CN117727654A - 高压基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种高压基板处理装置，包括：第一腔室，其被形成为容纳待处理的物体；第二腔室，被形成为以围绕所述第一腔室的状态加热所述第一腔室；第三腔室，具备配置成围绕第二腔室的一部分的第3‑1腔室、以及配置成围绕第二腔室的另一部分的第3‑2腔室；以及供气模块，被构成为向所述第一腔室内以第一压力供给用于处理所述物体的工艺气体，在所述第二腔室和所述第一腔室之间的空间以与所述第一压力相关地设定的第二压力供给保护气体，并且，为了阻止外部空气流入所述第三腔室内，向第3‑1腔室和第3‑2腔室的每一个和所述第二腔室之间的空间以低于所述第一压力及所述第二压力且高于所述第三腔室的外部的压力的第三压力供给防御气体。

Description

高压基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种用于在高压环境下处理物体的基板处理装置。
背景技术
一般，在进行半导体器件的制造工艺的过程中，对半导体基板进行各种处理。这种处理，例如有氧化、氮化、硅化、离子注入及化学气相沉积(CVD：Chemical VaporDeposition)工艺等。还有氢或氘热处理工艺，用以改善半导体器件的界面性能。
用于处理的气体以高于大气压的高压供给至腔室，并作用于半导体基板。在所述气体泄漏时，不仅污染周围，还会发生着火等问题。
随着处理工艺的温度升高，这样的着火风险更大。当处理温度高于气体的自燃温度时，因泄漏而着火的危险会变得更大。
发明内容
技术问题
本发明的一目的在于，提供一种高压基板处理装置，其即使在高温下执行处理工艺，在执行工艺的过程中其结构上能预防因气体泄漏而发生着火的危险。
解决问题的手段
为了实现所述课题，根据本发明的一侧面的高压基板处理装置，其中，可以包括：第一腔室，其被形成为容纳待处理的物体；第二腔室，其被形成为以围绕所述第一腔室的状态加热所述第一腔室；第三腔室，具备配置成围绕所述第二腔室的一部分的第3-1腔室、以及配置成围绕所述第二腔室的另一部分的第3-2腔室；以及供气模块，其被构成为向所述第一腔室内以第一压力供给用于处理所述物体的工艺气体，在所述第二腔室和所述第一腔室之间的空间以与所述第一压力相关地设定的第二压力供给保护气体，并且，为了阻止外部空气流入所述第三腔室内，向所述第3-1腔室和所述第3-2腔室的每一个和所述第二腔室之间的空间以低于所述第一压力及所述第二压力且高于所述第三腔室的外部的压力的第三压力供给防御气体。
此处，所述第3-1腔室和所述第3-2腔室可以被形成为占据相互独立的区域。
此处，所述第三压力可以是比所述第一压力及所述第二压力更偏向于所述外部的压力的值。
此处，还包括控制模块，用于控制所述供气模块的运行，所述控制模块可以控制所述供气模块以按照不同的标准向所述第3-1腔室和所述第3-2腔室供给所述防御气体。
此处，还包括感测模块，所述感测模块，具备：用于感测所述第3-1腔室内的环境的第一传感器、以及用于感测所述第3-2腔室内的环境的第二传感器，所述控制模块可根据所述感测模块的感测结果来控制所述供气模块。
此处，所述第一传感器包括压力计，所述控制模块可以控制所述供气模块，使得当所述压力计感测到的所述第3-1腔室的压力小于设定压力时，注入所述防御气体，使所述第3-1腔室达到所述设定压力。
此处，所述第二传感器包括气体感测器，所述控制模块可以控制所述供气模块，使得当所述气体感测器感测到所述第3-2腔室的氧气浓度超过设定氧气浓度时，投入所述防御气体，使所述第3-2腔室达到所述设定氧气浓度。
此处，还包括：排气模块，其与所述第3-1腔室相连通；以及控制模块，其被构成为控制所述排气模块，所述控制模块可以控制所述排气模块，使得在所述第一腔室对所述物体进行正常处理时，以防供给至所述第3-1腔室的所述防御气体被排放。
此处，还包括：感测模块，配置在所述第3-1腔室内；排气模块，与所述第一腔室、所述第二腔室及所述第3-1腔室相连通；以及控制模块，其被构成为控制所述排气模块，所述控制模块可以控制所述排气模块，使得当根据所述感测模块的感测结果判断发生了气体泄漏时，对所述第一腔室、所述第二腔室及所述第3-1腔室中的至少一个进行排气。
