CN117723800B - 半导体检测电路和方法、半导体检测设备和存储介质 - Google Patents
半导体检测电路和方法、半导体检测设备和存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117723800B CN117723800B CN202410181599.7A CN202410181599A CN117723800B CN 117723800 B CN117723800 B CN 117723800B CN 202410181599 A CN202410181599 A CN 202410181599A CN 117723800 B CN117723800 B CN 117723800B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- voltage
- output
- analog
- voltages
- digital converter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 225
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010059419 NIMA-Interacting Peptidylprolyl Isomerase Proteins 0.000 description 1
- 101150087393 PIN3 gene Proteins 0.000 description 1
- 108010037490 Peptidyl-Prolyl Cis-Trans Isomerase NIMA-Interacting 4 Proteins 0.000 description 1
- 102100026114 Peptidyl-prolyl cis-trans isomerase NIMA-interacting 1 Human genes 0.000 description 1
- 102100031653 Peptidyl-prolyl cis-trans isomerase NIMA-interacting 4 Human genes 0.000 description 1
- 102000007315 Telomeric Repeat Binding Protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 108010033711 Telomeric Repeat Binding Protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
本申请涉及半导体检测技术领域,尤其涉及一种半导体检测电路和方法、半导体检测设备和存储介质。半导体检测电路,包括多个电压输出电路,一一对应地连接到待检测的多个半导体器件;多个基准电压源,具有互不重叠的电压输出范围和互不相同的电压输出精度;基准电压切换模块,包括与多个基准电压源一一对应地连接的多个第一输入端、彼此并联的多个第一输出端、和切换开关;多个切换选择模块,分别包括具有第二输入端和第二输出端的放大电路、及选择开关;多个模数转换器,与所述多个切换选择模块一一对应地设置,并分别包括第三输入端和第三输出端;控制模块。
Description
技术领域
本申请涉及半导体检测技术领域,尤其涉及一种半导体检测电路和方法、半导体检测设备和存储介质。
背景技术
在对半导体器件的生产或研究过程中,需要对其进行频繁的检测,并且在进行前述检测时,需要向待检测的半导体器件施加规定的电压以使其处在期望的工作状态。不同类型或规格的半导体器件所需要的工作电压(检测电压)不同,甚至相差数百倍。一般来说,对于额定工作电压很小(例如毫伏级)的半导体器件,其对接入电压(检测电压)的精度要求很高,例如其要求接入的检测电压与其额定工作电压的偏差在一毫伏之内,否则会导致该器件不能工作在理想状态,进而导致检测结果存在较大偏差。而对于额定工作电压较大(例如上百伏特)的半导体器件,其对接入电压(检测电压)的精度要求较小,即便接入的检测电压与其额定工作电压存在一伏特的偏差,也不会显著影响该半导体器件的工作状态。
为了确认半导体检测设备直接施加到待测半导体器件两端的检测电压为理想电压,需要借助模数转换器(Analog to Digital Converter,ADC)对该检测电压进行侦测,并基于侦测结果进行电压调整。这样,准确拟合出模数转换器的电压拟合曲线至关重要。当前的半导体检测设备并不能同时对多个不同规格(所需的检测电压不同)的半导体器件进行检测,倘若在半导体检测设备中配置多个电压输出电路,该多个电压输出电路分别为多个不同规格的半导体器件提供检测电压,就需要预先拟合出每个电压输出电路或每个半导体器件对应的模数转换器的电压拟合曲线。前已述及,额定工作电压小的半导体器件其对接入电压的精度要求高,因此对相应模数转换器的电压拟合曲线的拟合精度要求也比较高,而额定工作电压大的半导体器件其对接入电压的精度要求低,因此对相应模数转换器的电压拟合曲线的拟合精度要求相对较低。倘若在半导体检测设置中配置一个具有广阔电压输出范围且极高输出精度的基准电压源来拟合各个模数转换器的电压拟合曲线,将显著地增加半导体检测设备的制造成本,并且,这种广电压范围的基准电压源工作在提供很低输出电压时,精度通常难以保证。
发明内容
有鉴于此,本申请提出一种半导体检测电路和方法、半导体检测设备。
第一方面,本申请提出了一种半导体检测电路,包括:
多个电压输出电路,所述多个电压输出电路一一对应地连接到待检测的多个半导体器件,以分别为所述多个半导体器件提供工作电压,其中,每个所述半导体器件引出有电压侦测端;
多个基准电压源,所述多个基准电压具有互不重叠的电压输出范围和互不相同的电压输出精度;
基准电压切换模块,所述基准电压切换模块包括与所述多个基准电压源一一对应地连接的多个第一输入端、彼此并联的多个第一输出端、和切换开关,其中,所述切换开关用于将所述多个第一输出端择一地连接到所述多个第一输入端中的每一个;
多个切换选择模块,每个所述切换选择模块包括具有第二输入端和第二输出端的放大电路、及选择开关,其中,所述选择开关用于将所述第一输出端连接到所述第二输入端或者将所述电压侦测端连接到所述第二输入端;
多个模数转换器,所述多个模数转换器与所述多个切换选择模块一一对应地设置,并分别包括第三输入端和第三输出端,其中,所述第三输入端与所述第二输出端相连;
控制模块,所述控制模块分别连接所述基准电压源、所述基准电压切换模块、所述电压输出电路、所述切换选择模块和所述模数转换器。
在一些可能的实施方式中,所述控制模块被配置为:
根据所述半导体器件的额定工作电压,选择对应的所述基准电压源连接到所述模数转换器,以确定出所述模数转换器的电压拟合曲线;
将所述电压侦测端连接到所述模数转换器,根据所述模数转换器输出的数字信号、所述半导体器件的额定工作电压和所述电压拟合曲线,调整所述电压输出电路的输出电压。
在一些可能的实施方式中,所述控制模块被配置为:
获取每个所述半导体器件的额定工作电压,得到多个额定工作电压;
判断所述多个额定工作电压中的每一个所处在的电压范围,并由此确定出所述多个额定工作电压中的P个额定工作电压处在第一电压范围内,所述多个额定工作电压中的另外Q个额定工作电压处在第二电压范围内,其中,所述第一电压范围为所述多个基准电压源中第一基准电压源的电压输出范围,所述第二电压范围为所述多个基准电压源中第二基准电压源的电压输出范围,所述P个额定工作电压所对应的P个半导体器件为第一半导体器件,所述Q个额定工作电压所对应的Q个半导体器件为第二半导体器件,P和Q为正整数;
使所述切换开关将所述多个第一输出端连接到一目标输入端,其中,所述目标输入端是与所述第一基准电压源对应的所述第一输入端;
控制所有所述第一半导体器件对应的电路部分同时执行下述操作:
使所述选择开关将所述第一输出端连接到所述第二输入端,
使所述第一基准电压源分时段地先后输出互不相同的多个第一基准电压,并在此过程中,获取每个时段下所述模数转换器输出的第一数字信号,得到多个第一数字信号,
根据所述多个第一基准电压和所述多个第一数字信号,确定出所述模数转换器的第一电压拟合曲线,
使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第二输入端,获取所述模数转换器输出的第二数字信号,
根据所述第二数字信号和所述第一电压拟合曲线,确定出所述第一半导体器件的第一当前工作电压,
根据所述第一当前工作电压与所述第一半导体器件的额定工作电压之间的差异,调整所述电压输出电路的输出电压,
在此之后,使所述切换开关将所述多个第一输出端连接到另一目标输入端,其中,所述另一目标输入端是与所述第二基准电压源对应的所述第一输入端;
控制所有所述第二半导体器件所对应的电路部分同时执行下述操作:
使所述选择开关将所述第一输出端连接到所述第二输入端,
使所述第二基准电压源分时段地先后输出互不相同的多个第二基准电压,并在此过程中,获取每个时段下所述模数转换器输出的第三数字信号,得到多个第三数字信号;
根据所述多个第二基准电压和所述多个第三数字信号,确定出所述模数转换器的第二电压拟合曲线,
使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第二输入端,获取所述模数转换器输出的第四数字信号,
根据所述第四数字信号和所述第二电压拟合曲线确定出所述第二半导体器件的第二当前工作电压,
根据所述第二当前工作电压与所述第二半导体器件的额定工作电压之间的差异,调整所述电压输出电路的输出电压。
在一些可能的实施方式中,在使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第一输入端之前,所述控制模块被配置为:使对应的所述电压输出电路输出各自的第一初始电压,所述第一初始电压是与该电压输出电路对应的那个第一半导体器件的额定工作电压;
在使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第二输入端之前,所述控制模块被配置为:使对应的所述电压输出电路输出各自的第二初始电压,所述第二初始电压是与该电压输出电路对应的那个第二半导体器件的额定工作电压。
在一些可能的实施方式中,所述半导体检测电路还包括:
地,用于提供接地电位;
其中,所述第三输入端包括正极输入端和负极输入端,所述模数转换器的接地端不经由所述地而直接与所述负极输入端连接。
第二方面,本申请提出了一种电压校正方法,可应用于如第一方面所述的半导体检测电路,所述方法包括:
根据所述半导体器件的额定工作电压,选择对应的所述基准电压源连接到所述模数转换器,以确定出所述模数转换器的电压拟合曲线;
将所述电压侦测端连接到所述模数转换器,根据所述模数转换器输出的数字信号、所述半导体器件的额定工作电压和所述电压拟合曲线,调整所述电压输出电路的输出电压。
在一些可能的实施方式中,所述方法包括:
获取每个所述半导体器件的额定工作电压,得到多个额定工作电压;
判断所述多个额定工作电压中的每一个所处在的电压范围,并由此确定出所述多个额定工作电压中的P个额定工作电压处在第一电压范围内,所述多个额定工作电压中的另外Q个额定工作电压处在第二电压范围内,其中,所述第一电压范围为所述多个基准电压源中第一基准电压源的电压输出范围,所述第二电压范围为所述多个基准电压源中第二基准电压源的电压输出范围,所述P个额定工作电压所对应的P个半导体器件为第一半导体器件,所述Q个额定工作电压所对应的Q个半导体器件为第二半导体器件,P和Q为正整数;
使所述切换开关将所述多个第一输出端连接到一目标输入端,其中,所述目标输入端是与所述第一基准电压源对应的所述第一输入端;
控制所有所述第一半导体器件对应的电路部分同时执行下述操作:
使所述选择开关将所述第一输出端连接到所述第二输入端,
使所述第一基准电压源分时段地先后输出互不相同的多个第一基准电压,并在此过程中,获取每个时段下所述模数转换器输出的第一数字信号,得到多个第一数字信号,
根据所述多个第一基准电压和所述多个第一数字信号,确定出所述模数转换器的第一电压拟合曲线,
使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第二输入端,获取所述模数转换器输出的第二数字信号,
根据所述第二数字信号和所述第一电压拟合曲线,确定出所述第一半导体器件的第一当前工作电压,
根据所述第一当前工作电压与所述第一半导体器件的额定工作电压之间的差异,调整所述电压输出电路的输出电压,
在此之后,使所述切换开关将所述多个第一输出端连接到另一目标输入端,其中,所述另一目标输入端是与所述第二基准电压源对应的所述第一输入端;
控制所有所述第二半导体器件所对应的电路部分同时执行下述操作:
使所述选择开关将所述第一输出端连接到所述第二输入端,
使所述第二基准电压源分时段地先后输出互不相同的多个第二基准电压,并在此过程中,获取每个时段下所述模数转换器输出的第三数字信号,得到多个第三数字信号;
根据所述多个第二基准电压和所述多个第三数字信号,确定出所述模数转换器的第二电压拟合曲线,
使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第二输入端,获取所述模数转换器输出的第四数字信号,
根据所述第四数字信号和所述第二电压拟合曲线确定出所述第二半导体器件的第二当前工作电压,
根据所述第二当前工作电压与所述第二半导体器件的额定工作电压之间的差异,调整所述电压输出电路的输出电压。
在一些可能的实施方式中,在使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第一输入端之前,所述方法还包括:使对应的所述电压输出电路输出各自的第一初始电压,所述第一初始电压是与该电压输出电路对应的那个第一半导体器件的额定工作电压;
在使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第二输入端之前,所述方法还包括:使对应的所述电压输出电路输出各自的第二初始电压,所述第二初始电压是与该电压输出电路对应的那个第二半导体器件的额定工作电压。
第三方面,本申请提出了一种半导体检测设备,包括如第一方面所述的半导体检测电路。
第四方面,本申请提出了一种计算机可读存储介质,存储有程序指令,当所述程序指令被计算机执行时,使所述计算机执行如第一方面所述的方法。
根据本申请提供的半导体检测电路,配置有多个基准电压源,它们具有互不重叠的电压输出范围和互不相同的电压输出精度,以在对额定工作电压较小且对电压精度要求高的半导体器件进行检测时,使用小电压输出但高精度的基准电压源对与该半导体器件对应的模数转换器的电压曲线进行拟合,而在对额定工作电压较大且对电压精度要求低的半导体器件进行检测时,使用大电压输出且低精度的基准电压源对为该半导体器件对应的模数转换器的电压曲线进行拟合,从而使得该检测电路能高效率地且准确地同时对多个不同规格的半导体器件进行准确的检测。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本申请的一些实施例,而非对本申请的限制。
图1是本申请一实施例提供的半导体检测电路的结构示意图。
图2是本申请一实施例提供的半导体检测方法的流程示意图。
图3和图4是本申请一实施例提供的半导体检测方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例的附图,对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本申请的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。可以理解,在不冲突的情况下,本文所描述的各个实施例的一些技术手段可相互替换或结合。
在本申请的描述中,若存在术语“第一”、“第二”等,仅用于区分所描述的对象,不具有任何顺序或技术含义。由此,限定有“第一”、“第二”等的对象可以明示或者隐含地包括一个或者多个该对象。并且,“一个”或者“一”等类似词语,不表示数量限制,而是表示存在至少一个,“多个”表示不少于两个。
在本说明书的描述中,参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此,在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、 “在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例,而是意味着“一个或多个但不是 所有的实施例”,除非是以其他方式另外特别强调。
图1示出了本申请一实施例提供的半导体检测电路,该半导体检测电路可以同时对多个半导体器件进行性能检测,即便是在这些半导体器件的型号甚至类别彼此不同的情况下。更详细地讲,该半导体检测电路能够同时为图1中的多个待检测的半导体器件(在图1中,以附图标记R2表示)提供理想的工作电压,从而使它们均处在理想的工作状态,以便判断该标准工作状态下的半导体器件的质量情况。
半导体检测电路包括多个基准电压源、基准电压切换模块、多个电压输出电路、多个切换选择模块、多个模数转换器(Analog to Digital Converter,ADC)和控制模块。控制模块可以是MCU (Microcontroller Unit,微控制单元)芯片。
尽管在图1中将基准电压源、电压输出电路、切换选择模块和模数转换器的数量分别示出为3个,但应理解,基准电压源、电压输出电路、切换选择模块和模数转换器的数量也可以配置成其他值,例如基准电压源的数量为2个,电压输出电路、切换选择模块和模数转换器的数量分别为5个。
多个电压输出电路一一对应地连接到待检测的前述多个半导体器件,以分别为该多个半导体器件提供工作电压。其中,每个多个负载的两端分别引出有电压侦测端(在图1中以附图标记2和4表示)。
在一些实施例中,该半导体检测电路被安装到半导体检测设备内,由半导体检测设备的壳体进行封闭保护。并且,半导体检测设备具有向外引出的多路电压供给线(该电压供给线上也可以集成有并列的信号线,以在半导体检测设备和待测半导体器件之间进行信令交互),多个电压侦测端一一对应地并联到前述多路电压供给线,每路电压供给线在半导体检测设备的内部连接到对应的电压输出电路。使用时,可以将电压供给线连接到(可脱离地连接)待检测的半导体器件,以对半导体器件提供检测所需的工作电压,这时,电压侦测端刚好连接到待检测的半导体器件的两端,因此,从电压侦测端探测的电压等于半导体器件的当前工作电压。
电压输出电路提供的原始电压需经过导电线路之后才能达到待检测的半导体器件,而导电线路存在电阻等吸收电压值,故而半导体器件实际获得的电压与电压输出电路提供的原始电压(电压输出电路的端电压)通常并不相同。图1中R2表示待检测的半导体器件,R1和R3表示电压输出电路至待测半导体器件之间的导电线路的线阻。另外,电压输出电路自身也存在内阻及硬件老化等,因此,即便控制模块使电压输出电路以规定参数运行以期望其输出目标电压(例如目标电压为待检测半导体器件的额定工作电压),但电压输出电路实际输出的原始电压仍可能与目标电压存在差异。因此,需要调整电压输出电路的输出,以使得待测半导体器件的当前工作电压被调整到最利于进行性能检测的理想电压——半导体器件的额定工作电压。
多个基准电压源具有互不重叠的电压输出范围和互不相同的电压输出精度。这里,“互不重叠”是指没有彼此重叠的区间,但不包括端点值。示例性地,在图1中,右侧的基准电压源的电压输出范围为10.0 mV -100.0mV,电压输出精度为0.1 mV,其能够被操作而选择性地输出10.1mV,10.2mV,10.3mV…100.0mV这些基准电压;中间位置的基准电压源的电压输出范围为100mV-1000mV,电压输出精度为1mV,其能够被操作而选择性地输出100mV,101mV,102mV…1000mV这些基准电压;左侧的基准电压源的电压输出范围为1.0V-100.0V,电压输出精度为0.1V(即100mV),其能够被操作而选择性地输出1.0V,1.1V,1.2V…100.0V这些基准电压。
可以理解,相比于额定工作电压为几十伏(例如36V)的半导体器件,额定工作电压只有几十毫伏甚至几毫伏的半导体器件对来电电压的精度要求更高,并且因此,对相应模数转换器的电压拟合曲线的拟合精度要求也更高,倘若使用一个具有广阔电压输出范围且高精度(例如电压输出范围为0-100V,电压输出精度为0.1 mV)的基准电压源对侦测各种半导体器件当前工作电压的下述模数转换器的电压拟合曲线进行拟合,将显著地增加半导体检测设备的制造成本,并且,这种广电压范围的基准电压源工作在提供很低的例如20.0mV的输出电压时,精度通常难以保证。对此,本实施例提供的半导体检测电路配置多个基准电压源,它们具有互不重叠的电压输出范围和互不相同的电压输出精度,以在对额定工作电压较小且对电压精度要求高的半导体器件进行检测时,使用小电压输出但高精度的基准电压源对与该半导体器件对应的模数转换器的电压曲线进行拟合,而在对额定工作电压较大且对电压精度要求低的半导体器件进行检测时,使用大电压输出且低精度的基准电压源对为该半导体器件对应的模数转换器的电压曲线进行拟合,从而克服了前述问题。
基准电压切换模块包括与多个基准电压源一一对应地连接的多个第一输入端(在图1中以空心小圆示出)、彼此并联的多个第一输出端(在图1中以附图标记1和3表示)、和切换开关K1。其中,切换开关K1用于将该多个第一输出端择一地连接到该多个第一输入端中的每一个,例如,在一个应用场景下,切换开关K1用于将图1中的多个第一输出端连接到左侧的第一输入端,在另一个应用场景下,切换开关K1用于将图1中多个第一输出端连接到右侧的第一输入端。
每个切换选择模块包括具有第二输入端和第二输出端的放大电路、及选择开关K2。其中选择开关K2用于将第一输出端连接到第二输入端或者将电压侦测端连接到第二输入端。
多个模数转换器与多个切换选择模块一一对应地设置,并分别包括第三输入端和第三输出端,其中,第三输入端与第二输出端相连,第三输出端连接到控制模块。
控制模块分别连接前述基准电压源、基准电压切换模块、电压输出电路、切换选择模块和模数转换器。
另外,该半导体检测电路还包括“地”,该“地”其用于提供接地电位。例如,地可以是形成在电路板上的导电铜层,为各个电压输出电路提供接地电位。
模数转换器的第三输入端包括正极输入端、负极输入端和接地端(在图1中以附图标记G表示),模数转换器的接地端并没有接地,而是直接(不经由前述的“地”)与其负极输入端连接。这是因为,该半导体检测电路中的各个电压输出电路均为高频开关电源,会在“地”上产生电流,倘若将模数转换器的接地端连接到地,那么作为参考点的接地端(G)将会受到高频信号的干扰,从而影响模数转换器的测量精度。
在一些实施例中,半导体检测电路还包括隔离模块,外部电压源经由该隔离模块后被隔离掉高频成分,因此经由该隔离模块出来的电压是纯净的,且具有隔离作用。隔离模块的输出端连接到前述基准电压源。
接下来,参见图2至图4,介绍本申请实施例提供的一种半导体检测方法,该半导体检测方法可以应用于图1所示的半导体检测电路上,即该半导体检测方法可由上述半导体检测电路更详细地说是上述半导体检测电路中的控制模块来执行。该方法包括:
S201,根据半导体器件的额定工作电压,选择对应的基准电压源连接到模数转换器,以确定出模数转换器的电压拟合曲线;
S202,将电压侦测端连接到模数转换器,根据模数转换器输出的数字信号、半导体器件的额定工作电压和电压拟合曲线,调整电压输出电路的输出电压。
在本实施例中,控制模块首先根据待测半导体器件的额定工作电压,来选择合适的基准电压源对对应支路上的模数转换器进行校正,以得出该模数转换器的电压拟合曲线,然后利用该模数转换器的侦测待测半导体器件的当前工作电压,并根据校正得出的该模数转换器的电压拟合曲线、以及当前工作电压与理想的额定工作电压之间的差异,来调整对应电压输出电路的输出电压,直至该待测半导体器件的实际工作电压与其额定工作电压对应。
请参见图3和图4,该方法具体包括:
S301,获取每个半导体器件的额定工作电压,得到多个额定工作电压。
半导体器件的额定工作电压可以由作业人员通过输入装置例如键盘输入半导体检测设备而告知给控制模块。在一个示例性的实施例中(为便于说明,将该实施例称为实施例BB),待检测的半导体器件按照型号的不同被分为三组,同一组中的相同型号的半导体器件被放置在同一传送线上,三条传送线分别承载三种型号的半导体器件向前述半导体检测设备传送,再借助机器自动地或者半自动地将不同传送线上的半导体器件分别对应连接到半导体检测设备的不同电压供给端,并且在此之前,作业人员可以预先向该半导体检测设备输入各条传送线上半导体器件的额定工作电压信息。
S302,判断多个额定工作电压中的每一个所处在的电压范围,并由此确定出多个额定工作电压中的P个额定工作电压处在第一电压范围内,多个额定工作电压中的另外Q个额定工作电压处在第二电压范围内,其中,第一电压范围为多个基准电压源中第一基准电压源的电压输出范围,第二电压范围为多个基准电压源中第二基准电压源的电压输出范围,P个额定工作电压所对应的P个半导体器件为第一半导体器件,Q个额定工作电压所对应的Q个半导体器件为第二半导体器件,P和Q为正整数。
控制模块获取到关于每个半导体器件的额定工作电压的信息后,可以判断这些额定工作电压中的每一个分别处在哪个基准电压源的电压输出范围内。
在与图1对应的一个示例AA中,控制模块确定出其中两个额定工作电压(分别为32.0mV和50.0mV)处在右侧基准电压源的电压输出范围(10.0mV-100.0mV)内,而另外一个额定工作电压(24.0V)处在左侧基准电压源的电压输出范围(1.0V-100.0V)内,并且图1中上侧和中间的两个半导体器件为第一半导体器件,图1中下侧的一个半导体器件为第二半导体器件。显然,在该示例AA中,P=2,Q=1。
在另一些实施例中,控制模块可能确定出所有的三个额定工作电压(例如分别为32.0mV、50.0mV和32.0mV)均处在右侧基准电压源的电压输出范围(10.0mV-100.0mV)内。
S303,使切换开关将多个第一输出端连接到一目标输入端,其中,目标输入端是与第一基准电压源对应的第一输入端。
控制模块在确定出当前接入的半导体器件中存在与第一基准电压源的电压输出范围相对应半导体器件后,可以控制基准电压切换模块的切换开关动作而将所有第一输出端连接到与第一基准电压源对应的第一输入端,由此,第一基准电压源被接入电路。
诸如,在前述示例AA中,控制模块使切换开关连接到图1中右侧的第一输入端。
而后,控制所有第一半导体器件所对应的电路部分(包括相应的切换选择模块和电压输出电路)同时执行下述S304至S309的操作:
S304,使选择开关将第一输出端连接到第二输入端。
在第一基准电压源被接入电路之后,控制模块控制对应切换选择模块中的选择开关动作而将第一输出端连接到第二输入端。
诸如,在前述示例AA中,控制模块使图1中上侧切换选择模块的选择开关动作而将上侧第一输出端连接到上侧切换选择模块的第二输入端,并且还使图1中中间切换选择模块的选择开关动作而将中间第一输出端连接到中间切换选择模块的第二输入端。并且,此时图1中下侧切换选择模块的选择开关可以既不与第一输出端连接,也不与电压侦测端连接。
S305,使第一基准电压源分时段地先后输出互不相同的多个第一基准电压,并在此过程中,获取每个时段下模数转换器输出的第一数字信号,得到多个第一数字信号。
诸如,在前述示例AA中,控制模块可以向第一基准电压源也即图1中右侧基准电压源发送控制信号,以使该右侧基准电压源按照一定的时间间隔先后输出多个基准电压,例如先后输出10.0mV,11.0mV,12.0mV…100.0mV共101个第一基准电压,与此同时,这些第一基准电压分别经由图1中上侧和中间的放大电路放大规定倍数(例如100倍)后被模数转换器接收,模数转换器将其接收到的模拟电压信号转换为数字信号即第一数字信号传送给控制模块。
模数转换器不能采集微小的电压信号(例如只有几毫伏的电压信号),并且不能将微小的电压信号转换为数字信号。而在本实施例中,放大电路可以对接入第二输入端的微小电压信号放大后传送给模数转换器,克服了前述问题。
S306,根据多个第一基准电压和多个第一数字信号,确定出模数转换器的电压拟合曲线。
不同的模数转换器存在自体和环境等方面的差别,因此,在前述示例AA中,图1中上侧的模数转换器和中间的模数转换器被输入相同的电压(模拟信号)时,可能转换为不同的数字信号,即这两个模数转换器具有不同的电压响应曲线。由此,在示例AA中,控制模块可以基于前述101个第一基准电压和上侧模数转换器在该101个第一基准电压的提供期间而分别输出的101个数字信号来拟合得出该上侧模数转换器的电压拟合曲线,基于前述101个第一基准电压和中间模数转换器在该101个第一基准电压的提供期间而分别输出的101个数字信号来拟合得出该中间模数转换器的电压拟合曲线。
关于模数转换器的电压拟合曲线的获取方法,是公知的,例如线性拟合法、非线性拟合法等,在此不予赘述。
S307,使选择开关将电压侦测端连接到第二输入端,获取从模数转换器输出的第二数字信号。
诸如,在前述示例AA中,在得到上侧模数转换器和中间模数转换器的电压拟合曲线后,使上侧和中间切换选择模块的选择开关动作,而将上侧和中间的电压侦测端分别连接到上侧和中间的第二输入端,此时,上侧和中间半导体器件两端的工作电压分别经由图1中上侧和中间放大电路放大规定倍数(例如100倍)后被模数转换器接收,模数转换器将其接收到的模拟电压信号转换为数字信号即第二数字信号传送给控制模块。
在一些实施例中,于步骤S307之前,该方法还包括:使对应的电压输出电路输出各自的第一初始电压,第一初始电压是与该电压输出电路对应的那个第一半导体器件的额定工作电压。诸如,在前述示例AA中,控制模块向图1中上侧和中间的电压输出电路发送控制信号,以期让二者分别输出约32mV和约50mV的初始电压。以此方式,既能够避免第二半导体器件获得初始工作电压过高而被破坏,又有助于将第二半导体器的当前实际工作电压快速地调整到额定工作电压。
在一些实施例中,选择开关K2为继电器式开关,因为一些半导体器件的额定工作电压是微小的,故选择开关K2的连接质量至关重要。为了确保选择开关K2的连接点是良好的,增加了触点接触阻抗测试。其原理是,由基准电流源提供一个较大的电流流过选择开关K2的触点,检测该触点两端的电压,如果触点接触良好,其触点两端的电压无限小,如果触点接触异常的话,两端的电压将会变大。比如,当基准电流源提供10A的电流时,测量图1中PIN1与M点之间的电压以及PIN3与N点之间的电压,如果电压小无限小(如2mV),说明接触阻抗小,接触正常;否则接触点NG,终止检测。同理也会采集PIN2和M点,PIN4和N点,两个电压进行判别。
S308,根据第二数字信号和电压拟合曲线确定出第一半导体器件的第一当前工作电压。
控制模块可以根据模数转换器当前输出的第二数字信号的值、以及该值在模数转换器的电压拟合曲线上的位置来确定出第一半导体器件的当前工作电压即第一当前工作电压。
S309,根据第一当前工作电压与第一半导体器件的额定工作电压之间的差异,调整电压输出电路的输出电压。
诸如,在前述示例AA中,控制模块在获知上侧半导体器件的当前工作电压与其额定工作电压存在不能被接受的差异时(例如,该差异导致半导体的工作状态不理想从而影响检测结果),可以向电压输出电路发送控制信号,以使电压输出电路的输出电压做出改变,从而使上侧半导体器件的当前工作电压与其额定工作电压的差异在接收范围内。
在S309之后,更具体地,在各个第一半导体器件的当前工作电压均被调整到其额定工作电压附近(或一致)后,控制模块使切换开关将多个第一输出端连接到另一目标输入端,该另一目标输入端是与第二基准电压源对应的第一输入端。诸如,在前述示例AA中,第二基准电压源为图1中左侧的基准电压源。
而后,控制模块控制所有第二半导体器件所对应电路部分同时执行下述S315的操作:
S310,使选择开关将第一输出端连接到第二输入端。
诸如,在前述示例AA中,在图1中左侧基准电压源被接入电路之后,控制模块使图1中下侧切换选择模块的选择开关动作而将下侧第一输出端连接到下侧切换选择模块的第二输入端。并且,此时图1中上侧和中间切换选择模块的选择开关可以既不与第一输出端连接,也不与电压侦测端连接。
S311,使第二基准电压源分时段地先后输出互不相同的多个第二基准电压,并在此过程中,获取每个时段下由对应模数转换器输出的第三数字信号,得到多个第三数字信号。
诸如,在示例AA中,控制模块可以向第二基准电压源也即图1中左侧基准电压源发送控制信号,以使该左侧基准电压源按照一定的时间间隔先后输出多个基准电压,例如先后输出1.0V,2.0V,3.0V…100.0V共100个第二基准电压,与此同时,这些第二基准电压分别经由图1中上侧和中间的放大电路放大规定倍数(该规定倍数可以是1)后被模数转换器接收而转换为数字信号即第三数字信号,并传送给控制模块。
S312,根据多个第二基准电压和多个第二数字信号,确定出模数转换器的电压拟合曲线。
诸如,在示例AA中,控制模块可以基于前述100个第二基准电压和下侧模数转换器在该100个第一基准电压的提供期间而分别产生的100个数字信号而分析得出该下侧模数转换器的电压拟合曲线。
S313,使选择开关将电压侦测端连接到第二输入端,获取从模数转换器输出的第四数字信号。
诸如,在前述示例AA中,在得到下侧模数转换器和中间模数转换器的电压拟合曲线后,使选择开关将电压侦测端连接到第二输入端,此时,下侧半导体器件两端的工作电压分别经由图1中下侧放大电路放大规定倍数(该规定倍数可以是1)后被模数转换器接收,模数转换器将其接收到的模拟电压信号转换为数字信号即第四数字信号传送给控制模块。
S314,根据第四数字信号和第二电压拟合曲线确定出第二半导体器件的第二当前工作电压。
诸如,在前述示例AA中,控制模块可以根据下侧模数转换器当前输出的第四数字信号的值、以及该值在下侧模数转换器的电压拟合曲线上的位置来确定出下侧半导体器件的当前工作电压。
在一些实施例中,于步骤S314之前,方法还包括:使对应的电压输出电路输出各自的第二初始电压,第二初始电压是与该电压输出电路对应的那个第二半导体器件的额定工作电压。诸如,在前述示例AA中,控制模块向图1中下侧电压输出电路发送控制信号,以期让下侧电压输出电路输出约24V的初始电压。以此方式,既能够避免第二半导体器件获得初始工作电压过高而被破坏,又有助于将第二半导体器的当前实际工作电压快速地调整到额定工作电压。
S315,根据第二当前工作电压与第二半导体器件的额定工作电压之间的差异,调整电压输出电路的输出电压。
诸如,在前述示例AA中,控制模块在获知下侧半导体器件(第二半导体器件)的当前工作电压与其额定工作电压存在不能被接受的差异时(例如,该差异导致半导体的工作状态不理想从而影响检测结果),可以向下侧电压输出电路发送控制信号,以使下侧电压输出电路的输出电压做出改变,从而使下侧半导体器件的当前工作电压与其额定工作电压的差异在接收范围内。
在前述实施例BB中,可以在得到图1中每个模数转换器的电压拟合曲线之后的一段时间内(例如24小时),不必再利用上述方法对这些模数转换器的电压拟合曲线进行重新校正,因为在这段时间内与同一个模数转换器对应的后序所有待检测半导体器件的型号通常是一致的,例如,在接下来的24小时内,与图1中上侧电压输出电路对应的那条传送线上的所有待检测半导体器件的额定工作电压均为30mV,与图1中下侧电压输出电路对应的那条传送线上的所有待检测半导体器件的额定工作电压均为2.2V,这样,先前得出的各个模数转换器的电压拟合曲线仍然与后续待检测的半导体器件相匹配。不过,随着连续工作时间的增加,模数转换器也会存在性能上的变化,另外也可能存在外部因素对其工作性能进行干扰,这样会导致先前确定的电压拟合曲线与当前实际情况不符,对此,可以设置阈值时长(例如阈值时长为24小时),当模数转换器的连续工作时长达到24小时后,重复执行上述步骤S301至S314的方法。另外,也可以这样配置:半导体检测设备每开机或重启一次,或者安装在该设备上的检测程序被重新运行时,均执行上述步骤S301至S314的方法一次。
本申请实施例还提供了一种半导体检测设备,该半导体检测设备包括机壳和收纳在该机壳中的上述半导体检测电路。
本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质,存储有程序指令,当该程序指令被计算机(例如半导体检测设备)执行时,使计算机上述的半导体检测方法。
Claims (9)
1.一种半导体检测电路,其特征在于,包括:
多个电压输出电路,所述多个电压输出电路一一对应地连接到待检测的多个半导体器件,以分别为所述多个半导体器件提供工作电压,其中,每个所述半导体器件引出有电压侦测端;
多个基准电压源,所述多个基准电压具有互不重叠的电压输出范围和互不相同的电压输出精度;
基准电压切换模块,所述基准电压切换模块包括与所述多个基准电压源一一对应地连接的多个第一输入端、彼此并联的多个第一输出端、切换开关,其中,所述切换开关用于将所述多个第一输出端择一地连接到所述多个第一输入端中的每一个;
多个切换选择模块,每个所述切换选择模块包括具有第二输入端和第二输出端的放大电路、选择开关,其中,所述选择开关用于将所述第一输出端连接到所述第二输入端或者将所述电压侦测端连接到所述第二输入端;
多个模数转换器,所述多个模数转换器与所述多个切换选择模块一一对应地设置,并分别包括第三输入端和第三输出端,其中,所述第三输入端与所述第二输出端相连;
控制模块,所述控制模块分别连接所述基准电压源、所述基准电压切换模块、所述电压输出电路、所述切换选择模块和所述模数转换器;
其中,所述控制模块被配置为:
根据所述半导体器件的额定工作电压,选择对应的所述基准电压源连接到所述模数转换器,以确定出所述模数转换器的电压拟合曲线;
将所述电压侦测端连接到所述模数转换器,根据所述模数转换器输出的数字信号、所述半导体器件的额定工作电压和所述电压拟合曲线,调整所述电压输出电路的输出电压。
2.根据权利要求1所述的半导体检测电路,其特征在于,所述控制模块被配置为:
获取每个所述半导体器件的额定工作电压,得到多个额定工作电压;
判断所述多个额定工作电压中的每一个所处在的电压范围,并由此确定出所述多个额定工作电压中的P个额定工作电压处在第一电压范围内,所述多个额定工作电压中的另外Q个额定工作电压处在第二电压范围内,其中,所述第一电压范围为所述多个基准电压源中第一基准电压源的电压输出范围,所述第二电压范围为所述多个基准电压源中第二基准电压源的电压输出范围,所述P个额定工作电压所对应的P个半导体器件为第一半导体器件,所述Q个额定工作电压所对应的Q个半导体器件为第二半导体器件,P和Q为正整数;
使所述切换开关将所述多个第一输出端连接到一目标输入端,其中,所述目标输入端是与所述第一基准电压源对应的所述第一输入端;
控制所有所述第一半导体器件对应的电路部分同时执行下述操作:
使所述选择开关将所述第一输出端连接到所述第二输入端,
使所述第一基准电压源分时段地先后输出互不相同的多个第一基准电压,并在此过程中,获取每个时段下所述模数转换器输出的第一数字信号,得到多个第一数字信号,
根据所述多个第一基准电压和所述多个第一数字信号,确定出所述模数转换器的第一电压拟合曲线,
使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第二输入端,获取所述模数转换器输出的第二数字信号,
根据所述第二数字信号和所述第一电压拟合曲线,确定出所述第一半导体器件的第一当前工作电压,
根据所述第一当前工作电压与所述第一半导体器件的额定工作电压之间的差异,调整所述电压输出电路的输出电压,
在此之后,使所述切换开关将所述多个第一输出端连接到另一目标输入端,其中,所述另一目标输入端是与所述第二基准电压源对应的所述第一输入端;
控制所有所述第二半导体器件所对应的电路部分同时执行下述操作:
使所述选择开关将所述第一输出端连接到所述第二输入端,
使所述第二基准电压源分时段地先后输出互不相同的多个第二基准电压,并在此过程中,获取每个时段下所述模数转换器输出的第三数字信号,得到多个第三数字信号;
根据所述多个第二基准电压和所述多个第三数字信号,确定出所述模数转换器的第二电压拟合曲线,
使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第二输入端,获取所述模数转换器输出的第四数字信号,
根据所述第四数字信号和所述第二电压拟合曲线确定出所述第二半导体器件的第二当前工作电压,
根据所述第二当前工作电压与所述第二半导体器件的额定工作电压之间的差异,调整所述电压输出电路的输出电压。
3.根据权利要求2所述的半导体检测电路,其特征在于,在使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第一输入端之前,所述控制模块被配置为:使对应的所述电压输出电路输出各自的第一初始电压,所述第一初始电压是与该电压输出电路对应的那个第一半导体器件的额定工作电压;
在使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第二输入端之前,所述控制模块被配置为:使对应的所述电压输出电路输出各自的第二初始电压,所述第二初始电压是与该电压输出电路对应的那个第二半导体器件的额定工作电压。
4.根据权利要求1所述的半导体检测电路,其特征在于,所述半导体检测电路还包括:
地,用于提供接地电位;
其中,所述第三输入端包括正极输入端和负极输入端,所述模数转换器的接地端不经由所述地而直接与所述负极输入端连接。
5.一种电压校正方法,应用于如权利要求1至4中任一项所述的半导体检测电路,其特征在于,所述方法包括:
根据所述半导体器件的额定工作电压,选择对应的所述基准电压源连接到所述模数转换器,以确定出所述模数转换器的电压拟合曲线;
将所述电压侦测端连接到所述模数转换器,根据所述模数转换器输出的数字信号、所述半导体器件的额定工作电压和所述电压拟合曲线,调整所述电压输出电路的输出电压。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法包括:
获取每个所述半导体器件的额定工作电压,得到多个额定工作电压;
判断所述多个额定工作电压中的每一个所处在的电压范围,并由此确定出所述多个额定工作电压中的P个额定工作电压处在第一电压范围内,所述多个额定工作电压中的另外Q个额定工作电压处在第二电压范围内,其中,所述第一电压范围为所述多个基准电压源中第一基准电压源的电压输出范围,所述第二电压范围为所述多个基准电压源中第二基准电压源的电压输出范围,所述P个额定工作电压所对应的P个半导体器件为第一半导体器件,所述Q个额定工作电压所对应的Q个半导体器件为第二半导体器件,P和Q为正整数;
使所述切换开关将所述多个第一输出端连接到一目标输入端,其中,所述目标输入端是与所述第一基准电压源对应的所述第一输入端;
控制所有所述第一半导体器件对应的电路部分同时执行下述操作:
使所述选择开关将所述第一输出端连接到所述第二输入端,
使所述第一基准电压源分时段地先后输出互不相同的多个第一基准电压,并在此过程中,获取每个时段下所述模数转换器输出的第一数字信号,得到多个第一数字信号,
根据所述多个第一基准电压和所述多个第一数字信号,确定出所述模数转换器的第一电压拟合曲线,
使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第二输入端,获取所述模数转换器输出的第二数字信号,
根据所述第二数字信号和所述第一电压拟合曲线,确定出所述第一半导体器件的第一当前工作电压,
根据所述第一当前工作电压与所述第一半导体器件的额定工作电压之间的差异,调整所述电压输出电路的输出电压,
在此之后,使所述切换开关将所述多个第一输出端连接到另一目标输入端,其中,所述另一目标输入端是与所述第二基准电压源对应的所述第一输入端;
控制所有所述第二半导体器件所对应的电路部分同时执行下述操作:
使所述选择开关将所述第一输出端连接到所述第二输入端,
使所述第二基准电压源分时段地先后输出互不相同的多个第二基准电压,并在此过程中,获取每个时段下所述模数转换器输出的第三数字信号,得到多个第三数字信号;
根据所述多个第二基准电压和所述多个第三数字信号,确定出所述模数转换器的第二电压拟合曲线,
使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第二输入端,获取所述模数转换器输出的第四数字信号,
根据所述第四数字信号和所述第二电压拟合曲线确定出所述第二半导体器件的第二当前工作电压,
根据所述第二当前工作电压与所述第二半导体器件的额定工作电压之间的差异,调整所述电压输出电路的输出电压。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第一输入端之前,所述方法还包括:使对应的所述电压输出电路输出各自的第一初始电压,所述第一初始电压是与该电压输出电路对应的那个第一半导体器件的额定工作电压;
在使所述选择开关将所述电压侦测端连接到所述第二输入端之前,所述方法还包括:使对应的所述电压输出电路输出各自的第二初始电压,所述第二初始电压是与该电压输出电路对应的那个第二半导体器件的额定工作电压。
8.一种半导体检测设备,其特征在于,包括如权利要求1至4中任一项所述的半导体检测电路。
9.一种计算机可读存储介质,存储有程序指令,其特征在于,当所述程序指令被计算机执行时,使所述计算机执行如权利要求5至7中任一项所述的方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202410181599.7A CN117723800B (zh) | 2024-02-18 | 2024-02-18 | 半导体检测电路和方法、半导体检测设备和存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202410181599.7A CN117723800B (zh) | 2024-02-18 | 2024-02-18 | 半导体检测电路和方法、半导体检测设备和存储介质 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117723800A CN117723800A (zh) | 2024-03-19 |
CN117723800B true CN117723800B (zh) | 2024-05-07 |
Family
ID=90209268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202410181599.7A Active CN117723800B (zh) | 2024-02-18 | 2024-02-18 | 半导体检测电路和方法、半导体检测设备和存储介质 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117723800B (zh) |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5440305A (en) * | 1992-08-31 | 1995-08-08 | Crystal Semiconductor Corporation | Method and apparatus for calibration of a monolithic voltage reference |
JP2007155538A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Kodai Hitec:Kk | 電流電圧印加・測定装置及び半導体検査装置 |
CN101076053A (zh) * | 2007-06-21 | 2007-11-21 | 吴壬华 | 一种多通道光电隔离电压的测量方法及其电路 |
CN102868402A (zh) * | 2012-09-18 | 2013-01-09 | 上海航天测控通信研究所 | 一种测试模数转换器主要性能指标的测试方法 |
CN103048600A (zh) * | 2012-12-05 | 2013-04-17 | 电子科技大学 | 一种半导体器件反向击穿电压测试系统 |
JP2013201598A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | アナログデジタル変換装置及びアナログデジタル変換方法 |
CN103616629A (zh) * | 2013-12-02 | 2014-03-05 | 南阳理工学院 | 一种全自动二极管伏安特性测试装置 |
CN106124983A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-11-16 | 宁波强生电机有限公司 | 遇阻检测电路和遇阻检测方法 |
CN109884377A (zh) * | 2019-03-05 | 2019-06-14 | 常州索维尔电子科技有限公司 | 检测范围自动调节的霍尔信号测量装置及方法 |
CN110161313A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-08-23 | 中南大学 | 一种微差法与比例法结合的电阻高精度测量系统与方法 |
CN112698084A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-04-23 | 平高集团有限公司 | 一种电流检测电路 |
CN113418972A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-09-21 | 杭州超钜科技有限公司 | 具有多量程自动切换功能的水体重金属检测仪及检测方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019027843A (ja) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、物理量測定装置、電子機器及び移動体 |
US11536773B2 (en) * | 2020-12-10 | 2022-12-27 | Texas Instruments Incorporated | Digital correction algorithms to improve battery voltage measurement accuracy |
-
2024
- 2024-02-18 CN CN202410181599.7A patent/CN117723800B/zh active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5440305A (en) * | 1992-08-31 | 1995-08-08 | Crystal Semiconductor Corporation | Method and apparatus for calibration of a monolithic voltage reference |
JP2007155538A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Kodai Hitec:Kk | 電流電圧印加・測定装置及び半導体検査装置 |
CN101076053A (zh) * | 2007-06-21 | 2007-11-21 | 吴壬华 | 一种多通道光电隔离电压的测量方法及其电路 |
JP2013201598A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | アナログデジタル変換装置及びアナログデジタル変換方法 |
CN102868402A (zh) * | 2012-09-18 | 2013-01-09 | 上海航天测控通信研究所 | 一种测试模数转换器主要性能指标的测试方法 |
CN103048600A (zh) * | 2012-12-05 | 2013-04-17 | 电子科技大学 | 一种半导体器件反向击穿电压测试系统 |
CN103616629A (zh) * | 2013-12-02 | 2014-03-05 | 南阳理工学院 | 一种全自动二极管伏安特性测试装置 |
CN106124983A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-11-16 | 宁波强生电机有限公司 | 遇阻检测电路和遇阻检测方法 |
CN109884377A (zh) * | 2019-03-05 | 2019-06-14 | 常州索维尔电子科技有限公司 | 检测范围自动调节的霍尔信号测量装置及方法 |
CN110161313A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-08-23 | 中南大学 | 一种微差法与比例法结合的电阻高精度测量系统与方法 |
CN112698084A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-04-23 | 平高集团有限公司 | 一种电流检测电路 |
CN113418972A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-09-21 | 杭州超钜科技有限公司 | 具有多量程自动切换功能的水体重金属检测仪及检测方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
一种蓄电池电压的无源隔离监测方法;黄俊;凌志斌;蔡旭;;电工电能新技术;20111015(04);全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN117723800A (zh) | 2024-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8587262B2 (en) | Assembled battery monitoring apparatus, method for detecting wiring disconnection of assembled battery, and assembled battery system | |
US20080018324A1 (en) | Voltage-impressed current measuring apparatus and current buffers with switches used therefor | |
CN109143032B (zh) | 一种电路板自检测系统 | |
CN102237026B (zh) | 用于液晶显示器来源驱动器的内建自测试电路及方法 | |
US20100308835A1 (en) | Voltage monitoring device for assembled battery | |
US20100153054A1 (en) | Test apparatus and diagnosis method | |
CN112698240A (zh) | 开短路测试装置 | |
US20230019539A1 (en) | Temperature detection device and method using sets of dc voltages | |
US8044638B2 (en) | Monitoring system for monitoring low voltage disconnecting value of secondary batteries and method for the same | |
CN117723800B (zh) | 半导体检测电路和方法、半导体检测设备和存储介质 | |
JP2007304006A (ja) | 2次電池充放電検査装置及び2次電池充放電検査方法 | |
CN109412392B (zh) | 一种多通道电源并机系统及方法 | |
CN211627773U (zh) | 多通道充放电参数校准系统 | |
CN110703117A (zh) | 一种便携式蓄电池性能测试装置 | |
CN116545393A (zh) | 一种精密输出放大电路、应用该电路的负载检测电路及装置 | |
CN113985109B (zh) | 微弱电流测量的装置和系统 | |
CN214201694U (zh) | 一种64通道继电器电压电阻测量装置 | |
CN113900003A (zh) | 芯片引脚的断线检测装置及检测方法 | |
RU2406225C2 (ru) | Автоматизированная контрольно-проверочная аппаратура | |
CN112230136A (zh) | 一种64通道继电器电压电阻测量装置 | |
CN111190047B (zh) | 一种电流采集诊断电路及其失效诊断方法 | |
JPH11326441A (ja) | 半導体試験装置 | |
CN116859223B (zh) | 针对vi源的在线自检方法、电路及vi源 | |
KR20040084087A (ko) | 피엘씨 아날로그 입력 모듈 | |
CN219871530U (zh) | 电压量测装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |