CN117766419A - 离子注入工艺的监控方法及监控装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种离子注入工艺的监控方法及监控装置。所述离子注入工艺的监控方法包括如下步骤：提供晶圆；注入辅助元素至所述晶圆，于所述晶圆内形成第一掺杂区；注入待监控元素至所述晶圆，于所述晶圆内形成第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区上方，且所述第二掺杂区的边缘与所述第一掺杂区的边缘接触，所述辅助元素的导电类型与所述待监控元素的导电类型相反；测量所述晶圆的方块电阻，作为所述晶圆的实测方块电阻；根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量。本发明实现了对待监控元素实际注入剂量的有效监控，且监控方法简单，适用范围广。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种离子注入工艺的监控方法及监控装置。
背景技术
目前，半导体集成电路(IC)产业已经经历了指数式增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代IC，其中，每代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)却已减小。除了IC部件变得更小和更复杂之外，在其上制造IC的晶圆变得越来越大，这就对晶圆的质量要求越来越高。
离子注入工艺是半导体制造工艺中用于调整膜层性能的常用工艺。在离子注入工艺中，需要对离子注入工艺进行监控，以确保离子注入后半导体结构的性能。当前对于室温条件下的离子注入工艺，可以通过量测TW(Thermal Wave，热波)来对离子注入工艺进行监控，但是，量测TW的方法仅适用于室温下的离子注入工艺，且TW与时间有关，从而导致对离子注入监控的准确性和可靠性降低。
因此，如何有效的监控离子注入的情况，从而改善离子注入的效果，是当前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供的离子注入工艺的监控方法及监控装置，用于提高离子注入工艺监控的准确度和可靠性，且适用范围广，从而有效改善离子注入的效果，提高晶圆产品的性能。
根据一些实施例，本发明提供了一种离子注入工艺的监控方法，包括如下步骤：
提供晶圆；
注入辅助元素至所述晶圆，于所述晶圆内形成第一掺杂区；
注入待监控元素至所述晶圆，于所述晶圆内形成第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区上方，且所述第二掺杂区的边缘与所述第一掺杂区的边缘接触，所述辅助元素的导电类型与所述待监控元素的导电类型相反；
测量所述晶圆的方块电阻，作为所述晶圆的实测方块电阻；
根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量。
在一些实施例中，所述辅助元素为第ⅢA族元素，所述待监控元素为第ⅤA族元素。
在一些实施例中，注入辅助元素离子至所述晶圆之前，还包括如下步骤：
形成覆盖所述晶圆的表面的保护层。
在一些实施例中，测量所述晶圆的方块电阻之前，还包括如下步骤：
对所述晶圆进行退火处理；
去除所述保护层。
在一些实施例中，对所述晶圆进行退火处理的具体步骤包括：
采用预设温度对所述晶圆进行退火处理，所述预设温度等于或者高于所述辅助元素的激活温度，且所述预设温度低于所述待监控元素的激活温度。
在一些实施例中，测量所述晶圆的方块电阻的具体步骤包括：
采用四探针法测量所述晶圆的方块电阻。
在一些实施例中，注入待监控元素至所述晶圆之前，还包括如下步骤：获取注入所述辅助元素之后的所述晶圆的方块电阻，作为所述晶圆的初始方块电阻；
根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量的具体步骤包括：根据所述初始方块电阻与所述实测方块电阻之间的差值获取所述待监控元素的实际注入剂量。