此处，所述控制模块可以控制所述供气模块，使得当所述第3-1腔室排气时，向所述第3-1腔室供给所述防御气体以稀释所述工艺气体。
此处，所述供气模块，可以包括：气体调整供给器，其被构成为对所述防御气体调整流量后供给至所述第3-1腔室；以及紧急开闭供给器，其被构成为当所述第3-1腔室进行排气时，以最大设定流量向所述第3-1腔室供给所述防御气体。
此处，所述感测模块包括压力计及气体感测器中的至少一个，所述控制模块，当所述压力计感测到的所述第3-1腔室的压力超过设定压力或者所述气体感测器感测到所述工艺气体时，可以判断发生了气体泄漏。
此处，所述物体可以包括半导体基板，所述工艺气体可以包括氢气、氘气、氟气、氨气及氯气中的至少一种，所述保护气体和所述防御气体中的至少一个可以包括惰性气体。
根据本发明的另一侧面的高压基板处理装置，其中，可以包括：第一腔室，其被形成为容纳待处理的物体；第二腔室，其被配置为围绕所述第一腔室；第三腔室，其被配置为围绕所述第二腔室；供气模块，其被构成为向所述第一腔室内以第一压力供给用于处理所述物体的工艺气体，在所述第二腔室和所述第一腔室之间的空间以与所述第一压力相关地设定的第二压力供给保护气体，并且，为了阻止外部空气流入所述第三腔室内，向所述第3腔室和所述第2腔室之间的空间以高于所述第三腔室的外部的压力的第三压力供给防御气体；以及加热模块，被构成为配置在所述第二腔室内，以高于所述工艺气体的燃点的温度加热所述工艺气体。
此处，所述第三压力可以是低于所述第一压力及所述第二压力，并且，比所述第一压力及所述第二压力更偏向于所述外部的压力的值。
此处，还包括控制模块，用于控制所述供气模块，所述第三腔室，包括：第三上部腔室，其被配置成围绕所述第二腔室的上部；以及第三下部腔室，其被配置成围绕所述第二腔室的下部，所述控制模块可以控制所述供气模块以按照不同的标准向所述第三下部腔室供给所述防御气体。
此处，还包括感测模块，所述感测模块，具备：用于感测所述第三上部腔室内的环境的第一传感器、以及用于感测所述第三下部腔室内的环境的第二传感器，所述控制模块可根据所述感测模块的感测结果来控制所述供气模块。
此处，所述第一传感器包括压力计，所述控制模块可以控制所述供气模块，使得当所述压力计感测到的所述第三上部腔室的压力小于设定压力时，投入所述防御气体，使所述第三上部腔室达到所述设定压力。
此处，所述第二传感器包括气体感测器，所述控制模块可以控制所述供气模块，使得当所述气体感测器感测到所述第三下部腔室的氧气浓度超过设定氧气浓度时，投入所述防御气体，使所述第三下部腔室达到所述设定氧气浓度。
此处，所述第三上部腔室和所述第三下部腔室可以被形成为占据相互独立的区域。
此处，还包括：排气模块，其与所述第三腔室相连通；以及控制模块，其被构成为控制所述排气模块，所述控制模块可以控制所述排气模块，使得在所述第一腔室对所述物体进行正常处理时，以防供给至所述第三腔室的所述防御气体被排放。
此处，还包括：感测模块，配置在所述第三腔室内；排气模块，与所述第一腔室、所述第二腔室及所述第三腔室相连通；以及控制模块，其被构成为控制所述排气模块，所述控制模块可以控制所述排气模块，使得当根据所述感测模块的感测结果判断发生了气体泄漏时，对所述第一腔室、所述第二腔室及所述第三腔室中的至少一个进行排气。
此处，所述控制模块可以控制所述供气模块，使得当所述第三腔室排气时，向所述第三腔室供给所述防御气体以稀释所述工艺气体。
此处，所述供气模块，可以包括：气体调整供给器，其被构成为对所述防御气体调整流量后供给至所述第三腔室；以及紧急开闭供给器，其被构成为当所述第三腔室进行排气时，以最大设定流量向所述第三腔室供给所述防御气体。
此处，所述感测模块包括压力计及气体感测器中的至少一个，所述控制模块，当所述压力计感测到的所述第三腔室的压力超过设定压力或者所述气体感测器感测到所述工艺气体时，可以判断发生了所述气体泄漏。
