CN117750813A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117750813A CN117750813A CN202311201405.7A CN202311201405A CN117750813A CN 117750813 A CN117750813 A CN 117750813A CN 202311201405 A CN202311201405 A CN 202311201405A CN 117750813 A CN117750813 A CN 117750813A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- insulating layer
- display device
- layer
- disposed
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 320
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 43
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 26
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 24
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101150037603 cst-1 gene Proteins 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/19—Segment displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
Abstract
根据本公开的显示装置包括:显示区域;设置在所述显示区域中的第一区域,所述第一区域包括孔区域和围绕所述孔区域的第一图案部分;设置在所述第一图案部分中的多个第一图案;以及设置在所述多个第一图案上的第一绝缘层和第二绝缘层,其中,位于所述多个第一图案之间的所述第一绝缘层与所述第二绝缘层彼此间隔开,并且在每一个所述第一图案的上表面上,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层彼此接触。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年9月22日提交的韩国专利申请No.10-2022-0119793的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种能够防止外部水分渗透的显示装置。
背景技术
最近的显示装置能够显示各种类型的信息并与观看相应信息的用户交互,这些显示装置需要各种尺寸、各种形状和各种功能。
显示装置包括液晶显示(LCD)装置、电泳显示(EPD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置。
有机发光二极管显示装置是自发光显示装置,并且与液晶显示装置不同的是不需要单独光源,因此可以制造得既轻又薄。另外,有机发光二极管显示装置不仅因低电压驱动而在功耗方面有利,而且具有优异的颜色呈现、响应速度、视角和对比度(CR),并且作为下一代显示器而进行研究。
有机发光二极管显示装置通过使用多个薄膜晶体管(TFT)控制流过有机发光二极管的电流来显示图像。
已经通过增加相机、扬声器、传感器等改进了显示装置。
特别地,已经应用了在装置中形成孔的屏内孔(hole-in-display)结构,以便将诸如相机的传感器设置在显示装置上。
在显示装置中形成孔后,存在外部水分渗透到显示面板内部的显示区域中的问题。
发明内容
在本发明中,可以在显示装置的显示区域中设置相机的区域中形成通孔。
可以通过去除基板和基板上的多个层来形成通孔。
为了在显示区域中形成通孔,可设置第一区域,第一区域包括孔区域、第一图案部分、第一阻隔部分和第二图案部分。
为了断开发光层,可以在与第一区域的孔区域相邻的第一图案部分中设置多个第一图案,并且多个第一图案中的每一个可以包括柱形的下部图案和在下部图案上的梯形的上部图案。
设置在多个第一图案上的绝缘层没有填充在形成于多个第一图案之间的倒锥形区域中,从而形成空的空间ES。
由于空的空间ES和梯形的上部图案的端部,形成了裂缝。
在通过去除基板和基板上的多个层而形成的孔区域中,基板上的多个层的侧表面可以暴露于外部。
在基板上的多个层中,外部水分会进入由有机材料形成并暴露于外部的有机绝缘层中,外部水分可能通过形成在与孔区域相邻的第一图案部分中的裂缝渗透到显示面板的显示区域中,因此存在显示装置的质量降低的问题。
因此,在本发明中,发明了一种显示装置,其在用于设置屏内孔相机的第一区域的第一图案部分中,通过改进绝缘层和保护层的堆叠结构,可以防止外部水分渗透。
根据本发明的实施方式要解决的问题是提供一种显示装置,其在用于设置相机的第一区域的第一图案部分的绝缘层之间设置保护层,能够防止外部水分渗透。
根据本发明的实施方式要解决的问题不限于上述问题,并且本领域技术人员将从下面的描述中清楚地理解上面未提到的其他问题。
本发明的特征和方面不限于所述。本发明的其他特征和优点将在下面的描述中进行阐述,并且对于本领域技术人员来说通过以下描述在一定程度上变得显而易见,或者可以通过实践本发明来获知。通过书面描述、权利要求和附图中特别指出或推导得出的结构,可以实现和获得本发明的这些和其他优点。
为了实现本发明的这些和其他优点且根据本发明的目的,如本文所体现和广泛描述的,根据本发明的实施方式的显示装置包括:显示区域;设置在所述显示区域中的第一区域,所述第一区域包括孔区域和围绕所述孔区域的第一图案部分;设置在所述第一图案部分中的多个第一图案;以及设置在所述多个第一图案上的第一绝缘层和第二绝缘层,其中,位于所述多个第一图案之间的所述第一绝缘层与所述第二绝缘层彼此间隔开,并且在每一个所述第一图案的上表面上,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层彼此接触。
另一方面,根据本发明的另一实施方式的显示装置包括:显示区域;设置在所述显示区域中的第一区域和多个像素;设置在每一个所述像素中阳极、发光层和阴极;设置在所述阴极上的封装层;设置在所述封装层上的第一绝缘层;设置在所述第一绝缘层上的第一触摸电极;设置在所述第一触摸电极上的第二绝缘层;以及设置在所述第二绝缘层上的第二触摸电极,其中,所述第一区域包括第一图案部分、第二图案部分和位于所述第一图案部分与所述第二图案部分之间的第一阻隔部分,并且所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在所述第一图案部分、所述第一阻隔部分和所述第二图案部分中延伸。
详细描述和附图中包括了实施方式的其他细节。
根据本发明的示例性实施方式的显示装置通过在用于设置相机的第一区域的第一图案部分中设置绝缘层和保护层,可以有效地防止外部水分渗透到面板的显示区域中,并且可以提供能够防止面板质量由于水分渗透而劣化的显示装置及其制造方法。
本发明的效果不限于上述效果,并且本领域技术人员将从下面的描述中清楚地理解未提及的其他效果。
由于针对要解决的技术问题、该技术问题的解决手段和效果描述的发明内容并没有具体说明权利要求的必要特征,因此权利要求的范围不受发明内容中描述的内容的限制。
应当理解,前面的一般性描述和下面的详细描述都是说明性的并且是示例性的,并且旨在提供对所要求保护的发明的进一步解释而非限制其范围。
附图说明