在一些实施例中，根据所述实测方块电阻监控所述待监控离子的实际注入剂量的具体步骤包括：
建立所述待监控元素的注入剂量与晶圆的方块电阻之间的映射关系；
根据所述实测方块电阻和所述映射关系确定所述待监控元素的实际注入剂量。
在一些实施例中，建立所述待监控元素的注入剂量与晶圆的方块电阻之间的映射关系的具体步骤包括：
提供多片测试晶圆，并设置与多片所述测试晶圆一一对应的多种测试注入剂量，且多种所述测试注入剂量互不相同；
分别注入预设剂量的所述辅助元素至多片所述测试晶圆；
分别于每片所述测试晶圆中注入与其对应的测试注入剂量的所述待监控元素；
分别测量多片所述测试晶圆的方块电阻，作为每片所述测试晶圆的测试方块电阻；
根据多片所述测试晶圆的所述测试注入剂量和所述测试方块电阻建立所述待监控元素的注入剂量与晶圆的方块电阻之间的映射关系。
根据另一些实施例，本发明还提供了一种离子注入工艺的监控装置，包括：
注入结构，包括反应腔室，所述反应腔室用于容纳晶圆，所述注入结构用于向所述晶圆注入辅助元素以于所述晶圆内形成第一掺杂区，并用于向所述晶圆注入待监控元素以于所述晶圆内形成第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区上方，且所述第二掺杂区的边缘与所述第一掺杂区的边缘接触，所述辅助元素的导电类型与所述待监控元素的导电类型相反；
测量结构，包括探针，所述测量结构用于通过所述探针测量所述晶圆的方块电阻，并以测量得到的所述方块电阻作为所述晶圆的实测方块电阻；
监控结构，连接所述测量结构，所述监控结构用于根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量。
在一些实施例中，所述辅助元素为第ⅢA族元素，所述待监控元素为第ⅤA族元素。
在一些实施例中，所述测量结构包括四个探针，且所述测量结构用于采用四探针法测量所述晶圆的方块电阻。
在一些实施例中，所述监控结构包括：
存储器，用于存储所述待监控元素的注入剂量与晶圆的方块电阻之间的映射关系；
处理器，连接所述存储器，用于根据所述实测方块电阻和所述映射关系确定所述待监控元素的实际注入剂量。
本发明提供的离子注入工艺的监控方法及监控装置，通过先向晶圆中注入辅助元素以形成第一掺杂区，再向所述晶圆中注入待监控元素形成第二掺杂区，且所述第一掺杂区围绕所述第二掺杂区的外周分布，所述辅助元素的导电类型与所述待监控元素的导电类型相反，从而在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间形成PN结，以构造了晶圆方块电阻的测量条件，使得能够通过测量的方法获取所述晶圆的实测方块电阻，并根据所述实测方块电阻来监控所述待监控元素的实际注入剂量，实现了对所述待监控元素注入剂量的有效监控，且监控方法简单，适用范围广，有助于改善离子注入效果以及提高晶圆产品的性能。
附图说明
附图1是本发明具体实施方式中离子注入工艺的监控方法流程图；
附图2是本发明具体实施方式在晶圆中注入辅助元素和待监控元素之后的截面示意图；
附图3是本发明具体实施方式中待监控元素的剂量修正参数与晶圆的方块电阻之间的拉偏实验图；
附图4是本发明具体实施方式中离子注入工艺的监控装置的结构框图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的离子注入工艺的监控方法及监控装置的具体实施方式做详细说明。
本具体实施方式提供了一种离子注入工艺的监控方法，附图1是本发明具体实施方式中离子注入工艺的监控方法流程图，附图2是本发明具体实施方式在晶圆中注入辅助元素和待监控元素之后的截面示意图。如图1和图2所示，所述离子注入工艺的监控方法，包括如下步骤：
步骤S11，提供晶圆20；
步骤S12，注入辅助元素至所述晶圆20，于所述晶圆20内形成第一掺杂区21；
