CN117647916A - 光刻胶污染测试装置及测试方法 - Google Patents
光刻胶污染测试装置及测试方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117647916A CN117647916A CN202311412303.XA CN202311412303A CN117647916A CN 117647916 A CN117647916 A CN 117647916A CN 202311412303 A CN202311412303 A CN 202311412303A CN 117647916 A CN117647916 A CN 117647916A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photoresist
- test
- pipeline
- light source
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 171
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 135
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims abstract description 12
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 44
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 30
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 17
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 14
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 12
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims description 8
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 58
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012429 release testing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明提出了一种光刻胶污染测试装置及测试方法，光刻胶污染测试装置包括测试腔、第一光源系统、放气测试系统和抽气系统。本发明提出的光刻胶污染测试装置通过将光刻胶放置在气体氛围或者真空环境中，利用第一光源系统对光刻胶进行曝光，使其产生气体污染物，然后再通过放气测试系统基于小孔流导法对光刻胶在曝光时产生的气体污染物进行测试，小孔流导法是测量材料放气率的常用方法之一，其基本原理可描述为小孔两侧的压力差乘以小孔流导得到材料放出的气体量，进而除以材料表面积得到放气率。最终得出光刻胶在曝光时的放气率以及放气成分，根据此可进行光刻胶的曝光污染评估。
Description
技术领域
本发明涉及光刻胶测试技术领域，尤其涉及一种基于光刻胶污染测试装置及测试方法。
背景技术
本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。
光刻技术是极大规模集成电路制造的关键技术之一。无论是投影光刻、接近式光刻还是接触式光刻，光刻设备内的气体污染都会降低光刻良率，缩短光学元件寿命。光刻胶在曝光时会发生光化学反应，产生气体污染物，进而污染其附近的光学镜头或光掩模，因此需要测试光刻胶在曝光条件下的放气率，并评估其对光学元件的污染程度。
发明内容
本发明的目的是至少解决如何测试光刻胶在曝光条件下的放气率的问题。该目的是通过以下技术方案实现的：
本发明的第一方面提出了一种光刻胶污染测试装置，包括：
测试腔，用于为光刻胶测试提供所需的气体氛围或真空环境，所述测试腔内具有用于放置光刻胶的测试台；
第一光源系统，用于对所述光刻胶进行曝光；
放气测试系统，用于通过小孔流导法测试所述光刻胶在曝光时的放气率和放气成分；
抽气系统，用于对所述测试腔进行抽气。
本发明提出的光刻胶污染测试装置通过将光刻胶放置在气体氛围或者真空环境中，利用第一光源系统对光刻胶进行曝光，使其产生气体污染物，然后再通过放气测试系统对光刻胶在曝光时产生的气体污染物进行测试，最终得出光刻胶在曝光时的放气率以及放气成分，根据此可进行光刻胶的曝光污染评估。
另外，根据本发明的光刻胶污染测试装置，还可具有如下附加的技术特征：
在本发明的一些实施例中，所述第一光源系统包括；
第一光源，用于产生对所述光刻胶进行曝光的第一光束；
