TW202314969A - 電路基板之製造方法、附有離型膜之電路基板前驅物、及附有無機基板之電路基板前驅物 - Google Patents
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Abstract
一種電路基板之製造方法,包含:步驟A,係在耐熱高分子膜形成貫通孔;步驟B,係在形成了貫通孔的耐熱高分子膜的第1面貼附離型膜;步驟C,係從形成了貫通孔的耐熱高分子膜的第2面側,形成金屬層在耐熱高分子膜上、及貫通孔內的離型膜上;步驟D,係在步驟C後,將離型膜從耐熱高分子膜剝離;步驟E,係準備具有矽烷偶合劑層的無機基板;步驟F,係在步驟D後,在耐熱高分子膜的剝離了離型膜後的第1面,以矽烷偶合劑層為貼合面,貼附無機基板;步驟G,係在步驟F後,將金屬層進行圖案化;及步驟H,係在步驟G後,將無機基板從耐熱高分子膜剝離。
Description
本發明係關於電路基板之製造方法、附有離型膜之電路基板前驅物、及附有無機基板之電路基板前驅物。
近年來,隨著半導體元件的高積體化,要求電路基板的高密度化。因此,IC晶片的電極成為高密度,且作為再配線層的電路基板,例如,扇出型面板級封裝(Fan Out Panel Level Package),要求具有微細部分的電路。此外,經高密度化的電路基板可用作迷你LED(配置在構成液晶顯示裝置的液晶正下方的極小的LED)的配線層。
作為電路基板之製造方法,已知有如下的方法:在假基板(dummy substrate)上,藉由薄膜形成技術等來形成具有絕緣層和圖案配線層的電路層後,剝離假基板。
例如,專利文獻1中揭露了:作為假基板,係使用依序積層了包含金屬箔的載體層(基材)、剝離強度弱的剝離層、鍍銅層、和包含絕緣樹脂的剝離保護層的假基板,在假基板上形成了薄膜電路體(電路層)後,將假基板從薄膜電路體去除。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-311912號公報
[發明欲解決之課題]
在專利文獻1所揭露的電路基板之製造方法中,為了將假基板從薄膜電路體去除,首先,在薄膜電路體側有鍍銅層和剝離保護層殘留的狀態下,撕下載體層和剝離層。之後,鍍銅層係藉由使用硫酸-過氧化氫等的剝離用藥液的濕式蝕刻法去除,剝離保護層係藉由使用氧電漿等的乾式蝕刻法去除(尤其是,參照專利文獻1的段落[0061]、段落[0062])。
一般而言,若使用薄膜形成技術直接在包含金屬箔的載體層(基材)上形成電路基板,則載體層和電路基板牢固地固著,無法輕易地將兩者剝開。尤其是,形成在載體層上的金屬層,因之後受到熱歷程而更加牢固地固著於載體層。例如,對形成在載體層上的金屬層進行圖案化,進一步在其上多層地形成經圖案化的金屬層(配線層)的情況下,會變成受到多段熱歷程。因此,在專利文獻1中,係藉由在載體層與薄膜電路體之間配置剝離層、鍍銅層、剝離保護層,來將載體層與薄膜電路體剝離。
然而,如上所述的電路基板之製造方法,存在有如下的問題:為了將鍍銅層、剝離保護層去除,薄膜電路體會有蝕刻液附著、被照射到電漿等,而對薄膜電路體造成損傷。
本發明係有鑑於上述的課題所完成的發明,其目的在於提供一種電路基板之製造方法,其能以盡量不會對形成在無機基板上的電路基板造成損傷的方式,將電路基板從無機基板剝離,且剝離後的步驟少。此外,本發明的目的在於提供在實施該製造方法的過程中所得到的附有離型膜之電路基板前驅物、及附有無機基板之電路基板前驅物。
[用以解決課題之手段]
本發明人針對電路基板之製造方法進行銳意研究。其結果,發現藉由採用下述的構成,能以盡量不會對形成在無機基板上的電路基板造成損傷的方式,將電路基板從無機基板剝離,且能夠使剝離後的步驟變少,進而完成本發明。
即,本發明提供以下內容。
一種電路基板之製造方法,其特徵為包含:
步驟A,係在耐熱高分子膜形成貫通孔;
步驟B,係在形成了貫通孔的前述耐熱高分子膜的第1面貼附離型膜;
步驟C,係從形成了貫通孔的前述耐熱高分子膜的第2面側,形成金屬層在前述耐熱高分子膜上、及前述貫通孔內的前述離型膜上;
步驟D,係在前述步驟C後,將前述離型膜從前述耐熱高分子膜剝離;
步驟E,係準備具有矽烷偶合劑層的無機基板;
步驟F,係在前述步驟D後,在前述耐熱高分子膜的剝離了前述離型膜後的前述第1面,以前述矽烷偶合劑層為貼合面,貼附前述無機基板;
步驟G,係在前述步驟F後,將前述金屬層進行圖案化;及
步驟H,係在前述步驟G後,將前述無機基板從前述耐熱高分子膜剝離。
若根據前述構成,則在步驟C中,形成金屬層在貫通孔內的離型膜上。由於離型膜容易剝離,因此在形成金屬層後,也能夠輕易地將耐熱高分子膜從離型膜剝離。此外,在形成金屬層後,就將耐熱高分子膜從離型膜剝離,圖案化則在貼附於無機基板上後進行。因此,在金屬層和離型膜接觸的狀態下受到熱歷程的情形少。其結果,能夠抑制金屬層和離型膜固著。
此外,在步驟F中,以矽烷偶合劑層為貼合面,將從離型膜剝離的附有金屬層的耐熱高分子膜貼附在無機基板。一旦從離型膜剝離的金屬層(從貫通孔露出的金屬層)係僅以適度的緊貼力貼附在矽烷偶合劑層,即使之後受到熱歷程也不會牢固地固著在無機基板。此外,矽烷偶合劑層和耐熱高分子膜係僅以適度的緊貼力貼附,即使之後受到熱歷程也不會牢固地固著在無機基板。由此,在將金屬層進行圖案化的步驟G之後,能夠藉由撕下等,來輕易地將附有矽烷偶合劑層的無機基板從耐熱高分子膜剝離。即,能夠以矽烷偶合劑層和耐熱高分子膜為界面,輕易地將無機基板從耐熱高分子膜剝離。能夠藉由撕下等,來將無機基板從耐熱高分子膜剝離,因此不可能發生:經圖案化的金屬層有剝離無機基板用的剝離用藥液附著、被照射到電漿等。其結果,可以實現:以盡量不會對形成在無機基板上的電路基板(經圖案化的金屬層)造成損傷的方式,將電路基板從無機基板剝離。
此外,能夠藉由撕下等,來將無機基板從耐熱高分子膜剝離,因此將無機基板從耐熱高分子膜剝離後,對電路基板造成損傷的步驟少。例如,在專利文獻1中,將載體層和薄膜電路體剝離後,為了去除鍍銅層、剝離保護層,而需要蝕刻液、進行電漿照射等,但在本發明中,能夠將無機基板從耐熱高分子膜剝離,因此不需要這樣的處理。
又,藉由在無機基板與耐熱高分子膜之間設置矽烷偶合劑層,使無機基板和耐熱高分子膜以適度的剝離強度貼附,輕易使兩者可以剝離(可以分離)係例如揭露於日本特開2011-011455號公報等。
在前述構成中,前述耐熱高分子膜較佳為聚醯亞胺薄膜。
若前述耐熱高分子膜為聚醯亞胺薄膜,則耐熱性優異。此外,若前述耐熱高分子膜為聚醯亞胺薄膜,便能夠適當地以雷射進行開孔加工。
在前述構成中,前述無機基板較佳為玻璃板、陶瓷板、半導體晶圓、或積層它們中的二種以上的複合體。
若前述無機基板為玻璃板、陶瓷板、半導體晶圓、或積層它們中的二種以上的複合體,則由於彈性模數高、線膨脹係數小,因此尺寸穩定性優異。其結果,所製造的電路基板的尺寸精度變佳。
此外,本發明提供以下的內容。
一種附有離型膜之電路基板前驅物,其特徵為具備:
離型膜、
具有貫通孔的耐熱高分子膜、和
金屬層,
前述耐熱高分子膜係設置在前述離型膜上,
前述金屬層係設置在前述耐熱高分子膜上、及前述貫通孔內的前述離型膜上。
前述附有離型膜之電路基板前驅物,能夠在實施前述電路基板之製造方法的過程中得到。
若根據前述構成,則離型膜容易剝離,因此能夠輕易地將耐熱高分子膜從離型膜剝離。此外,若將耐熱高分子膜從離型膜剝離,在貼附在無機基板後,對耐熱高分子膜上的金屬層進行圖案化,則在金屬層和離型膜接觸的狀態下受到熱歷程的情形少。其結果,能夠抑制金屬層和離型膜固著。
此外,本發明提供以下的內容。
一種附有無機基板之電路基板前驅物,其特徵為具備:
無機基板、
矽烷偶合劑層、
具有貫通孔的耐熱高分子膜、和
金屬層,
前述矽烷偶合劑層係設置在前述無機基板上,
前述耐熱高分子膜係設置在前述矽烷偶合劑層上,
前述金屬層係設置在前述耐熱高分子膜上、及前述貫通孔內的前述矽烷偶合劑層上。
前述附有無機基板之電路基板前驅物,能夠在實施前述電路基板之製造方法的過程中得到。
若根據前述構成,則貫通孔內的金屬層係僅以適度的緊貼力貼附在矽烷偶合劑層,即使之後受到熱歷程也不會牢固地固著在無機基板。此外,矽烷偶合劑層和耐熱高分子膜係僅以適度的緊貼力貼附,即使之後受到熱歷程也不會牢固地固著在無機基板。由此,將金屬層進行圖案化的步驟G之後,能夠藉由撕下等,來輕易地將附有矽烷偶合劑層的無機基板從耐熱高分子膜剝離。即,能夠以矽烷偶合劑層和耐熱高分子膜為界面,輕易地將無機基板從耐熱高分子膜剝離。能夠藉由撕下等,來將無機基板從耐熱高分子膜剝離,因此不可能發生:經圖案化的金屬層有剝離無機基板用的剝離用藥液附著、被照射到電漿等。其結果,可以實現:以盡量不會對形成在無機基板上的電路基板(經圖案化的金屬層)造成損傷的方式,將電路基板從無機基板剝離。
[發明之效果]