附图用于提供对本发明的进一步理解,并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分,附图示出了本发明的实施方式,并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面图;
图2是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的三维视图;
图3是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的三维视图;
图4是示出图1的第一区域PH的放大图;
图5是示出沿图1的线A-A'截取的截面示例的截面图;
图6是示出沿图1的线B-B'截取的截面示例的截面图;
图7是示出图6的第一图案部分PT1的放大图。
具体实施方式
通过下面参考附图详细描述的实施方式,本发明的优点和特征及其实现方法将变得清楚。然而,本发明可以以许多不同的形式来实现,并且不应被解释为受限于本文阐述的实施方式,并且提供实施方式是为了使得本发明是详尽和完整的,并且将向本发明所属领域的技术人员充分表达本发明的范围。
在附图中公开的用于描述本发明的实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等是说明性的,因此本发明不限于所示的内容。在本发明通篇中,相同的附图标记指代相同的组件。此外,在本发明的以下描述中,当确定已知的相关技术的详细描述会不必要地模糊本发明的主旨时,在此将省略其详细描述。当使用本发明中提及的术语诸如“包括”、“具有”、“由...组成”等时,可以加入其他部分,除非本文中使用术语“仅”。当组件被表达为单数时,除非另有说明,否则包括复数。
在分析成分时,即使没有明确描述,也解释为包括误差范围。
在描述位置关系时,例如,当将两个部分的位置关系描述为“上”、“上方”、“下方”、“旁边”等时,除非使用“紧接”或“直接”,否则一个或多个其他部分可以位于两个部分之间。
在描述时间关系时,例如,当时间前后关系被描述为“之后”、“随后”、“接下来”、“之前”等时,除非使用“立即”或“直接”,否则也可以包括不连续的情况。
虽然使用术语第一、第二等来描述各个组件,但是这些组件基本上不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开。因此,在本发明的技术精神内,下文描述的第一组件实际上可以是第二组件。
在描述本发明的组件时,可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等的术语。这些术语仅用于将该组件与其他组件区分开,并且组件的本质、顺序或数量不受这些术语的限制。此外,当描述组件“连接”、“耦合”或“接触”另一组件时,该组件可以直接连接或接触另一组件,但是应当理解,其他组件可以“插入”在组件之间,或者该组件可以通过一个或多个其他组件“连接”、“耦合”或“接触”。
术语“至少一个”应当被理解为包括一个或多个相关项的所有可能的组合。例如,“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示第一项、第二项和第三项中的两个以及第一项、第二项或第三项中的每一个。可以表示多个项中可存在的所有项的组合。
本文所使用的术语“装置”或“设备”可以包括显示装置,诸如包括显示面板和用于驱动显示面板的驱动单元的液晶模块(LCM)以及有机发光显示模块(OLED模块)。此外,术语“装置”还可以包括笔记本计算机、电视、计算机监视器、包括用于汽车或其他类型车辆的装置的车辆电子装置、以及诸如智能手机或电子平板等移动电子装置的套装电子装置或套装装置,即包括LCM和OLED模块的成品(完整产品或最终产品)。
因此,本说明书中的设备或装置可包括显示装置本身,诸如LCM、OLED模块等,以及包括LCM、OLED模块等的应用产品,或作为终端用户设备的套装设备。
此外,在一些实施方式中,由显示面板和驱动单元组成的LCM或OLED模块可以表达为“显示装置”,并且作为包括LCM和OLED模块的成品的电子装置可以被区分并表达为“套装装置”。例如,显示装置可以包括液晶(LCD)或有机发光(OLED)显示面板,以及用作驱动显示面板的控制单元的源PCB。套装装置还可以包括套装PCB,其是电连接到源PCB以驱动整个套装装置的套装控制器。
诸如液晶显示面板、有机发光显示面板和电致发光显示面板的所有类型的显示面板可用作本说明书的实施方式中所使用的显示面板,但不限于此。例如,根据本说明书的示例性实施方式,显示面板可以是能够被振动装置振动而产生声音的显示面板。应用于根据本说明书的实施方式的显示装置的显示面板不限制显示面板的形状或尺寸。此外,可以对根据本发明的所有实施方式的每个显示装置的所有组件进行可操作地耦合和配置。
本说明书的各种实施方式的每个特征可以部分地或全部地组合或相互组合,在技术上可以进行各种互锁和驱动,并且每个实施方式可以相互独立地执行或者可以相关联地一起实现。
在下文中,将参考附图和示例来描述本说明书的实施方式。为了便于说明,附图中所示的组件的比例具有与实际比例不同的比例,因此不限于附图中所示的比例。
现在将详细参考本发明的实施方式,附图中示出了其示例。
图1是示意性地示出根据本发明的实施方式的显示装置的平面图。
显示装置10可包括多个区域。例如,显示装置10可以包括显示图像的至少一个显示区域AA,并且可以在显示区域AA中形成包括像素的像素阵列。显示装置10还可以包括不显示图像的至少一个非显示区域NA,在非显示区域NA中设置有驱动电路部分和阻隔部分,并且非显示区域NA可以设置在显示区域AA的一侧。例如,非显示区域NA可以与显示区域AA的一个或多个侧表面相邻。
参考图1,非显示区域NA可以围绕大致呈矩形的显示区域AA,并且可以设置在显示区域AA外部。然而,应当理解,显示区域AA的形状和与显示区域AA相邻的非显示区域NA的布置不具体限于图1所示的示例性显示装置10。显示区域AA和非显示区域NA可以具有与显示装置10的任意形状对应的形状。这些形状的示例可以包括五边形、六边形、圆形、椭圆形等,但是本发明的实施方式不限于此。
显示区域AA的每个像素可以包括子像素,并且子像素可以显示红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)。另外,像素和子像素可以分别与像素电路相关联,所述像素电路包括形成于显示装置10的基板上的一个或多个薄膜晶体管(TFT)。每个像素电路可以电连接到栅极线和数据线,以便与设置在显示装置10的非显示区域NA中的例如栅极驱动器GIP和数据驱动器D-IC的一个或多个驱动电路通信。
一个或多个驱动电路可以实现为配置于图1所示的非显示区域NA中的TFT。例如,可以用显示装置10的基板上的多个TFT来实现栅极驱动器GIP。可以用基板上的TFT实现的电路的非限制性实例可包含反相器电路、多路复用器、静电放电(ESD)电路等,但本发明的实施方式不限于此。
一些驱动电路可以设置为集成电路(IC)芯片,并且可以用玻璃覆晶(COG)或其他类似方法安装在显示装置10的非显示区域NA中。另外,一些驱动电路可以安装在另一基板上,并且可以使用诸如柔性印刷电路板(FPCB)、膜上芯片(COF)、带载封装(TCP)的印刷电路或其他合适的技术耦合到设置于非显示区域NA中的连接接口(焊盘/凸块和引脚)。
在本发明的实施方式中,可在用于显示的TFT基板中使用至少两种不同类型的TFT。用于部分像素电路和部分驱动电路的TFT的类型可以根据显示需求而变化。