此处，所述物体可以包括半导体基板，所述工艺气体可以包括氢气、氘气、氟气、氨气及氯气中的至少一种，所述保护气体和所述防御气体中的至少一个可以包括惰性气体。
发明效果
根据如上所述构成的根据本发明的高压基板处理装置，具备：第一腔室，用于容纳处理物体，以第一压力供给工艺气体；第二腔室，围绕所述第一腔室，以与第一压力相关设定的第二压力供给得到所述保护气体；以及第三腔室，围绕所述第二腔室，以高于外部的压力的第三压力供给得到所述保护气体阻止外气的流入，由此，即使工艺气体从所述第一腔室泄漏，所述第三腔室在结构上能够预防泄漏的工艺气体与外界空气中的氧气相遇时而着火的危险。
附图说明
图1是根据本发明的一实施例的高压基板处理装置的概念图。
图2是用于说明图1的高压基板处理装置的控制结构的框图。
图3是根据本发明的另一实施例的高压基板处理装置的概念图。
图4是用于说明对第三上部腔室的气体控制方式的流程图。
图5是用于说明对第三下部腔室的气体控制方式的流程图。
(附图标记说明)
100、200：高压基板处理装置110、210：第一腔室
120、220：第二腔室 130、230：第三腔室
140、240：供气模块 150、250：排气模块
160：加热模块 170、270：感测模块
180：控制模块 190：存储模块
具体实施方式
下面，将参照附图详细说明根据本发明的优选实施例的高压基板处理装置。在本说明书中，即使不同的实施例，对相同或类似的结构标注相同或类似的附图标记，并且用第一描述来代替该描述。
图1是根据本发明的一实施例的高压基板处理装置100的概念图。
参照图1，高压基板处理装置100，可以包括：第一腔室110、第二腔室120、第三腔室130、供气模块140、及排气模块150。
第一腔室110形成用于容纳待处理物体的容纳空间。第一腔室110可以由非金属材料而制成，例如石英，以减少在高压和高温工作环境中的污染。尽管图中被简化，但在第一腔室110的下端具备用于打开所述容纳空间的门(省略图示)。当所述门下降时，所述容纳空间被打开，并且，可以将所述物体以被放置在保持器(省略图示)的状态下投入到第一腔室110中。随着配置在第一腔室110的外侧的加热器(省略图示)运行，第一腔室110可被加热到数百至数千℃。所述物体可以是例如半导体基板。在此情况下，所述保持器可以是可将所述半导体基板堆叠多层的晶舟(wafer boat)。
第二腔室120形成为完全围绕第一腔室110。因此，第一腔室110的开放部(下端)和关闭所述开放部的门也可以完全被第二腔室120包围。与第一腔室110不同，第二腔室120不存在污染问题，因此，可以由金属材料而制成。第二腔室120具有容纳第一腔室110的内部空间。在第二腔室120的下部也设有门，该门当第一腔室110的门被打开时，可以一起下降并打开。
第三腔室130形成为完全围绕第二腔室120。第三腔室130如同第二腔室120也没有污染问题，因此，可以由金属材料而制成。与高压的第一腔室110和第二腔室120相比，第三腔室130具有在低压下运行的特征。为了表示这一特征，第三腔室130用与第一腔室110和第二腔室120不同类型的线表示。
在另一替代实施例中，第三腔室130可以形成为仅围绕第二腔室120的一部分。第二腔室120的一部分可以是第二腔室120的上部、下部、左侧部、右侧部、角部或其组合。在所述一部分中，第三腔室130可以被构成为围绕第二腔室120中特别容易漏气的部分(连接部分等)。例如，第三腔室130是第二腔室120的一部分，可以形成为完全围绕第二腔室120的开放部(下端)和用于封闭该开放部的门。
供气模块140是向第一腔室110、第二腔室120及第三腔室130供给气体的结构。供气模块140作为气源，具有与半导体工厂的公用管线(供气管线)相连通的供气箱141。供气箱141可以通过第一供气管线143向第一腔室选择性地提供用于处理物体的工艺气体，例如氢/氘、氟、氨、氯、氮等。供气箱141可以通过第二供气管线144向第二腔室120提供保护气体，例如惰性气体的氮或氩。投入到第二腔室120中的保护气体，具体地供给到第二腔室120和第一腔室110之间的空间。供气箱141可以通过第三供气管线145向第三腔室130提供如上所述的防御气体。所述防御气体还可以包括惰性气体。投入到第三腔室130中的防御气体，具体地供给到第三腔室130和第二腔室120之间的空间。供给到第三腔室130的防御气体可以是与供给到第二腔室120的保护气体相同或不同的气体。
