CN117691343A - 一体化低频辐射单元与天线 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种一体化低频辐射单元与天线,一体化低频辐射单元包括同一极化的两个辐射臂、巴伦结构、合路部件及两个馈电部件。每个辐射臂均设有凸出于其表面外的第一连接部,第一连接部的表面上设有第一可焊接层。巴伦结构分别与各个辐射臂相连。如此,能便于将第一可焊接层设置于第一连接部的表面,且可以无需在辐射臂的第一连接部以外区域设置可焊接层,从而能减少辐射臂的电镀面积,即大幅度减少一体化低频辐射单元的电镀面积或者可以避免采用电镀工艺,从而制造成本低,实现振子成本降低超过15%,产品制造过程更加绿色环保。相对于对一体化低频辐射单元整体电镀或者对一体化低频辐射单元的局部进行电镀而言,更便于加工制造。
Description
技术领域
本申请涉及天线技术领域,特别是涉及一种一体化低频辐射单元与天线。
背景技术
随着移动通信网络的发展,网络系统已经发展为4G/5G多系统共存的异构网络,为了兼容多种通信制式,超宽频天线被广泛应用,所以系统建网会更复杂,成本更高;而节能减排,低碳高效已经是社会经济发展对移动天线领域的要求。其中,辐射单元(又称为振子)作为基站天线(又简称天线)的主要核心组成部件,其性能的优劣直接影响到天线性能,进而影响到网络覆盖质量,辐射单元的加工成本的高低也直接影响到天线的制造成本。
相关技术中,采用压铸方式得到的一体化辐射单元根据馈电方式可分为直接馈电和耦合馈电,但是在典型的采用同轴网络馈电的天线中,无论哪种馈电方式均需要在辐射单元上进行焊接,所以辐射单元表面需要进行电镀工艺处理,大体积结构的电镀需求,造成天线难以符合绿色低碳的制造要求。
发明内容
基于此,有必要克服现有技术的缺陷,提供一种一体化低频辐射单元与天线,它能使得制造更加绿色环保,能大大降低制造成本。
一种一体化低频辐射单元,所述一体化低频辐射单元包括:
同一极化的两个辐射臂,每个所述辐射臂均设有凸出于其表面外的第一连接部,所述第一连接部的表面上设有第一可焊接层;
巴伦结构,所述巴伦结构分别与各个所述辐射臂相连;
合路部件,所述合路部件设置于所述巴伦结构上,所述合路部件用于与馈电网络电性连接;及
两个馈电部件,两个所述馈电部件与两个所述辐射臂对应设置,各个所述馈电部件的一端与各个所述辐射臂的所述第一可焊接层对应焊接连接,各个所述馈电部件的另一端与所述合路部件相连实现合路。
在其中一个实施例中,所述第一可焊接层通过多弧沉积、熔覆、喷涂或印刷设置于所述第一连接部的表面。
在其中一个实施例中,所述合路部件能拆卸的设置于所述巴伦结构上,且所述合路部件与所述巴伦结构耦合连接。
在其中一个实施例中,所述合路部件包括由内至外依次设置的馈电导体、第一绝缘隔离件和接地导体,所述接地导体与所述巴伦结构耦合连接,所述接地导体和所述馈电导体分别对应连接所述馈电部件的外导体和内导体。
在其中一个实施例中,所述巴伦结构包括底座及连接于所述底座上的多个巴伦臂,各个所述巴伦臂与各个辐射臂对应连接;所述合路部件设置于所述底座或所述巴伦臂上。
在其中一个实施例中,所述合路部件还包括第二绝缘隔离件;所述底座设有贯穿孔,所述接地导体穿设于所述贯穿孔中,且所述第二绝缘隔离件设置于所述接地导体与所述贯穿孔的孔壁之间,以使得所述接地导体与所述底座形成有耦合间隙;所述馈电导体的顶端与所述馈电部件的内导体电性连接,所述馈电导体的底端用于与所述馈电网络的馈线电性连接;所述接地导体的顶端与所述馈电部件的外导体电性连接,所述接地导体的底端用于与所述馈电网络的接地线电性连接。
在其中一个实施例中,所述馈电导体的顶端设有第一焊接接口,所述第一焊接接口与所述馈电部件的内导体焊接连接;所述馈电导体的底端设有第二焊接接口,所述第二焊接接口与所述馈电网络的馈线焊接连接;所述接地导体的顶端设有第三焊接接口,所述第三焊接接口与所述馈电部件的外导体焊接连接,所述接地导体的底端设有第四焊接接口,所述第四焊接接口与所述馈电网络的接地线焊接连接。
在其中一个实施例中,所述贯穿孔的孔缘处环绕设有凸缘,所述凸缘朝向远离于所述辐射臂的方向延伸,所述第二绝缘隔离件与所述凸缘相互抵接。
在其中一个实施例中,所述第一绝缘隔离件设为介质材料并绕设于所述馈电导体的外部;和/或,所述第二绝缘隔离件设为介质隔离套,所述接地导体穿设于所述介质隔离套的内部,所述介质隔离套穿设于所述贯穿孔中。
