CN117724596A - 芯片供电的控制方法和装置、存储介质及电子装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种芯片供电的控制方法和装置、存储介质及电子装置，该芯片供电的控制方法包括：在检测到目标芯片的供电电压异常的情况下，检测供电电压的异常类型，其中，供电电压是目标供电电源提供给目标芯片的；根据目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于异常类型的电压异常的敏感度，为每个采样点分配采样权重；按照采样权重对多个采样点进行电压采样，得到目标芯片的目标芯片采样电压，其中，目标芯片采样电压用于提供给目标供电电源，目标供电电源用于根据目标芯片采样电压调整供电电压，采用上述技术方案，解决了相关技术中，芯片供电的控制的准确度较低等问题，进而达到了提高了芯片供电的控制的准确度的技术效果。

Description

芯片供电的控制方法和装置、存储介质及电子装置

技术领域

本申请实施例涉及计算机领域，具体而言，涉及一种芯片供电的控制方法和装置、存储介质及电子装置。

背景技术

随着服务器、交换机、存储设备等硬件设备的功能越来越强大，为了避免大幅增加功耗，交换芯片、XPU(Neural network Processing Unit，神经网络处理器)、加速卡等芯片的工作电压越来越低。

为了减少PCB路径上的压降对芯片工作的影响，通常需要对芯片上的电压进行采集，以确保芯片的电压稳定在电压的正负Tolerance(容差)范围内，当前的方式是取芯片的的电源负载Pin的几何中心点作为电压的采样点，但是，由于芯片的供电电源到芯片的路径大小、Power Plane(电源平面)的形状、电流方向等，都会导致最佳的采样点并不在负载芯片的几何中心点，现有技术中默认将几何中心点作为电压的采样点的方式采样得到的电压不能代表芯片上当前的电压大小，比如，即使几何中心点处的电压处于正常状态，由于芯片中其他的几何点的电压可能比几何中心点处的电压高，也可能比几何中心点处的电压低，因此，芯片中其他的几何点此时很可能已经超出电压的正负Tolerance(容差)范围。显然这种芯片上的电压异常无法通过对几何中心点处的电压进行采样感知到。导致芯片供电的控制的准确度较低。

针对相关技术中，芯片供电的控制的准确度较低等问题，尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本申请实施例提供了一种芯片供电的控制方法和装置、存储介质及电子装置，以至少解决相关技术中，芯片供电的控制的准确度较低等问题。

根据本申请实施例的一个实施例，提供了一种芯片供电的控制方法，包括：

在检测到目标芯片的供电电压异常的情况下，检测所述供电电压的异常类型，其中，所述供电电压是目标供电电源提供给所述目标芯片的；

根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，为所述每个采样点分配采样权重，其中，所述敏感度越高所分配的所述采样权重越高，所述采样权重用于指示对应的采样点的采样点电压在所述目标芯片的芯片采样电压中所占的比重；

按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，其中，所述目标芯片采样电压用于提供给所述目标供电电源，所述目标供电电源用于根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压。

可选的，所述根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，为所述每个采样点分配采样权重，包括：

根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点与所述目标芯片上的电压输入接口的供电距离，得到每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，其中，所述电压输入接口为所述目标芯片接收所述目标供电电源供电的接口，在所述异常类型为过压异常类型的情况下，所述采样点的所述敏感度与所述供电距离呈负相关，在所述异常类型为低压异常类型的情况下，所述采样点的所述敏感度与所述供电距离呈正相关，所述异常类型为过压异常类型用于指示所述目标芯片的供电电压大于所述目标芯片的电压阈值范围的上限值，所述异常类型为低压异常类型用于指示所述目标芯片的供电电压小于所述目标芯片的电压阈值范围的下限值，所述电压阈值范围为所述目标芯片正常运行所允许的电压范围；

根据所述敏感度分配所述采样权重。

可选的，所述根据所述敏感度分配所述采样权重，包括：

获取所述目标芯片的供电电压的第一约束条件，其中，所述第一约束条件为根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压后使所述多个采样点中每个采样点的电压均落入所述电压阈值范围；

根据每个所述采样点的所述敏感度和所述第一约束条件为所述每个采样点分配采样权重。

可选的，所述根据所述敏感度分配所述采样权重，包括：

获取所述目标芯片的供电电压的第二约束条件，其中，所述第二约束条件为根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压后使所述多个采样点中每个采样点的电压均落入所述电压阈值范围，且第一参数值与第二参数值之间的差值小于或者等于目标阈值，所述第一参数值为采样点的电压中最大电压值与所述电压阈值范围的上限值之间的差值，所述第二参数值为采样点的电压中最小电压值与所述电压阈值范围的下限值之间的差值；

根据每个所述采样点的所述敏感度和所述第二约束条件为所述每个采样点分配采样权重。

可选的，所述按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，包括：

根据所述采样权重对初始采样电路中所述多个采样点对应的采样电阻进行调整，得到目标采样电路，其中，所述目标采样电路包括的多个采样线路用于对所述多个采样点的电压进行采样，每个所述采样线路的一端连接多个所述采样点中的一个所述采样点，另一端连接同一个目标输出点，每个所述采样点对应的所述采样电阻部署在对应的采样线路上，所述采样权重越大的采样点对应的采样电阻的电阻值被调整得越小；

将所述目标采样电路的所述目标输出点处的电压确定为所述目标芯片采样电压。

可选的，所述多个采样点包括第一采样点、第二采样点和第三采样点，所述第一采样点是所述目标芯片的最大电压点，所述第二采样点是所述目标芯片的中心点，所述第三采样点是所述目标芯片上最小电压点，初始采样电路包括第一采样线路、第二采样线路和第三采样线路，所述第一采样线路的一端连接在所述第一采样点上，所述第二采样线路的一端连接在所述第二采样点上，所述第一采样线路的一端连接在所述第二采样点上，所述第一采样线路的另一端、所述第二采样线路的另一端和所述第二采样线路的另一端连接在同一个目标输出点上，所述第一采样线路在所述第一采样点和所述目标输出点之间部署了第一采样电阻，所述第二采样线路在所述第二采样点和所述目标输出点之间部署了第二采样电阻，所述第三采样线路在所述第三采样点和所述目标输出点之间部署了第三采样电阻，其中，所述按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，包括：

