构，金属-半导体接触结构为分叉结构81。
分叉结构81的金属-半导体接触结构以一个或数个点作为端点，并向第一掺杂层2内部经过多级分叉，相对银铝尖刺或者其他纤维状的银硅接触结构，能够在较小的区域内形成充分接触，进而具有较低的接触电阻。分叉结构81的金属-半导体接触结构具有多个点接触，相对于银铝尖刺，点接触的接触面积更小，点接触在有效保证金属与半导体形成良好接触的情况下，抑制其对发射极及硅片1的损伤，改善金属化复合，促进材料开压的提升。
参照图4，银浆的玻璃粉烧结后在第一掺杂层2上形成玻璃层，银在玻璃层中沉积形成银沉积物，经过激光增强接触优化工艺处理后制得金属-半导体接触结构为多级的分叉结构81，该金属-半导体接触结构具有多级分叉，与硅片1具有较大的接触面积，进而具有较低的欧姆电阻。
可选地，金属-半导体接触结构为亚微米尺寸级别的Ag-Si混合接触结构；
和/或，金属-半导体接触结构的接触电阻为0.5Ω～0.9Ω包括该接触电阻范围内的任一点值，例如是0.5Ω、0.7Ω或0.9Ω；
和/或，金属-半导体接触结构的密度是(5～7)×106个.cm-2包括该密度范围内的任一点值，例如是5×106个.cm-2、6×106个.cm-2或7×106个.cm-2。
可选地，该太阳电池还包括由内向外依次设置在硅片1第二表面上的钝化氧化层5、第二掺杂层6以及第二减反射层7，第一表面和第二表面中的其中一个为正面且另一个是背面。硅片1和第二掺杂层6具有第一导电类型，第一掺杂层2具有第二导电类型，第一导电类型和第二导电类型中的其中一种为N型而另一种为P型。
钝化氧化层5和第二掺杂层6构成改善太阳电池性能的钝化接触结构。
第二减反射层7上设有第二金属电极9，第二金属电极9贯穿第二减反射层7与第二掺杂层6欧姆接触。
进一步地，钝化氧化层5具有沿钝化氧化层5厚度方向贯穿的针孔结构51；
钝化氧化层5的厚度为2nm～5nm包括该厚度范围内的任一点值，例如是2nm、3nm或5nm；
针孔结构51的孔径为1.8nm～3.7nm包括该孔径范围内的任一点值，例如是1.8nm、2nm或3.7nm。
针孔结构51使得钝化氧化层5可以利用厚度大于等于2nm的膜层厚度来实现比1.5nm的隧穿要求厚度更优的钝化效果，又可以利用直接贯通的针孔结构51作为导通通道，实现多数载流子在第二掺杂层6和硅片1之间的传输，确保膜层变厚的同时导电传输效果仍然很好。
第一减反射层4包括背离硅片1依次层叠在钝化层3上的氮化硅膜41、氮氧化硅膜43以及氧化硅膜43。
第一减反射层4的膜厚均匀性为2.1％～4.5％，表明该第一减反射层4较为均匀致密，致密均匀的第一减反射层4在烧结过程中腐蚀面积更小，钝化性能更好。
第三个方面，本申请实施例提供一种光伏组件，包括如第二个方面所述的太阳电池。
下面将结合实施例和附图对本发明的技术方案进行说明。
实施例1
参见图5，本实施例提供一种太阳电池的制备方法，包括以下步骤：
S1、在第一掺杂层上沉积氧化铝膜作为钝化层：采用ALD(原子层沉积，Atomiclayer deposition)机台在RCA清洗后的N型硅片表面的第一掺杂层上沉积一层厚的氧化铝；其中，第一掺杂层为P型掺杂层，H2O/O3流量为22sccm，三甲基铝流量为25sccm，腔体设定温度为200℃，循环圈数为40圈，氧化铝膜厚度为5nm。
S2、在氧化铝膜的表面沉积氮化硅膜：氮化硅膜沉积温度在460℃，硅烷流量为2500sccm，氨气流量为6500sccm，功率为9000W，压力为1850mTor，该层折射率为2.31，膜厚为18nm。
S3、在氮化硅膜远离氧化铝膜的一面上沉积氮氧化硅膜：氮氧化硅膜的沉积温度在460℃，硅烷流量为1900sccm，氨气流量为9600sccm，功率为12000W，压力为1700mTor，该层折射率为2.14，膜厚为19nm。
S4、在氮氧化硅膜远离氧化铝膜的一面上沉积氧化硅膜：氧化硅膜的沉积温度在465℃，硅烷流量为1150sccm，氨气流量为8000sccm，功率为12500W，压力为1200mTor，该层折射率为2.04，膜厚为27nm。氮化硅膜、氮氧化硅膜和氧化硅膜组成第一减反射层。
S5、在由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面印刷银浆：通过丝网印刷在第一减反射层背离钝化层的一面上印刷银浆。其中，银浆中主要包括：银粉、玻璃粉、有机载体及添加剂，按银浆的总重量为100％计，各组分的重量百分含量为：银粉85％，玻璃粉3.5％，有机载体9.5％，添加剂2％。银粉为球形或类球形，粒径分布范围为2μm～4.5μm，D50分布范围为0.9μm～1.7μm。以玻璃粉的总质量为100％计，玻璃粉中SnO2的含量为32％，PbO含量为60％，MgO含量为8％。
S6、烧结银浆形成第一金属电极，使第一金属电极穿透第一减反射层和钝化层后与第一掺杂层欧姆接触：对银浆进行烧结形成第一金属电极，其中，烧结温度为710℃，烘干温度为220℃，烧结带速为230inch/min。
S7、使用激光增强接触优化工艺对表面进行处理，以在第一金属电极与第一掺杂层的接触界面处产生加热区域而形成金属-半导体接触结构，金属-半导体接触结构为分叉结构：经低温烧结后，采用激光增强烧结技术进一步改善界面处接触性能，其中，该技术所使用激光主要为α激光；激光频率为55Mhz，波长为750nm，激光扫描速度为110mm/s，硅片的扫描速率为2.5s/片。
实施例2
本实施例提供一种太阳电池的制备方法，包括以下步骤：
S1、在第一掺杂层上沉积氧化铝膜作为钝化层：采用ALD机台在RCA清洗后的硅片表面首先沉积一层厚的氧化铝，其中H2O/O3流量为20sccm，三甲基铝流量为24sccm，腔体设定温度为200℃，循环圈数为27圈，氧化铝厚度为3.5nm。
S2、在氧化铝膜的表面沉积氮化硅膜：氮化硅膜沉积温度在465℃，硅烷流量为2400sccm，氨气流量为6500sccm，功率为9000W，压力为1850mTor，该层折射率为2.30，膜厚为18nm。
S3、在氮化硅膜远离氧化铝膜的一面上沉积氮氧化硅膜：氮氧化硅膜的沉积温度在470℃，硅烷流量为1900sccm，氨气流量为9500sccm，功率为12000W，压力为1700mTor，该层折射率为2.16，膜厚为19nm。
S4、在氮氧化硅膜远离氧化铝膜的一面上沉积氧化硅膜：氧化硅沉积温度在470℃，硅烷流量为1150sccm，氨气流量为7500sccm，功率为12500W，压力为1200mTor，该层折射率为2.05，膜厚为28nm。氮化硅膜、氮氧化硅膜和氧化硅膜组成第一减反射层。
S5、在由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面印刷银浆：通过丝网印刷在第一减反射层背离钝化层的一面上印刷银浆。其中，银浆中主要包括：银粉、玻璃粉、有机载体及添加剂，按银浆的总重量为100％计，各组分的重量百分含量为：银粉84％，玻璃粉4％，有机载体9.7％，添加剂2.3％，所述银粉为球形或类球形，粒径分布范围为1.9μm～4.7μm，D50分布范围为1μm～1.6μm。以玻璃粉的总质量为100％计，玻璃粉中的SnO2的含量为32％，PbO含量为62％，MgO含量为6％。
S6、烧结银浆形成第一金属电极，使第一金属电极穿透第一减反射层和钝化层后与第一掺杂层欧姆接触：经丝网印刷后，进行烧结，其中，烧结温度为700℃，烘干温度为210℃，烧结带速为240inch/min。
S7、使用激光增强接触优化工艺对表面进行处理，以在第一金属电极与第一掺杂层的接触界面处产生加热区域而形成金属-半导体接触结构，金属-半导体接触结构为分叉结构：经低温烧结后，采用激光增强烧结技术进一步改善界面处接触性能，其中，该技术所使用激光主要为α激光；激光频率为60Mhz，波长为700nm，激光的扫描速度为150mm/s，硅片的扫描速率为2s/片。
实施例3
本实施例提供一种太阳电池的制备方法，包括以下步骤：
S1、在第一掺杂层上沉积氧化铝膜作为钝化层：采用ALD机台在RCA清洗后的硅片表面首先沉积一层厚的氧化铝，该过程无需增加其他工序即可制备高钝化效果的氧化铝膜，其中H2O/O3流量为18sccm，三甲基铝流量为20sccm，腔体设定温度为200℃，循环圈数为23圈，氧化铝厚度为3nm。
S2、在氧化铝膜的表面沉积氮化硅膜：氮化硅膜沉积温度在470℃，硅烷流量为2200sccm，氨气流量为7000sccm，功率为8500W，压力为1750mTor，该层折射率为2.25，膜厚为22nm。