步骤S13，注入待监控元素至所述晶圆20，于所述晶圆20内形成第二掺杂区22，所述第二掺杂区22位于所述第一掺杂区21上方，且所述第二掺杂区22的边缘与所述第一掺杂区21的边缘接触，所述辅助元素的导电类型与所述待监控元素的导电类型相反；
步骤S14，测量所述晶圆20的方块电阻，作为所述晶圆20的实测方块电阻；
步骤S15，根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量。
在一些实施例中，所述辅助元素为第ⅢA族元素，所述待监控元素为第ⅤA族元素。
在一些实施例中，所述待监控元素为氮元素。
具体来说，所述晶圆20可以是硅晶圆，也可以是碳化硅晶圆。为了提高半导体制造工艺的效率，并降低半导体制造工艺的成本，所述晶圆20为硅晶圆。在一示例中，所述晶圆20为N型硅晶圆。举例来说，在对所述晶圆20进行清洗之后，可以以400Kev的注入能量、3×1014个/cm2的注入剂量、0°/338°的注入角度注入铝元素，形成所述第一掺杂区21。之后，以250Kev的注入能量、1×1014个/cm2的预设注入剂量、0°/0°的注入角度注入氮元素，形成所述第二掺杂区22。但是，由于注入机台本身结构的限制以及注入条件的限制，导致实际注入所述晶圆20的中的所述氮元素的剂量与注入机台中预设的氮元素的预设注入剂量之间存在差异，因而需要对所述晶圆20中氮元素的实际注入剂量进行监控，同时也能对注入机台的注入性能进行监测。由于所述辅助元素(例如铝元素等元素周期表中第ⅢA族元素)与所述待监控元素(例如氮元素等元素周期表面中第ⅤA族元素)的导电类型相反，从而在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间形成PN结，以构造了晶圆方块电阻的测量条件，使得能够通过测量的方法获取所述晶圆的实测方块电阻。由于所述待监控元素的注入剂量会影响所述晶圆20的方块电阻，例如随着晶圆20的方块电阻随着所述待监控元素注入剂量的增大而增大，因此，通过所述晶圆的实测方块电阻能够实现对所述晶圆中所述待监控元素注入剂量的监控。
在一示例中，所述第二掺杂区22位于所述第一掺杂区21上方，所述第二掺杂区22仅与所述第一掺杂区21的底面接触。在另一示例中，所述第一掺杂区21围绕所述第二掺杂区22的外周分布，且所述第一掺杂区21与所述第二掺杂区的侧壁和底面均接触。
在一示例中，根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量是指，根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量的分布均匀性和稳定性。例如，可以对多片所述晶圆20均进行所述辅助元素的注入和所述待监控元素的注入(即对多片所述晶圆20均实施步骤S12和步骤S13)，并根据多片所述晶圆20的所述实测方块电阻来判断多片所述晶圆20中所述待监控元素注入剂量的均匀性和稳定性。再例如，可以对同一片晶圆的多个不同位置测量方块电阻，以确定所述待监控元素在所述晶圆中不同位置的注入剂量分布均匀性。在另一示例中，根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量是指，根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量的具体数值。
附图3是本发明具体实施方式中待监控元素的剂量修正参数与晶圆的方块电阻之间的拉偏实验图。举例来说，在采用离子注入机台(即注入结构)向晶圆中注入所述待监测元素时，晶圆中实际注入的所述待监测元素的剂量为预设注入剂量与所述剂量修正参数之间的乘积。因此，在采用所述离子注入机台向晶圆中注入所述待监测元素时，通过调整所述剂量修正参数，即可以实现对所述晶圆中待检测元素实际注入剂量的调整。由图3可知，所述待监测元素的剂量修正参数与所述晶圆的方块电阻之间呈线性相关。
在一些实施例中，注入辅助元素离子至所述晶圆20之前，还包括如下步骤：
形成覆盖所述晶圆20的表面的保护层。