根据所述第一采样点所分配到的采样权重对所述第一采样电阻进行调整，根据所述第二采样点所分配到的采样权重对所述第二采样电阻进行调整，根据所述第三采样点所分配到的采样权重对所述第三采样电阻进行调整，得到目标采样电路，其中，所述采样权重越大的采样点对应的采样电阻的电阻值被调整得越小；

将所述目标采样电路的所述目标输出点处的电压确定为所述目标芯片采样电压。

可选的，所述在检测到目标芯片的供电电压异常的情况下，检测所述供电电压的异常类型，包括：

在检测到目标芯片的供电电压大于所述目标芯片的电压阈值范围的上限值的情况下，确定所述异常类型为过压异常类型，其中，所述电压阈值范围为所述目标芯片正常运行所允许的电压范围；

在检测到目标芯片的供电电压小于所述目标芯片的电压阈值范围的下限值的情况下，确定所述异常类型为低压异常类型，其中，所述电压阈值范围为所述目标芯片正常运行所允许的电压范围。

根据本申请实施例的另一个实施例，还提供了一种芯片供电的控制装置，包括：

检测模块，用于在检测到目标芯片的供电电压异常的情况下，检测所述供电电压的异常类型，其中，所述供电电压是目标供电电源提供给所述目标芯片的；

分配模块，用于根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，为所述每个采样点分配采样权重，其中，所述敏感度越高所分配的所述采样权重越高，所述采样权重用于指示对应的采样点的采样点电压在所述目标芯片的芯片采样电压中所占的比重；

采样模块，用于按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，其中，所述目标芯片采样电压用于提供给所述目标供电电源，所述目标供电电源用于根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压。

根据本申请的又一个实施例，还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被设置为运行时执行上述任一项方法实施例中的步骤。

根据本申请的又一个实施例，还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行上述任一项方法实施例中的步骤。

在本申请实施例中，在检测到目标芯片的供电电压异常的情况下，检测所述供电电压的异常类型，其中，所述供电电压是目标供电电源提供给所述目标芯片的；根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，为所述每个采样点分配采样权重，其中，所述敏感度越高所分配的所述采样权重越高，所述采样权重用于指示对应的采样点的采样点电压在所述目标芯片的芯片采样电压中所占的比重；按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，其中，所述目标芯片采样电压用于提供给所述目标供电电源，所述目标供电电源用于根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压，即在出现目标芯片供电电压异常时，首先对异常类型进行检测，并根据目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于异常类型的电压异常的敏感度，为每个采样点分配采样权重，将敏感度越高的采样点分配更高的采样权重，其中，采样权重可以指示对应的采样点的采样点电压在目标芯片的芯片采样电压中所占的比重，最后按照采样权重对多个采样点进行电压采样，即可得到目标芯片的目标芯片采样电压，之后目标供电电源根据目标芯片采样电压调整供电电压，上述方式中得到的目标芯片采样电压一方面是对目标芯片进行多点采样得到的，可以反映目标芯片整体的供电电压，另一方面，多点采样的过程中，各个采样点的采样权重是根据目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于异常类型的电压异常的敏感度分配的，使得各个采样点的采样权重与当前的供电电压的异常类型更加匹配，基于此得到的目标芯片采样电压可以更加精准地反映目标芯片整体的供电电压，因此，后续根据目标芯片采样电压调整供电电压的准确度更高。采用上述技术方案，解决了相关技术中，芯片供电的控制的准确度较低等问题，实现了提高了芯片供电的控制的准确度的技术效果。

附图说明

图1是本申请实施例的一种芯片供电的控制方法的计算机设备的硬件结构框图；

图2是本申请实施例的一种芯片供电的示意图；

图3是本申请实施例的一种芯片的采样点的示意图；

图4是根据本申请实施例的一种芯片供电的控制方法的流程图；

图5是根据本申请实施例的一种供电距离的示意图；

图6是根据本申请实施例的一种采样电路的示意图一；

图7是根据本申请实施例的一种采样电路的示意图二；

图8是根据本申请实施例的一种芯片供电的控制装置的结构框图。

具体实施方式

下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本申请的实施例。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

本申请实施例中所提供的方法实施例可以在服务器设备或者类似的运算装置中执行。以运行在服务器设备上为例，图1是本申请实施例的一种芯片供电的控制方法的计算机设备的硬件结构框图。如图1所示，服务器设备可以包括一个或多个(图1中仅示出一个)处理器102(处理器102可以包括但不限于微处理器MCU或可编程逻辑器件FPGA等的处理装置)和用于存储数据的存储器104，其中，上述服务器设备还可以包括用于通信功能的传输设备106以及输入输出设备108。本领域普通技术人员可以理解，图1所示的结构仅为示意，其并不对上述服务器设备的结构造成限定。例如，服务器设备还可包括比图1中所示更多或者更少的组件，或者具有与图1所示不同的配置。

存储器104可用于存储计算机程序，例如，应用软件的软件程序以及模块，如本申请实施例中的芯片供电的控制方法对应的计算机程序，处理器102通过运行存储在存储器104内的计算机程序，从而执行各种功能应用以及数据处理，即实现上述的方法。存储器104可包括高速随机存储器，还可包括非易失性存储器，如一个或者多个磁性存储装置、闪存、或者其他非易失性固态存储器。在一些实例中，存储器104可进一步包括相对于处理器102远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至服务器设备。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

传输设备106用于经由一个网络接收或者发送数据。上述的网络具体实例可包括服务器设备的通信供应方提供的无线网络。在一个实例中，传输设备106包括一个网络适配器(Network Interface Controller，简称为NIC)，其可通过基站与其他网络设备相连从而可与互联网进行通讯。在一个实例中，传输设备106可以为射频(Radio Frequency，简称为RF)模块，其用于通过无线方式与互联网进行通讯。

对本申请实施例中涉及到的名词进行解释如下：

PWM，Pulse Width Modulation，脉冲宽度调制；

VFB，Voltage of Feedback，反馈点电压。

在开始对本申请提出的芯片供电的控制方法进行描述之前，为了更好地理解本申请的创造性和技术效果，首先对本申请提出芯片供电的控制方法的发明构思进行说明：

图2是本申请实施例的一种芯片供电的示意图。如图2所示，本申请使用VRM(Voltage Regulator Module，电压调整模块)作为供电电源，一对一单独对目标芯片(LoadChip，负载芯片)进行供电，上述提到芯片的工作电压越来越低，供电电源对芯片输出的电流越来越大，由于供电电源的主要目的是保证负载芯片能稳定工作在电压的正负Tolerance范围(Normal+Tolerance至Normal-Tolerance)内。

现有方案采样点会选取在负载芯片的电源负载Pin(引脚)的几何中心点。但是VMR的输出也有一定的精度，也就是说VRM输的电压可能偏高(比如，Normal+Accuracy)，也可能偏低(比如，Normal-Accuracy)。此外电源从VRM到Load Chip的路径大小、Power Plane的形状、电流方向等，都会导致最佳的采样点并不在负载芯片(目标芯片)的几何中心点。图3是本申请实施例的一种芯片的采样点的示意图。如图3所示，采样点A为目标芯片的几何中心点，图3中展示了VRM的电流从采样点A的左侧进入，依次经过B，A，C。相关技术中采样的方案是单点采样，即仅对采样点A的电压进行采样以表达目标芯片整体的供电电压，由于电流从VRM端到负载芯片的Pin(引脚)不一定是完全对称、且电流方向也不一定沿着对称轴，因此A点通常并不是最优的采样点。另外，由于VRM的输出有精度范围，常用的VRM精度在正负1％，因此某些芯片的Pin的电压可能偏低，也可能偏高。由于PCB(Printed Circuit Board，印制线路板)路径上压降的存在，通常B点电压最高，C点电压最低。若VRM输出偏高，则B点可能超过Normal+Tolerance的电压范围；反之，若VRM输出偏低，则C点可能低于Normal-Tolerance的范围。

可见，相关技术中的单一采样点的方案采样得到的电压不能代表芯片上当前的电压大小，比如，即使几何中心点处的电压处于正常状态，由于芯片中其他的几何点的电压可能比几何中心点处的电压高，也可能比几何中心点处的电压低，因此，芯片中其他的几何点此时很可能已经超出电压的正负Tolerance(容差)范围。显然这种芯片上的电压异常无法通过对几何中心点处的电压进行采样感知到。导致芯片供电的控制的准确度较低。

基于相关技术中存在的上述技术问题，本申请提出了一种芯片供电的控制方法，一方面采用多点采样点的方式得到目标芯片采样电压，可以反映目标芯片整体的供电电压，另一方面，多点采样的过程中，各个采样点的采样权重是根据目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于异常类型的电压异常的敏感度分配的，使得各个采样点的采样权重与当前的供电电压的异常类型更加匹配，基于此得到的目标芯片采样电压可以更加精准地反映目标芯片整体的供电电压，因此，后续根据目标芯片采样电压调整供电电压的准确度更高，从而实现提高了芯片供电的控制的准确度的技术效果。

在本实施例中提供了一种芯片供电的控制方法，图4是根据本申请实施例的一种芯片供电的控制方法的流程图，如图4所示，该流程包括如下步骤：

步骤S12，在检测到目标芯片的供电电压异常的情况下，检测所述供电电压的异常类型，其中，所述供电电压是目标供电电源提供给所述目标芯片的；

可选的，在本实施例中，目标芯片的类型不做限定，比如可以为交换芯片、XPU芯片(Neural network Processing Unit，神经网络处理器)、加速卡芯片等；

可选的，在本实施例中，目标供电电源可以但不限于为任何具备供电功能的装置或者器件，比如可以但不限于使用VRM作为目标供电电源。

步骤S14，根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，为所述每个采样点分配采样权重，其中，所述敏感度越高所分配的所述采样权重越高，所述采样权重用于指示对应的采样点的采样点电压在所述目标芯片的芯片采样电压中所占的比重；

可选的，在本实施例中，如图3所示，区别于相关技术中将采样点A作为单一采样点的方式，本申请提出的芯片供电的控制方法采用多点采样，目标芯片上部署的多个采样点，可以但不限于为采样点B、采样点A和采样点C。

可选的，在本实施例中，关于每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度进行如下说明：如图3所示，目标供电电源VRM的电流从目标芯片中采样点A的左侧进入，依次经过B，A，C。VRM输出的电压可能偏低，也可能偏高。由于PCB路径上压降的存在，通常B点电压最高，C点电压最低。若VRM输出偏高，则B点可能超过Normal+Tolerance的电压范围；反之，若VRM输出偏低，则C点可能低于Normal-Tolerance的范围。显然，在异常类型为过压异常类型时，采样点B的敏感度最高(最可能超过Normal+Tolerance)，其次依次是采样点A和C，而在异常类型为欠压异常类型时，采样点C的敏感度最高(最可能低于Normal-Tolerance)，其次依次是采样点A和B。

可选的，在本实施例中，采样权重用于指示对应的采样点的采样点电压在所述目标芯片的芯片采样电压中所占的比重，敏感度越高所分配的所述采样权重越高，因此根据目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于异常类型的电压异常的敏感度为每个采样点分配采样权重，将敏感度越高的采样点给予更多的关注，直观的实现方式就是敏感度越高所分配的采样权重越高，以增大采样点的采样点电压在目标芯片的芯片采样电压中所占的比重。

步骤S16，按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，其中，所述目标芯片采样电压用于提供给所述目标供电电源，所述目标供电电源用于根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压。

可选的，在本实施例中，目标芯片采样电压用于提供给目标供电电源，为目标供电电源调整供电电压提供参考。

在检测到目标芯片的供电电压异常的情况下，检测所述供电电压的异常类型，其中，所述供电电压是目标供电电源提供给所述目标芯片的；根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，为所述每个采样点分配采样权重，其中，所述敏感度越高所分配的所述采样权重越高，所述采样权重用于指示对应的采样点的采样点电压在所述目标芯片的芯片采样电压中所占的比重；按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，其中，所述目标芯片采样电压用于提供给所述目标供电电源，所述目标供电电源用于根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压，即在出现目标芯片供电电压异常时，首先对异常类型进行检测，并根据目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于异常类型的电压异常的敏感度，为每个采样点分配采样权重，将敏感度越高的采样点分配更高的采样权重，其中，采样权重可以指示对应的采样点的采样点电压在目标芯片的芯片采样电压中所占的比重，最后按照采样权重对多个采样点进行电压采样，即可得到目标芯片的目标芯片采样电压，之后目标供电电源根据目标芯片采样电压调整供电电压，上述方式中得到的目标芯片采样电压一方面是对目标芯片进行多点采样得到的，可以反映目标芯片整体的供电电压，另一方面，多点采样的过程中，各个采样点的采样权重是根据目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于异常类型的电压异常的敏感度分配的，使得各个采样点的采样权重与当前的供电电压的异常类型更加匹配，基于此得到的目标芯片采样电压可以更加精准地反映目标芯片整体的供电电压，因此，后续根据目标芯片采样电压调整供电电压的准确度更高。采用上述技术方案，解决了相关技术中，芯片供电的控制的准确度较低等问题，实现了提高了芯片供电的控制的准确度的技术效果。

作为一种可选的方案，根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，为所述每个采样点分配采样权重，还包括：

S21，根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点与所述目标芯片上的电压输入接口的供电距离，得到每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，其中，所述电压输入接口为所述目标芯片接收所述目标供电电源供电的接口，在所述异常类型为过压异常类型的情况下，所述采样点的所述敏感度与所述供电距离呈负相关，在所述异常类型为低压异常类型的情况下，所述采样点的所述敏感度与所述供电距离呈正相关，所述异常类型为过压异常类型用于指示所述目标芯片的供电电压大于所述目标芯片的电压阈值范围的上限值，所述异常类型为低压异常类型用于指示所述目标芯片的供电电压小于所述目标芯片的电压阈值范围的下限值，所述电压阈值范围为所述目标芯片正常运行所允许的电压范围；

S22，根据所述敏感度分配所述采样权重。

可选的，在本实施例中，根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点与所述目标芯片上的电压输入接口的供电距离，得到每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，图5是根据本申请实施例的一种供电距离的示意图，如图5所示，目标供电电源VRM从电压输入接口向目标芯片输送电能，电流依次经过采样点B，采样点A，采样点C，其中，采样点B与电压输入接口的供电距离为D-B，采样点A与电压输入接口的供电距离为D-A，采样点C与电压输入接口的供电距离为D-C，其中，D-B＜D-A＜D-C，由于PCB路径上压降的存在，通常采样点B的电压最高，采样点C的电压最低。因此在所述异常类型为过压异常类型的情况下，采样点B的敏感度最高(最可能超过Normal+Tolerance)，其次依次是采样点A和C，即采样点的所述敏感度与所述供电距离呈负相关，而在异常类型为欠压异常类型时，采样点C的敏感度最高(最可能低于Normal-Tolerance)，其次依次是采样点A和B，采样点的所述敏感度与所述供电距离呈正相关。

作为一种可选的方案，所述根据所述敏感度分配所述采样权重，还包括：

S31，获取所述目标芯片的供电电压的第一约束条件，其中，所述第一约束条件为根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压后使所述多个采样点中每个采样点的电压均落入所述电压阈值范围；

S32，根据每个所述采样点的所述敏感度和所述第一约束条件为所述每个采样点分配采样权重。

可选的，在本实施例中，在上述步骤S22中提到了可以根据敏感度分配所述采样权重，但是基于敏感度分配所述采样权重可能会得到多种方案，比如，在异常类型为过压异常类型的情况下，敏感度由高到低依次是采样点B、采样点A、采样点C。采样权重可能的分配方案可以但不限于为：

方案1：采样点B(采样权重0.7)、采样点A(采样权重0.2)、采样点C(采样权重0.1)；

方案2：采样点B(采样权重0.6)、采样点A(采样权重0.3)、采样点C(采样权重0.1)；

方案3：采样点B(采样权重0.5)、采样点A(采样权重0.3)、采样点C(采样权重0.2)；

此时存在的问题是如何从多个方案中选择出最合适的采样权重分配方案，本实施例提供了一个解决思路，即在步骤S22中提到的根据敏感度分配采样权重的方案的基础上，进一步根据每个采样点的所述敏感度和第一约束条件为所述每个采样点分配采样权重，其中，第一约束条件为根据目标芯片采样电压调整所述供电电压后使所述多个采样点中每个采样点的电压均落入电压阈值范围，即根据目标芯片采样电压调整所述供电电压后，需要确保采样点B、采样点A、采样点C的电压：VB、VA、VC均落入电压阈值范围，即VB＜Normal+Tolerance，同时VC＞Normal-Tolerance。此时如果一味的增大采样点B的采样权重(比如方案1和2)，虽然可以确保目标芯片采样电压极大地参考了采样点B处的电压从而保证调整所述供电电压后VB＜Normal+Tolerance，但是采样点C处的电压在目标芯片采样电压中的占比过小，可能出现VC＜Normal-Tolerance的风险。可见，如果需要确保采样点B、采样点A、采样点C的电压：VB、VA、VC均落入电压阈值范围，那么采样点C处的电压也应当在目标芯片采样电压中占据一定的比重，因此方案3是最合适的采样权重分配方案。当然上述仅是结合具体的场景对实施方式进行说明，并不限定具体的采样权重分配方式。

作为一种可选的方案，根据所述敏感度分配所述采样权重，还包括：

S41，获取所述目标芯片的供电电压的第二约束条件，其中，所述第二约束条件为根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压后使所述多个采样点中每个采样点的电压均落入所述电压阈值范围，且第一参数值与第二参数值之间的差值小于或者等于目标阈值，所述第一参数值为采样点的电压中最大电压值与所述电压阈值范围的上限值之间的差值，所述第二参数值为采样点的电压中最小电压值与所述电压阈值范围的下限值之间的差值；

S42，根据每个所述采样点的所述敏感度和所述第二约束条件为所述每个采样点分配采样权重。

可选的，在本实施例中，基于上述类似的考虑，可以根据每个采样点的所述敏感度和第二约束条件为所述每个采样点分配采样权重，其中，第二约束条件相较于第一约束条件更为严苛，第二约束条件为根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压后使所述多个采样点中每个采样点的电压均落入所述电压阈值范围，且第一参数值与第二参数值之间的差值小于或者等于目标阈值，所述第一参数值为采样点的电压中最大电压值与所述电压阈值范围的上限值之间的差值，所述第二参数值为采样点的电压中最小电压值与所述电压阈值范围的下限值之间的差值。比如，采样点B、采样点A、采样点C的电压分别为：VB、VA、VC，其中，VB＞VA＞VC，第二约束条件需要确保：

1)VB＜Normal+Tolerance，同时VC＞Normal-Tolerance(相当于上述第一约束条件)；

2)(Normal+Tolerance)-VB＝K1，VC-(Normal-Tolerance)＝K2，|K1-K2|≤K3；

其中，K1为上述第一参数值，K2为上述第二参数值，|K1-K2|为第一参数值与第二参数值之间的差值，K3为目标阈值，Normal+Tolerance为电压阈值范围的上限值，Normal-Tolerance电压阈值范围的下限值。

作为一种可选的方案，按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，还包括：

S51，根据所述采样权重对初始采样电路中所述多个采样点对应的采样电阻进行调整，得到目标采样电路，其中，所述目标采样电路包括的多个采样线路用于对所述多个采样点的电压进行采样，每个所述采样线路的一端连接多个所述采样点中的一个所述采样点，另一端连接同一个目标输出点，每个所述采样点对应的所述采样电阻部署在对应的采样线路上，所述采样权重越大的采样点对应的采样电阻的电阻值被调整得越小；

S52，将所述目标采样电路的所述目标输出点处的电压确定为所述目标芯片采样电压。

可选的，在本实施例中，目标输出点通过不同的采样线路对不同的采样点的电压进行采样，每个采样线路上部署了对应的采样电阻，通过调采样权重调节采样电阻的电阻值，从而控制对应采样点的采样点电压在目标芯片的芯片采样电压中所占的比重，关于初始采样电路下文将进行说明。

作为一种可选的方案，所述多个采样点包括第一采样点、第二采样点和第三采样点，所述第一采样点是所述目标芯片的最大电压点，所述第二采样点是所述目标芯片的中心点，所述第三采样点是所述目标芯片上最小电压点，初始采样电路包括第一采样线路、第二采样线路和第三采样线路，所述第一采样线路的一端连接在所述第一采样点上，所述第二采样线路的一端连接在所述第二采样点上，所述第一采样线路的一端连接在所述第二采样点上，所述第一采样线路的另一端、所述第二采样线路的另一端和所述第二采样线路的另一端连接在同一个目标输出点上，所述第一采样线路在所述第一采样点和所述目标输出点之间部署了第一采样电阻，所述第二采样线路在所述第二采样点和所述目标输出点之间部署了第二采样电阻，所述第三采样线路在所述第三采样点和所述目标输出点之间部署了第三采样电阻，其中，所述按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，还包括：

S61，根据所述第一采样点所分配到的采样权重对所述第一采样电阻进行调整，根据所述第二采样点所分配到的采样权重对所述第二采样电阻进行调整，根据所述第三采样点所分配到的采样权重对所述第三采样电阻进行调整，得到目标采样电路，其中，所述采样权重越大的采样点对应的采样电阻的电阻值被调整得越小；

S62，将所述目标采样电路的所述目标输出点处的电压确定为所述目标芯片采样电压。

可选的，在本实施例中，图6是根据本申请实施例的一种采样电路的示意图一，如图6所示，所述多个采样点包括第一采样点(采样点B，图中以“B”示出)、第二采样点(采样点A，图中以“A”示出)和第三采样点(采样点C，图中以“C”示出)，所述第一采样点是所述目标芯片的最大电压点，所述第二采样点是所述目标芯片的中心点，所述第三采样点是所述目标芯片上最小电压点，初始采样电路包括第一采样线路、第二采样线路和第三采样线路，所述第一采样线路的一端连接在所述第一采样点上，所述第二采样线路的一端连接在所述第二采样点上，所述第一采样线路的一端连接在所述第二采样点上，所述第一采样线路的另一端、所述第二采样线路的另一端和所述第二采样线路的另一端连接在同一个目标输出点上，所述第一采样线路在所述第一采样点和所述目标输出点之间部署了第一采样电阻RHB，所述第二采样线路在所述第二采样点和所述目标输出点之间部署了第二采样电阻RHA，所述第三采样线路在所述第三采样点和所述目标输出点之间部署了第三采样电阻RHC。

如图6所示，由于目标供电电源VRM到目标芯片Load Chip的PCB传输路径上的压降会随着电流的增加，比例增大，尤其是对于低电压的设计，这个压降的比重更大。因此，对于低压、大电流的电源方案，左侧的VRM采用远端反馈的方式，工作原理为：

1、VRM的主功率电路包括MOSA1、MOSB1和L1等主功率器件，以及MOS的控制驱动逻辑电路(Driver)、反馈控制电路(Logic Control)等。

2、反馈分压电阻由RHB、RHA、RHC和RL组成，通过分压电阻取样输出电压。

3、分压电阻得到的反馈点电压VFB，和芯片内部参考电源Reference比较，作为主功率电路PWM调节的输入。VRM可以根据VFB得知目标芯片当前的异常类型，比如，VFB大于Reference，则异常类型为过压异常类型，可以通过MOSA1和MOSB1控制Vout减小，直至VFB＝Reference，同样的，VFB小于Reference，则异常类型为低压异常类型，可以通过MOSA1和MOSB1控制Vout增大，直至VFB＝Reference。

4、在目标芯片上部署了采样点B、采样点A、采样点C(还可以部署更多的采样点，比如，图6中示出的采样点B1、采样点B2、采样点A1、采样点A2、采样点C1、采样点C2等等，本实施例以部署采样点B、采样点A、采样点C的方式为例进行说明)；

5、通过分压电阻RHB、RHA、RHC加权平均一个电压值(目标芯片采样电压)反馈到VRM(控制器)的内部。各个采样点的采样权重取决于RHB、RHA、RHC的阻值；

目标供电电源根据目标芯片采样电压VFB调整供电电压Vout的大小，调节的目的为：让采样点B、采样点A、采样点C的电压均稳定在Normal±Tolerance的电压范围内，并保证上限的Margin和下限的Margin都足够大，上限的Margin即上述K1，下限的Margin即上述K2，理想情况是上限Margin和下限Margin一样大，此时，采样点B、采样点A、采样点C的电压均聚拢在Normal±Tolerance的电压范围内的中心区域。

在所述异常类型为过压异常类型的情况下，各个采样点的电压偏高，则可以调小RHB，增加采样点B的反馈比重；在所述异常类型为低压异常类型的情况下，各个采样点的电压偏低，则可以调小RHC，增加采样点C的反馈比重。

上述过程中调整RHB、RHA、RHC需要遵循如下约束条件：1/RH＝1/RHA+1/RHB+1/RHC，其中，RH为预设电阻值，例如减小RHA，则其他两个电阻值会增大。采样点A的采样权重就会增大。

此外，图6展示的采样电路中忽视了GND(地线)压降，对于GND压降不可忽视的场景下，图6中的下分压电压RL也可以使用分布式采样，图7是根据本申请实施例的一种采样电路的示意图二，如图7所示，RL可以分为多个RLA、RLB、RLC等，将负载芯片的GND pin作为采样点(比如，图7中示出的采样点d、e、f等等)，使用每个采用电阻分别采集对应采样点处的电压。

作为一种可选的方案，在检测到目标芯片的供电电压异常的情况下，检测所述供电电压的异常类型，还包括：

S71，在检测到目标芯片的供电电压大于所述目标芯片的电压阈值范围的上限值的情况下，确定所述异常类型为过压异常类型，其中，所述电压阈值范围为所述目标芯片正常运行所允许的电压范围；

S72，在检测到目标芯片的供电电压小于所述目标芯片的电压阈值范围的下限值的情况下，确定所述异常类型为低压异常类型，其中，所述电压阈值范围为所述目标芯片正常运行所允许的电压范围。

可选的，在本实施例中，上述提到可以根据VFB得知目标芯片当前的异常类型，比如，VFB大于Reference，则异常类型为过压异常类型，可以通过MOSA1和MOSB1控制Vout减小，直至VFB＝Reference，同样的，VFB小于Reference，则异常类型为低压异常类型，可以通过MOSA1和MOSB1控制Vout增大，直至VFB＝Reference，此外，本实施例还提供了另一种方式，即直接根据供电电压Vout判断异常类型。

通过本申请提出的芯片供电的控制方法，采用分布式多点采样，加权平均了各个采样点的采样权重，可以灵活调节各个采样点的采样权重，让每个采样点的电压都尽可能的靠近工作电压的Normal值，同时保证所有负载Pin的电压都在Normal-Tolerance和Normal+Tolerance的范围内，并保证Margin最大。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到根据上述实施例的方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术作出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述的方法。

在本实施例中还提供了一种芯片供电的控制装置，该装置用于实现上述实施例及优选实施方式，已经进行过说明的不再赘述。如以下所使用的，术语“模块”可以实现预定功能的软件和/或硬件的组合。尽管以下实施例所描述的装置较佳地以软件来实现，但是硬件，或者软件和硬件的组合的实现也是可能并被构想的。

图8是根据本申请实施例的一种芯片供电的控制装置的结构框图；如图8所示，包括：

检测模块802，用于在检测到目标芯片的供电电压异常的情况下，检测所述供电电压的异常类型，其中，所述供电电压是目标供电电源提供给所述目标芯片的；

分配模块804，用于根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，为所述每个采样点分配采样权重，其中，所述敏感度越高所分配的所述采样权重越高，所述采样权重用于指示对应的采样点的采样点电压在所述目标芯片的芯片采样电压中所占的比重；

采样模块806，用于按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，其中，所述目标芯片采样电压用于提供给所述目标供电电源，所述目标供电电源用于根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压。

在检测到目标芯片的供电电压异常的情况下，检测所述供电电压的异常类型，其中，所述供电电压是目标供电电源提供给所述目标芯片的；根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，为所述每个采样点分配采样权重，其中，所述敏感度越高所分配的所述采样权重越高，所述采样权重用于指示对应的采样点的采样点电压在所述目标芯片的芯片采样电压中所占的比重；按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，其中，所述目标芯片采样电压用于提供给所述目标供电电源，所述目标供电电源用于根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压，即在出现目标芯片供电电压异常时，首先对异常类型进行检测，并根据目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于异常类型的电压异常的敏感度，为每个采样点分配采样权重，将敏感度越高的采样点分配更高的采样权重，其中，采样权重可以指示对应的采样点的采样点电压在目标芯片的芯片采样电压中所占的比重，最后按照采样权重对多个采样点进行电压采样，即可得到目标芯片的目标芯片采样电压，之后目标供电电源根据目标芯片采样电压调整供电电压，上述方式中得到的目标芯片采样电压一方面是对目标芯片进行多点采样得到的，可以反映目标芯片整体的供电电压，另一方面，多点采样的过程中，各个采样点的采样权重是根据目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于异常类型的电压异常的敏感度分配的，使得各个采样点的采样权重与当前的供电电压的异常类型更加匹配，基于此得到的目标芯片采样电压可以更加精准地反映目标芯片整体的供电电压，因此，后续根据目标芯片采样电压调整供电电压的准确度更高。采用上述技术方案，解决了相关技术中，芯片供电的控制的准确度较低等问题，实现了提高了芯片供电的控制的准确度的技术效果。

在一个示例性实施例中，所述分配模块，包括：

第一确定单元，用于根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点与所述目标芯片上的电压输入接口的供电距离，得到每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，其中，所述电压输入接口为所述目标芯片接收所述目标供电电源供电的接口，在所述异常类型为过压异常类型的情况下，所述采样点的所述敏感度与所述供电距离呈负相关，在所述异常类型为低压异常类型的情况下，所述采样点的所述敏感度与所述供电距离呈正相关，所述异常类型为过压异常类型用于指示所述目标芯片的供电电压大于所述目标芯片的电压阈值范围的上限值，所述异常类型为低压异常类型用于指示所述目标芯片的供电电压小于所述目标芯片的电压阈值范围的下限值，所述电压阈值范围为所述目标芯片正常运行所允许的电压范围；

分配单元，用于根据所述敏感度分配所述采样权重。

在一个示例性实施例中，所述分配单元，还用于：

获取所述目标芯片的供电电压的第一约束条件，其中，所述第一约束条件为根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压后使所述多个采样点中每个采样点的电压均落入所述电压阈值范围；

根据每个所述采样点的所述敏感度和所述第一约束条件为所述每个采样点分配采样权重。

在一个示例性实施例中，所述分配单元，还用于：

获取所述目标芯片的供电电压的第二约束条件，其中，所述第二约束条件为根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压后使所述多个采样点中每个采样点的电压均落入所述电压阈值范围，且第一参数值与第二参数值之间的差值小于或者等于目标阈值，所述第一参数值为采样点的电压中最大电压值与所述电压阈值范围的上限值之间的差值，所述第二参数值为采样点的电压中最小电压值与所述电压阈值范围的下限值之间的差值；

根据每个所述采样点的所述敏感度和所述第二约束条件为所述每个采样点分配采样权重。

在一个示例性实施例中，所述采样模块，包括：

第一调整单元，用于根据所述采样权重对初始采样电路中所述多个采样点对应的采样电阻进行调整，得到目标采样电路，其中，所述目标采样电路包括的多个采样线路用于对所述多个采样点的电压进行采样，每个所述采样线路的一端连接多个所述采样点中的一个所述采样点，另一端连接同一个目标输出点，每个所述采样点对应的所述采样电阻部署在对应的采样线路上，所述采样权重越大的采样点对应的采样电阻的电阻值被调整得越小；

第二确定单元，用于将所述目标采样电路的所述目标输出点处的电压确定为所述目标芯片采样电压。

在一个示例性实施例中，所述多个采样点包括第一采样点、第二采样点和第三采样点，所述第一采样点是所述目标芯片的最大电压点，所述第二采样点是所述目标芯片的中心点，所述第三采样点是所述目标芯片上最小电压点，初始采样电路包括第一采样线路、第二采样线路和第三采样线路，所述第一采样线路的一端连接在所述第一采样点上，所述第二采样线路的一端连接在所述第二采样点上，所述第一采样线路的一端连接在所述第二采样点上，所述第一采样线路的另一端、所述第二采样线路的另一端和所述第二采样线路的另一端连接在同一个目标输出点上，所述第一采样线路在所述第一采样点和所述目标输出点之间部署了第一采样电阻，所述第二采样线路在所述第二采样点和所述目标输出点之间部署了第二采样电阻，所述第三采样线路在所述第三采样点和所述目标输出点之间部署了第三采样电阻，其中，所述采样模块，包括：

第二调整单元，用于根据所述第一采样点所分配到的采样权重对所述第一采样电阻进行调整，根据所述第二采样点所分配到的采样权重对所述第二采样电阻进行调整，根据所述第三采样点所分配到的采样权重对所述第三采样电阻进行调整，得到目标采样电路，其中，所述采样权重越大的采样点对应的采样电阻的电阻值被调整得越小；

第三确定单元，用于将所述目标采样电路的所述目标输出点处的电压确定为所述目标芯片采样电压。

在一个示例性实施例中，所述检测模块，包括：

第四三确定单元，用于在检测到目标芯片的供电电压大于所述目标芯片的电压阈值范围的上限值的情况下，确定所述异常类型为过压异常类型，其中，所述电压阈值范围为所述目标芯片正常运行所允许的电压范围；

第五确定单元，用于在检测到目标芯片的供电电压小于所述目标芯片的电压阈值范围的下限值的情况下，确定所述异常类型为低压异常类型，其中，所述电压阈值范围为所述目标芯片正常运行所允许的电压范围。

需要说明的是，上述各个模块是可以通过软件或硬件来实现的，对于后者，可以通过以下方式实现，但不限于此：上述模块均位于同一处理器中；或者，上述各个模块以任意组合的形式分别位于不同的处理器中。

本申请的实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有计算机程序，其中，该计算机程序被设置为运行时执行上述任一项方法实施例中的步骤。

在一个示例性实施例中，上述计算机可读存储介质可以包括但不限于：U盘、只读存储器(Read-Only Memory，简称为ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，简称为RAM)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储计算机程序的介质。

本申请的实施例还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，该存储器中存储有计算机程序，该处理器被设置为运行计算机程序以执行上述任一项方法实施例中的步骤。

在一个示例性实施例中，上述电子设备还可以包括传输设备以及输入输出设备，其中，该传输设备和上述处理器连接，该输入输出设备和上述处理器连接。

本实施例中的具体示例可以参考上述实施例及示例性实施方式中所描述的示例，本实施例在此不再赘述。

显然，本领域的技术人员应该明白，上述的本申请的各模块或各步骤可以用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成的网络上，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而，可以将它们存储在存储装置中由计算装置来执行，并且在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本申请不限制于任何特定的硬件和软件结合。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种芯片供电的控制方法，其特征在于，

包括：

在检测到目标芯片的供电电压异常的情况下，检测所述供电电压的异常类型，其中，所述供电电压是目标供电电源提供给所述目标芯片的；

根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，为所述每个采样点分配采样权重，其中，所述敏感度越高所分配的所述采样权重越高，所述采样权重用于指示对应的采样点的采样点电压在所述目标芯片的芯片采样电压中所占的比重；

按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，其中，所述目标芯片采样电压用于提供给所述目标供电电源，所述目标供电电源用于根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，为所述每个采样点分配采样权重，包括：

根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点与所述目标芯片上的电压输入接口的供电距离，得到每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，其中，所述电压输入接口为所述目标芯片接收所述目标供电电源供电的接口，在所述异常类型为过压异常类型的情况下，所述采样点的所述敏感度与所述供电距离呈负相关，在所述异常类型为低压异常类型的情况下，所述采样点的所述敏感度与所述供电距离呈正相关，所述异常类型为过压异常类型用于指示所述目标芯片的供电电压大于所述目标芯片的电压阈值范围的上限值，所述异常类型为低压异常类型用于指示所述目标芯片的供电电压小于所述目标芯片的电压阈值范围的下限值，所述电压阈值范围为所述目标芯片正常运行所允许的电压范围；

根据所述敏感度分配所述采样权重。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述根据所述敏感度分配所述采样权重，包括：

获取所述目标芯片的供电电压的第一约束条件，其中，所述第一约束条件为根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压后使所述多个采样点中每个采样点的电压均落入所述电压阈值范围；

根据每个所述采样点的所述敏感度和所述第一约束条件为所述每个采样点分配采样权重。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述根据所述敏感度分配所述采样权重，包括：

获取所述目标芯片的供电电压的第二约束条件，其中，所述第二约束条件为根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压后使所述多个采样点中每个采样点的电压均落入所述电压阈值范围，且第一参数值与第二参数值之间的差值小于或者等于目标阈值，所述第一参数值为采样点的电压中最大电压值与所述电压阈值范围的上限值之间的差值，所述第二参数值为采样点的电压中最小电压值与所述电压阈值范围的下限值之间的差值；

根据每个所述采样点的所述敏感度和所述第二约束条件为所述每个采样点分配采样权重。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，包括：

根据所述采样权重对初始采样电路中所述多个采样点对应的采样电阻进行调整，得到目标采样电路，其中，所述目标采样电路包括的多个采样线路用于对所述多个采样点的电压进行采样，每个所述采样线路的一端连接多个所述采样点中的一个所述采样点，另一端连接同一个目标输出点，每个所述采样点对应的所述采样电阻部署在对应的采样线路上，所述采样权重越大的采样点对应的采样电阻的电阻值被调整得越小；

将所述目标采样电路的所述目标输出点处的电压确定为所述目标芯片采样电压。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述多个采样点包括第一采样点、第二采样点和第三采样点，所述第一采样点是所述目标芯片的最大电压点，所述第二采样点是所述目标芯片的中心点，所述第三采样点是所述目标芯片上最小电压点，初始采样电路包括第一采样线路、第二采样线路和第三采样线路，所述第一采样线路的一端连接在所述第一采样点上，所述第二采样线路的一端连接在所述第二采样点上，所述第一采样线路的一端连接在所述第二采样点上，所述第一采样线路的另一端、所述第二采样线路的另一端和所述第二采样线路的另一端连接在同一个目标输出点上，所述第一采样线路在所述第一采样点和所述目标输出点之间部署了第一采样电阻，所述第二采样线路在所述第二采样点和所述目标输出点之间部署了第二采样电阻，所述第三采样线路在所述第三采样点和所述目标输出点之间部署了第三采样电阻，其中，所述按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，包括：

根据所述第一采样点所分配到的采样权重对所述第一采样电阻进行调整，根据所述第二采样点所分配到的采样权重对所述第二采样电阻进行调整，根据所述第三采样点所分配到的采样权重对所述第三采样电阻进行调整，得到目标采样电路，其中，所述采样权重越大的采样点对应的采样电阻的电阻值被调整得越小；

将所述目标采样电路的所述目标输出点处的电压确定为所述目标芯片采样电压。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在检测到目标芯片的供电电压异常的情况下，检测所述供电电压的异常类型，包括：

在检测到目标芯片的供电电压大于所述目标芯片的电压阈值范围的上限值的情况下，确定所述异常类型为过压异常类型，其中，所述电压阈值范围为所述目标芯片正常运行所允许的电压范围；

在检测到目标芯片的供电电压小于所述目标芯片的电压阈值范围的下限值的情况下，确定所述异常类型为低压异常类型，其中，所述电压阈值范围为所述目标芯片正常运行所允许的电压范围。

8.一种芯片供电的控制装置，其特征在于，

包括：

检测模块，用于在检测到目标芯片的供电电压异常的情况下，检测所述供电电压的异常类型，其中，所述供电电压是目标供电电源提供给所述目标芯片的；

分配模块，用于根据所述目标芯片上部署的多个采样点中每个采样点对属于所述异常类型的电压异常的敏感度，为所述每个采样点分配采样权重，其中，所述敏感度越高所分配的所述采样权重越高，所述采样权重用于指示对应的采样点的采样点电压在所述目标芯片的芯片采样电压中所占的比重；

采样模块，用于按照所述采样权重对所述多个采样点进行电压采样，得到所述目标芯片的目标芯片采样电压，其中，所述目标芯片采样电压用于提供给所述目标供电电源，所述目标供电电源用于根据所述目标芯片采样电压调整所述供电电压。

9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，

所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被处理器执行时实现所述权利要求1至7任一项中所述的方法的步骤。

10.一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，

所述处理器执行所述计算机程序时实现所述权利要求1至7任一项中所述的方法的步骤。