S3、在氮化硅膜远离氧化铝膜的一面上沉积氮氧化硅膜：氮氧化硅膜层沉积温度在475℃，硅烷流量为2000sccm，氨气流量为9000sccm，功率为11000W，压力为1600mTor，该层折射率为2.19，膜厚为16nm。
S4、在氮氧化硅膜远离氧化铝膜的一面上沉积氧化硅膜：氧化硅沉积温度在475℃，硅烷流量为1200sccm，氨气流量为7000sccm，功率为12000W，压力为1100mTor，该层折射率为2.03，膜厚为30nm。氮化硅膜、氮氧化硅膜和氧化硅膜组成第一减反射层。
S5、在由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面印刷银浆：通过丝网印刷在第一减反射层背离钝化层的一面上印刷银浆。其中，银浆中主要包括：银粉、玻璃粉、有机载体及添加剂，按银浆的总重量为100％计，各组分的重量百分含量为：银粉87％，玻璃粉3.5％，有机载体7.7％，添加剂1.8％，所述银粉为球形或类球形，粒径分布范围为2.1μm～4.8μm，D50分布范围为1.1μm～1.7μm。以玻璃粉的质量为100％计，玻璃粉中的SnO2的含量为34％，PbO含量为56％，MgO含量为10％。
S6、烧结银浆形成第一金属电极，使第一金属电极穿透第一减反射层和钝化层后与第一掺杂层欧姆接触：经丝网印刷后，进行烧结，其中，烧结温度为690℃，烘干温度为210℃，烧结带速为240inch/min。
S7、使用激光增强接触优化工艺对表面进行处理，以在第一金属电极与第一掺杂层的接触界面处产生加热区域而形成金属-半导体接触结构，金属-半导体接触结构为分叉结构：经低温烧结后，采用激光增强烧结技术进一步改善界面处接触性能，其中，该技术所使用激光主要为α激光；激光频率为70Mhz，波长为800nm，激光扫描速度为150mm/s，硅片的扫描速率为1.8s/片。
实施例4
实施例4与实施例1的不同之处在于：
S1、在第一掺杂层上沉积氧化铝膜作为钝化层：采用ALD机台在RCA清洗后的硅片表面首先沉积一层厚的氧化铝膜，其中H2O/O3流量为20sccm，三甲基铝流量为25sccm，腔体设定温度为200℃，循环圈数为27圈，氧化铝厚度为3.5nm。
S2、在氧化铝膜的表面沉积氮化硅膜：氮化硅膜沉积温度在480℃，硅烷流量为2200sccm，氨气流量为6500sccm，功率为12000W，压力为2000mTor，该层折射率为2.34，膜厚为20nm。
S3、在氮化硅膜远离氧化铝膜的一面上沉积氮氧化硅膜：氮氧化硅膜的沉积温度在485℃，硅烷流量为2100sccm，氨气流量为8500sccm，功率为14000W，压力为1850mTor，该层折射率为2.16，膜厚为21nm。
S4、在氮氧化硅膜远离氧化铝膜的一面上沉积氧化硅膜：氧化硅沉积温度在485℃，硅烷流量为1350sccm，氨气流量为8500sccm，功率为13500W，压力为1400mTor，该层折射率为2.08，膜厚为29nm。氮化硅膜、氮氧化硅膜和氧化硅膜组成第一减反射层。
实施例5
实施例5与实施例1的不同之处仅在于：步骤S7中，激光频率为85Mhz。
实施例6
实施例6与实施例1的不同之处仅在于：步骤S7中，激光频率为30Mhz。
实施例7
实施例7与实施例1的不同之处仅在于：以玻璃粉的总质量为100％计，玻璃粉中的MnO2含量为32％，PbO含量为60％，MgO含量为8％。
对比例1
对比例1与实施例1的不同之处仅在于：步骤S5中使用银铝浆料代替银浆，银铝浆料中主要包括：银粉、铝粉、玻璃粉、有机载体及添加剂，按银铝浆料的总重量为100％计，各组分的重量百分含量为：银粉84％，铝粉1％，玻璃粉4％，有机载体9％，添加剂2％。银粉为球形或类球形，粒径分布范围为1.9μm～4.4μm，D50分布范围为0.9μm～1.8μm。
步骤S6中经丝网印刷银铝浆料后，对银铝浆料进行烧结形成第一金属电极，其中，烧结温度为810℃，烘干温度为220℃，烧结带速为230inch/min。
并且本对比例不进行步骤S7：使用激光增强接触优化工艺对表面进行处理。
对比例2
对比例2与实施例1的不同之处仅在于：按银浆的总重量为100％计，各组分的重量百分含量为：银粉82％，铝粉3％，玻璃粉3.5％，有机载体9.5％，添加剂2％。
对比例3
对比例3与实施例1的不同之处仅在于：以玻璃粉的总质量为100％计，玻璃粉中的SnO2含量为32％，PbO的含量为60％，SiO2的含量为8％。
测试以上各实施例和各对比例制得的太阳电池的填充因子、短路电流、开路电压以及效率。测试数据请参见表1。
表1：各实施例和各对比例制得的太阳电池的填充因子、短路电流、开路电压以及效率的测试数据
由表1可知，对比例1采用银铝浆料，铝粉在银铝浆料中的重量百分含量为1％，进而需要高温烧结以形成改善欧姆接触的银铝尖刺，高温烧结导致硅片损伤，同时银铝尖刺也会导致第一金属电极与第一掺杂层的接触界面处载流子复合速率增大，导致太阳电池的开压降低，接触电阻增大。
对比例2虽然利用了激光增强接触优化技术，但采用高铝含量的银铝浆料，易形成尺寸较大较深的银铝尖刺，导致p-n结被穿透，发射极接触面上铝和硅不均匀的相互扩散导致太阳电池短路，界面处少子复合程度加剧，金属化区域暗态饱和电流密度增大，开路电压急剧降低，转换效率下降。
实施例1-7采用低含铝量的银浆，银浆中铝的质量百分比低于0.3％，进一步采用低温烧结的方式形成第一金属电极，最后通过激光增强接触优化工艺形成改善欧姆接触的金属-半导体接触结构，金属-半导体接触结构形成点接触，可有效抑制银微晶的横向扩散，改善界面处的接触性能，促进太阳电池性能的提升。更具体地，实施例1-7的太阳电池的钝化效果得到提升，复合速率下降，进一步改善欧姆接触以及提升开路电压和转换效率，体现在实施例1-7的转换效率、开路电压以及少子寿命等测试结果均优于对比例1、2。
实施例5的步骤S7中，激光频率为85Mhz，高于实施例1-4的步骤S7中所采用的激光频率。发明人研究发现，当步骤S7中激光频率大于70Mhz时，会对第一金属电极与半导体接触界面处造成一定程度的损伤，导致穿刺现象的出现，穿刺现象导致复合增大，体现在实施例5的填充因子和少子寿命测试结果低于实施例1-4。
实施例6的步骤S7中，激光频率为30Mhz，低于实施例1-4的步骤S7中所采用的激光频率。发明人研究发现，当步骤S7中的激光频率小于40Mhz时，激光功率过小，对界面处欧姆接触的改善不明显，且无法达到降低烧结温度的作用，性能提升不明显，体现在实施例6的填充因子和少子寿命测试结果低于实施例1-4。
表2：实施例1、实施例7和对比例3的银浆以及对比例1的银铝浆料的测试数据
| 玻璃化转变温度(℃) | |
| 实施例1 | 365 |
| 实施例7 | 370 |
| 对比例3 | 465 |
| 对比例1 | 580 |
结合表1和表2可知，相对于实施例1，实施例7使用MnO2代替了SnO2，PbO对钝化层的腐蚀和玻璃的横向流动仍较为严重，导致钝化层在烧结时腐蚀明显，钝化性能减弱，体现在少子寿命明显低于实施例1的测试结果。
对比例3使用SiO2代替了MgO，SiO2进入该玻璃体系中不具备降低玻璃化转变温度，导致对比例3需要在更高温度下进行烧结，高温烧结对钝化层和第一减反射层造成一定的损伤，导致对比例3的少子寿命、转换效率和开路电压等性能下降。而实施例1和实施例7加入一定量的MgO，因Mg2+半径较小且具有较好的稳定性，进入该玻璃体系中不会与其中的成分发生反应仅作填充作用，从而达到降低玻璃化转变温度的作用，进而实施例1和实施例7的玻璃化转变温度均低于对比例3。
对比例1没有加入SnO2和MgO，一方面其玻璃化转变温度高达580℃，在烧结时高温对于钝化层的影响较大，且PbO对钝化层的腐蚀和玻璃的横向流动严重，导致钝化层在烧结时腐蚀严重，钝化性能差，体现在对比例1的少子寿命明显低于实施例1、实施例7和对比例3的测试结果。
使用椭偏仪测定实施例1以及实施例4在步骤S4之后的硅片上的第一减反射层表面的六个不同位置的膜厚均匀性，测试结果见表3。
表3：实施例1和实施例4的膜厚均匀性测试数据
| 膜厚均匀性 | |
| 实施例1 | 2.1％～4.5％ |
| 实施例4 | 6.57％～7.44％ |
由表3可知，实施例1通过调整第一减反射层沉积时的硅烷及氨气流量、腔室压力以及功率，有效降低了对氧化铝膜的损伤，并促进正面致密均匀的第一减反射层的生成，膜厚均匀性明显优于实施例4未调整硅烷及氨气流量、腔室压力以及功率的制备方法。致密均匀的钝化层和第一减反射层有利于提升太阳电池的钝化性能。结合表1可见实施例1的转换效率、少子寿命等测试结果均优于实施例4。
以上对本发明实施例公开的一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件进行了详细的介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件及其核心思想：同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (14)
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，所述太阳电池的制备方法包括以下步骤：
在由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面印刷银浆；其中，所述银浆印刷于所述第一减反射层表面，所述银浆中铝的质量百分比低于0.3％，所述银浆的玻璃化转变温度为360℃～370℃；
烧结所述银浆形成第一金属电极，使所述第一金属电极穿透所述第一减反射层和所述钝化层后与所述第一掺杂层欧姆接触；其中，烧结温度为650℃～720℃；
使用激光增强接触优化工艺对所述硅片表面进行处理，以在所述第一金属电极与所述第一掺杂层的接触界面处产生加热区域而形成金属-半导体接触结构，所述金属-半导体接触结构为分叉结构；其中，所述加热区域的温度为750℃～850℃。
2.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述银浆包括按质量百分比计的以下原料：
81.5％～89％的银粉；
1.0％～5.0％的玻璃粉；其中，以质量百分比计，所述玻璃粉包括28％～38％的SnO2、52％～62％的PbO和5％～15％的MgO；
7.5％～12.5％的有机载体；以及
1.0％～2.5％的添加剂。
3.如权利要求2所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述银粉为球形或类球形；
和/或，所述银粉的粒径分布范围为0.2μm～5.5μm；
和/或，所述银粉的D50分布范围为0.9μm～2.0μm。
4.如权利要求1至3中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面印刷银浆的步骤之前，所述太阳电池的制备方法还包括：
在所述第一掺杂层上沉积氧化铝膜作为所述钝化层；
在所述氧化铝膜的表面沉积氮化硅膜；其中，所述氮化硅膜的沉积温度为450℃～500℃，硅烷流量为2000sccm～3500sccm，氨气流量为5000sccm～10000sccm，功率为5000W～12000W，腔室压力为1000mTor～2000mTor；
在氮化硅膜远离所述氧化铝膜的一面上沉积氮氧化硅膜；其中，所述氮氧化硅膜的沉积温度为450℃～500℃，硅烷流量为1500sccm～3000sccm，氨气流量为6500sccm～11000sccm，功率为7000W～13000W，腔室压力为1000mTor～2000mTor；
在氮氧化硅膜远离所述氧化铝膜的一面上沉积氧化硅膜；其中，所述氧化硅膜的沉积温度为450℃～500℃，硅烷流量为500sccm～1500sccm，氨气流量为3000sccm～7000sccm，功率为8000W～14000W，腔室压力为500mTor～1500mTor；所述氮化硅膜、所述氮氧化硅膜和所述氧化硅膜组成所述第一减反射层。
5.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述氮化硅膜的折射率为2.22～2.32；
和/或，所述氮化硅膜的厚度为10nm～30nm；
和/或，所述氮氧化硅膜的折射率为2.11～2.21；
和/或，所述氮氧化硅膜的厚度为12nm～25nm；
和/或，所述氧化硅膜的折射率为2.02～2.10；
和/或，所述氧化硅膜的厚度为25nm～35nm。
6.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第一掺杂层上沉积氧化铝膜的步骤，包括：
采用ALD设备所述表面上沉积氧化铝，H2O或O3流量为10sccm～25sccm，三甲基铝流量为5sccm～50sccm，腔体设定温度为200℃～400℃，循环圈数为15圈～50圈，氧化铝厚度为3nm～10nm。
7.如权利要求1至4中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述金属-半导体接触结构为亚微米尺寸级别的Ag-Si混合接触结构；