具体来说，在采用离子注入工艺注入所述辅助元素至所述晶圆20之前，形成氧化物层(例如二氧化硅)等绝缘膜层于所述晶圆20的表面，以避免后续离子注入工艺对所述晶圆20的表面造成损伤。在一示例中，所述保护层中具有暴露部分所述晶圆20的表面的开口，后续所述辅助元素和所述待监控元素均沿所述开口注入所述晶圆20。在一示例中，所述保护层的厚度为
在一些实施例中，测量所述晶圆20的方块电阻之前，还包括如下步骤：
对所述晶圆20进行退火处理；
去除所述保护层。
在一些实施例中，对所述晶圆进行退火处理的具体步骤包括：
采用预设温度对所述晶圆20进行退火处理，所述预设温度等于或者高于所述辅助元素的激活温度，且所述预设温度低于所述待监控元素的激活温度。
以下以所述辅助元素为铝元素、所述待监控元素为氮元素为例进行说明。举例来说，所述第一掺杂区21为通过注入铝元素形成的掺杂区，所述第二掺杂区22为通过注入氮元素形成的掺杂区，所述第二掺杂区22位于所述第一掺杂区21上方，且所述第二掺杂区22的边缘与所述第一掺杂区21的边缘接触，因而所述第二掺杂区22中的氮元素能够中和所述第一掺杂区21中的铝元素的最外层电子中和，从而使得在注入所述氮元素之后，所述晶圆20的退火温度等于或者高于所述辅助元素(例如铝元素)的激活温度，且所述预设温度低于所述待监控元素(例如氮元素)的激活温度，从而降低了注入工艺之后的退火温度，避免了高温对晶圆的损伤，从而有助于改善离子注入的效果并提高晶圆产品的性能。在一示例中，所述退火处理的退火温度为1000℃～1200℃，例如1100℃。其中，所述退火处理可以为快速热退火处理。
本具体实施方式在测量所述晶圆的方块电阻之前，需要去除所述保护层，避免所述保护层影响所述晶圆20的方块电阻测试的准确度。在一示例中，可以采用湿法腐蚀工艺去除所述保护层。当所述保护层为二氧化硅保护层时，所述湿法腐蚀工艺可以采用稀释的氢氟酸或BOE(Buffered Oxide Etch，缓冲氧化物刻蚀液)作为腐蚀剂。
在一些实施例中，测量所述晶圆20的方块电阻的具体步骤包括：
采用四探针法测量所述晶圆20的方块电阻。
具体来说，由于所述第一掺杂区21与所述第二掺杂区22接触，从而在所述第一掺杂区21与所述第二掺杂区22之间形成了PN结。在采用四探针法测量所述晶圆20的方块电阻时，通过四根探针中的两根探针向所述晶圆20施加电压，通过四根探针中的另外两根探针测量所述晶圆20中的电流，并根据所述电压和所述电流获取所述晶圆20的方块电阻。
在一些实施例中，注入待监控元素至所述晶圆20之前，还包括如下步骤：获取注入所述辅助元素之后的所述晶圆20的方块电阻，作为所述晶圆20的初始方块电阻；
根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量的具体步骤包括：根据所述初始方块电阻与所述实测方块电阻之间的差值获取所述待监控元素的实际注入剂量。
具体来说，为了获取所述待监控元素注入所述晶圆20的具体注入剂量，可以在注入所述辅助元素且形成所述第一掺杂区21之后，测量所述晶圆20的方块电阻，作为所述晶圆20的初始方块电阻。为了提高监控的准确度，在测量所述初始方块电阻之前需要去除所述保护层。或者，可以预先进行测试实验，获取所述辅助元素的注入剂量与所述晶圆20的方块电阻之间的对应关系，之后，根据所述对应关系获取注入预设剂量的所述辅助元素之后所述晶圆20的方块电阻。
在注入所述待监控元素且形成所述第二掺杂区22之后，再次测量所述晶圆20的方块电阻，作为所述晶圆的实测方块电阻。之后，根据所述初始方块电阻与所述实测方块电阻之间的差值获取所述待监控元素的注入剂量。由于所述待监控元素的注入会中和所述辅助元素最外层的电子，因而会引起所述晶圆20的方块电阻的变化，所以，根据所述初始方块电阻与所述实测方块电阻之间的差值即可计算得到所述待监控元素的实际注入剂量。
在另一些实施例中，根据所述实测方块电阻监控所述待监控离子的实际注入剂量的具体步骤包括：
建立所述待监控元素的注入剂量与晶圆的方块电阻之间的映射关系；
根据所述实测方块电阻和所述映射关系确定所述待监控元素的实际注入剂量。
在一些实施例中，建立所述待监控元素的注入剂量与晶圆的方块电阻之间的映射关系的具体步骤包括：