例如,可以用具有氧化物有源层的TFT(可以被称为氧化物TFT)来实现像素电路,并且可以用氧化物TFT和具有低温多晶硅有源层的TFT(可以被称为LTPS TFT)来实现驱动电路。与LTPS TFT不同,氧化物TFT不会受到像素间的阈值电压Vth的变化问题。在用于显示的像素电路阵列中也可以获得一致的阈值电压Vth。实现驱动电路的TFT之间的阈值电压Vth的一致性问题会对像素的亮度均匀性具有较小的直接影响。
通过将栅极驱动IC嵌入显示面板内部,由于驱动IC和高速扫描信号的数量减少,可以降低驱动电路(例如,GIP)的成本。
通过在使用LTPS TFT实现的基板上使用驱动电路,与TFT面板中的所有TFT都由氧化物TFT形成的情况相比,可以以更高的时钟向像素提供信号和数据。因此,可以提供能够高速工作的显示器,而没有诸如mura等的斑点。例如,根据TFT面板的设计,氧化物TFT和LTPS TFT的优点可以相结合,从而可以根据各自的优点选择和使用氧化物TFT和LTPS TFT。
显示区域AA可以包括第一区域PH。第一区域PH可以包括用于设置相机的孔区域H以及围绕孔区域H的第一图案部分PT1、第一阻隔部分DM、第二图案部分PT2和布线区域RK,稍后将详细描述这些构造。
图2和图3是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的示例的三维视图。
根据本发明的示例性实施方式的显示装置可以应用于可折叠显示装置。
可折叠显示装置可以包括至少一个显示区域AA。
在可折叠显示装置中,显示装置的一个显示区域可以沿着折叠线折叠以被划分为第一显示区域AA1和第二显示区域AA2。或者,可折叠显示装置可以具有位于显示装置的内部和外部的多个显示区域。可以在显示区域中形成像素。
参照图3,可折叠显示装置可以包括设置在显示装置内部的第一显示区域AA1和第二显示区域AA2,并且还可以包括设置在显示装置外部的第三显示区域AA3。
参考图2和图3,用于布置相机的一个或多个第一区域PH可以设置在位于显示装置内部的第一显示区域AA1和第二显示区域AA2中,或者可以设置在位于显示装置外部的第三显示区域AA3中。
图4是示意性地示出本发明的显示装置10的第一区域PH的放大图。
第一区域PH可以包括用于设置相机的孔区域H、围绕孔区域H的第一图案部分PT1、围绕第一图案部分PT1的第一阻隔部分DM、围绕第一阻隔部分DM的第二图案部分PT2、以及围绕第二图案部分PT2的布线区域RK。
图5是示意性地示出沿图1的线A-A'截取的截面示例的截面图。
参照图5,根据本发明的示例性实施方式的显示装置的基板100可包括第一基板、第二基板以及第一基板与第二基板之间的中间层。
第一基板和第二基板可以由聚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚碳酸酯中的至少一种形成,并且本发明的实施方式不限于此。当基板由塑料材料形成时,可以在基板下方设置由玻璃制成的支撑基板的同时执行显示装置的制造工艺,并且可以在显示装置的制造工艺完成之后去除支撑基板。另外,在去除支撑基板之后,可以在基板下方设置用于支撑基板的背板。当基板由塑料材料形成时,水分可能渗透基板并进入薄膜晶体管或发光元件层,这可能使显示装置的性能劣化。为了防止显示装置的性能由于水分渗透而劣化,根据本发明的示例性实施方式的显示装置可以包括由塑料材料制成的两个基板,即第一基板和第二基板。此外,通过在第一基板和第二基板之间形成中间层,可以防止水分渗透基板,从而改善产品的性能。中间层可以是无机层。例如,中间层可以是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或多层,但不限于此。
显示装置可以包括基板100上的多个区域。在本发明中,显示区域AA和非显示区域NA设置在基板100上,但不限于此。
在基板100上的显示区域AA和非显示区域NA中可以设置由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或多层制成的缓冲层。缓冲层可用于改善形成于缓冲层上的多个层与基板100之间的粘附性,并阻挡各种缺陷因素,例如从基板100流出的碱性成分。另外,缓冲层可以减缓渗透到基板100中的水分或氧气的扩散。
基于基板的类型和材料、薄膜晶体管的结构和类型等,可以省略缓冲层。
在显示区域AA和非显示区域NA中,可以在基板100和缓冲层上形成晶体管。显示区域AA中的晶体管可以包括用于驱动子像素的开关晶体管SW Tr和驱动晶体管DR Tr,并且非显示区域NA中的晶体管可以包括用于驱动栅极驱动器GIP的第一栅极驱动晶体管GT1和第二栅极驱动晶体管GT2。
在驱动晶体管DR Tr下方以及基板100或缓冲层上可以设置遮光层200。因此,遮光层200可以设置在驱动晶体管DR Tr与基板100或缓冲层之间。
遮光层200可以阻挡进入驱动晶体管DR Tr的第一半导体层210的光,并且可以连接至第一漏极230D,从而防止由于第一半导体层210中的寄生载流子的累积而导致漏极电流快速增加的现象以及由于这种现象引起的阈值电压的变化。
遮光层200可以包括钛(Ti)、钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、金(Au)、钕(Nd)和镍(Ni)中的至少一种,并且可以形成为单层或多层。然而,本发明的实施方式不限于此。
在遮光层200上可以设置第一绝缘层110。
第一绝缘层110可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的绝缘材料形成。或者,第一绝缘层110可以由绝缘的无机材料或有机材料形成。然而,本发明的实施方式不限于此。
在第一绝缘层110上可以设置显示区域AA中的驱动晶体管DR Tr的第一半导体层210和非显示区域NA中的第一栅极驱动晶体管GT1的第二半导体层400。第一半导体层210可以与遮光层200重叠。
第一半导体层210和第二半导体层400可以由例如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锡(IGTO)或氧化铟镓(IGO)的金属氧化物半导体形成,但不限于此。
金属氧化物半导体可以通过注入杂质的掺杂工艺而具有改善的导电特性,并且可以包括电子或空穴能够移动通过的沟道区域以及位于沟道区域两侧的作为导电区域的源极区域和漏极区域。源极和漏极可以分别连接到源极区域和漏极区域。
在第一半导体层210和第二半导体层400上可以设置第一栅极绝缘层120。第一栅极绝缘层120可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的绝缘材料形成。或者,第一栅极绝缘层120可以由绝缘的无机材料或有机材料形成。然而,本发明的实施方式不限于此。
第一栅极220和第二栅极410可以设置在第一栅极绝缘层120上,并且可以分别与第一半导体层210和第二半导体层400重叠。第一栅极220和第二栅极410可以由银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)和钨(W)中的一种或多种形成,本发明的实施方式不限于此。
通过与第一栅极220和第二栅极410相同的工艺,可以形成和设置子像素中包括的电容器PXL Cst的第一电容器电极Cst1、与子像素的开关晶体管SW Tr重叠的第一金属层300以及与第二栅极驱动晶体管GT2重叠的第二金属层500。
第一金属层300和第二金属层500可以分别用作开关晶体管SW Tr和第二栅极驱动晶体管GT2的下部栅极,或者可以用作遮光层以阻挡分别向开关晶体管SW Tr的第三半导体层310和第二栅极驱动晶体管GT2的第四半导体层510反射的光。然而,本发明的实施方式不限于此。
在第一栅极220、第二栅极410、第一金属层300、第二金属层500和第一电容器电极Cst1上可以设置第二绝缘层130。
