CN117616882A - 电路基板的制造方法、带脱模薄膜的电路基板前体以及带无机基板的电路基板前体 - Google Patents

Abstract

一种电路基板的制造方法，其含有：在耐热高分子膜上形成贯通孔的工序A；将脱模薄膜贴附于已形成贯通孔的耐热高分子膜的第1面的工序B；在已形成贯通孔的耐热高分子膜的第2面一侧的耐热高分子膜上以及贯通孔内的脱模薄膜上形成金属层的工序C；在工序C后，将脱模薄膜从耐热高分子膜上剥离的工序D；准备具有硅烷偶联剂层的无机基板的工序E；在工序D后，以硅烷偶联剂层作为贴合面，将无机基板贴附于耐热高分子膜的剥离了脱模薄膜后的第1面的工序F；在工序F后，将金属层进行图案化的工序G以及在工序G后，将无机基板从耐热高分子膜剥离的工序H。

Description

电路基板的制造方法、带脱模薄膜的电路基板前体以及带无 机基板的电路基板前体

技术领域

本发明涉及一种电路基板的制造方法、带脱模薄膜的电路基板前体以及带无机基板的电路基板前体。

背景技术

近年来，伴随着半导体元件的高集成化，需要电路基板的高密度化。为此，IC芯片的电极密度变高，作为再布线层的电路基板，例如，作为扇出面板级封装(Fan out PanelLevel Package)，需要具有细微部分的电路。此外，高密度化的电路基板作为迷你LED(类似配置于构成液晶显示装置的液晶正下方的极小的LED)的布线层被使用。

作为电路基板的制造方法，已知一种在伪基板(dummy)上通过薄膜形成技术等形成具有绝缘层和图案布线层的电路层后，将伪基板剥离的方法。

例如，在专利文献1中公开了一种制造方法，作为伪基板，使用将由金属箔构成的载体层(基材)、剥离强度较弱的剥离层、铜镀层和由绝缘树脂构成的剥离保护层依次层叠的伪基板，在伪基板上形成薄膜电路体(电路层)后，将伪基板从薄膜电路体上去除。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本特开2004-311912号公报

发明内容

发明要解决的问题

在专利文献1公开的电路基板的制造方法中，为从薄膜电路体将伪基板去除，首先，在铜镀层和剥离保护层残留在薄膜电路体一侧的状态下，将载体层和剥离层进行撕下。之后，通过使用了硫酸双氧水等剥离用试剂的湿法蚀刻法去除铜镀层，通过使用了氧等离子体等的干法蚀刻法去除剥离保护层(特别地，参照专利文献1的段落[0061]、段落[0062])。

通常，在由金属箔构成的载体层(基材)上使用薄膜形成技术直接形成电路基板时，载体层和电路基板牢固地固定粘着，不能轻易地将二者剥离。特别地，在此之后，在载体层上形成的金属层通过受到热履历，进一步牢固地固定粘着于载体层。例如，在载体层之上形成的金属层上进行图案化，进一步地，在此之上形成多层图案化的金属层(布线层)时，受到多阶段的热履历。为此，在专利文献1中，在载体层和薄膜电路体之间，通过配置剥离层、铜镀层、剥离保护层，进行载体层和薄膜电路体的剥离。

然而，在如上所述的电路基板的制造方法中，为去除铜镀层、剥离保护层，而将蚀刻液粘附于薄膜电路体、照射等离子体等，则存在对薄膜电路体造成损伤的问题。

本发明是鉴于上述问题而做出的，其目的在于，提供一种电路基板的制造方法，其能够对无机基板上形成的电路基板尽可能不造成损伤地从无机基板上剥离电路基板且剥离后的工序较少。此外，还提供一种通过实施该制造方法的工序获得的带脱模薄膜的电路基板前体以及带无机基板的电路基板前体。

解决问题的技术手段

本发明人针对电路基板的制造方法进行了深入研究。其结果发现，通过采用下述的构成，能够对无机基板上形成的电路基板尽可能不造成损伤地从无机基板上剥离电路基板且剥离后的工序较少，从而完成了本发明。

即，本发明提供以下内容。

一种电路基板的制造方法，其特征在于，含有：

在耐热高分子膜上形成贯通孔的工序A、

将脱模薄膜贴附于已形成贯通孔的所述耐热高分子膜的第1面的工序B、

在已形成贯通孔的所述耐热高分子膜的第2面一侧的所述耐热高分子膜上以及所述贯通孔内的所述脱模薄膜上形成金属层的工序C、

在所述工序C后，将所述脱模薄膜从所述耐热高分子膜上剥离的工序D、

准备具有硅烷偶联剂层的无机基板的工序E、

在所述工序D后，以所述硅烷偶联剂层作为贴合面，将所述无机基板贴附于所述耐热高分子膜的剥离了所述脱模薄膜后的所述第1面的工序F、

在所述工序F后，将所述金属层进行图案化的工序G以及

在所述工序G后，将所述无机基板从所述耐热高分子膜剥离的工序H。

根据所述构成，工序C中，在贯通孔内的脱模薄膜上形成金属层。由于脱模薄膜易剥离，因此即使在形成金属层后也能轻易地将耐热高分子膜从脱模薄膜上剥离。此外，形成金属层后，将耐热高分子膜从脱模薄膜上剥离，图案化则是在贴附于无机基板上后进行。因此，在金属层与脱模薄膜接触的状态下，受到的热履历较少。其结果为金属层与脱模薄膜的固定粘着被抑制。

此外，工序F中，以硅烷偶联剂层作为贴合面，将从脱模薄膜上剥离的带金属层的耐热高分子膜贴附于无机基板。从脱模薄膜上剥离的金属层(从贯通孔中露出的金属层)暂且仅以适度的密合力贴附于硅烷偶联剂层，之后，即使受到热履历也无法牢固地固定粘着于无机基板。此外，硅烷偶联剂层和耐热高分子膜仅以适度的密合力贴附，之后，即使受到热履历也无法牢固地固定粘着于无机基板。因此，在对金属层进行图案化的工序G后，通过撕下等，能够容易地将带硅烷偶联剂层的无机基板从耐热高分子膜剥离。总体而言，以硅烷偶联剂层与耐热高分子膜为界面，能够轻易地将无机基板从耐热高分子膜上剥离。由于能够通过撕下等从耐热高分子膜将无机基板剥离，因此不会发生用于剥离无机基板的剥离用试剂附着于图案化的金属层、照射等离子体(plasma irradiation)等。其结果是能够对无机基板上形成的电路基板(图案化后的金属层)尽可能不造成损伤地将电路基板从无机基板上剥离。

此外，由于通过撕下等，能够将无机基板从耐热高分子膜上剥离，因此在将无机基板从耐热高分子膜上剥离后，对电路基板造成损伤的工序较少。例如，在专利文献1中，将载体层和薄膜电路体剥离后，为去除铜镀层、剥离保护层而需要进行蚀刻液、照射等离子体等，但在本发明中，因能够将无机基板从耐热高分子膜上剥离，故不需要这样的处理。

需要说明的是，通过在无机基板和耐热高分子膜之间设置硅烷偶联剂层，以适当的剥离强度将无机基板和耐热高分子膜进行贴合，二者可轻易地剥离，例如，日本特开2011-011455号公报等公开了这点。

在所述构成中，所述耐热高分子膜优选为聚酰亚胺膜。

所述耐热高分子膜为聚酰亚胺膜时，耐热性优异。此外，所述高分子膜为聚酰亚胺膜时，可以适宜地使用激光进行开孔加工。

在所述构成中，所述无机基板优选为将玻璃板、陶瓷板、半导体晶圆或它们之中的2种以上进行层叠而成的复合体。

所述无机基板为将玻璃板、陶瓷板、半导体晶圆或它们之中的2种以上进行层叠而成的复合体时，由于弹性模量较高，线膨胀系数较小，因此尺寸稳定性优异。其结果，制造的电路基板的尺寸精度变得良好。

此外，本发明提供以下内容。

一种带脱模薄膜的电路基板前体，其特征在于，

其具备脱模薄膜和具有贯通孔的耐热高分子膜和金属层，

所述耐热高分子膜设置于所述脱模薄膜上，

所述金属层设置于所述耐热高分子膜上以及所述贯通孔内的所述脱模薄膜上。

所述带脱模薄膜的电路基板前体可通过实施所述电路基板的制造方法而获得。

由于根据所述构成，容易剥离脱模薄膜，因此能够轻易地将耐热高分子膜从脱模薄膜上剥离。此外，将耐热高分子膜从脱模薄膜上剥离，将耐热高分子膜上的对金属层的图案化贴附于无机基板后，较少出现在金属层、脱模薄膜接触的状态下受到热履历。其结果，能够抑制金属层和脱模薄膜的固定粘着。

此外，本发明提供以下内容。

一种带无机基板的电路基板前体，其特征在于，

具备无机基板和硅烷偶联剂层和具有贯通孔的耐热高分子膜和金属层，

所述硅烷偶联剂层设置于所述无机基板上，

所述耐热高分子膜设置于所述硅烷偶联剂层上，

所述金属层设置于所述耐热高分子膜上以及所述贯通孔内的所述硅烷偶联剂层上。

所述带无机基板的电路基板前体，可通过实施所述电路基板的制造方法而获得。

根据所述构成，贯通孔内的金属层仅以适度的密合力贴附于硅烷偶联剂层，之后，即使受到热履历，也无法牢固地固定粘着于无机基板。此外，硅烷偶联剂层和耐热高分子膜仅以适度的密合力贴附，之后，即使受到热履历，也无法牢固地固定粘着于无机基板。因此，在将金属层进行图案化的工序G之后，通过撕下等，能够轻易地从耐热高分子膜将带硅烷偶联剂层的无机基板剥离。总体而言，以硅烷偶联剂层和耐热高分子膜为界面，能够轻易地从耐热高分子膜将无机基板剥离。由于通过撕下等，能够从耐热高分子膜将无机基板剥离，因此不会发生用于剥离无机基板的剥离用试剂附着于图案化的金属层、照射等离子体等。其结果是能够对无机基板上形成的电路基板(图案化金属层)尽可能不造成损伤地将电路基板从无机基板上剥离。

发明的效果

根据本发明，可以提供一种能够对无机基板上形成的电路基板尽可能不造成损伤地将电路基板从无机基板上剥离的电路基板的制造方法。此外，还提供一种通过实施该制造方法的工序获得的带脱模薄膜的电路基板前体以及带无机基板的电路基板前体。

附图说明

[图1]用于说明本实施方式涉及的电路基板的制造方法的截面示意图。

[图2]用于说明本实施方式涉及的电路基板的制造方法的截面示意图。

[图3]用于说明本实施方式涉及的电路基板的制造方法的截面示意图。

[图4]用于说明本实施方式涉及的电路基板的制造方法的截面示意图。

[图5]用于说明本实施方式涉及的电路基板的制造方法的截面示意图。

[图6]用于说明本实施方式涉及的电路基板的制造方法的截面示意图。[图7]用于说明本实施方式涉及的电路基板的制造方法的截面示意图。[图8]用于说明本实施方式涉及的电路基板的制造方法的截面示意图。[图9]用于说明本实施方式涉及的电路基板的制造方法的截面示意图。[图10]用于说明本实施方式涉及的电路基板的制造方法的截面示意图。[图11]用于说明本实施方式涉及的电路基板的制造方法的截面示意图。

符号说明

10带两面保护膜的耐热高分子膜

12耐热高分子膜

12b第2面

12a第1面

13贯通孔

14第1保护膜

16第2保护膜

18 脱模薄膜

20 金属层

21布线层(图案化后的金属层)

30带脱模薄膜的电路基板前体

40 无机基板

42 硅烷偶联剂层

44 粘接剂层

46第2耐热高分子膜

48通孔

49第2布线层

50带无机基板的电路基板前体

52第2布线层

60电路基板

具体实施方式

以下，针对本发明的实施方式进行说明。在以下中，针对电路基板的制造方法进行说明，其中，也针对带脱模薄膜的电路基板前体、带无机基板的电路基板前体进行说明。

[电路基板的制造方法]

本实施方式涉及的电路基板的制造方法含有以下工序：

在耐热高分子膜上形成贯通孔的工序A、

将脱模薄膜贴附于已形成贯通孔的所述耐热高分子膜的第1面的工序B、

在已形成贯通孔的所述耐热高分子膜的第2面一侧的所述耐热高分子膜上以及所述贯通孔内的所述脱模薄膜上形成金属层的工序C、

在所述工序C后，将所述脱模薄膜从所述耐热高分子膜上剥离的工序D、

准备具有硅烷偶联剂层的无机基板的工序E、

在所述工序D后，以所述硅烷偶联剂层作为贴合面，将所述无机基板贴附于所述耐热高分子膜的剥离了所述脱模薄膜后的所述第1面的工序F、

在所述工序F后，将所述金属层进行图案化的工序G以及

在所述工序G后，将所述无机基板从所述耐热高分子膜剥离的工序H。

<工序A>

针对本实施方式涉及的电路基板的制造方法，首先，在耐热高分子膜上形成贯通孔。上述耐热高分子膜可以在两面贴附有保护膜的状态下进行准备，也可以在仅一面贴附有保护膜的状态下进行准备，也可以在两面都没有任何贴附的状态下进行准备。

在准备两面贴附有保护膜的状态的耐热高分子膜时，贯通孔的形成可以在两面贴附有保护膜的状态下进行，也可以剥离两面的保护膜后进行，还可以在仅剥离一面的保护膜后进行。

在准备保护膜仅贴附于一侧的面上的状态的耐热高分子膜时，贯通孔的形成可以在所述一侧的保护膜贴附的状态下进行，也可以仅剥离所述一侧的保护膜后进行。

在以下说明的实施方式中，针对准备保护膜贴附于两面的状态的耐热高分子膜，贯通孔在保护膜贴附于两面的状态下形成的情况进行说明。

图1～图11为用于说明本实施方式涉及的电路基板的制造方法的截面示意图。

如图1所示，本实施方式涉及的电路基板的制造方法中，首先，准备带两面保护膜的耐热高分子膜10。带两面保护膜的耐热高分子膜10具有耐热高分子膜12和贴附于耐热高分子膜12的第1面12a的第1保护膜14以及贴附于耐热高分子膜12的第2面12b的第2保护膜16。

接着，如图2所示，在耐热高分子膜12上形成贯通孔13。本实施方式中，以保护膜(第1保护膜14、第2保护膜16)贴附于耐热高分子膜12两面的状态，在耐热高分子膜12上形成贯通孔13。因此，在第1保护膜14以及第2保护膜16上也形成贯通孔。需要说明的是，在贯通孔13中最终形成外部连接用的电极。因此，贯通孔13形成于外部连接用电极应当形成的位置。

贯通孔13的形成可以采用现有公知的方法，例如，可举出通过激光进行开孔加工。此外，使用具有感光性的树脂形成耐热高分子膜12时，经由形成有与贯通孔13对应的图案的光掩模照射光后，通过显影可形成贯通孔13。此时，优选不贴附配置光掩模一侧的保护膜而进行光照射以及显影。

贯通孔13的形状(平面视角的形状)没有特别限定，但优选为圆形，直径也可适当设定，例如，可设为300μm～5μm。

以下，针对耐热高分子膜、第1保护膜以及第2保护膜进行说明。

<耐热高分子膜>

在本说明书中，耐热高分子的熔点为250℃以上，优选为300℃以上，进一步优选为400℃以上。此外，高分子的玻璃化转变温度为200℃以上，优选为320℃以上，进一步优选为380℃以上。以下，为避免复杂度，也可仅称作高分子。本说明书中，熔点以及玻璃化转变温度可根据差示热分析(DSC)求出。需要说明的是，耐热高分子膜只要是通过玻璃纤维强化、高浓度充填填料等现有的方法而具有实用强度，就没有限定。需要说明的是，熔点超过500℃时，可通过目视观察在该温度下加热时的热变形行为，来判断是否达到熔点。

作为所述耐热高分子膜(以下也可仅称作高分子膜)，可列举出：聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、称为氟化聚酰亚胺的聚酰亚胺系树脂(例如，芳香族聚酰亚胺树脂、脂环族聚酰亚胺树脂)；聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、称为聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯的共聚聚酯(例如，全芳香族聚酯、半芳香族聚酯)；以聚甲基丙烯酸甲酯为代表的共聚(甲基)丙烯酸酯；聚碳酸酯；聚酰胺；聚砜；聚醚砜；聚醚酮；乙酸纤维素；硝酸纤维素；芳香族聚酰胺；聚氯乙烯；多酚；聚芳酯；聚苯硫醚；聚苯醚；聚苯乙烯等膜。

然而，所述高分子膜由于是用于伴随着300℃以上的热处理工艺为前提，因此在列举的高分子膜中可实际适用的高分子膜有限。所述高分子膜中优选为使用所谓的超级工程塑料的膜，更具体地，可举出：芳香族聚酰亚胺膜、芳香族酰胺膜、芳香族酰胺酰亚胺膜、芳香族苯并噁唑膜、芳香族苯并噻唑膜、芳香族苯并咪唑膜等。

以下针对作为所述高分子膜的一例的聚酰亚胺系树脂膜(有时也称为聚酰亚胺膜)的详细情况进行说明。通常，将在溶剂中使二胺类与四羧酸类反应制得的聚酰胺酸(聚酰亚胺前体)溶液，涂布于制作聚酰亚胺膜用的支撑体，干燥，制作生膜(green film)(以下也称为“聚酰胺酸膜”)，进一步地在制作聚酰亚胺膜用的支撑体上，或者在从该支撑体剥离的状态下，将生膜进行高温热处理，使其进行脱水闭环反应，由此能够制得聚酰亚胺系树脂膜。

聚酰胺酸(聚酰亚胺前体)溶液的涂布，例如，可以适当的使用旋涂法、刮刀法、敷抹器(applicator)、逗号涂布器、丝网印刷法、狭缝涂布法、反向辊涂法、浸渍涂布法、帘涂法、狭缝模涂布法等现有公知的溶液的涂布手段。

