CN117639709A - 弹性波装置以及弹性波装置的制造方法 - Google Patents

弹性波装置以及弹性波装置的制造方法 Download PDF

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CN117639709A CN202311056178.3A CN202311056178A CN117639709A CN 117639709 A CN117639709 A CN 117639709A CN 202311056178 A CN202311056178 A CN 202311056178A CN 117639709 A CN117639709 A CN 117639709A
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Abstract

本发明提供一种带外的衰减特性优异的弹性波装置以及这样的弹性波装置的制造方法。弹性波装置具备：压电性基板(10)；以及纵向耦合谐振器(20)，位于压电性基板(10)的主面(10a)，具有4个以上的偶数个IDT电极(21～26)。偶数个IDT电极(21～26)之中位于最外侧的一对IDT电极(21、26)中的一个IDT电极(21)的电极指的数量为2。

Description

弹性波装置以及弹性波装置的制造方法
技术领域
本公开涉及弹性波装置以及弹性波装置的制造方法。
背景技术
随着通信技术的进步，能够进行更高速且更大容量的数据通信的便携式通信网络的重要性正在提高。此外，对于在便携式通信网络中使用的便携式终端，要求能够在更高频率下应对许多的频段。弹性波滤波器具备适合于这样的便携式终端的特性，从而弹性波滤波器的重要性也一直在提高。
对于在便携式终端中使用的弹性波滤波器等弹性波装置，要求通带和阻带的边界的陡峭性和阻带中的高衰减。专利文献1公开了一种能够容易地使通带和阻带的边界处的衰减的斜率陡峭的带阻滤波器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2021-190908公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的目的在于，提供一种带外的衰减特性优异的弹性波装置以及这样的弹性波装置的制造方法。
用于解决问题的技术方案
根据本公开的一个实施方式的弹性波装置具备：压电性基板；以及纵向耦合谐振器，位于所述压电性基板的主面，具有4个以上的偶数个IDT电极，所述偶数个IDT电极之中位于最外侧的一对IDT电极中的一个IDT电极的电极指的数量为2。
发明效果
根据本公开的一个实施方式，提供一种带外的衰减特性优异的弹性波装置以及弹性波装置的制造方法。
附图说明
图1是示出第1实施方式的弹性波装置的构造的一个例子的示意性俯视图。
图2是示出图1所示的弹性波装置的IDT电极的构造的示意性俯视图。
图3是示出图1所示的弹性波装置的IDT电极的构造的示意性俯视图。
图4是示出图1所示的弹性波装置的反射器的构造的示意性俯视图。
图5是示出第1实施方式的弹性波装置的制造方法的一个例子的流程图。
图6是示出第2实施方式的弹性波装置的构造的一个例子的电路图。
图7是示出第2实施方式的弹性波装置的构造的另一个例子的电路图。
图8是示出参考例1的弹性波装置的构造的示意性俯视图。
图9是示出参考例2的弹性波装置的构造的示意性俯视图。
图10是示出通过仿真求出的实施例以及参考例的滤波器的衰减特性的一个例子的图。
图11是示出通过仿真求出的实施例以及参考例的滤波器的衰减特性的一个例子的图。
图12是示出通过仿真求出的实施例以及参考例的滤波器的带内阻抗特性的一个例子的图。
图13是示出通过仿真求出的实施例以及参考例的滤波器的带内阻抗特性的一个例子的图。
图14是示出通过仿真求出的参考例的滤波器的衰减特性的一个例子的图。
图15是示出通过仿真求出的参考例的滤波器的衰减特性的一个例子的图。
附图标记说明
