CN117713772A - 用于场效应管的驱动电路和桥臂驱动电路及车载充电设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种用于场效应管的驱动电路和桥臂驱动电路及车载充电设备。在场效应管的驱动电路中，所述开通单元通过所述驱动信号线向所述场效应管提供驱动信号；所述第一关断及串扰抑制单元一端与所述开通单元电连接，另一端连接至所述地信号线；所述第二串扰抑制单元并联于所述钳位稳压单元；所述负压建立单元一端电连接至所述开通单元，另一端与所述场效应管相连；所述钳位稳压单元连接在驱动信号线与地信号线之间；其中，所述第一关断及串扰抑制单元还与所述负压建立单元一起用于所述场效应管的负压关断。根据本申请的技术方案有利于降低串扰对场效应管的影响。

Description

用于场效应管的驱动电路和桥臂驱动电路及车载充电设备

技术领域

本发明涉及电力电子技术领域，具体涉及一种用于场效应管的驱动电路和桥臂驱动电路及车载充电设备。

背景技术

碳化硅是宽禁带器件，符合电力电子设备高频化，高效率和高功率密度化的发展趋势。碳化硅晶体管Ciss远小于Si-MOSFET，Vth更低，在高速开关下面临更大的串扰问题。串扰不仅会使MOS沟道开启产生损耗，甚至会造成直通损坏。在SiC-MOS快速开通和关断以实现低开关损耗的同时，实现串扰抑制是驱动电路的设计关键。

发明内容

本申请旨在提供用于场效应管的驱动电路和桥臂驱动电路及车载充电设备，能够在在实现双极性驱动开关管高速开通关断的同时为串扰提供低阻抗路径，保证了器件的可靠性。

根据本申请的一方面，提供一种用于场效应管的驱动电路，所述场效应管具有寄生电容，所述驱动电路包括驱动信号线、地信号线、开通单元、第一关断及串扰抑制单元、负压建立单元、第二串扰抑制单元、钳位稳压单元，其中：

所述开通单元通过所述驱动信号线向所述场效应管提供驱动信号；

所述负压建立单元的输入端电连接至所述开通单元且输出端与所述场效应管相连；

所述第一关断及串扰抑制单元具有第一端、第二端和控制端，所述第一端电连接至所述负压建立单元的输入端，所述第二端电连接至所述地信号线，所述控制端电连接至驱动信号线输入端子；

所述第二串扰抑制单元的第一端电连接至负压建立单元的输入端，第二端电连接至所述地信号线；

所述钳位稳压单元的第一端电连接至所述负压建立单元的输出端，第二端电连接至所述地信号线；

其中，所述第一关断及串扰抑制单元与所述负压建立单元一起用于所述场效应管的负压关断。

根据一些实施例，所述寄生电容包括栅漏寄生电容、栅源寄生电容及源漏寄生电容；

所述场效应管的栅极通过所述开通单元与所述驱动信号线电连接，所述场效应管的源极与所述地信号线电连接；

所述第二串扰抑制单元提供从所述源极向所述栅极的单向串扰电流路径。

根据一些实施例，所述开通单元包括：串联连接的开通电阻和第一二极管，所述第一二极管的负极电连接至所述负压建立单元。

根据一些实施例，所述第一关断及串扰抑制单元包括：

关断晶体管，所述关断晶体管的基极电连接至所述驱动信号输入端子，所述关断晶体管的发射极电连接至所述负压建立单元的输入端，所述关断晶体管的集电极直接电连接至地信号线；

关断电阻，电连接于所述驱动信号输入端子与所述关断晶体管的基极之间；

第一关断加速电容，电连接于所述基极与所述集电极之间。

根据一些实施例，所述负压建立单元包括第二电容。

根据一些实施例，所述第二串扰抑制单元包括：

第二二极管，所述第二二极管的正极电连接于所述源极。

根据一些实施例，所述钳位稳压单元包括：

稳压管；

与所述稳压管串联连接的第三二极管，所述第三二极管的负极与所述源极电连接。

根据一些实施例，前述驱动电路还包括：

稳压限流电阻，与所述负压建立单元并联连接；

下拉电阻，并联于所述栅极与所述源极之间。

根据一些实施例，所述场效应管包括碳化硅场效应管。

根据本申请的另一方面，提供一种桥臂驱动电路，包括：

桥臂，包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，所述第一场效应晶体管的源极与所述第二场效应晶体管的漏极电连接；

第一驱动电路，包括前述任一驱动电路，用于驱动所述第一场效应晶体管；

第二驱动电路，包括前述任一驱动电路，用于驱动所述第二场效应晶体管。

根据一些实施例，桥臂驱动电路还包括：自举电容和自举二极管，串联连接于电源与所述第一场效应晶体管的源极之间。

根据本申请的另一方面，还提供一种车载充电设备，包括前述任一驱动电路或任一桥臂驱动电路。

根据本申请的实施例，通过第一关断及串扰抑制单元和第二串扰抑制单元形成独立的单向串扰抑制低阻抗路径，有利于降低串扰对场效应管的影响。同时，第一关断及串扰抑制单元还可与负压建立单元形成放电路径，用于场效应管的负压关断，进一步提供了电路关断的可靠性和经济性。此外，通过钳位稳压单元可使得栅源电压被稳定钳位，有利于场效应管的稳定导通。

另外，根据一些实施例的驱动电路在自举应用中可实现更快的负压建立。

根据一些实施例，关断晶体管的基极电连接至所述驱动信号输入端子，发射极电连接至第一二极管与第二电容之间的节点，集电极直接电连接至地信号线，第一关断加速电容电连接于所述基极与所述集电极之间。由此，根据示例实施例的第一关断及串扰抑制单元可形成更低阻抗的串扰电流路径，并且关断晶体管可加速关断，有利于抑制串扰影响。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1示出根据示例实施例用于场效应管的驱动电路示意框图。

图2示出根据示例实施例用于场效应管的驱动电路。

图3示出根据示例实施例的桥臂驱动电路。

图4示出根据示例实施例的桥臂驱动电路的串扰抑制原理。

图5示出根据示例实施例的桥臂驱动电路的串扰抑制原理。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本申请将全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。

附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理装置和/或微控制装置中实现这些功能实体。

附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解，而有的操作/步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。

应理解，虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种组件，但这些组件不应受这些术语限制。这些术语乃用以区分一组件与另一组件。因此，下文论述的第一组件可称为第二组件而不偏离本申请概念的教示。如本文中所使用，术语“及/或”包括相关联的列出项目中的任一个及一或多者的所有组合。

本申请所涉及的用户信息(包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等)和数据(包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等)，均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据，并且相关数据的收集、使用和处理需要遵守相关国家和地区的相关法律法规和标准，并提供有相应的操作入口，供用户选择授权或者拒绝。

本领域技术人员可以理解，附图只是示例实施例的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本申请所必须的，因此不能用于限制本申请的保护范围。

由于MOS管存在寄生参数，随着开关速度的提高，寄生电容和电感对驱动电路的影响变得不可忽略。MOS管栅极驱动电路可以等效看成RLC串联电路，不管是电流还是电压的发生改变都会引起栅极电位的变化，从而影响MOS管的工作状态。

与SiMOSFET、SiIGBT相比，SiC MOSFET通态电阻小、开通/关断时间短。此外SiCMOSFET的输入电容小，因此开关频率更高。因此，对MOS管栅极驱动电路可靠性设计提出更高的要求。在大电压条件下，当开关管切换开关状态时，互补开关管的漏端会承受很大的dv/dt,从而通过栅漏电容给MOS管的栅源电容充电，导致栅极承受很大的di/dt，由于出现大的di/dt，栅源电容被充电，导致栅极电位抬升，出现正电压尖峰，可能导致器件误开启，影响功率转换电路的正常工作。所以在SiC MOSFET桥式栅驱动电路中，应特别注意串扰现象带来的影响。此外，由于常规的两电平逆变器均是以半桥电路单元为基础的，因此半桥电路两个开关管寄生参数在高dv/dt条件下的相互影响串扰也不容忽视。目前，大部分驱动器的设计或者比较简单，没有考虑串扰的影响；或者采用复杂的方案解决串扰问题，导致成本上升。

为此，本申请提出一种技术方案，能够以一种简洁的方案解决串扰问题，保证开关工作的可靠性。

根据一些实施例，场效应管具有寄生电容，寄生电容包括栅漏寄生电容、栅源寄生电容及源漏寄生电容，寄生电容会影响场效应管的工作性能和稳定性。本申请的用于场效应管的驱动电路，包括驱动信号线、地信号线、开通单元、第一关断及串扰抑制单元、负压建立单元、第二串扰抑制单元、钳位稳压单元。

根据示例实施例，所述开通单元通过所述驱动信号线向所述场效应管提供驱动信号；所述负压建立单元的输入端电连接至所述开通单元且输出端与所述场效应管相连；所述第一关断及串扰抑制单元具有第一端、第二端和控制端，所述第一端电连接至所述负压建立单元的输入端，所述第二端电连接至所述地信号线，所述控制端电连接至驱动信号线输入端子；所述第二串扰抑制单元的第一端电连接至负压建立单元的输入端，第二端电连接至所述地信号线；所述钳位稳压单元的第一端电连接至所述负压建立单元的输出端，第二端电连接至所述地信号线；其中，所述第一关断及串扰抑制单元与所述负压建立单元一起用于所述场效应管的负压关断。

根据一些实施例，所述场效应管的栅极通过所述开通单元与所述驱动信号线电连接，所述场效应管的源极与所述地信号线电连接；所述第二串扰抑制单元提供从所述源极向所述栅极的单向串扰电流路径。

下面结合附图对本申请的示例实施例进行说明。

图1示出根据示例实施例用于场效应管的驱动电路示意框图。

参加图1，根据示例实施例用于场效应管的驱动电路包括开通单元101、第一关断及串扰抑制单元103、负压建立单元105、第二串扰抑制单元107、钳位稳压单元109。

如图1所示，场效应管具有栅漏寄生电容Cgd、栅源寄生电容Cgs及源漏寄生电容Cds。在场效应管工作于例如桥臂电路时，桥臂开关的打开和关断可能在寄生电容上引起串扰，导致器件损坏或电路不能正常工作。为此，提出根据示例实施例的电路结构。

参加图1，开通单元101串联于驱动信号输入端子与钳位稳压单元之间，用于提供驱动电压至场效应管的栅极。

第一关断及串扰抑制单元103并联在负压建立单元105的输入端与场效应管的源极之间，用于提供从栅极向源极的单向串扰电流路径。

负压建立单元105串联于开通单元101与钳位稳压单元109之间，用于建立负压以用于场效应管的关断，并可减少负压电源的使用。

第二串扰抑制单元107并联于负压建立单元105与场效应管的源极之间，用于提供从源极向栅极的单向串扰电流路径。

钳位稳压单元109并联于场效应管的栅极与源极之间，使得栅源电压Vgs被稳定钳位，用于场效应管的稳定导通。

根据示例实施例，第一关断及串扰抑制单元103还可与负压建立单元105串联形成放电路径，用于场效应管的负压关断。

根据示例实施例的技术方案，通过第一关断及串扰抑制单元103和第二串扰抑制单元107形成独立的单向串扰抑制低阻抗路径，有利于降低串扰对场效应管的影响。同时，第一关断及串扰抑制单元103还可与负压建立单元105形成放电路径，用于场效应管的负压关断，进一步提供了电路关断的可靠性和经济性。此外，通过钳位稳压单元109可使得栅源电压Vgs被稳定钳位，有利于场效应管的稳定导通。

图2示出根据示例实施例用于场效应管的驱动电路。

参见图2，根据示例实施例，开通单元101可包括串联连接的开通电阻R1和第一二极管D1，第一二极管D1的负极电连接至第二电容C2，该第二电容C2用作前述负压建立单元。

第一关断及串扰抑制单元103可包括关断晶体管Q1、关断电阻R2和第一关断加速电容C1。

关断晶体管Q1的基极电连接至驱动信号输入端子，发射极电连接至第一二极管D1与第二电容之间的节点，集电极直接电连接至地信号线。

关断电阻R2电连接于驱动信号输入端子与关断晶体管Q1的基极之间。第一关断加速电容C1电连接于基极与集电极之间。由此，根据示例实施例的第一关断及串扰抑制单元可形成更低阻抗的串扰电流路径，并且关断晶体管Q1可加速关断，有利于抑制串扰影响。

根据示例实施例，第一关断加速电容C1能够在存在正压开通串扰时加速Q1的开通，抑制正压浪涌电压。此外，在关断时，第一关断加速电容C1通过关断电阻R2放电，使Q1导通、Q2关断。

第二串扰抑制单元107可包括第二二极管D2，第二二极管D2的正极电连接于源极，为串扰电流提供低阻抗路径。

钳位稳压单元109可包括稳压管ZD1和与稳压管ZD1串联连接的第三二极管D3，第三二极管D3的负极与源极电连接。该稳压单元通过稳压管ZD1使得Vgs电压被箝位在稳压管的稳压电压Vzd上，通过低成本的简洁电路实现场效应管的稳定导通。

根据一些实施例，参见图2，驱动电路还可包括稳压限流电阻R3和下拉电阻R4。稳压限流电阻R3与第二电容C2并联连接，可用于对流经稳压管ZD1的电流进行保护限制。下拉电阻R4并联于栅极与源极之间，起到下拉作用。

根据示例实施例的驱动电路可用于碳化硅场效应管的驱动。易于理解，根据示例实施例的驱动电路也可用于其他开关管的驱动。

图3示出根据示例实施例的桥臂驱动电路。

参见图3，根据示例实施例的桥臂驱动电路包括桥臂及第一驱动电路和第二驱动电路。桥臂可包括第一场效应晶体管Q2H和第二场效应晶体管Q2L，第一场效应晶体管Q2H的源极与第二场效应晶体管Q2L的漏极电连接。

第一驱动电路和第二驱动电路可为根据前述实施例的场效应管驱动电路，第一驱动电路用于驱动第一场效应晶体管Q2H，第二驱动电路用于驱动第二场效应晶体管Q2L。

如图3所示，根据一些实施例，桥臂驱动电路还可包括自举电容Cboot和自举二极管Dboot。自举电容Cboot和自举二极管Dboot串联连接于电源Vcc与第一场效应晶体管Q2H的源极之间，从而在第二场效应晶体管Q2L开通时，Vcc给Cboot充电，以用于自举过程中。自举二极管Dboot连接于电源Vcc与驱动模块的第一正电源输入端子VDDH之间，可以防止对驱动模块的第二正电源输入端子VDDL造成影响。

参见图3，根据示例实施例，第一驱动电路可包括串联连接的开通电阻R1H和第一二极管D1H，第一二极管D1H的负极电连接至第二电容C2H，该第二电容C2H用作前述负压建立单元。

关断晶体管Q1H、关断电阻R2H和第一关断加速电容C1H可用作第一关断及串扰抑制单元。关断晶体管Q1H的基极电连接至驱动信号VoH，发射极电连接至第一二极管D1H与第二电容C2H之间的节点，集电极直接电连接至逻辑地VSSH。

关断电阻R2H电连接于驱动信号VoH与关断晶体管Q1H的基极之间。第一关断加速电容C1H电连接于基极与集电极之间。

第一关断加速电容C1H能够在存在正压开通串扰时加速Q1H的开通，抑制正压浪涌电压。此外，在关断时，第一关断加速电容C1H通过关断电阻R2H放电，使Q1H导通、Q2H关断。

第二二极管D2H用作第二串扰抑制单元。第二二极管D2H的正极电连接于源极，为串扰电流提供低阻抗路径。

稳压管ZD1H和与稳压管ZD1H串联连接的第三二极管D3H用作钳位稳压单元。第三二极管D3H的负极与源极电连接。通过稳压管ZD1H使得Vgs电压被箝位在稳压管的稳压电压Vzd上，通过低成本的简洁电路实现场效应管的稳定导通。

稳压限流电阻R3H与第二电容C2H并联连接，可用于对流经稳压管ZD1H的电流进行保护限制。下拉电阻R4H并联于栅极与源极之间，起到下拉作用。

参见图3，根据示例实施例，第二驱动电路可包括串联连接的开通电阻R1L和第一二极管D1L，第一二极管D1L的负极电连接至第二电容C2L，该第二电容C2L用作前述负压建立单元。

关断晶体管Q1L、关断电阻R2L和第一关断加速电容C1L可用作第一关断及串扰抑制单元。关断晶体管Q1L的基极电连接至驱动信号VoL，发射极电连接至第一二极管D1L与第二电容C2L之间的节点，集电极直接电连接至逻辑地VSSL。

关断电阻R2L电连接于驱动信号VoL与关断晶体管Q1L的基极之间。第一关断加速电容C1L电连接于基极与集电极之间。

第一关断加速电容C1L能够在存在正压开通串扰时加速Q1L的开通，抑制正压浪涌电压。此外，在关断时，第一关断加速电容C1L通过关断电阻R2L放电，使Q1L导通、Q2L关断。

第二二极管D2L用作第二串扰抑制单元。第二二极管D2L的正极电连接于源极，为串扰电流提供低阻抗路径。

稳压管ZD1L和与稳压管ZD1L串联连接的第三二极管D3L用作钳位稳压单元。第三二极管D3L的负极与源极电连接。通过稳压管ZD1L使得Vgs电压被箝位在稳压管的稳压电压Vzd上，通过低成本的简洁电路实现场效应管的稳定导通。

稳压限流电阻R3L与第二电容C2L并联连接，可用于对流经稳压管ZD1L的电流进行保护限制。下拉电阻R4L并联于栅极与源极之间，起到下拉作用。

图4示出根据示例实施例的桥臂驱动电路的串扰抑制原理。

下面以第二场效应晶体管Q2L的正压驱动产生和开通为例对电路工作原理进行说明。

参见图4，在第一场效应晶体管Q2H关闭的时候，第二场效应晶体管Q2L开通。VoL输出电压Vcc,经过开通电阻R1L、第一二极管D1L和稳压限流电阻R3L造成稳压管ZD1L齐纳击穿，栅源电压Vgs被箝位在稳压电压Vzd，RC常数为C2L*R1L，第二电容C2L电压为Vcc-Vzd。

正压开通串扰抑制原理如下。第二场效应晶体管Q2L开通时，产生反向位移电流经过寄生电容CgdH和第二电容C2H。第一关断加速电容C1H加速关断晶体管Q1H开通，位移电流通过关断晶体管Q1H回到第一场效应晶体管Q2H的源极。开通串扰路径上为低阻抗，因此能实现很好的正压浪涌电压抑制。

图5示出根据示例实施例的桥臂驱动电路的串扰抑制原理。

下面以第二场效应晶体管Q2L的负压驱动产生和关断为例对电路工作原理进行说明。

第二场效应晶体管Q2L关断时，驱动信号VoL输出电压0,第一关断加速电容C1L通过关断电阻R2L放电，关断晶体管Q1L的pn结产生正向电流，放大β倍后给栅源寄生电容CgsL放电使得第二场效应晶体管Q2L关断。关断后栅源电压Vgs为-VC2L＝Vzd-VCC。

负压关断串扰抑制原理如下。第二场效应晶体管Q2L关断时，由于电感L1的续流作用，位移电流经过寄生电容CgdH和第二电容C2H，此时第二二极管D2H导通。关断串扰路径上为低阻抗，因此能实现很好的负压浪涌电压抑制。

根据一些实施例，本申请的技术方案应用于车载充电设备。

需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置，可通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些服务接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。

作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

以上具体地展示和描述了本申请的示例性实施例。应可理解的是，本申请不限于这里描述的详细结构、设置方式或实现方法；相反，本申请意图涵盖包含在所附条款的精神和范围内的各种修改和等效设置。

Claims (12)

1.一种用于场效应管的驱动电路，所述场效应管具有寄生电容，其特征在于，所述驱动电路包括驱动信号线、地信号线、开通单元、第一关断及串扰抑制单元、负压建立单元、第二串扰抑制单元、钳位稳压单元，其中：

所述开通单元通过所述驱动信号线向所述场效应管提供驱动信号；

所述负压建立单元的输入端电连接至所述开通单元且输出端与所述场效应管相连；

所述第一关断及串扰抑制单元具有第一端、第二端和控制端，所述第一端电连接至所述负压建立单元的输入端，所述第二端电连接至所述地信号线，所述控制端电连接至驱动信号线输入端子；

所述第二串扰抑制单元的第一端电连接至负压建立单元的输入端，第二端电连接至所述地信号线；

所述钳位稳压单元的第一端电连接至所述负压建立单元的输出端，第二端电连接至所述地信号线；

其中，所述第一关断及串扰抑制单元与所述负压建立单元一起用于所述场效应管的负压关断。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，

所述寄生电容包括栅漏寄生电容、栅源寄生电容及源漏寄生电容；

所述场效应管的栅极通过所述开通单元与所述驱动信号线电连接，所述场效应管的源极与所述地信号线电连接；

所述第二串扰抑制单元提供从所述源极向所述栅极的单向串扰电流路径。

3.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述开通单元包括：串联连接的开通电阻和第一二极管，所述第一二极管的负极电连接至所述负压建立单元。

4.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一关断及串扰抑制单元包括：

关断晶体管，所述关断晶体管的基极电连接至所述驱动信号输入端子，所述关断晶体管的发射极电连接至所述负压建立单元的输入端，所述关断晶体管的集电极直接电连接至地信号线；

关断电阻，电连接于所述驱动信号输入端子与所述关断晶体管的基极之间；

第一关断加速电容，电连接于所述基极与所述集电极之间。

5.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述负压建立单元包括第二电容。

6.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述第二串扰抑制单元包括：

第二二极管，所述第二二极管的正极电连接于所述源极。

7.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述钳位稳压单元包括：

稳压管；

与所述稳压管串联连接的第三二极管，所述第三二极管的负极与所述源极电连接。

8.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，还包括：

稳压限流电阻，与所述负压建立单元并联连接；

下拉电阻，并联于所述栅极与所述源极之间。

9.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述场效应管包括碳化硅场效应管。

10.一种桥臂驱动电路，其特征在于，包括：

桥臂，包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，所述第一场效应晶体管的源极与所述第二场效应晶体管的漏极电连接；

第一驱动电路，包括根据权利要求1-9中任一项所述的驱动电路，用于驱动所述第一场效应晶体管；

第二驱动电路，包括根据权利要求1-9中任一项所述的驱动电路，用于驱动所述第二场效应晶体管。

11.根据权利要求10所述的桥臂驱动电路，其特征在于，还包括：

自举电容和自举二极管，串联连接于电源与所述第一场效应晶体管的源极之间。

12.一种车载充电设备，其特征在于，包括根据权利要求1-9任一项所述的驱动电路或根据权利要求10-11中任一项所述的桥臂驱动电路。