第二绝缘层130可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的绝缘材料形成。或者,第二绝缘层130可以由绝缘的无机材料或有机材料形成。然而,本发明的实施方式不限于此。
在第二绝缘层130上可以设置子像素电容器PXL Cst的第二电容器电极Cst2。第二电容器电极Cst2可以与第一电容器电极Cst1重叠,并且可以由与第一电容器电极Cst1相同的材料形成。
在第二电容器电极Cst2上可以设置第三绝缘层140。
第三绝缘层140可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的绝缘材料形成。或者,第三绝缘层140可以由绝缘的有机材料形成。然而,本发明的实施方式不限于此。
在第三绝缘层140上可以设置显示区域AA的开关晶体管SW Tr的第三半导体层310和非显示区域NA的第二栅极驱动晶体管GT2的第四半导体层510。
第三半导体层310和第四半导体层510可以由低温多晶硅(LTPS)形成。
在第三半导体层310和第四半导体层510上可以设置第二栅极绝缘层150。第二栅极绝缘层150可以插入在第三半导体层310和第三栅极320之间以及第四半导体层510和第四栅极520之间,以使第三半导体层310和第四半导体层510分别与第三栅极320和第四栅极520绝缘。
在LTPS半导体层中可以通过掺杂形成沟道区域和源极/漏极区域,并且源极/漏极区域可以连接至源极/漏极。
第二栅极绝缘层150可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的绝缘无机材料形成。或者,第二栅极绝缘层150可以由绝缘的有机材料形成。然而,本发明的实施方式不限于此。
第三栅极320和第四栅极520可以分别与第三半导体层310和第四半导体层510重叠。
第三栅极320和第四栅极520可以由银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、钨(W)及其合金中的一种或多种形成,并且可以形成为单层或多层。然而,本发明的实施方式不限于此。
在第三栅极320和第四栅极520上可以设置第四绝缘层160。
第四绝缘层160可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的绝缘无机材料形成,或者可以由诸如苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的一种或多种有机绝缘材料形成。然而,本发明的实施方式不限于此。
在第四绝缘层160上可以设置连接到第一半导体层210的第一源极230S和第一漏极230D、连接到第二半导体层400的第二源极420S和第二漏极420D、连接到第三半导体层310的第三源极330S和第三漏极330D、以及连接到第四半导体层510的第四源极530S和第四漏极530D。
第一源极230S和第一漏极230D可以通过形成于第一栅极绝缘层120、第二绝缘层130、第三绝缘层140、第二栅极绝缘层150和第四绝缘层160中的接触孔连接到第一半导体层210。第二源极420S和第二漏极420D可以通过形成于第一栅极绝缘层120、第二绝缘层130、第三绝缘层140、第二栅极绝缘层150和第四绝缘层160中的接触孔连接到第二半导体层400。
第三源极330S和第三漏极330D可以通过形成于第二栅极绝缘层150和第四绝缘层160中的接触孔连接到第三半导体层310。第四源极530S和第二漏极530D可以通过形成于第二栅极绝缘层150和第四绝缘层160中的接触孔连接到第四半导体层510。
第一源极230S、第一漏极230D、第二源极420S、第二漏极420D、第三源极330S、第三漏极330D、第四源极530S和第四漏极530D可以通过相同的工艺形成,并且可以由银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)和钨(W)中的一种或多种形成。
通过与第一源极230S、第一漏极230D、第二源极420S、第二漏极420D、第三源极330S、第三漏极330D、第四源极530S和第四漏极530D相同的工艺,可以在非显示区域NA中形成和设置第一线630。
第一线630可以是用于传输施加至阴极620的电压的线。
在第一源极230S、第一漏极230D、第二源极420S、第二漏极420D、第三源极330S、第三漏极330D、第四源极530S和第四漏极530D上可以设置第一平坦化层170。
第一平坦化层170可以由诸如聚丙烯酸酯或聚酰亚胺的有机绝缘材料形成,并且可以减少因其下方形成的线和接触孔而产生的台阶。
在第一平坦化层170上可以设置用于连接第一漏极230D和阳极600的连接电极240。
连接电极240可以通过形成于第一平坦化层170中的孔电连接到第一漏极230D。
连接电极240可以包括钛(Ti)、钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、金(Au)、钕(Nd)和镍(Ni)中的一种或多种,或者可以由其合金形成,本发明的实施方式不限于此。
在连接电极240上可以设置第二平坦化层180。第二平坦化层180可以由诸如聚丙烯酸酯或聚酰亚胺的有机绝缘材料形成,本发明的实施方式不限于此。
在第二平坦化层180上可以设置阳极600。阳极600可以通过形成于第二平坦化层180中的孔电连接到连接电极240。
通过与阳极600相同的工艺,可以在非显示区域NA中形成第二线640。第二线640可以与第一栅极驱动晶体管GT1和第二栅极驱动晶体管GT2的一部分重叠,并且可以连接到设置在非显示区域NA中的第一线630以向阴极620施加电压。
阳极600和第二线640可以由银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、钯(Pd)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)及其合金中的一种或多种形成,本发明的实施方式不限于此。
在阳极600、第二线640和第二平坦化层180上可设置堤部190。
堤部190可划分多个子像素,最小化光模糊现象,并防止在各种视角下发生的颜色混合。
堤部190可暴露对应于发光区域的阳极600并与阳极600的端部重叠。
堤部190可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料形成,或者由苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂中的一种或多种有机材料形成。然而,本发明的实施方式不限于此。
在堤部190上可以进一步设置隔离件191。隔离件191可以支撑形成有发光元件层610的基板100与上部基板之间的间隙,从而在施加外部物理冲击时最小化对显示面板内部的元件的损坏。隔离件191可以由与堤部190相同的材料形成,并且可以与堤部190同时形成。然而,本发明的实施方式不限于此。
在暴露阳极600的堤部190的开口上可以设置发光元件层610。发光元件层610可以包括红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层和白色发光层中的一个或多个有机发光层,以发射特定颜色的光。此外,除了有机发光层之外,发光元件层610还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层,本发明的实施方式不限于此。
空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层可以针对每个子像素设置为具有不同的厚度和材料,或者可以公共地设置在基板100的大致整个表面上。