在其中一个实施例中,所述合路部件还包括第三绝缘隔离件;所述第三绝缘隔离件连接于所述接地导体与所述底座之间,以使得所述接地导体与所述底座耦合相连;所述底座用于与所述馈电网络的接地线电性连接,所述接地导体与所述馈电部件的外导体电性连接;
所述接地导体设有避让部,所述底座设有与所述避让部位置对应的贯穿孔,所述馈电导体穿设于所述贯穿孔与所述避让部中,所述第一绝缘隔离件绕设于所述馈电导体的外部;所述馈电导体的顶端与所述馈电部件的内导体电性连接,所述馈电导体的底端用于与所述馈电网络的馈线电性连接。
在其中一个实施例中,所述底座设有凸出于其底面下方的第二连接部,所述第二连接部的表面上设有第二可焊接层,所述第二可焊接层用于与所述馈电网络的接地线焊接连接。
在其中一个实施例中,所述第二可焊接层通过多弧沉积工艺、熔覆、喷涂或印刷设置于所述第二连接部的表面。
在其中一个实施例中,所述第二连接部设有与所述贯穿孔位置相应并相互连通的第一避让孔,所述避让部设置为与所述贯穿孔位置相应并相互连通的第二避让孔,所述馈电导体依次穿设于所述第一避让孔与所述第二避让孔中。
在其中一个实施例中,所述接地导体包括接地板,所述第三绝缘隔离件包括隔离片,所述接地板叠设于所述底座的表面上,所述隔离片设置于所述接地板与所述底座之间。
在其中一个实施例中,所述接地导体还包括连接于所述接地板上的第三连接部,所述第三连接部绕所述避让部的周向设置,所述第三连接部的表面上设有第三可焊接层,所述第三可焊接层与所述馈电部件的外导体焊接连接。
在其中一个实施例中,所述巴伦结构与各个所述辐射臂为一体化结构。
一种天线,所述天线包括反射板、设置于所述反射板上的至少一个低频辐射单元,每个所述低频辐射单元设置成所述的一体化低频辐射单元,还包括设置于所述反射板上的低频移相器,所述低频移相器设有馈电网络,所述合路部件与所述低频移相器的馈电网络电性连接。
在其中一个实施例中,所述低频辐射单元设为多个并呈阵列布置;每一列所述低频辐射单元对应一个所述低频移相器。
在其中一个实施例中,每一列所述低频辐射单元的各个所述合路部件布置在一条直线上且平行于所述低频移相器的纵长方向。
在其中一个实施例中,所述低频移相器的馈电网络设有与所述合路部件对应电性连接的低频馈电短截线,所述低频馈电短截线的长度小于所述低频辐射单元工作频段的最低频率所对应的波长。
在其中一个实施例中,所述天线还包括设置于所述反射板上的至少一个高频辐射单元以及设置于所述反射板上的高频移相器,所述高频移相器设有馈电网络,所述高频辐射单元的高频馈电引脚与所述高频移相器的馈电网络电性连接。
在其中一个实施例中,所述高频辐射单元设为多个并呈阵列布置;每一列所述高频辐射单元对应一个所述高频移相器。
在其中一个实施例中,每一列所述高频辐射单元的各个所述高频馈电引脚布置在一条直线上且平行于所述高频移相器的纵长方向。
在其中一个实施例中,所述高频移相器的馈电网络设有与所述高频馈电引脚对应电性连接的高频馈电短截线,所述高频馈电短截线的长度小于所述高频辐射单元工作频段的最低频率所对应的波长。
上述的一体化低频辐射单元与天线,由于第一连接部凸出到辐射臂表面外,并在第一连接部的表面上设置第一可焊接层,一方面能实现各个馈电部件的一端对应焊接连接于各个辐射臂的第一可焊接层,实现辐射臂与馈电部件的电性连接,另一方面,能便于将第一可焊接层设置于第一连接部的表面,且可以无需在辐射臂的第一连接部以外区域设置可焊接层,从而能减少辐射臂的电镀面积,即大幅度减少一体化低频辐射单元的电镀面积或者可以避免采用电镀工艺,从而制造成本低,实现振子成本降低超过15%,产品制造过程更加绿色环保。相对于对一体化低频辐射单元整体电镀或者对一体化低频辐射单元的局部进行电镀而言,更便于加工制造,有利于降低成本和实现绿色低碳制造要求。
附图说明
图1为本申请一实施例的一体化低频辐射单元的一视角结构示意图。
图2为图1所示结构的另一视角结构示意图。
图3为图1所示结构的分解结构图。
图4为图1所述结构不包括馈电部件与合路部件的结构示意图。
图5为图1所示结构中的合路部件的结构示意图。
图6为图5所示结构的分解结构图。
图7为本申请另一实施例的一体化低频辐射单元的结构示意图。
图8为图7所示结构的分解结构图。
图9为图8所示结构中的合路部件的结构图。
图10为图7所述结构不包括馈电部件与合路部件的结构示意图。
图11为图10所述结构的另一视角结构图。
图12为本申请一实施例的天线的一视角结构图。
图13为图12所示结构一实施例的另一视角结构图。
