TW202414641A - 乾燥設備及基板處理設備 - Google Patents

Abstract

本發明構思提供一種基板處理設備。基板處理設備包含：第一腔室，具有供應埠，以用於供應處理流體；第二腔室，與第一腔室結合限定處理空間；支撐構件，用以支撐處理空間中的基板；及擋板單元，安裝在第一腔室中以面向供應埠，且其中擋板單元包含：第一擋板組合件，包含第一擋板，第一擋板具有處理流體流過的第一孔；及第二擋板組合件，安裝在比第一擋板組合件更遠離供應埠的位置，且包含具有處理流體流過的第二孔的第二擋板。

Description

乾燥設備及基板處理設備

本文中所描述的本發明構思的實施例係關於一種乾燥設備及基板處理設備。

為了製造半導體元件，經由諸如微影製程、蝕刻製程、灰化製程、離子植入製程及薄膜沈積製程的各種製程，在諸如晶圓的基板上形成期望圖案。針對每一製程使用各種處理液體及處理氣體，且在製程期間產生顆粒及製程副產物。為了移除這些顆粒且處理來自基板的副產物，在每一製程之前及之後執行清潔製程。

在一般的清潔製程中，基板用化學品及沖洗液進行液體處理。此外，對基板進行乾燥處理以移除殘留在基板上的化學品及沖洗液。乾燥製程的實施例可以包含籍由高速旋轉基板來移除殘留在基板上的沖洗液的旋轉乾燥製程。然而，存在對該旋轉乾燥方法可能會分解基板上形成的圖案的擔憂。

最近，已經使用超臨界乾燥製程在基板上供應有機溶劑，諸如異丙醇(IPA)，以用低表面張力的有機溶劑替換殘留在基板上的沖洗液，且隨後在基板上供應超臨界乾燥氣體(例如，二氧化碳)以移除殘留在基板上的有機溶劑。在超臨界乾燥製程中，將乾燥氣體供應給內部密封的高壓腔室，且對乾燥氣體進行加熱及加壓。乾燥氣體的溫度及壓力均高於臨界點，且乾燥氣相變為超臨界狀態。處於超臨界狀態的乾燥氣體具有高溶解度及高滲透性。換言之，若將超臨界乾燥氣體供應給基板，則乾燥氣體容易滲透至基板上的圖案中，且殘留在基板上的有機溶劑亦容易溶解在乾燥氣體中。相應地，可以容易地移除基板上形成的圖案之間殘留的有機溶劑。

另一方面，為了使用超臨界乾燥氣體對基板進行均勻乾燥，將超臨界乾燥氣體均勻供應給基板非常重要。例如，若供應給基板的乾燥氣體經濃縮且供應於基板的中心區中，則在基板的中心區中可能會發生乾燥過度，且處理液體的乾燥可能不會在基板的邊緣區中完全執行。在一些情況下，基板上可能會出現乾燥標記。

為了將超臨界乾燥氣體均勻地供應給基板，可以考慮形成許多具有小直徑的埠以在高壓腔室處供應乾燥氣體的方法，但該方法不合適，因為其可能增加高壓腔室的製造成本，且可能使乾燥氣體難以保持超臨界狀態。此外，由於供應至高壓腔室的乾燥氣體係在高壓及高溫狀態下供應的，因此埠的直徑有減小的限制。

本文中所描述的本發明構思的實施例係關於一種乾燥設備及基板處理設備。

本發明構思的實施例提供一種用於高效處理基板的乾燥設備及基板處理設備。

本發明構思的實施例提供一種用於提高相對於基板的乾燥處理效率的乾燥設備及基板處理設備。

本發明構思的實施例提供一種用於均勻乾燥基板的乾燥設備及基板處理設備。

本發明構思的實施例提供一種用於容易地改變供應至基板的處理流體的流動的乾燥設備及基板處理設備。

本發明構思的實施例提供一種用於增加腔室上形成的供應埠的數目或用於將處理流體均勻供應至基板而不使供應埠的直徑變小的乾燥設備及基板處理設備。

本發明構思的技術目標不限於上述目標，且根據以下描述，其他未提及的技術目標對於熟習此項技術者變得明顯。

本發明構思提供一種基板處理設備。基板處理設備包含：第一腔室，具有供應埠，以用於供應處理流體；第二腔室，與第一腔室結合限定處理空間；支撐構件，用以支撐處理空間中的基板；及擋板單元，安裝在第一腔室中以面向供應埠，且其中擋板單元包含：第一擋板組合件，包含第一擋板，第一擋板具有處理流體流過的第一孔；及第二擋板組合件，安裝在比第一擋板組合件更遠離供應埠的位置，且包含具有處理流體流過的第二孔的第二擋板。

在實施例中，第一擋板的直徑小於第二擋板的直徑。

在實施例中，第一擋板及第二擋板彼此隔開安裝以限定其間的緩衝空間。

在實施例中，第二孔的至少一部分不與處理流體自供應埠的噴射方向上的第一孔重疊。

在實施例中，第一擋板組合件包含：底板，與第一腔室隔開且利用固定裝置固定安裝；複數個第一擋板，置放在底板上。

在實施例中，複數個第一擋板彼此堆疊，且複數個第一擋板中的至少一個具有插入底板的至少一個支撐突起的至少一個安裝槽。

在實施例中，第一擋板組合件包含：固定環，緊貼且固定至第一腔室；及複數個堆疊的第一擋板，置放在固定環上。

在實施例中，第二擋板組合件包含：間隙環，安裝在第一腔室與第二擋板之間；及第二擋板，緊固至間隙環。

在實施例中，第一孔的內徑與第二孔的內徑不同。

在實施例中，第一孔的內徑大於第二孔的內徑。

在實施例中，第一孔的內徑為約1 mm至約5 mm，且第二孔的內徑為約0.5 mm至約1 mm。

在實施例中，第一腔室設置有：安裝有第一擋板組合件的容納空間；及容納空間與第二擋板之間的緩衝空間。

在實施例中，限定容納空間的第一腔室的第一側壁相對於水平面具有第一傾斜角，且限定緩衝空間的第一腔室的第二側壁相對於水平面具有第二傾斜角，第一傾斜角大於第二傾斜角。

在實施例中，容納空間的深度比緩衝空間的深度更深。

本發明構思提供一種用於乾燥殘留在基板上的處理液體的乾燥設備。乾燥設備包含：頂部腔室，具有供應埠，以用於供應處理流體；底部腔室，與頂部腔室結合限定處理空間；升/降單元，用以升/降頂部腔室或底部腔室中的任一者；流體供應單元，用以將處理流體供應至供應埠；支撐構件，用於在處理空間處支撐基板；及擋板單元，安裝在頂部腔室中以面向供應埠，且其中擋板單元包含：第一擋板，具有處理流體流過的第一孔；及第二擋板，與第一擋板隔開且位於第一擋板下方，且具有處理流體流過的第二孔，且其中第一擋板及第二擋板限定用於擴散由流體供應單元供應的處理流體的緩衝空間。