当发光元件层610包括白色有机发光层时,发光元件层610可以设置在堤部190的开口和基板100的大致整个表面上。
在发光元件层610上可以设置滤色器,以将从白色有机发光层发射的光转换成不同颜色的光。
在发光元件层610上可以设置阴极620。阴极620可以向发光元件层610提供电子,并且可以由具有较低功函数的导电材料形成。
当显示装置10是顶部发射型时,阴极620可以由透光的透明导电材料形成。例如,阴极620可以由氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)中的至少一种形成,但不限于此。
或者,阴极620可以由透光的半透明导电材料形成。例如,阴极620可以由诸如LiF/Al、CsF/Al、Mg:Ag、Ca/Ag、Ca:Ag、LiF/Mg:Ag、LiF/Ca/Ag和LiF/Ca:Ag的至少一种合金形成,但不限于此。
当显示装置10是底部发射型时,阴极620可以是反射光的反射电极,并且可以由不透明导电材料形成。例如,阴极620可以由银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)及其合金中的至少一种形成。
在显示装置10的非显示区域NA中可设置包括驱动电路部分和第二阻隔部分在内的端部部分,多个阻隔件位于所述第二阻隔部分中。
非显示区域NA的端部部分可以是阴极620与用于向阴极施加电压的线电连接的区域以及使用多个阻隔件密封显示装置10的区域。
基板100上的第一绝缘层110、第一栅极绝缘层120、第二绝缘层130和第三绝缘层140可以延伸并设置在端部部分中。
在端部部分中可以设置信号线,使得从显示装置的FPCB施加的电源电压和触摸信号可以通过信号线连接到显示面板。
第一线630可设置在第四绝缘层160上,可与第四绝缘层160和第二栅极绝缘层150的侧表面接触,并且可延伸并设置在非显示区域NA的第一阻隔件DM1和第三绝缘层140之间。
可以使用与第一平坦化层170和堤部190相同的材料和工艺来形成和堆叠第一阻隔件DM1。
可以使用与第一平坦化层170、第二平坦化层180、堤部190和隔离件191相同的材料和工艺来形成和堆叠第二阻隔件DM2。
第一阻隔件DM1和第二阻隔件DM2可分别具有第一高度和第二高度,并且可围绕显示区域AA。
第二高度可以高于第一高度。即使第二封装层720超过第二阻隔部分的第一阻隔件DM1,由于存在第二阻隔件DM2,第二封装层720也可以不形成在第二阻隔部分的外侧。
第一封装层710和第三封装层730可设置成延伸超过第二阻隔件DM2而到达外侧。
第二线640可设置在第一阻隔件DM1的第一平坦化层170与堤部190之间以及第二阻隔件DM2的第二平坦化层180与堤部190之间。
阴极620可延伸到第一阻隔件DM1和第二阻隔件DM2之间的区域,并且可电连接到第一线630和第二线640。
在显示区域AA的阴极620上以及非显示区域NA的阴极620和第二阻隔件DM2上可以设置封装层700。
封装层700可以保护显示装置10免受外部水分、氧气或异物或颗粒的影响。例如,封装层700可以防止氧气和水分从外部渗透,以防止发光材料和电极材料的氧化。
封装层700可以由透明材料形成,从而透射从发光元件层610发射的光。
封装层700可以包括阻挡水分或氧气渗透的第一封装层710、第二封装层720和第三封装层730,本发明的实施方式不限于此。第一封装层710、第二封装层720和第三封装层730可以具有顺序堆叠的结构,本发明的实施方式不限于此。
第一封装层710和第三封装层730可以由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氧化铝(AlyOz)中的至少一种无机材料形成,本发明的实施方式不限于此。
第二封装层720可覆盖制造工艺期间可能出现的异物或颗粒。另外,第二封装层720可以使第一封装层710的表面平坦化。
第二封装层720可以由例如聚合物的有机材料形成,如碳氧化硅(SiOCz)、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯或丙烯酸酯。然而,本发明的实施方式不限于此。
在第三封装层730上可以设置触摸缓冲层800。触摸缓冲层800可以设置在显示区域AA和非显示区域NA的大致整个表面上,并且可以延伸到焊盘部分。触摸缓冲层800可以被称为第一绝缘层,并且该术语不限于此。
触摸缓冲层800可以由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氧化铝(AlyOz)中的至少一种无机材料形成,本发明的实施方式不限于此。
在触摸缓冲层800上可设置第一触摸电极810。
通过设置在显示区域AA中的多个感测电极和多个驱动电极,可以执行触摸驱动。感测电极可以包括沿着第一方向延伸并且沿着第二方向彼此间隔开的多个子感测电极。可以在第一方向上连续形成多个不断开的子感测电极。
多个驱动电极可以包括沿着第二方向延伸并且沿着第一方向彼此间隔开的多个子驱动电极。多个子驱动电极可以在第二方向上彼此电连接。
当在同一层上形成多个子感测电极和多个子驱动电极时,多个子驱动电极可以通过桥接图案彼此电连接。
多个子感测电极和多个子驱动电极可以具有金属网状结构。
或者,多个子感测电极可以通过桥接图案彼此电连接,并且可以连续形成多个不断开并且可以电连接的子驱动电极。
第一触摸电极810可将多个子感测电极或多个子驱动电极彼此电连接。
第一触摸电极810可由诸如钼(Mo)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)、钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)或钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)的金属材料形成,并且可具有单层或多层。然而,本发明的实施方式不限于此。
在第一触摸电极810上可设置触摸绝缘层820。触摸绝缘层820可以设置在显示区域AA和非显示区域NA的大致整个表面上,并且可以延伸到焊盘部分。触摸绝缘层820可以被称为第二绝缘层,并且该术语不限于此。
触摸绝缘层820可以由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氧化铝(AlyOz)中的至少一种无机材料形成,本发明的实施方式不限于此。
在触摸绝缘层820上可以设置第二触摸电极830。第二触摸电极830可以是用于触摸驱动的多个子感测电极或多个子驱动电极。
通过与形成第二触摸电极830相同的工艺,可在非显示区域NA中设置用于传输触摸驱动信号的触摸线840。
触摸线840可以与第一栅极驱动晶体管GT1或第二栅极驱动晶体管GT2重叠,并且可以延伸到焊盘部分。
第二触摸电极830和触摸线840可由诸如钼(Mo)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)、钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)或钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)的金属材料形成,并且可具有单层或多层。然而,本发明的实施方式不限于此。
在第二触摸电极830和触摸线840上可以设置第三平坦化层850。
第三平坦化层850可覆盖并平坦化第二触摸电极830、触摸线840和触摸绝缘层820。第三平坦化层850可以由诸如苯并环丁烯、丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的一种或多种有机绝缘材料形成。然而,本发明的实施方式不限于此。
在第三平坦化层850上可以设置粘合层900和覆盖窗910。
将参考图6和图7详细描述图4中所示的第一区域PH。
第一区域PH可包括用于设置相机的孔区域H以及围绕孔区域H的第一图案部分PT1、第一阻隔部分DM、第二图案部分PT2和布线区域RK。
孔区域H可以设置在第一区域PH的中央,并且可以形成为从基板100物理穿透到第三平坦化层850。孔区域H可以设置有相机、传感器和光源,并且光可以容易地通过相机或传感器上方的孔区域H传输。
在布线区域RK中,可以设置用于使第一区域PH两侧的显示区域AA中的子像素彼此电连接的布线。
通过与形成第一栅极220、第二栅极410、第一金属层300、第二金属层500和第一电容器电极Cst1相同的工艺,可以在延伸到第一区域PH中的第一栅极绝缘层120上形成第一布线20,本发明的实施方式不限于此。
通过与形成第二电容器电极Cst2相同的工艺,可以在延伸到第一区域PH中的第二绝缘层130上形成第二布线30,本发明的实施方式不限于此。
通过与形成第一源极230S、第一漏极230D、第二源极420S、第二漏极420D、第三源极330S、第三漏极330D、第四源极530S和第四漏极530D相同的工艺,可以在延伸到第一区域PH中的第四绝缘层160上形成第三布线40,本发明的实施方式不限于此。
通过与形成连接电极240相同的工艺,可以在延伸到第一区域PH中的第一平坦化层170上形成第四布线50,本发明的实施方式不限于此。
在布线区域RK中,第一触摸电极810和第二触摸电极830可形成用于将触摸驱动信号传输到显示区域AA的布线。
显示区域AA的子像素的栅极线可以连接到第一布线20和第二布线30,从而也在第一区域PH中电连接。显示区域AA的子像素的数据线可以连接到第三布线40和第四布线50,从而也在第一区域PH中电连接。
第一图案部分PT1和第二图案部分PT2可以设置为围绕孔区域H。第一图案部分PT1和第二图案部分PT2中的每一个可以包括多个图案PT,并且多个图案PT中的每一个可以包括下部图案PTa和上部图案PTb。下部图案PTa可以与第四绝缘层160由相同的材料同时形成,上部图案PTb可以与第二平坦化层180由相同的材料同时形成。然而,多个图案PT的材料和层数不限于此。
多个图案PT可以布置成彼此间隔开预定距离。
多个图案PT可以防止水分通过发光元件层610渗透到易受水分渗透影响的显示区域AA中。
设置在下部图案PTa上的上部图案PTb的下表面可以具有比下部图案PTa的上表面更宽的宽度。
由于上部图案PTb的下表面和下部图案PTa的侧表面之间存在空间,可以不在下部图案PTa的侧表面上形成发光元件层610,使得设置在上部图案PTb的上表面和侧表面上的发光元件层610可以与设置在第二栅极绝缘层150上的发光元件层610分隔开。
另外,设置在第一区域PH的布线区域RK、第一图案部分PT1、第一阻隔部分DM和第二图案部分PT2中的第一封装层710可形成在上部图案PTb的上表面和侧表面上以及上部图案PTb的一部分下表面上,并且第一封装层710可以不形成在下部图案PTa的一部分侧表面上,从而可形成空的空间ES。
在第一图案部分PT1和第二图案部分PT2之间的第一阻隔部分DM中可设置孔阻隔件HDM。
孔阻隔件HDM可以防止第二封装层720溢出到孔区域H中。在第一图案部分PT1和第二图案部分PT2中可以连续设置或者可以设置一个或多个孔阻隔件HDM。
通过堆叠与第四绝缘层160、第二平坦化层180和堤部190由相同的工艺和相同的材料形成的图案,可以形成孔阻隔件HDM,本发明的实施方式不限于此。
由于存在孔阻隔件HDM,可以仅在第二图案部分PT2和一部分孔阻隔件HDM上设置第二封装层720。
第三封装层730可以设置在第一区域PH的布线区域RK、第一图案部分PT1、阻隔部分DM和第二图案部分PT2中,并且可以靠近或接触位于第一图案部分PT1的多个图案PT的上表面和侧表面上的第一封装层710。
触摸缓冲层800可以延伸并设置在第一区域PH的布线区域RK、第一图案部分PT1、阻隔部分DM和第二图案部分PT2中的第三封装层730上。
触摸绝缘层820可延伸并设置在第一区域PH的布线区域RK、第一图案部分PT1、阻隔部分DM和第二图案部分PT2中,并且可接触位于第二图案部分PT2中和孔阻隔件HDM上的触摸缓冲层800的上表面。
在第一图案部分PT1的多个图案PT之间的区域中,可以在触摸缓冲层800和触摸绝缘层820之间设置保护层60,使得触摸缓冲层800和触摸绝缘层820可以彼此间隔开。
在第一图案部分PT1的多个图案PT之间,保护层60的端部可以与多个图案PT部分地重叠。
保护层60可以由诸如丙烯酸树脂、环氧区域、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的至少一种有机绝缘材料形成,本发明的实施方式不限于此。
通过孔区域H进入的水分可以通过由有机材料形成的第三平坦化层850渗透到形成于第一图案部分PT1的图案PT处的空的空间ES中,并移动到显示区域AA中,使得显示面板的质量劣化。
在多个图案PT之间可以设置保护层60,并且触摸缓冲层800和触摸绝缘层820可以彼此接触。
尽管保护层60由有机材料形成,但是保护层60可以被多个图案PT上的触摸缓冲层800和触摸绝缘层820断开,从而防止水分通过保护层60移动。
另外,通过形成保护层60,可以增大从空的空间ES及裂缝到第三平坦化层850的距离,使得第三平坦化层850中的水分不可以传输到空的空间ES。
从第一图案部分PT1的多个图案PT的下部图案PTa的下表面到上部图案PTb的上表面的第一高度H1可以与从下部图案PTa的下表面到保护层60的上表面的第二高度H2不同。第二高度H2可以高于第一高度H1。
第一图案部分PT1的侧表面,即,设置在与孔区域H相邻的第一图案部分PT1的端部处的例如图案PT、第一封装层710、第三封装层730、触摸缓冲层800和触摸绝缘层820等绝缘层的侧表面,可以暴露在孔区域H中。
在基板100下方可以设置显示装置10的支撑板70。可以在孔区域H中形成孔,使得支撑板70可以对应于孔区域H,并且可以在孔中设置包括相机、传感器和光源的光学部件101。
根据本发明的实施方式的显示装置可描述如下。
根据本发明的实施方式的显示装置包括:显示区域;设置在所述显示区域中的第一区域,所述第一区域包括孔区域和围绕所述孔区域的第一图案部分;设置在所述第一图案部分中的多个第一图案;以及设置在所述多个第一图案上的第一绝缘层和第二绝缘层,其中,位于所述多个第一图案之间的所述第一绝缘层与所述第二绝缘层彼此间隔开,并且在每一个所述第一图案的上表面上,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层彼此接触。
根据本发明的一些实施方式,所述第一区域还包括围绕所述第一图案部分的第二图案部分和设置在所述第二图案部分中的多个第二图案,在所述多个第二图案上设置有封装层,所述封装层未延伸至所述第一图案部分,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在所述第二图案部分中设置在所述封装层上。
根据本发明的一些实施方式,位于所述多个第一图案之间的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层通过保护层而彼此间隔开。
根据本发明的一些实施方式,每一个所述第一图案的上表面低于所述保护层的上表面。
根据本发明的一些实施方式,所述保护层与所述多个第一图案部分地重叠。
根据本发明的一些实施方式,所述第一区域还包括位于所述第一图案部分和所述第二图案部分之间的第一阻隔部分和设置在所述第一阻隔部分中的孔阻隔件。