滤光结构，设置在所述第一光束的光路上，所述滤光结构用于对所述第一光束进行滤光；
第一快门，设置在所述第一光束的光路上，所述第一快门用于控制所述第一光束的通断；
第一光阑，设置在所述第一光束的光路上，所述第一光阑用于对所述第一光束进行整形。
在本发明的一些实施例中，所述放气测试系统包括；
第一真空计，用于测量所述测试腔内的气压或者真空度；
气体分压传感器，用于测量所述测试腔内的气体成分、分压力和浓度；
测试管路，用于连通所述测试腔和所述抽气系统，所述测试管路上设有限流孔；
第二真空计，设置在所述测试管路上，且所述第二真空计位于所述限流孔至所述抽气系统之间，所述第二真空计用于测量所述测试管路的气压或者真空度。
在本发明的一些实施例中，所述抽气系统包括：
真空泵组，通过第一抽气管路与所述测试腔连通，所述真空泵组还通过第二抽气管路与所述测试管路连通；
第一阀门，设置在所述第一抽气管路上；
第二阀门，设置在所述第二抽气管路上。
在本发明的一些实施例中，所述光刻胶污染测试装置还包括：
光学元件，设置在所述测试腔中，所述光刻胶在曝光时产生的污染物能够在所述光学元件上形成沉积层或者损伤层；
第二光源系统，用于在所述光学元件上产生辐照光束。
在本发明的一些实施例中，所述第二光源系统包括：
第二光源，用于产生辐照所述光学元件的第二光束；
第二快门，设置在所述第二光束的光路上，所述第二快门用于控制所述第二光束的通断；
第二光阑，设置在所述第二光束的光路上，所述第二光阑用于对所述第二光束进行整形。
在本发明的一些实施例中，所述滤光结构包括第一滤光片，所述第一滤光片设置在所述第一光束的光路上，并位于所述测试腔内。
在本发明的一些实施例中，所述滤光结构包括带密封结构的第二滤光片，所述第一光源系统还包括第一管路、第二管路和第四阀门，所述第一管路与所述第二管路分别连通所述第一光源和所述测试腔，所述第二滤光片设置在所述第一管路上。
在本发明的一些实施例中，所述滤光结构包括滤光阀，所述第一光源系统还包括第三管路，所述第三管路的两端分别与所述第一光源和所述测试腔连接，所述滤光阀包括阀体和阀板，所述阀体内形成有阀腔，所述阀腔的进口和出口分别与所述第一光源和所述测试腔连通，所述阀板设置在所述阀腔内并用于控制所述阀腔的通断，所述阀板设有安装位，所述安装位上设有第三滤光片。
本发明的第二方面提出了一种光刻胶污染测试方法，通过本发明第一方面提出的光刻胶污染测试装置来实施，所述光刻胶污染测试方法包括以下步骤；
控制所述光刻胶污染测试装置的抽气系统对所述光刻胶污染测试装置的测试腔进行抽气；
控制所述光刻胶污染测试装置的第一光源系统对所述测试腔内的光刻胶进行曝光；
控制所述光刻胶污染测试装置的放气测试系统测量测试腔内的气压或真空度、气体成分、分压力和浓度；
根据小孔流导法以及所述气压或所述真空度、所述气体成分、所述分压力和所述浓度计算所述光刻胶以及所述光刻胶的污染物在曝光时的放气率和放气成分。
本发明第二方面提出的光刻胶污染测试方法通过控制本发明第一方面提出的光刻胶污染测试装置，将光刻胶放置在气体氛围或者真空环境中，利用第一光源系统对光刻胶进行曝光，使其产生气体污染物，然后再通过放气测试系统基于小孔流导法对光刻胶在曝光时产生的气体污染物进行测试，最终得出光刻胶在曝光时的放气率以及放气成分，根据此可进行光刻胶的曝光污染评估。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的附图标记表示相同的部件。在附图中：
图1示意性地示出了根据本发明的实施方式的光刻胶污染测试装置的结构示意图；
图2示意性地示出了根据本发明的实施方式的光刻胶污染测试装置的第一光源与测试腔的第一连接方式的结构示意图；
图3示意性地示出了根据本发明的实施方式的光刻胶污染测试装置的第一光源与测试腔的第二连接方式的结构示意图；附图标记如下：
1、测试腔；2、第一光源；31、第一滤光片；32、第二滤光片；4、第一快门；5、第一光阑；6、光刻胶；7、测试台；8、第二光源；9、第二快门；10、第二光阑；11、光学元件；12、第一真空计；13、气体分压传感器；14、限流孔；15、第二真空计；16、第一阀门；17、第二阀门；18、真空泵组；19、第三阀门；20、高纯气源；21、第四阀门；22、滤光阀。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
应理解的是，文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”、“含有”以及“具有”是包含性的，并且因此指明所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或者添加一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组合。文中描述的方法步骤、过程、以及操作不解释为必须要求它们以所描述或说明的特定顺序执行，除非明确指出执行顺序。还应当理解，可以使用另外或者替代的步骤。