在實施例中，第一孔的內徑大於第二孔的內徑。

在實施例中，第一擋板的直徑大於第二擋板的直徑。

在實施例中，頂部腔室設置有安裝有第一擋板的容納空間，容納空間比緩衝空間更靠近供應埠，且容納空間的深度比緩衝空間的深度更深，且限定容納空間的頂部腔室的第一側壁相對於水平面具有第一傾斜角，且限定緩衝空間的頂部腔室的第二側壁相對於水平面具有第二傾斜角，第一傾斜角大於第二傾斜角。

在實施例中，緩衝空間的直徑在水平方向上大於容納空間的直徑。

本發明構思提供一種基板處理設備。基板處理設備包含：液體處理設備，用於用處理液體對基板進行液體處理；及乾燥設備，用於乾燥處理已在液體處理設備處用超臨界狀態的處理液體處理的基板，且其中乾燥設備包含：頂部腔室，具有供應埠，以用於供應處理流體；底部腔室，與頂部腔室結合限定處理空間；夾緊單元，用以在將頂部腔室與底部腔室結合形成處理空間時，夾緊頂部腔室及底部腔室；升/降單元，用以升/降底部腔室，以改變頂部腔室與底部腔室之間的距離；流體供應單元，用以將處理流體供應至供應埠；支撐構件，安裝在頂部腔室中且支撐基板以面向供應埠；及擋板單元，安裝在頂部腔室中以面向供應埠，且其中頂部腔室設置有：容納空間；及緩衝空間，處於容納空間下方，且其中擋板單元包含：複數個第一擋板，彼此堆疊且安裝在容納空間中，每一擋板具有第一孔；及第二擋板，安裝成與複數個第一擋板隔開且分隔緩衝空間與處理空間，且第二擋板具有第二孔，且其中第二擋板的直徑大於第一擋板的直徑。

根據本發明構思的實施例，可以高效地處理基板。

根據本發明構思的實施例，可以相對於基板提高乾燥處理效率。

根據本發明構思的實施例，可以容易地改變供應至基板的處理流體的流動。

根據本發明構思的實施例，可以增加腔室處形成的供應埠的數目，或可以將處理流體均勻供應至基板而不使供應埠的直徑變小。

本發明構思的效果不限於上述效果，且根據以下描述，其他未提及的效果對於熟習此項技術者變得明顯。

本發明構思可以進行各種修改，且可以有各種形式，且其具體實施例將在圖式中說明且詳細描述。然而，根據本發明構思的構思的實施例不旨在限制所揭露的具體形式，且應理解，本發明構思包含本發明構思的精神及技術範疇中所包含的所有變形、等效物及替換。在本發明構思的描述中，當可能使本發明構思的本質不清楚時，可以省略相關已知技術的詳細描述。

本文中所使用的術語僅出於描述特定實施例的目的，而不旨在限制本發明構思。如本文中所使用，除非上下文另有明確指示，否則單數形式「一(a/an)」及「該(the)」亦旨在包含複數形式。進一步將理解，術語「包括(comprises/comprising)」及/或「包含(includes/including)」在本說明書中使用時，指定所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但不排除存在或添加一個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其組。如本文中所使用，術語「及/或」包含一個或多個關聯列出項的任意及所有組合。此外，術語「實例」旨在指實例或說明。

應理解，儘管本文中可以使用術語「第一」、「第二」、「第三」等來描述各種元件、組件、區、層及/或區部，但此等元件、組件、區、層及/或區部不應受此等術語的限制。此等術語僅用於區分一個元件、組件、區、層或區部與另一區、層或區部。因此，下文論述的第一元件、組件、區、層或區部可以稱為第二元件、組件、區、層或區部，而不脫離本發明構思的教示。

應理解，當元件或層被稱為「在另一元件或層上」、「連接至另一元件或層」、「耦接至另一元件或層」或「覆蓋另一元件或層」時，元件或層可以直接處於另一元件或層上、連接至、耦接至或覆蓋另一元件或層，或可能存在中間元件或層。相反，當元件被稱為「直接在另一元件或層上」、「直接連接至另一元件或層」或「直接耦接至另一元件或層」時，不存在中間元件或層。其他術語，諸如「在......之間」、「相鄰」、「附近」或其類似者應以相同的方式解釋。

除非另有定義，否則本文中所使用的所有術語包含技術或科學術語，具有與熟習此項技術者普遍理解的、本發明構思所屬的術語相同的含義。除非在本申請中明確定義，否則術語，諸如通常使用的字典中定義的術語，應解釋為與相關技術的上下文一致，而非理想或過於正式。

在下文中，將參照圖1至圖18描述本發明構思的實例實施例。

圖1係示意性地說明根據本發明構思的實施例的基板處理設備的平面圖。

參見圖1，基板處理設備包含索引模組10、處理模組20及控制器30。索引模組10及處理模組20在方向上安置。在下文中，安置索引模組10及處理模組20的方向稱為第一方向X，垂直於第一方向X的方向稱為第二方向Y，且垂直於第一方向X及第二方向Y的方向稱為第三方向Z。

索引模組10將基板(例如晶圓)自儲存有基板W的容器C傳送至處理模組20，且將處理完成的基板儲存在容器C中的處理模組20中。索引模組10的縱向方向設置在第二方向Y上。索引模組10具有負載埠12及索引框14。索引框14位於負載埠12與處理模組20之間。儲存基板的容器C置放在負載埠12上。可以設置複數個負載埠12，且複數個負載埠12可以沿著第二方向Y安置。

針對容器C，可以使用諸如前開口統一艙FOUP的密封容器。容器C可以籍由諸如架空傳送、架空輸送機或自動導向車輛的傳送裝置(未說明)或由操作者置放在負載埠12上。

索引框14設置有索引機器人120。在索引框14中，可以設置具有第二方向Y上的縱向方向的導軌124，且索引機器人120可以設置成沿著導軌124可移動。索引機器人120可以包含置放基板W的手部122，且手部122可以向前及向後移動，可繞第三方向Z旋轉，且可沿著第三方向Z移動。複數個手部122設置成在向上/向下方向上隔開，且複數個手部122可以向前及向後彼此獨立地移動。

控制器30可以控制基板處理設備。控制器可包含：製程控制器，例如執行基板處理設備的控制的微處理器(電腦)；使用者介面，例如操作者執行命令輸入操作或其類似者以便管理基板處理設備的鍵盤、用於可視化及顯示基板處理設備的操作情況的顯示器及其類似者；及儲存單元，儲存用於在製程控制器的控制下執行在基板處理設備中所執行的製程的控製程式、用於根據處理條件在每一組件中執行各種製程的各種資料及程式(即處理配方)。另外，使用者介面及儲存單元可以連接至製程控制器。處理配方可以儲存在儲存單元中的儲存媒體中，且儲存媒體可為硬碟，且亦可為諸如CD-ROM或DVD的可攜式磁碟，或諸如快閃記憶體的半導體記憶體。