根据本发明的一些实施方式,所述孔阻隔件的上表面高于每一个所述第二图案的上表面。
根据本发明的一些实施方式,每一个所述第一图案包括下部图案和设置在所述下部图案上的上部图案,所述上部图案的下表面比所述下部图案的上表面更宽。
根据本发明的一些实施方式,在所述下部图案的侧表面和所述上部图案的下表面之间形成空的空间。
根据本发明的一些实施方式,所述显示装置还包括设置在所述显示区域中的阳极、发光层和阴极。
根据本发明的一些实施方式,所述封装层设置在所述阴极上。
根据本发明的一些实施方式,所述显示装置还包括设置在所述第一绝缘层上的第一触摸电极和设置在所述第二绝缘层上的第二触摸电极。
根据本发明的一些实施方式,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的侧表面在所述孔区域中暴露。
根据本发明的一些实施方式,所述显示装置还包括设置在所述孔区域中的相机、传感器或光源。
根据本发明的一些实施方式,所述显示装置还包括非显示区域和设置在所述非显示区域中的第二阻隔部分。
根据本发明的另一实施方式的显示装置包括:显示区域;设置在所述显示区域中的第一区域和多个像素;设置在每一个所述像素中阳极、发光层和阴极;设置在所述阴极上的封装层;设置在所述封装层上的第一绝缘层;设置在所述第一绝缘层上的第一触摸电极;设置在所述第一触摸电极上的第二绝缘层;以及设置在所述第二绝缘层上的第二触摸电极,其中,所述第一区域包括第一图案部分、第二图案部分和位于所述第一图案部分与所述第二图案部分之间的第一阻隔部分,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在所述第一图案部分、所述第一阻隔部分和所述第二图案部分中延伸。
根据本发明的一些实施方式,所述第一图案部分包括多个第一图案。
根据本发明的一些实施方式,在每一个所述第一图案的上表面上,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层彼此接触。
根据本发明的一些实施方式,位于所述多个第一图案之间的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层彼此间隔开。
根据本发明的一些实施方式,位于所述多个第一图案之间的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层通过保护层而彼此间隔开。
根据本发明的一些实施方式,每一个所述第一图案的上表面低于所述保护层的上表面。
根据本发明的一些实施方式,所述保护层与所述多个第一图案部分地重叠。
根据本发明的一些实施方式,所述第二图案部分包括多个第二图案。
根据本发明的一些实施方式,所述封装层设置在所述多个第二图案上并且未延伸至所述第一图案部分。
根据本发明的一些实施方式,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在所述第二图案部分中彼此接触。
根据本发明的一些实施方式,所述第一区域还包括与所述第一图案部分相邻的孔区域,所述孔区域中设置有相机、传感器或光源。
根据本发明的一些实施方式,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的侧表面在所述孔区域中暴露。
根据本发明的一些实施方式,所述显示装置还包括非显示区域和设置在所述非显示区域中的第二阻隔部分。
尽管已经参考附图更详细地描述了本发明的实施方式,但是本发明不一定限于这些实施方式,并且可以在不脱离本发明的技术精神的情况下进行各种修改和实现。因此,本发明中公开的实施方式不旨在限制本发明的技术精神,而是用于解释,并且本发明的技术精神的范围不受这些实施方式的限制。因此,应当理解,上述实施方式在所有方面都是说明性的而不是限制性的。本发明的保护范围应由权利要求解释,并且等同范围内的所有技术思想应被解释为包括在本发明的权利范围内。
Claims (28)
1.一种显示装置,包括:
显示区域;
设置在所述显示区域中的第一区域,所述第一区域包括孔区域和围绕所述孔区域的第一图案部分;
设置在所述第一图案部分中的多个第一图案;以及
设置在所述多个第一图案上的第一绝缘层和第二绝缘层,
其中,位于所述多个第一图案之间的所述第一绝缘层与所述第二绝缘层彼此间隔开,
其中,在每一个所述第一图案的上表面上,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层彼此接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一区域还包括围绕所述第一图案部分的第二图案部分和设置在所述第二图案部分中的多个第二图案,
其中,在所述多个第二图案上设置有封装层,所述封装层未延伸至所述第一图案部分,
其中,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在所述第二图案部分中设置在所述封装层上。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,位于所述多个第一图案之间的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层通过保护层而彼此间隔开。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中每一个所述第一图案的上表面低于所述保护层的上表面。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述保护层与所述多个第一图案部分地重叠。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一区域还包括位于所述第一图案部分和所述第二图案部分之间的第一阻隔部分和设置在所述第一阻隔部分中的孔阻隔件。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述孔阻隔件的上表面高于每一个所述第二图案的上表面。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,每一个所述第一图案包括下部图案和设置在所述下部图案上的上部图案,
其中,所述上部图案的下表面比所述下部图案的上表面更宽。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,在所述下部图案的侧表面和所述上部图案的下表面之间形成空的空间。
10.根据权利要求2所述的显示装置,还包括设置在所述显示区域中的阳极、发光层和阴极。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述封装层设置在所述阴极上。
12.根据权利要求1所述的显示装置,还包括设置在所述第一绝缘层上的第一触摸电极和设置在所述第二绝缘层上的第二触摸电极。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的侧表面在所述孔区域中暴露。
14.根据权利要求1所述的显示装置,还包括设置在所述孔区域中的相机、传感器或光源。
15.根据权利要求6所述的显示装置,还包括非显示区域和设置在所述非显示区域中的第二阻隔部分。
16.一种显示装置,包括:
显示区域;
设置在所述显示区域中的第一区域和多个像素;
设置在每一个所述像素中阳极、发光层和阴极;
设置在所述阴极上的封装层;
设置在所述封装层上的第一绝缘层;
设置在所述第一绝缘层上的第一触摸电极;
设置在所述第一触摸电极上的第二绝缘层;以及
设置在所述第二绝缘层上的第二触摸电极,
其中,所述第一区域包括第一图案部分、第二图案部分和位于所述第一图案部分与所述第二图案部分之间的第一阻隔部分,