10：压电性基板；
10a：主面；
20：纵向耦合谐振器；
21～27：IDT电极；
21A～26A：第1梳齿电极；
21B～26B：第2梳齿电极；
21a～26a：第1电极指；
21b～26b：第2电极指；
21c～26c：第1汇流条；
21d～26d：第2汇流条；
31、32：反射器；
31a：电极指；
31c：汇流条；
40A、40B：输入输出端子；
81：第1并联谐振器；
82：第2并联谐振器；
83：第1串联谐振器；
84：第2串联谐振器；
101、102、103、111、112：弹性波装置。
具体实施方式
在设计使用了纵向耦合谐振器的带通型滤波器的情况下，需要对位于通带外的衰减极的位置、衰减量进行调整。这些一般来说通过使IDT电极的电容以及由电极指的间隔决定的波长等变化而进行。但是，若调整衰减极的位置、衰减量，则滤波器的通带内的特性也会变动。也就是说，通带的特性和通带外的特性难以独立地进行设计。
鉴于这样的问题，本申请的发明人想到了能够在抑制通带的特性的变化的同时调节通带外的特性的弹性波装置以及弹性波装置的制造方法。
以下，基于附图对本公开的实施方式进行说明。本公开并不限定于以下的实施方式，能够在符合本公开的结构的范围内适当地进行设计变更。此外，在以下的说明中，对于同一部分或具有同样的功能的部分，在不同的附图之间共同使用同一附图标记，有时省略其重复的说明。此外，在实施方式以及变形例记载的各结构也可以在不脱离本公开的主旨的范围内适当地进行组合，还可以进行变更。为使说明容易理解，在以下参照的附图中，有时将结构简化或示意性地示出，或者省略一部分的构成构件。特别是，为了容易理解，有时将IDT电极的电极指的数量示出得少。此外，各图所示的构成构件间的尺寸比未必一定示出了实际的尺寸比。
[第1实施方式]
图1是示出本实施方式的弹性波装置101的构造的示意性俯视图。本实施方式的弹性波装置101例如是在700MHz至2500MHz频段中使用的弹性波装置，特别是，可用于利用了声表面波的滤波器等。弹性波装置101具备压电性基板10和纵向耦合谐振器20。弹性波装置101也可以还具备反射器31、32。
压电性基板10具有主面10a，并具备压电特性。压电性基板10例如包含LiTaO3、LiNbO3等的压电性单晶。压电性基板10也可以包含压电性陶瓷。此外，压电性基板10也可以是在支承基板上配置了压电性薄膜的层叠构造体，还可以是在支承基板与压电性薄膜之间进一步配置了一个以上的电介质膜的层叠构造体等。在本实施方式中，例如，优选压电性基板10为旋转Y切割的LiTaO3基板，且旋转角在116°以上且136°以下的范围内。
纵向耦合谐振器20位于压电性基板10的主面10a。纵向耦合谐振器20具有4个以上的偶数个IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极。在本实施方式中，纵向耦合谐振器20具有6个IDT电极。具体地，纵向耦合谐振器20包含IDT电极21、IDT电极22、IDT电极23、IDT电极24、IDT电极25、以及IDT电极26。IDT电极21和IDT电极26是在纵向耦合谐振器20中位于最外侧的一对IDT电极。各IDT电极包含电极指相互对插的一对梳齿电极。
IDT电极21包含第1梳齿电极21A和第2梳齿电极21B。同样地，IDT电极22包含第1梳齿电极22A和第2梳齿电极22B。IDT电极23包含第1梳齿电极23A和第2梳齿电极23B。IDT电极24包含第1梳齿电极24A和第2梳齿电极24B。此外，IDT电极25包含第1梳齿电极25A和第2梳齿电极25B，IDT电极26包含第1梳齿电极26A和第2梳齿电极26B。
图2是将IDT电极21的构造放大示出的示意性俯视图。IDT电极21包含两根电极指。具体地，第1梳齿电极21A包含第1电极指21a和与第1电极指21a的一端连接的第1汇流条21c，第2梳齿电极21B包含第2电极指21b和与第2电极指21b的一端连接的第2汇流条21d。IDT电极21也可以不具备第1汇流条21c以及第2汇流条21d。
IDT电极21的两根电极指的间距P1通过与电极指延伸的方向垂直的方向(x轴方向)上的、相邻的一对电极指的中心间距离来定义。
另一方面，IDT电极22、23、24、25、26分别包含3个以上的电极指。电极指的数量能够任意地决定。例如，电极指的数量为3以上且50以下，优选为20以上且40以下。图3是将IDT电极23的构造放大示出的示意性俯视图。在IDT电极23中，第1梳齿电极23A包含多个第1电极指23a和与多个第1电极指23a的一端连接的第1汇流条23c，第2梳齿电极23B包含多个第2电极指23b和与第2电极指23b的一端连接的第2汇流条23d。电极指的间距可以在IDT电极23的整体中相同，也可以存在电极指的间距不同的区域。
在本实施方式中，IDT电极23包含位于中央的主区域Rm和夹着主区域Rm的一对窄间距区域Rn。在主区域Rm以及窄间距区域Rn各自中，电极指的间距可以是在区域内相同，也可以是一部分或全部不同。
窄间距区域Rn中的电极指的平均间距比主区域Rm中的电极指的平均间距小。更具体地，在将窄间距区域Rn中的电极指的平均间距设为Pn并将主区域Rm中的电极指的平均间距设为Pm的情况下，Pn和Pm优选满足Pn≤0.95×Pm的关系。在此，窄间距区域Rn以及主区域Rm中的电极指的平均间距可通过将位于各区域的两端的电极指的x轴方向上的中心间距离除以区域内的间隙数(区域内的电极指的根数—1))而求出。
IDT电极22、24、25、26也具备与IDT电极23同样的构造。不过，在IDT电极22、23、24、25、26中，电极指的数量以及电极指的间距可以相同，也可以不同。
此外，在本实施方式中，像参照图3进行说明的那样，IDT电极23～25包含主区域Rm和相对于主区域Rm配置在x轴方向上的两侧的一对窄间距区域Rn。相对于此，IDT电极22包含主区域Rm和相对于主区域Rm配置在IDT电极23侧的窄间距区域Rn。此外，IDT电极26包含主区域Rm和相对于主区域Rm配置在IDT电极25侧的窄间距区域Rn。也就是说，IDT电极22在IDT电极21侧不具有窄间距区域，IDT电极26在反射器32侧不具有窄间距区域。但是，IDT电极22也可以在IDT电极21侧也具有窄间距区域。换言之，窄间距区域Rn也可以在IDT电极22、23、24、25、26中设置在IDT电极相邻的区域。
如图1所示，IDT电极21、22、23、24、25、26在压电性基板10的主面10a在与各自的电极指延伸的方向正交的方向上排列。在图1中，IDT电极21、22、23、24、25、26的电极指与y轴平行地延伸，IDT电极21、22、23、24、25、26在x轴方向上排列。通过纵向耦合谐振器20，在压电性基板10激励的弹性波在与y轴垂直的x轴方向上传播。
IDT电极21的第1梳齿电极21A、IDT电极23的第1梳齿电极23A、以及IDT电极25的第1梳齿电极25A彼此电连接，并与输入输出端子40A连接。另一方面，IDT电极21的第2梳齿电极21B、IDT电极23的第2梳齿电极23B、以及IDT电极25的第2梳齿电极25B分别与基准电位连接。
此外，IDT电极22的第2梳齿电极22B、IDT电极24的第2梳齿电极24B、以及IDT电极26的第2梳齿电极26B彼此电连接，并与输入输出端子40B连接。IDT电极22的第1梳齿电极22A、IDT电极24的第1梳齿电极24A、以及IDT电极26的第1梳齿电极26A分别与基准电位连接。
纵向耦合谐振器20也可以还具有反射器。在本实施方式中，纵向耦合谐振器20在IDT电极21～26的x轴方向上的外侧具有一对反射器31、32。图4是将反射器31的构造放大示出的示意性俯视图。反射器31具有多个电极指31a。电极指31a的两端分别与汇流条31c连接。反射器32也具备与反射器31同样的构造。在反射器31、32中，电极指的数量以及电极指的间距可以相同，也可以不同。
IDT电极23、24、25、26以及反射器31、32包含一层或多层金属层。金属层包含从由Al、Pt、Au、Cu、W、Mo、Ta、Ni以及Cr构成的组选择的一种，此外，包含合金，该合金包含从它们的组选择的至少一种。
根据弹性波装置101，包含两根电极指的IDT电极21在纵向耦合谐振器20的4个以上的偶数个IDT电极之中在x轴方向上位于最外侧，由此能够使由剩下的IDT电极22、23、24、25、26形成的带通型滤波器的位于带外的衰减极处的衰减特性提高。例如，能够增大更靠近通带的高频率侧的频率位置处的衰减量。因此，能够使通带的高频率侧的通带和阻带的边界更陡峭。另一方面，能够在通带中确保良好的通过特性。
像以下详细地进行说明的那样，包含两根电极指的IDT电极优选仅配置在纵向耦合谐振器的弹性波的传播方向上的两端中的一端。在弹性波的传播方向上的两端配置有电极指的数量为2的IDT电极的情况下，虽然通带的高频率侧的衰减特性提高，但是存在通带附近的衰减特性变差的情况。此外，存在带内阻抗特性变化的情况。
此外，在将除IDT电极21以外的其它IDT电极22、23、24、25、26各自的主间距Pm的平均值设为P2的情况下，P2优选与IDT电极21的电极指的间距P1之间满足以下的关系式(1)。
0.97×P2≤P1≤2.1×P2 (1)
通过P1和P2满足式(1)，从而不会在通带产生纹波等，能够得到良好的通带特性。
接着，对本实施方式的弹性波装置101的制造方法进行说明。图5是示出本实施方式的弹性波装置101的制造方法的流程图。
一般来说，纵向耦合谐振器多数情况下包含奇数个IDT电极。这是因为，在IDT电极为偶数个的情况下，不容易将传播的弹性波的相位调节得合适。
虽然本实施方式的弹性波装置101具备包含偶数个IDT电极的纵向耦合谐振器，但是基于一般的包含奇数个IDT电极的纵向耦合谐振器的设计，对包含偶数个IDT电极的纵向耦合谐振器的滤波器特性进行设计。
本实施方式的弹性波装置的制造方法包含：第1步骤(S1)，对具有奇数个IDT电极的带通型滤波器的滤波器特性进行设计；第2步骤(S2)，对在第1步骤中得到的滤波器特性进行修正；以及第3步骤(S3)，基于进行了修正的滤波器特性来制作弹性波装置。以下，对各步骤进行详细叙述。
(1)第1步骤(S1)
首先，设计带通型滤波器的滤波器特性，该带通型滤波器包含具有3个以上的奇数个IDT电极的纵向耦合谐振器。关于包含奇数个IDT电极所构成的纵向耦合谐振器的带通型滤波器的设计，能够通过与以往相同的方法来进行。
(2)第2步骤(S2)
接着，在奇数个IDT电极的一端追加具有两根电极指的IDT电极，对滤波器特性进行修正。通过追加具有两根电极指的IDT电极，从而能够将该IDT电极的电容成分附加于所设计的带通型滤波器而使衰减极的位置(频率)变化。电容的大小能够通过两根电极指的间距进行调整。通过在合适的位置配置衰减极，从而能够使通带和阻带的边界更陡峭，也就是说，能够改善滤波器特性的锐度。此外，通过使追加的IDT电极的电极指为两根，从而能够减小对在第1步骤中设计的成为基本的带通型滤波器的频带特性造成的影响，能够维持带内特性。
不过，也可以在追加了具有两根电极指的IDT电极之后，使包含奇数个IDT电极的纵向耦合谐振器中的IDT电极的电极指的间距、电极指的数量等变化，从而对在第1步骤中设计的带通型滤波器进行调整。
(3)第3步骤(S3)
基于进行了修正的滤波器特性，在压电性基板形成纵向耦合谐振器，制作弹性波装置。具体地，使用在进行了修正的滤波器特性中使用的参数(具体地，电极指的数量、电极指的间距等)来决定IDT电极以及反射器的图案，并以决定的图案制作用于形成IDT电极等的光掩模。使用制作的光掩模，按照一般的弹性波装置的制造技术以及制造工艺制作弹性波装置。
根据本实施方式的弹性波装置的制造方法，首先，设计带通型滤波器的滤波器特性，该带通型滤波器包含具有3个以上的奇数个IDT电极的纵向耦合谐振器，在具有该滤波器特性的滤波器追加具有两根电极指的IDT电极，对滤波器特性进行修正。此时，主要是位于通带外的衰减极的位置受到影响，而通带的特性的变化小。因此，能够在不调整滤波器整体的设计的情况下对滤波器特性进行修正，即使不基于不容易设计的具有偶数个IDT电极的纵向耦合谐振器，也能够设计本实施方式的弹性波装置。
[第2实施方式]
图6是示出本实施方式的弹性波装置102的构造的电路图。弹性波装置102与第1实施方式的弹性波装置101的不同点在于，除了纵向耦合谐振器20以外，还具备至少一个并联谐振器。至少一个谐振器连接在将包含纵向耦合谐振器20的弹性波装置101和输入输出端子40A、40B中的一者连结的路径与基准电位之间。
如图6所示，在本实施方式中，弹性波装置102具备第1实施方式的纵向耦合谐振器20和第1并联谐振器81以及第2并联谐振器82。在弹性波装置102中，第1并联谐振器81以及第2并联谐振器82相对于纵向耦合谐振器20分别并联地连接。
更具体地，第1并联谐振器81连接在输入输出端子40B与基准电位之间，第2并联谐振器82连接在输入输出端子40A与基准电位之间。基准电位是成为使弹性波装置动作时的基准的电位，通常为0V。但是，基准电位并不限于0V，也可以是其它值的电位。第1并联谐振器81以及第2并联谐振器82为了调整由纵向耦合谐振器20实现的带通滤波器中的衰减水平以及阻抗调整而配置。在弹性波装置102中，也可以不设置第1并联谐振器81以及第2并联谐振器82中的一者。
即使弹性波装置102具备第1并联谐振器81以及第2并联谐振器82，也可得到与第1实施方式的弹性波装置101同样的效果。即，通过IDT电极21，能够得到在维持带内特性的同时使位于带通型滤波器的带外的衰减极处的衰减特性提高这样的效果。
本实施方式的弹性波装置也可以除纵向耦合谐振器20以外还具备至少一个串联谐振器。至少一个串联谐振器相对于将包含纵向耦合谐振器20的弹性波装置101和输入输出端子40A、40B中的一者连结的路径串联地连接。如图7所示，弹性波装置103具备第1实施方式的纵向耦合谐振器20和第1串联谐振器83以及第2串联谐振器84。在弹性波装置103中，第1串联谐振器83以及第2串联谐振器84相对于纵向耦合谐振器20分别串联地连接。
更具体地，第1串联谐振器83连接在输入输出端子40B与纵向耦合谐振器20之间，第2串联谐振器84连接在纵向耦合谐振器20与输入输出端子40A之间。在弹性波装置103中，也可以不设置第1串联谐振器83以及第2串联谐振器84中的一者。
此外，本实施方式的弹性波装置也可以除纵向耦合谐振器20以外还具备至少一个串联谐振器以及至少一个并联谐振器。例如，在图7所示的弹性波装置103中，也可以在第1串联谐振器83与纵向耦合谐振器20之间连接有第1并联谐振器81，还可以在纵向耦合谐振器20与第2串联谐振器84之间连接有第2并联谐振器82。此外，在图7所示的弹性波装置103中，也可以还具备上述的第1并联谐振器81以及第2并联谐振器82。也就是说，本实施方式的弹性波装置103也可以具备弹性波装置101和第1并联谐振器81、第2并联谐振器82、第1串联谐振器83以及第2串联谐振器84。
如本实施方式所示，纵向耦合谐振器20能够与在弹性波装置的电路中使用的各种谐振器组合。上述的并联谐振器以及串联谐振器也可以是其它纵向耦合谐振器，还可以是谐振器以外的电容元件。
[其它方式]
本公开的弹性波装置并不限于上述实施方式，能够进行各种改变。构成纵向耦合谐振器的IDT电极的数量并不限于6，也可以是4，还可以是8以上。此外，IDT电极的形状等也不限于上述实施方式。
[实施例]
对通过仿真求出了实施方式的弹性波装置的滤波器特性的结果进行说明。作为实施例1，通过仿真求出了第2实施方式的弹性波装置102的滤波器特性。在仿真中使用的IDT电极的参数示于以下的表1。在表1中，各IDT电极的波长表示主区域的主间距Pm的2倍的值。此外，根数表示反射器或IDT电极中的电极指的数量。在IDT电极包含主区域Rm以及窄间距区域Rn的情况下，分各个区域示出了波长以及根数。
[表1]