提供多片测试晶圆，并设置与多片所述测试晶圆一一对应的多种测试注入剂量，且多种所述测试注入剂量互不相同；
分别注入预设剂量的所述辅助元素至多片所述测试晶圆；
分别于每片所述测试晶圆中注入与其对应的测试注入剂量的所述待监控元素；
分别测量多片所述测试晶圆的方块电阻，作为每片所述测试晶圆的测试方块电阻；
根据多片所述测试晶圆的所述测试注入剂量和所述测试方块电阻建立所述待监控元素的注入剂量与晶圆的方块电阻之间的映射关系。
具体来说，可以能够通过提供多片测试晶圆构建所述待监控元素的注入剂量与晶圆的方块电阻之间的映射关系。在获取所述晶圆20的实测方块电阻之后，根据所述实测方块电阻和所述映射关系确定所述待监控元素的实际注入剂量的具体数值。为了进一步提高监控的准确度和可靠性，需要确保构建所述映射关系时所述辅助元素的注入剂量与实际在所述晶圆20内形成所述第一掺杂区21时所述辅助元素的注入剂量(即步骤S12中所述辅助元素的注入剂量)相同。
本具体实施方式还提供了一种离子注入工艺的监控装置，附图4是本发明具体实施方式中离子注入工艺的监控装置的结构框图。本具体实施方式提供的离子注入工艺的监控装置可以采用如图1-图3所示的离子注入工艺的监控方法对离子注入工艺进行监控。如图1-图4所示，所述离子注入工艺的监控装置，包括：
注入结构40，包括反应腔室，所述反应腔室用于容纳晶圆20，所述注入结构40用于向所述晶圆注入辅助元素以于所述晶圆20内形成第一掺杂区21，并用于向所述晶圆20注入待监控元素以于所述晶圆20内形成第二掺杂区22，所述第二掺杂区22位于所述第一掺杂区21上方，且所述第二掺杂区22的边缘与所述第一掺杂区21的边缘接触，所述辅助元素的导电类型与所述待监控元素的导电类型相反；
测量结构41，包括探针，所述测量结构41用于通过所述探针测量所述晶圆20的方块电阻，并以测量得到的所述方块电阻作为所述晶圆20的实测方块电阻；
监控结构42，连接所述测量结构41，所述监控结构42用于根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量。
在一些实施例中，所述辅助元素为第ⅢA族元素所述待监控元素为第ⅤA族元素(例如氮元素)。
在一些实施例中，所述测量结构41包括四个探针，且所述测量结构41用于采用四探针法测量所述晶圆20的方块电阻。
在一些实施例中，所述监控结构42包括：
存储器421，用于存储所述待监控元素的注入剂量与晶圆的方块电阻之间的映射关系；
处理器422，连接所述存储器421，用于根据所述实测方块电阻和所述映射关系确定所述待监控元素的实际注入剂量。
本具体实施方式提供的离子注入工艺的监控方法及监控装置，通过先向晶圆中注入辅助元素以形成第一掺杂区，再向所述晶圆中注入待监控元素形成第二掺杂区，且所述第一掺杂区围绕所述第二掺杂区的外周分布，所述辅助元素的导电类型与所述待监控元素的导电类型相反，从而在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间形成PN结，以构造了晶圆方块电阻的测量条件，使得能够通过测量的方法获取所述晶圆的实测方块电阻，并根据所述实测方块电阻来监控所述待监控元素的实际注入剂量，实现了对所述待监控元素注入剂量的有效监控，且监控方法简单，适用范围广，有助于改善离子注入效果以及提高晶圆产品的性能。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (13)
1.一种离子注入工艺的监控方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供晶圆；
注入辅助元素至所述晶圆，于所述晶圆内形成第一掺杂区；
注入待监控元素至所述晶圆，于所述晶圆内形成第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区上方，且所述第二掺杂区的边缘与所述第一掺杂区的边缘接触，所述辅助元素的导电类型与所述待监控元素的导电类型相反；
