CN117672927A - 基板保持件和基板处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及基板保持件和基板处理装置。提供一种能够抑制微粒的产生的技术。一种能够将多个基板在铅垂方向上具有间隔地堆叠成多层的基板保持件，其具有：多个支柱，它们设于同一圆周上，沿着铅垂方向延伸；和多个支承部，它们在铅垂方向上具有间隔地设于各个支柱，分别在水平方向上延伸，多个支承部各自具有：载置面，其供基板载置；和倾斜面，其设于载置面的外缘的至少局部，倾斜面具有：第1倾斜面，其随着远离载置面而向下方倾斜；和第2倾斜面，其位于载置面与第1倾斜面之间，自载置面朝向第1倾斜面向下方倾斜，第2倾斜面的高度除以第2倾斜面的水平长度而得到的第2值小于第1倾斜面的高度除以第1倾斜面的水平长度而得到的第1值。
Description
技术领域
本公开涉及基板保持件和基板处理装置。
背景技术
在纵型热处理装置所使用的热处理用舟皿中，公知有一种将与晶圆接触的槽部的边缘部分成形为圆形的技术(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平7－161654号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够抑制微粒的产生的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板保持件能够将多个基板在铅垂方向上具有间隔地堆叠成多层，其中，该基板保持件具有：多个支柱，它们设于同一圆周上，并沿着铅垂方向延伸；以及多个支承部，它们在铅垂方向上具有间隔地设于所述多个支柱的每一个，并分别在水平方向上延伸，所述多个支承部各自具有：载置面，其供所述基板载置；以及倾斜面，其设于所述载置面的外缘的至少局部，所述倾斜面具有：第1倾斜面，其随着远离所述载置面而向下方倾斜；以及第2倾斜面，其位于所述载置面与所述第1倾斜面之间，自所述载置面朝向所述第1倾斜面向下方倾斜，所述第2倾斜面的高度除以所述第2倾斜面的水平长度而得到的第2值小于所述第1倾斜面的高度除以所述第1倾斜面的水平长度而得到的第1值。
发明的效果
根据本公开，能够抑制微粒的产生。
附图说明
图1是表示实施方式的基板处理装置的概略图。
图2是图1的II－II向视剖视图。
图3是图2的III－III向视剖视图。
图4是将图3的局部放大地表示的图。
图5是图3的V－V向视剖视图。
图6是表示测量微粒的个数的结果的图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本公开的非限定性的例示的实施方式进行说明。在所有附图中，对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的附图标记，并省略重复的说明。
(微粒)
在一次对多个基板W实施各种处理的装置中，使用能够将多个基板W在铅垂方向上具有间隔地堆叠成多层的基板保持件。基板保持件利用在沿着铅垂方向延伸的多个支柱分别设置的支承部来保持各基板。在该情况下，容易在基板上的位于支承部附近的部位产生微粒。
本发明人们利用模拟分析了基板变形的行为，结果发现：由于基板保持件与基板之间的热变形量的不同，基板保持件的支承部与基板的背面摩擦而产生微粒，该微粒在位于摩擦的部位的下方的基板之上附着。本发明人们为了抑制微粒的产生而进行了深入研究，结果想到以下的实施方式的基板处理装置和基板保持件。
(基板处理装置)
参照图1，说明实施方式的基板处理装置1。图1是表示实施方式的基板处理装置1的概略图。
基板处理装置1是一次对多个基板W实施各种处理的装置。基板W例如为半导体晶圆。各种处理例如是成膜处理、蚀刻处理或它们的组合。基板处理装置1整体上具有纵长的在铅垂方向上延伸的形状。基板处理装置1具有纵长的在铅垂方向上延伸的处理容器10。处理容器10例如由石英形成。处理容器10例如具有包括圆筒体的内管11和同心地载置于内管11的外侧的有顶的外管12的双层管构造。
处理容器10的下端被歧管20气密地保持。歧管20例如由不锈钢等金属形成。歧管20例如固定于未图示的底板。
歧管20具有：喷射器30，其向处理容器10内导入处理气体、非活性气体(例如N2气体)等吹扫气体；以及气体排气部40，其对处理容器10内进行排气。作为处理气体的种类，没有特别限定，本领域技术人员能够根据所形成的膜的种类等适当选择。
在喷射器30连接有用于导入处理气体的导入配管31。在导入配管31设有用于调整气体流量的未图示的质量流量控制器等流量调整部、未图示的阀等。
在气体排气部40连接有排气配管41。在排气配管41设有压力调整阀42、真空泵43等。
在歧管20的下端形成有炉口21。在炉口21设有盖体50。盖体50具有圆板状。盖体50例如由不锈钢等金属形成。盖体50能够利用升降机构51升降。盖体50构成为能够将炉口21气密地密封。
在盖体50之上例如设置有石英制的保温筒60。在保温筒60之上载置有基板保持件80。基板保持件80将多个基板W在铅垂方向上具有间隔地堆叠成多层。基板保持件80能够收纳于处理容器10内。利用盖体50的上升而将基板保持件80送入处理容器10内。利用盖体50的下降而将基板保持件80自处理容器10内送出。随后叙述基板保持件80。
在处理容器10的周围设有加热器70。加热器70对处理容器10内的各基板W进行加热。加热器70例如具有圆筒形状。
基板处理装置1具有控制部90。控制部90控制基板处理装置1的各部分的动作，从而对基板W实施各种处理。控制部90例如可以为计算机。用于进行基板处理装置1的各部分的动作的计算机程序存储于存储介质。存储介质例如可以为软盘、光盘、硬盘、闪存、DVD等。
(基板保持件)
参照图1至图5说明基板保持件80。图2是图1的II－II向视剖视图。图3是图2的III－III向视剖视图。图4是将图3的局部放大地表示的图。图5是图3的V－V向视剖视图。
基板保持件80构成为能够将多个基板W在铅垂方向上具有间隔地堆叠成多层。基板保持件80将各基板W保持为水平姿势。基板保持件80例如由石英形成。保持于基板保持件80的多个基板W构成一个批次，以批次为单位实施各种处理。基板保持件80具有顶板81、底板82、多个支柱83以及多个支承部84。
顶板81以水平姿势配置。顶板81例如具有圆板状。顶板81的直径例如大于基板W的直径。
底板82在比顶板81靠下方的位置与顶板81相对地配置。底板82例如具有圆板状。底板82的直径例如可以与顶板81的直径相同。
多个支柱83分别设于顶板81与底板82之间。各支柱83沿着铅垂方向延伸。各支柱83的上端与顶板81连结，下端与底板82连结。多个支柱83设于同一圆周上。在图示的例子中，支柱83为3个。
多个支承部84在铅垂方向上具有间隔地设于各支柱83。支承部84的个数例如与基板保持部80所保持的基板W的张数相同。各支承部84自支柱83朝向舟皿的中心在水平方向上延伸。各支承部84例如在俯视时具有扇形状。各支承部84支承基板W的周缘部。各支承部84具有载置面84a和倾斜面84b。
载置面84a的基端与支柱83相连。载置面84a例如是沿着水平方向的平坦面。基板W的周缘部载置于载置面84a。
倾斜面84b自载置面84a朝向支承部84的外缘向下方倾斜。倾斜面84b与载置面84a之间的交界进行了倒角。倾斜面84b具有第1倾斜面84c和第2倾斜面84d。第1倾斜面84c随着远离载置面84a而向下方倾斜。第2倾斜面84d位于载置面84a与第1倾斜面84c之间。第2倾斜面84d自载置面84a朝向第1倾斜面84c向下方倾斜。
第2倾斜面84d的高度H2除以第2倾斜面84d的水平长度L2而得到的第2值小于第1倾斜面84c的高度H1除以第1倾斜面84c的水平长度L1而得到的第1值。换言之，第2倾斜面84d的相对于水平面的第2角度θ2小于第1倾斜面84c的相对于水平面的第1角度θ1。在该情况下，能够抑制由支承部84与基板W的背面之间的摩擦引起的微粒的产生。这被认为是因为，在第2值小于第1值的情况下，载置面84a与倾斜面84b之间的交界平滑。
第1倾斜面84c例如为圆角面。在该情况下，容易使第1倾斜面84c与第2倾斜面84d之间的交界平滑。第1倾斜面84c的曲率半径例如可以为5mm以上且15mm以下，优选为10mm。第1倾斜面84c也可以为斜角面。
第2倾斜面84d例如为圆角面。在该情况下，容易使载置面84a与第2倾斜面84d之间的交界平滑，并且容易使第1倾斜面84c与第2倾斜面84d之间的交界平滑。第2倾斜面84d的曲率半径例如大于第1倾斜面84c的曲率半径。第2倾斜面84d的曲率半径例如可以为15mm以上且25mm以下，优选为20mm。第2倾斜面84d也可以为斜角面。第2倾斜面84d的水平长度L2例如短于第1倾斜面84c的水平长度L1。
(实施例)
将保持有多个基板W的基板保持件A1、A2、B收纳在上述的处理容器10内，在处理容器10内在多个基板W形成了膜之后，测量在各基板W之上附着的微粒的个数。
基板保持件A1、A2具有支承部84，该支承部84具有载置面84a、曲率半径为10mm(R10)的第1倾斜面84c以及曲率半径为20mm(R20)的第2倾斜面84d。基板保持件A1和基板保持件A2为相同规格的基板保持件，个体不同。
基板保持件B具有支承部，该支承部具有载置面84a和曲率半径为10mm(R10)的第1倾斜面84c，而不具有第2倾斜面84d。
图6是表示测量微粒的个数的结果的图。在图6中，从左侧起依次表示使用了基板保持件B、基板保持件A1、基板保持件A2的情况下的在基板W之上附着的微粒的个数[个]。图6中的微粒的个数是在保持于各基板保持件A1、A2、B的多个基板W中的规定张数的基板W之上附着的微粒的个数的平均值。
如图6所示，使用了基板保持件B的情况下的微粒的个数为44个，使用了基板保持件A1的情况下的微粒的个数为5个，使用了基板保持件A2的情况下的微粒的个数为6个。由该结果示出，通过在载置面84a与第1倾斜面84c之间设置曲率半径大于第1倾斜面84c的曲率半径的第2倾斜面84d，从而与未设置第2倾斜面84d的情况相比，能够抑制微粒的产生。
另外，如图6所示，在使用了基板保持件A1的情况和使用了基板保持件A2的情况下，微粒的个数大致相同。由该结果示出，个体的差异对微粒的产生几乎没有影响。
接着，将保持有多个基板W的基板保持件A1、A2、B收纳在上述的处理容器10内，测量在处理容器10内在多个基板W形成了膜时的形成于各基板W的膜的厚度和膜的厚度的面内均匀性。对于测量的结果，在使用了基板保持件A1、A2、B中的任一者的情况下，膜的厚度和膜的厚度的面内均匀性均大致相同。根据该结果认为，在载置面84a与第1倾斜面84c之间设置曲率半径大于第1倾斜面84c的曲率半径的第2倾斜面84d对膜特性并没有影响。
应该认为，此次公开的实施方式在所有方面均为例示，并不是限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离添附的权利要求书及其主旨的范围内以各种各样的形态进行省略、置换、变更。
在上述的实施方式中，说明了处理容器具有双层管构造的形态，但本公开并不限定于此。例如，处理容器也可以是具有单管构造的形态。
在上述的实施方式中，说明了自配置于处理容器的下方的喷射器朝向上方供给处理气体的形态，但本公开并不限定于此。例如，也可以是自沿着处理容器的长度方向配置的喷射器向水平方向供给处理气体的形态。
在上述的实施方式中，说明了基板处理装置不具有等离子体生成部的形态，但本公开并不限定于此。例如，基板处理装置也可以是具有由供给到处理容器内的处理气体生成等离子体的等离子体生成部的形态。
Claims (5)
1.一种基板保持件，其能够将多个基板在铅垂方向上具有间隔地堆叠成多层，其中，
该基板保持件具有：
多个支柱，它们设于同一圆周上，并沿着铅垂方向延伸；以及
多个支承部，它们在铅垂方向上具有间隔地设于所述多个支柱的每一个，并分别在水平方向上延伸，
所述多个支承部各自具有：
载置面，其供所述基板载置；以及
倾斜面，其设于所述载置面的外缘的至少局部，
所述倾斜面具有：
第1倾斜面，其随着远离所述载置面而向下方倾斜；以及
第2倾斜面，其位于所述载置面与所述第1倾斜面之间，自所述载置面朝向所述第1倾斜面向下方倾斜，
所述第2倾斜面的高度除以所述第2倾斜面的水平长度而得到的第2值小于所述第1倾斜面的高度除以所述第1倾斜面的水平长度而得到的第1值。
2.根据权利要求1所述的基板保持件，其中，
所述第1倾斜面和所述第2倾斜面为圆角面，
所述第2倾斜面的曲率半径大于所述第1倾斜面的曲率半径。
3.根据权利要求1或2所述的基板保持件，其中，
所述第2倾斜面的水平长度短于所述第1倾斜面的水平长度。
4.根据权利要求1或2所述的基板保持件，其中，
所述支承部在俯视时具有扇形状。
5.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置具备：
基板保持件，其能够将多个基板在铅垂方向上具有间隔地堆叠成多层；以及
处理容器，其能够收纳所述基板保持件，
所述基板保持件具有：
多个支柱，它们设于同一圆周上，并沿着铅垂方向延伸；以及
多个支承部，它们在铅垂方向上具有间隔地设于所述多个支柱的每一个，并分别在水平方向上延伸，
所述多个支承部各自具有：
载置面，其供所述基板载置；以及
倾斜面，其设于所述载置面的外缘的至少局部，
所述倾斜面具有：
第1倾斜面，其随着远离所述载置面而向下方倾斜；以及
第2倾斜面，其位于所述载置面与所述第1倾斜面之间，自所述载置面朝向所述第1倾斜面向下方倾斜，
所述第2倾斜面的高度除以所述第2倾斜面的水平长度而得到的第2值小于所述第1倾斜面的高度除以所述第1倾斜面的水平长度而得到的第1值。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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