CN117668318B - 基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法及装置 - Google Patents

基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法及装置 Download PDF

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CN117668318B CN202311865535.0A CN202311865535A CN117668318B CN 117668318 B CN117668318 B CN 117668318B CN 202311865535 A CN202311865535 A CN 202311865535A CN 117668318 B CN117668318 B CN 117668318B
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Abstract

本申请提供了一种基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法、装置、计算机可读介质及电子设备。该基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法包括:芯片包括多个晶圆层,每个晶圆层包括至少一个预置的检索电路。通过获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段;在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置;将所述目的位置处存储的数据反馈至所述主控制组件。本申请的技术方案基于一个闪存芯片中的多组晶圆层,以及多个检索电路,通过多层并行且同步独立检索的方式,提高了数据检索查询的效率。

Description

基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法及装置
技术领域
本申请涉及计算机技术领域,具体而言,涉及一种基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法、装置、计算机可读介质及电子设备。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,通过将高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种、慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。在相关技术中,当MCU需要检索某一数据时,由原来的一对一时序寻址检索,这种寻址检索方式效率较低,且在发生寻址出错时,需要从头开始再继续重新寻址检索。这种方式将造成数据存储和查询的效率较低的问题。
发明内容
本申请的实施例提供了一种基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法、装置、计算机可读介质及电子设备,进而至少在一定程度上可以解决数据存储和查询的效率较低的问题。
本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本申请的实践而习得。
根据本申请的一个方面,提供了一种基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法,包括:芯片包括多个晶圆层,每个晶圆层包括至少一个预置的检索电路;获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段;在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置;将所述目的位置处存储的数据反馈至所述主控制组件。
在本申请中,基于前述方案,所述获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段,包括:获取主控制组件发送的检索请求指令;对所述检索请求指令进行字符解析,确定其中的检索字段。
在本申请中,基于前述方案,所述在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置,包括:基于各晶圆层对应存储的数据类型,进行并行的存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层;基于所述目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置。
在本申请中,基于前述方案,所述基于目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段对应的目标位置,包括:获取目标层中的数据类型对应的第一字符信息,以及所述检索字段对应的第二字符信息;基于所述第一字符信息与所述第二字符信息进行匹配,确定检索字段对应的目标位置。
在本申请中,基于前述方案,所述方法还包括:获取各晶圆层中的存储信息;所述存储信息包括数据的存储位置和占用内存;确定所述占用内存大于或者等于设定内存的目标数据,以及目标数据对应的目标内存;根据所述存储信息对应的占用内存、所述目标数据对应的目标内存,以及所述晶圆层的存储内存,确定晶圆层对应的存储参数;基于所述存储参数调整所述晶圆层中数据的存储位置。
在本申请中,基于前述方案,所述方法还包括:基于存储数据的数据类型,将所述存储数据存储至对应的晶圆层。
在本申请中,基于前述方案,所述芯片为嵌入式存储芯片,其中内置MCU主控制组件,DDR缓存和FLASH闪存。
根据本申请的一个方面,提供了一种基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索装置,芯片包括多个晶圆层,每个晶圆层包括至少一个预置的检索电路;包括:
获取单元,用于获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段;
搜索单元,用于在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置;
发送单元,用于将所述目的位置处存储的数据反馈至所述主控制组件。
在本申请中,基于前述方案,所述获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段,包括:获取主控制组件发送的检索请求指令;对所述检索请求指令进行字符解析,确定其中的检索字段。
在本申请中,基于前述方案,所述在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置,包括:基于各晶圆层对应存储的数据类型,进行并行的存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层;基于所述目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置。
在本申请中,基于前述方案,所述基于目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段对应的目标位置,包括:获取目标层中的数据类型对应的第一字符信息,以及所述检索字段对应的第二字符信息;基于所述第一字符信息与所述第二字符信息进行匹配,确定检索字段对应的目标位置。
在本申请中,基于前述方案,所述基于目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段对应的目标位置,包括:获取目标层中的字符信息;基于目标层中的字符信息对检索字段进行字符匹配,确定检索字段对应的目标位置。
在本申请中,基于前述方案,还包括:获取各晶圆层中的存储信息;所述存储信息包括数据的存储位置和占用内存;确定所述占用内存大于或者等于设定内存的目标数据,以及目标数据对应的目标内存;根据所述存储信息对应的占用内存、所述目标数据对应的目标内存,以及所述晶圆层的存储内存,确定晶圆层对应的存储参数;基于所述存储参数调整所述晶圆层中数据的存储位置。
在本申请中,基于前述方案,还包括:基于存储数据的数据类型,将所述存储数据存储至对应的晶圆层。
在本申请中,基于前述方案,所述芯片为嵌入式存储芯片,其中内置MCU主控制组件,DDR缓存和FLASH闪存。
根据本申请的一个方面,提供了一种计算机可读介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上述实施例中所述的基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法。
根据本申请的一个方面,提供了一种电子设备,包括:一个或多个处理器;存储装置,用于存储一个或多个程序,当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时,使得所述一个或多个处理器实现如上述实施例中所述的基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法。
根据本申请的一个方面,提供了一种计算机程序产品或计算机程序,该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令,该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令,处理器执行该计算机指令,使得该计算机设备执行上述各种可选实现方式中提供的基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法。
在本申请的技术方案中,芯片包括多个晶圆层,每个晶圆层包括至少一个预置的检索电路。通过获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段;在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置;将所述目的位置处存储的数据反馈至所述主控制组件。本申请的技术方案基于一个闪存芯片中的多组晶圆层,以及多个检索电路,通过多层并行且同步独立检索的方式,提高了数据检索查询的效率。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本申请的实施例,并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示意性示出了本申请的一个实施例中基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法的流程图。
图2示意性示出了本申请的一个实施例中调整存储位置的流程图。
图3示意性示出了本申请的一个实施例中基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索装置的示意图。
图4示出了适于用来实现本申请实施例的电子设备的计算机系统的结构示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。
此外,所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下,不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。
附图中所示的方框图仅仅是功能实体,不一定必须与物理上独立的实体相对应。即,可以采用软件形式来实现这些功能实体,或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体,或在不同网络和/或处理器装置和/或微主控制组件装置中实现这些功能实体。
附图中所示的流程图仅是示例性说明,不是必须包括所有的内容和操作/步骤,也不是必须按所描述的顺序执行。例如,有的操作/步骤还可以分解,而有的操作/步骤可以合并或部分合并,因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。
以下对本申请的技术方案的实现细节进行详细阐述:
图1示出了根据本申请的一个实施例的基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法的流程图。参照图1所示,该基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法至少包括步骤S110至步骤S130,详细介绍如下:
在步骤S110中,获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段。
在本申请的一个实施例中,芯片为嵌入式存储芯片,其中内置MCU主控制组件,DDR缓存和FLASH闪存。
在本申请的一个实施例中,首先获取主控制组件发送的检索请求指令;之后对所述检索请求指令进行字符解析,确定其中的检索字段。
在本申请一实施例中,通过主控制组件发送检索请求指令,用于通过检索请求指令确定相关的数据位置和数据信息。本实施例中的检索请求指令可以是字符代码的形式。
在获取到检索请求指令之后,对检索请求指令进行字符解析,确定其中的检索字段。其中,本实施例中预设有字符对应表,通过字符对应表确定检索请求指令中的检索字段。
在步骤S120中,在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置。
在本申请的一个实施例中,获取主控制组件发送的检索请求指令之后,在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置。
在步骤S120中,在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置,包括:
基于各晶圆层对应存储的数据类型,进行并行的存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层;
基于所述目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置。
具体的,在本申请一实施例中,各个晶圆层都设有晶圆标识,即所存储的数据类型。本实施例中基于晶圆层对应的数据类型,以及检索字段对应的数据类型,确定检索字段对应的存储数据所处的晶圆层。针对每个晶圆范围进行并行、同步且独立的搜索,进而确定检索字段对应的晶圆层,即目标层。
上述过程中,通过确定各个晶圆层对应的数据类型,便可以根据检索字段确定进行并行搜索,通过并行检索的方式提高检索效率。由原来的一对一时序寻址检索,提升到每一层同步检索,达到提成算力的方法。
在本申请一实施例中,基于所述目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置,包括:
获取目标层中的字符信息;
基于目标层中的字符信息对检索字段进行匹配,确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置。
具体的,在本申请的一个实施例中,在确定检索字段对应的目标层之后,获取目标层中的字符信息,基于目标层中的字符信息对检索字段进行字符匹配,确定检索字段对应的目标位置。
在本申请一实施例中,在锁定目标层之后,获取目标层中的字符信息,基于目标层中字符信息对检索字段进行字符匹配,确定检索字段对应的目标位置。具体的,本实施例中在进行字符匹配时,对检索字段Ino_rei={Xi}与目标层中的字符信息Ino_crd={Yi}计算两者之间的相关系数Coe_cor(Ino_rei,Ino_cra)为:
其中,ε表示根据历史数据确定的相关因子,k表示字段中的字符数量。在上述过程中,通过检索字段与目标层中的字符信息计算相关系数,进而根据相关系数确定检索字段对应的目标数据,以及目标数据对应的目标位置。
在本申请的一个实施例中,在确定了目标层对应的晶圆标识,以及该目标层中的目标位置之后,基于目标层对应的晶圆标识和所述目标位置,生成所述检索请求指令对应的目的地址。
在本申请的一个实施例中,在生成目标地址之后,将所述目的位置处存储的数据反馈至所述主控制组件。
在本申请的一个实施例中,如图2所示,所述方法还包括:
S210,获取各晶圆层中的存储信息;所述存储信息包括数据的存储位置和占用内存;
S220,确定所述占用内存大于或者等于设定内存的目标数据,以及目标数据对应的目标内存;
S230,根据所述存储信息对应的占用内存、所述目标数据对应的目标内存,以及所述晶圆层的存储内存,确定晶圆层对应的存储参数;
S240,基于所述存储参数调整所述晶圆层中数据的存储位置。
在本申请一实施例中,在各晶圆层中存储有相关数据,我们获取各晶圆层中的存储信息,其中,存储信息包括数据的存储位置和占用内存。本实施例中基于每个晶圆层中的已存储信息的占用内存,确定总的占用容量。
同时,本申请实施例中设有设定内存,这个设定内存的数量足够大,用于基于设定内存进行筛选,将占用内存大于或者等于设定内存的数据作为目标数据,并获取目标数据对应的目标内存。其中,目标数据可以包括多个目标数据。
在确定了占用内存和目标内存之后,针对每个晶圆层中存储信息对应的占用内存Meo_occ、所述目标数据i对应的目标内存Meo_tar_i,以及所述晶圆层的存储内存Meo_sto,确定晶圆层对应的存储参数Par_sto为:
其中,α表示设定的存储因子。上述过程通过基于存储信息对应的占用内存、所述目标数据对应的目标内存,以及所述晶圆层的存储内存之间的比例,确定晶圆层对应的存储参数。进而在得到存储参数之后,若存储参数大于或者等于设定阈值,则表示该晶圆层上的数据存储量过大,则需要对该晶圆层上的数据进行调整,例如将其迁移至其余的晶圆层中,以保证数据的存储平衡,便于之后的数据检索,提高检索效率。
在本申请一实施例中,还包括:基于存储数据的数据类型,将所述存储数据存储至对应的晶圆层。
在本申请一实施例中,针对每个晶圆层设定有其对应的数据类型,用于将该数据类型对一个的存储数据存储至对应的晶圆层。通过这种方式提高数据的存储和查询效率。
在本申请的技术方案中,芯片包括多个晶圆层,每个晶圆层包括至少一个预置的检索电路。通过获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段;在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置;将所述目的位置处存储的数据反馈至所述主控制组件。本申请的技术方案基于一个闪存芯片中的多组晶圆层,以及多个检索电路,通过多层并行且同步独立检索的方式,提高了数据检索查询的效率。
以下介绍本申请的装置实施例,可以用于执行本申请上述实施例中的基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法。可以理解的是,所述装置可以是运行于计算机设备中的一个计算机程序(包括程序代码),例如该装置为一个应用软件;该装置可以用于执行本申请实施例提供的方法中的相应步骤。对于本申请装置实施例中未披露的细节,请参照本申请上述的基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法的实施例。
图3示出了根据本申请的一个实施例的基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索装置的框图。
参照图3所示,根据本申请的一个实施例的基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索装置,芯片包括多个晶圆层,每个晶圆层包括至少一个预置的检索电路;包括:
获取单元310,用于获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段;
搜索单元320,用于在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置;
发送单元330,用于将所述目的位置处存储的数据反馈至所述主控制组件。
在本申请中,基于前述方案,所述获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段,包括:获取主控制组件发送的检索请求指令;对所述检索请求指令进行字符解析,确定其中的检索字段。
在本申请中,基于前述方案,所述在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置,包括:基于各晶圆层对应存储的数据类型,进行并行的存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层;基于所述目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置。
在本申请中,基于前述方案,所述基于目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段对应的目标位置,包括:获取目标层中的数据类型对应的第一字符信息,以及所述检索字段对应的第二字符信息;基于所述第一字符信息与所述第二字符信息进行匹配,确定检索字段对应的目标位置。
在本申请中,基于前述方案,所述基于目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段对应的目标位置,包括:获取目标层中的字符信息;基于目标层中的字符信息对检索字段进行字符匹配,确定检索字段对应的目标位置。
在本申请中,基于前述方案,还包括:获取各晶圆层中的存储信息;所述存储信息包括数据的存储位置和占用内存;确定所述占用内存大于或者等于设定内存的目标数据,以及目标数据对应的目标内存;根据所述存储信息对应的占用内存、所述目标数据对应的目标内存,以及所述晶圆层的存储内存,确定晶圆层对应的存储参数;基于所述存储参数调整所述晶圆层中数据的存储位置。
在本申请中,基于前述方案,还包括:基于存储数据的数据类型,将所述存储数据存储至对应的晶圆层。
在本申请中,基于前述方案,所述芯片为嵌入式存储芯片,其中内置MCU主控制组件,DDR缓存和FLASH闪存。
在本申请的技术方案中,芯片包括多个晶圆层,每个晶圆层包括至少一个预置的检索电路。通过获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段;在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置;将所述目的位置处存储的数据反馈至所述主控制组件。本申请的技术方案基于一个闪存芯片中的多组晶圆层,以及多个检索电路,通过多层并行且同步独立检索的方式,提高了数据检索查询的效率。
图4示出了适于用来实现本申请实施例的电子设备的计算机系统的结构示意图。
需要说明的是,图中所示的电子设备的计算机系统400仅是一个示例,不应对本申请实施例的功能和使用范围带来任何限制。
其中,计算机系统400包括中央处理单元(Central Processing Unit,CPU)401,其可以根据存储在只读存储器(Read-Only Memory,ROM)402中的程序或者从储存部分408加载到随机访问存储器(Random Access Memory,RAM)403中的程序而执行各种适当的动作和处理,例如执行上述实施例中所述的方法。在RAM 403中,还存储有系统操作所需的各种程序和数据。CPU 401、ROM 402以及RAM 403通过总线404彼此相连。输入/输出(Input/Output,I/O)接口405也连接至总线404。
以下部件连接至I/O接口405:包括键盘、鼠标等的输入部分406;包括诸如阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)、液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等以及扬声器等的输出部分407;包括硬盘等的储存部分408;以及包括诸如LAN(Local Area Network,局域网)卡、调制解调器等的网络接口卡的通信部分409。通信部分409经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器410也根据需要连接至I/O接口405。可拆卸介质411,诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等,根据需要安装在驱动器410上,以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入储存部分408。
特别地,根据本申请的实施例,上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如,本申请的实施例包括一种计算机程序产品,其包括承载在计算机可读介质上的计算机程序,该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的计算机程序。在这样的实施例中,该计算机程序可以通过通信部分409从网络上被下载和安装,和/或从可拆卸介质411被安装。在该计算机程序被中央处理单元(CPU)401执行时,执行本申请的系统中限定的各种功能。
需要说明的是,本申请实施例所示的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件,或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于:具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory,EPROM)、闪存、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(Compact Disc Read-Only Memory,CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本申请中,计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质,该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本申请中,计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号,其中承载了计算机可读的计算机程序。这种传播的数据信号可以采用多种形式,包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质,该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的计算机程序可以用任何适当的介质传输,包括但不限于:无线、有线等等,或者上述的任意合适的组合。
附图中的流程图和框图,图示了按照本申请各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。其中,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分,上述模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意,在有些作为替换的实现中,方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这依所涉及的功能而定。也要注意的是,框图或流程图中的每个方框、以及框图或流程图中的方框的组合,可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现,或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
描述于本申请实施例中所涉及到的单元可以通过软件的方式实现,也可以通过硬件的方式来实现,所描述的单元也可以设置在处理器中。其中,这些单元的名称在某种情况下并不构成对该单元本身的限定。
根据本申请的一个方面,提供了一种计算机程序产品或计算机程序,该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令,该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令,处理器执行该计算机指令,使得该计算机设备执行上述各种可选实现方式中提供的方法。
作为另一方面,本申请还提供了一种计算机可读介质,该计算机可读介质可以是上述实施例中描述的电子设备中所包含的;也可以是单独存在,而未装配入该电子设备中。上述计算机可读介质承载有一个或者多个程序,当上述一个或者多个程序被一个该电子设备执行时,使得该电子设备实现上述实施例中所述的方法。
应当注意,尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元,但是这种划分并非强制性的。实际上,根据本申请的实施方式,上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之,上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员易于理解,这里描述的示例实施方式可以通过软件实现,也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此,根据本申请实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来,该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM,U盘,移动硬盘等)中或网络上,包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、触控终端、或者网络设备等)执行根据本申请实施方式的方法。本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的实施方式后,将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。应当理解的是,本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (7)

1.一种基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法,其特征在于,芯片包括多个晶圆层,每个晶圆层包括至少一个预置的检索电路;所述方法包括:
获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段;
在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置;
将所述目标位置处存储的数据反馈至所述主控制组件;
其中,在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置,包括:
基于各晶圆层对应存储的数据类型,进行并行的存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层;
基于所述目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置;
其中,基于所述目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置,包括:
获取目标层中的字符信息;
基于目标层中的字符信息对检索字段进行匹配,基于检索字段中的字符信息与目标层中的字符信息,计算两者之间的相关系数为:
其中,表示根据历史数据确定的相关因子,k表示字段中的字符数量;表示检索字段中的字符信息,表示目标层中的字符信息;
根据相关系数确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置;
其中,所述方法还包括:
获取各晶圆层中的存储信息;所述存储信息包括数据的存储位置和占用内存;
确定所述占用内存大于或者等于设定内存的目标数据,以及目标数据对应的目标内存;
根据所述存储信息对应的占用内存、所述目标数据对应的目标内存,以及所述晶圆层的存储内存,确定晶圆层对应的存储参数为:
其中,表示设定的存储因子;
基于所述存储参数调整所述晶圆层中数据的存储位置。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段,包括:
获取主控制组件发送的检索请求指令;
对所述检索请求指令进行字符解析,确定其中的检索字段。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
基于存储数据的数据类型,将所述存储数据存储至对应的晶圆层。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述芯片为嵌入式存储芯片,其中内置MCU主控制组件,DDR缓存和FLASH闪存。
5.一种基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索装置,其特征在于,芯片包括多个晶圆层,每个晶圆层包括至少一个预置的检索电路;所述装置包括:
获取单元,用于获取主控制组件发送的检索请求指令,所述检索请求指令中包括检索字段;
搜索单元,用于在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置;
发送单元,用于将所述目标位置处存储的数据反馈至所述主控制组件;
其中,在各晶圆层中分别并行进行存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层,并确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置,包括:
基于各晶圆层对应存储的数据类型,进行并行的存储数据搜索,确定所述检索字段对应的目标层;
基于所述目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置;
其中,基于所述目标层中的字符信息进行检索,确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置,包括:
获取目标层中的字符信息;
基于目标层中的字符信息对检索字段进行匹配,基于检索字段中的字符信息与目标层中的字符信息,计算两者之间的相关系数为:
其中,表示根据历史数据确定的相关因子,k表示字段中的字符数量;表示检索字段中的字符信息,表示目标层中的字符信息;
根据相关系数确定检索字段在所述目标层中对应的目标位置;
其中,还包括:
获取各晶圆层中的存储信息;所述存储信息包括数据的存储位置和占用内存;
确定所述占用内存大于或者等于设定内存的目标数据,以及目标数据对应的目标内存;
根据所述存储信息对应的占用内存、所述目标数据对应的目标内存,以及所述晶圆层的存储内存,确定晶圆层对应的存储参数为:
其中,表示设定的存储因子;
基于所述存储参数调整所述晶圆层中数据的存储位置。
6.一种计算机可读介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述的基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法。
7.一种电子设备,其特征在于,包括:
一个或多个处理器;
存储装置,用于存储一个或多个程序,当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时,使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1至4中任一项所述的基于芯片闪存晶圆的叠加电路检索方法。
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