尽管可以在文中使用术语第一、第二、第三等来描述多个元件、部件、区域、层和/或部段，但是，这些元件、部件、区域、层和/或部段不应被这些术语所限制。这些术语可以仅用来将一个元件、部件、区域、层或部段与另一区域、层或部段区分开。除非上下文明确地指出，否则诸如“第一”、“第二”之类的术语以及其它数字术语在文中使用时并不暗示顺序或者次序。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部段在不脱离示例实施方式的教导的情况下可以被称作第二元件、部件、区域、层或部段。
为了便于描述，可以在文中使用空间相对关系术语来描述如图中示出的一个元件或者特征相对于另一元件或者特征的关系，这些相对关系术语例如为“内部”、“外部”、“内侧”、“外侧”、“下面”、“下方”、“上面”、“上方”等。这种空间相对关系术语意于包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中装置的不同方位。例如，如果在图中的装置翻转，那么描述为“在其它元件或者特征下面”或者“在其它元件或者特征下方”的元件将随后定向为“在其它元件或者特征上面”或者“在其它元件或者特征上方”。因此，示例术语“在……下方”可以包括在上和在下的方位。装置可以另外定向(旋转90度或者在其它方向)并且文中使用的空间相对关系描述符相应地进行解释。
如图1至图3所示，本发明的第一方面提出了一种光刻胶污染测试装置，包括：
测试腔1，用于为光刻胶6测试提供所需的气体氛围或真空环境，测试腔1内具有用于放置光刻胶6的测试台7；
第一光源系统，用于对光刻胶6进行曝光；
放气测试系统，用于通过小孔流导法测试光刻胶6在曝光时的放气率和放气成分；
抽气系统，用于对测试腔1进行抽气。
可以理解的是，测试腔1可以是一个盒型结构中的腔体结构，测试腔1内用于构造光刻胶6测试的气体氛围环境或者真空环境，气体氛围环境是指光刻胶6在测试腔1内充满氮气、干空气、氢气、氩气等气体的测试环境。测试台7可以参考现有的放置光刻胶6测试样品的装置，测试台7为方便调节位置还可以具有位移功能。第一光源系统用来产生光刻胶6的曝光光束，光源产生的装置可参考现有技术。并且第一光源系统还可具有对光束的光强、光束形状、光谱纯度和曝光剂量进行精确控制的调节组件，例如滤光片3等。抽气系统可通过抽气泵对测试腔1进行抽气以产生真空环境。放气测试系统通过小孔流导法测试光刻胶6在曝光时的放气率和放气成分，具体地，可将测试腔1通过管路与抽气系统连通，管路上设置限流孔14，再利用真空计测量测试腔1内的气压以及限流孔14的后端的气压，利用气体分压传感器13测量测试腔1内的气体成分、分压力以及浓度，基于小孔流导法的步骤并根据测量结果可计算出光刻胶6的放气率，进而可以评估光刻胶6的放气污染情况。
本发明提出的光刻胶污染测试装置通过将光刻胶6放置在气体氛围或者真空环境中，利用第一光源系统对光刻胶6进行曝光，使其产生气体污染物，然后再通过放气测试系统基于小孔流导法对光刻胶6在曝光时产生的气体污染物进行测试，小孔流导法是测量材料放气率的常用方法之一，其基本原理可描述为小孔两侧的压力差乘以小孔流导得到材料放出的气体量，进而除以材料表面积得到放气率。最终得出光刻胶6在曝光时的放气率以及放气成分，根据此可进行光刻胶6的曝光污染评估。
在本发明的一些实施例中，第一光源系统包括；
第一光源2，用于产生对光刻胶6进行曝光的第一光束；
第一滤光片31，设置在第一光束的光路上，第一滤光片31用于对第一光束进行滤光；
第一快门4，设置在第一光束的光路上，第一快门4用于控制第一光束的通断；
第一光阑5，设置在第一光束的光路上，第一光阑5用于对第一光束进行整形。
第一光源系统用来产生光刻胶6的曝光光束，并对光强、光束形状、光谱纯度和曝光剂量进行精确控制。第一光源系统包括第一光源2、第一滤光片31、第一快门4，第一光阑5和第一光束。第一光源2产生光刻胶6曝光所需的第一光束。第一滤光片31对第一光束的光谱进行过滤提纯，实现纯净光。第一快门4可以对第一光束实现快速通断，进而精确控制光刻胶6曝光时间和剂量。第一光阑5对第一光束进行整形，实现所需的光束形状。根据装置结构设计和实际需求，滤光片3、第一快门4和第一光阑5的位置可以进行调换。所第一光源2可以是与曝光波长相同的光源，也可以是等效光源。
第一光束对光刻胶6进行曝光，光刻胶6与第一光束发生光化学反应，进而产生污染性气体。一般来说，光刻胶6涂敷在硅片上进行测试。为了便于测试光刻胶6污染物产率，需要连续不断的对光刻胶6的新鲜表面进行曝光。位移台可实现光刻胶6的转动和线性运动，进而实现螺旋式的连续曝光；或者位移台可实现光刻胶6的二维线性运动，进而实现连续平移曝光。
在本发明的一些实施例中，放气测试系统包括；
第一真空计12，用于测量测试腔1内的气压或者真空度；
气体分压传感器13，用于测量测试腔1内的气体成分、分压力和浓度；
测试管路，与测试腔1连通，且与抽气系统连通；
限流孔14，设置在测试管路上；
第二真空计15，设置在测试管路上，且第二真空计15位于限流孔14至抽气系统之间，第二真空计15用于测量测试管路的气压或者真空度。
可以理解的是，放气测试系统通过小孔流导法测试光刻胶6曝光时的放气率和放气成分，包括第一真空计12、气体分压传感器13、限流小孔和第二真空计15。气体分压传感器13即气体分析压力传感器。放气测试时，抽气系统通过限流孔14所在的管路对测试腔1抽真空。第一真空计12用来测量测试内的气压或真空度P1。气体分压传感器13用来测量测试腔1内的气体成分、分压力和浓度。限流孔14是一种限流元件，其流导记为C。第二真空计15用来测量限流孔14后端的气压或真空度P2。那么，测试系统的放气率Q＝(P1-P2)×C。假设气体分压传感器13测量的某一污染物i的浓度为k，则该污染物的放气率Qi＝kQ＝k×(P1-P2)×C。通过测试光刻胶6在曝光前的系统放气率Q0和曝光时系统放气率Q1，可计算出曝光导致的光刻胶6的放气率Q2，且Q2＝Q1-Q0。同样，通过测试污染物i在光刻胶6曝光前的放气率Qi0和曝光时放气率Qi1，可计算出曝光导致的光刻胶6的污染物放气率Qi2，且Qi2＝Qi1-Qi0。
在本发明的一些实施例中，抽气系统包括：
真空泵组18，通过第一抽气管路与测试腔1连通，真空泵组18还通过第二抽气管路与测试管路连通；
第一阀门16，设置在第一抽气管路上；
第二阀门17，设置在第二抽气管路上；
可以理解的是，抽气系统用于对测试腔1进行抽真空，包括第一阀门16、第二阀门17和真空泵组18。开启真空泵组18，打开第二阀门17，可对测试腔1抽极限真空，实现清洁的本底。开启真空泵组18，打开第一阀门16，关闭第二阀门17，可通过限流孔14所在的管路对测试腔1抽真空，进而测试光刻胶6的放气率。
在本发明的一些实施例中，光刻胶污染测试装置还包括：
光学元件11，设置在测试腔1中，光刻胶6在曝光时产生的污染物能够在光学元件11上形成沉积层或者损伤层；
第二光源系统，用于在光学元件11上产生辐照光束。
具体地，第二光源系统包括：
第二光源8，用于产生辐照光学元件11的第二光束；
第二快门9，设置在第二光束的光路上，第二快门9用于控制第二光束的通断；
第二光阑10，设置在第二光束的光路上，第二光阑10用于对第二光束进行整形。
第二光源系统用来产生光学元件11表面的辐照光束，并对光强、光束形状和辐照剂量进行精确控制。第二光源系统包括第二光源8、第二快门9，第二光阑10和第二光束。第二光源8产生辐照到光学元件11表面的第二光束。第二快门9可以对第二光束实现快速通断，进而精确控制辐照时间和剂量。第二光阑10对第二光束进行整形，实现所需的光束形状。根据装置结构设计和实际需求，第二快门9和第二光阑10的位置可以进行调换。此外，也可以增加第二滤光片3，进而对第二光束的光谱进行过滤提纯。第二光源8可以是与曝光波长相同的光源，也可以是等效光源。
光学元件11是光刻设备内的光学元件11，可以是反射镜、透射镜或掩模等。光刻胶6产生的污染物会扩散到光学元件11附近空间，第二光束模拟光刻时光学元件11表面的辐照条件，污染物在光学元件11表面形成沉积层或损伤层。通过椭偏仪、能谱仪或原子力显微镜等测试沉积层或损伤层的厚度、形状或成分等，进而可以测试光刻胶6的污染物在辐照条件下对光学元件11的污染程度。
在本发明的一些实施例中，第一光源系统还包括第一管路、第二管路和第四阀门21，第一管路与第二管路并联，第一管路的一端与第一光源2连接，第一管路的另一端与测试腔1连通，第二滤光片32设置在第一管路上，第四阀门21设置在第二管路上。
可以理解的是，根据光刻胶6的不同，第一光源2和第二光源8会采用不用波长的光源。当第一光源2和第二光源8内的工质为气体或真空时，就需要平衡第一光源2和第二光源8与测试腔1的气压。这就需要设计光源与测试腔1的连接方式。如图2所示，第一光源2通过第四阀门21和带密封结构的第二滤光片32分别与测试腔1连接。当第一光源2或测试腔1内的气压不平衡或有变动时，打开第四阀门21，当气压平衡并稳定后，关闭第四阀门21。
在本发明的一些实施例中，第一光源系统还包括第三管路和设置在第三管路上的滤光阀22，第三管路的两端分别与第一光源2和测试腔1连接，滤光阀22包括阀体和阀板，阀体内形成有阀腔，阀腔的进口和出口分别与第一光源2和测试腔1连通，阀板设置在阀腔内并用于控制阀腔的通断，阀板设有安装位，第三滤光片设置在安装位上。
可以理解的是，根据光刻胶6的不同，第一光源2和第二光源8会采用不用波长的光源。当第一光源2和第二光源8内的工质为气体或真空时，就需要平衡第一光源2和第二光源8与测试腔1的气压。这就需要设计光源与测试腔1的连接方式。如图3所示，第一光源2通过滤光阀22与测试腔1连接。滤光阀22是阀板上密封有第三滤光片的特殊阀门。当第一光源2或测试腔1内的气压不平衡或有变动时，打开滤光阀22，当气压平衡并稳定后，关闭滤光阀22。