其中,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在所述第一图案部分、所述第一阻隔部分和所述第二图案部分中延伸。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第一图案部分包括多个第一图案。
18.根据权利要求17所述的显示装置,其中,在每一个所述第一图案的上表面上,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层彼此接触。
19.根据权利要求17所述的显示装置,其中,位于所述多个第一图案之间的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层彼此间隔开。
20.根据权利要求19所述的显示装置,其中,位于所述多个第一图案之间的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层通过保护层而彼此间隔开。
21.根据权利要求20所述的显示装置,其中,每一个所述第一图案的上表面低于所述保护层的上表面。
22.根据权利要求20所述的显示装置,其中,所述保护层与所述多个第一图案部分地重叠。
23.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第二图案部分包括多个第二图案。
24.根据权利要求23所述的显示装置,其中,所述封装层设置在所述多个第二图案上并且未延伸至所述第一图案部分。
25.根据权利要求24所述的显示装置,其中,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在所述第二图案部分中彼此接触。
26.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第一区域还包括与所述第一图案部分相邻的孔区域,
其中,所述孔区域中设置有相机、传感器或光源。
27.根据权利要求26所述的显示装置,其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的侧表面在所述孔区域中暴露。
28.根据权利要求16所述的显示装置,还包括非显示区域和设置在所述非显示区域中的第二阻隔部分。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2022-0119793 | 2022-09-22 | ||
KR1020220119793A KR20240040903A (ko) | 2022-09-22 | 2022-09-22 | 표시 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117750813A true CN117750813A (zh) | 2024-03-22 |
Family
ID=90253317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311201405.7A Pending CN117750813A (zh) | 2022-09-22 | 2023-09-18 | 显示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240107803A1 (zh) |
JP (1) | JP2024046645A (zh) |
KR (1) | KR20240040903A (zh) |
CN (1) | CN117750813A (zh) |
-
2022
- 2022-09-22 KR KR1020220119793A patent/KR20240040903A/ko unknown
-
2023
- 2023-09-18 CN CN202311201405.7A patent/CN117750813A/zh active Pending
- 2023-09-20 US US18/471,207 patent/US20240107803A1/en active Pending
- 2023-09-22 JP JP2023157469A patent/JP2024046645A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2024046645A (ja) | 2024-04-03 |
KR20240040903A (ko) | 2024-03-29 |
US20240107803A1 (en) | 2024-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11641756B2 (en) | Display device with enhanced damage resistance and method for manufacturing the same | |
US10553656B2 (en) | Display apparatus | |
US9897846B2 (en) | Liquid crystal display device | |
KR102654664B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN111668264A (zh) | 显示单元、显示装置和制造显示单元的方法 | |
US20230200159A1 (en) | Display Device | |
CN117750813A (zh) | 显示装置 | |
US20230413658A1 (en) | Display device | |
US20240147822A1 (en) | Display Device | |
US20240074253A1 (en) | Display device | |
US20240147817A1 (en) | Display device | |
US20240074238A1 (en) | Display Device | |
US20230209922A1 (en) | Display panel and display device including the same | |
KR20240058601A (ko) | 표시 장치 | |
KR20240058605A (ko) | 표시 장치 | |
US11404000B2 (en) | Display device capable of determining a bonding state of a driver integrated circuit therein | |
KR20240030276A (ko) | 표시 장치 | |
US20230217739A1 (en) | Display device | |
US20230209936A1 (en) | Display device | |
US20230199990A1 (en) | Display panel | |
KR102383889B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
KR20240030760A (ko) | 발광 표시 장치 | |
KR20230094649A (ko) | 전계 발광 표시장치 | |
KR20230094650A (ko) | 전계 발광 표시장치 | |
CN117915708A (zh) | 显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |