CN117736179A - 一种含三嗪和嘧啶的有机化合物及其应用 - Google Patents
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- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 35
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 23
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 15
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 27
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 13
- -1 dibenzofuranyl Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000000499 benzofuranyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 4
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 4
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 4
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 96
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 31
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 31
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 31
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 188
- 238000000034 method Methods 0.000 description 59
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 38
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 37
- 238000004895 liquid chromatography mass spectrometry Methods 0.000 description 37
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 37
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 31
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 25
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 22
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 8
- 238000002390 rotary evaporation Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- GOBLORHKCSSKLP-UHFFFAOYSA-N pyrimidine;triazine Chemical compound C1=CN=CN=C1.C1=CN=NN=C1 GOBLORHKCSSKLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 3
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- YJLIKUSWRSEPSM-WGQQHEPDSA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-amino-8-[(4-phenylphenyl)methylamino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC=CC=2)C=CC=1CNC1=NC=2C(N)=NC=NC=2N1[C@@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H]1O YJLIKUSWRSEPSM-WGQQHEPDSA-N 0.000 description 2
- ITOFPJRDSCGOSA-KZLRUDJFSA-N (2s)-2-[[(4r)-4-[(3r,5r,8r,9s,10s,13r,14s,17r)-3-hydroxy-10,13-dimethyl-2,3,4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-tetradecahydro-1h-cyclopenta[a]phenanthren-17-yl]pentanoyl]amino]-3-(1h-indol-3-yl)propanoic acid Chemical compound C([C@H]1CC2)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H](CC[C@]13C)[C@@H]2[C@@H]3CC[C@@H]1[C@H](C)CCC(=O)N[C@H](C(O)=O)CC1=CNC2=CC=CC=C12 ITOFPJRDSCGOSA-KZLRUDJFSA-N 0.000 description 2
- IWZSHWBGHQBIML-ZGGLMWTQSA-N (3S,8S,10R,13S,14S,17S)-17-isoquinolin-7-yl-N,N,10,13-tetramethyl-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydro-1H-cyclopenta[a]phenanthren-3-amine Chemical compound CN(C)[C@H]1CC[C@]2(C)C3CC[C@@]4(C)[C@@H](CC[C@@H]4c4ccc5ccncc5c4)[C@@H]3CC=C2C1 IWZSHWBGHQBIML-ZGGLMWTQSA-N 0.000 description 2
- HUWSZNZAROKDRZ-RRLWZMAJSA-N (3r,4r)-3-azaniumyl-5-[[(2s,3r)-1-[(2s)-2,3-dicarboxypyrrolidin-1-yl]-3-methyl-1-oxopentan-2-yl]amino]-5-oxo-4-sulfanylpentane-1-sulfonate Chemical compound OS(=O)(=O)CC[C@@H](N)[C@@H](S)C(=O)N[C@@H]([C@H](C)CC)C(=O)N1CCC(C(O)=O)[C@H]1C(O)=O HUWSZNZAROKDRZ-RRLWZMAJSA-N 0.000 description 2