测量所述晶圆的方块电阻，作为所述晶圆的实测方块电阻；
根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量。
2.根据权利要求1所述的离子注入工艺的监控方法，其特征在于，所述辅助元素为第ⅢA族元素，所述待监控元素为第ⅤA族元素。
3.根据权利要求1所述的离子注入工艺的监控方法，其特征在于，注入辅助元素至所述晶圆之前，还包括如下步骤：
形成覆盖所述晶圆的表面的保护层。
4.根据权利要求3所述的离子注入工艺的监控方法，其特征在于，测量所述晶圆的方块电阻之前，还包括如下步骤：
对所述晶圆进行退火处理；
去除所述保护层。
5.根据权利要求4所述的离子注入工艺的监控方法，其特征在于，对所述晶圆进行退火处理的具体步骤包括：
采用预设温度对所述晶圆进行退火处理，所述预设温度等于或者高于所述辅助元素的激活温度，且所述预设温度低于所述待监控元素的激活温度。
6.根据权利要求1所述的离子注入工艺的监控方法，其特征在于，测量所述晶圆的方块电阻的具体步骤包括：
采用四探针法测量所述晶圆的方块电阻。
7.根据权利要求1所述的离子注入工艺的监控方法，其特征在于，注入待监控元素至所述晶圆之前，还包括如下步骤：获取注入所述辅助元素之后的所述晶圆的方块电阻，作为所述晶圆的初始方块电阻；
根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量的具体步骤包括：根据所述初始方块电阻与所述实测方块电阻之间的差值获取所述待监控元素的实际注入剂量。
8.根据权利要求1所述的离子注入工艺的监控方法，其特征在于，根据所述实测方块电阻监控所述待监控离子的实际注入剂量的具体步骤包括：
建立所述待监控元素的注入剂量与晶圆的方块电阻之间的映射关系；
根据所述实测方块电阻和所述映射关系确定所述待监控元素的实际注入剂量。
9.根据权利要求8所述的离子注入工艺的监控方法，其特征在于，建立所述待监控元素的注入剂量与晶圆的方块电阻之间的映射关系的具体步骤包括：
提供多片测试晶圆，并设置与多片所述测试晶圆一一对应的多种测试注入剂量，且多种所述测试注入剂量互不相同；
分别注入预设剂量的所述辅助元素至多片所述测试晶圆；
分别于每片所述测试晶圆中注入与其对应的测试注入剂量的所述待监控元素；
分别测量多片所述测试晶圆的方块电阻，作为每片所述测试晶圆的测试方块电阻；
根据多片所述测试晶圆的所述测试注入剂量和所述测试方块电阻建立所述待监控元素的注入剂量与晶圆的方块电阻之间的映射关系。
10.一种离子注入工艺的监控装置，其特征在于，包括：
注入结构，包括反应腔室，所述反应腔室用于容纳晶圆，所述注入结构用于向所述晶圆注入辅助元素以于所述晶圆内形成第一掺杂区，并用于向所述晶圆注入待监控元素以于所述晶圆内形成第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区上方，且所述第二掺杂区的边缘与所述第一掺杂区的边缘接触，所述辅助元素的导电类型与所述待监控元素的导电类型相反；测量结构，包括探针，所述测量结构用于通过所述探针测量所述晶圆的方块电阻，并以测量得到的所述方块电阻作为所述晶圆的实测方块电阻；
监控结构，连接所述测量结构，所述监控结构用于根据所述实测方块电阻监控所述待监控元素的实际注入剂量。
11.根据权利要求10所述的离子注入工艺的监控装置，其特征在于，所述辅助元素为第ⅢA族元素，所述待监控元素为第ⅤA族元素。
12.根据权利要求10所述的离子注入工艺的监控装置，其特征在于，所述测量结构包括四个探针，且所述测量结构用于采用四探针法测量所述晶圆的方块电阻。
13.根据权利要求10所述的离子注入工艺的监控装置，其特征在于，所述监控结构包括：
存储器，用于存储所述待监控元素的注入剂量与晶圆的方块电阻之间的映射关系；
处理器，连接所述存储器，用于根据所述实测方块电阻和所述映射关系确定所述待监控元素的实际注入剂量。
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