图14为图12所示结构另一实施例的另一视角结构图。
10、辐射臂;11、单臂;12、第一连接部;20、巴伦结构;21、底座;211、贯穿孔;212、凸缘;213、第二连接部;22、巴伦臂;30、合路部件;31、接地导体;311、第三焊接接口;312、第四焊接接口;313、避让部;314、接地板;315、第三连接部;3151、定位缺口;32、馈电导体;321、第一焊接接口;322、第二焊接接口;33、第一绝缘隔离件;331、定位块;34、第二绝缘隔离件;341、凸台;35、第三绝缘隔离件;40、馈电部件;41、内导体;42、外导体;50、反射板;60、低频辐射单元;70、低频移相器;71、低频馈电短截线;80、高频辐射单元;81、高频馈电引脚;90、高频移相器;91、高频馈电短截线。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进,因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
本申请一实施例提供的一种天线,其包括一体化低频辐射单元及与一体化低频辐射单元电性连接的馈电网络(图中未示出)。馈电网络可以是有多个移相网络,用于输出经移相后实现信号相位差分关系的移相信号,为一体化低频辐射单元馈电。
参阅图1至图6或参阅图7至图11,图1至图6示意出了本申请一实施例的一体化低频辐射单元的相关结构图,图7至图11示意出了本申请另一实施例的一体化低频辐射单元的结构图,图1至图6所示结构与图7至图11所示结构的主要区别在于合路部件30在底座21上的设置方式不同。在一个实施例中,一体化低频辐射单元包括:同一极化的两个辐射臂10、巴伦结构20、合路部件30及两个馈电部件40。每个辐射臂10均设有凸出于其表面外的第一连接部12。第一连接部12的表面上设有第一可焊接层。巴伦结构20分别与各个辐射臂10相连。具体而言,巴伦结构20与各个辐射臂10为一体化结构,具体而言,巴伦结构20与辐射臂10两者包括但不限于为通过压铸一体成型、锻压一体成型、钣金一体成型等。如此,能实现批量化生产,降低制造成本,提高制造效率。此外,合路部件30设置于巴伦结构20上,合路部件30用于与馈电网络电性连接。两个馈电部件40与两个辐射臂10对应设置,各个馈电部件40的一端与各个辐射臂10的第一可焊接层对应焊接连接,各个馈电部件40的另一端与合路部件30相连实现合路。
上述的一体化低频辐射单元,由于第一连接部12凸出到辐射臂10表面外,并在第一连接部12的表面上设置第一可焊接层,一方面能实现各个馈电部件40的一端对应焊接连接于各个辐射臂10的第一可焊接层,实现辐射臂10与馈电部件40的电性连接,另一方面,能便于将第一可焊接层设置于第一连接部12的表面,且可以无需在辐射臂10的第一连接部12以外区域设置可焊接层,从而能减少辐射臂10的电镀面积,即大幅度减少一体化低频辐射单元的电镀面积或者可以避免采用电镀工艺,从而制造成本低,实现振子成本降低超过15%,产品制造过程更加绿色环保。相对于对一体化低频辐射单元整体电镀或者对一体化低频辐射单元的局部进行电镀而言,更便于加工制造,有利于降低成本和实现绿色低碳制造要求。
需要说明的是,该“第一连接部12”可以为“辐射臂10的一部分”,即“第一连接部12”与“辐射臂10的其他部分”一体成型制造;也可以与“辐射臂10的其他部分”可分离的一个独立的构件,即“第一连接部12”可以独立制造,再与“辐射臂10的其他部分”组合成一个整体。
本申请中,每个移相器的移相信号输出端均通过单独一条线缆(如同轴电缆)传输至对应的一个一体化低频辐射单元的一个对应的合路部件30处。由于为同一极化的两个辐射臂10馈电的两个馈电部件40各自一端合路连接于合路部件30,因而该一体化低频辐射单元的每个极化都可以仅通过一根同轴电缆直接连接于合路部件30与馈电网络的移相器之间,完成馈电网络对一个极化的两个辐射臂10的馈电。
在一些实施例中,每个馈电部件40的长度与合路部件30所设置的位置具有匹配关系,两者之间的匹配关系满足经由该一体化低频辐射单元发射其相应极化信号所需的阻抗匹配条件。
在一个实施例中,第一可焊接层通过熔覆、喷涂或印刷设置于第一连接部12的表面。
在一个实施例中,巴伦结构20包括底座21及连接于底座21上的多个巴伦臂22。各个巴伦臂22与各个辐射臂10对应连接。合路部件30设置于底座21或巴伦臂22上。
在一些实施例中,一体化低频辐射单元包括用于辐射低频信号的低频辐射单元和/或用于辐射高频信号的高频辐射单元,可以为至少一个的低频辐射单元组阵、可以为至少一个高频辐射单元组阵,可以为至少一个低频阵列和至少一个高频阵列相邻组阵,可以为相邻两个低频辐射单元之间设置一个高频辐射单元组阵,并最好在一个低频辐射单元内嵌套一个高频辐射单元,可以为任一低频辐射阵列插花式布置在多个不同和/或相同的高频阵列中等,其具体可以由技术人员根据系统性能需求,例如增益需求来设置。
在一些实施例中,一体化低频辐射单元既可以是单极化一体化低频辐射单元,又可以是双极化一体化低频辐射单元,具体可以根据实际需求选取。本实施例中将具体以一体化低频辐射单元设置为双极化一体化低频辐射单元为例进行展开,但是并不以此为限。每个极化方向具有两个辐射臂10及分别为同一极化两个辐射臂10馈电的两个馈电部件40,各个馈电部件40的一端与其相应的辐射臂10电连接,各个馈电部件40的另一端通过合路部件30实现合路。
四个辐射臂10分为两对,每对辐射臂10工作于同一个极化方向,其被支撑于一对巴伦臂22上。具体而言,两对辐射臂10工作于相互正交的两个极化方向,两个极化方向例如为+45°极化方向和-45°极化方向,或垂直极化相交等。每个辐射臂10均包括两个单臂11,单臂11为直线型,使得四个辐射臂10共同围成正四边形。在另一个实施方式中,单臂11为弧线型,使得四个辐射臂10共同围合成圆形。
在一些实施例中,馈电部件40包括但不限于为同轴电缆。同轴电缆设有内导体41及与内导体41同轴且相互绝缘设置的外导体42。此外,第一连接部12成对设置于辐射臂10的两个单臂11表面上,具体位于辐射臂10的角部。具体而言,其中一个第一连接部12设置于其中一个辐射臂10的单臂11上,与馈电部件40的内导体41顶端焊接连接,另一个第一连接部12设置于其中一个辐射臂10的另一个单臂11上,与馈电部件40的外导体42顶端焊接连接。当一体化低频辐射单元为双极化一体化低频辐射单元时,一体化低频辐射单元形成有四个角部,各个角部均设置有一对第一连接部12,实现与两个不同极化的共四个馈电部件40的顶端的焊接连接。
请参阅图1至图4,在一个实施例中,合路部件30能拆卸的设置于巴伦结构20上,且合路部件30巴伦结构20耦合连接。
请参阅图1至图4,在一个实施例中,合路部件30设于底座21上相对于两个辐射臂10的几何对称轴线处,例如一对巴伦臂22所对应的合路部件30刚好位于另一对巴伦臂22所对应的底座21位置处。
在一个实施例中,馈电部件40沿巴伦臂22的正面或反面铺设,合路部件30用于合路的连接部位适应性地设置于同一正面或反面,当合路部件30设于底座21时,其可以凸出于底座21的正面,也可不从底座21的正面凸出,具体可视布线的便利性设置。
请参阅图2、图5与图6,在一个实施例中,合路部件30包括接地导体31、馈电导体32、第一绝缘隔离件33及第二绝缘隔离件34。接地导体31设为中空结构,馈电导体32通过第一绝缘隔离件33安装固定于接地导体31的内部。底座21设有贯穿孔211,接地导体31穿设于贯穿孔211中,且第二绝缘隔离件34设置于接地导体31与贯穿孔211的孔壁之间,以使得接地导体31与底座21形成有耦合间隙。馈电导体32的顶端与馈电部件40的内导体41电性连接,馈电导体32的底端用于与馈电网络的馈线电性连接。接地导体31的顶端与馈电部件40的外导体42电性连接,接地导体31的底端用于与馈电网络的接地线电性连接。如此,合路部件30能实现馈电网络的馈线与馈电部件40的内导体41电性连接,及能实现馈电网络的接地线与馈电部件40的外导体42电性连接。此外,第一绝缘隔离件33能使得馈电导体32与接地导体31相互绝缘隔离开,防止馈电导体32与接地导体31相互接触而导致短路;另外,由于第二绝缘隔离件34设置于接地导体31与贯穿孔211的孔壁之间,使得接地导体31与底座21形成有耦合间隙,从而能实现接地导体31与底座21相互耦合,实现底座21接地,这样底座21无需再单独焊接接地,减少焊接工作量,提高了天线生产效率。
请参阅图1、图2、图5与图6,在一个实施例中,馈电导体32的顶端设有第一焊接接口321,第一焊接接口321与馈电部件40的内导体41焊接连接;馈电导体32的底端设有第二焊接接口322,第二焊接接口322与馈电网络的馈线焊接连接。此外,接地导体31的顶端设有第三焊接接口311,第三焊接接口311与馈电部件40的外导体42焊接连接,接地导体31的底端设有第四焊接接口312,第四焊接接口312与馈电网络的接地线焊接连接。
请参阅图1、图2、图5与图6,在一个实施例中,贯穿孔211的孔缘处环绕设有凸缘212。凸缘212朝向远离于辐射臂10的方向延伸,第二绝缘隔离件34与凸缘212相互抵接。如此,合路部件30能稳固地设置于底座21上。此外,凸缘212能增加与接地导体31的耦合面积尺寸,使得底座21与接地导体31的耦合效果增强。具体而言,贯穿孔211例如设置为圆形孔、椭圆形孔或多边形孔,凸缘212相应设置为轴向截面为圆形、椭圆形或多边形的套体。
需要说明的是,该“凸缘212”可以为“底座21的一部分”,即“凸缘212”与“底座21的其他部分”一体成型制造;也可以与“底座21的其他部分”可分离的一个独立的构件,即“凸缘212”可以独立制造,再与“底座21的其他部分”组合成一个整体。
在一些实施例中,凸缘212背离于辐射臂10的端面位于底座21的内部、与底座21的底面齐平或者凸出到底座21的底面下方,具体可以根据实际需求灵活调整与设置。
请参阅图5与图6,在一些实施例中,第一绝缘隔离件33设为介质材料并绕设于馈电导体32的外部。此外,第二绝缘隔离件34设为介质隔离套,接地导体31穿设于介质隔离套的内部,介质隔离套穿设于贯穿孔211中。
请参阅图2、图5与图6,具体而言,介质隔离套的外壁上设有凸台341,凸台341搭接于底座21上,能实现介质隔离套定位于底座21上。具体而言,凸台341环绕介质隔离套的顶端周向布置。
请参阅图7至图11,在另一个实施例中,合路部件30包括接地导体31、馈电导体32、第一绝缘隔离件33及第三绝缘隔离件35。第三绝缘隔离件35连接于接地导体31与底座21之间,以使得接地导体31与底座21耦合相连。底座21用于与馈电网络的接地线电性连接,接地导体31与馈电部件40的外导体42电性连接。此外,接地导体31设有避让部313,底座21设有与避让部313位置对应的贯穿孔211,馈电导体32穿设于贯穿孔211与避让部313中,第一绝缘隔离件33绕设于馈电导体32的外部。馈电导体32的顶端与馈电部件40的内导体41电性连接,馈电导体32的底端用于与馈电网络的馈线电性连接。如此,一方面,底座21与馈电网络的接地线电性连接实现接地,底座21与接地导体31耦合相连,从而实现接地导体31接地设置,接地导体31与馈电部件40的外导体42电性连接,从而实现馈电部件40的外导体42接地设置。另一方面,馈电导体32分别连接馈电网络的馈线与馈电部件40的内导体41,从而实现馈电网络的馈线将信号传输至馈电部件40的内导体41。此外,在第一绝缘隔离件33的作用下,能实现馈电导体32分别与接地导体31、底座21隔离开,防止相互接触造成短路。另外,第三绝缘隔离件35的作用下,能避免接地导体31与底座21相互直接电性接触而导致互调缺陷,而是通过耦合相连来提高天线性能指标。
请参阅图7至图11,在一个实施例中,底座21设有凸出于其底面下方的第二连接部213。第二连接部213的表面上设有第二可焊接层,第二可焊接层用于与馈电网络的接地线焊接连接。如此,一方面能实现底座21与馈电网络的接地线焊接连接,实现底座21与馈电网络的接地线相互电性连接,使得底座21接地,另一方面,由于第二连接部213向下凸出,能便于将第二可焊接层设置于第二连接部213的表面上,且可以无需在巴伦结构20的第二连接部213以外区域设置可焊接层,从而能减少巴伦结构20的电镀面积或者可以避免采用电镀工艺,从而制造成本低,实现振子成本降低超过15%,产品制造过程更加绿色环保。相对于对巴伦结构20整体电镀或者对巴伦结构20的局部进行电镀而言,更便于加工制造,有利于降低成本和实现绿色低碳制造要求。
请参阅图7至图11,在一个实施例中,第二可焊接层通过熔覆、喷涂或印刷设置于第二连接部213的表面。
需要说明的是,该“第二连接部213”可以为“底座21的一部分”,即“第二连接部213”与“底座21的其他部分”一体成型制造;也可以与“底座21的其他部分”可分离的一个独立的构件,即“第二连接部213”可以独立制造,再与“底座21的其他部分”组合成一个整体。
请参阅图7至图11,在一个实施例中,第二连接部213设为至少一个,具体包括但不限于为一个、两个、三个、四个或其它数量。本实施例中,由于一体化低频辐射单元设为双极化一体化低频辐射单元,因此第二连接部213具体例如设为两个,两个第二连接部213与两个合路部件30对应设置。
在一个实施例中,第二连接部213设有与贯穿孔211位置相应并相互连通的第一避让孔,避让部313设置为与贯穿孔211位置相应并相互连通的第二避让孔,馈电导体32依次穿设于第一避让孔与第二避让孔中。如此,结构布置紧凑,体积尺寸较小。
请参阅图7至图9,在一个实施例中,接地导体31包括接地板314,第三绝缘隔离件35包括隔离片,接地板314叠设于底座21的表面上,隔离片设置于接地板314与底座21之间。
请参阅图7至图9,在一个实施例中,接地导体31还包括连接于接地板314上的第三连接部315。第三连接部315绕避让部313的周向设置,第三连接部315的表面上设有第三可焊接层,第三可焊接层与馈电部件40的外导体42焊接连接。
请参阅图7与图9,在一些实施例中,第一绝缘隔离件33的顶部设有定位块331,第三连接部315的顶部上设有与定位块331相适应的定位缺口3151,定位块331设置于定位缺口3151中,定位缺口3151对第一绝缘隔离件33与馈电导体32起到定位作用,使得馈电导体32的两个焊接接口分别与第三连接部315上的两个焊接接口位置相对应,从而有利于同步实现馈电部件40的内导体41底端与馈电导体32间的焊接操作,及馈电部件40的外导体42底端与第三连接部315的焊接操作。
请参阅图12与图13,在一些实施例中,一种天线,天线包括反射板50、设置于反射板50上的至少一个低频辐射单元60,每个低频辐射单元60设置成上述任一实施例的一体化低频辐射单元,还包括设置于反射板50上的低频移相器70,低频移相器70设有馈电网络,合路部件30与低频移相器70的馈电网络电性连接。
请参阅图12与图13,在一些实施例中,低频辐射单元60设为多个并呈阵列布置。每一列低频辐射单元60对应一个低频移相器70。具体而言,低频辐射单元60如图12所示设为两列。
请参阅图12与图13,在一些实施例中,每一列低频辐射单元60的各个合路部件30布置在一条直线上且平行于低频移相器70的纵长方向L。
需要说明的是,本实施例中的直线并非数学意义上严格的直线,而是肉眼看上去处于同一条直线上即可。具体而言,各个合路部件30的中心与其所对应的直线的偏离大小例如控制在5mm以内。
需要说明的是,本实施例中的平行也并非数学意义上严格的平行,而是肉眼看上去相互平行即可。具体而言,各个合路部件30对应的直线与低频移相器70的纵长方向L的夹角例如控制在5°以内。
请参阅图12与图13,在一些实施例中,低频移相器70的馈电网络设有与合路部件30对应电性连接的低频馈电短截线71,低频馈电短截线71的长度小于低频辐射单元60工作频段的最低频率所对应的波长。
请参阅图12与图13,在一些实施例中,天线还包括设置于反射板50上的至少一个高频辐射单元80以及设置于反射板50上的高频移相器90。高频移相器90设有馈电网络,高频辐射单元80的高频馈电引脚81与高频移相器90的馈电网络电性连接。
请参阅图12与图13,在一些实施例中,高频辐射单元80设为多个并呈阵列布置。每一列高频辐射单元80对应一个高频移相器90。
请参阅图12与图13,在一些实施例中,每一列高频辐射单元80的各个高频馈电引脚81布置在一条直线上且平行于高频移相器90的纵长方向。
请参阅图12与图13,在一些实施例中,高频移相器90的馈电网络设有与高频馈电引脚81对应电性连接的高频馈电短截线91,高频馈电短截线91的长度小于高频辐射单元80工作频段的最低频率所对应的波长。
请参阅图12与图13,在一些实施例中,每个低频辐射单元60中对应嵌套设置有一个高频辐射单元80。此外,在相邻两个低频辐射单元60的间隔中对应布置有例如一个或更多数量的高频辐射单元80。
在一些实施例中,低频移相器70既可以是按照其移相介质板板面平行于反射板50板面的方式平铺设置于反射板50上,具体如图13所示,又可以是按照其移相介质板板面垂直于反射板50板面的方式非平铺设置于反射板50上,具体如图14所示。
此外,类似地,高频移相器90既可以是按照其移相介质板板面平行于反射板50板面的方式平铺设置于反射板50上,具体如图13所示,又可以是按照其移相介质板板面垂直于反射板50板面的方式非平铺设置于反射板50上,具体如图14所示。
在本申请的描述中,需要理解的是,若有出现这些术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等,这些术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