- IOQORVDNYPOZPL-VQTJNVASSA-N (5S,6R)-5-(4-chlorophenyl)-6-cyclopropyl-3-[6-methoxy-5-(4-methylimidazol-1-yl)pyridin-2-yl]-5,6-dihydro-2H-1,2,4-oxadiazine Chemical compound ClC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1NC(=NO[C@@H]1C1CC1)C1=NC(=C(C=C1)N1C=NC(=C1)C)OC IOQORVDNYPOZPL-VQTJNVASSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFOIDLOIBZFWDO-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-[6-methoxy-4-[(3-phenylmethoxyphenyl)methoxy]-1-benzofuran-2-yl]imidazo[2,1-b][1,3,4]thiadiazole Chemical compound N1=C2SC(OC)=NN2C=C1C(OC1=CC(OC)=C2)=CC1=C2OCC(C=1)=CC=CC=1OCC1=CC=CC=C1 LFOIDLOIBZFWDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYFCZWSWFGJODV-MIANJLSGSA-N 4-[[(1s)-2-[(e)-3-[3-chloro-2-fluoro-6-(tetrazol-1-yl)phenyl]prop-2-enoyl]-5-(4-methyl-2-oxopiperazin-1-yl)-3,4-dihydro-1h-isoquinoline-1-carbonyl]amino]benzoic acid Chemical compound O=C1CN(C)CCN1C1=CC=CC2=C1CCN(C(=O)\C=C\C=1C(=CC=C(Cl)C=1F)N1N=NN=C1)[C@@H]2C(=O)NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 WYFCZWSWFGJODV-MIANJLSGSA-N 0.000 description 2
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OJRUSAPKCPIVBY-KQYNXXCUSA-N C1=NC2=C(N=C(N=C2N1[C@H]3[C@@H]([C@@H]([C@H](O3)COP(=O)(CP(=O)(O)O)O)O)O)I)N Chemical compound C1=NC2=C(N=C(N=C2N1[C@H]3[C@@H]([C@@H]([C@H](O3)COP(=O)(CP(=O)(O)O)O)O)O)I)N OJRUSAPKCPIVBY-KQYNXXCUSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVDRREOUMKACNJ-BKMJKUGQSA-N N-[(2R,3S)-2-(4-chlorophenyl)-1-(1,4-dimethyl-2-oxoquinolin-7-yl)-6-oxopiperidin-3-yl]-2-methylpropane-1-sulfonamide Chemical compound CC(C)CS(=O)(=O)N[C@H]1CCC(=O)N([C@@H]1c1ccc(Cl)cc1)c1ccc2c(C)cc(=O)n(C)c2c1 LVDRREOUMKACNJ-BKMJKUGQSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940125758 compound 15 Drugs 0.000 description 2
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 2
- 229940125810 compound 20 Drugs 0.000 description 2
- 229940126540 compound 41 Drugs 0.000 description 2
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGBMCLDVRUGXOV-UHFFFAOYSA-N n-[6-[6-chloro-5-[(4-fluorophenyl)sulfonylamino]pyridin-3-yl]-1,3-benzothiazol-2-yl]acetamide Chemical compound C1=C2SC(NC(=O)C)=NC2=CC=C1C(C=1)=CN=C(Cl)C=1NS(=O)(=O)C1=CC=C(F)C=C1 YGBMCLDVRUGXOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOMMMLWIABWRKL-WUTDNEBXSA-N nazartinib Chemical compound C1N(C(=O)/C=C/CN(C)C)CCCC[C@H]1N1C2=C(Cl)C=CC=C2N=C1NC(=O)C1=CC=NC(C)=C1 IOMMMLWIABWRKL-WUTDNEBXSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 4,4-difluoro-N-[(1S)-3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-pyridin-3-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound FC1(CCC(CC1)C(=O)N[C@@H](CCN1CCC(CC1)N1C(=NN=C1C)C(C)C)C=1C=NC=CC=1)F WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- NTLMGXXRPUGUEG-UHFFFAOYSA-N 4-(3-dibenzofuran-4-ylphenyl)-3-(4-phenylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC=C(C=C1)C2=CC=C(C=C2)C3=C(C=CC(=C3)N)C4=CC=CC(=C4)C5=CC=CC6=C5OC7=CC=CC=C67 NTLMGXXRPUGUEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVMSFILGAMDHEY-UHFFFAOYSA-N 6-(4-aminophenyl)sulfonylpyridin-3-amine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=N1 XVMSFILGAMDHEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N