在本发明的一些实施例中，光刻胶污染测试装置还包括充气系统，充气系统包括：
充气气源，用于为测试腔1提供气体氛围；
第四管路，充气气源通过第四管路与测试腔1连通；
第三阀门19，设置在第四管路上。
可以理解的是，充气系统包括第三阀门19和高纯气源20，可向测试腔1充入高纯气体，例如氮气、干空气、氢气、氩气等，实现所需的高纯气体氛围。
本发明的第二方面提出了一种光刻胶污染测试方法，通过本发明第一方面提出的光刻胶污染测试装置来实施，光刻胶污染测试方法包括以下步骤；
控制光刻胶污染测试装置的抽气系统对光刻胶污染测试装置的测试腔1进行抽气；
控制光刻胶污染测试装置的第一光源系统对测试腔1内的光刻胶6进行曝光；
控制光刻胶污染测试装置的放气测试系统测量测试腔1内的气压或真空度、气体成分、分压力和浓度；
根据小孔流导法以及气压或真空度、气体成分、分压力和浓度计算光刻胶6以及光刻胶6的污染物在曝光时的放气率和放气成分。
本发明第二方面提出的光刻胶污染测试方法可采用控制模块控制本发明第一方面提出的光刻胶污染测试装置，将光刻胶6放置在气体氛围或者真空环境中，利用第一光源系统对光刻胶6进行曝光，使其产生气体污染物，然后再通过放气测试系统基于小孔流导法对光刻胶6在曝光时产生的气体污染物进行测试，最终得出光刻胶6在曝光时的放气率以及放气成分，根据此可进行光刻胶6的曝光污染评估。
在本发明实施例中，控制模块为处理器，其中，处理器可以是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。处理器可以是通用处理器、数字信号处理器(Digital SignalProcessor，简称DSP)、专用集成电路(Application SpecificIntegrated Circuit，简称ASIC)、现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，简称FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。
可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本发明实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。处理器读取存储介质中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
存储介质可以是存储器，例如可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。
其中，非易失性存储器可以是只读存储器(Read-Only Memory，简称ROM)、可编程只读存储器(Programmable ROM，简称PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM，简称EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically EPROM，简称EEPROM)或闪存。
易失性存储器可以是随机存取存储器(Random Access Memory，简称RAM)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(Static RAM，简称SRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic RAM，简称DRAM)、同步动态随机存取存储器(Synchronous DRAM，简称SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data Rate SDRAM，简称DDRSDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(EnhancedSDRAM，简称ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(Synch Link DRAM，简称SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(Direct Rambus RAM，简称DRRAM)。
本发明实施例描述的存储介质旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
本领域技术人员应该可以意识到，在上述一个或多个示例中，本发明所描述的功能可以用硬件与软件组合来实现。当应用软件时，可以将相应功能存储在计算机可读介质中或者作为计算机可读介质上的一个或多个指令或代码进行传输。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质，其中通信介质包括便于从一个地方向另一个地方传送计算机程序的任何介质。存储介质可以是通用或专用计算机能够存取的任何可用介质。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种光刻胶污染测试装置，其特征在于，包括：
测试腔，用于为光刻胶测试提供所需的气体氛围或真空环境，所述测试腔内具有用于放置光刻胶的测试台；
第一光源系统，用于对所述光刻胶进行曝光；
放气测试系统，用于测试所述光刻胶在曝光时的放气率和放气成分；
抽气系统，用于对所述测试腔进行抽气。
2.根据权利要求1所述的光刻胶污染测试装置，其特征在于，所述第一光源系统包括；
第一光源，用于产生对所述光刻胶进行曝光的第一光束；
滤光结构，设置在所述第一光束的光路上，所述滤光结构用于对所述第一光束进行滤光；
第一快门，设置在所述第一光束的光路上，所述第一快门用于控制所述第一光束的通断；
第一光阑，设置在所述第一光束的光路上，所述第一光阑用于对所述第一光束进行整形。
3.根据权利要求2所述的光刻胶污染测试装置，其特征在于，所述放气测试系统包括；
第一真空计，用于测量所述测试腔内的气压或者真空度；
气体分压传感器，用于测量所述测试腔内的气体成分、分压力和浓度；
测试管路，用于连通所述测试腔和所述抽气系统，所述测试管路上设有限流孔；
第二真空计，设置在所述测试管路上，且所述第二真空计位于所述限流孔至所述抽气系统之间，所述第二真空计用于测量所述测试管路的气压或者真空度。
4.根据权利要求3所述的光刻胶污染测试装置，其特征在于，所述抽气系统包括：
真空泵组，通过第一抽气管路与所述测试腔连通，所述真空泵组还通过第二抽气管路与所述测试管路连通；
第一阀门，设置在所述第一抽气管路上；
第二阀门，设置在所述第二抽气管路上。
5.根据权利要求4所述的光刻胶污染测试装置，其特征在于，所述光刻胶污染测试装置还包括：
光学元件，设置在所述测试腔中，所述光刻胶在曝光时产生的污染物能够在所述光学元件上形成沉积层或者损伤层；
第二光源系统，用于在所述光学元件上产生辐照光束。
6.根据权利要求5所述的光刻胶污染测试装置，其特征在于，所述第二光源系统包括：
第二光源，用于产生辐照所述光学元件的第二光束；
第二快门，设置在所述第二光束的光路上，所述第二快门用于控制所述第二光束的通断；
第二光阑，设置在所述第二光束的光路上，所述第二光阑用于对所述第二光束进行整形。
7.根据权利要求2所述的光刻胶污染测试装置，其特征在于，所述滤光结构包括第一滤光片，所述第一滤光片设置在所述第一光束的光路上，并位于所述测试腔内。
8.根据权利要求2所述的光刻胶污染测试装置，其特征在于，所述滤光结构包括带密封结构的第二滤光片，所述第一光源系统还包括第一管路、第二管路和第四阀门，所述第一管路与所述第二管路分别连通所述第一光源和所述测试腔，所述第二滤光片设置在所述第一管路上。
9.根据权利要求2所述的光刻胶污染测试装置，其特征在于，所述滤光结构包括滤光阀，所述第一光源系统还包括第三管路，所述第三管路的两端分别与所述第一光源和所述测试腔连接，所述滤光阀包括阀体和阀板，所述阀体内形成有阀腔，所述阀腔的进口和出口分别与所述第一光源和所述测试腔连通，所述阀板设置在所述阀腔内并用于控制所述阀腔的通断，所述阀板设有安装位，所述安装位上设有第三滤光片。
10.一种光刻胶污染测试方法，通过权利要求1至9任一项所述的光刻胶污染测试装置来实施，其特征在于，所述光刻胶污染测试方法包括以下步骤；
控制所述光刻胶污染测试装置的抽气系统对所述光刻胶污染测试装置的测试腔进行抽气；
控制所述光刻胶污染测试装置的第一光源系统对所述测试腔内的光刻胶进行曝光；
控制所述光刻胶污染测试装置的放气测试系统测量测试腔内的气压或真空度、气体成分、分压力和浓度；
根据小孔流导法以及所述气压或所述真空度、所述气体成分、所述分压力和所述浓度计算所述光刻胶以及所述光刻胶的污染物在曝光时的放气率和放气成分。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311412303.XA CN117647916A (zh) | 2023-10-27 | 2023-10-27 | 光刻胶污染测试装置及测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311412303.XA CN117647916A (zh) | 2023-10-27 | 2023-10-27 | 光刻胶污染测试装置及测试方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117647916A true CN117647916A (zh) | 2024-03-05 |
Family
ID=90045757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311412303.XA Pending CN117647916A (zh) | 2023-10-27 | 2023-10-27 | 光刻胶污染测试装置及测试方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117647916A (zh) |
-
2023
- 2023-10-27 CN CN202311412303.XA patent/CN117647916A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100649176B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
| KR100846184B1 (ko) | 리소그래피 투영 장치, 가스 퍼징 방법, 디바이스 제조방법 및 퍼지 가스 공급 시스템 | |
| JP5178527B2 (ja) | 向上した感度でウエハを検査するシステム及び方法 | |
| JP2005101537A (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| US7508487B2 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby | |
| JP2004282046A (ja) | リソグラフィ装置の構成要素表面の汚染を測定する方法および装置 | |
| JP2007537455A (ja) | 試験体の測定または分析のためのシステムおよび方法 | |
| JP2004253683A (ja) | レジストアウトガス計測装置 | |
| JP2007522654A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
| WO1999050892A1 (fr) | Dispositif optique et systeme d'exposition equipe du dispositif optique | |
| US7963144B2 (en) | Gas analyzing system, lithographic apparatus and method of improving a sensitivity of a gas analyzing system | |
| JP4303224B2 (ja) | 較正装置及びリソグラフィ装置の放射センサを較正する方法 | |
| KR101043015B1 (ko) | 산화된 오염 물질의 화학적 환원을 위한 방법 또는 오염 물질의 산화를 환원시키는 방법 및 이를 위한 컨디셔닝 시스템 | |
| TW200944949A (en) | Method and system for determining a suppression factor of a suppression system and a lithographic apparatus | |
| CN117647916A (zh) | 光刻胶污染测试装置及测试方法 | |
| JP5009381B2 (ja) | ガス汚染センサ、リソグラフィ装置、汚染物質ガスのレベルを決定する方法及びデバイス製造方法 | |
| JP4584847B2 (ja) | 流体濾過方法、それによって濾過された流体、リソグラフィ装置、及び素子製造方法 | |
| JP2005094018A (ja) | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 | |
| JP4330291B2 (ja) | リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、およびガス組成物 | |
| CN114280894B (zh) | 光刻机气压控制及监测系统、方法和光刻机 | |
| US7251014B2 (en) | Exposing method, exposing apparatus and device manufacturing method utilizing them | |
| US7227612B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP3848437B2 (ja) | 環境試験装置 | |
| US7078708B2 (en) | Lithographic apparatus and method of manufacturing a device and method of performing maintenance | |
| CN116718359A (zh) | 模拟极紫外光刻机曝光环境的真空设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |