CN117711971A - 干燥设备及基板处理设备 - Google Patents
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Abstract
本发明构思提供一种干燥设备及基板处理设备。基板处理设备包含:第一腔室,具有供应端口,以用于供应处理流体;第二腔室,与第一腔室结合限定处理空间;支承构件,用以支承处理空间中的基板;及挡板单元,安装在第一腔室中以面向供应端口,且其中挡板单元包含:第一挡板组合件,包含第一挡板,第一挡板具有处理流体流过的第一孔;及第二挡板组合件,安装在比第一挡板组合件更远离供应端口的位置,且包含具有处理流体流过的第二孔的第二挡板。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年09月15日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2022-0116364的韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文中所描述的本发明构思的实施方案是关于一种干燥设备及基板处理设备。
背景技术
本文中所描述的本发明构思的实施方案是关于一种干燥设备及基板处理设备。
为了制造半导体组件,经由诸如微影工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子植入工艺及薄膜沉积工艺的各种工艺,在诸如晶圆的基板上形成期望图案。针对每一工艺使用各种处理液体及处理气体,且在工艺期间产生颗粒及工艺副产物。为了移除这些颗粒且处理来自基板的副产物,在每一工艺之前及之后执行清洁工艺。
在一般的清洁工艺中,基板用化学品及冲洗液进行液体处理。此外,对基板进行干燥处理以移除残留在基板上的化学品及冲洗液。干燥工艺的实施方案可以包含通过高速旋转基板来移除残留在基板上的冲洗液的旋转干燥工艺。然而,存在对该旋转干燥方法可能会分解基板上形成的图案的担忧。
最近,已经使用超临界干燥工艺在基板上供应有机溶剂,诸如异丙醇(isopropanol,IPA),以用低表面张力的有机溶剂替换残留在基板上的冲洗液,且随后在基板上供应超临界干燥气体(例如,二氧化碳)以移除残留在基板上的有机溶剂。在超临界干燥工艺中,将干燥气体供应给内部密封的高压腔室,且对干燥气体进行加热及加压。干燥气体的温度及压力均高于临界点,且干燥气相变为超临界状态。处于超临界状态的干燥气体具有高溶解度及高渗透性。换而言之,如果将超临界干燥气体供应给基板,则干燥气体容易渗透至基板上的图案中,且残留在基板上的有机溶剂还容易溶解在干燥气体中。相应地,可以容易地移除基板上形成的图案之间残留的有机溶剂。
另一方面,为了使用超临界干燥气体对基板进行均匀干燥,将超临界干燥气体均匀供应给基板非常重要。例如,如果供应给基板的干燥气体经浓缩且供应于基板的中心区中,则在基板的中心区中可能会发生干燥过度,且处理液体的干燥可能不会在基板的边缘区中完全执行。在一些情况下,基板上可能会出现干燥标记。
为了将超临界干燥气体均匀地供应给基板,可以考虑形成许多具有小直径的端口以在高压腔室处供应干燥气体的方法,但该方法不合适,因为其可能增加高压腔室的制造成本,且可能使干燥气体难以保持超临界状态。此外,由于供应至高压腔室的干燥气体是在高压及高温状态下供应的,因此端口的直径有减小的限制。
发明内容
本发明构思的实施方案提供一种用于高效处理基板的干燥设备及基板处理设备。
本发明构思的实施方案提供一种用于提高相对于基板的干燥处理效率的干燥设备及基板处理设备。
本发明构思的实施方案提供一种用于均匀干燥基板的干燥设备及基板处理设备。
本发明构思的实施方案提供一种用于容易地改变供应至基板的处理流体的流动的干燥设备及基板处理设备。
本发明构思的实施方案提供一种用于增加腔室上形成的供应端口的数目或用于将处理流体均匀供应至基板而不使供应端口的直径变小的干燥设备及基板处理设备。
本发明构思的技术目标不限于上述目标,且根据以下描述,其他未提及的技术目标对于本领域技术人员变得明显。
本发明构思提供一种基板处理设备。基板处理设备包含:第一腔室,具有供应端口,以用于供应处理流体;第二腔室,与第一腔室结合限定处理空间;支承构件,用以支承处理空间中的基板;及挡板单元,安装在第一腔室中以面向供应端口,且其中挡板单元包含:第一挡板组合件,包含第一挡板,第一挡板具有处理流体流过的第一孔;及第二挡板组合件,安装在比第一挡板组合件更远离供应端口的位置,且包含具有处理流体流过的第二孔的第二挡板。
在实施方案中,第一挡板的直径小于第二挡板的直径。
在实施方案中,第一挡板及第二挡板彼此隔开安装以限定其间的缓冲空间。
在实施方案中,第二孔的至少一部分不与处理流体从供应端口的喷射方向上的第一孔重叠。
在实施方案中,第一挡板组合件包含:底板,与第一腔室隔开且利用固定装置固定安装;多个第一挡板,设置在底板上。
在实施方案中,多个第一挡板彼此堆叠,且多个第一挡板中的至少一个具有插入底板的至少一个支承突起的至少一个安装槽。
在实施方案中,第一挡板组合件包含:固定环,紧贴且固定至第一腔室;及多个堆叠的第一挡板,设置在固定环上。
在实施方案中,第二挡板组合件包含:间隙环,安装在第一腔室与第二挡板之间;及第二挡板,紧固至间隙环。
在实施方案中,第一孔的内径与第二孔的内径不同。
在实施方案中,第一孔的内径大于第二孔的内径。
在实施方案中,第一孔的内径为约1mm至约5mm,且第二孔的内径为约0.5mm至约1mm。
在实施方案中,第一腔室设置有:安装有第一挡板组合件的容纳空间;及容纳空间与第二挡板之间的缓冲空间。
在实施方案中,限定容纳空间的第一腔室的第一侧壁相对于水平面具有第一倾斜角,且限定缓冲空间的第一腔室的第二侧壁相对于水平面具有第二倾斜角,第一倾斜角大于第二倾斜角。
在实施方案中,容纳空间的深度比缓冲空间的深度更深。
本发明构思提供一种用于干燥残留在基板上的处理液体的干燥设备。干燥设备包含:顶部腔室,具有供应端口,以用于供应处理流体;底部腔室,与顶部腔室结合限定处理空间;升/降单元,用以升/降顶部腔室或底部腔室中的任一者;流体供应单元,用以将处理流体供应至供应端口;支承构件,用于在处理空间处支承基板;及挡板单元,安装在顶部腔室中以面向供应端口,且其中挡板单元包含:第一挡板,具有处理流体流过的第一孔;及第二挡板,与第一挡板隔开且位于第一挡板下方,且具有处理流体流过的第二孔,且其中第一挡板及第二挡板限定用于扩散由流体供应单元供应的处理流体的缓冲空间。
在实施方案中,第一孔的内径大于第二孔的内径。
在实施方案中,第一挡板的直径大于第二挡板的直径。
在实施方案中,顶部腔室设置有安装有第一挡板的容纳空间,容纳空间比缓冲空间更靠近供应端口,且容纳空间的深度比缓冲空间的深度更深,且限定容纳空间的顶部腔室的第一侧壁相对于水平面具有第一倾斜角,且限定缓冲空间的顶部腔室的第二侧壁相对于水平面具有第二倾斜角,第一倾斜角大于第二倾斜角。
在实施方案中,缓冲空间的直径在水平方向上大于容纳空间的直径。
本发明构思提供一种基板处理设备。基板处理设备包含:液体处理设备,用于用处理液体对基板进行液体处理;及干燥设备,用于干燥处理已在液体处理设备处用超临界状态的处理液体处理的基板,且其中干燥设备包含:顶部腔室,具有供应端口,以用于供应处理流体;底部腔室,与顶部腔室结合限定处理空间;夹紧单元,用以在将顶部腔室与底部腔室结合形成处理空间时,夹紧顶部腔室及底部腔室;升/降单元,用以升/降底部腔室,以改变顶部腔室与底部腔室之间的距离;流体供应单元,用以将处理流体供应至供应端口;支承构件,安装在顶部腔室中且支承基板以面向供应端口;及挡板单元,安装在顶部腔室中以面向供应端口,且其中顶部腔室设置有:容纳空间;及缓冲空间,处于容纳空间下方,且其中挡板单元包含:多个第一挡板,彼此堆叠且安装在容纳空间中,每一挡板具有第一孔;及第二挡板,安装成与多个第一挡板隔开且分隔缓冲空间与处理空间,且第二挡板具有第二孔,且其中第二挡板的直径大于第一挡板的直径。
根据本发明构思的实施方案,可以高效地处理基板。
根据本发明构思的实施方案,可以相对于基板提高干燥处理效率。
根据本发明构思的实施方案,可以容易地改变供应至基板的处理流体的流动。
根据本发明构思的实施方案,可以增加腔室处形成的供应端口的数目,或可以将处理流体均匀供应至基板而不使供应端口的直径变小。
本发明构思的效果不限于上述效果,且根据以下描述,其他未提及的效果对于本领域技术人员变得明显。
附图说明
根据以下结合以下图式的描述,上述及其他目标及特征将变得明显,其中,除非另有说明,否则在各图中,相同的组件符号是指相同的部分。
图1是示意性地说明根据本发明构思的实施方案的基板处理设备的平面图。
图2示意性地说明图1的液体处理设备的实施方案。
图3示意性地说明图1的干燥设备的实施方案。
图4说明图3的夹紧单元夹紧工艺腔室的状态。
图5说明根据本发明构思的第一实施方案的挡板单元。
图6说明如上所示的图5的底板。
图7说明如下所示的图5的底板。
图8说明图5的第一挡板如上所示地堆叠的状态。
图9说明图5的第一挡板如下所示地堆叠的状态。
图10说明第一挡板如上所示地设置在底板上的状态。
图11说明第一挡板如下所示地设置在底板上的状态。
图12说明根据本发明构思的第一实施方案的具有挡板单元的干燥设备中的处理流体的流动。
图13说明根据本发明构思的第二实施方案的挡板单元。
图14为图13的挡板单元及顶部腔室的示意性分解立体图。
图15说明根据本发明构思的第二实施方案的具有挡板单元的干燥设备中的处理流体的流动。
图16说明第一挡板的另一实施方案。
图17为图16的第一挡板中的任一者的一部分的放大图。
图18为示出根据本发明构思的实施方案在安装挡板单元的情况下及不安装挡板单元的情况下,处理流体的流动速率根据距基板的中心的距离的曲线图。
【符号说明】
10-索引模块;12-负载端口;14-索引框架;20-处理模块;30-控制器;120-索引机械臂;122、322-手部;124、324、554a-导轨;200-缓冲单元;220-缓冲器;300-传送设备;320-传送机械臂;400-液体处理设备;410、510-壳体;420-杯状件;422-第一回收容器;424-第二回收容器;426-第三回收容器;422a-第一入口;424a-第二入口;426a-第三入口;440-支承单元;442-支承板;442a-支承销;442b-卡盘销;444-驱动轴;446、554c-驱动器;460、560-流体供应单元;462-喷嘴;480、540-升/降单元;500-干燥设备;512-框架;514-中板;515-顶部空间;516-底部空间;520-工艺腔室;520a-处理空间;521、528-顶部腔室;521a、528a-顶部供应端口;521b-紧固槽;522-底部腔室;522a-底部供应端口;522b-排出端口;523-支承构件;524-阻挡构件;525-加热组件;525a-第一加热组件;525b-第二加热组件;526-密封构件;527-缓冲构件;542-升/降板;544-升/降轴;550-夹紧单元;551-第一夹紧构件;553-第二夹紧构件;554-第一移动组合件;554b-支架;555-第二移动组合件;561-顶部供应管线;562-顶部阀;563-底部供应管线;564-底部阀;570-排出单元;571-排出管线;572-排出阀;573-减压器;600、700-挡板单元;610、710-第一挡板组合件;611-底板;611a-插入槽;611b-支承突起;612-固定装置;613、713、813、813-1、813-2、813-3、813-4-第一挡板;613-1-1-1挡板;613-1g-安装槽;613-2-1-2挡板;613-3-1-3挡板;613-4-1-4挡板;613-1a、713a、813a-第一孔;630、730-第二挡板组合件;631、731-第二挡板;631a-第二孔;632、732-间隙环;711-固定环;A1-第一倾斜角;A2-第二倾斜角;BS-缓冲空间;C-容器;D1、D2、D3-直径;G-处理流体;H1-第一深度;H2-第二深度;P1、P2-直径;SS-容纳空间;X-第一方向;Y-第二方向;Z-第三方向;W-基板;W1-第一内壁;W2-第二内壁。
具体实施方式
本发明构思可以进行各种修改,且可以有各种形式,且其具体实施方案将在图式中说明且详细描述。然而,根据本发明构思而构思的实施方案不旨在限制所公开的具体形式,且应理解,本发明构思包含本发明构思的精神及技术范围中所包含的所有变形、等效物及替换。在本发明构思的描述中,当可能使本发明构思的本质不清楚时,可以省略相关已知技术的详细描述。
本文中所使用的术语仅出于描述特定实施方案的目的,而不旨在限制本发明构思。如本文中所使用,除非上下文另有明确指示,否则单数形式“一(a/an)”及“该(the)”还旨在包含复数形式。进一步将理解,术语“包括(comprises/comprising)”及/或“包含(includes/including)”在本说明书中使用时,指定所述特征、整数、步骤、操作、组件及/或元件的存在,但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、元件及/或其组。如本文中所使用,术语“及/或”包含一个或多个关联列出项的任意及所有组合。此外,术语“实例”旨在指实例或说明。
应理解,尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种组件、组件、区、层及/或区部,但此等组件、组件、区、层及/或区部不应受此等术语的限制。此等术语仅用于区分一个组件、组件、区、层或区部与另一区、层或区部。因此,下文论述的第一组件、组件、区、层或区部可以称为第二组件、组件、区、层或区部,而不脱离本发明构思的教示。
应理解,当组件或层被称为“在另一组件或层上”、“连接至另一组件或层”、“耦接至另一组件或层”或“覆盖另一组件或层”时,组件或层可以直接处于另一组件或层上、连接至、耦接至或覆盖另一组件或层,或可能存在中间组件或层。相反,当组件被称为“直接在另一组件或层上”、“直接连接至另一组件或层”或“直接耦接至另一组件或层”时,不存在中间组件或层。其他术语,诸如“在......之间”、“相邻”、“附近”或其类似者应以相同的方式解释。
除非另有定义,否则本文中所使用的所有术语包含技术或科学术语,具有与本领域技术人员普遍理解的、本发明构思所属的术语相同的含义。除非在本申请中明确定义,否则术语,诸如通常使用的字典中定义的术语,应解释为与相关技术的上下文一致,而不是理想或过于正式。
在下文中,将参照图1至图18描述本发明构思的实例实施方案。
图1是示意性地说明根据本发明构思的实施方案的基板处理设备的平面图。
参见图1,基板处理设备包含索引模块10、处理模块20及控制器30。索引模块10及处理模块20在方向上安置。在下文中,安置索引模块10及处理模块20的方向称为第一方向X,垂直于第一方向X的方向称为第二方向Y,且垂直于第一方向X及第二方向Y的方向称为第三方向Z。
索引模块10将基板(例如,晶圆)从储存有基板W的容器C传送至处理模块20,且将处理完成的基板储存在容器C中的处理模块20中。索引模块10的纵向方向设置在第二方向Y上。索引模块10具有负载端口12及索引框架14。索引框架14位于负载端口12与处理模块20之间。储存基板的容器C设置在负载端口12上。可以设置多个负载端口12,且多个负载端口12可以沿着第二方向Y安置。
针对容器C,可以使用诸如前开口统一舱FOUP的密封容器。容器C可以通过诸如架空传送、架空输送机或自动导向车辆的传送装置(未说明)或由操作者设置在负载端口12上。
索引框架14设置有索引机械臂120。在索引框架14中,可以设置具有第二方向Y上的纵向方向的导轨124,且索引机械臂120可以设置成沿着导轨124可移动。索引机械臂120可以包含设置基板W的手部122,且手部122可以向前及向后移动,可绕第三方向Z旋转,且可沿着第三方向Z移动。多个手部122设置成在向上/向下方向上隔开,且多个手部122可以向前及向后彼此独立地移动。
控制器30可以控制基板处理设备。控制器可包含:工艺控制器,例如执行基板处理设备的控制的微处理器(计算机);用户接口,例如操作者执行命令输入操作或其类似者以便管理基板处理设备的键盘、用于可视化及显示基板处理设备的操作情况的显示器及其类似者;及存储单元,存储用于在工艺控制器的控制下执行在基板处理设备中所执行的工艺的控工艺式、用于根据处理条件在每一组件中执行各种工艺的各种数据及程序(即处理配方)。另外,用户接口及存储单元可以连接至工艺控制器。处理配方可以存储在存储单元中的存储媒体中,且存储媒体可为硬盘,且还可为诸如CD-ROM或DVD的可携式磁盘,或诸如闪存的半导体内存。
控制器30可控制基板处理设备的配置,以使得基板处理设备相对于基板执行液体处理工艺及干燥工艺。例如,控制器30可控制索引模块10及处理模块20,使得基板处理设备相对于基板执行液体处理工艺及干燥工艺。
处理模块20包含缓冲单元200、传送设备300、液体处理设备400及干燥设备500。
缓冲单元200提供承载至处理模块20中的基板及从处理模块20载出的基板暂时停留的空间。液体处理设备400将液体供应至基板W上,以执行对基板W进行液体处理的液体处理工艺。干燥设备500执行移除基板W上残留的液体的干燥工艺。传送设备300将基板W在缓冲单元200、液体处理设备400以及干燥设备500之间进行传送。
传送设备300的纵向方向可设置在第一方向X上。缓冲单元200可安置在索引模块10与传送设备300之间。液体处理设备400及干燥设备500可以安置在传送设备300的一侧。液体处理设备400及传送设备300可以沿着第二方向Y安置。干燥设备500及传送设备300可以沿着第二方向Y安置。缓冲单元200可以位于传送设备300的一端。
根据实施方案,液体处理设备400可以安置在传送设备300的两侧,干燥设备500可以安置在传送设备300的两侧,且液体处理设备400可以安置在比干燥设备500更靠近缓冲单元200处。在一些实施方案中,在传送设备300的一侧及/或两侧,液体处理设备400可以沿着第一方向X及第三方向Z设置在AXB(A及B为大于1的自然数或1)数组中。此外,在传送设备300的一侧,干燥设备500可以沿着第一方向X及第三方向Z设置在CXD(C及D为大于1的自然数或1)数组中。与上述不同,在传送设备300的一侧可以仅设置液体处理设备400,且在传送设备300的另一侧可以仅设置干燥设备500。
传送设备300具有传送机械臂320。在传送设备300中,可以设置具有设置在第一方向X上的纵向方向的导轨324,且传送机械臂320可以设置成在导轨324上可移动。传送机械臂320可以包含设置基板W的手部322,且手部322可以设置成可向前及向后移动,可绕第三方向Z作为轴线旋转,且可沿着第三方向Z移动。多个手部322设置成在向上/向下方向上隔开,且多个手部322可以向前及向后彼此独立地移动。
缓冲单元200包含设置基板W的多个缓冲器220。多个缓冲器220可以安置成在第三方向Z上彼此隔开。打开缓冲单元200的正面及背面。正面为面向索引模块10的表面,且背面为面向传送设备300的表面。索引机械臂120可以通过正面接入缓冲单元200,且传送机械臂320可以通过背面接入缓冲单元200。
图2是示意性地说明图1的液体处理腔室的实施方案的视图。
参见图2,液体处理设备400包含壳体410、杯状件420、支承单元440、流体供应单元460及升/降单元480。
壳体410可以具有对基板W进行处理的内部空间。壳体410可以具有大致六面体形状。例如,壳体410可以具有长方体形状。此外,可以在壳体410中形成放入或取出基板W的开口(未示出)。此外,用于选择地打开及关闭开口的门(未示出)可以安装在壳体410中。
杯状件420可以具有带有敞开的顶部的容器形状。杯状件420可以具有处理空间,且基板W可以在处理空间中经液体处理。支承单元440在处理空间中支承基板W。流体供应单元460将处理液供应至由支承单元440支承的基板W上。处理液体可以多种类型提供,且可以依次供应至基板W上。升/降单元480调节杯状件420与支承单元440之间的相对高度。
在实施方案中,杯状件420具有多个回收容器(422、424及426)。回收容器(422、424及426)中的每一者具有用于回收用于基板处理的液体的回收空间。回收容器(422、424及426)中的每一者设置为围绕支承单元440的环形。在液体处理工艺期间,通过每一相应的回收容器(422、424及426)的入口(422a、424a及426a)将基板W旋转分散的处理液体引入回收空间。根据实施方案,杯状件420具有第一回收容器422、第二回收容器424及第三回收容器426。第一回收容器422安置成围绕支承单元440,第二回收容器424安置成围绕第一回收容器422,且第三回收容器426安置成围绕第二回收容器424。将液体引入第二回收容器424的第二入口424a可位于将液体引入第一回收容器422的第一入口422a上方,且将液体引入第三回收容器426的第三入口426a可位于第二入口424a上方。
支承单元440具有支承板442及驱动轴444。支承板442的顶表面以大致圆形形状设置,且可以具有大于基板W直径的直径。支承销442a设置在支承板442的中心部分处以支承基板W的底表面,且支承销442a设置成从支承板442突出,以使得基板W与支承板442隔开预定距离。卡盘销442b设置在支承板442的边缘。卡盘销442b设置成从支承板442向上突出,且支承基板W的一侧,以使得在基板W转动时,基板W由支承单元440稳定固持。驱动轴444由驱动器446驱动,连接至基板W的底表面的中心,且基于其中心轴线旋转支承板442。
根据实施方案,流体供应单元460可以包含喷嘴462。喷嘴462可以将处理液体供应至基板W。处理液体可以为化学品、冲洗液或有机溶剂。化学品可以为具有强酸性质或强碱性质的化学品。此外,冲洗液可以为去离子水。此外,有机溶剂可为异丙醇(IPA)。
此外,在图2中,以流体供应单元460仅有一个喷嘴462为例进行描述,但与此不同的是,流体供应单元460可以包含多个喷嘴462,且每一喷嘴462可以供应不同类型的处理液体。例如,喷嘴462中的一者可以供应化学品,喷嘴462中的另一者可以供应冲洗液,且喷嘴462中的又一者可以供应有机溶剂。此外,控制器30可以控制流体供应单元460在从喷嘴462中的另一者向基板W供应冲洗液之后,从喷嘴462中的又一者向基板W供应有机溶剂。相应地,可以用具有小表面张力的有机溶剂代替供应至基板W上的冲洗液。
升/降单元480将杯状件420在上/下方向上移动。通过杯状件420的上/下垂直移动改变杯状件420与基板W之间的相对高度。因此,根据供应至基板W的液体的类型,改变用于回收处理液体的回收容器(422、424、426),以使得能够分别回收液体。与上述不同,杯状件420固定安装,且升/降单元480可以将支承单元440在上/下方向上移动。
返回参见图1,在液体处理设备400中进行液体处理的基板可以由传送设备300传送至干燥设备500中。可以在从液体处理设备400传送至干燥设备500的基板上形成液膜。换而言之,可以将从液体处理设备400传送至干燥设备500的基板引入干燥设备500中,同时保持润湿状态。液膜可以由从液处理设备400供应的处理液体形成。例如,可以在从液体处理设备400传送至干燥设备500的基板上形成由有机溶剂制成的液膜。
图3示意性地说明图1的干燥设备的实施方案,且图4说明图3的夹紧单元夹紧工艺腔室的状态。
参见图3及图4,干燥设备500可以包含壳体510、工艺腔室520、升/降单元540、夹紧单元550、流体供应单元560、排出单元570及挡板单元600。
壳体510可为干燥设备500的框架。壳体510可以包含框架512及中板514。
框架512可以在其中具有空间。框架512可以具有在其中具有空间的圆柱形形状。后面描述的夹紧单元550的第一移动组合件554及第二移动组合件555可以安装在框架512中。
其中具有框架512的空间可以由中板514划分。框架512的空间可以由中板514分为顶部空间515及底部空间516。夹紧单元550的第一夹紧构件551及第二夹紧构件553可以安置在顶部空间515中。此外,工艺腔室520的顶部腔室521可以安置在顶部空间515中。升/降单元540的升/降板542及升/降轴544可以安置在底部空间516中。
此外,可以在中板514的中心区中形成开口。如后面所述,由升/降单元540升/降的底部腔室522可在顶部空间515与底部空间516之间移动。
工艺腔室520可以限定对基板W进行处理的处理空间520a。工艺腔室520可以包含顶部腔室521、底部腔室522、支承构件523、阻挡构件524、加热组件525、密封构件526及缓冲构件527。
顶部腔室521可以安装在底部腔室522上方。顶部腔室521及底部腔室522中的任一者的位置固定,且顶部腔室521及底部腔室522中的另一者的位置可以改变。例如,顶部腔室521的位置可以固定,而底部腔室522可以由升/降单元540在垂直方向上可移动。
顶部腔室521(第一腔室)与底部腔室522(第二腔室)可以彼此结合以限定处理空间520a。例如,如果后面将描述的升/降单元(540)将底部腔室522向上提升且使顶部腔室521及底部腔室522彼此密切接触,则可以将顶部腔室521与底部腔室522结合以限定处理空间520a。
顶部腔室521的顶表面可以具有阶梯形状。例如,顶部腔室521的顶表面中心区的高度可以高于顶表面边缘区的高度。底部腔室522的下表面可以具有阶梯形状。例如,底部腔室522的底表面中心区的高度可以低于底表面边缘区的高度。
底部腔室522的顶表面中心区可以在自上而下的方向上凹进。如果顶部腔室521与底部腔室522彼此结合,则凹进底部腔室522中的区可限定上述处理空间520a。
顶部腔室521及底部腔室522中的每一者可以由金属材料制成。
用于将由流体供应单元560供应的处理流体供应至基板W的顶部供应端口521a可以形成在顶部腔室521中。顶部供应端口521a可以形成为面向后面描述的支承构件523支承的基板W的顶表面。顶部供应端口521a可以在从上方观察时形成于顶部腔室521的中心。顶部供应端口521a的顶部部分可以具有恒定的直径,且顶部供应端口521a的底部部分可以具有从顶部至底部逐渐增大的直径的形状。
底部腔室522可以具有将由流体供应单元560供应的处理流体供应至处理空间520a的底部供应端口522a及向外部排出供应至处理空间520a的处理流体的排出端口522b。
排出端口522b可以在从底部腔室522从底侧观察时形成于底部腔室522的中心中。当从底部腔室522的底侧观察时,底部供应端口522a可以形成在底部腔室522的中心偏心的位置。
支承构件523可支承基板W。支承构件523可用以支承基板W的边缘区。支承构件523可安装在顶部腔室521中。支承构件523可以安装在顶部腔室521下。支承构件523可以具有大致环形的形状,但可以包含在朝向支承构件523的中心的方向上延伸的安装突起。基板W的边缘区的底表面可以设置在支承构件523的安装突起上。
阻挡构件524可以安装成面向形成于后面描述的底部腔室522处的底部供应端口522a。阻挡构件524可以包含具有板形状的板部分及安装在板部分下的多个支腿。阻挡构件524安装成面向底部供应端口522a,以主要阻挡由底部供应端口522a供应的处理流体。相应地,由底部供应端口522a供应的处理流体不会被浓缩且供应至基板W的底表面中心区,而是可以在处理空间520a中相对均匀地扩散,且随后可以传送至基板W。
加热组件525可以安装在顶部腔室521及底部腔室522中。加热组件525可以嵌入在顶部腔室521及底部腔室522内。加热组件525可以包含第一加热组件525a及第二加热组件525b。第一加热组件525a可以安装在顶部腔室521中,且第二加热组件525b可以安装在底部腔室522中。多个第一加热组件525a及多个第二加热组件525b可以嵌入在顶部腔室521及底部腔室522内。当从顶部腔室521的顶侧观察时,多个第一加热组件525a可以沿着周向方向埋设。当从底部腔室522的顶侧观察时,多个第二加热组件525b可以沿着周向方向埋设。
加热组件525可以为加热器。加热组件525可将处理空间520a的温度调节至处理流体可保持超临界状态的温度。
密封构件526可以密封由顶部腔室521及底部腔室522形成的处理空间520a。密封构件526可以安装在底部腔室522中形成的槽中。密封构件526可以具有环形形状。密封构件526可以由弹性材料形成。密封构件526可以由橡胶或弹性工程塑料材料形成。在顶部腔室521与底部腔室522密切接触之后,如果处理流体供应至处理空间520a且处理空间520a的压力增大,则可以利用处理空间520a的压力在彼此远离的方向上向顶部腔室521及底部腔室522施加力。由于该压力,即使顶部腔室521及底部腔室522不完全彼此密切接触,密封构件526还能够密封处理空间520a。
如果底部腔室522与顶部腔室521密切接触,则缓冲构件527可以减小顶部腔室521中可能发生的振动。缓冲构件527可以安装在顶部腔室521中。缓冲构件527可以由弹性材料形成。缓冲构件527可以为板片弹簧或螺旋弹簧。
升/降单元540可以升/降底部腔室522及顶部腔室521中的任一者。升/降单元540可以通过移动底部腔室522或顶部腔室521中的任一者来调节底部腔室522与顶部腔室521之间的相对距离。例如,升/降单元540可以提升及降低底部腔室522且密切接触顶部腔室521。升/降单元540可在向上方向上移动底部腔室522以将顶部腔室521与底部腔室522结合。顶部腔室521与底部腔室522可以彼此结合以形成上述处理空间520a。
升/降单元540可包含升/降板542及升/降轴544。底部腔室522可以安装在升/降板542的顶部。多个升/降轴544可安装在升/降板542下。升/降轴544可由未示出的驱动器伸长。例如,升/降轴544可为长度可以利用气动压力或液压在垂直方向上延长的圆柱体。
夹紧单元550可以夹紧工艺腔室520。如果处理空间520a的压力增大,则可以扩大顶部腔室521与底部腔室522之间的间隙,且即使处理空间520a的压力增大,夹紧单元550还可以使顶部腔室521与底部腔室522之间的距离最小化,以免变得过远。
夹紧单元550可以包含第一夹紧构件551、第二夹紧构件553、第一移动组合件554及第二移动组合件555。第一夹紧构件551及第二夹紧构件553可以安装在面向彼此的位置。第一夹紧构件551及第二夹紧构件553的内部形状可以具有与工艺腔室520的外部形状对应的形状。例如,顶部腔室521及底部腔室522结合在一起的工艺腔室520的一侧可以由第一夹紧构件551的内部夹紧,且工艺腔室520的另一侧可以由第二夹紧构件552的内部夹紧。
第一移动组合件554及第二移动组合件555可以具有彼此对称的结构。第一移动组合件554可以包含导轨554a、支架554b及驱动器554c。导轨554a可以位于壳体510的外部,且导轨554a可以安装在顶部腔室521及框架512上方。支架554b可用以沿着导轨554a可移动。支架554b可以连接至第一夹紧构件551。也就是说,如果驱动器554c沿着导轨554a改变支架554b的位置,则可以在水平方向上改变连接至支架554b的第一夹紧构件551的位置。
类似地,第二夹紧构件553的位置可以由第二移动组合件555在水平方向上改变。
如果升/降单元540使底部腔室522与顶部腔室521紧密接触,则夹紧单元550可以通过将第一夹紧构件551及第二夹紧构件553在水平方向上移动来夹紧顶部腔室521及底部腔室522。
流体供应单元560可以将处理流体供应至处理空间520a。处理流体可以以超临界状态供应至处理空间520a,或可以在处理空间520a中从气态转变为超临界状态。处理流体可以为含有二氧化碳(CO2)的气体。
流体供应单元560可以包含顶部供应管线561、顶部阀562、底部供应管线563及底部阀564。顶部供应管线561可从流体供应源(未示出)接收处理流体,且将处理流体供应至顶部供应端口521a。底部供应管线563可从流体供应源接收处理流体且将处理流体供应至底部供应端口522a。作为开/关阀的顶部阀562可以安装在顶部供应管线561上,且作为开/关阀的底部阀564可以安装在底部供应管线563上。
此外,至少一个加热器可以安装在顶部供应管线561及底部供应管线563上,尽管未示出,但可以升高供应至处理空间520a的处理流体的温度。
排出单元570可以将供应至处理空间520a的处理流体排出至外部。排出单元570可以包含连接至排出端口522b的排出管线571、安装在排出管线571中的排出阀572及提供减压的减压器573。排出阀572可以为开/关阀。减压器573可以为泵。
处理空间520a的压力可以通过流体供应单元560将处理流体供应至处理空间520a且通过从处理空间520a排出处理流体来调节。
挡板单元600可以允许从顶部供应端口521a供应的处理流体均匀供应至基板W。挡板单元600可以安装在顶部腔室521中。挡板单元600可以安装在设置在支承构件523上的基板W上方。挡板单元600可以安装在顶部腔室521中,以面向顶部供应端口521a。
图5说明根据本发明构思的第一实施方案的挡板单元。
参见图3及图5,挡板单元600可以安装在顶部腔室521中,以面向顶部供应端口521a。
首先,可以在顶部腔室521中形成容纳空间SS及缓冲空间BS。容纳空间SS可以为面向顶部供应端口521a的空间。缓冲空间BS可以为位于容纳空间SS下方的空间。缓冲空间BS及处理空间520a可以由后面描述的挡板单元600的第二挡板631分开。缓冲空间BS及容纳空间SS可以具有切割顶部部分的大致锥形形状。
在限定容纳空间SS的顶部腔室521的表面当中,相当于侧表面的第一内壁W1可以相对于水平面形成第一倾斜角A1。第一倾斜角A1可以是指由第一内壁W1相对于水平面形成的两个角度中的较小的角度。
作为限定缓冲空间BS的顶部腔室521的侧表面的第二内壁W2可以相对于水平面形成第二倾斜角A2。第二倾斜角A2可以是指由第二内壁W2相对于水平面形成的两个角度中的较小的角度。
第一倾斜角A1可以不同于第二倾斜角A2。例如,第一倾斜角A1可以为大于第二倾斜角A2的角度。总之,第一内壁W1可以比第二内壁W2具有更陡的角度。
此外,容纳空间SS的直径可以随着向下而增大。此外,缓冲空间BS的直径可以随着向下而增大。此外,如果从朝向由支承构件523支承的基板W的顶侧观察到容纳空间SS及缓冲空间BS,则缓冲空间BS的直径可以大于容纳空间SS。例如,容纳空间SS的直径中最大的直径P1可以小于缓冲空间BS的直径中最大的直径P2。此外,容纳空间SS的第一深度H1比缓冲空间BS的第二深度H2深。总之,容纳空间SS可以具有比缓冲空间BS的深度深的深度及比缓冲空间BS的倾斜角陡的倾斜角。
挡板单元600可以包含第一挡板组合件610及第二挡板组合件630。第一挡板组合件610可以安装在顶部供应端口521a正对的位置。第二挡板组合件630可以安装在比第一挡板组合件610低的位置,也就是说,安装在远离顶部供应端口521a的位置。
第一挡板组合件610可以包含底板611、固定装置612及第一挡板613。
图6说明从上方观察时的图5的底板,且图7说明从下方观察时的图5的底板。
参见图5、图6及图7,底板611可以具有在中心形成开口的大致圆圈形状。底板611可以具有基本上环形形状。在底板611的顶表面,可以形成插入固定装置612的插入槽611a。多个插入槽611a可以形成为在圆周方向上彼此隔开。插入槽611a可以包含插入固定装置612的头部的插入部分及从插入部分延伸的固定装置612的头部挂在的锁定部分。此外,用于支承第一挡板613的支承突起611b可以形成在底板611的内周上。多个支承突起611b可形成在底板611上,且支承突起611b可形成在底板611上,以在圆周方向上彼此隔开。
底板611可以固定安装在顶部腔室521中。例如,底板611可以利用固定装置612固定至顶部腔室521。底板611可以利用固定装置612固定以与顶部腔室521隔开。固定装置612的头部部分可以固定至底板611中形成的插入槽611a,且固定装置612的主体部分可以插入顶部腔室521中形成的紧固槽521b。固定装置612可以焊接且固定至紧固槽521b。然而,不限于此,且螺纹形成在紧固槽521b中,且固定装置612可以以螺纹方式固定至紧固槽521b。
图8说明图5的第一挡板及从上方观察时第一挡板堆叠的状态,图9说明图5的第一挡板及从下方观察时第一挡板堆叠的状态,图10说明从上方观察时第一挡板设置在底板上的状态,且图11说明从下方观察时第一挡板设置在底板上的状态。
参见图5及图8至图11,第一挡板组合件610可以包含多个第一挡板613。例如,第一挡板组合件610可以包含1-1挡板613-1、1-2挡板613-2、1-3挡板613-3及1-4挡板613-4。1-1挡板613-1、1-2挡板613-2、1-3挡板613-3及1-4挡板613-4可以称为本发明构思说明书中另有规定的第一挡板613。第一挡板613可以为其中形成有第一孔613-1a的多孔板。第一挡板613可以具有可以堆叠的结构。1-1挡板613-1、1-2挡板613-2、1-3挡板613-3及1-4挡板613-4可以以自下而上的顺序堆叠。堆叠的第一挡板613可以设置在底板611上。
底板611的支承突起611b插入的安装槽613-1g可以形成在位于第一挡板613的底部的1-1挡板613-1的底表面上。多个安装槽613-1g可以形成,且可以形成为在底板611的圆周方向上彼此隔开。安装槽613-1g的数目可以大于支承突起611b的数目。相应地,操作者更容易将堆叠的第一挡板613安装在底板611上。
返回参见图5,第二挡板组合件630可以包含第二挡板631及间隙环632。第二挡板631可以为形成有多个第二孔631a的多孔板。第二挡板631可以将缓冲空间BS与处理空间520a彼此分开。第二挡板631可以安装在缓冲空间BS下方及处理空间520a上方。
第二挡板631可以固定安装在顶部腔室521中。间隙环632可以安装在第二挡板631与顶部腔室521之间。间隙环632可以具有基本上环形形状。间隙环632可以为具有预定厚度的环形板。第一挡板613与第二挡板631之间可以通过间隙环632固定特定间隔。
此外,可以提供具有不同厚度的多个间隙环632。相应地,操作者可以根据待处理的基板W的类型或基板W所需的处理条件通过替换及安装间隙环632来通过调节第一挡板613与第二挡板631之间的间隔而改变工艺条件。
此外,第一挡板613的第一孔613-1a的内径与第二挡板631的第二孔631a的内径可以相同,或第一孔613-1a的内径可以小于第二孔631a的内径。例如,第一孔613-1a可以具有约1mm至约5mm的内径,且第二孔631a可以具有约0.5mm至约1mm的内径。
此外,第一挡板613的直径D1可以小于第二挡板631的直径D2。此外,底板611的直径D3可以大于第一挡板613的直径D1,且可以小于第二挡板631的直径D2。
此外,当从顶侧看到第一挡板613时,可以形成在第一挡板613中的一者中及与其相邻的第一挡板613中的另一者中形成的第一孔613-1a,以免彼此重叠。例如,在从上方看时,1-1挡板613-1中形成的第一孔613-1a及1-2挡板613-2中形成的第一孔613-1a可以形成为彼此不重叠。
图12说明根据本发明构思的第一实施方案的具有挡板单元的干燥设备中的处理流体的流动。
参见图3、图5及图12,如果干燥设备500设置有根据本发明构思的第一实施方案的挡板单元600,则通过顶部供应端口521a供应的处理流体G主要通过第一挡板组合件610阻挡。主要通过第一挡板组合件610阻挡的处理流体G可以通过第一挡板613中形成的第一孔613-1a流入缓冲空间BS,或可以在流入底板611与顶部腔室521之间的空间后流入缓冲空间BS。引入具有较大直径的缓冲空间BS的处理流体G可以扩散至缓冲空间BS中的较宽范围,且随后通过第二挡板631中形成的第二孔631a传送至基板W。
此外,如上所述,第一孔613-1a的内径可以大于第二孔631a的内径。如果第一孔613-1a的内径较小,则第一挡板613可以因通过顶部供应端口521a供应的处理流体G的压力过大而变形。此外,如果第二孔631a的内径较大,则处理流体G可能不会均匀供应至基板W。相应地,根据本发明构思的实施方案,可以使第一孔613-1a的内径大于第二孔631a的内径,从而可以解决过大压力施加至第一挡板613的问题及处理流体G不均匀供应至基板W的问题。
此外,如上所述,缓冲空间BS的直径D2可以大于容纳空间SS的直径D1。如果经过安装有第一挡板组合件610的容纳空间SS的处理流体G流入具有较大直径的缓冲空间BS,则处理流体G的流动速率可能减慢。如果处理流体G的流动速率减慢,则处理流体G不会立即供应至基板W,而是处理流体G先在缓冲空间BS中均匀扩散再供应至基板W,以使得处理流体能够相对均匀地供应至基板W。
图13说明根据本发明构思的第二实施方案的挡板单元,且图14为图13的挡板单元及顶部腔室的示意性分解立体图。
干燥设备500可以配备有根据下文描述的第二实施方案的挡板单元700,而不是根据第一实施方案的挡板单元600。此外,上述干燥设备500可以包含顶部腔室528而不是上述的顶部腔室521。由于干燥设备500的其他配置与上述实施方案的配置相同/相似,因此省略其重复描述。
参见图3、图13及图14,根据本发明构思的第二实施方案的挡板单元700可以包含第一挡板组合件710及第二挡板组合件730。
可以在顶部腔室528中形成容纳空间SS及缓冲空间BS。第一挡板组合件710可以安装在容纳空间SS中。缓冲空间BS可以位于容纳空间SS下方。由缓冲空间BS及工艺腔室520形成的处理空间520a可以由第二挡板组合件730的第二挡板731划分。
第一挡板组合件710可以包含固定环711及第一挡板713。彼此堆叠的多个第一挡板713可以设置在固定环711上。设置多个第一挡板713的固定环711可以插入顶部腔室528的容纳空间SS,且利用未示出的固定装置(诸如,螺栓或螺钉)固定。第一孔713a可以形成在第一挡板713中。第一孔713a可以具有与上述的第一孔613-1a相同的形状及内径。
第二挡板组合件730可以安装在第二挡板组合件下方。第二挡板组合件730可以包含第二挡板731及间隙环732。第二挡板731及间隙环732可以固定安装在顶部腔室528中。例如,第二挡板731可以固定安装在顶部腔室528中,且间隙环732可以位于第二挡板731与顶部腔室528之间。
第二孔731a可以形成在第二挡板731中。第二孔731a可以具有与上述的第二孔631a相同的形状及内径。第二挡板731可以与位于多个第一挡板713的底部的第一挡板713由间隙环732及固定环711隔开。
此外,第一挡板713的直径D1可以小于第二挡板731的直径D2。例如,第一挡板713的直径D1可以为约50mm至约150mm。例如,第一挡板713的直径D1可以为约100mm或约150mm。
图15说明根据本发明构思的第二实施方案的具有挡板单元的干燥设备中的处理流体的流动。
参见图13及图15,从顶部腔室528的顶部供应端口528a供应的处理流体G可以主要被第一挡板组合件710的第一挡板713阻挡,且随后通过在第一挡板713处形成的第一孔713a扩散至第一挡板713与缓冲空间BS的第二挡板731之间的空间。此时,由于缓冲空间BS具有大于第一挡板713直径的直径,因此处理流体G在缓冲空间BS中的扩散可以更加平滑。缓冲空间BS中扩散的处理流体G可以相对均匀地供应至基板W。
图16说明第一挡板的另一实施方案,且图17为图16的第一挡板中的任一者的一部分的放大图。
在上述实例中,第一挡板613及713描述为多孔板的实例,但本发明构思不限于此。例如,如图16及图17所示,第一挡板813可以经配置以使得多个第一挡板813-1、813-2、813-3及813-4可以彼此堆叠起,且可以设置为多孔板。此时,第一挡板813可以利用3D打印方法而不是在碟状板中形成孔的方法制造。第一挡板813中形成的第一孔813a的孔隙率可以由使用者根据基板W所需的处理条件进行不同调节。
图18为示出根据本发明构思的实施方案在安装挡板单元的情况下及不安装挡板单元的情况下,处理流体的流动速率根据距基板的中心的距离的曲线图。
在图18中,S1为示出在不使用本发明构思的挡板单元600及700的情况下根据与基板的中心的距离的处理流体的流动速率的曲线图,S2为示出在使用本发明构思的第二实施方案的挡板单元700且第一挡板713的直径D1为100mm的情况下根据与基板的中心的距离的处理流体的流动速率的曲线图,S3为示出在使用挡板单元700且第一挡板713的直径D1为150mm的情况下根据与基板的中心的距离的处理流体的流动速率的曲线图,且S4为在使用本发明构思的第二实施方案的挡板单元700且第一挡板713的直径D1为150mm的情况下根据与基板的中心的距离的处理流体的流动速率的曲线图。处理流体的流动速率可以为在基板W上方流动的处理流体的流动速率。尤其在根据第一实施方案的挡板单元600中,S1可以为仅使用第一挡板组合件610而不使用第二挡板组合件630的比较实例。
如图18所示,当不使用本发明构思的挡板单元600及700(即,在不使用双挡板组合件结构的情况下)时,根据与基板的中心的距离的处理流体的流动速率极不均匀。另一方面,如果使用根据本发明构思的实施方案的挡板单元600及700,则可以看出,根据与基板的中心的距离的处理流体的流动速率极均匀地改变。也就是说,本发明构思使用双挡板组合件结构,以允许处理流体相对均匀地传送至基板,从而使基板均匀干燥。
本发明构思的效果不限于上述效果,且本领域技术人员可以清楚地理解本发明构思所涉及的说明书及图式中未提及的效果。
尽管本发明构思的较佳实施方案迄今已被说明及描述,但本发明构思不限于上述具体实施方案,且应注意,本发明构思所属领域的一般技术人员可以在不脱离申请专利范围中所主张的发明构思的本质的情况下以多种方式执行本发明构思,且修改不应与本发明构思的技术精神或前景分开理解。
Claims (20)
1.一种基板处理设备,所述基板处理设备包括:
第一腔室,所述第一腔室具有供应端口、以用于供应处理流体;
第二腔室,所述第二腔室与所述第一腔室结合限定处理空间;
支承构件,所述支承构件用以支承所述处理空间中的基板;及
挡板单元,所述挡板单元安装在所述第一腔室中以面向所述供应端口,且
其中,所述挡板单元包含:
第一挡板组合件,所述第一挡板组合件包含第一挡板,所述第一挡板具有所述处理流体流过的第一孔;及
第二挡板组合件,所述第二挡板组合件安装在比所述第一挡板组合件更远离所述供应端口的位置、且包含具有所述处理流体流过的第二孔的第二挡板。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述第一挡板的直径小于所述第二挡板的直径。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备,其中,所述第一挡板及所述第二挡板彼此隔开安装以限定其间的缓冲空间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备,其中,所述第二孔的至少一部分不与所述处理流体从所述供应端口的喷射方向上的所述第一孔重叠。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备,其中,所述第一挡板组合件包括:
底板,所述底板与所述第一腔室隔开且利用固定装置固定安装;及
多个所述第一挡板,所述第一挡板设置在所述底板上。
6.根据权利要求5所述的基板处理设备,其中,多个所述第一挡板彼此堆叠;且
多个所述第一挡板中的至少一个具有插入所述底板的至少一个支承突起的至少一个安装槽。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备,其中,所述第一挡板组合件包括:
固定环,所述固定环紧贴且固定至所述第一腔室;及
堆叠的多个所述第一挡板,所述第一挡板设置在所述固定环上。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备,其中,所述第二挡板组合件包括:
间隙环,所述间隙环安装在所述第一腔室与所述第二挡板之间;及
所述第二挡板,所述第二挡板紧固至所述间隙环。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备,其中,所述第一孔的内径与所述第二孔的内径不同。
10.根据权利要求9所述的基板处理设备,其中,所述第一孔的所述内径大于所述第二孔的所述内径。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备,其中,所述第一孔的内径为约1mm至约5mm,且
所述第二孔的内径为约0.5mm至约1mm。
12.根据权利要求1或2所述的基板处理设备,其中,所述第一腔室设置有:
安装有所述第一挡板组合件的容纳空间;及
所述容纳空间与所述第二挡板之间的缓冲空间。
13.根据权利要求12所述的基板处理设备,其中,限定所述容纳空间的所述第一腔室的第一侧壁相对于水平面具有第一倾斜角,且限定所述缓冲空间的所述第一腔室的第二侧壁相对于所述水平面具有第二倾斜角,所述第一倾斜角大于所述第二倾斜角。
14.根据权利要求12所述的基板处理设备,其中,所述容纳空间的深度比所述缓冲空间的深度更深。
15.一种用于干燥残留在基板上的处理液体的干燥设备,所述干燥设备包括:
顶部腔室,所述顶部腔室具有供应端口,以用于供应所述处理流体;
底部腔室,所述底部腔室与所述顶部腔室结合限定处理空间;
升/降单元,所述升/降单元用以升/降所述顶部腔室或所述底部腔室中的任一者;
流体供应单元,所述流体供应单元用以将所述处理流体供应至所述供应端口;
支承构件,所述支承构件用于在所述处理空间处支承所述基板;及
挡板单元,所述挡板单元安装在所述顶部腔室中以面向所述供应端口,且
其中,所述挡板单元包含:
第一挡板,所述第一挡板具有所述处理流体流过的第一孔;及
第二挡板,所述第二挡板与所述第一挡板隔开且位于所述第一挡板下方,且具有所述处理流体流过的第二孔,且
其中,所述第一挡板及所述第二挡板限定用于扩散由所述流体供应单元供应的所述处理流体的缓冲空间。
16.根据权利要求15所述的干燥设备,其中,所述第一孔的内径大于所述第二孔的内径。
17.根据权利要求15所述的干燥设备,其中,所述第一挡板的直径大于所述第二挡板的直径。
18.根据权利要求15所述的干燥设备,其中,所述顶部腔室设置有安装有所述第一挡板的容纳空间,所述容纳空间比所述缓冲空间更靠近所述供应端口,
所述容纳空间的深度比所述缓冲空间的深度更深,且
限定所述容纳空间的所述顶部腔室的第一侧壁相对于水平面具有第一倾斜角,且限定所述缓冲空间的所述顶部腔室的第二侧壁相对于所述水平面具有第二倾斜角,所述第一倾斜角大于所述第二倾斜角。
19.根据权利要求18所述的干燥设备,其中,所述缓冲空间的直径在水平方向上大于所述容纳空间的直径。
20.一种基板处理设备,所述基板处理设备包括:
液体处理设备,所述液体处理设备用于用处理液体对基板进行液体处理;及
干燥设备,所述干燥设备用于干燥处理已在所述液体处理设备处用超临界状态的处理液体处理的基板,
其中所述干燥设备包括:
顶部腔室,所述顶部腔室具有供应端口、以用于供应所述处理流体;
底部腔室,所述底部腔室与所述顶部腔室结合限定处理空间;
夹紧单元,所述夹紧单元用以在将所述顶部腔室与所述底部腔室结合形成所述处理空间时,夹紧所述顶部腔室及所述底部腔室;
升/降单元,所述升/降单元用以升/降所述底部腔室,以改变所述顶部腔室与所述底部腔室之间的距离;
流体供应单元,所述流体供应单元用以将所述处理流体供应至所述供应端口;
支承构件,所述支承构件安装在所述顶部腔室中且支承基板以面向所述供应端口;及
挡板单元,所述挡板单元安装在所述顶部腔室中以面向所述供应端口,
其中,所述顶部腔室设置有:
容纳空间;及
缓冲空间,所述缓冲空间处于所述容纳空间下方,
其中,所述挡板单元包括:
多个第一挡板,所述多个第一挡板彼此堆叠且安装在所述容纳空间中,每一挡板具有第一孔;及
第二挡板,所述第二挡板安装成与多个所述第一挡板隔开且分隔所述缓冲空间与所述处理空间,且所述第二挡板具有第二孔,且
其中,所述第二挡板的直径大于所述第一挡板的直径。
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