供给到第一腔室110的所述工艺气体和供给到第二腔室120的所述保护气体可以以高于大气压的压力供给，以形成例如达数气压至数十气压的高压。当所述工艺气体的压力为第一压力，所述保护气体的压力为第二压力时，可以与第一压力相关联地设置所述第二压力。例如，所述第二压力可被设定为基本上等于或稍微大于所述第一压力。这种压力关系提供了工艺气体不会从第一腔室110泄漏并且第一腔室110不会被损坏的优点。供给到第三腔室130的所述防御气体的压力可以被定义为第三压力，并且具有与所述第一压力和所述第二压力不同的特征。所述第三压力高于第三腔室130的外部压力(通常是大气压)，但低于所述第一压力和所述第二压力。具体地，所述第三压力是偏向所述外部的压力的值，并且稍微高于大气压的水平。例如，所述第三压力可以是比大气压高数十至数百Pa的压力。所述第三压力可以仅为所述第一压力或所述第二压力的数分之一或数十分之一的水平。所述第三压力被设定为阻止外部空气(氧气)流入第三腔室130内。
排气模块150是用于排出所述工艺气体、所述保护气体、以及所述防御气体的结构。为了从第一腔室110排出所述工艺气体，第一排气管线151与第一腔室110的上部相连通。第一排气管线151可延伸到第二腔室120和第三腔室130的外部。在第一排气管线151可以设置用于调整所述工艺气体的排放的阀(省略图示)。为了从第二腔室120/第三腔室130排出所述保护气体/防御气体，可以设置类似地与第二腔室和第三腔室分别相连通的第二排气管线153/第三排气管线155。由于这些排气管线151、153、155彼此集成，因此，在排气过程中所述工艺气体被所述保护气体及所述防御气体稀释，而浓度降低。
将参照图2说明高压基板处理装置100的控制结构。图2是用于说明图1的高压基板处理装置的控制结构的框图。
参照图2(以及图1)，除了上述的供气模块140及排气模块150等之外，高压基板处理装置100还可以包括加热模块160、感测模块170、控制模块180及存储模块190。
加热模块160是包括上述的加热器的结构。所述加热器可以被区分为第二腔室120的一组成，但是，如图2所示，也可以被分类为单独的组成即加热模块160。加热模块160，具体地所述加热器可以配置在第二腔室120内。所述加热器可以向第一腔室110发热，从而，所述工艺气体加热到高于其燃点的温度。例如，当使用氢气作为所述工艺气体时，氢气可以被加热到其燃点的575℃以上。
感测模块170是用于感测各腔室的环境的结构。作为感测模块170，可以采用压力计171及气体感测器175。压力计171可单独地设置在第一腔室110至第三腔室130中的每一个。气体感测器175安装在第三腔室130中，并且，可以感测在处理工艺过程中泄漏的气体(具体地，诸如氢气的活性气体)或从外部流入的氧气等。
控制模块180是用于控制供气模块140、排气模块150及加热模块160的结构。控制模块180可以根据感测模块170的感测结果，来控制供气模块140等。
存储模块190是用于存储控制模块170为了控制而可以参考的数据、程序等的结构。
根据所述结构，控制模块180可以将所述工艺气体、所述保护气体或者所述防御气体供给至腔室110、120、130，或者从腔室110、120、130排出气体。对于前者，控制模块170可以控制供气模块140，对于后者，控制模块170可以控制排气模块150。当在第一腔室110中正常执行基板处理工艺时，供给到第三腔室130的防御气体可以不被排出。
控制模块180可以根据感测模块170的感测结果来判断是否发生了气体泄漏。具体地，当压力计171感测到的第三腔室130的压力超过设定压力时，或者当设置在第三腔室130中的气体感测器175感测到所述工艺气体等时，可以判断为发生了气体泄漏的情况。
当控制模块180判断发生了气体泄漏时，控制模块180停止处理工艺并使排气模块150运行。通过排气模块150的运行，第一腔室110、第二腔室120、第三腔室130中的至少一个可以排气。