为了比较，作为参考例1，通过仿真求出了如图8所示地除了不具备IDT电极21以外与弹性波装置102相同的构造的弹性波装置111的滤波器特性。此外，作为参考例2，通过仿真求出了如图9所示地还具备与IDT电极21相同的构造的IDT电极27的弹性波装置112的滤波器特性。在图10示出宽带的衰减特性。此外，在图11示出通带附近的衰减特性。在图12以及图13中，作为带内阻抗特性而分别示出S11以及S22的特性。在图10至图13中，实线示出实施例1的特性，粗疏的点线示出参考例1的特性。此外，细密的点线示出参考例2的特性。
如图10所示，可知在参考例1中，衰减极位于900MHz附近，但是在实施例1中，该衰减极移动到870MHz左右的位置。其结果是，在通带和通带的高频侧的阻带的边界处，实现了陡峭的衰减。另一方面，如图11所示，750MHz～800MHz左右的通带中的特性在参考例1和实施例1中大致一致，维持了良好的通过特性。此外，如图12以及图13所示，带内的阻抗特性也在参考例1和实施例1中大致一致。
在参考例2中，也与实施例1同样地，衰减极移动到870MHz左右的位置，在通带和通带的高频侧的阻带的边界处，实现了陡峭的衰减。此外，750MHz～800MHz左右的通带中的特性在参考例1和参考例2中大致一致。但是，在参考例2中，在比通带靠低频率侧的阻带中，衰减量变小，衰减特性变差。此外，如图13所示，带内阻抗特性移动。
根据这些结果可知，根据实施例1，通过在具有奇数个IDT电极的纵向耦合谐振器追加具有两根电极指的IDT电极，从而能够在维持带内特性的同时使位于带通型滤波器的带外的衰减极处的衰减特性提高。此外，可知具有两根电极指的IDT电极更优选仅设置在纵向耦合谐振器的一端。
接着，通过仿真研究了IDT电极21中的优选的电极指的间距的范围。
将IDT电极21的电极指的间距设定为各种值，并与上述实施例1同样地通过仿真求出了滤波器特性。将求出的结果与参考例1的结果进行比较，判定了是否能够在维持良好的带内特性的同时使位于带通型滤波器的带外的衰减极处的衰减特性提高。
其结果是，知晓了如果满足式(1)的条件，则可在维持良好的带内特性的同时使位于带通型滤波器的带外的衰减极处的衰减特性提高。
作为参考例3，将按下述表2的条件设计的滤波器特性示于图14以及图15。在图14以及图15中，粗疏的点线示出参考例1的特性，单点划线示出参考例3的特性。在表2中，各IDT电极的波长表示主区域的主间距Pm的2倍的值，根数表示处于主区域的电极指的数量以及处于窄间距区域的电极指的数量的合计。根据IDT电极22～IDT电极26的主区域中的电极指的间距求出的波长的平均值(也就是说，P2×2)为4.014μm。
此外，根据IDT电极21的间距求出的波长(P1×2)为9.473μm，P1＝2.23×P2。
[表2]
如图14所示，在参考例3中，也与实施例1同样地，在通带和通带的高频侧的阻带的边界处，实现了陡峭的衰减。但是，在图15中，如箭头A所示，可知在通带内产生了纹波，未能维持良好的通带特性。
可认为，这是因为，IDT电极21的电极指的间距在式(1)的范围外，间距过大。可认为，即使IDT电极21的电极指的间距小于式(1)的范围，也不能维持良好的通带特性。
像这样，知晓了通过IDT电极21的电极指的间距满足式(1)的范围，从而能够在维持良好的带内特性的同时使位于带通型滤波器的带外的衰减极处的衰减特性提高。
本公开的弹性波装置以及弹性波装置的制造方法还能够像以下那样进行说明。
第1结构涉及的弹性波装置具备：压电性基板；以及纵向耦合谐振器，位于压电性基板的主面，具有4个以上的偶数个IDT电极，偶数个IDT电极之中位于最外侧的一对IDT电极中的一个IDT电极的电极指的数量为2。
根据第1结构，能够得到通带和阻带的边界处的衰减陡峭且具有良好的通过特性的弹性波装置。
关于第2结构涉及的弹性波装置，也可以是，在第1结构中，纵向耦合谐振器还具有：一对反射器，位于压电性基板的主面，并配置在偶数个IDT电极的外侧。
关于第3结构涉及的弹性波装置，也可以是，在第1结构或第2构成中，所述偶数个IDT电极中的除一对IDT电极以外的其它IDT电极的电极指的数量为3以上。
关于第4结构涉及的弹性波装置，也可以是，在第1结构至第3结构中的任一结构中，在将一个IDT电极的电极指的间距设为P1并将除一个IDT电极以外的其它IDT电极的主间距的平均值设为P2的情况下，P1以及P2满足0.97×P2≤P1≤2.1×P2。
关于第5结构涉及的弹性波装置，也可以是，在第1结构至第4结构中的任一结构中，还具备：一对输入输出端子；以及至少一个谐振器，连接在将纵向耦合谐振器和一对输入输出端子中的一者连结的路径与基准电位之间。
关于第6结构涉及的弹性波装置，也可以是，在第1结构至第5结构中的任一结构中，还具备：一对输入输出端子；以及至少一个谐振器，相对于将纵向耦合谐振器和一对输入输出端子中的一者连结的路径串联地连接。
关于第7结构涉及的弹性波装置，也可以是，在第1结构至第6结构中的任一结构中，纵向耦合谐振器是带通型滤波器。
第8结构涉及的弹性波装置的制造方法包含：设计带通型滤波器的滤波器特性的步骤，该带通型滤波器包含具有3个以上的奇数个IDT电极的纵向耦合谐振器；在奇数个IDT电极的一端追加具有两根电极指的IDT电极，对滤波器特性进行修正的步骤；以及基于进行了修正的滤波器特性，在压电性基板形成纵向耦合谐振器的步骤。
根据第8结构，能够通过比较简单的设计方法设计并制造通带和阻带的边界处的衰减陡峭且具有良好的通过特性的弹性波装置。
关于第9结构涉及的弹性波装置的制造方法，也可以是，在第8结构中，在对滤波器特性进行修正的步骤中，对滤波器的通带的外侧的高频侧的衰减极进行修正。

Claims (9)

1.一种弹性波装置，具备：
压电性基板；以及
纵向耦合谐振器，位于所述压电性基板的主面，具有4个以上的偶数个IDT电极，
所述偶数个IDT电极之中位于最外侧的一对IDT电极中的一个IDT电极的电极指的数量为2。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述纵向耦合谐振器还具有：一对反射器，位于所述压电性基板的主面，并配置在所述偶数个IDT电极的外侧。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述偶数个IDT电极中的除所述一个IDT电极以外的其它IDT电极的电极指的数量为3以上。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在将所述一个IDT电极的电极指的间距设为P1并将除所述一个IDT电极以外的其它IDT电极的主间距的平均值设为P2的情况下，P1以及P2满足0.97×P2≤P1≤2.1×P2。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的弹性波装置，其中，
还具备：
一对输入输出端子；以及
至少一个谐振器，连接在将所述纵向耦合谐振器和所述一对输入输出端子中的一者连结的路径与基准电位之间。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的弹性波装置，其中，
还具备：
一对输入输出端子；以及
至少一个谐振器，相对于将所述纵向耦合谐振器和所述一对输入输出端子中的一者连结的路径串联地连接。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述纵向耦合谐振器是带通型滤波器。
8.一种弹性波装置的制造方法，包含：
设计带通型滤波器的滤波器特性的步骤，所述带通型滤波器包含具有3个以上的奇数个IDT电极的纵向耦合谐振器；
在所述奇数个IDT电极的一端追加具有两根电极指的IDT电极，对所述滤波器特性进行修正的步骤；以及
基于进行了所述修正的滤波器特性，在压电性基板形成纵向耦合谐振器的步骤。
9.根据权利要求8所述的弹性波装置的制造方法，其中，
在对所述滤波器特性进行修正的步骤中，对所述滤波器的通带的外侧的高频侧的衰减极进行修正。
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