N-[3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]acetamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CCC(C=1SC=CC=1)NC(C)=O)C LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710110702 Probable chorismate pyruvate-lyase 1 Proteins 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical class C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCILODAAHLISPY-UHFFFAOYSA-N biphenyl ether Natural products C1=C(CC=C)C(O)=CC(OC=2C(=CC(CC=C)=CC=2)O)=C1 ZCILODAAHLISPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- DMVOXQPQNTYEKQ-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=CC=C1 DMVOXQPQNTYEKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000004074 biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 150000004988 m-phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- UVEAFTFQMHUWEY-UHFFFAOYSA-N methane;1,2,4,5-tetrafluoro-3,6-dioxocyclohexane-1,2,4,5-tetracarbonitrile Chemical compound C.C.N#CC1(F)C(=O)C(F)(C#N)C(F)(C#N)C(=O)C1(F)C#N UVEAFTFQMHUWEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N oxazine, 1 Chemical compound C([C@@H]1[C@H](C(C[C@]2(C)[C@@H]([C@H](C)N(C)C)[C@H](O)C[C@]21C)=O)CC1=CC2)C[C@H]1[C@@]1(C)[C@H]2N=C(C(C)C)OC1 AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004989 p-phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 150000004059 quinone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylenedisulfotetramine Chemical compound C1N(S2(=O)=O)CN3S(=O)(=O)N1CN2C3 AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007964 xanthones Chemical class 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种含三嗪和嘧啶的有机化合物及其应用,属于半导体材料技术领域。本发明所述化合物的结构如通式(1)所示,该化合物具良好的稳定性和电子耐受能力,同时拥有良好的电子注入和电子传输能力,进一步的,具有优异的薄膜稳定性,能够抑制高温下材料发生相变,防止材料发生相态分离或分解。本发明化合物作为有机电致发光器件的材料使用时,器件电压和器件寿命得到有效改善,特别的,高温器件寿命提升明显。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料技术领域,尤其是涉及一种含三嗪和嘧啶的有机化合物及其应用。
背景技术
有机电致发光器件(OLED:Organic Light Emission Diodes)技术既可以用来制造新型显示产品,也可以用于制作新型照明产品,有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明,应用前景十分广泛。OLED器件具有类似三明治的结构,包括电极材料膜层以及夹在不同电极材料膜层之间的有机功能材料,各种不同有机功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。OLED发光器件作为电流器件,当对其两端电极施加电压,并通过电场作用于有机层功能材料膜层中的正负电荷时,正负电荷进一步在发光层中复合,即产生OLED电致发光。
当前,OLED显示技术已经在智能手机,平板电脑等领域获得应用,进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展。但是,和实际的产品应用要求相比,OLED器件的发光效率和使用寿命等性能还需要进一步提升。为了实现OLED器件的性能的不断提升,需要OLED光电功能材料不断研究和创新,创制出更高性能的OLED功能材料。
应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类,分别为电荷注入传输材料和发光材料。进一步,还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料,作为电荷传输材料,要求具有良好的载流子迁移率、高玻璃化转化温度等,对于OLED器件来说,电子从阴极注入,然后通过电子传输层传递到主体材料,在主体材料中和空穴进行复合,从而产生激子。因而,提高电子传输层的注入能力和传输能力,有利于降低器件驱动电压,同时获得高效的电子-空穴复合效率。因此,电子传输层非常重要,需要其具有高效的电子注入能力、传输能力和电子高耐久性。
伴随着有OLED器件的显著进步,对材料的要求性能也日益提高,不仅要求其有良好的材料稳定性,并且需要其在低驱动电压下,达到良好的效率和寿命。但是,目前的电子传输材料的电子注入和传输能力以及耐热稳定性不足,同时材料的电子耐受性存在缺陷,导致器件工作时,材料发生相态分离或分解,从而导致器件寿命较差的问题。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题,本发明提供了一种含三嗪和嘧啶基团的化合物及其在有机电致发光器件上的应用,本发明化合物通过稠环芳基或杂芳基取代的联苯基将嘧啶和三嗪结构进行桥连,嘧啶连接在联苯的1号位,稠环芳基或杂芳基连接在联苯的3号位,三嗪连接在联苯5号位,且桥连基团为稠环芳基连接的联苯基团。
将三嗪和嘧啶通过上述连接位点的限制,以及引入稠环芳基连接的连接基团,不仅能够有效改善分子的平面排列堆积,提升材料的电子迁移率;而且还能够有效提升分子的电荷耐受性和薄膜稳定性,抑制高温下材料发生相变,防止材料发生相态分离或分解,从而有效提升了材料的高温器件寿命。
本发明技术方案如下:
一种含三嗪和嘧啶的有机化合物,所述有机化合物的结构如通式(1)所示:
通式(1)中,R1独立的表示为萘基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、联苯基、菲基、二苯并呋喃基、呋喃基、苯并呋喃基或咔唑基中的一种;
R2和R3独立的表示为苯基、萘基或联苯基;
X1和X2独立的表为C或N,X1和X2有且仅有1个表示为N。
所述有机化合物的结构如通式(2-1)~通式(2-2)中任一种所示:
通式(2-1)~通式(2-2)中
R1独立的表示为萘基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、联苯基、菲基、二苯并呋喃基、呋喃基、苯并呋喃基或咔唑基中的一种;
R2和R3独立的表示为苯基、萘基或联苯基。
所述有机化合物的结构如通式(3-1)~通式(3-4)中任一中所示:
通式(3-1)~通式(3-4)中
R2和R3独立的表示为苯基、萘基或联苯基。
优选所述R3表示为苯基或联苯基。
优选所述R2表示为苯基或联苯基。
优选所述R1表示为如下所示结构:
所述R2和R3分别独立地表示为如下所示结构:
优选所述有机化合物的具体结构为如下结构中的任一种:
/>
/>
一种有机电致发光器件,包含第一电极和第二电极,所述有机电致发光器件的第一电极和第二电极之间具有多层有机薄膜层,至少一层有机薄膜层含有所述含三嗪和嘧啶的有机化合物。
优选方案,所述有机薄膜层包括电子传输层,所述电子传输层含有所述含三嗪和嘧啶的有机化合物。
一种有机电致发光器件,依次包含第一电极、空穴传输区域、发光区域、电子传输区域和第二电极,所述电子传输区域含有所述含三嗪和嘧啶的有机化合物。
优选方案,所述电子传输区域包含电子传输层和空穴阻挡层。
优选方案,所述电子传输区域包含电子传输层,所述电子传输层含有所述含三嗪和嘧啶的有机化合物。
优选方案,所述电子传输层含有Liq和所述含三嗪和嘧啶的有机化合物。
一种显示元件,所述显示元件含有所述的有机电致发光器件。
本发明有益的技术效果在于:
本发明化合物通过稠环芳基或杂芳基取代的联苯基将嘧啶和三嗪结构进行桥连,嘧啶连接在联苯的一侧苯基上,三嗪连接在联苯的另一侧苯基上,且连接位点固定。具体而言,嘧啶连接在联苯的1号位上,稠环芳基或杂芳基连接在联苯的3号位上,三嗪基团连接在联苯的5号位上。
1)有效提升了分子的电子耐受性,通过在联苯的位点的连接,能够有效抑制联苯的活性基团,扩大电子的离域范围,降低材料的电子富集程度,从而有效提升分子的电子耐受性。
2)有效抑制了分子间的相互作用,抑制了分子的相互堆叠作用,从而抑制了电子的淬灭效应,提升的分子的电激发稳定性。
3)3号位的稠环芳基或杂芳基的引入,能够和1号的嘧啶基团,以及3号位的三嗪基团形成空间电子共振效应,增强了分子内的弱耦合相互作用,使得电子的分布范围更加广泛,电子集中度得到有效下降,提升了分子的稳定性。
4)将三嗪和嘧啶通过上述连接位点的限制,以及引入稠环芳基连接的连接基团,不仅能够有效改善分子的平面排列堆积,提升材料的电子迁移率;而且还能够有效提升分子的电荷耐受性和薄膜稳定性,抑制高温下材料发生相变,防止材料发生相态分离或分解,从而有效提升了材料的高温器件寿命。
附图说明
图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图。
图中,1为透明基板层,2为阳极层;3为空穴注入层,4为空穴传输层,5为电子阻挡层,6为发光层,7为空穴阻挡层,8为电子传输层,9为电子注入层,10为阴极层,11为CPL层。
图2化合物2的核磁氢谱。
具体实施方式
下文中将结合附图和实施方案详来细描述本发明的技术方案。
在附图中,为了清楚起见,层和区域的尺寸可被夸大。还将理解,当层或元件称为在另一层或者基板“之上”时,该层或元件可直接位于该另一层或者基板之上,或者也可存在中间层。此外,还将理解,当层称为在两个层“之间”时,该层可以是这两个层之间的唯一的层,或者也可存在一个或者多个中间层。全文中相同的附图标记表示相同的元件。
在本申请中,在描述电极和有机电致发光器件,以及其他结构体时,所采用的“上”、和“下”等表示方位的词,仅表示在某种特定状态的方位,并不意味相关的结构仅只能按所述方位存在;相反,如果结构体可以变换位置,例如倒置,则结构体的方位作相应改变。具体而言,在本发明中,电极的“下”侧是指电极在制备过程中靠近基板的一侧,而远离基板的相对一侧为“上”侧。
有机电致发光器件
在本申请的另一个实施方案中,提供一种有机电致发光器件,其包括第一电极(阳极)、第二电极(阴极)以及位于第一电极与第二电极之间的多层有机薄膜层,其中至少一层有机薄膜层含有所述含三嗪和嘧啶结构的有机化合物。
在本申请的一个优选实施方案中,所述有机薄膜层包括电子传输层,其中电子传输层包含根据本发明的含三嗪和嘧啶结构的有机化合物。
优选地,除本发明有机化合物之外,所述电子传输层还包含其他电子传输材料,例如Liq(具体化学结构参见实施例)。
在本发明的一个优选实施方案中,根据本发明的有机电致发光器件包括基板、第一电极层(阳极层)、有机薄膜层、第二电极层(阴极层),其中有机薄膜层包括,但不限于,发光层以及空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子阻挡层和/或电子注入层。
本发明优选的器件结构采用顶发光(top emitting)形式。优选地,本发明的有机电致发光器件的阳极采用具有高反射率的电极,优选采用ITO/Ag/ITO;阴极采用透明电极,优选采用Mg∶Ag=1∶9的混合电极,从而形成微腔共振效应,器件发光从Mg∶Ag电极侧发出。
在本发明的一个优选实施方案中,提供一种有机电致发光器件,其包括基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层,其中阳极在基板之上,空穴注入层在阳极之上,空穴传输层在空穴注入层之上、电子阻挡层在空穴传输层之上,发光层在空穴传输层之上,电子传输层在发光层之上,电子注入层在电子传输层之上,阴极层在电子注入层之上。
作为本发明的有机电致发光器件的基板,可使用任何常用于有机电致发光器件的基板。实例为透明基板,如玻璃或透明塑料基板;不透明基板,如硅基板;柔性PI膜基板。不同基板具有不同的机械强度、热稳定性、透明性、表面光滑度、防水性。根据基板的性质不同,其使用方向不同。在本发明中,优选使用透明基板。基板的厚度没有特别限制。
在基板上形成第一电极(阳极),阳极材料优选为具有高功函数的材料,以便空穴容易注入到有机功能材料层。阳极材料的非限制性实例包括,但不限于,氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)和镁-银(Mg-Ag)。第一电极可以具有单层结构或者包括两个层或更多层的多层结构。例如,阳极可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构,但是不限于此。另外,阳极的厚度取决于所使用的材料,通常为50-500nm,优选为70-300nm且更优选为100-200nm。
空穴注入层3、空穴传输层4和电子阻挡层5可设置在阳极层2与发光层6之间。
空穴注入层结构为空穴注入层材料均匀地或非均匀地分散在空穴传输层中,空穴注入材料可以是例如P掺杂物。P掺杂物可以选自至少一种选自下列的化合物:醌衍生物,例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ);金属氧化物,例如氧化钨或氧化钼;或含氰基的化合物,例如下面示出的化合物P1、NDP和F4-TCNQ:
根据本发明,优选使用P1作为P掺杂物。本发明所使用的空穴传输层与P掺杂物的比例为99∶1-70∶30,优选为99∶1-85∶15且更优选为97∶3-87∶13,基于质量计。
本发明的空穴注入层的厚度可以是1-100nm,优选是2-50nm且更优选是5-20nm。
空穴传输层的材料优选为具有高的空穴迁移率的材料,这能使空穴从阳极或空穴注入层转移到发光层。空穴传输材料可以为酞菁衍生物、三唑衍生物、三芳基甲烷衍生物、三芳基胺衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、腙衍生物、芪衍生物、吡啶啉衍生物、聚硅烷衍生物、咪唑衍生物、苯二胺衍生物、氨基取代奎尔酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、苯乙烯基胺衍生物等苯乙烯化合物、芴衍生物、螺芴衍生物、硅氮烷衍生物、苯胺类共聚物、卟啉化合物、咔唑衍生物、多芳基烷衍生物、聚亚苯基乙烯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚-N-乙烯基咔唑衍生物、噻吩低聚物等导电性高分子低聚体、芳香族叔胺化合物、苯乙烯胺化合物、三胺类、四胺类、联苯胺类、丙炔二胺衍生物、对苯二胺衍生物、间苯二胺衍生物、1,1’-双(4-二芳基氨基苯基)环己烷、4,4’-二(二芳基胺类)联苯类、双[4-(二芳基氨基)苯基]甲烷类、4,4”-二(二芳基氨基)三联苯类、4,4”’-二(二芳基氨基)四联苯类、4,4’-二(二芳基氨基)二苯基醚类,4,4’-二(二芳基氨基)二苯基硫烷类,双[4-(二芳基氨基)苯基]二甲基甲烷类、双[4-(二芳基氨基)苯基]-二(三氟甲基)甲烷类或者2,2-二苯基乙烯化合物等。
本发明的空穴传输层的厚度可以是5-200am、优选是10-180nm且更优选是20-150nm。
电子阻挡层要求材料的三线态(T1)能级高于发光层中主体材料的T1能级,能够起到阻挡发光层材料能量损失的作用;电子阻挡层材料的HOMO能级介于空穴传输层材料的HOMO能级和发光层主体材料的HOMO能级之间,利于空穴从正电极注入到发光层中,同时要求电子阻挡层材料具有高的空穴迁移率,利于空穴传输,降低装置应用功率;电子阻挡层材料的LUMO能级高于发光层主体材料的LUMO能级,起到电子阻挡的作用,也就是要求电子阻挡层材料具有宽的禁带宽度(Eg)。符合以上条件的电子阻挡层材料可以为三芳基胺衍生物、芴衍生物、螺芴衍生物、二苯并呋喃衍生物、咔唑衍生物等。其中优选三芳基胺衍生物,如,N4,N4-双([1,1′-联苯]-4-基)-N4′-苯基N4′-[1,1′:4′,1″-三联苯]-4-基-[1,1′-联苯]-4,4′-二胺;螺芴衍生物,如N-([1,1′-二苯基]-4-基)-N-(9,9-二甲基-9H-呋喃-2-基)-9,9′-螺二芴-2-胺;二苯并呋喃衍生物,如N,N-二([1,1′-联苯]-4-基)-3′-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-[1,1′-联苯基]-4-胺,但不限于此。
根据本发明,电子阻挡层的厚度可为1-200nm、优选为5-150nm且更优选为10-100nm。
根据本发明,发光层位于第一电极和第二电极之间。发光层的材料是一种通过分别接收来自空穴传输区域的空穴和来自电子传输区域的电子,并将所接收的空穴和电子结合而能发出可见光的材料。发光层可包括主体材料和掺杂材料。作为本发明有机电致发光器件发光层的主体材料和客体材料,其中,主体材料可以是蒽类衍生物、喹喔啉衍生物、三嗪衍生物、氧杂蒽酮衍生物、二苯基酮衍生物、咔唑衍生物、吡啶衍生物或嘧啶衍生物中的一种或者二种组合而成。客体材料可以是芘类衍生物、硼类衍生物、屈类衍生物、螺芴类衍生物、铱配合物或铂配合物。
空穴阻挡层可设置在发光层之上。空穴阻挡层材料的三线态(T1)能级高于发光层主体材料的T1能级,能够起到阻挡发光层材料能量损失的作用;材料的HOMO能级低于发光层主体材料的HOMO能级,起到空穴阻挡的作用,同时要求空穴阻挡层材料具有高的电子迁移率,利于电子传输,降低装置应用功率;符合以上条件的空穴阻挡层材料可以为三嗪衍生物、氮杂苯衍生物等。其中优选三嗪衍生物;但不限于此。
本发明的空穴阻挡层的厚度可为2-200nm、优选为5-150nm且更优选为10-100am,但厚度不限于这一范围。
电子传输层可设置在空穴阻挡层之上。电子传输层材料是一种容易接收阴极的电子并将接收的电子转移至发光层的材料。电子传输层包括一种或多种本发明的含三嗪和嘧啶结构的有机化合物。优选地,电子传输层由本发明的有机化合物和其他电子传输层材料组成。更优选地,所述其他电子传输层材料为本领域常用给的材料。最优选地,电子传输层由本发明含三嗪和嘧啶结构的有机化合物和Liq组成。
本发明的电子传输层的厚度可以为10-80nm,优选为20-60nm,更优选为25-45nm。
在根据本发明的有机电致发光器件的电子传输层中,本发明含三嗪和嘧啶结构的有机化合物和其他电子传输层材料的比例为1∶9-9∶1,优选为2∶8-8∶2,更优选为4∶6-6∶4,最优选为5∶5。
作为本发明的电子传输化合物,优选使用含三嗪和嘧啶结构的有机化合物中的一种或多种。
电子注入层材料优选具有低功函数的材料金属Yb,使得电子容易地注入有机功能材料层中。本发明的电子注入层的厚度可以是0.1-5nm、优选为0.5-3nm,更优选为0.8-1.5nm。
第二电极可以是阴极,用于形成阴极的材料可以是具有低逸出功的材料,诸如金属、合金、导电化合物或它们的混合物。阴极材料的非限制性实例可以包括锂(Li)、镱(Yb)、镁(Mg)、铝(Al)、钙(Ca),以及铝-锂(Al-Li)、镁-铟(Mg-In)和镁-银(Mg-Ag)。阴极的厚度取决于所使用的材料,通常为5-100nm,优选为7-50nm且更优选为10-25nm。
任选地,为了提高有机电致发光器件的出光效率,还可在器件的第二电极(即阴极)之上增加一层光取出层(即CPL层)。根据光学吸收、折射原理,CPL层材料的折射率应越高越好,且吸光系数应越小越好。可使用本领域公知的任何材料作为CPL层材料,例如Alq3。CPL层的厚度通常为5-300nm,优选为20-100nm且更优选为40-80nm。
任选地,有机电致发光器件还可包括封装结构。所述封装结构可为防止外界物质例如湿气和氧气进入有机电致发光器件的有机层的保护结构。所述封装结构可为例如罐,如玻璃罐或金属罐;或覆盖有机层整个表面的薄膜。
有机电致发光器件制备方法
本发明还涉及一种制备上述有机电致发光器件的方法,其包括在基板上相继层压第一电极、多层有机薄膜层和第二电极。其中,多层有机薄膜层通过在第一电极上由下至上相继层压空穴传输区域、发光层和电子传输区域形成,所述空穴传输区域即在第一电极上由下至上相继层压空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层形成,所述电子传输区域即在发光层上由下至上相继层压空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层形成。另外,任选地,还可在第二电极上层压CPL层,以提高有机电致发光器件的出光效率。
关于层压,可使用真空沉积、真空蒸镀、旋涂、浇铸、LB法、喷墨印刷、激光印刷或LITI等方法,但不限于此。其中,真空蒸镀意指在真空环境中,将材料加热并镀到基材上。