控制器30可控制基板處理設備的組態，以使得基板處理設備相對於基板執行液體處理製程及乾燥製程。例如，控制器30可控制索引模組10及處理模組20，使得基板處理設備相對於基板執行液體處理製程及乾燥製程。

處理模組20包含緩衝單元200、傳送設備300、液體處理設備400及乾燥設備500。

緩衝單元200提供承載至處理模組20中的基板及自處理模組20載出的基板暫時停留的空間。液體處理設備400將液體供應至基板W上，以執行對基板W進行液體處理的液體處理製程。乾燥設備500執行移除基板W上殘留的液體的乾燥製程。傳送設備300將基板W在緩衝單元200、液體處理設備400以及乾燥設備500之間進行傳送。

傳送設備300的縱向方向可設置在第一方向X上。緩衝單元200可安置在索引模組10與傳送設備300之間。液體處理設備400及乾燥設備500可以安置在傳送設備300的一側。液體處理設備400及傳送設備300可以沿著第二方向Y安置。乾燥設備500及傳送設備300可以沿著第二方向Y安置。緩衝單元200可以位於傳送設備300的一端。

根據實施例，液體處理設備400可以安置在傳送設備300的兩側，乾燥設備500可以安置在傳送設備300的兩側，且液體處理設備400可以安置在比乾燥設備500更靠近緩衝單元200處。在一些實施例中，在傳送設備300的一側及/或兩側，液體處理設備400可以沿著第一方向X及第三方向Z設置在AXB (A及B為大於1的自然數或1)陣列中。此外，在傳送設備300的一側，乾燥設備500可以沿著第一方向X及第三方向Z設置在CXD (C及D為大於1的自然數或1)陣列中。與上述不同，在傳送設備300的一側可以僅設置液體處理設備400，且在傳送設備300的另一側可以僅設置乾燥設備500。

傳送設備300具有傳送機器人320。在傳送設備300中，可以設置具有設置在第一方向X上的縱向方向的導軌324，且傳送機器人320可以設置成在導軌324上可移動。傳送機器人320可以包含置放基板W的手部322，且手部322可以設置成可向前及向後移動，可繞第三方向Z作為軸線旋轉，且可沿著第三方向Z移動。複數個手部322設置成在向上/向下方向上隔開，且複數個手部322可以向前及向後彼此獨立地移動。

緩衝單元200包含置放基板W的複數個緩衝器220。複數個緩衝器220可以安置成在第三方向Z上彼此隔開。打開緩衝單元200的正面及背面。正面為面向索引模組10的表面，且背面為面向傳送設備300的表面。索引機器人120可以通過正面接入緩衝單元200，且傳送機器人320可以通過背面接入緩衝單元200。

圖2係示意性地說明圖1的液體處理腔室的實施例的視圖。

參見圖2，液體處理設備400包含殼體410、杯420、支撐單元440、流體供應單元460及升/降單元480。

殼體410可以具有對基板W進行處理的內部空間。殼體410可以具有大致六面體形狀。例如，殼體410可以具有長方體形狀。此外，可以在殼體410中形成放入或取出基板W的開口(未示出)。此外，用於選擇地打開及關閉開口的門(未示出)可以安裝在殼體410中。

杯420可以具有帶有敞開的頂部的容器形狀。杯420可以具有處理空間，且基板W可以在處理空間中經液體處理。支撐單元440在處理空間中支撐基板W。流體供應單元460將處理液供應至由支撐單元440支撐的基板W上。處理液體可以複數種類型提供，且可以依次供應至基板W上。升/降單元480調節杯420與支撐單元440之間的相對高度。

在實施例中，杯420具有複數個回收容器(422、424及426)。回收容器(422、424及426)中的每一者具有用於回收用於基板處理的液體的回收空間。回收容器(422、424及426)中的每一者設置為圍繞支撐單元440的環形。在液體處理製程期間，通過每一相應的回收容器(422、424及426)的入口(422a、424a及426a)將基板W旋轉分散的處理液體引入回收空間。根據實施例，杯420具有第一回收容器422、第二回收容器424及第三回收容器426。第一回收容器422安置成圍繞支撐單元440，第二回收容器424安置成圍繞第一回收容器422，且第三回收容器426安置成圍繞第二回收容器424。將液體引入第二回收容器424的第二入口424a可位於將液體引入第一回收容器422的第一入口422a上方，且將液體引入第三回收容器426的第三入口426a可位於第二入口424a上方。

支撐單元440具有支撐板442及驅動軸444。支撐板442的頂表面以大致圓形形狀設置，且可具有大於基板W的直徑的直徑。支撐銷442a設置在支撐板442的中心部分處以支撐基板W的底表面，且支撐銷442a設置成自支撐板442突出，以使得基板W與支撐板442隔開預定距離。卡盤銷442b設置在支撐板442的邊緣。卡盤銷442b設置成自支撐板442向上突出，且支撐基板W的一側，以使得在基板W轉動時，基板W由支撐單元440穩定固持。驅動軸444由驅動器446驅動，連接至基板W的底表面的中心，且基於其中心軸線旋轉支撐板442。

根據實施例，流體供應單元460可以包含噴嘴462。噴嘴462可以將處理液體供應至基板W。處理液體可為化學品、沖洗液或有機溶劑。化學品可為具有強酸性質或強鹼性質的化學品。此外，沖洗液可以為去離子水。此外，有機溶劑可為異丙醇(IPA)。

此外，在圖2中，以流體供應單元460僅有一個噴嘴462為例進行描述，但與此不同的係，流體供應單元460可以包含複數個噴嘴462，且每一噴嘴462可以供應不同類型的處理液體。例如，噴嘴462中的一者可以供應化學品，噴嘴462中的另一者可以供應沖洗液，且噴嘴462中的又一者可以供應有機溶劑。此外，控制器30可以控制流體供應單元460在自噴嘴462中的另一者向基板W供應沖洗液之後，自噴嘴462中的又一者向基板W供應有機溶劑。相應地，可以用具有小表面張力的有機溶劑代替供應至基板W上的沖洗液。

升/降單元480將杯420在上/下方向上移動。籍由杯420的上/下垂直移動改變杯420與基板W之間的相對高度。因此，根據供應至基板W的液體的類型，改變用於回收處理液體的回收容器(422、424、426)，以使得能夠分別回收液體。與上述不同，杯420固定安裝，且升/降單元480可以將支撐單元440在上/下方向上移動。

返回參見圖1，在液體處理設備400中進行液體處理的基板可以由傳送設備300傳送至乾燥設備500中。可以在自液體處理設備400傳送至乾燥設備500的基板上形成液膜。換言之，可以將自液體處理設備400傳送至乾燥設備500的基板引入乾燥設備500中，同時保持潤濕狀態。液膜可以由自液處理設備400供應的處理液體形成。例如，可以在自液體處理設備400傳送至乾燥設備500的基板上形成由有機溶劑製成的液膜。

