CN117691005A - 一种芯片移除方法及转移方法、芯片组件 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种芯片移除方法及转移方法、芯片组件，芯片移除方法包括：提供第一基板，第一基板上设有若干微型发光芯片，微型发光芯片中包括合格芯片和不良芯片；分别在各不良芯片上设置隔离膜，隔离膜至少将不良芯片的一面覆盖；将第一基板与第二基板贴合后去除第一基板，贴合后各合格芯片和不良芯片粘接于粘接层上，各不良芯片与粘接层之间被隔离膜隔离；在第二基板粘接有微型发光芯片的一面贴合粘接件后去除粘接件，不良芯片随粘接件一起脱离第二基板，合格芯片保留在第二基板上。需要移除的不良芯片与粘接层之间被隔离膜隔离，使得不良芯片与合格芯片相比会更容易地脱离粘接层。修复不会损坏不良芯片附近的合格芯片，提高了修复的良品率。

Description

一种芯片移除方法及转移方法、芯片组件

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片移除方法及转移方法、芯片组件。

背景技术

Micro LED由于其亮度高、色域覆盖广和对比对高等优势受到各家厂商的追捧，被称为次世代显示装置，近年来热度持续上升；但在实际的生产过程中还有诸多问题需要克服，如巨量转移和巨量修复。

目前的修复工艺是在芯片转移完成后，采用激光对背板上的不良芯片进行烧蚀将不良芯片去除，再在去除的部位补充上新的合格芯片。激光烧蚀的过程中极容易对背板造成损伤，同时也容易损坏不良芯片附近的合格芯片，降低了修复后芯片的良品率。

因此，如何提高修复后芯片的良品率是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片移除方法及转移方法、芯片组件，旨在解决背板修复良率低的技术问题。

一种芯片移除方法，包括：

提供第一基板，所述第一基板上设有若干微型发光芯片，所述微型发光芯片中包括合格芯片和不良芯片；

分别在各所述不良芯片上设置隔离膜，所述隔离膜至少将各所述不良芯片远离所述第一基板的一面覆盖；

将所述第一基板设有所述微型发光芯片的一面与第二基板上设有粘接层的一面贴合后去除所述第一基板，贴合后各所述合格芯片和所述不良芯片粘接于所述粘接层上，各所述不良芯片与所述粘接层之间被所述隔离膜隔离；

在所述第二基板粘接有所述微型发光芯片的一面贴合粘接件后去除所述粘接件，所述不良芯片随所述粘接件一起脱离所述第二基板，所述合格芯片保留在所述第二基板上。

上述芯片移除方法中，第二基板与第一基板贴合后，合格芯片直接与粘接层粘接，需要移除的不良芯片与粘接层之间未完全地直接粘接，而是被隔离膜隔离，使得不良芯片与合格芯片相比会更容易地脱离粘接层。因此通过粘接件贴合在合格芯片和不良芯片上后去除粘接件时，被隔离膜隔离的不良芯片会脱离粘接层随粘接件一起被移除，而未被隔离膜隔离的合格芯片被粘接层粘住，保留在第二基板上。实现了不良芯片批量地移除，移除的过程中不会对承载不良芯片的基板造成损伤，也不会损坏不良芯片附近的合格芯片，提高了不良芯片移除后微型发光芯片的良品率。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种芯片转移方法，包括：

通过如上所述的芯片移除方法，移除不良芯片；

将所述第二基板上保留的所述合格芯片转移至背板。

上述芯片转移方法采用了芯片移除方法移除了不良芯片，实现了芯片转移的过程中不良芯片批量地移除，移除的过程中不会对承载不良芯片的基板造成损伤，也不会损坏不良芯片附近的合格芯片，提高了不良芯片移除后微型发光芯片的良品率。且在转移过程中移除不良芯片后，背板上不会存在不良芯片，即不需再对背板进行修复，背板不会因修复而损坏，提高了背板质量。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种芯片组件，包括：

第一基板；

设于所述第一基板上的若干微型发光芯片，所述微型发光芯片中包括合格芯片和不良芯片；

设于各所述不良芯片远离所述第一基板的一面上的隔离膜，所述隔离膜被配置为将所述第一基板设有所述微型发光芯片的一面与第二基板上设有粘接层的一面贴合后，所述不良芯片与所述粘接层之间被所述隔离膜隔离。

上述芯片组件在不良芯片上设有隔离膜，由此可以在芯片移除过程中，将第二基板与第一基板贴合后，需要移除的不良芯片与粘接层之间被隔离膜隔离，使得不良芯片与合格芯片相比会更容易地脱离粘接层。该芯片组件可通过隔离膜的隔离作用实现不良芯片批量地移除，移除的过程中不会对承载不良芯片的基板造成损伤，也不会损坏不良芯片附近的合格芯片，可提高不良芯片移除后微型发光芯片的良品率。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种芯片移除方法的流程图；

图2为本申请实施例提供的第一基板上设置微型发光芯片的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的不良芯片上设置隔离膜的一种结构示意图；

图4为本申请实施例提供的不良芯片上设置隔离膜的另一种结构示意图；

图5为本申请实施例提供的不良芯片上设置隔离膜的又一种结构示意图；

图6为本申请实施例提供的将第一基板与第二基板贴合后去除第一基板的示意图；

图7为本申请实施例提供的将第一基板与第二基板贴合后的一种示意图；

图8为本申请实施例提供的将第一基板与第二基板贴合后的另一种示意图；

图9为本申请实施例提供的在第二基板上贴合粘接件后去除粘接件的示意图

图10为本申请实施例提供的设置粘接件的一种示意图；

图11为本申请实施例提供的隔离膜保留在粘接层上的示意图；

图12为本申请实施例提供的粘接件、合格芯片、不良芯片、粘接层之间的结合力的示意图；

图13为本申请另一可选实施例提供的一种芯片转移方法的流程图；

图14为本申请另一可选实施例提供的将第二基板上保留的合格芯片转移至背板的流程图；

图15为本申请另一可选实施例提供的将合格芯片从第二基板转移至第三基板的示意图；

图16为本申请另一可选实施例提供的合格芯片的电极与背板上的焊盘键合的示意图；

图17为本申请另一可选实施例提供的去除第三基板后的示意图；

图18为本申请另一可选实施例提供的键合好补充芯片后的背板示意图；

附图标记说明：

1-第一基板，2-合格芯片，3-不良芯片，301-不良芯片的电极，4-隔离膜，5-第二基板，6-粘接层，7-粘接件，8-第四基板，801-膜层，9-第三基板，10-背板，11-焊盘，12-补充芯片。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

目前，针对存在不良芯片的修复工艺是在芯片转移完成后，采用激光对背板上的不良芯片进行烧蚀将不良芯片去除，再在去除的部位补充上新的合格芯片。激光烧蚀的过程中极容易对背板造成损伤，同时也容易损坏不良芯片附近的合格芯片，降低了修复后芯片的良品率。

基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。

本申请实施例：

本实施例提供一种芯片移除方法，可应用于但不限于芯片的选择性转移，芯片的巨量修复，如图1所示，芯片移除方法包括：

S1：提供第一基板。

如图2所示，第一基板1上设有若干微型发光芯片，微型发光芯片中包括合格芯片2和不良芯片3。可以理解的是，不良芯片3为发光不良或者不发光的微型发光芯片，也即不良芯片3为影响显示面板发光的不合格的微型发光芯片。合格芯片2和不良芯片3可以通过检测装置对微型发光芯片进行检测确定，确定出不良芯片3后需记录并保存不良芯片3的位置信息。

本实施例中的微型发光芯片包括但不限于Mini LED(Mini Light EmittingDiode，次毫米发光二极管)、Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微米量级发光二极管)。具体地，微型发光芯片包括外延层以及设于外延层上的电极(包括正电极和负电极)。在一些实施方式中，微型发光芯片的外延层可以包括N型半导体、P型半导体以及位于N型半导体和P型半导体之间的有源层。本实施例中的微型发光芯片可为正装LED芯片，也可为倒装LED芯片，本实施例对其不作具体限制。

可以理解的是，本实施例中的第一基板1可以是生长基板，也可以是转移基板，本实施例对此不作具体限制。具体的生长基板可以是硅或蓝宝石基板，转移基板的材质可以采用但不限于玻璃、陶瓷、硅中的任意一种。

S2：分别在各不良芯片上设置隔离膜。

如图3，隔离膜4至少将各不良芯片3远离第一基板1的一面覆盖。在一些实施方式中，隔离膜4可以是仅覆盖不良芯片3远离第一基板1的一面；另一些实施方式中，隔离膜4也可以是覆盖不良芯片3远离第一基板1的一面以及不良芯片3的侧面。可以理解的是，本实施例中的隔离膜4可根据先前记录的不良芯片3的位置信息进行设置。

在一些实施方式中，不良芯片3远离第一基板1的一面可为不良芯片的电极301的表面，隔离膜4至少将电极远离第一基板1的一面覆盖。具体地，如图3，隔离膜4可以是仅覆盖电极远离第一基板1的一面；另一些实施方式中，如图4，隔离膜4也可以是覆盖电极远离第一基板1的一面以及电极的侧面。

另一些实施方式中，如图5，不良芯片3远离第一基板1的一面可为不良芯片3远离不良芯片3电极的一面，隔离膜4至少将该远离不良芯片3电极的一面覆盖。

S3：将第一基板设有微型发光芯片的一面与第二基板上设有粘接层的一面贴合后去除第一基板，贴合后各合格芯片和不良芯片粘接于粘接层上，各不良芯片与粘接层之间被隔离膜隔离。

如图6所示，贴合后，合格芯片2与粘接层6之间形成了良好的粘接，而不良芯片3被隔离膜4隔离。可以理解的是，去除第一基板1可采用但不限于激光加工的方式剥离第一基板1。本实施例中第二基板5的材质可以采用但不限于玻璃、陶瓷、硅中的任意一种。

本实施例中，隔离膜4覆盖在不良芯片的电极301表面时，将第一基板1设有微型发光芯片的一面与第二基板5上设有粘接层6的一面贴合后，如图6所示，可以是各合格芯片2和各不良芯片的电极301嵌入粘接层6，且各合格芯片2和各不良芯片3远离第二基板5的一面齐平。一些应用场景中，如图7，也可以是各合格芯片2和各不良芯片的电极301未嵌入粘接层6，此时合格芯片2仅靠近第二基板5的一面与粘接层6粘接，不良芯片3与粘接层6之间完全被隔离膜4隔离。

可以理解的是，隔离膜4可以是但不限于油脂薄膜，或掺杂有油脂的复合薄膜，只要能够实现其与粘接层6之间不粘，或者与粘接层6之间的粘性低即可，本实施例对隔离膜4的材质不作具体限定，例如隔离膜4还可以是具备与粘接层6的亲疏水特性相反的亲水性或疏水性的隔离膜4，若粘接层6由亲水的粘胶制作而成，则隔离膜4可为具备疏水特性的膜层。应当理解的是，隔离膜4可以是设置于不良芯片3上的固态的膜层，也可以是液态的膜层，固态或液态膜层与粘接层6之间不粘，或者与粘接层6之间的粘性低便可。固态的隔离膜4可采用粘贴的方式设置于不良芯片3上，或者也可以是通过点胶的方式设置于不良芯片3上后固化或半固化而成；液态的隔离膜4也可以是采用点胶的方式设置于不良芯片3，本实施例对此不作具体限定。

S4：在第二基板,粘接有微型发光芯片的一面贴合粘接件后去除粘接件，不良芯片随粘接件一起脱离第二基板，合格芯片保留在第二基板上。

如图9、图11，本实施例中的粘接件7可以是具备粘附性的一层薄膜，例如可采用蓝膜，将具备粘附性的一层薄膜贴合在第二基板5粘接有微型发光芯片的一面时，该层薄膜便与各微型发光芯片之间形成粘接，之后可采用撕除的方式去除粘接件7。在一些实施方式中，如图10，粘接件7也可以包括第四基板8，第四基板8上设置具有粘性的膜层801，将第四基板8设有具有粘性膜层801的一面与第二基板5粘接有微型发光芯片的一面贴合，此时该具有粘性的膜层801便与各微型发光芯片之间形成粘接，之后移除第四基板8便可实现粘接件7的去除。

上述芯片移除方法中，将第二基板5与第一基板1贴合后，合格芯片2直接与粘接层6粘接，需要移除的不良芯片3与粘接层6之间未完全地直接粘接，而是被隔离膜4隔离，使得不良芯片3与合格芯片2相比会更容易地脱离粘接层6。因此通过粘接件7贴合在合格芯片2和不良芯片3上后去除粘接件7时，被隔离膜4隔离的不良芯片3会脱离粘接层6随粘接件7一起被移除，而未被隔离膜4隔离的合格芯片2被粘接层6粘住，保留在第二基板5上。由此可实现不良芯片3的批量移除，在移除的过程中也不会对承载不良芯片3的基板造成损伤，也不会损坏不良芯片3附近的合格芯片2，提高了不良芯片3移除后微型发光芯片的良品率，不良芯片3的移除更加稳定可靠。

在本实施例中，以固态或半固态的隔离膜4设置于不良芯片的电极301表面为例，如图12，不良芯片3与粘接件7之间的第一结合力为F1，粘接层6与隔离膜4之间的第二结合力为F2，粘接层6与不良芯片3之间的第三结合力为F3，合格芯片2与粘接层6之间的第四结合力为F4，隔离膜4与对应的不良芯片3之间的第五结合力为F5。其中，当隔离膜4与粘接层6之间完全不粘时，F2等于0，当隔离膜4与粘接层6之间具备低粘性时，则F2大于0。本实施例中的F3大于等于0，当隔离膜4将不良芯片的电极301与粘接层6之间完全隔离，如图7、图8，不良芯片3与粘接层6之间没有任何的直接接触时，则F3等于0，反之当隔离膜4未将不良芯片的电极301与粘接层6之间完全隔离，不良芯片的电极301侧壁与粘接层6之间有接触时，则F3大于0。

为了保证在去除粘接件7时，合格芯片2能够保留在第二基板5上，需保证合格芯片2与粘接层6之间的第四结合力F4，大于合格芯片2与粘接件7之间的结合力。因为合格芯片2与粘接件7之间的结合力等于不良芯片3与粘接件7之间的第一结合力F1，因此保证F1小于F4即可，但若移除合格芯片2还需克服合格芯片2的自身重力，故需考虑合格芯片2的自身重力时，F1等于F4也可保证合格芯片2仍然会保留在第二基板5上。

为了保证在去除粘接件7时，不良芯片3会随粘接件7一起脱离第二基板5，需保证不良芯片3与粘接件7之间的第一结合力F1，大于粘接层6与隔离膜4的第二结合力F2以及粘接层6与不良芯片3的第三结合力F3之和，即F1大于F2与F3之和。在需考虑不良芯片3的自身重力时，不良芯片3会随粘接件7一起脱离还需克服不良芯片3的重力，则F1需大于F2和F3以及不良芯片3的重力之和。

一些实施方式中，在去除粘接件7时，不良芯片3随粘接件7一起脱离第二基板5，隔离膜4则保留在第二基板5上。此时，需保证F2大于F5，但因为将隔离膜4一起移除还需克服隔离膜4的自身重力，故需考虑隔离膜4的自身重力时，F2等于F5也可保证隔离膜4会保留在第二基板5上。

另一些实施方式中，去除粘接件7时，隔离膜4可与不良芯片3一起随粘接件7脱离第二基板5，此时则需保证F2小于F5。隔离膜4与不良芯片3一起随粘接件7脱离第二基板5后，可以实现第二基板5的重复使用。

在不良芯片3的移除过程中，因为隔离膜4与粘接层6之间不粘，或者与粘接层6之间的粘性低，通过隔离膜4将不良芯片3与粘接层6隔离，使得不良芯片3与合格芯片2相比会更容易地脱离粘接层6。由此实现了不良芯片3的批量移除，在移除的过程中也不会对承载不良芯片3的基板造成损伤，也不会损坏不良芯片3附近的合格芯片2，提高了不良芯片3移除后微型发光芯片的良品率，不良芯片3的移除更加稳定可靠。

本申请另一可选实施例：

本实施例提供一种芯片转移方法，该芯片转移方法先通过如上所述的芯片移除方法移除不良芯片3后，将第二基板5上保留的合格芯片2转移至背板10。具体地，如图13，至少包括如下步骤：

S01：提供第一基板，第一基板上设有若干微型发光芯片，微型发光芯片中包括合格芯片和不良芯片。

S02：分别在各不良芯片上设置隔离膜，隔离膜至少将各不良芯片远离第一基板的一面覆盖。

本实施例中，隔离膜具体的设置方式与上一实施例相同，在此不再一一赘述。

S03：将第一基板设有微型发光芯片的一面与第二基板上设有粘接层的一面贴合后，去除第一基板，贴合后各合格芯片和不良芯片粘接于粘接层上，且各不良芯片与粘接层之间被隔离膜隔离。

S04：在第二基板粘接有微型发光芯片的一面贴合粘接件后，去除粘接件，不良芯片随着粘接件一起脱离第二基板，合格芯片保留在第二基板上。

S05：将第二基板上保留的合格芯片转移至背板。

一些实施方式中，如图14，将第二基板5上保留的合格芯片2转移至背板10可采用但不限于以下步骤：

S051：将第二基板上保留的合格芯片转移至第三基板。

如图15为将保留的合格芯片2从第二基板5转移至第三基板9的过程示意图。

S052：将第三基板上的合格芯片的电极与背板上对应的焊盘对位贴合。

S053：将对位贴合的合格芯片的电极与焊盘键合。

键合完成后如图16所示，可以理解的是，合格芯片2的电极与焊盘11键合后便形成了合格芯片2的电导通。本实施例中，合格芯片2的电极与焊盘11之间可通过键合材料完成键合，键合材料可以是但不限于焊材或异方性导电胶，焊材为低熔点的材料，例如可为金锡合金、铟、锡化铟等材料。

S054：去除第三基板。

去除第三基板9后背板的结构如图17所示。可以理解的是，第三基板9的去除可以是直接移除；也可以是通过激光剥离，即第三基板9上的粘接层6为光敏感材料，在激光的照射下可解除粘接层6与合格芯片2之间粘接。

在本实施例中，在去除第三基板9之后，如图13，还包括：

S06：向背板上未键合有合格芯片的焊盘转移并键合补充芯片。

键合好补充芯片后的背板如图18所示，可以理解的是，去除第三基板9之后，背板10上便完成了采用上一实施例移除不良芯片3后剩下的合格芯片2的键合，之后再在背板10上未键合有合格芯片2的焊盘11上键合好补充芯片12，便完成了显示背板10的制作，无需再对背板10进行修复。

另一些实施方式中，当隔离膜4设置于不良芯片3远离不良芯片3电极的一面时，可直接将合格芯片2从第二基板5直接转移至背板10，之后再去除第二基板5，并在背板10上未键合芯片的焊盘11上键合补充芯片12。

上述芯片转移方法采用了芯片移除方法移除了不良芯片3，实现了芯片转移的过程中不良芯片3批量地移除，即完成了芯片巨量转移的同时，也对不良芯片3进行了移除。移除的过程中不会对承载不良芯片3的基板造成损伤，也不会损坏不良芯片3附近的合格芯片2，提高了不良芯片3移除后微型发光芯片的良品率。且在转移过程中移除不良芯片3后，背板10上不会存在不良芯片3，即不需再对背板10进行修复，背板10不会因修复而损坏，提高了显示背板质量。

本申请又一可选实施例：

本实施例提供一种芯片组件，如上述实施例中的图3-图5，包括：上述实施例中的第一基板1、若干微型发光芯片和隔离膜4。

本实施例中，若干微型发光芯片设于第一基板1上，微型发光芯片中包括合格芯片2和不良芯片3。隔离膜4至少设于各不良芯片3远离第一基板1的一面上，隔离膜4被配置为将第一基板1设有微型发光芯片的一面与上述实施例中的第二基板5上设有粘接层6的一面贴合后，不良芯片3与粘接层6之间被隔离膜4隔离。

本实施例中隔离膜4在不良芯片3上的设置方式以及其具体的材质与上述实施例相同，在此不在一一赘述。

上述芯片组件在不良芯片3上设有隔离膜4，由此可以在芯片移除过程中，将第二基板5与第一基板1贴合后，需要移除的不良芯片3与粘接层6之间被隔离膜4隔离，使得不良芯片3与合格芯片2相比会更容易地脱离粘接层6。该芯片组件可通过隔离膜4的隔离作用实现不良芯片3批量地移除，移除的过程中不会对承载不良芯片3的基板造成损伤，也不会损坏不良芯片3附近的合格芯片2，可提高不良芯片3移除后微型发光芯片的良品率。

应当理解的是，本申请的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种芯片移除方法，其特征在于，包括：

提供第一基板，所述第一基板上设有若干微型发光芯片，所述微型发光芯片中包括合格芯片和不良芯片；

分别在各所述不良芯片上设置隔离膜，所述隔离膜至少将各所述不良芯片远离所述第一基板的一面覆盖；

将所述第一基板设有所述微型发光芯片的一面与第二基板上设有粘接层的一面贴合后去除所述第一基板，贴合后各所述合格芯片和所述不良芯片粘接于所述粘接层上，各所述不良芯片与所述粘接层之间被所述隔离膜隔离；

在所述第二基板粘接有所述微型发光芯片的一面贴合粘接件后去除所述粘接件，所述不良芯片随所述粘接件一起脱离所述第二基板，所述合格芯片保留在所述第二基板上。

2.如权利要求1所述的芯片移除方法，其特征在于，所述不良芯片与所述粘接件之间的第一结合力F1，大于所述粘接层与所述隔离膜的第二结合力F2以及所述粘接层与所述不良芯片的第三结合力F3之和，且小于等于所述合格芯片与所述粘接层之间的第四结合力F4；所述F2大于等于所述隔离膜与对应的所述不良芯片之间的第五结合力F5；

去除所述粘接件时，所述不良芯片随所述粘接件一起脱离所述第二基板，所述隔离膜保留在所述第二基板上。

3.如权利要求1所述的芯片移除方法，其特征在于，所述不良芯片与所述粘接件之间的第一结合力F1，大于所述粘接层与所述隔离膜的第二结合力F2以及所述粘接层与所述不良芯片的第三结合力F3之和，且小于等于所述合格芯片与所述粘接层之间的第四结合力F4；所述F2小于所述隔离膜与对应的所述不良芯片之间的第五结合力F5；

去除所述粘接件时，所述隔离膜与所述不良芯片一起随所述粘接件脱离所述第二基板。

4.如权利要求1-3任一项所述的芯片移除方法，其特征在于，所述不良芯片远离所述第一基板的一面为所述不良芯片的电极的表面，所述隔离膜至少将所述电极远离所述第一基板的一面覆盖。

5.如权利要求4所述的芯片移除方法，其特征在于，所述将所述第一基板设有所述微型发光芯片的一面与第二基板上设有粘接层的一面贴合后，各所述合格芯片和各所述不良芯片的电极嵌入所述粘接层，且各所述合格芯片和各所述不良芯片远离所述第二基板的一面齐平。

6.如权利要求1-3任一项所述的芯片移除方法，其特征在于，所述隔离膜为油脂薄膜或掺杂有油脂的复合薄膜。

7.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：

通过如权利要求1-6任一项所述的芯片移除方法，移除不良芯片；

将所述第二基板上保留的所述合格芯片转移至背板。

8.如权利要求7所述的芯片转移方法，其特征在于，所述将所述第二基板上保留的所述合格芯片转移至背板包括：

将所述第二基板上保留的所述合格芯片转移至第三基板；

将所述第三基板上的所述合格芯片的电极与所述背板上对应的焊盘对位贴合；

将对位贴合的所述合格芯片的电极与所述焊盘键合；

去除所述第三基板。

9.如权利要求8所述的芯片转移方法，其特征在于，所述去除所述第三基板之后，还包括：

向所述背板上未键合有所述合格芯片的焊盘转移并键合补充芯片。

10.一种芯片组件，其特征在于，包括：

第一基板；

设于所述第一基板上的若干微型发光芯片，所述微型发光芯片中包括合格芯片和不良芯片；

设于各所述不良芯片远离所述第一基板的一面上的隔离膜，所述隔离膜被配置为将所述第一基板设有所述微型发光芯片的一面与第二基板上设有粘接层的一面贴合后，所述不良芯片与所述粘接层之间被所述隔离膜隔离。