此外,若有出现这些术语“第一”、“第二”,这些术语仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中,若有出现术语“多个”,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,若有出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等,这些术语应做广义理解。例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,若有出现第一特征在第二特征“上”或“下”等类似的描述,其含义可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,若元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。若一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。如若存在,本申请所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (24)
1.一种一体化低频辐射单元,其特征在于,所述一体化低频辐射单元包括:
同一极化的两个辐射臂,每个所述辐射臂均设有凸出于其表面外的第一连接部,所述第一连接部的表面上设有第一可焊接层;
巴伦结构,所述巴伦结构分别与各个所述辐射臂相连;
合路部件,所述合路部件设置于所述巴伦结构上,所述合路部件用于与馈电网络电性连接;及
两个馈电部件,两个所述馈电部件与两个所述辐射臂对应设置,各个所述馈电部件的一端与各个所述辐射臂的所述第一可焊接层对应焊接连接,各个所述馈电部件的另一端与所述合路部件相连实现合路。
2.根据权利要求1所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述第一可焊接层通过熔覆、喷涂或印刷设置于所述第一连接部的表面。
3.根据权利要求1所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述合路部件能拆卸的设置于所述巴伦结构上,且所述合路部件与所述巴伦结构耦合连接。
4.根据权利要求1所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述合路部件包括由内至外依次设置的馈电导体、第一绝缘隔离件和接地导体,所述接地导体与所述巴伦结构耦合连接,所述接地导体和所述馈电导体分别对应连接所述馈电部件的外导体和内导体。
5.根据权利要求4所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述巴伦结构包括底座及连接于所述底座上的多个巴伦臂,各个所述巴伦臂与各个辐射臂对应连接;所述合路部件设置于所述底座或所述巴伦臂上。
6.根据权利要求5所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述合路部件还包括第二绝缘隔离件;所述底座设有贯穿孔,所述接地导体穿设于所述贯穿孔中,且所述第二绝缘隔离件设置于所述接地导体与所述贯穿孔的孔壁之间,以使得所述接地导体与所述底座形成有耦合间隙;所述馈电导体的顶端与所述馈电部件的内导体电性连接,所述馈电导体的底端用于与所述馈电网络的馈线电性连接;所述接地导体的顶端与所述馈电部件的外导体电性连接,所述接地导体的底端用于与所述馈电网络的接地线电性连接。
7.根据权利要求6所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述馈电导体的顶端设有第一焊接接口,所述第一焊接接口与所述馈电部件的内导体焊接连接;所述馈电导体的底端设有第二焊接接口,所述第二焊接接口与所述馈电网络的馈线焊接连接;所述接地导体的顶端设有第三焊接接口,所述第三焊接接口与所述馈电部件的外导体焊接连接,所述接地导体的底端设有第四焊接接口,所述第四焊接接口与所述馈电网络的接地线焊接连接。
8.根据权利要求6所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述贯穿孔的孔缘处环绕设有凸缘,所述凸缘朝向远离于所述辐射臂的方向延伸,所述第二绝缘隔离件与所述凸缘相互抵接。
9.根据权利要求6所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述第一绝缘隔离件设为介质材料并绕设于所述馈电导体的外部;和/或,所述第二绝缘隔离件设为介质隔离套,所述接地导体穿设于所述介质隔离套的内部,所述介质隔离套穿设于所述贯穿孔中。
10.根据权利要求5所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述合路部件还包括第三绝缘隔离件;所述第三绝缘隔离件连接于所述接地导体与所述底座之间,以使得所述接地导体与所述底座耦合相连;所述底座用于与所述馈电网络的接地线电性连接,所述接地导体与所述馈电部件的外导体电性连接;
所述接地导体设有避让部,所述底座设有与所述避让部位置对应的贯穿孔,所述馈电导体穿设于所述贯穿孔与所述避让部中,所述第一绝缘隔离件绕设于所述馈电导体的外部;所述馈电导体的顶端与所述馈电部件的内导体电性连接,所述馈电导体的底端用于与所述馈电网络的馈线电性连接。
11.根据权利要求10所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述底座设有凸出于其底面下方的第二连接部,所述第二连接部的表面上设有第二可焊接层,所述第二可焊接层用于与所述馈电网络的接地线焊接连接。
12.根据权利要求11所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述第二可焊接层通过多弧沉积、熔覆、喷涂或印刷设置于所述第二连接部的表面。
13.根据权利要求11所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述第二连接部设有与所述贯穿孔位置相应并相互连通的第一避让孔,所述避让部设置为与所述贯穿孔位置相应并相互连通的第二避让孔,所述馈电导体依次穿设于所述第一避让孔与所述第二避让孔中。
14.根据权利要求10所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述接地导体包括接地板,所述第三绝缘隔离件包括隔离片,所述接地板叠设于所述底座的表面上,所述隔离片设置于所述接地板与所述底座之间。
15.根据权利要求14所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述接地导体还包括连接于所述接地板上的第三连接部,所述第三连接部绕所述避让部的周向设置,所述第三连接部的表面上设有第三可焊接层,所述第三可焊接层与所述馈电部件的外导体焊接连接。
16.根据权利要求1所述的一体化低频辐射单元,其特征在于,所述巴伦结构与各个所述辐射臂为一体化结构。
17.一种天线,其特征在于,所述天线包括反射板、设置于所述反射板上的至少一个低频辐射单元,每个所述低频辐射单元设置成如权利要求1至16任一项所述的一体化低频辐射单元,还包括设置于所述反射板上的低频移相器,所述低频移相器设有馈电网络,所述合路部件与所述低频移相器的馈电网络电性连接。
18.根据权利要求17所述的天线,其特征在于,所述低频辐射单元设为多个并呈阵列布置;每一列所述低频辐射单元对应一个所述低频移相器。
19.根据权利要求18所述的天线,其特征在于,每一列所述低频辐射单元的各个所述合路部件布置在一条直线上且平行于所述低频移相器的纵长方向。
20.根据权利要求18所述的天线,其特征在于,所述低频移相器的馈电网络设有与所述合路部件对应电性连接的低频馈电短截线,所述低频馈电短截线的长度小于所述低频辐射单元工作频段的最低频率所对应的波长。
21.根据权利要求17所述的天线,其特征在于,所述天线还包括设置于所述反射板上的至少一个高频辐射单元以及设置于所述反射板上的高频移相器,所述高频移相器设有馈电网络,所述高频辐射单元的高频馈电引脚与所述高频移相器的馈电网络电性连接。
22.根据权利要求21所述的天线,其特征在于,所述高频辐射单元设为多个并呈阵列布置;每一列所述高频辐射单元对应一个所述高频移相器。
23.根据权利要求22所述的天线,其特征在于,每一列所述高频辐射单元的各个所述高频馈电引脚布置在一条直线上且平行于所述高频移相器的纵长方向。
24.根据权利要求21所述的天线,其特征在于,所述高频移相器的馈电网络设有与所述高频馈电引脚对应电性连接的高频馈电短截线,所述高频馈电短截线的长度小于所述高频辐射单元工作频段的最低频率所对应的波长。
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