将参照图3至图5说明上述的高压基板处理装置100的其他形式。
首先，图3是根据本发明的另一实施例的高压基板处理装置的概念图。
参照图3，高压基板处理装置200与上述实施例的高压基板处理装置100大致相同，但是，区别在于，第三腔室230被分为第3-1腔室231和第3-2腔室235；并且具体化与供气模块240和排气模块250的第三腔室230相关的结构。图3中省略了与第一腔室210和第二腔室220相关的供气模块240及排气模块250的结构，并用图1中的图示代替。
第3-1腔室231和第3-2腔室235可以形成为占据相互独立的区域。例如，第3-1腔室231被配置为围绕第二腔室220的一部分，具体为上部。因此，第3-1腔室231也可称为第三上部腔室231。第三上部腔室231可以主要围绕供气管线143、144、145(参见图1)。相反地，第3-2腔室235被配置为围绕第二腔室220的另一部分，具体为下部。因此，第3-2腔室235也可称为第三下部腔室235。第三下部腔室235可以完全围绕用于投入半导体基板(省略图示)的第二腔室220的开放部以及将关闭开放部的门。
第三上部腔室231不需要打开，可以以封闭形式使用。相反地，第三下部腔室235中用于投入或排放半导体基板的门(省略图示)必须根据需要打开。因此，第三下部腔室235可以以选择性的打开方式使用。
供气模块240具备与第三上部腔室231相连通的调整管线246a及旁路管线246b，以向第三上部腔室231供气。调整管线246a直接连接到半导体工厂的公用管线，并且，旁路管线246b可以从调整管线246a分支。这与第三气体管线145经由供气箱141(参照图1)连接到所述公用管线的上述实施例不同。由于调整管线246a直接连接到所述公用管线，因此，可以分散因供气箱141的误操作而导致供气中断的风险。
在调整管线246a可以设置气体调整供给器247a。气体调整供给器247a是在正常运行模式下将所述防御气体供给至第三上部腔室231的结构。气体调整供给器247a负责调整所述防御气体的供给流量而保持第三上部腔室231的设定压力的功能。为此，气体调整供给器247a根据压力计271感测到的压力运行。
在旁路管线246b可以设置紧急开闭供给器247b。紧急开闭供给器247b不调整所述防御气体的供给流量。其是在紧急操作模式(第三上部腔室231排气模式)下以最大设定流量向第三上部腔室231供给所述防御气体的结构。紧急开闭供给器在正常运行模式下保持关闭状态。通过将大量的所述防御气体供给到第三上部腔室231，可以更快地排出第三上部腔室231中的泄漏气体。
在调整管线246a可以设置调整器247c及手动阀247d。调整器247c可以调整从所述公用管线流入的所述防御气体的流量，来改变所述最大设定流量。手动阀247d是通过调整管线246a控制所述防御气体本身的流动的手动阀。
为了向第三下部腔室235供气，供气模块240具备分别与第三下部腔室235相连通的主调整管线248a和辅助调整管线248b。基本上，所述防御气体通过主调整管线248a供给到第三下部腔室235。若通过主调整管线248a供给所述防御气体受到限制，则通过辅助调整管线248b额外地将所述防御气体供给至第三下部腔室235。当气体调整供给器249b与气体调整供给器249a一起运行时，可以更快地达到所述防御气体的目标供给量。
主调整管线248a和辅助调整管线248b分别具备气体调整供给器249a、249b，从而，可以调整气体供给量。主调整管线248a的气体调整供给器249a可以以比辅助调整管线248b的气体调整供给器249b更大的流量供给所述防御气体。气体调整供给器249a、249b可以是例如质量流量控制器(MFC，Mass Flow controller)。在主调整管线248a和辅助调整管线248b还设置用于打开和关闭流路本身的开闭阀249c、249d。