作为构成聚酰胺酸的二胺类，没有特别限定，可以使用通常用于聚酰亚胺合成的芳香族二胺类、脂肪族二胺类、脂环式二胺类等。从耐热性的观点出发，优选为芳香族二胺类。二胺类可以单独使用，也可以合用2种以上。

作为二胺类，没有特别限定，例如可举出：氧二苯胺(双(4-氨基苯基)醚)、对苯二胺(1，4-苯二胺)等。

作为构成聚酰胺酸的四羧酸类，可以使用通常用于聚酰亚胺合成的芳香族四羧酸类(含其酸酐)、脂肪族四羧酸类(含其酸酐)、脂环族四羧酸类(含其酸酐)。当它们为酸酐时，分子内可以为1个酸酐结构，也可以为2个，优选具有2个酸酐结构(二酐)。四羧酸类可以单独使用，也可以合用2种以上。

作为四羧酸，没有特别限定，例如可举出：均苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’-联苯四羧酸二酐等。

所述聚酰亚胺膜可以为透明聚酰亚胺膜。

针对作为所述高分子膜一例的无色透明聚酰亚胺进行说明。以下，为避免复杂度，仅将其记作透明聚酰亚胺。作为透明聚酰亚胺的透明性，优选为全光线透过率为75％以上。更优选为80％以上，进一步优选为85％以上，更进一步优选为87％以上，特别优选为88％以上。所述透明聚酰亚胺的全光线透过率的上限没有特别限定，作为柔性电路基板使用而言，上限优选为98％以下，更优选为97％以下。本发明中的无色透明聚酰亚胺优选为全光线透过率75％以上的聚酰亚胺。

作为用于制得无色透明性较高的聚酰亚胺的芳香族四羧酸类，可举出：4，4’-(2，2-六氟异亚丙基)二邻苯二甲酸、4，4’-氧二邻苯二甲酸、对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐、双(1，3-二氧代-1，3-二氢-2-苯并呋喃-5-基)苯-1，4-二甲酸酯、4，4’-[4，4’-(3-氧代-1，3-二氢-2-苯并呋喃-1，1-二基)双(苯-1，4-二基氧基)]二苯-1，2-二羧酸、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸、4，4’-[(3-氧代-1，3-二氢-2-苯并呋喃-1，1-二基)双(甲苯-2，5-二基氧基)]二苯-1，2-二羧酸、4，4’-[(3-氧代-1，3-二氢-2-苯并呋喃-1，1-二基)双(1，4-二甲苯-2，5-二基氧基)]二苯-1，2-二羧酸、4，4’-[4，4’-(3-氧代-1，3-二氢-2-苯并呋喃-1，1-二基)双(4-异丙基-甲苯-2，5-二基氧基)]二苯-1，2-二羧酸、4，4’-[4，4’-(3-氧代-1，3-二氢-2-苯并呋喃-1，1-二基)双(萘-1，4-二基氧基)]二苯-1，2-二羧酸、4，4’-[4，4’-(3H-2，1-苯并氧硫杂戊环)-1，1-二氧化物-3，3-二基)双(苯-1，4-二基氧基)]二苯-1，2-二羧酸、4，4’-二苯甲酮四羧酸、4，4’-[(3H-2，1-苯并氧硫杂戊环)-1，1-二氧化物-3，3-二基)双(甲苯-2，5-二基氧基)]二苯-1，2-二羧酸、4，4’-[(3H-2，1-苯并氧硫杂戊环)-1，1-二氧化物-3，3-二基)双(1，4-二甲苯-2，5-二基氧基)]二苯-1，2-二羧酸、4，4’-[4，4’-(3H-2，1-苯并氧硫杂戊环)-1，1-二氧化物-3，3-二基)双(4-异丙基-甲苯-2，5-二基氧基)]二苯-1，2-二羧酸、4，4’-[4，4’-(3H-2，1-苯并氧硫杂戊环)-1，1-二氧化物-3，3-二基)双(萘-1，4-二基氧基)]二苯-1，2-二羧酸、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸、3，3’，4，4’-二苯砜四羧酸、3，3’，4，4’-联苯四羧酸、2，3，3’，4’-联苯四羧酸、均苯四甲酸、4，4’-[螺(呫吨-9，9’-芴)-2，6-二基双(氧基羰基)]二邻苯二甲酸、4，4’-[螺(呫吨-9，9’-芴)-3，6-二基双(氧基羰基)]二邻苯二甲酸等四羧酸以及它们的酸酐。这些之中，具有2个酸酐结构的二酐是合适的，特别地优选为4，4’-(2，2-六氟异亚丙基)二邻苯二甲酸二酐、4，4’-氧二邻苯二甲酸二酐。需要说明的是，芳香族四羧酸类可以单独使用，也可以合用2种以上。芳香族四羧酸类的共聚量，在重视耐热性的情况下，例如，优选为总四羧酸类的50质量％以上，更优选为60质量％以上，进一步优选为70质量％以上，还进一步优选为80质量％以上，特别优选为90质量％以上，即使为100质量％也不影响。

作为脂环式四羧酸类，可举出：1，2，3，4-环丁烷四羧酸、1，2，3，4-环戊烷四羧酸、1，2，3，4-环己烷四羧酸、1，2，4，5-环己烷四羧酸、3，3’，4，4’-二环己基四羧酸、双环[2，2，1]庚烷-2，3，5，6-四羧酸、双环[2，2，2]辛烷-2，3，5，6-四羧酸、双环[2，2，2]辛-7-烯基-2，3，5，6-四羧酸、四氢蒽-2，3，6，7-四羧酸、十四氢-1，4：5，8：9，10-三甲桥蒽(trimethanoanthracene)-2，3，6，7-四羧酸、十氢萘-2，3，6，7-四羧酸、十氢-1，4：5，8-二甲桥萘(dimethanonaphthalene)-2，3，6，7-四羧酸、十氢-1，4-乙桥-5，8-甲桥萘(methanonaphthalene)-2，3，6，7-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-环戊酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”，6，6”-四羧酸(别名“降冰片烷-2-螺-2’-环戊酮-5’-螺-2”-降冰片烷-5，5”，6，6”-四羧酸”)、甲基降冰片烷-2-螺-α-环戊酮-α’-螺-2”-(甲基降冰片烷)-5，5”，6，6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-环己酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”，6，6”-四羧酸(别名“降冰片烷-2-螺-2’-环己酮-6’-螺-2”-降冰片烷-5，5”，6，6”-四羧酸”)、甲基降冰片烷-2-螺-α-环己酮-α’-螺-2”-(甲基降冰片烷)-5,5”,6,6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-环丙酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”,6，6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-环丁酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”,6，6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-环庚酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”,6，6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-环辛酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”,6，6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-环壬酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”,6，6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-环癸酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”,6，6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-环十一酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”,6，6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-环十二酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”,6，6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-环十三酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”,6，6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-环十四酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”,6，6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-环十五酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”,6，6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-(甲基环戊酮)-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”,6，6”-四羧酸、降冰片烷-2-螺-α-(甲基环己酮)-α’-螺-2”-降冰片烷-5，5”,6，6”-四羧酸等四羧酸以及它们的酸酐。这些之中，具有2个酸酐结构的二酐是合适的，特别地优选为1，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐、1，2，3，4-环己烷四羧酸二酐、1，2，4，5-环己烷四羧酸二酐，更优选为1，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐、1，2，4，5-环己烷四羧酸二酐，进一步优选为1，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐。需要说明的是，这些可以单独使用，也可以合用2种以上。脂环式四羧酸类的共聚量，在重视透明性的情况下，例如优选为总四羧酸类的50质量％以上，更优选为60质量％以上，进一步优选为70质量％以上，还进一步优选为80质量％以上，特别优选为90质量％以上，即使为100质量％也不影响。

作为三羧酸类，偏苯三甲酸、1，2，5-萘三羧酸、二苯醚-3，3’，4’-三羧酸、二苯砜-3，3’，4’-三羧酸等芳香族三羧酸，或者六氢偏苯三甲酸等上述芳香族三羧酸的氢化物、乙二醇双偏苯三甲酸酯、丙二醇双偏苯三甲酸酯、1，4-丁二醇双偏苯三甲酸酯、聚乙二醇双偏苯三甲酸酯等亚烷基二醇偏苯三酸酯以及它们的单酐、酯化物。这些之中，具有1个酸酐结构的单酐是合适的，特别地优选为偏苯三甲酸酐、六氢偏苯三甲酸酐。需要说明的是，这些可以单独地使用，也可以组合多个使用。

作为二羧酸类，可举出：对苯二甲酸、间苯二甲酸、邻苯二甲酸、萘二甲酸、4，4’-氧代二苯甲酸等芳香族二羧酸，或者1，6-环己烷二甲酸等上述芳香族二羧酸的氢化物、草酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、十一烷二酸、十二烷二酸、2-甲基琥珀酸以及它们的酰氯或者酯化物等。这些之中，芳香族二羧酸及其氢化物是合适的，特别地优选为对苯二甲酸、1，6-环己烷二甲酸、4，4’-氧代二苯甲酸。需要说明的是，二羧酸类可以单独使用，也可以组合多种使用。

作为用于获得无色透明性较高的聚酰亚胺的二胺类或异氰酸酯类，没有特别限定，可以使用通常用于聚酰亚胺合成、聚酰胺酰亚胺合成、聚酰胺合成的芳香族二胺类、脂肪族二胺类、脂环式二胺类、芳香族二异氰酸酯类、脂肪族二异氰酸酯类、脂环式二异氰酸酯类等。从耐热性的观点出发，优选为芳香族二胺类，从透明性的观点出发，优选为脂环式二胺类。此外，使用具有苯并噁唑结构的芳香族二胺类时，在具有高耐热性的同时，也可表现出高弹性模量、低热收缩性、低线膨胀系数。二胺类以及异氰酸酯类可以单独使用，也可以合用2种以上。

作为芳香族二胺类，例如，可举出：2，2’-二甲基-4，4’-二氨基联苯、1，4-双[2-(4-氨基苯基)-2-丙基]苯、1，4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯、2，2’-二三氟甲基-4，4’-二氨基联苯、4，4’-双(4-氨基苯氧基)联苯、4，4’-双(3-氨基苯氧基)联苯、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]酮、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]硫醚、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、2，2-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]-1，1，1，3，3，3-六氟丙烷、间苯二胺、邻苯二胺、对苯二胺、间氨基苄胺、对氨基苄胺、4-氨基-N-(4-氨基苯基)苯甲酰胺、3，3’-二氨基二苯醚、3，4’-二氨基二苯醚、4，4’-二氨基二苯醚、2，2’-三氟甲基-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二氨基二苯基硫醚、3，4’-二氨基二苯基硫醚、4，4’-二氨基二苯基硫醚、3，3’-二氨基二苯基亚砜、3，4’-二氨基二苯基亚砜、4，4’-二氨基二苯基亚砜、3，3’-二氨基二苯砜、3，4’-二氨基二苯砜、4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二氨基二苯甲酮、3，4’-二氨基二苯甲酮、4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’-二氨基二苯甲烷、3，4’-二氨基二苯甲烷、4，4’-二氨基二苯甲烷、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]甲烷、1，1-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]乙烷、1，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]乙烷、1，1-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、1，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、1，3-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、1，1-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丁烷、1，3-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丁烷、1，4-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丁烷、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丁烷、2，3-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丁烷、2-[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-2-[4-(4-氨基苯氧基)-3-甲基苯基]丙烷、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)-3-甲基苯基]丙烷、2-[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-2-[4-(4-氨基苯氧基)-3，5-二甲基苯基]丙烷、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)-3，5-二甲基苯基]丙烷、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1，1，1，3，3，3-六氟丙烷、1，4-双(3-氨基苯氧基)苯、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、4，4’-双(4-氨基苯氧基)联苯、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]酮、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]硫醚、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]亚砜、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]醚、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]醚、1，3-双[4-(4-氨基苯氧基)苯甲酰基]苯、1，3-双[4-(3-氨基苯氧基)苯甲酰基]苯、1，4-双[4-(3-氨基苯氧基)苯甲酰基]苯、4，4’-双[(3-氨基苯氧基)苯甲酰基]苯、1，1-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、1，3-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、3，4’-二氨基二苯基硫醚、2，2-双[3-(3-氨基苯氧基)苯基]-1，1，1，3，3，3-六氟丙烷、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]甲烷、1，1-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]乙烷、1，2-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]乙烷、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]亚砜、4，4’-双[3-(4-氨基苯氧基)苯甲酰基]二苯基醚、4，4’-双[3-(3-氨基苯氧基)苯甲酰基]二苯基醚、4，4’-双[4-(4-氨基-α，α-二甲基苄基)苯氧基]二苯甲酮、4，4’-双[4-(4-氨基-α，α-二甲基苄基)苯氧基]二苯砜、双[4-{4-(4-氨基苯氧基)苯氧基}苯基]砜、1，4-双[4-(4-氨基苯氧基)苯氧基-α，α-二甲基苄基]苯、1，3-双[4-(4-氨基苯氧基)苯氧基-α，α-二甲基苄基]苯、1，3-双[4-(4-氨基-6-三氟甲基苯氧基)-α，α-二甲基苄基]苯、1，3-双[4-(4-氨基-6-氟苯氧基)-α，α-二甲基苄基]苯、1，3-双[4-(4-氨基-6-甲基苯氧基)-α，α-二甲基苄基]苯、1，3-双[4-(4-氨基-6-氰基苯氧基)-α，α-二甲基苄基]苯、3，3’-二氨基-4，4’-二苯氧基二苯甲酮、4，4’-二氨基-5，5’-二苯氧基二苯甲酮、3，4’-二氨基-4，5’-二苯氧基二苯甲酮、3，3’-二氨基-4-苯氧基二苯甲酮、4，4’-二氨基-5-苯氧基二苯甲酮、3，4’-二氨基-4-苯氧基二苯甲酮、3，4’-二氨基-5’-苯氧基二苯甲酮、3，3’-二氨基-4，4’-二联苯氧基二苯甲酮、4，4’-二氨基-5，5’-二联苯氧基二苯甲酮、3，4’-二氨基-4，5’-二联苯氧基二苯甲酮、3，3’-二氨基-4-联苯氧基二苯甲酮、4，4’-二氨基-5-联苯氧基二苯甲酮、3，4’-二氨基-4-联苯氧基二苯甲酮、3，4’-二氨基-5’-联苯氧基二苯甲酮、1，3-双(3-氨基-4-苯氧基苯甲酰基)苯、1，4-双(3-氨基-4-苯氧基苯甲酰基)苯、1，3-双(4-氨基-5-苯氧基苯甲酰基)苯、1，4-双(4-氨基-5-苯氧基苯甲酰基)苯、1，3-双(3-氨基-4-联苯氧基苯甲酰基)苯、1，4-双(3-氨基-4-联苯氧基苯甲酰基)苯、1，3-双(4-氨基-5-联苯氧基苯甲酰基)苯、1，4-双(4-氨基-5-联苯氧基苯甲酰基)苯、2，6-双[4-(4-氨基-α，α-二甲基苄基)苯氧基]苯甲腈、4，4’-[9H-芴-9，9-二基]双苯胺(别名“9，9-双(4-氨基苯基)芴”)、螺(呫吨-9，9’-芴)-2，6-二基双(氧基羰基)]双苯胺、4，4’-[螺(呫吨-9，9’-芴)-2，6-二基双(氧基羰基)]双苯胺、4，4’-[螺(呫吨-9，9’-芴)-3，6-二基双(氧基羰基)]双苯胺等。此外，上述芳香族二胺的芳香环上的氢原子的一部分或全部，可以被卤原子、碳原子数1～3的烷基或烷氧基、或氰基取代，进一步地，所述碳原子数1～3的烷基或烷氧基的氢原子的一部分或全部也可以使用卤原子进行取代。此外，作为具有所述苯并噁唑结构的芳香族二胺类，没有特别限定，例如可举出：5-氨基-2-(对氨基苯基)苯并噁唑、6-氨基-2-(对氨基苯基)苯并噁唑、5-氨基-2-(间氨基苯基)苯并噁唑、6-氨基-2-(间氨基苯基)苯并噁唑、2，2’-对亚苯基双(5-氨基苯并噁唑)、2，2’-对亚苯基双(6-氨基苯并噁唑)、1-(5-氨基苯并噁唑酮)-4-(6-氨基苯并噁唑酮)苯、2，6-(4，4’-二氨基二苯基)苯并[1，2-d：5，4-d’]双噁唑、2，6-(4，4’-二氨基二苯基)苯并[1，2-d：4，5-d’]双噁唑、2，6-(3，4’-二氨基二苯基)苯并[1，2-d：5，4-d’]双噁唑、2，6-(3，4’-二氨基二苯基)苯并[1，2-d：4，5-d’]双噁唑、2，6-(3，3’-二氨基二苯基)苯并[1，2-d：5，4-d’]双噁唑、2，6-(3，3’-二氨基二苯基)苯并[1，2-d：4，5-d’]双噁唑等。这些之中，特别地优选为2，2’-二三氟甲基-4，4’-二氨基联苯、4-氨基-N-(4-氨基苯基)苯甲酰胺、4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二氨基二苯甲酮。需要说明的是，芳香族二胺类可以单独使用，也可以组合多种使用。

作为脂环式二胺类，例如，可举出：1，4-二氨基环己烷、1，4-二氨基-2-甲基环己烷、1，4-二氨基-2-乙基环己烷、1，4-二氨基-2-正丙基环己烷、1，4-二氨基-2-异丙基环己烷、1，4-二氨基-2-正丁基环己烷、1，4-二氨基-2-异丁基环己烷、1，4-二氨基-2-仲丁基环己烷、1，4-二氨基-2-叔丁基环己烷、4，4’-亚甲基双(2，6-二甲基环己胺)等。这些之中，特别地优选为1，4-二氨基环己烷、1，4-二氨基-2-甲基环己烷，更优选为1，4-二氨基环己烷。需要说明的是，脂环式二胺类可以单独使用，也可以组合多种使用。

作为二异氰酸酯类，例如，可举出：二苯甲烷-2，4’-二异氰酸酯、3，2’-或3，3’-或4，2’-或4，3’-或5，2’-或5，3’-或6，2’-或6，3’-二甲基二苯甲烷-2，4’-二异氰酸酯、3，2’-或3，3’-或4，2’-或4，3’-或5，2’-或5，3’-或6，2’-或6，3’-二乙基二苯甲烷-2，4’-二异氰酸酯、3，2’-或3，3’-或4，2’-或4，3’-或5，2’-或5，3’-或6，2’-或6，3’-二甲氧基二苯甲烷-2，4’-二异氰酸酯、二苯甲烷-4，4’-二异氰酸酯、二苯甲烷-3，3’-二异氰酸酯、二苯甲烷-3，4’-二异氰酸酯、二苯醚-4，4’-二异氰酸酯、二苯甲酮-4，4’-二异氰酸酯、二苯砜-4，4’-二异氰酸酯、甲苯-2，4-二异氰酸酯、甲苯-2，6-二异氰酸酯、间二甲苯二异氰酸酯、对二甲苯二异氰酸酯、萘-2，6-二异氰酸酯、4，4'-(2，2-双(4-苯氧基苯基)丙烷)二异氰酸酯、3，3’-或2，2’-二甲基联苯-4，4’-二异氰酸酯、3，3’-或2，2’-二乙基联苯-4，4’-二异氰酸酯、3，3’-二甲氧基联苯-4，4’-二异氰酸酯、3，3’-二乙氧基联苯-4，4’-二异氰酸酯等芳香族二异氰酸酯类以及将它们中任意一种氢化的二异氰酸酯(例如，异佛尔酮二异氰酸酯、1，4-环己烷二异氰酸酯、1，3-环己烷二异氰酸酯、4，4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯)等。这些之中，从低吸湿性、尺寸稳定性、价格以及聚合性的观点出发，优选为二苯甲烷-4，4’-二异氰酸酯、甲苯-2，4-二异氰酸酯、甲苯-2，6-二异氰酸、3，3’-二甲基联苯-4，4’-二异氰酸酯或萘-2，6-二异氰酸酯、4，4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、1，4-环己烷二异氰酸酯。需要说明的是，二异氰酸酯类可以单独使用，也可以组合多种使用。

本实施方式中，所述高分子膜优选为聚酰亚胺膜。所述高分子膜为聚酰亚胺膜时，耐热性优异。此外，所述高分子膜为聚酰亚胺膜时，可以合适地使用激光进行开孔加工。

所述高分子膜的厚度优选为3μm以上，更优选为7μm以上，进一步优选为14μm以上，更进一步优选为20μm以上。所述高分子膜的厚度上限没有特别限定，作为柔性电路基板使用时优选为250μm以下，更优选为100μm以下、进一步优选为50μm以下。

所述高分子膜的30℃至250℃之间的平均线膨胀系数(CTE)优选为50ppm/K以下。更优选为45ppm/K以下，进一步优选为40ppm/K以下，更进一步优选为30ppm/K以下，特别优选为20ppm/K以下。此外优选为-5ppm/K以上，更优选为-3ppm/K以上，进一步优选为1ppm/K以上。CTE为所述范围时，可以维持较小的通常支撑体(无机基板)和线膨胀系数的差，即使供于加热工序，也能够避免高分子膜和无机基板的剥离或连同整个支撑体的翘曲。此处CTE是指一种表示相对于温度进行可逆收缩的因子。需要说明的是，所述高分子膜的CTE是指，高分子溶液或高分子前体溶液的涂覆方向(MD方向)的CTE以及宽度方向(TD方向)的CTE的平均值。

所述高分子膜为透明聚酰亚胺膜时，其黄色度指数(以下也称为“黄色指数”或“YI”。)优选为10以下，更优选为7以下，进一步优选为5以下，更进一步优选为3以下。所述透明聚酰亚胺的黄色度指数的下限没有特别限定，作为柔性电路基板使用时优选为0.1以上，更优选为0.2以上，进一步优选为0.3以上。

所述高分子膜为透明聚酰亚胺膜时，雾度值(haze)优选为1.0以下，更优选为0.8以下，进一步优选为0.5以下，更进一步优选为0.3以下。下限没有特别限定，工业上，只要为0.01以上就没有问题，即使为0.05以上也不影响。

所述高分子膜的30℃至500℃之间的热收缩率，优选为±0.9％以下，进一步优选为±0.6以下％。热收缩率是指一种表示相对于温度进行非可逆收缩的因子。

所述高分子膜的拉伸断裂强度优选为60MPa以上，更优选为80MP以上，进一步优选为100MPa以上。拉伸断裂强度的上限没有特别限定，事实上低于1000MPa左右。所述拉伸断裂强度为60MPa以上时，可以防止从无机基板上剥离时，所述高分子膜的断裂。需要说明的是，所述高分子膜的拉伸断裂强度是指高分子膜的运行方向(MD方向)的拉伸断裂强度以及宽度方向(TD方向)的拉伸断裂强度的平均值。

所述高分子膜的拉伸断裂伸长率优选为1％以上，更优选为5％以上，进一步优选为10％以上。所述拉伸断裂伸长率为1％以上时，操作性优异。需要说明的是，所述高分子膜的拉伸断裂伸长率是指高分子膜的运行方向(MD方向)的拉伸断裂伸长率以及宽度方向(TD方向)的拉伸断裂伸长率的平均值。

所述高分子膜的拉伸模量优选为2.5GPa以上，更优选为3GPa以上，进一步优选为4GPa以上。所述拉伸模量为2.5GPa以上时，从无机基板上剥离时的所述高分子膜的拉伸变形较少，操作性优异。所述拉伸模量优选为20GPa以下，更优选为15GPa以下，进一步优选为12GPa以下。所述拉伸模量为20GPa以下时，能够将所述高分子膜作为柔性膜使用。需要说明的是，所述高分子膜的拉伸模量是指高分子膜的运行方向(MD方向)的拉伸模量以及宽度方向(TD方向)的拉伸模量的平均值。

所述高分子膜的厚度不均优选为20％以下，更优选为12％以下，进一步优选为7％以下，特别优选为4％以下。厚度不均超过20％时，存在变得难以适用于狭小部位的倾向。需要说明的是，膜的厚度不均，例如可通过接触式膜厚计从被测膜上随机抽选10点左右的位置测定膜厚，基于下述式求出膜的厚度不均。

膜的厚度不均(％)＝100×(最大膜厚-最小膜厚)÷平均膜厚

所述高分子膜在其制造中优选作为宽300mm以上、长10m以上的长条状高分子膜以卷绕状态制得，更优选为卷绕至卷芯的卷状高分子膜的形态。所述高分子膜被卷绕为卷状时，容易以被卷绕为卷状的高分子膜的形式进行输送。

所述高分子膜中，为确保可操作性以及生产率，优选向高分子膜中添加并使其含有粒径为10～1000nm左右的爽滑材料(粒子)0.03～3质量％左右，在高分子膜表面上赋予微小的凹凸，确保润滑性。

<保护膜(第1保护膜、第2保护膜)>

所述保护膜的构成没有特别限定，优选具有基材以及设置于所述基材上的粘接剂层。所述保护膜可以具有所述基材及所述粘接剂层以外的其它层。然而，所述粘接剂层优选以与耐热高分子膜接触的方式进行层叠。因此，所述粘接剂层优选位于所述保护膜的最表面。

<基材>

所述基材为所述保护膜的强度母体。

作为所述基材没有特别限定，但优选为25℃下的拉伸模量为0.01GPa以上，更优选为1GPa以上，进一步优选为2GPa以上。所述基材的25℃下的拉伸模量为0.3GPa以上时，可以合适地保护所述耐热高分子膜的表面。此外，从将所述耐热高分子膜上的所述保护膜剥离时可使其卷绕的观点出发，所述基材的25℃下的拉伸模量，例如可以设为10GPa以下、5GPa以下等。

在本说明书中，25℃下的所述基材的拉伸模量是以将所述基材切成为100mm×10mm的短条状作为试验片，使用拉伸试验机(岛津制作所制造，Autograph(R)、型号名AG-5000A)，在拉伸速度50mm/分钟、卡盘间距40mm的条件下测定的值。

作为所述基材的材质，可举出：聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃树脂；尼龙6、尼龙66等聚酰胺树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丙二醇酯等聚酯树脂。即使将这些混合使用也不影响。所述聚酯树脂可以是作为共聚成分，例如将二乙二醇、新戊二醇、聚亚烷基二醇等二醇成分或己二酸、癸二酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、2，6-萘二甲酸等二羧酸成分等进行共聚的聚酯树脂。其中，从机械强度、耐化学品性、耐热性的观点出发优选为聚酯树脂。

在所述聚酯树脂之中，从平衡物性与成本考虑，最优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯。

所述基材优选为双向拉伸。双向拉伸时，可提升其耐化学品性、耐热性、机械强度等。

所述基材可为单层或多层。

所述基材根据需要可以使所述树脂中含有各种添加剂。作为所述添加剂，例如可举出：抗氧化剂、耐光剂、凝胶化剂、有机湿润剂、紫外线吸收剂、表面活性剂等。

所述基材可以为透明，也可以为着色。作为对所述基材着色的方法没有特别限定，可以使其含有颜料、染料进行着色。例如，因可以通过混合氧化钛等白色颜料使其为白色膜，提升可见性，因此优选。

为确保所述基材的可操作性以及生产率，故优选向基材中添加并使其含有粒径为10～1000nm左右的爽滑材料(粒子)0.03～3质量％左右，在基材表面上赋予微小的凹凸，确保润滑性。

所述基材的厚度没有特别限定，例如，可根据在12～500μm的范围内使用的规格任意地决定其厚度。所述基材的厚度更优选为350μm以下。所述基材的厚度为350μm以下，则可抑制生产率、可操作性的下降。此外，所述基材的厚度更优选为25μm～50μm的范围。所述基材的厚度为25μm以上，则能够降低所述基材的机械强度不足，防止剥离时的破裂。

所述基材可根据现有公知的制膜方法进行制膜。作为所述制膜方法，例如可列举出：压延制膜法、有机溶剂中的流延法、密闭体系中的吹胀挤出法、T模挤出法、共挤出法、干式层压法等。

<粘接剂层>

所述粘接剂层通常相较于所述基材、所述耐热高分子膜，为低弹性模量(例如，相较于基材、耐热高分子膜，拉伸模量低两位数或两位数以上)。

作为所述粘接剂层，可以使用丙烯酸系、硅酮系、橡胶系、聚酯系、氨酯系等公知的树脂，并无特别限定。从操作性的观点出发优选为丙烯酸系树脂、硅酮系树脂。

所述丙烯酸系树脂可通过将(甲基)丙烯酸烷基酯等单体聚合制得。作为所述单体的具体例，可举出：(甲基)丙烯酸甲基酯、(甲基)丙烯酸乙基酯、(甲基)丙烯酸丙基酯、(甲基)丙烯酸n-丁基酯、(甲基)丙烯酸异丁基酯、(甲基)丙烯酸t-丁基酯、(甲基)丙烯酸n-己基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸n-辛基酯、(甲基)丙烯酸异辛基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯等(甲基)丙烯酸烷基酯化合物。这些根据需要可以将多个进行共聚。

所述粘接剂层通常设置于所述基材的整个表面。但在本发明中，不限定于此，所述基材的表面中即使存在未设置粘接剂层的地方也可以。例如，所述基材的表面的宽度方向的两端附近，也可以为未设置粘接剂层的构成。

所述粘接剂层的厚度没有特别限定，通常为3～200μm即可，优选为5～30μm。

通过在所述基材上涂布胶粘剂组合物溶液，形成涂布膜后，在既定条件下将该涂布膜干燥，获得所述粘接剂层。作为所述涂布方法，没有特别限定，例如可举出：辊涂覆、丝网涂覆、凹版涂覆等。此外，作为干燥条件，例如可在干燥温度80～150℃、干燥时间0.5～5分钟之间的范围内进行。此外，在隔片上涂布胶粘剂组合物形成涂布膜后，可在所述干燥条件下使涂布膜干燥形成粘接剂层。之后，在所述基材上，将所述粘接剂层与隔片共同贴合。根据以上，可获得保护膜。

<其他的层>

所述保护膜也可以具有所述基材、所述粘接剂层以外的层。例如，所述保护膜也可以具有低聚物粘连层、抗静电层等。可在所述基材的与设置所述粘接剂层面相反一侧的面，具有剥离处理层。具有所述剥离处理层时，例如，在贴合耐热高分子膜前，可以事先将所述保护膜卷曲为卷状。总体而言，即使将所述保护膜卷曲为卷状，由于所述粘接剂层不直接接触所述基材的背面而接触所述剥离处理层，因此可以防止所述粘接剂层贴附(转印)于所述基材的背面。

作为所述剥离处理层，优选含有从有机硅树脂以及氟树脂中选出的1种以上作为主成分。作为所述有机硅树脂，通常可以使用被用于剥离处理剂的有机硅树脂，可以从“硅酮材料手册”(东丽道康宁编，1993.8)等记载的该领域中通常使用的有机硅树脂中进行选择使用。通常使用热固型或电离辐射固化型有机硅树脂(指包含树脂以及树脂组合物)。作为热固型有机硅树脂，可使用例如缩合反应型以及加成反应型有机硅树脂，作为电离辐射固化型有机硅树脂，可使用紫外线或电子束固化型有机硅树脂等。通过将这些涂布于所述基材上，干燥或使其固化，可以形成所述剥离处理层。

第1保护膜和第2保护膜可以为相同构成，也可以为相互不同的构成。

在耐热高分子膜12上形成贯通孔13后，剥离第1保护膜14。

需要说明的是，形成贯通孔时，第1保护膜未贴附于耐热高分子膜的第1面的情况下，无需该工序。

<工序B>

接着，如图3所示，将脱模薄膜18贴附于已形成贯通孔13的耐热高分子膜12的第1面12a。

<所述脱模薄膜>

作为所述脱模薄膜，可以采用与在所述保护膜(所述第1保护膜、第2保护膜)的条目中说明的相同构成。所述脱模薄膜的具体构成可以与所述保护膜(所述第1保护膜、第2保护膜)构成相同，也可以为不同的构成。

<工序C>

接着，如图4所示，从已形成贯通孔13的耐热高分子膜12的第2面12b一侧的耐热高分子膜12上以及贯通孔13内的脱模薄膜18上形成金属层20。此时，在贯通孔13内的内壁也形成金属层20。

作为金属层20的形成方法，可以采用现有公知的方法。例如，在耐热高分子膜12上以及贯通孔13内的脱模薄膜18上，通过溅射、电镀形成金属层20。

作为构成金属层20的金属没有特别限定，但可举出：铜、金、银、铂、铅、锡、镍、钴、铟、铑、铬、钨、钌等单质金属或由它们的2种以上构成的合金等。

耐热高分子膜12上的金属层20的厚度没有特别限定，在20～20000nm的范围内适当设定即可。

耐热高分子膜12上的金属层20和贯通孔13上(脱模薄膜18上)的金属层20可以在同一平面，也可以如图4所示具有段差。

通过进行工序C，可制得具备脱模薄膜18和具有贯通孔13的耐热高分子膜12和金属层20的带脱模薄膜的电路基板前体30。

带脱模薄膜的电路基板前体30的耐热高分子膜12设置于脱模薄膜18上。此外，带脱模薄膜的电路基板前体30的金属层20设置于耐热高分子膜12上以及贯通孔13内的脱模薄膜18上。

在带脱模薄膜的电路基板前体30中，由于脱模薄膜18易剥离，因此可以轻易地从脱模薄膜18将耐热高分子膜12剥离。此外，如后所述，若将耐热高分子膜12从脱模薄膜18剥离，在贴附至无机基板40后进行对耐热高分子膜12上的金属层20的图案化，则在金属层20与脱模薄膜18接触的状态下受到的热履历较少。其结果可以抑制金属层20和脱模薄膜18的固定粘着。

需要说明的是，本实施方式中，针对整个耐热高分子膜12设置于脱模薄膜18上的情况进行图示说明，但本发明不限定于此例。在本发明中，“耐热高分子膜设置于脱模薄膜上”包含耐热高分子膜的至少一部分设置于剥离膜上的情况。例如，即使耐热高分子膜和脱模薄膜之间的一部分存在其他的层的情况，也被包含于“耐热高分子膜设置于脱模薄膜上”。

<工序D>

所述工序C后，如图5所示，将脱模薄膜18从耐热高分子膜12剥离。

作为将脱模薄膜18从耐热高分子膜12剥离的方法没有特别限定，但可以采用使用镊子等从一端卷起的方法、让粘着胶带粘着脱模薄膜18的一边之后从其胶带部分卷起的方法、真空吸附脱模薄膜18的一边后将该部分卷起的方法等。

<工序E>

此外，本实施方式涉及的电路基板的制造方法中，在所述工序A～工序D之外，另外准备具有硅烷偶联剂层42的无机基板40。

<无机基板>

作为所述无机基板，只要为可用作由无机物构成的基板的板状物即可，例如可举出：以玻璃板、陶瓷板、半导体晶圆、金属等为主体的板状物，以及作为这些玻璃板、陶瓷板、半导体晶圆、金属的复合体，将它们层叠的板状物、分散有这些的板状物、这些的含有纤维的板状物。

作为所述玻璃板，包含石英玻璃、高硅氧玻璃(96％二氧化硅)、钠钙玻璃、铅玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃(Pyrex(注册商标))、硼硅酸盐玻璃(无碱)、硼硅酸盐玻璃(微片)、铝硅酸盐玻璃等。这些之中，期望线膨胀系数为5ppm/K以下的玻璃板，为市售品时，优选液晶用玻璃的康宁公司制造的“corning(注册商标)7059”、“corning(注册商标)1737”、“EAGLE”、旭硝子公司制造的“AN100”、日本电气硝子公司制造的“OA10”、SCHOTT公司制造的“AF32”等。

作为所述半导体晶圆没有特别限定，但可举出：硅晶圆、锗、硅-锗、镓-砷、铝-镓-铟、氮-磷-砷-锑、SiC、InP(铟磷)、InGaAs、GaInNAs、LT、LN、ZnO(氧化锌)、CdTe(碲镉)、ZnSe(硒化锌)等晶圆。其中优选使用的晶圆为硅晶圆，特别优选为8英寸以上大小的镜面研磨硅晶圆。

作为所述金属，可以含有W、Mo、Pt、Fe、Ni、Au的单一元素金属或镍铬铁耐热耐蚀合金(Inconel)、蒙乃尔合金(Monel)、镍铬系耐热合金(Nimonic)、碳铜、Fe-Ni系因瓦合金(Invar alloy)、超级因瓦合金的合金等。此外，这些金属中，也包含附加有其他金属层、陶瓷层的多层金属板。此时，若与附加层整体的线膨胀系数(CTE)较低的话，则主金属层也使用Cu、Al等。作为用作附加金属层的金属，只要具有加强与高分子膜的密合性、无扩散、耐化学品性、耐热性良好等特性，就没有特别限定，作为合适的例子优选可列举Cr、Ni、TiN、含有Mo的Cu等。

所述无机基板的平面部分期望充分的平坦。具体地，表面粗糙度的P-V值为50nm以下，更优选为20nm以下，进一步优选为5nm以下。比此更粗糙的情况下，存在高分子膜与无机基板的剥离强度不充分的情况。

所述无机基板的厚度没有特别限定，但从操作性的观点出发，优选为10mm以下的厚度，更优选为3mm以下，进一步优选为1.3mm以下。针对厚度的下限没有特别限定，优选为0.07mm以上，更优选为0.15mm以上，进一步优选为0.3mm以上。

<硅烷偶联剂层>

所述硅烷偶联剂层以物理或化学的方式夹设在无机基板与高分子膜之间，具有提升二者间粘合力的作用。

所述硅烷偶联剂没有特别限定，优选含有具有氨基的偶联剂。作为硅烷偶联剂的优选具体例，可举出：N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1，3-二甲基-丁烯基)丙胺、2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、p-苯乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(乙烯基苄基)-2-氨基乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷盐酸盐、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、双(三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)异氰脲酸酯、氯甲基苯乙基三甲氧基硅烷、氯甲基三甲氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、氨基苯乙基三甲氧基硅烷、氨基苯基氨基甲基苯乙基三甲氧基硅烷等。

作为所述硅烷偶联剂，除上述之外，可以使用：n-丙基三甲氧基硅烷、丁基三氯硅烷、2-氰乙基三乙氧基硅烷、环己基三氯硅烷、癸基三氯硅烷、二乙酰氧基二甲基硅烷、二乙氧基二甲基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷、二甲氧基二苯基硅烷、二甲氧基甲基苯基硅烷、十二烷基三氯硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、乙基三氯硅烷、己基三甲氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、n-辛基三氯硅烷、n-辛基三乙氧基硅烷、n-辛基三甲氧基硅烷、三乙氧基乙基硅烷、三乙氧基甲基硅烷、三甲氧基甲基硅烷、三甲氧基苯基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、戊基三氯硅烷、三乙酰氧基甲基硅烷、三氯己基硅烷、三氯甲基硅烷、三氯十八烷基硅烷、三氯丙基硅烷、三氯十四烷基硅烷、三甲氧基丙基硅烷、烯丙基三氯硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、二乙氧基甲基乙烯基硅烷、二甲氧基甲基乙烯基硅烷、三氯乙烯基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、三氯-2-氰基乙基硅烷、二乙氧基(3-缩水甘油氧基丙基)甲基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基(二甲氧基)甲基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷等。

在所述硅烷偶联剂之中，特别优选1个分子中具有1个硅原子的硅烷偶联剂，例如，可举出：N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1，3-二甲基-丁烯基)丙胺、2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、氨基苯乙基三甲氧基硅烷、氨基苯基氨基甲基苯乙基三甲氧基硅烷等。特别地，需要高耐热性时，期待为使用芳香族基连接Si和氨基的硅烷偶联剂。

在所述无机基板上，可以设置所述硅烷偶联剂层以外的偶联层。

作为用于形成所述偶联层的偶联剂，除上述之外，可以使用：1-巯基-2-丙醇、3-巯基丙酸甲酯、3-巯基-2-丁醇、3-巯基丙酸丁酯、3-(二甲氧基甲基甲硅烷基)-1-丙硫醇、4-(6-巯基己氧基)苄醇、11-氨基-1-十一烷硫醇、11-巯基十一烷基膦酸、11-巯基十一烷基三氟乙酸、2，2’-(1，2-乙二基双氧代)二乙硫醇、11-巯基十一烷基三(乙二醇)、(1-巯基-11-十一烷基)四(乙二醇)、1-(甲基羧基)-11-十一烷基)六(乙二醇)、羟基十一烷基二硫化物、羧基十一烷基二硫化物、羟基十六烷基二硫化物、羧基十六烷基二硫化物、四(2-乙基己氧基)钛、二辛氧基双(辛二醇酸酯)钛、三丁氧基乙酰丙酮锆、单丁氧基乙酰丙酮双(乙酰乙酸乙酯)锆、三丁氧基单硬脂酸酯锆、(十八烷-9-烯基乙酰乙酸根合-01',03)二丙烷-2-醇合铝、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、2，3-丁二硫醇、1-丁硫醇、2-丁硫醇、环己硫醇、环戊硫醇、1-癸硫醇、1-十二烷硫醇、3-巯基丙酸-2-乙基己基酯、3-巯基丙酸乙酯、1-庚硫醇、1-十六烷硫醇、己硫醇、异戊基硫醇、异丁基硫醇、3-巯基丙酸、3-巯基丙酸-3-甲氧基丁酯、2-甲基-1-丁硫醇、1-十八烷硫醇、1-辛硫醇、1-十五烷硫醇、1-戊硫醇、1-丙硫醇、1-十四烷硫醇、1-十一烷硫醇、1-(12-巯基十二烷基)咪唑、1-(11-巯基十一烷基)咪唑、1-(10-巯基癸基)咪唑、1-(16-巯基十六烷基)咪唑、1-(17-巯基十七烷基)咪唑、1-(15-巯基)十二烷酸、1-(11-巯基)十一烷酸、1-(10-巯基)癸酸等。

作为硅烷偶联剂的涂布方法(硅烷偶联剂层的形成方法)，可以使用将硅烷偶联剂溶液涂布于无机基板的方法、蒸镀法等。

作为涂布硅烷偶联剂溶液的方法，可以使用通过醇类等溶剂稀释硅烷偶联剂的溶液，适当地使用旋涂法、幕涂法、浸涂法、狭缝模涂法、凹版涂布法、棒涂法、逗号涂布法、涂布器法、丝网印刷法、喷涂法等现有公知的溶液的涂布手段。

作为通过蒸镀法形成硅烷偶联剂层的方法，可举出：将上述无机基板暴露于硅烷偶联剂的蒸气，即实质上暴露于气体状态硅烷偶联剂进行形成的方法。通过将液体形态的硅烷偶联剂加热至40℃～硅烷偶联剂的沸点左右可获得硅烷偶联剂的蒸气。硅烷偶联剂的沸点根据化学结构的不同，但大概在100～250℃的范围。

加温硅烷偶联剂的环境为加压下、常压下、减压下的任何一种均可，但在促进硅烷偶联剂的气化时，优选为常压下或减压下。由于多数的硅烷偶联剂为可燃性液体，因此，优选在密闭容器内，优选在使用非活性气体置换容器内气体后进行气化作业。

将所述无机基板暴露于硅烷偶联剂的时间没有特别限定，优选为20小时以内，更优选为60分钟以内，进一步优选为15分钟以内，最优选为1分钟以内。

将所述无机基板暴露于硅烷偶联剂期间的所述无机基板的温度优选通过硅烷偶联剂的种类和求出的硅烷偶联剂层的厚度控制在-50℃至200℃之间的适合的温度。

作为硅烷偶联剂层42的膜厚没有特别限定，只要为能够覆盖无机基板的整体表面的程度即可。

<工序F>

在所述工序D之后，如图6所示，在剥离耐热高分子膜12的脱模薄膜18后的第1面12a上，以硅烷偶联剂层42为贴合面，贴附无机基板40。具体地，将耐热高分子膜12的第1面12a和无机基板40加压加热进行贴合。无机基板40使用通过工序E准备的基板。

加压加热处理例如，在大气氛围下或真空中，一边加热，一边进行压制、层压、辊层压等即可。此外，也可以应用在放入柔性袋的状态下进行加压加热的方法。从提升生产率、高生产率带来的低加工成本化的观点出发，优选大气氛围下的压制或辊层压，特别优选为使用辊进行的方法(辊层压等)。

作为加压加热处理时的压力，优选为1MPa～20MPa，进一步优选为3MPa～10MPa。压力为20MPa以下时，能够抑制无机基板破损。此外，压力为1MPa以上时，可以防止产生未密贴部分、粘接不充分。作为加压加热处理时的温度，优选为150℃～400℃，更优选为250℃～350℃。

此外加压加热处理可以在如上所述的大气压氛围中进行，但为了获得全面稳定的剥离强度，也优选在真空下进行。对于此时的真空度而言，以通常的油旋转泵得到的真空度即可，只要为10Torr以下的程度就足够。

作为可以用于加压加热处理的装置，在进行真空中的压制时，例如可以使用井元制作所制造的“11FD”等，对于真空中的辊式膜层压机或者在抽真空后一度通过薄橡胶膜，向整面玻璃施加压力的膜层压机等的真空层压而言，例如，可以使用名机制作所制造的“MVLP”等。

所述加压加热处理可分为加压工序和加热工序进行。此时，首先，在较低的温度(例如低于120℃，更优选为95℃以下的温度)下加压高分子膜和无机基板(优选为0.2～50MPa左右)确保二者密贴，之后，通过在低压(优选为低于0.2MPa，更优选为0.1MPa以下)或常压、较高的温度(例如为120℃以上，更优选为120～250℃，进一步优选为150～230℃)下进行加热，能够促进密贴界面的化学反应，层叠高分子膜和无机基板。

通过进行以上的工序F，可以制得具备无机基板40和硅烷偶联剂层42和具有贯通孔13的耐热高分子膜12和金属层20的带无机基板的电路基板前体50。

带无机基板的电路基板前体50的硅烷偶联剂层42设置于无机基板40上。此外，带无机基板的电路基板前体50的耐热高分子膜12设置于硅烷偶联剂层42上。此外，带无机基板的电路基板前体50的金属层20设置于耐热高分子膜12上以及贯通孔13内的硅烷偶联剂层42上。

在带无机基板的电路基板前体50中，贯通孔13内的金属层20仅以适度的密合力贴附在硅烷偶联剂层42上，之后，即使受到热履历，也无法牢固固定粘着在无机基板40上。此外，硅烷偶联剂层42和耐热高分子膜12也仅以适度的密合力贴附，之后，即使受到热履历，也无法牢固固定粘着在无机基板40上。因此，在后述的对金属层20图案化的工序G之后，通过撕下等，可以容易地将带硅烷偶联剂层42的无机基板40从耐热高分子膜12剥离。总体而言，以硅烷偶联剂层42和耐热高分子膜12为界面，能够轻易地将无机基板40从耐热高分子膜12剥离。由于可以通过撕下等，将无机基板40从耐热高分子膜12剥离，因此不会发生用于剥离无机基板40的剥离用试剂附着于图案化后的金属层20、照射等离子体等。其结果是能够对无机基板40上形成的电路基板(图案化金属层)尽可能不造成损伤地将电路基板从无机基板上剥离。

<工序G>

所述工序F之后，如图7所示，将金属层20进行图案化。将金属层20进行图案化的方法没有特别限定，可以使用现有公知的技术。例如，可通过以现有公知的蚀刻技术将金属层20蚀刻为既定的图案(配线图案)，获得图案化后的金属层20(也称为布线层21)。

之后，根据需要，在布线层21上也可形成第2布线层等。以下针对形成第2布线层的情况进行说明。

<工序G-1>

所述工序G之后，如图8所示，在整面布线层21上涂布粘接剂，使其固化，形成粘接剂层44(工序G-1)。作为所述粘接剂，能够采用现有公知的粘接剂(例如含有热固性树脂的粘接剂、含有紫外线固化性树脂的粘接剂等)。所述粘接剂优选以固化后，成为绝缘性粘接剂层的材料来形成。

<工序G-2>

所述工序G-1之后，如图9所示，在粘接剂层44上贴附第2耐热高分子膜46。贴附时，通过加热加压，可以使粘接剂层44的表面更平坦。

需要说明的是，所述工序G-1以及所述工序G-2的顺序没有特别限定。例如，可以在整面布线层21上涂布粘接剂，使其固化前，贴附第2耐热高分子膜46，在其之后，使粘接剂层固化。

作为第2耐热高分子膜46，可以采用与在耐热高分子膜的条目中说明的内容相同的构成。耐热高分子膜12和第2耐热高分子膜46可以为相同构成，也可以为相互不同的构成。

<工序G-3>

所述工序G-2之后，形成连通第2耐热高分子膜46以及粘接剂层44的贯通孔，向所述贯通孔的内壁施加电镀，形成通孔48。进一步地，在第2耐热高分子膜46上形成第2布线层49。由此，获得了连接布线层21和第2布线层49的具有2层布线层的电路(参考图10)。所述贯通孔的形成、通孔48的形成、布线层49的形成可采用现有公知的技术。

需要说明的是，进一步地，也可重复同样的工序，在第2布线层49上进一步地形成其他布线层，制成多层的电路(参考图10)。

此外，进一步地，也可层叠半导体芯片，连接最上部的布线层(无图示)。

需要说明的是，根据需要，作为第2耐热高分子膜46，也可以采用感光性膜，进行曝光、显影，将第2耐热高分子膜46进行图案化。

<工序H>

所述工序G之后，进一步地，根据需要进行所述工序G-1～所述工序G-3之后，将无机基板40从耐热高分子膜12剥离(参考图11)。通过以上可以获得电路基板60。

作为将无机基板40从耐热高分子膜12剥离的方法，没有特别限定，可以使用能透过无机基板、在耐热高分子膜12处吸收的波长的激光，由此激光能量集中于无机基板40和耐热高分子膜12的界面来进行剥离的激光剥离技术(laser lift-off)、沿着曲率半径较大的圆弧剥下的机械剥离(mechanical lift-off)等现有的方法。

更简便地，可以使用镊子等从一端卷起的方法等。

根据本实施方式涉及的电路基板的制造方法，工序C中，在贯通孔13内的脱模薄膜18上形成金属层20。由于脱模薄膜18容易剥离，因此形成金属层20后，耐热高分子膜12也可从脱模薄膜18轻易剥离。此外，形成金属层20后，从脱模薄膜18上将耐热高分子膜12剥离，图案化在贴附无机基板40上之后进行。由此，在金属层20和脱模薄膜18接触的状态下受到的热履历较少。其结果，金属层20和脱模薄膜18的固定粘着被抑制。

此外，在工序F中，以硅烷偶联剂层42为贴合面，将从脱模薄膜18剥离的带金属层20的耐热高分子膜12贴附于无机基板40。从脱模薄膜18剥离的金属层20(从贯通孔13露出的金属层20)暂且仅以适度的密合力贴附于硅烷偶联剂层42，之后，即使受到热履历，也无法牢固地固定粘着于无机基板40。此外，硅烷偶联剂层42和耐热高分子膜12仅以适度的密合力贴附，之后，即使受到热履历，也不会牢固地固定粘着于无机基板40。因此，在将金属层20进行图案化的工序G之后，通过撕下等，可以轻易地将带硅烷偶联剂层42的无机基板40从耐热高分子膜12剥离。总体而言，以硅烷偶联剂层42和耐热高分子膜12为界面，可以轻易地将无机基板40从耐热高分子膜12剥离。由于通过撕下等，能够将无机基板40从耐热高分子膜12剥离，因此不会发生用于剥离无机基板的剥离用试剂附着于图案化后的金属层20(布线层21)、照射等离子体等。其结果是能够对无机基板40上形成的电路基板60(图案化后的金属层20等)尽可能不造成损伤地将电路基板60从无机基板40上剥离。

以上，针对本发明的实施方式进行说明，但本发明不限于上述的例子，在充分具有本发明的构成的范围内，可以进行适当的设计变更。

Claims (5)

1.一种电路基板的制造方法，其特征在于，含有：

在耐热高分子膜上形成贯通孔的工序A、

将脱模薄膜贴附于已形成贯通孔的所述耐热高分子膜的第1面的工序B、

在已形成贯通孔的所述耐热高分子膜的第2面一侧的所述耐热高分子膜上以及所述贯通孔内的所述脱模薄膜上形成金属层的工序C、

在所述工序C后，将所述脱模薄膜从所述耐热高分子膜上剥离的工序D、

准备具有硅烷偶联剂层的无机基板的工序E、

在所述工序D后，以所述硅烷偶联剂层作为贴合面，将所述无机基板贴附于所述耐热高分子膜的剥离了所述脱模薄膜后的所述第1面的工序F、

在所述工序F后，将所述金属层进行图案化的工序G以及

在所述工序G后，将所述无机基板从所述耐热高分子膜剥离的工序H。

2.根据权利要求1所述的电路基板的制造方法，其特征在于，所述耐热高分子膜为聚酰亚胺膜。

3.根据权利要求1或2所述的电路基板的制造方法，其特征在于，所述无机基板为玻璃板、陶瓷板、半导体晶圆或将前述基板的2种以上层叠而成的复合体。

4.一种带脱模薄膜的电路基板前体，其特征在于，具备脱模薄膜、具有贯通孔的耐热高分子膜和金属层，

所述耐热高分子膜设置于所述脱模薄膜上，

所述金属层设置于所述耐热高分子膜上以及所述贯通孔内的所述脱模薄膜上。

5.一种带无机基板的电路基板前体，其特征在于，具备无机基板、硅烷偶联剂层、具有贯通孔的耐热高分子膜和金属层，

所述硅烷偶联剂层设置于所述无机基板上，

所述耐热高分子膜设置于所述硅烷偶联剂层上，

所述金属层设置于所述耐热高分子膜上以及所述贯通孔内的所述硅烷偶联剂层上。