和/或，所述金属-半导体接触结构的接触电阻为0.5Ω～0.9Ω；
和/或，所述金属-半导体接触结构的密度是(5～7)×106个.cm-2。
8.如权利要求1至4中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述使用激光增强接触优化技术对所述表面进行处理的步骤中，
激光为α激光、β激光和γ激光中的至少一种；
和/或，激光的频率为40Mhz～70Mhz；
和/或，激光的波长为610nm～910nm；
和/或，激光的扫描速度为50mm/s～200mm/s；
和/或，所述硅片的扫描速率为0.5s/片～3.5s/片。
9.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池通过如权利要求1至8中任一项所述的太阳电池的制备方法制备得到；所述太阳电池包括硅片以及由内向外依次设置在所述硅片第一表面上的第一掺杂层、钝化层和第一减反射层；所述第一表面为正面或背面；
所述第一减反射层表面上设有第一金属电极，所述第一金属电极穿透所述第一减反射层和所述钝化层后与所述第一掺杂层欧姆接触，所述第一金属电极与所述第一掺杂层的接触界面处形成金属-半导体接触结构，所述金属-半导体接触结构为分叉结构。
10.根据权利要求9所述的太阳电池，其特征在于，所述金属-半导体接触结构为亚微米尺寸级别的Ag-Si混合接触结构；
和/或，所述金属-半导体接触结构的接触电阻为0.5Ω～0.9Ω；
和/或，所述金属-半导体接触结构的密度是(5～7)×106个.cm-2。
11.根据权利要求9所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括由内向外依次设置在所述硅片第二表面上的钝化氧化层、第二掺杂层以及第二减反射层，所述第一表面和所述第二表面中的其中一个为正面且另一个是背面；所述硅片和所述第二掺杂层具有第一导电类型，所述第一掺杂层具有第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型中的其中一种为N型而另一种为P型；
所述第二减反射层上设有第二金属电极，所述第二金属电极贯穿所述第二减反射层与所述第二掺杂层欧姆接触。
12.根据权利要求11所述的太阳电池，其特征在于，所述钝化氧化层具有沿所述钝化氧化层厚度方向贯穿的针孔结构；
所述钝化氧化层的厚度为2nm～5nm；
所述针孔结构的孔径为1.8nm～3.7nm。
13.根据权利要求9所述的太阳电池，其特征在于，所述第一减反射层包括背离所述硅片依次层叠在钝化层上的氮化硅膜、氮氧化硅膜以及氧化硅膜；
和/或，所述第一减反射层的膜厚均匀性为2.1％～4.5％。
14.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求9至13任一项所述的太阳电池。
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| CN202311742414.7A CN117790621A (zh) | 2023-12-15 | 2023-12-15 | 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件 |
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| CN202311742414.7A CN117790621A (zh) | 2023-12-15 | 2023-12-15 | 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118472064A (zh) * | 2024-07-15 | 2024-08-09 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 金半接触结构、太阳电池及光伏组件 |
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2023
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