关于排气模块250，将说明与第三上部腔室231相连通的排气管线255。形成排气管线255的管道256可以与半导体工厂的公用管线(排气管线)相连通。在管道256可以设置闸阀257。当需要对第三上部腔室231进行排气时，闸阀257可以在控制模块180(参见图2)的控制下打开。在第三下部腔室235也可以设置与排气管线255类似的结构的排气管线。
感测模块270可以具备压力计271及气体感测器275以感测第三上部腔室231内的环境。这些设置在第三上部腔室231内，可以统称为第一传感器。这些传感器还可以设置在第三下部腔室235内以感测第三下部腔室235内的环境。在这种情况下，设置在第三下部腔室235中的计量器和感测器可以统称为第二传感器。
控制模块180(参照图2)可以控制供气模块240使得根据不同的标准向第三上部腔室231和第三下部腔室235供给所述防御气体。具体地，对于第三上部腔室231，其标准可以是第三上部腔室231的压力维持在设定压力。与此不同，对于第三下部腔室235，其标准可以是将其氧气浓度维持在设定浓度。对于所述控制，控制模块180基于所述第一传感器和所述第二传感器的感测结果。下面，对其进行详细说明。
图4是用于说明对第三上部腔室的气体控制方式的流程图。
参照图4(以及图2及图3)，通过压力计271感测第三上部腔室231内的气体压力(S1)。
控制模块180将感测到的压力与对第三上部腔室231设定的设定压力进行比较(S2)。
若感测到的压力小于设定压力(S3)，则控制模块180控制供气模块240额外地投入所述防御气体(S4)。具体地，控制模块180通过运行气体调整供给器247a，使第三上部腔室231内的压力达到设定压力。
若感测到的压力与设定压力相同(S5)，则可以维持其状态。控制模块180不运行供气模块240。
若感测到的压力超过设定压力(S6)，则控制模块180可以判断气体泄漏情况(S7)。这是因为第一腔室210中的工艺气体及/或第二腔室220内的保护气体被泄漏而渗透到第三上部腔室231内，导致第三上部腔室231内的压力增加的情况。响应于气体泄漏，紧急开闭供给器247b运行以将防御气体以最大设定流量投入至第三上部腔室231。所述防御气体的投入可以稀释泄漏气体的浓度(S8)。通过打开闸阀257，经稀释的泄漏气体通过管道256排出(S9)。当第三上部腔室231进行排气时，第一腔室110和第二腔室120也可以通过排气管线151、153(参照图1)进行排气。第三下部腔室235由于气体泄漏程度不大，因此可以不排气，但为了严格管理，可以一起排气。
可以通过感测第三上部腔室231内的气体来进行气体泄漏判断(S7)、稀释(S8)及排气(S9)(S10)。当气体感测器275感测到工艺气体时(S11)，控制模块180判断为发生了气体泄漏(S7)。在这种情况下，可以按顺序执行如上所述的稀释(S8)及排气(S9)步骤。
图5是用于说明对第三下部腔室的气体控制方式的流程图。
参照图5，所述第二传感器中的气体感测器(参照275)可以感测氧气浓度(S21)。
当判断为感测到的氧气浓度超过设定氧气浓度时(S23)，控制模块180增加对第三下部腔室235的所述防御气体的投入量。为此，控制模块180使所需量的防御气体通过主调整管线248a额外供给至第三下部腔室235。
当需要额外供给所述防御气体时，控制模块180不仅通过主调整管线248a，而且通过辅助调整管线248b将所述防御气体供给至所述第三下部腔室235。通过供给所述防御气体，第三下部腔室235内的氧气浓度可以达到设定氧气浓度(S25)。
若判断为感测到的氧气浓度低于设定氧气浓度(S23)，则控制模块180维持对所述防御气体的当前投入量(S27)。为此目的，控制模块180维持通过主调整管线248a的所述防御气体的投入流量。第三下部腔室235可以被构成为持续排出一定量的气体，在这种情况下，即使持续投入所述防御气体，第三下部腔室235也维持略高于大气压的压力。
如上所述的高压基板处理装置不限于上述实施例的结构及运行方式。上述实施例还可以通过选择性地组合每个实施例的全部或局部来进行各种修改。
例如，虽然没有说明针对第三下部腔室235的气体泄漏及应对，但是，对第三下部腔室235也可以进行与针对第三上部腔室231描述的相同的操作。

Claims (26)

1.一种高压基板处理装置，其中，包括：
第一腔室，其被形成为容纳待处理的物体；
第二腔室，其被形成为以围绕所述第一腔室的状态加热所述第一腔室；
第三腔室，具备配置成围绕所述第二腔室的一部分的第3-1腔室、以及配置成围绕所述第二腔室的另一部分的第3-2腔室；以及
供气模块，其被构成为向所述第一腔室内以第一压力供给用于处理所述物体的工艺气体，在所述第二腔室和所述第一腔室之间的空间以与所述第一压力相关地设定的第二压力供给保护气体，并且，为了阻止外部空气流入所述第三腔室内，向所述第3-1腔室和所述第3-2腔室的每一个和所述第二腔室之间的空间以低于所述第一压力及所述第二压力且高于所述第三腔室的外部的压力的第三压力供给防御气体。
2.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，所述第3-1腔室和所述第3-2腔室被形成为占据相互独立的区域。
3.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，所述第三压力比所述第一压力及所述第二压力更是偏向于所述外部的压力的值。
4.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，还包括控制模块，用于控制所述供气模块的运行，
所述控制模块控制所述供气模块以按照不同的标准向所述第3-1腔室和所述第3-2腔室供给所述防御气体。
5.根据权利要求4所述的高压基板处理装置，其中，还包括感测模块，所述感测模块，具备：用于感测所述第3-1腔室内的环境的第一传感器、以及用于感测所述第3-2腔室内的环境的第二传感器，
所述控制模块根据所述感测模块的感测结果来控制所述供气模块。
6.根据权利要求5所述的高压基板处理装置，其中，所述第一传感器包括压力计，
所述控制模块控制所述供气模块，使得当所述压力计感测到的所述第3-1腔室的压力小于设定压力时，注入所述防御气体，使所述第3-1腔室达到所述设定压力。
7.根据权利要求5所述的高压基板处理装置，其中，所述第二传感器包括气体感测器，
所述控制模块控制所述供气模块，使得当所述气体感测器感测到所述第3-2腔室的氧气浓度超过设定氧气浓度时，投入所述防御气体，使所述第3-2腔室达到所述设定氧气浓度。
8.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，还包括：
排气模块，其与所述第3-1腔室相连通；以及
控制模块，其被构成为控制所述排气模块，
所述控制模块控制所述排气模块，使得在所述第一腔室对所述物体进行正常处理时，以防供给至所述第3-1腔室的所述防御气体被排放。
9.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，还包括：
感测模块，配置在所述第3-1腔室内；
排气模块，与所述第一腔室、所述第二腔室及所述第3-1腔室相连通；以及
控制模块，其被构成为控制所述排气模块，
所述控制模块控制所述排气模块，使得当根据所述感测模块的感测结果判断发生了气体泄漏时，对所述第一腔室、所述第二腔室及所述第3-1腔室中的至少一个进行排气。
10.根据权利要求9所述的高压基板处理装置，其中，所述控制模块控制所述供气模块，使得当所述第3-1腔室排气时，向所述第3-1腔室供给所述防御气体以稀释所述工艺气体。
11.根据权利要求10所述的高压基板处理装置，其中，所述供气模块，包括：
气体调整供给器，其被构成为对所述防御气体调整流量后供给至所述第3-1腔室；以及
紧急开闭供给器，其被构成为当所述第3-1腔室进行排气时，以最大设定流量向所述第3-1腔室供给所述防御气体。
12.根据权利要求9所述的高压基板处理装置，其中，所述感测模块包括压力计及气体感测器中的至少一个，
所述控制模块，当所述压力计感测到的所述第3-1腔室的压力超过设定压力或者所述气体感测器感测到所述工艺气体时，判断发生了气体泄漏。
13.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，所述物体包括半导体基板，
