CN117712244A - 一种旋涂dbr结构制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于发光二极管外延技术领域，具体涉及一种旋涂DBR结构制备方法，包括：S1、选取蓝宝石或硅片作为基底；S2、将液体旋涂材料QHN和液体旋涂材料QLN交替旋涂堆叠在所述基底上；所述液体旋涂材料QHN和所述液体旋涂材料QLN交替堆叠11‑17层,并且最上层为液体旋涂材料QHN；所述液体旋涂材料QLN为氧化硅材料，折射率小于1.2；所述液体旋涂材料QHN为氧化钛材料，折射率大于2.1。本发明的旋涂DBR结构制备方法，操作方便，只需要旋涂机即可完成，并且获得的DBR结构具有极高的反射率。
Description
技术领域
本发明属于发光二极管外延技术领域，具体涉及一种旋涂DBR结构制备方法。
背景技术
DBR(distributed bragg reflector)即分布式布拉格反射器，是在波导中使用的反射器。当光经过不同介质时在界面的地方会反射，反射率的大小会与介质折射率大小有关，因此如果把不同折射率的薄膜交互周期性的堆叠在一起，当光经过这些不同折射率的薄膜时，由于各层反射回来的光因相位角的改变而进行建设性干涉，然后互相结合在一起，得到强烈反射光。
目前市场上使用的DBR结构多为真空镀膜机即CVD、PVD、ALD等设备沉积镀膜得到的，例如专利CN117107207A，CN1170396617A中的方法，然而上述方式设备启用成本相对较高，制备方法操作繁琐。
发明内容
本发明的目的在于解决上述问题，提供一种旋涂DBR结构制备方法。
为实现上述目的，本发明提供一种旋涂DBR结构制备方法，旋涂DBR结构制备方法，包括：
旋涂DBR结构制备方法，包括：
S1、选取蓝宝石或硅片作为基底；
S2、将液体旋涂材料QHN和液体旋涂材料QLN交替旋涂堆叠在所述基底上；
所述液体旋涂材料QHN和所述液体旋涂材料QLN交替堆叠11-17层,并且最上层为液体旋涂材料QHN；
所述液体旋涂材料QLN为氧化硅材料，折射率小于1.2；
所述液体旋涂材料QHN为氧化钛材料，折射率大于2.1。
进一步地，所述液体旋涂材料QHN旋涂时，旋涂膜层厚度为35nm—80nm。
进一步地，所述液体旋涂材料QHN旋涂时，旋涂转速为800rpm—1800rpm。
进一步地，所述液体旋涂材料QHN旋涂后包括：
第一次烘烤：烘烤温度130℃，时间1-3分钟；
第二次烘烤：烘烤温度300℃，温度1-4分钟。
进一步地，所述液体旋涂材料QLN旋涂时，旋涂膜层厚度为60nm—170nm。
进一步地，所述液体旋涂材料QLN旋涂时，旋涂转速为2000rpm—2800rpm。
进一步地，所述液体旋涂材料QLN旋涂后包括：
第一次烘烤：烘烤温度80℃，时间1-3分钟；
第二次烘烤：烘烤温度150℃，时间2-4分钟；
第三次烘烤：烘烤温度300℃，时间2-15分钟。
本发明的有益效果如下:
本发明的旋涂DBR结构制备方法，操作方便，只需要旋涂机即可完成，并且获得的DBR结构具有极高的反射率。
附图说明
图1示意性表示根据本发明一种实施方式的旋涂DBR结构制备方法制备的DBR结构示图；
图2示意性表示根据本发明一种实施方式旋涂液体旋涂材料QHN的流程图；
图3示意性表示根据本发明一种实施方式旋涂液体旋涂材料QLN的流程图；
图4示意性表示根据本发明实施例1的DBR结构波长与反射率曲线图；
图5示意性表示根据本发明实施例2的DBR结构波长与反射率曲线图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作详细地描述，实施方式不能在此一一赘述，但本发明的实施方式并不因此限定于以下实施方式。
结合图1-图3所示，本发明提供一种旋涂DBR结构制备方法，包括：S1、选取蓝宝石或硅片作为基底；S2、将液体旋涂材料QHN和液体旋涂材料QLN交替旋涂堆叠在所述基底上；所述液体旋涂材料QHN和所述液体旋涂材料QLN交替堆叠11-17层,并且最上层为液体旋涂材料QHN；所述液体旋涂材料QLN为氧化硅材料，折射率小于1.2；所述液体旋涂材料QHN为氧化钛材料，折射率大于2.1。
在本发明中，QHN为氧化钛，其制备方法参照专利ZL202311315821.X，QLN为二氧化硅，其制备方法参照专利CN117304719A，两种物质目前市场上均可以直接买到。
在本发明中，液体旋涂材料QHN旋涂时，旋涂膜层厚度为35nm—80nm旋涂转速为800rpm—1800rpm，液体旋涂材料QHN旋涂后包括：第一次烘烤：烘烤温度130℃，时间1-3分钟；第二次烘烤：烘烤温度300℃，温度1-4分钟。
在本发明中，液体旋涂材料QLN旋涂时，旋涂膜层厚度为60nm—170nm，旋涂转速为2000rpm—2800rpm。液体旋涂材料QLN旋涂后包括：第一次烘烤：烘烤温度80℃，时间1-3分钟；第二次烘烤：烘烤温度150℃，时间2-4分钟；第三次烘烤：烘烤温度300℃，时间2-15分钟。
本发明的旋涂DBR结构制备方法，操作方便，只需要旋涂机即可完成，并且获得的DBR结构具有极高的反射率。
以下以具体的实施例对本发明的旋涂DBR结构制备方法进行说明：
实施例1
使用硅片基底，QLN采用2500rpm转速旋涂，烘烤采用80℃1分钟+150℃2分钟+300℃3分钟。QHN采用1200rpm转速，烘烤采用130℃1分钟+300℃2分钟。通过15次旋涂烘烤可以得到15层DBR结构。如图4所示，通过以上条件可以看到在约630nm波长处DBR结构反射率达到100％高峰。
实施例2
使用蓝宝石基底，QLN采用2400rpm转速旋涂，烘烤采用80℃2分钟+150℃2分钟+300℃5分钟。QHN采用1050rpm转速，烘烤采用130℃1分钟+300℃2分钟。通过15次旋涂烘烤可以得到15层DBR结构。如图5所示，通过以上条件可以看到在约500nm波长处DBR结构反射率达到100％高峰。
以上所述仅为本发明的一个实施方式而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种旋涂DBR结构制备方法，包括：
S1、选取蓝宝石或硅片作为基底；
S2、将液体旋涂材料QHN和液体旋涂材料QLN交替旋涂堆叠在所述基底上；
所述液体旋涂材料QHN和所述液体旋涂材料QLN交替堆叠11-17层,并且最上层为液体旋涂材料QHN；
所述液体旋涂材料QLN为氧化硅材料，折射率小于1.2；
所述液体旋涂材料QHN为氧化钛材料，折射率大于2.1。
2.根据权利要求1所述的旋涂DBR结构制备方法，其特征在于，所述液体旋涂材料QHN旋涂时，旋涂膜层厚度为35nm—80nm。
3.根据权利要求2所述的旋涂DBR结构制备方法，其特征在于，所述液体旋涂材料QHN旋涂时，旋涂转速为800rpm—1800rpm。
4.根据权利要求3所述的旋涂DBR结构制备方法，其特征在于，所述液体旋涂材料QHN旋涂后包括：
第一次烘烤：烘烤温度130℃，时间1-3分钟；
第二次烘烤：烘烤温度300℃，温度1-4分钟。
5.根据权利要求4所述的旋涂DBR结构制备方法，其特征在于，所述液体旋涂材料QLN旋涂时，旋涂膜层厚度为60nm—170nm。
6.根据权利要求5所述的旋涂DBR结构制备方法，其特征在于，所述液体旋涂材料QLN旋涂时，旋涂转速为2000rpm—2800rpm。
7.根据权利要求6所述的旋涂DBR结构制备方法，其特征在于，所述液体旋涂材料QLN旋涂后包括：
第一次烘烤：烘烤温度80℃，时间1-3分钟；
第二次烘烤：烘烤温度150℃，时间2-4分钟；
第三次烘烤：烘烤温度300℃，时间2-15分钟。
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