在本发明中,优选使用真空蒸镀法来形成所述各个层,其中可以在约100-500℃的温度下,以约10-8-10-2托的真空度和约的速率进行真空蒸镀。所述真空度优选为10-6-10-2Torr,更优选10-5-10-3Torr。所述速率为约/>更优选为约/>
另外,需要说明的是,本发明所述的用于形成各个层的材料均可以单独成膜而作为单层使用,也可以与其他材料混合后成膜而作为单层使用,还可以为单独成膜的层之间的层叠结构、混合后成膜的层之间的层叠结构或者单独成膜的层与混合后成膜的层的层叠结构。
显示元件
本发明还涉及一种包括上述有机电致发光器件的显示装置,特别是平板显示装置。在一个优选的实施方案中,所述显示装置可包括一个或多个上述有机电致发光器件,并且在包括多个器件的情况下,所述器件横向或纵向叠加组合。所述显示装置还可包括至少一个薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括栅电极、源电极和漏电极、栅极绝缘层以及活性层,其中源电极和漏电极中的一个可以电连接到有机电致发光器件的第一电极。活性层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体,但是其不限于此。
实施例
I.化合物制备实施例
本发明合成实施例中涉及到的原料均可从市场购得或者通过本领域常规的制备方法制得;
中间体C1的制备:
在氮气保护下,在500ml圆底烧瓶中,依次加入原料A1(30mmol)、原料B1(33mmol)、KOAC(90mmol)、二氧六环(200mL),通氮气30min置换空气,加入Pd(PPh3)4(0.6mmol),在氮气保护下加热回流12h。取反应液TCL检测发现原料A1反应完全,反应完成后,将反应体系自然冷却至室温,倒入分液漏斗后震荡后静置分层,分液后水相用二氯甲烷(50ml*3)萃取,有机相合并后加入无水硫酸镁干燥,过滤,滤液经旋蒸除去二氯甲烷得到中间体C1。LC-MS:测定值:436.32([M+H]+);精确质量:435.21。
中间体C用类似中间体C1的合成方法制备,所用原料A和原料B如表1所示
表1
中间体D1、中间体E1、中间体F1的制备:
在氮气保护下,在500ml圆底烧瓶中,依次加入原料D1(20mmol)、乙醚(150mL),冷却至-78℃,通氮气30min置换空气,缓慢加入1.6mol/L的正丁基锂的己烷溶液(15ml,25mmol),且保持在-78℃反应3h后加入硼酸三甲酯(2.8ml,25mmol),保持在-78℃反应1h后,将混合物至室温下反应18h。取反应液TCL检测发现原料D1反应完全,反应完成后,在反应体系中加入盐酸的稀溶液(30m1),旋蒸除去有机溶剂,过滤残余物,得到白色固体的中间体D1。LC-MS:测定值:277.24([M+H]+);精确质量:276.11
在氮气保护下,在250ml圆底烧瓶中,依次加入原料E1(20mmol)、中间体D1(22mmol)、K2CO3(60mmol)、四氢呋喃(120mL),水(30mL),通氮气30min置换空气,加入Pd(PPh3)4(0.5mmol),在氮气保护下加热回流11h。取反应液TCL检测发现原料E1反应完全,反应完成后,将反应体系自然冷却至室温,旋蒸除去溶剂,剩余物加入二氯甲烷120ml溶解,加水80ml洗涤,倒入分液漏斗后震荡后静置分层,分液后水相用二氯甲烷(40ml*3)萃取,有机相合并后加入无水硫酸镁干燥,过滤,滤液经旋蒸除去二氯甲烷得到粗品,粗品经硅胶色谱柱纯化得到中间体E1。LC-MS:测定值:421.12([M+H]+);精确质量:420.00
在氮气保护下,在250ml圆底烧瓶中,依次加入中间体E1(10mmol)、原料F1(11mmol)、K2CO3(30mmol)、四氢呋喃(120mL),水(30mL),通氮气30min置换空气,加入Pd(PPh3)4(0.2mmol),在氮气保护下加热回流15h。取反应液TCL检测发现中间体E1反应完全,反应完成后,将反应体系自然冷却至室温,旋蒸除去溶剂,剩余物加入二氯甲烷100ml溶解,加水50ml洗涤,倒入分液漏斗后震荡后静置分层,分液后水相用二氯甲烷(30ml*3)萃取,有机相合并后加入无水硫酸镁干燥,过滤,滤液经旋蒸除去二氯甲烷得到粗品,粗品经硅胶色谱柱纯化得到中间体F1。LC-MS:测定值:469.25([M+H]+);精确质量:468.14。
中间体D用类似中间体D1的合成方法制备,所用原料D1如表2所示;
中间体E用类似中间体E1的合成方法制备,所用原料E1和中间体D1如表2所示;
中间体F用类似中间体F1的合成方法制备,所用中间体E1和原料F1如表2所示;
表2
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中间体F1:LC-MS:测定值:469.25([M+H]+);精确质量:468.14。
中间体F2:LC-MS:测定值:469.30([M+H]+);精确质量:468.14。
中间体F3:LC-MS:测定值:420.23([M+H]+);精确质量:419.12。
中间体F4:LC-MS:测定值:470.20([M+H]+);精确质量:469.13。
中间体F5:LC-MS:测定值:509.24([M+H]+);精确质量:508.13。
中间体F6:LC-MS:测定值:545.26([M+H]+);精确质量:544.17。
中间体F7:LC-MS:测定值:545.21([M+H]+);精确质量:544.17。
中间体F8:LC-MS:测定值:469.33([M+H]+);精确质量:468.14。
中间体F9:LC-MS:测定值:469.15([M+H]+);精确质量:468.14。
中间体F10:LC-MS:测定值:495.20([M+H]+);精确质量:494.15。
中间体F11:LC-MS:测定值:519.22([M+H]+);精确质量:518.15。
中间体F12:LC-MS:测定值:545.29([M+H]+);精确质量:544.17。
中间体F13:LC-MS:测定值:545.35([M+H]+);精确质量:544.17。
中间体F14:LC-MS:测定值:459.33([M+H]+);精确质量:458.12。
实施例1:化合物1的合成
在氮气保护下,在250ml圆底烧瓶中,依次加入中间体F1(20mmol)、中间体C1(22mmol)、K2CO3(60mmol)、四氢呋喃(100mL),水(50mL),通氮气30min置换空气,加入醋酸钯(0.25mmol),2-二环己基膦-2′,4′,6′-三异丙基联苯(0.45mmol),在氮气保护下加热回流15h。取反应液TCL检测发现中间体F1反应完全,反应完成后,将反应体系自然冷却至室温,旋蒸除去溶剂,剩余物加入二氯甲烷200ml溶解,加水150ml洗涤,倒入分液漏斗后震荡后静置分层,分液后水相用二氯甲烷(80ml*3)萃取,有机相合并后加入无水硫酸镁干燥,过滤,滤液经旋蒸除去二氯甲烷得到粗品,粗品经硅胶色谱柱纯化得到化合物1。元素分析:C53H35N5;理论值:C,85.80;H,4.76;N,9.44;测试值:C,85.84;H,4.70;N,9.50。LC-MS:测定值:742.46([M+H]+),精确质量:741.29。
实施例2:化合物2的合成
化合物2按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F2替换中间体F1。元素分析:C53H35N5;理论值:C,85.80;H,4.76;N,9.44;测试值:C,85.86;H,4.71;N,9.48。LC-MS:测定值:742.26([M+H]+),精确质量:741.29。
实施例3:化合物5的合成
化合物5按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F3替换中间体F1。元素分析:C48H32N6;理论值:C,83.21;H,4.66;N,12.13;测试值:C,83.14;H,4.69;N,12.20。LC-MS:测定值:693.71([M+H]+),精确质量:692.27。
实施例4:化合物6的合成
化合物6按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F4替换中间体F1。元素分析:C52H34N6;理论值:C,84.07;H,4.61;N,11.31;测试值:C,84.02;H,4.54;N,11.37。LC-MS:测定值:743.63([M+H]+),精确质量:742.28。
实施例5:化合物15的合成
化合物15按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F5替换中间体F1。元素分析:C55H35N5O;理论值:C,84.49;H,4.51;N,8.96;测试值:C,84.44;H,4.44;N,8.99。LC-MS:测定值:782.51([M+H]+),精确质量:781.28。
实施例6:化合物19的合成
化合物19按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F6替换中间体F1。元素分析:C59H39N5;理论值:C,86.63;H,4.81;N,8.56;测试值:C,86.64;H,4.83;N,8.47。LC-MS:测定值:818.28([M+H]+),精确质量:817.32。
实施例7:化合物20的合成
化合物20按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F7替换中间体F1。元素分析:C59H39N5;理论值:C,86.63;H,4.81;N,8.56;测试值:C,86.71;H,4.76;N,8.53。LC-MS:测定值:818.60([M+H]+),精确质量:817.32。
实施例8:化合物40的合成
化合物40按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F9替换中间体F1。元素分析:C53H35N5;理论值:C,85.80;H,4.76;N,9.44;测试值:C,85.75;H,4.79;N,9.49。LC-MS:测定值:742.38([M+H]+),精确质量:741.29。
实施例9:化合物41的合成
化合物41按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F8替换中间体F1。元素分析:C53H35N5;理论值:C,85.80;H,4.76;N,9.44;测试值:C,85.79;H,4.73;N,9.40。LC-MS:测定值:742.46([M+H]+),精确质量:741.29。
实施例10:化合物47的合成
化合物47按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F10替换中间体F1。元素分析:C55H37N5;理论值:C,86.02;H,4.86;N,9.12;测试值:C,85.99;H,4.88;N,9.15。LC-MS:测定值:768.58([M+H]+),精确质量:767.30。
实施例11:化合物48的合成
化合物48按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F11替换中间体F1。元素分析:C57H37N5;理论值:C,86.45;H,4.71;N,8.84;测试值:C,86.42;H,4.75;N,8.81。LC-MS:测定值:792.58([M+H]+),精确质量:791.30。
实施例12:化合物54的合成
化合物54按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F12替换中间体F1。元素分析:C59H39N5;理论值:C,86.63;H,4.81;N,8.56;测试值:C,86.65;H,4.76;N,8.62。LC-MS:测定值:818.60([M+H]+),精确质量:817.32。
实施例13:化合物55的合成
化合物55按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F13替换中间体F1。元素分析:C59H39N5;理论值:C,86.63;H,4.81;N,8.56;测试值:C,86.67;H,4.84;N,8.54。LC-MS:测定值:818.37([M+H]+),精确质量:817.32。
实施例14:化合物60的合成
化合物60按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F2替换中间体F1,中间体C2替换中间体C1。元素分析:C59H39N5;理论值:C,86.63;H,4.81;N,8.56;测试值:C,86.52;H,4.79;N,8.63。LC-MS:测定值:818.49([M+H]+),精确质量:817.32。
实施例15:化合物78的合成
化合物78按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F8替换中间体F1,中间体C2替换中间体C1。元素分析:C59H39N5;理论值:C,86.63;H,4.81;N,8.56;测试值:C,86.74;H,4.77;N,8.68。LC-MS:测定值:818.54([M+H]+),精确质量:817.32。
实施例16:化合物82的合成
化合物82按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F13替换中间体F1,中间体C2替换中间体C1。元素分析:C65H43N5;理论值:C,87.32;H,4.85;N,7.83;测试值:C,87.23;H,4.90;N,7.79。LC-MS:测定值:894.81([M+H]+),精确质量:893.35。
实施例17:化合物103的合成
化合物103按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F2替换中间体F1,中间体C3替换中间体C1。元素分析:C59H39N5;理论值:C,86.63;H,4.81;N,8.56;测试值:C,86.70;H,4.79;N,8.60。LC-MS:测定值:818.64([M+H]+),精确质量:817.32。
实施例18:化合物146的合成
化合物146按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F8替换中间体F1,中间体C5替换中间体C1。元素分析:C57H37N5;理论值:C,86.45;H,4.71;N,8.84;测试值:C,86.52;H,4.66;N,8.78。LC-MS:测定值:792.44([M+H]+),精确质量:791.30。
实施例19:化合物165的合成
化合物165按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F14替换中间体F1,中间体C4替换中间体C1。元素分析:C55H35N5O;理论值:C,84.49;H,4.51;N,8.96;测试值:C,84.56;H,4.44;N,9.01。LC-MS:测定值:782.44([M+H]+),精确质量:781.28。
实施例20:化合物178的合成
化合物178按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于选用中间体F2替换中间体F1,中间体C4替换中间体C1。元素分析:C57H37N5;理论值:C,86.45;H,4.71;N,8.84;测试值:C,86.54;H,4.64;N,8.82。LC-MS:测定值:792.31([M+H]+),精确质量:791.30。
II.器件制备实施例
下文通过器件实施例1-20和器件比较例1-16详细说明根据本发明合成的化合物在器件中作为电子传输层的应用效果。器件实施例1-20以及器件比较例1-16与器件实施例1相比,所述器件的制作工艺完全相同,并且采用了相同的基板材料和电极材料,电极材料的膜厚也保持一致,所不同的是器件中电子传输材料发生了改变。
相关材料的分子结构式如下所示:
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对比化合物ET-1至ET-10结构见上文。以上材料均市购获得。
器件实施例1
具体制备过程如下:
如图1所示,透明基板层1为透明PI膜,阳极为ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm),对阳极层2进行洗涤,即依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥,再进行紫外线-臭氧洗涤以清除阳极层表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的阳极层2上,利用真空蒸镀装置,蒸镀膜厚为10nm的HT-1和P-1作为空穴注入层3,HT-1和P-1的质量比为97∶3。接着蒸镀135nm厚度的HT-1作为空穴传输层4。随后蒸镀40nm厚度的EB-1作为电子阻挡层5。上述电子阻挡材料蒸镀结束后,制作OLED发光器件的发光层6,其包括H1∶H2=47∶47(H1和H2的质量比为47∶47作为主体材料),GD-1作为掺杂材料,掺杂材料掺杂比例为6%重量比,发光层膜厚为40nm。在上述发光层6之后,继续真空蒸镀化合物1和Liq,化合物1和Liq质量比为1∶1,膜厚为35nm,此层为电子传输层7。在电子传输层7上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为1nm的Yb层,此层为电子注入层8。在电子注入层8上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为13nm的Mg∶Ag电极层,Mg、Ag质量比为1∶9,此层为阴极层9。然后在此基础上蒸镀65nm的CPL-1作为光取出层10。
器件实施例2-20和器件比较例1-10以与器件实施例1类似的方法制备,且基板均使用透明PI膜,阳极均使用ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm),不同之处在于使用下表3中的参数。
表3
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III.器件测试实施例
对II中制备的器件进行测试,测试其驱动电压及LT95寿命。驱动电压是在10mA/em2下测试的数据;驱动电压通过弗士达IVL测试系统测试;LT95指的是器件亮度衰减到初始亮度的95%所用的时间;LT80指的是器件亮度衰减到初始亮度的80%所用的时间。寿命测试系统为日本系统技研公司EAS-62C型OLED器件寿命测试仪。测试结果见下表4。
表4
由上表4的器件测试数据结果可以看出,与使用ET-1、ET-2、ET-3、ET-4、ET-5、ET-6、ET-7、ET-8、ET-9和ET-10器件相比,使用本发明化合物作为电子传输层材料制备的器件,器件效率基本一致,器件电压降低明显,常温器件寿命提升20%左右,但是其高温器件寿命提升100%以上,高温寿命提升明显。
比较例中使用的对比化合物ET-1、ET-2、ET-3、ET-4、ET-5、ET-6、ET-7、ET-8、ET-9和ET-10结构式与本发明接近,仅有些微区别,比如桥联基团的改变,基团连接位点的改变,已经连接基团的差异,然而,本发明化合物作为电子传输材料取得了比对比化合物更好的技术效果,特别是其高温寿命提升明显。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种含三嗪和嘧啶的有机化合物,其特征在于,所述有机化合物的结构如通式(1)所示:
通式(1)中,R1独立的表示为萘基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、联苯基、菲基、二苯并呋喃基、呋喃基、苯并呋喃基或咔唑基中的一种;
R2和R3独立的表示为苯基、萘基或联苯基;
X1和X2独立的表为C或N,X1和X2有且仅有1个表示为N。
2.根据权利要求1所述的有机化合物,其特征在于,所述有机化合物的结构如通式(2-1)~通式(2-2)中任一种所示:
通式(2-1)~通式(2-2)中,
R1独立的表示为萘基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、联苯基、菲基、二苯并呋喃基、呋喃基、苯并呋喃基或咔唑基中的一种;
R2和R3独立的表示为苯基、萘基或联苯基。
3.根据权利要求1所述的有机化合物,其特征在于,所述有机化合物的结构如通式(3-1)~通式(3-4)中任一中所示:
通式(3-1)~通式(3-4)中,
R2和R3独立的表示为苯基、萘基或联苯基。
4.根据权利要求3所述的有机化合物,其特征在于,所述R3表示为苯基或联苯基。
5.根据权利要求3所述的有机化合物,其特征在于,所述R2表示为苯基或联苯基。
6.根据权利要求1所述的有机化合物,其特征在于,所述R1表示为如下所示结构:
所述R2和R3分别独立地表示为如下所示结构:
7.根据权利要求1所述的有机化合物,其特征在于,所述有机化合物的具体结构为如下结构中的任一种:
8.一种有机电致发光器件,包含第一电极和第二电极,所述有机电致发光器件的第一电极和第二电极之间具有多层有机薄膜层,其特征在于,至少一层有机薄膜层含有权利要求1~7任一项所述的有机化合物。
9.根据权利要求8所述有机电致发光器件,其特征在于,所述有机薄膜层包括电子传输层,所述电子传输层含有权利要求1~7任一项所述的有机化合物。
10.一种显示元件,其特征在于,所述显示元件含有权利要求8或9所述的有机电致发光器件。
Priority Applications (1)
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Country Status (1)
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-
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