所述工艺气体包括氢气、氘气、氟气、氨气及氯气中的至少一种，
所述保护气体和所述防御气体中的至少一个包括惰性气体。
14.一种高压基板处理装置，其中，包括：
第一腔室，其被形成为容纳待处理的物体；
第二腔室，其被配置为围绕所述第一腔室；
第三腔室，其被配置为围绕所述第二腔室；
供气模块，其被构成为向所述第一腔室内以第一压力供给用于处理所述物体的工艺气体，在所述第二腔室和所述第一腔室之间的空间以与所述第一压力相关地设定的第二压力供给保护气体，并且，为了阻止外部空气流入所述第三腔室内，向所述第三腔室和所述第二腔室之间的空间以高于所述第三腔室的外部的压力的第三压力供给防御气体；以及
加热模块，被构成为配置在所述第二腔室内，以高于所述工艺气体的燃点的温度加热所述工艺气体。
15.根据权利要求14所述的高压基板处理装置，其中，所述第三压力低于所述第一压力及所述第二压力，并且，比所述第一压力及所述第二压力更是偏向于所述外部的压力的值。
16.根据权利要求14所述的高压基板处理装置，其中，还包括控制模块，用于控制所述供气模块，
所述第三腔室，包括：
第三上部腔室，其被配置成围绕所述第二腔室的上部；以及
第三下部腔室，其被配置成围绕所述第二腔室的下部，
所述控制模块控制所述供气模块以按照不同的标准向所述第三下部腔室供给所述防御气体。
17.根据权利要求16所述的高压基板处理装置，其中，还包括感测模块，所述感测模块，具备：用于感测所述第三上部腔室内的环境的第一传感器、以及用于感测所述第三下部腔室内的环境的第二传感器，
所述控制模块根据所述感测模块的感测结果来控制所述供气模块。
18.根据权利要求17所述的高压基板处理装置，其中，所述第一传感器包括压力计，
所述控制模块控制所述供气模块，使得当所述压力计感测到的所述第三上部腔室的压力小于设定压力时，投入所述防御气体，使所述第三上部腔室达到所述设定压力。
19.根据权利要求17所述的高压基板处理装置，其中，所述第二传感器包括气体感测器，
所述控制模块控制所述供气模块，使得当所述气体感测器感测到所述第三下部腔室的氧气浓度超过设定氧气浓度时，投入所述防御气体，使所述第三下部腔室达到所述设定氧气浓度。
20.根据权利要求16所述的高压基板处理装置，其中，所述第三上部腔室和所述第三下部腔室被形成为占据相互独立的区域。
21.根据权利要求14所述的高压基板处理装置，其中，还包括：
排气模块，其与所述第三腔室相连通；以及
控制模块，其被构成为控制所述排气模块，
所述控制模块控制所述排气模块，使得在所述第一腔室对所述物体进行正常处理时，以防供给至所述第三腔室的所述防御气体被排放。
22.根据权利要求14所述的高压基板处理装置，其中，还包括：
感测模块，配置在所述第三腔室内；
排气模块，与所述第一腔室、所述第二腔室及所述第三腔室相连通；以及
控制模块，其被构成为控制所述排气模块，
所述控制模块控制所述排气模块，使得当根据所述感测模块的感测结果判断发生了气体泄漏时，对所述第一腔室、所述第二腔室及所述第三腔室中的至少一个进行排气。
23.根据权利要求22所述的高压基板处理装置，其中，所述控制模块控制所述供气模块，使得当所述第三腔室排气时，向所述第三腔室供给所述防御气体以稀释所述工艺气体。
24.根据权利要求23所述的高压基板处理装置，其中，所述供气模块，包括：
气体调整供给器，其被构成为对所述防御气体调整流量后供给至所述第三腔室；以及
紧急开闭供给器，其被构成为当所述第三腔室进行排气时，以最大设定流量向所述第三腔室供给所述防御气体。
25.根据权利要求22所述的高压基板处理装置，其中，所述感测模块包括压力计及气体感测器中的至少一个，
所述控制模块，当所述压力计感测到的所述第三腔室的压力超过设定压力或者所述气体感测器感测到所述工艺气体时，判断发生了所述气体泄漏。
26.根据权利要求14所述的高压基板处理装置，其中，所述物体包括半导体基板，
所述工艺气体包括氢气、氘气、氟气、氨气及氯气中的至少一种，
所述保护气体和所述防御气体中的至少一个包括惰性气体。
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