若根據本發明,能夠提供一種電路基板之製造方法,其能以盡量不會對形成在無機基板上的電路基板造成損傷的方式,將電路基板從無機基板剝離。此外,能夠提供在實施該製造方法的過程中所得到的附有離型膜之電路基板前驅物、及附有無機基板之電路基板前驅物。
[用以實施發明的形態]
以下,針對本發明的實施形態進行說明。以下,針對電路基板之製造方法進行說明,其中,也針對附有離型膜之電路基板前驅物、附有無機基板之電路基板前驅物進行說明。
[電路基板之製造方法]
本實施形態的電路基板之製造方法包含:
步驟A,係在耐熱高分子膜形成貫通孔;
步驟B,係在形成了貫通孔的前述耐熱高分子膜的第1面貼附離型膜;
步驟C,係從形成了貫通孔的前述耐熱高分子膜的第2面側,形成金屬層在前述耐熱高分子膜上、及前述貫通孔內的前述離型膜上;
步驟D,係在前述步驟C後,將前述離型膜從前述耐熱高分子膜剝離;
步驟E,係準備具有矽烷偶合劑層的無機基板;
步驟F,係在前述步驟D後,在前述耐熱高分子膜的剝離了前述離型膜後的前述第1面,以前述矽烷偶合劑層為貼合面,貼附前述無機基板;
步驟G,係在前述步驟F後,將前述金屬層進行圖案化;及
步驟H,係在前述步驟G後,將前述無機基板從前述耐熱高分子膜剝離。
<步驟A>
在本實施形態的電路基板之製造方法中,首先,在耐熱高分子膜形成貫通孔。前述耐熱高分子膜,可以在兩面貼附有保護膜的狀態下進行準備,也可以在僅一面貼附有保護膜的狀態下進行準備,也可以在兩面什麼都沒貼附的狀態下進行準備。
在準備兩面貼附有保護膜的狀態的耐熱高分子膜的情況下,貫通孔的形成,可以在兩面貼附有保護膜的狀態下進行,也可以在兩側保護膜剝離後進行,也可以在僅一側保護膜剝離後進行。
在準備僅一面貼附有保護膜的狀態的耐熱高分子膜的情況下,貫通孔的形成,可以在貼附有前述一側保護膜的狀態下進行,也可以在僅前述一側保護膜剝離後進行。
在以下說明的實施形態中,針對如下的情況進行說明:準備兩面貼附有保護膜的狀態的耐熱高分子膜,且貫通孔的形成係在兩面貼附有保護膜的狀態下進行。
圖1~圖11係供說明本實施形態的電路基板之製造方法用的剖面示意圖。
如圖1所示,在本實施形態的電路基板之製造方法中,首先,準備兩面附有保護膜的耐熱高分子膜10。兩面附有保護膜的耐熱高分子膜10具有:耐熱高分子膜12、貼附在耐熱高分子膜12的第1面12a的第1保護膜14、和貼附在耐熱高分子膜12的第2面12b的第2保護膜16。
接著,如圖2所示,在耐熱高分子膜12形成貫通孔13。在本實施形態中,在耐熱高分子膜12的兩面貼附有保護膜(第1保護膜14、第2保護膜16)的狀態下,在耐熱高分子膜12形成貫通孔13。由此,在第1保護膜14、及第2保護膜16都形成貫通孔。又,貫通孔13中,最終會形成外部連接用的電極。由此,貫通孔13係形成在要形成外部連接用的電極的位置。
貫通孔13的形成,能夠採用目前公知的方法,例如,可舉出利用雷射的開孔加工。此外,在以具有感光性的樹脂來形成耐熱高分子膜12的情況下,能夠在隔著形成有與貫通孔13相應的圖案的光罩而照射光後,進行顯影,從而形成貫通孔13。在此情況下,較佳為在配置光罩之側的保護膜無貼附下,進行光照射、及顯影。
貫通孔13的形狀(俯視下的形狀)沒有特別的限定,較佳為圓形,直徑也可以適宜設定,例如能夠設為300μm~5μm。
以下,針對耐熱高分子膜、第1保護膜、及第2保護膜進行說明。
<耐熱高分子膜>
在本說明書中,耐熱高分子係指熔點為250℃以上,較佳為300℃以上,再更佳為400℃以上。此外,是玻璃轉移溫度為200℃以上,較佳為320℃以上,更佳為380℃以上的高分子。以下,為了避免繁複而也簡稱為高分子。在本說明書中,熔點、及玻璃轉移溫度係由微差熱分析(DSC)求出的。又,耐熱高分子膜,如果是藉由玻璃纖維強化、填料的高濃度填充等既有的方法來具有實用性強度,則不在此限。又,在熔點超過500℃的情況下,可以由目視觀察加熱至該溫度之際的熱變形行為來判斷是否達到熔點。
作為前述耐熱高分子膜(以下也簡稱為高分子膜),能例示:聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、氟化聚醯亞胺這樣的聚醯亞胺系樹脂(例如,芳香族聚醯亞胺樹脂、脂環族聚醯亞胺樹脂);聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚2,6-萘二甲酸乙二酯這樣的共聚合聚酯(例如,全芳香族聚酯、半芳香族聚酯);以聚甲基丙烯酸甲酯為代表的共聚合(甲基)丙烯酸酯;聚碳酸酯;聚醯胺;聚碸;聚醚碸;聚醚酮;醋酸纖維素;硝酸纖維素;芳香族聚醯胺;聚氯乙烯;多酚;聚芳香酯;聚苯硫醚;聚苯醚;聚苯乙烯等的膜。
但是,前述高分子膜,係以可用於伴隨300℃以上的熱處理的製程為前提,因此僅限於所例示的高分子膜當中能夠實際適用者。前述高分子膜當中,較佳為使用所謂的超級工程塑膠的膜,更具體而言,可舉出:芳香族聚醯亞胺薄膜、芳香族醯胺膜、芳香族醯胺醯亞胺膜、芳香族苯并㗁唑膜、芳香族苯并噻唑膜、芳香族苯并咪唑膜等。
以下說明關於前述高分子膜的一例的聚醯亞胺系樹脂薄膜(也有稱為聚醯亞胺薄膜的情況)的細節。聚醯亞胺系樹脂薄膜一般是藉由如下方式得到:將二胺類和四羧酸類在溶媒中進行反應所得到的聚醯胺酸(聚醯亞胺前驅物)溶液,塗布在製作聚醯亞胺薄膜用的支撐體,加以乾燥而作成生胚(green)薄膜(以下也稱為「聚醯胺酸薄膜」),進一步在聚醯亞胺薄膜製作用的支撐體上、或者在從該支撐體剝下的狀態下,將生胚薄膜進行高溫熱處理,使其進行脫水閉環反應。
聚醯胺酸(聚醯亞胺前驅物)溶液的塗布,例如,能夠適宜使用:旋轉塗布、刮刀、施塗機、缺角輪塗布機、網版印刷法、狹縫塗布、反向塗布、浸漬塗布、簾塗布、縫模塗布等目前公知的溶液塗布手段。
作為構成聚醯胺酸的二胺類,沒有特別的限制,能夠使用合成聚醯亞胺所通常使用的芳香族二胺類、脂肪族二胺類、脂環式二胺類等。從耐熱性的觀點來看,較佳為芳香族二胺類。二胺類,可以單獨使用也可以併用二種以上。
作為二胺類,沒有特別的限定,例如,可舉出:氧基二苯胺(雙(4-胺基苯基)醚)、對苯二胺(1,4-苯二胺)等。
作為構成聚醯胺酸的四羧酸類,能夠使用合成聚醯亞胺所通常使用的芳香族四羧酸類(包含其酸酐)、脂肪族四羧酸類(包含其酸酐)、脂環族四羧酸類(包含其酸酐)。在它們為酸酐的情況下,分子內,酐結構可以有一個,也可以有二個,較佳為具有二個酐結構者(二酐)。四羧酸類可以單獨使用,也可以併用二種以上。
作為四羧酸,沒有特別的限定,例如,可舉出:焦蜜石酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯四甲酸二酐等。
前述聚醯亞胺薄膜可以是透明聚醯亞胺薄膜。
針對前述高分子膜的一例的無色透明聚醯亞胺進行說明。為了避免繁複而也簡記為透明聚醯亞胺。作為透明聚醯亞胺的透明性,較佳為總光線穿透率為75%以上者。更佳為80%以上,再更佳為85%以上,又再更佳為87%以上,特佳為88%以上。前述透明聚醯亞胺的總光線穿透率的上限沒有特別的限制,但為了作為可撓性電路基板使用,較佳為98%以下,更佳為97%以下。本發明中的所謂的無色透明聚醯亞胺,較佳為總光線穿透率75%以上的聚醯亞胺。
作為供得到無色透明性高的聚醯亞胺用的芳香族四羧酸類,可舉出:4,4’-(2,2-六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸、4,4’-氧基二鄰苯二甲酸、雙(1,3-二側氧基-1,3-二氫-2-苯并呋喃-5-甲酸)1,4-苯二酯、雙(1,3-二側氧基-1,3-二氫-2-苯并呋喃-5-基)苯-1,4-二甲酸酯、4,4’-[4,4’-(3-側氧基-1,3-二氫-2-苯并呋喃-1,1-基)雙(苯-1,4-二基氧基)]二苯-1,2-二甲酸、3,3’,4,4’-二苯基酮四甲酸、4,4’-[(3-側氧基-1,3-二氫-2-苯并呋喃-1,1-二基)雙(甲苯-2,5-二基氧基)]二苯-1,2-二甲酸、4,4’-[(3-側氧基-1,3-二氫-2-苯并呋喃-1,1-二基)雙(1,4-二甲苯-2,5-二基氧基)]二苯-1,2-二甲酸、4,4’-[4,4’-(3-側氧基-1,3-二氫-2-苯并呋喃-1,1-二基)雙(4-異丙基-甲苯-2,5-二基氧基)]二苯-1,2-二甲酸、4,4’-[4,4’-(3-側氧基-1,3-二氫-2-苯并呋喃-1,1-二基)雙(萘-1,4-二基氧基)]二苯-1,2-二甲酸、4,4’-[4,4’-(3H-2,1-苯并氧硫醇-1,1-二氧化物-3,3-二基)雙(苯-1,4-二基氧基)]二苯-1,2-二甲酸、4,4’-二苯基酮四甲酸、4,4’-[(3H-2,1-苯并氧硫醇-1,1-二氧化物-3,3-二基)雙(甲苯-2,5-二基氧基)]二苯-1,2-二甲酸、4,4’-[(3H-2,1-苯并氧硫醇-1,1-二氧化物-3,3-二基)雙(1,4-二甲苯-2,5-二基氧基)]二苯-1,2-二甲酸、4,4’-[4,4’-(3H-2,1-苯并氧硫醇-1,1-二氧化物-3,3-二基)雙(4-異丙基-甲苯-2,5-二基氧基)]二苯-1,2-二甲酸、4,4’-[4,4’-(3H-2,1-苯并氧硫醇-1,1-二氧化物-3,3-二基)雙(萘-1,4-二基氧基)]二苯-1,2-二甲酸、3,3’,4,4’-二苯基酮四甲酸、3,3’,4,4’-二苯基酮四甲酸、3,3’,4,4’-二苯基碸四甲酸、3,3’,4,4’-聯苯四甲酸、2,3,3’,4’-聯苯四甲酸、均苯四酸、4,4’-[螺(𠮿-9,9’-茀)-2,6-二基雙(氧羰基)]二鄰苯二甲酸、4,4’-[螺(𠮿-9,9’-茀)-3,6-二基雙(氧羰基)]二鄰苯二甲酸等的四羧酸及它們的酸酐。它們當中,適當的是具有二個酸酐結構的二酐,特佳為4,4’-(2,2-六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸二酐、4,4’-氧基二鄰苯二甲酸二酐。又,芳香族四羧酸類可以單獨使用也可以併用二種以上。芳香族四羧酸類的共聚合量,在重視耐熱性的情況下,例如,較佳為全部四羧酸類的50質量%以上,更佳為60質量%以上,再更佳為70質量%以上,又再更佳為80質量%以上,特佳為90質量%以上,100質量%也無妨。
作為脂環式四羧酸類,可舉出:1,2,3,4-環丁烷四甲酸、1,2,3,4-環戊烷四甲酸、1,2,3,4-環己烷四甲酸、1,2,4,5-環己烷四甲酸、3,3’,4,4’-雙環己基四甲酸、雙環[2,2,1]庚烷-2,3,5,6-四甲酸、雙環[2,2,2]辛烷-2,3,5,6-四甲酸、雙環[2,2,2]辛-7-烯-2,3,5,6-四甲酸、四氫蒽-2,3,6,7-四甲酸、十四羥基-1,4:5,8:9,10-三甲橋蒽-2,3,6,7-四甲酸、十氫萘-2,3,6,7-四甲酸、十氫-1,4:5,8-二甲橋萘-2,3,6,7-四甲酸、十氫-1,4-乙橋基-5,8-甲橋萘-2,3,6,7-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-環戊酮-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸(別名「降莰烷-2-螺-2’-環戊酮-5’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸」)、甲基降莰烷-2-螺-α-環戊酮-α’-螺-2”-(甲基降莰烷)-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-環戊酮-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸(別名「降莰烷-2-螺-2’-環戊酮-6’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸」)、甲基降莰烷-2-螺-α-環己酮-α’-螺-2”-(甲基降莰烷)-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-環丙酮-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-環丁酮-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-環庚酮-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-環辛酮-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-環壬酮-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-環癸酮-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-環十一酮-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-環十二酮-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-環十三酮-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-環十四酮-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-環十五酮-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-(甲基環戊酮)-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸、降莰烷-2-螺-α-(甲基環己酮)-α’-螺-2”-降莰烷-5,5”,6,6”-四甲酸等的四羧酸及它們的酸酐。它們當中,適當的是具有二個酸酐結構的二酐,特佳為1,2,3,4-環丁烷四甲酸二酐、1,2,3,4-環己烷四甲酸二酐、1,2,4,5-環己烷四甲酸二酐,更佳為1,2,3,4-環丁烷四甲酸二酐、1,2,4,5-環己烷四甲酸二酐,再更佳為1,2,3,4-環丁烷四甲酸二酐。又,它們可以單獨使用也可以併用二種以上。脂環式四羧酸類的共聚合量,在重視透明性的情況下,例如,較佳為全部四羧酸類的50質量%以上,更佳為60質量%以上,再更佳為70質量%以上,又再更佳為80質量%以上,特佳為90質量%以上,100質量%也無妨。
作為三羧酸類,可舉出:偏苯三甲酸、1,2,5-萘三甲酸、二苯基醚-3,3’,4’-三甲酸、二苯基碸-3,3’,4’-三甲酸等的芳香族三甲酸、或者是六氫偏苯三甲酸等的上述芳香族三甲酸的氫化物、乙二醇雙偏苯三甲酸酯、丙二醇雙偏苯三甲酸酯、1,4-丁二醇雙偏苯三甲酸酯、聚乙二醇雙偏苯三甲酸酯等的伸烷基二醇雙偏苯三甲酸酯、及它們的一酐、酯化物。它們當中,適當的是具有一個酸酐結構的一酐,特佳為偏苯三甲酸酐、六氫偏苯三甲酸酐。又,它們可以單獨使用也可以組合複數個使用。
作為二羧酸類,可舉出:對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、萘二甲酸、4,4’-氧基二苯甲酸等的芳香族二甲酸、或者是1,6-環己烷二甲酸等的上述芳香族二甲酸的氫化物、草酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、十一烷二酸、十二烷二酸、2-甲基琥珀酸、及它們的醯氯化物或者是酯化物等。它們當中,適當的是芳香族二甲酸及其氫化物,特佳為對苯二甲酸、1,6-環己烷二甲酸、4,4’-氧基二苯甲酸。又,二羧酸類可以單獨使用也可以組合複數個使用。
作為供得到無色透明性高的聚醯亞胺用的二胺類或者是異氰酸酯類,沒有特別的限制,能夠使用合成聚醯亞胺、合成聚醯胺醯亞胺、合成聚醯胺所通常使用的芳香族二胺類、脂肪族二胺類、脂環式二胺類、芳香族二異氰酸酯類、脂肪族二異氰酸酯類、脂環式二異氰酸酯類等。從耐熱性的觀點來看,較佳為芳香族二胺類,從透明性的觀點來看,較佳為脂環式二胺類。此外,若使用具有苯并㗁唑結構的芳香族二胺類,便可以使其展現出高耐熱性,同時展現出高彈性模數、低熱收縮性、低線膨脹係數。二胺類及異氰酸酯類,可以單獨使用也可以併用二種以上。
作為芳香族二胺類,例如,可舉出:2,2’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、1,4-雙[2-(4-胺基苯基)-2-丙基]苯、1,4-雙(4-胺基-2-三氟甲基苯氧基)苯、2,2’-二三氟甲基-4,4’-二胺基聯苯、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、4,4’-雙(3-胺基苯氧基)聯苯、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]酮、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸、2,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、間苯二胺、鄰苯二胺、對苯二胺、間胺基苄胺、對胺基苄胺、4-胺基-N-(4-胺基苯基)苯甲醯胺、3,3’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯基醚、2,2’-三氟甲基-4,4’-二胺基二苯基醚、3,3’-二胺基二苯基硫醚、3,4’-二胺基二苯基硫醚、4,4’-二胺基二苯基硫醚、3,3’-二胺基二苯基亞碸、3,4’-二胺基二苯基亞碸、4,4’-二胺基二苯基亞碸、3,3’-二胺基二苯基碸、3,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基酮、3,4’-二胺基二苯基酮、4,4’-二胺基二苯基酮、3,3’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基甲烷、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]甲烷、1,1-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]乙烷、1,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]乙烷、1,1-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、1,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、1,1-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丁烷、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丁烷、1,4-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丁烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丁烷、2,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丁烷、2-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]-2-[4-(4-胺基苯氧基)-3-甲基苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)-3-甲基苯基]丙烷、2-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]-2-[4-(4-胺基苯氧基)-3,5-二甲基苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)-3,5-二甲基苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]酮、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]亞碸、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]醚、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]醚、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)苄醯基)]苯、1,3-雙[4-(3-胺基苯氧基)苄醯基)]苯、1,4-雙[4-(3-胺基苯氧基)苄醯基)]苯、4,4’-雙[(3-胺基苯氧基)苄醯基)]苯、1,1-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]丙烷、1,3-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]丙烷、3,4’-二胺基二苯基硫醚、2,2-雙[3-(3-胺基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]甲烷、1,1-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]乙烷、1,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]乙烷、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]亞碸、4,4’-雙[3-(4-胺基苯氧基)苄醯基]二苯基醚、4,4’-雙[3-(3-胺基苯氧基)苄醯基]二苯基醚、4,4’-雙[4-(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯氧基]二苯基酮、4,4’-雙[4-(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯氧基]二苯基碸、雙[4-{4-(4-胺基苯氧基)苯氧基}苯基]碸、1,4-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯氧基-α,α-二甲基苄基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯氧基-α,α-二甲基苄基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基-6-三氟甲基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基-6-氟苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基-6-甲基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基-6-氰基苯氧基)-α,α-二甲基苄基]苯、3,3’-二胺基-4,4’-二苯氧基二苯基酮、4,4’-二胺基-5,5’-二苯氧基二苯基酮、3,4’-二胺基-4,5’-二苯氧基二苯基酮、3,3’-二胺基-4-苯氧基二苯基酮、4,4’-二胺基-5-苯氧基二苯基酮、3,4’-二胺基-4-苯氧基二苯基酮、3,4’-二胺基-5’-苯氧基二苯基酮、3,3’-二胺基-4,4’-二聯苯氧基二苯基酮、4,4’-二胺基-5,5’-二聯苯氧基二苯基酮、3,4’-二胺基-4,5’-二聯苯氧基二苯基酮、3,3’-二胺基-4-聯苯氧基二苯基酮、4,4’-二胺基-5-聯苯氧基二苯基酮、3,4’-二胺基-4-聯苯氧基二苯基酮、3,4’-二胺基-5’-聯苯氧基二苯基酮、1,3-雙(3-胺基-4-苯氧基苄醯基)苯、1,4-雙(3-胺基-4-苯氧基苄醯基)苯、1,3-雙(4-胺基-5-苯氧基苄醯基)苯、1,4-雙(4-胺基-5-苯氧基苄醯基)苯、1,3-雙(3-胺基-4-聯苯氧基苄醯基)苯、1,4-雙(3-胺基-4-聯苯氧基苄醯基)苯、1,3-雙(4-胺基-5-聯苯氧基苄醯基)苯、1,4-雙(4-胺基-5-聯苯氧基苄醯基)苯、2,6-雙[4-(4-胺基-α,α-二甲基苄基)苯氧基]苄腈、4,4’-[9H-茀-9,9-二基]雙苯胺(別名「9,9-雙(4-胺基苯基)茀」)、螺(𠮿-9,9’-茀)-2,6-二基雙(氧羰基)]雙苯胺、4,4’-[螺(𠮿-9,9’-茀)-2,6-二基雙(氧羰基)]雙苯胺、4,4’-[螺(𠮿-9,9’-茀)-3,6-二基雙(氧羰基)]雙苯胺等。此外,上述芳香族二胺的芳香環上的一部分或者全部氫原子可以被鹵素原子、碳數1~3的烷基或者烷氧基、或氰基取代,進一步地前述碳數1~3的烷基或者烷氧基的一部分或者全部氫原子可以被鹵素原子取代。此外,作為前述具有苯并㗁唑結構的芳香族二胺類,沒有特別的限定,例如,可舉出:5-胺基-2-(對胺基苯基)苯并㗁唑、6-胺基-2-(對胺基苯基)苯并㗁唑、5-胺基-2-(間胺基苯基)苯并㗁唑、6-胺基-2-(間胺基苯基)苯并㗁唑、2,2’-對伸苯基雙(5-胺基苯并㗁唑)、2,2’-對伸苯基雙(6-胺基苯并㗁唑)、1-(5-胺基苯并㗁唑基)-4-(6-胺基苯并㗁唑基)苯、2,6-(4,4’-二胺基二苯基)苯并[1,2-d:5,4-d’]雙㗁唑、2,6-(4,4’-二胺基二苯基)苯并[1,2-d:4,5-d’]雙㗁唑、2,6-(3,4’-二胺基二苯基)苯并[1,2-d:5,4-d’]雙㗁唑、2,6-(3,4’-二胺基二苯基)苯并[1,2-d:4,5-d’]雙㗁唑、2,6-(3,3’-二胺基二苯基)苯并[1,2-d:5,4-d’]雙㗁唑、2,6-(3,3’-二胺基二苯基)苯并[1,2-d:4,5-d’]雙㗁唑等。它們當中,特佳為2,2’-二三氟甲基-4,4’-二胺基聯苯、4-胺基-N-(4-胺基苯基)苯甲醯胺、4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基酮。又,芳香族二胺類可以單獨使用也可以組合複數個使用。
作為脂環式二胺類,例如,可舉出:1,4-二胺基環己烷、1,4-二胺基-2-甲基環己烷、1,4-二胺基-2-乙基環己烷、1,4-二胺基-2-正丙基環己烷、1,4-二胺基-2-異丙基環己烷、1,4-二胺基-2-正丁基環己烷、1,4-二胺基-2-異丁基環己烷、1,4-二胺基-2-二級丁基環己烷、1,4-二胺基-2-三級丁基環己烷、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基環己基胺)等。它們當中,特佳為1,4-二胺基環己烷、1,4-二胺基-2-甲基環己烷,更佳為1,4-二胺基環己烷。又,脂環式二胺類可以單獨使用也可以組合複數個使用。