圖3示意性地說明圖1的乾燥設備的實施例，且圖4說明圖3的夾緊單元夾緊製程腔室的狀態。

參見圖3及圖4，乾燥設備500可以包含殼體510、製程腔室520、升/降單元540、夾緊單元550、流體供應單元560、排出單元570及擋板單元600。

殼體510可為乾燥設備500的框架。殼體510可以包含框架512及中板514。

框架512可以在其中具有空間。框架512可以具有在其中具有空間的圓柱形形狀。後面描述的夾緊單元550的第一移動組合件554及第二移動組合件555可以安裝在框架512中。

其中具有框架512的空間可以由中板514劃分。框架512的空間可以由中板514分為頂部空間515及底部空間516。夾緊單元550的第一夾緊構件551及第二夾緊構件553可以安置在頂部空間515中。此外，製程腔室520的頂部腔室521可以安置在頂部空間515中。升/降單元540的升/降板542及升/降軸544可以安置在底部空間516中。

此外，可以在中板514的中心區中形成開口。如後面所述，由升/降單元540升/降的底部腔室522可在頂部空間515與底部空間516之間移動。

製程腔室520可以限定對基板W進行處理的處理空間520a。製程腔室520可以包含頂部腔室521、底部腔室522、支撐構件523、阻擋構件524、加熱元件525、密封構件526及緩衝構件527。

頂部腔室521可以安裝在底部腔室522上方。頂部腔室521及底部腔室522中的任一者的位置固定，且頂部腔室521及底部腔室522中的另一者的位置可以改變。例如，頂部腔室521的位置可以固定，而底部腔室522可以由升/降單元540在垂直方向上可移動。

頂部腔室521 (第一腔室)與底部腔室522 (第二腔室)可以彼此結合以限定處理空間520a。例如，若後面將描述的升/降單元(540)將底部腔室522向上提升且使頂部腔室521及底部腔室522彼此密切接觸，則可以將頂部腔室521與底部腔室522結合以限定處理空間520a。

頂部腔室521的頂表面可以具有階梯形狀。例如，頂部腔室521的頂表面中心區的高度可以高於頂表面邊緣區的高度。底部腔室522的下表面可以具有階梯形狀。例如，底部腔室522的底表面中心區的高度可以低於底表面邊緣區的高度。

底部腔室522的頂表面中心區可以在自上而下的方向上凹進。若頂部腔室521與底部腔室522彼此結合，則凹進底部腔室522中的區可限定上述處理空間520a。

頂部腔室521及底部腔室522中的每一者可以由金屬材料製成。

用於將由流體供應單元560供應的處理流體供應至基板W的頂部供應埠521a可以形成在頂部腔室521中。頂部供應埠521a可以形成為面向後面描述的支撐構件523支撐的基板W的頂表面。頂部供應埠521a可以在自上方觀察時形成於頂部腔室521的中心。頂部供應埠521a的頂部部分可以具有恆定的直徑，且頂部供應埠521a的底部部分可以具有具有自頂部至底部逐漸增大的直徑的形狀。

底部腔室522可以具有將由流體供應單元560供應的處理流體供應至處理空間520a的底部供應埠522a及向外部排出供應至處理空間520a的處理流體的排出埠522b。

排出埠522b可以在自底部腔室522自底側觀察時形成於底部腔室522的中心中。當自底部腔室522自底側觀察時，底部供應埠522a可以形成在底部腔室522的中心偏心的位置。

支撐構件523可支撐基板W。支撐構件523可用以支撐基板W的邊緣區。支撐構件523可安裝在頂部腔室521中。支撐構件523可以安裝在頂部腔室521下。支撐構件523可以具有大致環形的形狀，但可以包含在朝向支撐構件523的中心的方向上延伸的安裝突起。基板W的邊緣區的底表面可以置放在支撐構件523的安裝突起上。

阻擋構件524可安裝成面向形成於後面描述的底部腔室522處的底部供應埠522a。阻擋構件524可以包含具有板形狀的板部分及安裝在板部分下的複數個支腿。阻擋構件524安裝成面向底部供應埠522a，以主要阻擋由底部供應埠522a供應的處理流體。相應地，由底部供應埠522a供應的處理流體不會被濃縮且供應至基板W的底表面中心區，而係可以在處理空間520a中相對均勻地擴散，且隨後可以傳送至基板W。

加熱元件525可以安裝在頂部腔室521及底部腔室522中。加熱元件525可以嵌入在頂部腔室521及底部腔室522內。加熱元件525可以包含第一加熱元件525a及第二加熱元件525b。第一加熱元件525a可以安裝在頂部腔室521中，且第二加熱元件525b可以安裝在底部腔室522中。複數個第一加熱元件525a及複數個第二加熱元件525b可以嵌入在頂部腔室521及底部腔室522內。當自頂部腔室521的頂側觀察時，複數個第一加熱元件525a可以沿著周向方向埋設。當自底部腔室522的頂側觀察時，複數個第二加熱元件525b可以沿著周向方向埋設。

加熱元件525可以為加熱器。加熱元件525可將處理空間520a的溫度調節至處理流體可保持超臨界狀態的溫度。

密封構件526可以密封由頂部腔室521及底部腔室522形成的處理空間520a。密封構件526可以安裝在底部腔室522中形成的槽中。密封構件526可以具有環形形狀。密封構件526可以由彈性材料形成。密封構件526可以由橡膠或彈性工程塑料材料形成。在頂部腔室521與底部腔室522密切接觸之後，若處理流體供應至處理空間520a且處理空間520a的壓力增大，則可以利用處理空間520a的壓力在彼此遠離的方向上向頂部腔室521及底部腔室522施加力。由於該壓力，即使頂部腔室521及底部腔室522不完全彼此密切接觸，密封構件526亦能夠密封處理空間520a。

若底部腔室522與頂部腔室521密切接觸，則緩衝構件527可以減小頂部腔室521中可能發生的振動。緩衝構件527可以安裝在頂部腔室521中。緩衝構件527可以由彈性材料形成。緩衝構件527可以為板片彈簧或螺旋彈簧。

升/降單元540可以升/降底部腔室522及頂部腔室521中的任一者。升/降單元540可以籍由移動底部腔室522或頂部腔室521中的任一者來調節底部腔室522與頂部腔室521之間的相對距離。例如，升/降單元540可以提升及降低底部腔室522且密切接觸頂部腔室521。升/降單元540可在向上方向上移動底部腔室522以將頂部腔室521與底部腔室522結合。頂部腔室521與底部腔室522可以彼此結合以形成上述處理空間520a。

升/降單元540可包含升/降板542及升/降軸544。底部腔室522可以安裝在升/降板542的頂部。複數個升/降軸544可安裝在升/降板542下。升/降軸544可由未示出的驅動器伸長。例如，升/降軸544可為長度可以利用氣動壓力或液壓在垂直方向上延長的圓柱體。

夾緊單元550可夾緊製程腔室520。若處理空間520a的壓力增大，則可以擴大頂部腔室521與底部腔室522之間的間隙，且即使處理空間520a的壓力增大，夾緊單元550亦可以使頂部腔室521與底部腔室522之間的距離最小化，以免變得過遠。

夾緊單元550可以包含第一夾緊構件551、第二夾緊構件553、第一移動組合件554及第二移動組合件555。第一夾緊構件551及第二夾緊構件553可以安裝在面向彼此的位置。第一夾緊構件551及第二夾緊構件553的內部形狀可以具有與製程腔室520的外部形狀對應的形狀。例如，頂部腔室521及底部腔室522結合在一起的製程腔室520的一側可以由第一夾緊構件551的內部夾緊，且製程腔室520的另一側可以由第二夾緊構件552的內部夾緊。

第一移動組合件554及第二移動組合件555可以具有彼此對稱的結構。第一移動組合件554可以包含導軌554a、支架554b及驅動器554c。導軌554a可以位於殼體510的外部，且導軌554a可以安裝在頂部腔室521及框架512上方。支架554b可用以沿著導軌554a可移動。支架554b可以連接至第一夾緊構件551。亦即，若驅動器554c沿著導軌554a改變支架554b的位置，則可以在水平方向上改變連接至支架554b的第一夾緊構件551的位置。

類似地，第二夾緊構件553的位置可以由第二移動組合件555在水平方向上改變。

若升/降單元540使底部腔室522與頂部腔室521緊密接觸，則夾緊單元550可以籍由將第一夾緊構件551及第二夾緊構件553在水平方向上移動來夾緊頂部腔室521及底部腔室522。

流體供應單元560可以將處理流體供應至處理空間520a。處理流體可以以超臨界狀態供應至處理空間520a，或可以在處理空間520a中自氣態轉變為超臨界狀態。處理流體可以為含有二氧化碳(CO ₂)的氣體。

流體供應單元560可以包含頂部供應管線561、頂部閥562、底部供應管線563及底部閥564。頂部供應管線561可自流體供應源(未示出)接收處理流體，且將處理流體供應至頂部供應埠521a。底部供應管線563可自流體供應源接收處理流體且將處理流體供應至底部供應埠522a。作為開/關閥的頂部閥562可以安裝在頂部供應管線561上，且作為開/關閥的底部閥564可以安裝在底部供應管線563上。

此外，至少一個加熱器可以安裝在頂部供應管線561及底部供應管線563上，儘管未示出，但可以升高供應至處理空間520a的處理流體的溫度。

排出單元570可以將供應至處理空間520a的處理流體排出至外部。排出單元570可以包含連接至排出埠522b的排出管線571、安裝在排出管線571中的排出閥572及提供減壓的降壓器573。排出閥572可為開/關閥。降壓器573可為泵。

處理空間520a的壓力可以籍由流體供應單元560將處理流體供應至處理空間520a且籍由自處理空間520a排出處理流體來調節。

擋板單元600可允許自頂部供應埠521a供應的處理流體均勻供應至基板W。擋板單元600可安裝在頂部腔室521中。擋板單元600可以安裝在置放在支撐構件523上的基板W上方。擋板單元600可以安裝在頂部腔室521中，以面向頂部供應埠521a。

圖5說明根據本發明構思的第一實施例的擋板單元。

參見圖3及圖5，擋板單元600可以安裝在頂部腔室521中，以面向頂部供應埠521a。

首先，可以在頂部腔室521中形成容納空間SS及緩衝空間BS。容納空間SS可以為面向頂部供應埠521a的空間。緩衝空間BS可以為位於容納空間SS下方的空間。緩衝空間BS及處理空間520a可以由後面描述的擋板單元600的第二擋板631分開。緩衝空間BS及容納空間SS可以具有切割頂部部分的大致錐形形狀。

在限定容納空間SS的頂部腔室521的表面當中，相當於側表面的第一內壁W1可以相對於水平面形成第一傾斜角A1。第一傾斜角A1可以是指由第一內壁W1相對於水平面形成的兩個角度中的較小的角度。

作為限定緩衝空間BS的頂部腔室521的側表面的第二內壁W2可以相對於水平面形成第二傾斜角A2。第二傾斜角A2可以是指由第二內壁W2相對於水平面形成的兩個角度中的較小的角度。

第一傾斜角A1可以不同於第二傾斜角A2。例如，第一傾斜角A1可以為大於第二傾斜角A2的角度。總之，第一內壁W1可以比第二內壁W2具有更陡的角度。

此外，容納空間SS的直徑可以隨著向下而增大。此外，緩衝空間BS的直徑可以隨著向下而增大。此外，若自朝向由支撐構件523支撐的基板W的頂側觀察到容納空間SS及緩衝空間BS，則緩衝空間BS的直徑可以大於容納空間SS。例如，容納空間SS的直徑中最大的直徑P1可以小於緩衝空間BS的直徑中最大的直徑P2。此外，容納空間SS的第一深度H1比緩衝空間BS的第二深度H2深。總之，容納空間SS可以具有比緩衝空間BS的深度深的深度及比緩衝空間BS的傾斜角陡的傾斜角。

擋板單元600可以包含第一擋板組合件610及第二擋板組合件630。第一擋板組合件610可以安裝在頂部供應埠521a正對的位置。第二擋板組合件630可以安裝在比第一擋板組合件610低的位置，亦即，安裝在遠離頂部供應埠521a的位置。

第一擋板組合件610可以包含底板611、固定裝置612及第一擋板613。

圖6說明自上方觀察時的圖5的底板，且圖7說明自下方觀察時的圖5的底板。

參見圖5、圖6及圖7，底板611可以具有在中心形成開口的大致圓圈形狀。底板611可以具有基本上環形形狀。在底板611的頂表面，可以形成插入固定裝置612的插入槽611a。複數個插入槽611a可以形成為在圓周方向上彼此隔開。插入槽611a可以包含插入固定裝置612的頭部的插入部分及自插入部分延伸的固定裝置612的頭部掛在的鎖定部分。此外，用於支撐第一擋板613的支撐突起611b可以形成在底板611的內周上。複數個支撐突起611b可形成在底板611上，且支撐突起611b可形成在底板611上，以在圓周方向上彼此隔開。

底板611可以固定安裝在頂部腔室521中。例如，底板611可以利用固定裝置612固定至頂部腔室521。底板611可以利用固定裝置612固定以與頂部腔室521隔開。固定裝置612的頭部部分可以固定至底板611中形成的插入槽611a，且固定裝置612的主體部分可以插入頂部腔室521中形成的緊固槽521b。固定裝置612可以焊接且固定至緊固槽521b。然而，不限於此，且螺紋形成在緊固槽521b中，且固定裝置612可以以螺紋方式固定至緊固槽521b。

圖8說明圖5的第一擋板及自上方觀察時第一擋板堆疊的狀態，圖9說明圖5的第一擋板及自下方觀察時第一擋板堆疊的狀態，圖10說明自上方觀察時第一擋板置放在底板上的狀態，且圖11說明自下方觀察時第一擋板置放在底板上的狀態。

參見圖5及圖8至圖11，第一擋板組合件610可以包含複數個第一擋板613。例如，第一擋板組合件610可以包含1-1擋板613-1、1-2擋板613-2、1-3擋板613-3及1-4擋板613-4。1-1擋板613-1、1-2擋板613-2、1-3擋板613-3及1-4擋板613-4可以稱為本發明構思說明書中另有規定的第一擋板613。第一擋板613可以為其中形成有第一孔613-1a的多孔板。第一擋板613可以具有可以堆疊的結構。1-1擋板613-1、1-2擋板613-2、1-3擋板613-3及1-4擋板613-4可以以自下而上的順序堆疊。堆疊的第一擋板613可以置放在底板611上。

底板611的支撐突起611b插入的安裝槽613-1g可以形成在位於第一擋板613的底部的1-1擋板613-1的底表面上。複數個安裝槽613-1g可以形成，且可以形成為在底板611的圓周方向上彼此隔開。安裝槽613-1g的數目可以大於支撐突起611b的數目。相應地，操作者更容易將堆疊的第一擋板613安裝在底板611上。

返回參見圖5，第二擋板組合件630可以包含第二擋板631及間隙環632。第二擋板631可以為形成有複數個第二孔631a的多孔板。第二擋板631可以將緩衝空間BS與處理空間520a彼此分開。第二擋板631可以安裝在緩衝空間BS下方及處理空間520a上方。

第二擋板631可以固定安裝在頂部腔室521中。間隙環632可以安裝在第二擋板631與頂部腔室521之間。間隙環632可以具有基本上環形形狀。間隙環632可以為具有預定厚度的環形板。第一擋板613與第二擋板631之間可以通過間隙環632固定特定間隔。

此外，可以提供具有不同厚度的複數個間隙環632。相應地，操作者可以根據待處理的基板W的類型或基板W所需的處理條件籍由替換及安裝間隙環632來籍由調節第一擋板613與第二擋板631之間的間隔而改變製程條件。

此外，第一擋板613的第一孔613-1a的內徑與第二擋板631的第二孔631a的內徑可以相同，或第一孔613-1a的內徑可以小於第二孔631a的內徑。例如，第一孔613-1a可以具有約1 mm至約5 mm的內徑，且第二孔631a可以具有約0.5 mm至約1 mm的內徑。

此外，第一擋板613的直徑D1可以小於第二擋板631的直徑D2。此外，底板611的直徑D3可以大於第一擋板613的直徑D1，且可以小於第二擋板631的直徑D2。

此外，當自頂側看到第一擋板613時，可以形成在第一擋板613中的一者中及與其相鄰的第一擋板613中的另一者中形成的第一孔613-1a，以免彼此重疊。例如，在自上方看時，1-1擋板613-1中形成的第一孔613-1a及1-2擋板613-2中形成的第一孔613-1a可以形成為不彼此重疊。

圖12說明根據本發明構思的第一實施例的具有擋板單元的乾燥設備中的處理流體的流動。

參見圖3、圖5及圖12，若乾燥設備500設置有根據本發明構思的第一實施例的擋板單元600，則通過頂部供應埠521a供應的處理流體G主要通過第一擋板組合件610阻擋。主要通過第一擋板組合件610阻擋的處理流體G可以通過第一擋板613中形成的第一孔613-1a流入緩衝空間BS，或可以在流入底板611與頂部腔室521之間的空間後流入緩衝空間BS。引入具有較大直徑的緩衝空間BS的處理流體G可以擴散至緩衝空間BS中的較寬範圍，且隨後通過第二擋板631中形成的第二孔631a傳送至基板W。

此外，如上所述，第一孔613-1a的內徑可以大於第二孔631a的內徑。若第一孔613-1a的內徑較小，則第一擋板613可因通過頂部供應埠521a供應的處理流體G的壓力過大而變形。此外，若第二孔631a的內徑較大，則處理流體G可能不會均勻供應至基板W。相應地，根據本發明構思的實施例，可以使第一孔613-1a的內徑大於第二孔631a的內徑，從而可以解決過大壓力施加至第一擋板613的問題及處理流體G不均勻供應至基板W的問題。

此外，如上所述，緩衝空間BS的直徑D2可以大於容納空間SS的直徑D1。若經過安裝有第一擋板組合件610的容納空間SS的處理流體G流入具有較大直徑的緩衝空間BS，則處理流體G的流動速率可能減慢。若處理流體G的流動速率減慢，則處理流體G不會立即供應至基板W，而係處理流體G先在緩衝空間BS中均勻擴散再供應至基板W，以使得處理流體能夠相對均勻地供應至基板W。

圖13說明根據本發明構思的第二實施例的擋板單元，且圖14為圖13的擋板單元及頂部腔室的示意性分解透視圖。

乾燥設備500可以配備有根據下文描述的第二實施例的擋板單元700，而非根據第一實施例的擋板單元600。此外，上述乾燥設備500可以包含頂部腔室528而非上述的頂部腔室521。由於乾燥設備500的其他組態與上述實施例的組態相同/相似，因此省略其重複描述。

參見圖3、圖13及圖14，根據本發明構思的第二實施例的擋板單元700可以包含第一擋板組合件710及第二擋板組合件730。

可以在頂部腔室528中形成容納空間SS及緩衝空間BS。第一擋板組合件710可以安裝在容納空間SS中。緩衝空間BS可以位於容納空間SS下方。由緩衝空間BS及製程腔室520形成的處理空間520a可以由第二擋板組合件730的第二擋板731劃分。

第一擋板組合件710可以包含固定環711及第一擋板713。彼此堆疊的複數個第一擋板713可以置放在固定環711上。置放複數個第一擋板713的固定環711可以插入頂部腔室528的容納空間SS，且利用未示出的固定裝置(諸如螺栓或螺釘)固定。第一孔713a可以形成在第一擋板713中。第一孔713a可以具有與上述的第一孔613-1a相同的形狀及內徑。

第二擋板組合件730可以安裝在第二擋板組合件下方。第二擋板組合件730可以包含第二擋板731及間隙環732。第二擋板731及間隙環732可以固定安裝在頂部腔室528中。例如，第二擋板731可以固定安裝在頂部腔室528中，且間隙環732可以位於第二擋板731與頂部腔室528之間。

第二孔731a可以形成在第二擋板731中。第二孔731a可以具有與上述的第二孔631a相同的形狀及內徑。第二擋板731可以與位於複數個第一擋板713的底部的第一擋板713由間隙環732及固定環711隔開。

此外，第一擋板713的直徑D1可以小於第二擋板731的直徑D2。例如，第一擋板713的直徑D1可以為約50 mm至約150 mm。例如，第一擋板713的直徑D1可以為約100 mm或約150 mm。

圖15說明根據本發明構思的第二實施例的具有擋板單元的乾燥設備中的處理流體的流動。

參見圖13及圖15，自頂部腔室528的頂部供應埠528a供應的處理流體G可以主要被第一擋板組合件710的第一擋板713阻擋，且隨後通過在第一擋板713處形成的第一孔713a擴散至第一擋板713與緩衝空間BS的第二擋板731之間的空間。此時，由於緩衝空間BS具有大於第一擋板713的直徑的直徑，因此處理流體G在緩衝空間BS中的擴散可以更加平滑。緩衝空間BS中擴散的處理流體G可以相對均勻地供應至基板W。

圖16說明第一擋板的另一實施例，且圖17為圖16的第一擋板中的任一者的一部分的放大圖。

在上述實例中，第一擋板613及713描述為多孔板的實例，但本發明構思不限於此。例如，如圖16及圖17所示，第一擋板813可以經組態以使得複數個第一擋板813-1、813-2、813-3及813-4可以彼此堆疊起，且可以設置為多孔板。此時，第一擋板813可以利用3D打印方法而非在碟狀板中形成孔的方法製造。第一擋板813中形成的第一孔813a的孔隙率可以由使用者根據基板W所需的處理條件進行不同調節。

圖18為示出根據本發明構思的實施例在安裝擋板單元的情況下及不安裝擋板單元的情況下，處理流體的流動速率根據距基板的中心的距離的曲線圖。

在圖18中，S1為示出在不使用本發明構思的擋板單元600及700的情況下根據與基板的中心的距離的處理流體的流動速率的曲線圖，S2為示出在使用本發明構思的第二實施例的擋板單元700且第一擋板713的直徑D1為100 mm的情況下根據與基板的中心的距離的處理流體的流動速率的曲線圖，S3為示出在使用擋板單元700且第一擋板713的直徑D1為150 mm的情況下根據與基板的中心的距離的處理流體的流動速率的曲線圖，且S4為在使用本發明構思的第二實施例的擋板單元700且第一擋板713的直徑D1為150 mm的情況下根據與基板的中心的距離的處理流體的流動速率的曲線圖。處理流體的流動速率可以為在基板W上方流動的處理流體的流動速率。尤其在根據第一實施例的擋板單元600中，S1可以為僅使用第一擋板組合件610而不使用第二擋板組合件630的比較實例。

如圖18所示，當不使用本發明構思的擋板單元600及700 (即，在不使用雙擋板組合件結構的情況下)時，根據與基板的中心的距離的處理流體的流動速率極不均勻。另一方面，若使用根據本發明構思的實施例的擋板單元600及700，則可以看出，根據與基板的中心的距離的處理流體的流動速率極均勻地改變。亦即，本發明構思使用雙擋板組合件結構，以允許處理流體相對均勻地傳送至基板，從而使基板均勻乾燥。

本發明構思的效果不限於上述效果，且熟習此項技術者可以清楚地理解本發明構思所涉及的說明書及圖式中未提及的效果。

儘管本發明構思的較佳實施例迄今已被說明及描述，但本發明構思不限於上述具體實施例，且應注意，本發明構思所屬領域的一般技藝人士可以在不脫離申請專利範圍中所主張的發明構思的本質的情況下以多種方式執行本發明構思，且修改不應與本發明構思的技術精神或前景分開理解。

10:索引模組 12:負載埠 14:索引框 20:處理模組 30:控制器 120:索引機器人 122、322:手部 124、324、554a:導軌 200:緩衝單元 220:緩衝器 300:傳送設備 320:傳送機器人 400:液體處理設備 410、510:殼體 420:杯 422:第一回收容器 424:第二回收容器 426:第三回收容器 422a:第一入口 424a:第二入口 426a:第三入口 440:支撐單元 442:支撐板 442a:支撐銷 442b:卡盤銷 444:驅動軸 446、554c:驅動器 460、560:流體供應單元 462:噴嘴 480、540:升/降單元 500:乾燥設備 512:框架 514:中板 515:頂部空間 516:底部空間 520:製程腔室 520a:處理空間 521、528:頂部腔室 521a、528a:頂部供應埠 521b:緊固槽 522:底部腔室 522a:底部供應埠 522b:排出埠 523:支撐構件 524:阻擋構件 525:加熱元件 525a:第一加熱元件 525b:第二加熱元件 526:密封構件 527:緩衝構件 542:升/降板 544:升/降軸 550:夾緊單元 551:第一夾緊構件 553:第二夾緊構件 554:第一移動組合件 554b:支架 555:第二移動組合件 561:頂部供應管線 562:頂部閥 563:底部供應管線 564:底部閥 570:排出單元 571:排出管線 572:排出閥 573:降壓器 600、700:擋板單元 610、710:第一擋板組合件 611:底板 611a:插入槽 611b:支撐突起 612:固定裝置 613、713、813、813-1、813-2、813-3、813-4:第一擋板 613-1:1-1擋板 613-1g:安裝槽 613-2:1-2擋板 613-3:1-3擋板 613-4:1-4擋板 613-1a、713a、813a:第一孔 630、730:第二擋板組合件 631、731:第二擋板 631a:第二孔 632、732:間隙環 711:固定環 A1:第一傾斜角 A2:第二傾斜角 BS:緩衝空間 C:容器 D1、D2、D3:直徑 G:處理流體 H1:第一深度 H2:第二深度 P1、P2:直徑 SS:容納空間 X:第一方向 Y:第二方向 Z:第三方向 W:基板 W1:第一內壁 W2:第二內壁

根據以下結合以下圖式的描述，上述及其他目標及特徵將變得明顯，其中，除非另有說明，否則在各圖中，相同的元件符號係指相同的部分。

圖1係示意性地說明根據本發明構思的實施例的基板處理設備的平面圖。

圖2示意性地說明圖1的液體處理設備的實施例。

圖3示意性地說明圖1的乾燥設備的實施例。

圖4說明圖3的夾緊單元夾緊製程腔室的狀態。

圖5說明根據本發明構思的第一實施例的擋板單元。

圖6說明如上所示的圖5的底板。

圖7說明如下所示的圖5的底板。

圖8說明圖5的第一擋板如上所示地堆疊的狀態。

圖9說明圖5的第一擋板如下所示地堆疊的狀態。

圖10說明第一擋板如上所示地置放在底板上的狀態。

圖11說明第一擋板如下所示地置放在底板上的狀態。

圖12說明根據本發明構思的第一實施例的具有擋板單元的乾燥設備中的處理流體的流動。

圖13說明根據本發明構思的第二實施例的擋板單元。

圖14為圖13的擋板單元及頂部腔室的示意性分解透視圖。

圖15說明根據本發明構思的第二實施例的具有擋板單元的乾燥設備中的處理流體的流動。

圖16說明第一擋板的另一實施例。

圖17為圖16的第一擋板中的任一者的一部分的放大圖。

圖18為示出根據本發明構思的實施例在安裝擋板單元的情況下及不安裝擋板單元的情況下，處理流體的流動速率根據距基板的中心的距離的曲線圖。

500:乾燥設備

510:殼體

512:框架

514:中板

515:頂部空間

516:底部空間

520:製程腔室

520a:處理空間

521:頂部腔室

521a:頂部供應埠

522:底部腔室

522a:底部供應埠

522b:排出埠

523:支撐構件

524:阻擋構件

525:加熱元件

525a:第一加熱元件

525b:第二加熱元件

526:密封構件

527:緩衝構件

540:升/降單元

542:升/降板

544:升/降軸

550:夾緊單元

551:第一夾緊構件

553:第二夾緊構件

554:第一移動組合件

554a:導軌

554b:支架

554c:驅動器

555:第二移動組合件

560:流體供應單元

561:頂部供應管線

562:頂部閥

563:底部供應管線

564:底部閥

570:排出單元

571:排出管線

572:排出閥

573:降壓器

600:擋板單元

W:基板

Claims (20)

1. 一種基板處理設備，其包括： 第一腔室，具有供應埠，以用於供應處理流體； 第二腔室，與前述第一腔室結合限定處理空間； 支撐構件，用以支撐前述處理空間中的基板；及 擋板單元，安裝在前述第一腔室中以面向前述供應埠，且 其中前述擋板單元包含： 第一擋板組合件，包含第一擋板，前述第一擋板具有前述處理流體流過的第一孔；及 第二擋板組合件，安裝在比前述第一擋板組合件更遠離前述供應埠的位置，且包含具有前述處理流體流過的第二孔的第二擋板。
2. 如請求項1所述之基板處理設備，其中前述第一擋板的直徑小於前述第二擋板的直徑。
3. 如請求項2所述之基板處理設備，其中前述第一擋板及前述第二擋板彼此隔開安裝以限定其間的緩衝空間。
4. 如請求項1至3中任一項所述之基板處理設備，其中前述第二孔的至少一部分不與前述處理流體自前述供應埠的噴射方向上的前述第一孔重疊。
5. 如請求項1至3中任一項所述之基板處理設備，其中前述第一擋板組合件包括： 底板，與前述第一腔室隔開且利用固定裝置固定安裝；及 複數個前述第一擋板，置放在前述底板上。
6. 如請求項5所述之基板處理設備，其中複數個前述第一擋板彼此堆疊；且 複數個前述第一擋板中的至少一個具有插入前述底板的至少一個支撐突起的至少一個安裝槽。
7. 如請求項1至3中任一項所述之基板處理設備，其中前述第一擋板組合件包括： 固定環，緊貼且固定至前述第一腔室；及 堆疊的複數個前述第一擋板，置放在前述固定環上。
8. 如請求項1至3中任一項所述之基板處理設備，其中前述第二擋板組合件包括： 間隙環，安裝在前述第一腔室與前述第二擋板之間；及 前述第二擋板，緊固至前述間隙環。
9. 如請求項1至3中任一項所述之基板處理設備，其中前述第一孔的內徑與前述第二孔的內徑不同。
10. 如請求項9所述之基板處理設備，其中前述第一孔的前述內徑大於前述第二孔的前述內徑。
11. 如請求項1至3中任一項所述之基板處理設備，其中前述第一孔的內徑為約1 mm至約5 mm，且 前述第二孔的內徑為約0.5 mm至約1 mm。
12. 如請求項1或2所述之基板處理設備，其中前述第一腔室設置有： 安裝有前述第一擋板組合件的容納空間；及 前述容納空間與前述第二擋板之間的緩衝空間。
13. 如請求項12所述之基板處理設備，其中限定前述容納空間的前述第一腔室的第一側壁相對於水平面具有第一傾斜角，且限定前述緩衝空間的前述第一腔室的第二側壁相對於前述水平面具有第二傾斜角，前述第一傾斜角大於前述第二傾斜角。
14. 如請求項12所述之基板處理設備，其中前述容納空間的深度比前述緩衝空間的深度更深。
15. 一種用於乾燥殘留在基板上的處理液體的乾燥設備，前述乾燥設備包括： 頂部腔室，具有供應埠，以用於供應前述處理流體； 底部腔室，與前述頂部腔室結合限定處理空間； 升/降單元，用以升/降前述頂部腔室或前述底部腔室中的任一者； 流體供應單元，用以將前述處理流體供應至前述供應埠； 支撐構件，用於在前述處理空間處支撐前述基板；及 擋板單元，安裝在前述頂部腔室中以面向前述供應埠，且 其中前述擋板單元包含： 第一擋板，具有前述處理流體流過的第一孔；及 第二擋板，與前述第一擋板隔開且位於前述第一擋板下方，且具有前述處理流體流過的第二孔，且 其中前述第一擋板及前述第二擋板限定用於擴散由前述流體供應單元供應的前述處理流體的緩衝空間。
16. 如請求項15所述之乾燥設備，其中前述第一孔的內徑大於前述第二孔的內徑。
17. 如請求項15所述之乾燥設備，其中前述第一擋板的直徑大於前述第二擋板的直徑。
18. 如請求項15所述之乾燥設備，其中前述頂部腔室設置有安裝有前述第一擋板的容納空間，前述容納空間比前述緩衝空間更靠近前述供應埠， 前述容納空間的深度比前述緩衝空間的深度更深，且 限定前述容納空間的前述頂部腔室的第一側壁相對於水平面具有第一傾斜角，且限定前述緩衝空間的前述頂部腔室的第二側壁相對於前述水平面具有第二傾斜角，前述第一傾斜角大於前述第二傾斜角。
19. 如請求項18所述之乾燥設備，其中前述緩衝空間的直徑在水平方向上大於前述容納空間的直徑。
20. 一種基板處理設備，其包括： 液體處理設備，用於用處理液體對基板進行液體處理；及 乾燥設備，用於乾燥處理已在前述液體處理設備處用超臨界狀態的處理液體處理的基板， 其中前述乾燥設備包括： 頂部腔室，具有供應埠，以用於供應前述處理流體； 底部腔室，與前述頂部腔室結合限定處理空間； 夾緊單元，用以在將前述頂部腔室與前述底部腔室結合形成前述處理空間時，夾緊前述頂部腔室及前述底部腔室； 升/降單元，用以升/降前述底部腔室，以改變前述頂部腔室與前述底部腔室之間的距離； 流體供應單元，用以將前述處理流體供應至前述供應埠； 支撐構件，安裝在前述頂部腔室中且支撐基板以面向前述供應埠；及 擋板單元，安裝在前述頂部腔室中以面向前述供應埠， 其中前述頂部腔室設置有： 容納空間；及 緩衝空間，處於前述容納空間下方， 其中前述擋板單元包括： 複數個第一擋板，彼此堆疊且安裝在前述容納空間中，每一擋板具有第一孔；及 第二擋板，安裝成與複數個前述第一擋板隔開且分隔前述緩衝空間與前述處理空間，且前述第二擋板具有第二孔，且 其中前述第二擋板的直徑大於前述第一擋板的直徑。

Images