作為二異氰酸酯類,例如,可舉出:二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3,2’-或3,3’-或4,2’-或4,3’-或5,2’-或5,3’-或6,2’-或6,3’-二甲基二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3,2’-或3,3’-或4,2’-或4,3’-或5,2’-或5,3’-或6,2’-或6,3’-二乙基二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3,2’-或3,3’-或4,2’-或4,3’-或5,2’-或5,3’-或6,2’-或6,3’-二甲氧基二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-3,3’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-3,4’-二異氰酸酯、二苯基醚-4,4’-二異氰酸酯、二苯基酮-4,4’-二異氰酸酯、二苯基碸-4,4’-二異氰酸酯、甲苯-2,4-二異氰酸酯、甲苯-2,6-二異氰酸酯、間苯二甲基二異氰酸酯、對苯二甲基二異氰酸酯、萘-2,6-二異氰酸酯、4,4’-(2,2雙(4-苯氧基苯基)丙烷)二異氰酸酯、3,3’-或2,2’-二甲基聯苯基-4,4’-二異氰酸酯、3,3’-或2,2’-二乙基聯苯基-4,4’-二異氰酸酯、3,3’-二甲氧基聯苯基-4,4’-二異氰酸酯、3,3’-二乙氧基聯苯基-4,4’-二異氰酸酯等的芳香族二異氰酸酯類、及將它們中的任一者氫化的二異氰酸酯(例如,異佛酮二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、4,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯)等。它們當中,從低吸濕性、尺寸穩定性、價格及聚合性這些點來看,較佳為二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、甲苯-2,4-二異氰酸酯、甲苯-2,6-二異氰酸酯、3,3’-二甲基聯苯基-4,4’-二異氰酸酯、萘-2,6-二異氰酸酯、4,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯。又,二異氰酸酯類可以單獨使用也可以組合複數個使用。
在本實施形態中,前述高分子膜較佳為聚醯亞胺薄膜。若前述高分子膜為聚醯亞胺薄膜,則耐熱性優異。此外,若前述高分子膜為聚醯亞胺薄膜,便能夠適當地以雷射進行開口加工。
前述高分子膜的厚度較佳為3μm以上,更佳為7μm以上,再更佳為14μm以上,又再更佳為20μm以上。前述高分子膜的厚度的上限沒有特別的限制,但為了作為可撓性電路基板使用,較佳為250μm以下,更佳為100μm以下,再更佳為50μm以下。
前述高分子膜的30℃至250℃之間的平均線膨脹係數(CTE)較佳為50ppm/K以下。更佳為45ppm/K以下,再更佳為40ppm/K以下,又再更佳為30ppm/K以下,特佳為20ppm/K以下。此外,較佳為-5ppm/K以上,更佳為-3ppm/K以上,再更佳為1ppm/K以上。若CTE在前述範圍內,則與一般的支撐體(無機基板)的線膨脹係數的差便能夠保持為小,即使供應至施加熱的製程,也能夠避免高分子膜和無機基板剝離、或者是連同支撐體整個翹曲。此處,所謂的CTE係表示相對於溫度可逆的伸縮的因子。又,所謂的前述高分子膜的CTE係指高分子溶液或高分子的前驅物溶液的塗敷方向(MD方向)的CTE及寬度方向(TD方向)的CTE的平均值。
在前述高分子膜為透明聚醯亞胺薄膜的情況下,其黃色度指數(以下也稱為「Yellow Index」或「YI」)較佳為10以下,更佳為7以下,再更佳為5以下,又再更佳為3以下。前述透明聚醯亞胺的黃色度指數的下限沒有特別的限制,但為了作為可撓性電路基板使用,較佳為0.1以上,更佳為0.2以上,再更佳為0.3以上。
在前述高分子膜為透明聚醯亞胺薄膜的情況下,霧度較佳為1.0以下,更佳為0.8以下,再更佳為0.5以下,又再更佳為0.3以下。下限沒有特別的限定,在工業上,只要為0.01以上便沒有問題,即使是0.05以上也無妨。
前述高分子膜的30℃至500℃之間的熱收縮率較佳為±0.9%以下,更佳為±0.6%以下。熱收縮率係表示相對於溫度不可逆的伸縮的因子。
前述高分子膜的拉伸斷裂強度較佳為60MPa以上,更佳為80MP以上,再更佳為100MPa以上。拉伸斷裂強度的上限沒有特別的限制,但事實上是小於1000MPa左右。若前述拉伸斷裂強度為60MPa以上,便能夠防止前述高分子膜從無機基板剝離之際斷裂的情形。又,所謂的前述高分子膜的拉伸斷裂強度係指高分子膜的流動方向(MD方向)的拉伸斷裂強度及寬度方向(TD方向)的拉伸斷裂強度的平均值。
前述高分子膜的拉伸斷裂伸長率較佳為1%以上,更佳為5%以上,再更佳為10%以上。若前述拉伸斷裂伸長率為1%以上,則操作性優異。又,所謂的前述高分子膜的拉伸斷裂伸長率係指高分子膜的流動方向(MD方向)的拉伸斷裂伸長率及寬度方向(TD方向)的拉伸斷裂伸長率的平均值。
前述高分子膜的拉伸彈性模數較佳為2.5GPa以上,更佳為3GPa以上,再更佳為4GPa以上。若前述拉伸彈性模數為2.5GPa以上,則前述高分子膜從無機基板剝離之際的伸長變形少,操作性優異。前述拉伸彈性模數較佳為20GPa以下,更佳為15GPa以下,再更佳為12GPa以下。若前述拉伸彈性模數為20GPa以下,便能夠將前述高分子膜作為可撓性膜使用。又,所謂的前述高分子膜的拉伸彈性模數係指高分子膜的流動方向(MD方向)的拉伸彈性模數及寬度方向(TD方向)的拉伸彈性模數的平均值。
前述高分子膜的厚度不均較佳為20%以下,更佳為12%以下,再更佳為7%以下,特佳為4%以下。若厚度不均超過20%,則有變得很難適用於狹小部的傾向。又,膜的厚度不均,例如,能夠以接觸式的膜厚計,從被測定膜隨意挑出10點左右的位置測定膜厚,基於下述式求出。
膜的厚度不均(%)
=100×(最大膜厚-最小膜厚)÷平均膜厚
前述高分子膜,較佳為能以在其製造時被捲取成寬度為300mm以上、長度為10m以上的長條狀高分子膜的形態得到者,更佳為被捲取於捲取芯的卷狀高分子膜的形態者。若前述高分子膜被捲成卷狀,則在被捲成卷狀的高分子膜這樣的形態下的輸送變得容易。
在前述高分子膜中,為了確保處理性及生產性,較佳為高分子膜中添加.含有0.03~3質量%左右的粒徑為10~1000nm左右的滑劑(粒子),來對高分子膜表面賦予微細的凹凸以確保滑動性。
<保護膜(第1保護膜、第2保護膜)>
前述保護膜的構成沒有特別的限定,較佳為具有基材、及設置在前述基材上的黏著劑層。前述保護膜可以具有前述基材、及前述黏著劑層以外的其他層。但是,前述黏著劑層較佳為以與耐熱高分子膜接觸的態樣予以積層。由此,前述黏著劑層較佳為位於前述保護膜的最外面。
<基材>
前述基材係成為前述保護膜的強度母體的物質。
作為前述基材,沒有特別的限定,較佳為25℃下的拉伸彈性模數為0.01GPa以上,更佳為1GPa以上,再更佳為2GPa以上。若前述基材的25℃下的拉伸彈性模數為0.3GPa以上,便能夠適當地保護前述耐熱高分子膜的表面。此外,前述基材的25℃下的拉伸彈性模數,從能夠在將前述保護膜從前述耐熱高分子膜剝離之際使其撓曲的觀點來看,例如,能夠設為10GPa以下、5GPa以下等。
在本說明書中,25℃下的前述基材的拉伸彈性模數係指如下的值:將前述基材經切出100mm×10mm的短條狀者作為試驗片,使用拉伸試驗機(島津製作所製,Autograph(R),機種名AG-5000A),在拉伸速度50mm/分鐘、夾頭間距離40mm的條件下進行測定。
作為前述基材的材質,可舉出:聚乙烯、聚丙烯等的聚烯烴樹脂;尼龍6、尼龍66等的聚醯胺樹脂;聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸三亞甲酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚2,6-萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸三亞甲酯等的聚酯樹脂。這些樹脂,可以混合使用。前述聚酯樹脂,可以是將例如二乙二醇、新戊二醇、多伸烷基二醇等的二醇成分、己二酸、癸二酸、苯二甲酸、間苯二甲酸、2,6-萘二甲酸等的二羧酸成分等作為共聚合成分進行共聚合而成的聚酯樹脂。其中,從機械強度、耐藥品性、耐熱性這些點來看,較佳為聚酯樹脂。
前述聚酯樹脂當中,從物性和成本的均衡來看,最佳為聚對苯二甲酸乙二酯。
前述基材,較佳為被雙軸拉伸。若被雙軸拉伸,便能夠使耐藥品性、耐熱性、機械強度等提高。
前述基材可以是單層,也可以是複數層。
前述基材,能夠根據需要使前述樹脂中含有各種添加劑。作為前述添加劑,例如,可舉出:抗氧化劑、耐光劑、膠化劑、有機濕潤劑、紫外線吸收劑、界面活性劑等。
前述基材可以是透明的,也可以被著色。作為將前述基材著色的方法,沒有特別的限定,能夠使其含有顏料、染料以著色。例如,藉由混合氧化鈦等的白色顏料來作成白色膜,能夠使可視性提高,因此也是適當的。
前述基材,為了確保處理性及生產性,較佳為基材中添加.含有0.03~3質量%左右的粒徑為10~1000nm左右的滑劑(粒子),來對基材表面賦予微細的凹凸以確保滑動性。
前述基材的厚度,沒有特別的限定,例如,能夠在12~500μm的範圍內根據使用的規格而任意地決定。前述基材的厚度更佳為350μm以下。若前述基材的厚度為350μm以下,便能夠抑制生產性、處理性的降低。此外,前述基材的厚度更佳為在25μm~50μm的範圍內。若前述基材的厚度為25μm以上,便能夠減少前述基材的機械強度不足,能夠在剝離時防止斷裂。
前述基材,能夠藉由目前公知的製膜方法來製膜。作為前述製膜方法,例如,能夠例示:軋光製膜法、在有機溶媒中的流延法、密閉系統下的膨脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、乾式層合法等。
<黏著劑層>
前述黏著劑層,一般而言,與前述基材、前述耐熱高分子膜相比,係低彈性模數(例如,拉伸彈性模數係比基材、耐熱高分子膜低兩位數或兩位數以上)。
作為前述黏著劑層,能夠沒有特別限制地使用丙烯酸系、矽酮系、橡膠系、聚酯系、胺基甲酸酯系等公知者。在操作性的觀點上,較佳為丙烯酸系樹脂、矽酮系樹脂。
前述丙烯酸系樹脂可藉由將(甲基)丙烯酸烷酯等的單體進行聚合來得到。作為前述單體的具體例,可舉出:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等的(甲基)丙烯酸烷酯化合物。它們也能夠根據需要而將複數個進行共聚合。
前述黏著劑層通常是設置在前述基材的整面。但是,在本發明中,不限於這個例子,前述基材的表面中可以有未設置黏著劑層的地方存在。例如,前述基材的表面的寬度方向的兩端邊附近可以設為未設置黏著劑層的構成。
前述黏著劑層的厚度沒有特別的限定,通常只要為3~200μm即可,較佳為5~30μm。
前述黏著劑層,可藉由在前述基材上塗布黏著劑組成物而形成塗布膜後,使該塗布膜在既定條件下乾燥來得到。作為前述塗布方法,沒有特別的限定,例如,可舉出:輥塗敷、網版塗敷、凹版塗敷等。此外,作為乾燥條件,例如在乾燥溫度80~150℃、乾燥時間0.5~5分鐘的範圍內進行。也可以在隔離材上塗布黏著劑組成物而形成塗布膜後,使塗布膜在前述乾燥條件下乾燥而形成黏著劑層。之後,將前述黏著劑層與隔離材一起貼合於前述基材上。藉由以上方式,可得到保護膜。
<其他層>
前述保護膜可以具有前述基材、前述黏著劑層以外的層。例如,前述保護膜可以具有寡聚物阻擋層、抗靜電層等。在前述基材的與設有前述黏著劑層的面為相反側的面,可以具有剝離處理層。若具有前述剝離處理層,則例如能夠在貼合於前述耐熱高分子膜前,先將前述保護膜捲繞成卷狀。即,即使將前述保護膜捲繞成卷狀,前述黏著劑層也不會直接接觸前述基材的表面,而是與前述剝離處理層接觸,因此能夠防止前述黏著劑層貼附(轉印)於前述基材的背面。
作為前述剝離處理層,較佳為含有從矽酮樹脂及氟樹脂中所選出的一種以上作為主要成分。作為前述矽酮樹脂,能夠使用一般剝離處理劑所利用的矽酮樹脂,能夠從「矽酮材料手冊」(Toray Dow-Corning編著,1993.8)等記載的在該領域所一般使用的矽酮樹脂當中加以選擇來使用。一般而言,可使用熱硬化型或電離放射線硬化型的矽酮樹脂(所言包含樹脂及樹脂組成物)。作為熱硬化型矽酮樹脂,能夠使用例如縮合反應型及加成反應型的矽酮樹脂,作為電離放射線硬化型矽酮樹脂,能夠使用紫外線或者是電子線硬化型的矽酮樹脂等。能夠藉由將它們塗布在前述基材上,使其乾燥或硬化來形成前述剝離處理層。
第1保護膜和第2保護膜可以是相同的構成,也可以是彼此不同的構成。
在耐熱高分子膜12形成貫通孔13後,剝離第1保護膜14。又,在形成貫通孔之際未在耐熱高分子膜的第1面貼附第1保護膜的情況下,不需要此步驟。
<步驟B>
接著,如圖3所示,在形成了貫通孔13的耐熱高分子膜12的第1面12a貼附離型膜18。
<前述離型膜>
作為前述離型膜,能夠採用與在前述保護膜(前述第1保護膜、第2保護膜)的項目中說明過的構成相同的構成。前述離型膜的具體構成可以是與前述保護膜(前述第1保護膜、第2保護膜)相同的構成,也可以是不同的構成。
<步驟C>
接著,如圖4所示,從形成了貫通孔13的耐熱高分子膜12的第2面12b側,形成金屬層20在耐熱高分子膜12上、及貫通孔13內的離型膜18上。此時,當然也在貫通孔13內的內壁形成金屬層20。
作為金屬層20的形成方法,能夠使用目前公知的方法。例如,利用濺鍍、電解鍍敷來形成金屬層20在耐熱高分子膜12上、及貫通孔13內的離型膜18上。
作為構成金屬層20的金屬,沒有特別的限定,可舉出:銅、金、銀、鉑、鉛、錫、鎳、鈷、銦、銠、鉻、鎢、釕等的單獨金屬、或包含它們中的二種以上的合金等。
耐熱高分子膜12上的金屬層20的厚度沒有特別的限定,只要在20~20000nm的範圍內適宜設定即可。
耐熱高分子膜12上的金屬層20、和貫通孔13上(離型膜18上)的金屬層20可以成為同平面,也可以如圖4所示存在高低差。
藉由進行步驟C,可得到附有離型膜之電路基板前驅物30,其具備離型膜18、具有貫通孔13的耐熱高分子膜12、和金屬層20。
附有離型膜之電路基板前驅物30,其耐熱高分子膜12被設置在離型膜18上。此外,附有離型膜之電路基板前驅物30,其金屬層20被設置在耐熱高分子膜12上、及貫通孔13內的離型膜18上。
附有離型膜之電路基板前驅物30中,離型膜18容易剝離,因此能夠輕易地將耐熱高分子膜12從離型膜18剝離。此外,如後所述,將耐熱高分子膜12從離型膜18剝離,在貼附於無機基板40後才對耐熱高分子膜12上的金屬層20進行圖案化時,則在金屬層20和離型膜18接觸的狀態下受到熱歷程的情形少。其結果,能夠抑制金屬層20和離型膜18固著。
又,在本實施形態中,係針對整體耐熱高分子膜12被設置在離型膜18上的情況進行圖示、說明,但本發明不限於這個例子。在本發明中,「耐熱高分子膜被設置在離型膜上」包含使至少一部分的耐熱高分子膜被設置在離型膜上的情況。例如,在耐熱高分子膜與離型膜之間的一部分有其他層存在的情況,也被包含在「耐熱高分子膜被設置在離型膜上」內。
<步驟D>
在前述步驟C後,如圖5所示,將離型膜18從耐熱高分子膜12剝離。
作為將離型膜18從耐熱高分子膜12剝離的方法,沒有特別的限制,能夠採用:以鑷子等從端部掀起的方法;在使離型膜18的一邊貼附黏著膠帶後,從該膠帶部分掀起的方法;在將離型膜18的一邊進行真空吸附後,從該部分掀起的方法等。
<步驟E>
此外,在本實施形態的電路基板之製造方法中,在前述步驟A~步驟D之外,準備具有矽烷偶合劑層42的無機基板40。
<無機基板>
作為前述無機基板,只要是能夠作為無機物構成的基板來使用的板狀的基板即可,例如,可舉出:以玻璃板、陶瓷板、半導體晶圓、金屬等為主體的基板;及作為這些玻璃板、陶瓷板、半導體晶圓、金屬的複合體,可舉出:積層有它們的基板;分散有它們的基板;含有它們的纖維的基板等。
作為前述玻璃板,包含:石英玻璃、高矽酸玻璃(96%氧化矽)、鹼石灰玻璃、鉛玻璃、鋁硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃(PYREX(註冊商標))、硼矽酸玻璃(無鹼)、硼矽酸玻璃(Microsheet)、鋁矽酸鹽玻璃等。它們當中,理想的是線膨脹係數為5ppm/K以下者,若為市售品,則理想的是為液晶用玻璃的Corning公司製的「Corning(註冊商標)7059」、「Corning(註冊商標)1737」、「EAGLE」、旭硝子公司製的「AN100」、日本電氣硝子公司製的「OA10」、SCHOTT公司製的「AF32」等。
作為前述半導體晶圓,沒有特別的限定,可舉出:矽晶圓、鍺、矽-鍺、鎵-砷、鋁-鎵-銦、氮-磷-砷-銻、SiC、InP(銦磷)、InGaAs、GaInNAs、LT、LN、ZnO(氧化鋅)、CdTe(碲化鎘)、ZnSe(硒化鋅)等的晶圓。其中,可較佳地使用的晶圓為矽晶圓,特佳為尺寸為8吋以上的鏡面研磨矽晶圓。
作為前述金屬,包含:W、Mo、Pt、Fe、Ni、Au這樣的單一元素金屬;英高鎳(Inconel)、蒙乃爾(Monel)、鎳蒙克(Nimonic)、碳銅、Fe-Ni系恆範合金(Invar alloy)、超級恆範合金這樣的合金等。此外,也包含對這些金屬附加其他金屬層、陶瓷層而成的多層金屬板。在此情況下,若與附加層的整體線膨脹係數(CTE)低,則主金屬層也可以使用Cu、Al等。作為可用作附加金屬層的金屬,只要是使與高分子膜的緊貼性變牢固的金屬、具有不擴散、耐藥品性、耐熱性佳等的特性的金屬,便沒有限定,可舉出含有Cr、Ni、TiN、Mo的Cu等作為適當的例子。
前述無機基板的平面部分,理想的是充分平坦。具體而言,表面粗糙度的P-V值為50nm以下,更佳為20nm以下,再更佳為5nm以下。若比前述粗糙,便有高分子膜和無機基板的剝離強度變得不充分的情況。
前述無機基板的厚度沒有特別的限制,從操作性的觀點來看,較佳為10mm以下的厚度,更佳為3mm以下,再更佳為1.3mm以下。關於厚度的下限,沒有特別的限制,較佳為0.07mm以上,更佳為0.15mm以上,再更佳為0.3mm以上。
<矽烷偶合劑層>
前述矽烷偶合劑層,係物理性或化學性地介於無機基板與高分子膜之間,具有提高兩者間的接著力的作用。
前述矽烷偶合劑沒有特別的限定,較佳為包含具有胺基的偶合劑。作為矽烷偶合劑的較佳具體例,可舉出:N-2-(胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、乙烯基三氯矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-(乙烯基苄基)-2-胺乙基-3-胺丙基三甲氧基矽烷鹽酸鹽、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、雙(三乙氧基矽烷基丙基)四硫醚、3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷、異三聚氰酸參-(3-三甲氧基矽烷基丙基)酯、氯甲基苯乙基三甲氧基矽烷、氯甲基三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、胺基苯乙基三甲氧基矽烷、胺基苯基胺基甲基苯乙基三甲氧基矽烷等。
作為前述矽烷偶合劑,除了前述者外,也能夠使用:正丙基三甲氧基矽烷、丁基三氯矽烷、2-氰基乙基三乙氧基矽烷、環己基三氯矽烷、壬基三氯矽烷、二乙醯氧基二甲基矽烷、二乙氧基二甲基矽烷、二甲氧基二甲基矽烷、二甲氧基二苯基矽烷、二甲氧基甲基苯基矽烷、十二烷基三氯矽烷、十二烷基三甲氧基矽烷、乙基三氯矽烷、己基三甲氧基矽烷、十八烷基三乙氧基矽烷、十八烷基三甲氧基矽烷、正辛基三氯矽烷、正辛基三乙氧基矽烷、正辛基三甲氧基矽烷、三乙氧基乙基矽烷、三乙氧基甲基矽烷、三甲氧基甲基矽烷、三甲氧基苯基矽烷、戊基三乙氧基矽烷、戊基三氯矽烷、三乙醯氧基甲基矽烷、三氯己基矽烷、三氯甲基矽烷、三氯十八烷基矽烷、三氯丙基矽烷、三氯十四烷基矽烷、三甲氧基丙基矽烷、烯丙基三氯矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、三氯乙烯基矽烷、三乙氧基乙烯基矽烷、乙烯基參(2-甲氧基乙氧基)矽烷、三氯-2-氰基乙基矽烷、二乙氧基(3-環氧丙基氧基丙基)甲基矽烷、3-環氧丙基氧基丙基(二甲氧基)甲基矽烷、3-環氧丙基氧基丙基三甲氧基矽烷等。
前述矽烷偶合劑當中,特佳為一個分子中具有一個矽原子的矽烷偶合劑,例如,可舉出:N-2-(胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、胺基苯乙基三甲氧基矽烷、胺基苯基胺基甲基苯乙基三甲氧基矽烷等。尤其是在要求高耐熱性的情況下,理想的是將Si與胺基之間以芳香族基連結者。
在前述無機基板上,可以設置有前述矽烷偶合劑層以外的偶合劑層。
作為供形成前述偶合劑層用的偶合劑,除了前述者外,還能夠使用:1-巰基-2-丙醇、3-巰基丙酸甲酯、3-巰基-2-丁醇、3-巰基丙酸丁酯、3-(二甲氧基甲基矽烷基)-1-丙烷硫醇、4-(6-巰基己醯基)苄醇、11-胺基-1-十一碳烯硫醇、11-巰基十一烷基膦酸、11-巰基十一烷基三氟乙酸、2,2’-(伸乙二氧基)二乙烷硫醇、11-巰基十一烷基三(乙二醇)、(1-巰基十一烷-11-基)四(乙二醇)、1-(甲基羧基)十一烷-11-基)六(乙二醇)、羥基十一烷基二硫醚、羧基十一烷基二硫醚、羥基十六烷基二硫醚、羧基十六烷基二硫醚、肆(2-乙基己基氧基)鈦、二辛氧代雙(辛二醇酸)鈦、三丁氧基單乙醯丙酮鋯、單丁氧基乙醯丙酮鋯雙(乙醯乙酸乙酯)、三丁氧基單硬脂酸鋯、乙醯烷氧基二異丙醇鋁、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、2,3-丁烷二硫醇、1-丁烷硫醇、2-丁烷硫醇、環己烷硫醇、環戊烷硫醇、1-癸烷硫醇、1-十二烷硫醇、3-巰基丙酸-2-乙基己酯、3-巰基丙酸乙酯、1-庚烷硫醇、1-十六烷硫醇、己基硫醇、異戊基硫醇、異丁基硫醇、3-巰基丙酸、3-巰基丙酸-3-甲氧基丁酯、2-甲基-1-丁烷硫醇、1-十八烷硫醇、1-辛烷硫醇、1-十五烷硫醇、1-戊烷硫醇、1-丙烷硫醇、1-十四烷硫醇、1-十一烷硫醇、1-(12-巰基十二烷基)咪唑、1-(11-巰基十一烷基)咪唑、1-(10-巰基癸基)咪唑、1-(16-巰基十六烷基)咪唑、1-(17-巰基十七烷基)咪唑、1-(15-巰基)十二烷酸、1-(11-巰基)十一烷酸、1-(10-巰基)癸烷酸等。
作為矽烷偶合劑的塗布方法(矽烷偶合劑層的形成方法),能夠使用:將矽烷偶合劑溶液塗布於無機基板的方法、蒸鍍法等。
作為塗布矽烷偶合劑溶液的方法,能夠使用以醇等的溶媒稀釋了矽烷偶合劑的溶液,適宜使用旋轉塗布法、簾塗布法、浸漬塗布法、縫模塗布法、凹版塗布法、棒塗布法、缺角輪塗布法、施塗機法、網版印刷法、噴灑塗布法等的目前公知的溶液的塗布手段。
作為藉由蒸鍍法形成矽烷偶合劑層的方法,可舉出:將前述無機基板曝露於矽烷偶合劑的蒸氣,即實質上呈氣體狀態的矽烷偶合劑來形成的方法。矽烷偶合劑的蒸氣,能夠藉由將液體狀態的矽烷偶合劑於40℃~矽烷偶合劑的沸點左右為止的溫度進行加溫來得到。矽烷偶合劑的沸點係依化學結構而不同,大約是在100~250℃的範圍內。
加溫矽烷偶合劑的環境,可以是加壓下、常壓下、減壓下中的任一者,在促進矽烷偶合劑的氣化的情況下較佳為常壓下或減壓下。由於許多矽烷偶合劑為可燃性液體,因此以在密閉容器內(較佳為在將容器內以惰性氣體置換後)進行氣化作業為較佳。
將前述無機基板曝露於矽烷偶合劑的時間沒有特別的限制,較佳為20小時以內,更佳為60分鐘以內,再更佳為15分鐘以內,最佳為1分鐘以內。
將前述無機基板曝露於矽烷偶合劑的期間的前述無機基板的溫度,較佳為依矽烷偶合劑的種類、和所要求的矽烷偶合劑層的厚度而控制在-50℃至200℃之間的合理溫度。
作為矽烷偶合劑層42的膜厚,沒有特別的限定,只要是能夠覆蓋無機基板的整個表面的程度即可。
<步驟F>
在前述步驟D後,如圖6所示,在耐熱高分子膜12的剝離了離型膜18後的第1面12a,以矽烷偶合劑層42為貼合面,貼附無機基板40。具體而言,將耐熱高分子膜12的第1面12a、和無機基板40加壓加熱以進行貼合。無機基板40係使用在步驟E所準備者。
加壓加熱處理,例如,只要在大氣壓氣體環境下或者真空中一邊加熱一邊進行壓製(press)、層合、輥層合等即可。此外,也能夠應用在放入可撓性袋子的狀態下進行加壓加熱的方法。從生產性提高、拜高生產性所賜的低加工成本化的觀點來看,較佳為在大氣氣體環境下的壓製或輥層合,特佳為使用輥進行的方法(輥層合等)。
作為加壓加熱處理之際的壓力,較佳為1MPa~20MPa,更佳為3MPa~10MPa。若為20MPa以下,便能夠抑制使無機基板破損的情形。此外,若為1MPa以上,便能夠防止:產生不緊貼的部分、接著變得不充分。作為加壓加熱處理之際的溫度,較佳為150℃~400℃,更佳為250℃~350℃。
此外,加壓加熱處理,如上所述也能夠在大氣壓氣體環境中進行,但為了得到整面穩定的剝離強度,較佳為在真空下進行。此時,真空度係利用通常的油旋轉泵所得到的真空度便足夠,只要為10Torr以下左右便足夠。
作為能夠用於加壓加熱處理的裝置,就進行在真空中的壓製而言,能夠使用例如井元製作所製的「11FD」等,而就進行在真空中的輥式的膜層合機、或者是在成為真空後利用薄橡膠膜對整面玻璃施加壓力一次的膜層合機等的真空層合而言,能夠使用例如名機製作所製的「MVLP」等。
前述加壓加熱處理可以分為加壓製程和加熱製程來進行。在此情況下,首先,以相對低的溫度(例如小於120℃,更佳為95℃以下的溫度)將高分子膜和無機基板加壓(較佳為0.2~50MPa左右)以確保兩者緊貼,之後,在低壓(較佳為小於0.2MPa,更佳為0.1MPa以下)或者常壓下以相對高的溫度(例如120℃以上,更佳為120~250℃,再更佳為150~230℃)加熱,從而促進緊貼界面的化學反應,能夠將高分子膜和無機基板積層。
藉由進行以上的步驟F,可得到附有無機基板之電路基板前驅物50,其具備無機基板40、矽烷偶合劑層42、具有貫通孔13的耐熱高分子膜12、和金屬層20。
附有無機基板之電路基板前驅物50,其矽烷偶合劑層42被設置在無機基板40上。此外,附有無機基板之電路基板前驅物50,其耐熱高分子膜12被設置在矽烷偶合劑層42上。此外,附有無機基板之電路基板前驅物50,其金屬層20被設置在耐熱高分子膜12上、及貫通孔13內的矽烷偶合劑層42上。
附有無機基板之電路基板前驅物50中,貫通孔13內的金屬層20係僅以適度的緊貼力貼附在矽烷偶合劑層42,即使之後受到熱歷程也不會牢固地固著在無機基板40。此外,矽烷偶合劑層42和耐熱高分子膜12係僅以適度的緊貼力貼附,即使之後受到熱歷程也不會牢固地固著在無機基板40。由此,在後述的將金屬層20進行圖案化的步驟G後,能夠藉由撕下等,來輕易地將附有矽烷偶合劑層42的無機基板40從耐熱高分子膜12剝離。即,能夠以矽烷偶合劑層42和耐熱高分子膜12為界面,輕易地將無機基板40從耐熱高分子膜12剝離。能夠藉由撕下等,來將無機基板40從耐熱高分子膜12剝離,因此不可能發生:經圖案化的金屬層20有剝離無機基板40用的剝離用藥液附著、被照射到電漿等。其結果,可以實現:以盡量不會對形成在無機基板40上的電路基板(經圖案化的金屬層)造成損傷的方式,將電路基板從無機基板剝離。
<步驟G>
在前述步驟F後,如圖7所示,將金屬層20進行圖案化。將金屬層20進行圖案化的方法沒有特別的限定,能夠使用目前公知的技術。例如,能夠藉由利用目前公知的蝕刻技術將金屬層20蝕刻出既定的圖案(配線圖案),來得到經圖案化的金屬層20(也稱為配線層21)。
之後,可以根據需要而在配線層21上形成第2配線層等。以下,針對形成第2配線層的情況進行說明。
<步驟G-1>
在前述步驟G後,如圖8所示,在整面配線層21上塗布接著劑並使其硬化,形成接著劑層44(步驟G-1)。作為前述接著劑,能夠採用目前公知的接著劑(例如,含有熱硬化性樹脂的接著劑、含有紫外線硬化性樹脂的接著劑等)。前述接著劑較佳為以硬化後成為絕緣性的接著劑層的材料形成。
<步驟G-2>
在前述步驟G-1後,如圖9所示,在接著劑層44上貼附第2耐熱高分子膜46。藉由在貼附之際進行加熱加壓,能夠使接著劑層44的表面變得更平坦。
又,前述步驟G-1及前述步驟G-2的順序沒有特別的限定。例如,可以在塗布接著劑在整面配線層21上並使其硬化之前,貼附第2耐熱高分子膜46,之後,使接著劑層硬化。
作為第2耐熱高分子膜46,能夠採用與在耐熱高分子膜的項目中說明過的構成相同的構成。耐熱高分子膜12和第2耐熱高分子膜46可以是相同的構成,也可以是彼此不同的構成。
<步驟G-3>
在前述步驟G-2後,形成連通第2耐熱高分子膜46及接著劑層44的貫通孔,對前述貫通孔的內壁施加鍍敷而形成貫穿孔48。另外,在第2耐熱高分子膜46上形成第2配線層49。藉此,可得到配線層21和第2配線層49經連接而成的配線層為二層的電路(參照圖10)。前述貫通孔的形成、貫穿孔48的形成、配線層49的形成,能夠採用目前公知的技術。
又,可以進一步地重複同樣的步驟,在第2配線層49上進一步地形成其他配線層,作成多層的電路(參照圖10)。
此外,能以進一步與最上部的配線層連接的方式來積層半導體晶片(未圖示)。
又,可以根據需要而採用感光性的膜作為第2耐熱高分子膜46,並進行曝光、顯影以將第2耐熱高分子膜46進行圖案化。
<步驟H>
在前述步驟G後,進一步根據需要而進行前述步驟G-1~前述步驟G-3後,將無機基板40從耐熱高分子膜12剝離(參照圖11)。藉由以上步驟,可得到電路基板60。
作為將無機基板40從耐熱高分子膜12剝離的方法,沒有特別的限制,能夠使用如下的既有方法:利用會穿透無機基板而在耐熱高分子膜12則吸收的波長的雷射光,使雷射能量集中在無機基板40和耐熱高分子膜12的界面,從而使其剝離的雷射浮離;使其沿著曲率半徑大的圓弧剝下的機械浮離等。
更簡便地,也可以是以鑷子等從端部掀起的方法等。
若根據本實施形態的電路基板之製造方法,則在步驟C中,形成金屬層20在貫通孔13內的離型膜18上。由於離型膜18容易剝離,因此形成金屬層20後,也能夠輕易地將耐熱高分子膜12從離型膜18剝離。此外,形成金屬層20後,係將耐熱高分子膜12從離型膜18剝離,圖案化係在貼附於無機基板40上後進行。因此,在金屬層20和離型膜18接觸的狀態下受到熱歷程的情形少。其結果,能夠抑制金屬層20和離型膜18固著。
此外,在步驟F中,以矽烷偶合劑層42為貼合面,將從離型膜18剝離的附有金屬層20的耐熱高分子膜12貼附在無機基板40。一旦從離型膜18剝離的金屬層20(從貫通孔13露出的金屬層20)係僅以適度的緊貼力貼附在矽烷偶合劑層42,即使之後受到熱歷程也不會牢固地固著在無機基板40。此外,矽烷偶合劑層42和耐熱高分子膜12係僅以適度的緊貼力貼附,即使之後受到熱歷程也不會牢固地固著在無機基板40。由此,在將金屬層20進行圖案化的步驟G後,能夠藉由撕下等,來輕易地將附有矽烷偶合劑層42的無機基板40從耐熱高分子膜12剝離。即,能夠以矽烷偶合劑層42和耐熱高分子膜12為界面,輕易地將無機基板40從耐熱高分子膜12剝離。由於能夠藉由撕下等,來將無機基板40從耐熱高分子膜12剝離,因此不可能發生:經圖案化的金屬層20(配線層21)有剝離無機基板用的剝離用藥液附著、被照射到電漿等。其結果,可以實現:以盡量不會對形成在無機基板40上的電路基板60(經圖案化的金屬層20等)造成損傷的方式,將電路基板60從無機基板40剝離。
以上,針對本發明的實施形態進行了說明,但本發明不限於上述的例子,可以在滿足本發明的構成的範圍內,進行適宜設計變更。
10:附有兩面保護膜的耐熱高分子膜
12:耐熱高分子膜
12a:第1面
12b:第2面
13:貫通孔
14:第1保護膜
16:第2保護膜
18:離型膜
20:金屬層
21:配線層(經圖案化的金屬層)
30:附有離型膜之電路基板前驅物
40:無機基板
42:矽烷偶合劑層
44:接著劑層
46:第2耐熱高分子膜
48:貫穿孔
49:第2配線層
50:附有無機基板之電路基板前驅物
52:第2配線層
60:電路基板
圖1係供說明本實施形態的電路基板之製造方法用的剖面示意圖。
圖2係供說明本實施形態的電路基板之製造方法用的剖面示意圖。
圖3係供說明本實施形態的電路基板之製造方法用的剖面示意圖。
圖4係供說明本實施形態的電路基板之製造方法用的剖面示意圖。
圖5係供說明本實施形態的電路基板之製造方法用的剖面示意圖。
圖6係供說明本實施形態的電路基板之製造方法用的剖面示意圖。
圖7係供說明本實施形態的電路基板之製造方法用的剖面示意圖。
圖8係供說明本實施形態的電路基板之製造方法用的剖面示意圖。
圖9係供說明本實施形態的電路基板之製造方法用的剖面示意圖。
圖10係供說明本實施形態的電路基板之製造方法用的剖面示意圖。
圖11係供說明本實施形態的電路基板之製造方法用的剖面示意圖。
12:耐熱高分子膜
21:配線層(經圖案化的金屬層)
40:無機基板
42:矽烷偶合劑層
44:接著劑層
46:第2耐熱高分子膜
48:貫穿孔
49:第2配線層
60:電路基板
Claims (5)
- 一種電路基板之製造方法,其特徵為包含: 步驟A,係在耐熱高分子膜形成貫通孔; 步驟B,係在形成了貫通孔的該耐熱高分子膜的第1面貼附離型膜; 步驟C,係從形成了貫通孔的該耐熱高分子膜的第2面側,形成金屬層在該耐熱高分子膜上、及該貫通孔內的該離型膜上; 步驟D,係在該步驟C後,將該離型膜從該耐熱高分子膜剝離; 步驟E,係準備具有矽烷偶合劑層的無機基板; 步驟F,係在該步驟D後,在該耐熱高分子膜的剝離了該離型膜後的該第1面,以該矽烷偶合劑層為貼合面,貼附該無機基板; 步驟G,係在該步驟F後,將該金屬層進行圖案化;及 步驟H,係在該步驟G後,將該無機基板從該耐熱高分子膜剝離。
- 如請求項1的電路基板之製造方法,其中該耐熱高分子膜為聚醯亞胺薄膜。
- 如請求項1或2的電路基板之製造方法,其中該無機基板為玻璃板、陶瓷板、半導體晶圓、或積層它們中的二種以上的複合體。
- 一種附有離型膜之電路基板前驅物,其特徵為具備: 離型膜、 具有貫通孔的耐熱高分子膜、和 金屬層, 該耐熱高分子膜係設置在該離型膜上, 該金屬層係設置在該耐熱高分子膜上、及該貫通孔內的該離型膜上。
- 一種附有無機基板之電路基板前驅物,其特徵為具備: 無機基板、 矽烷偶合劑層、 具有貫通孔的耐熱高分子膜、和 金屬層, 該矽烷偶合劑層係設置在該無機基板上, 該耐熱高分子膜係設置在該矽烷偶合劑層上, 該金屬層係設置在該耐熱高分子膜上、及該貫通孔內的該矽烷偶合劑層上。
Applications Claiming Priority (2)
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JP2021114796 | 2021-07-12 | ||
JP2021-114796 | 2021-07-12 |
Publications (1)
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