CN117607142A - 缺陷检查装置 - Google Patents
缺陷检查装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117607142A CN117607142A CN202311057987.6A CN202311057987A CN117607142A CN 117607142 A CN117607142 A CN 117607142A CN 202311057987 A CN202311057987 A CN 202311057987A CN 117607142 A CN117607142 A CN 117607142A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- defect
- height
- inspection apparatus
- inspection
- optical module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 253
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 151
- 238000012552 review Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 55
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 argon ion Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0608—Height gauges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95684—Patterns showing highly reflecting parts, e.g. metallic elements
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/50—Depth or shape recovery
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8809—Adjustment for highlighting flaws
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8835—Adjustable illumination, e.g. software adjustable screen
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
- G01N2021/8874—Taking dimensions of defect into account
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/10—Scanning
- G01N2201/104—Mechano-optical scan, i.e. object and beam moving
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/10—Scanning
- G01N2201/108—Miscellaneous
- G01N2201/1087—Focussed scan beam, e.g. laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
根据一个或多个实施例的缺陷检查装置包括:检查装置,用于通过对对象进行线扫描来检测缺陷,并且用于生成缺陷的复检图像数据;高度测量器,用于获得缺陷的参考高度和缺陷的高度,并且用于生成缺陷的高度数据;以及缺陷分类器,用于基于复检图像数据和高度数据对缺陷进行分类。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年8月22日向韩国知识产权局提交的第10-2022-0105041号韩国专利申请的优先权和权益,该申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及缺陷检查装置和用于检查缺陷的方法。
背景技术
自动光学检查(AOI)是一种借助于利用计算机的图像处理来光学地捕获对象的外观并确定或预测对象是否有缺陷的检查方法或检查装置。诸如半导体封装件、显示面板和印刷电路板(PCB)的电子部件或电子器件通过微细加工来制造,因此其视觉检查可能是困难的。自动光学检查(AOI)是通过应用图像处理技术而进行的外部检查工作的机械自动化。
可以通过自动光学检查(AOI)来检查诸如对象裂纹、大小、孔或通孔大小、导体节距、布线尺寸、器件位置、平坦化、焊接不良、异物、奇异点等的各种缺陷。
在通过自动光学检查(AOI)进行缺陷检查之后,可以通过利用复检图像的自动缺陷分类(ADC)来对缺陷的存在或不存在、缺陷的类型、缺陷的程度等进行分类。然而,可能难以通过自动光学检查(AOI)和自动缺陷分类(ADC)根据缺陷的高度来区分缺陷。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解,因此其可能包含不形成本领域普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
实施例提供了可以通过获得并添加缺陷的高度数据而无需额外的处理步骤来确保缺陷分类一致性的缺陷检查装置和用于检查缺陷的方法。
根据一个或多个实施例的缺陷检查装置包括:检查装置,用于通过对对象进行线扫描来检测缺陷,并且用于生成缺陷的复检图像数据;高度测量器,用于获得缺陷的参考高度和缺陷的高度,并且用于生成缺陷的高度数据;以及缺陷分类器,用于基于复检图像数据和高度数据对缺陷进行分类。
高度测量器可以被配置为通过利用光学三角测量方法的自动聚焦方法来测量参考高度,并且可以被配置为通过对比度检测自动聚焦方法来测量缺陷的高度。
高度测量器可以被配置为当检查装置对对象进行线扫描时测量参考高度。
高度测量器可以被配置为当检查装置对缺陷进行成像时测量缺陷的高度。
检查装置可以被配置为使用区域扫描相机来对缺陷进行成像,并且高度测量器可以被配置为使用该区域扫描相机来检测缺陷的对比度。
检查装置可以包括用于在沿扫描方向移动的同时执行线扫描的检查光学模块,高度测量器可以包括用于测量参考高度的测量光学模块,并且测量光学模块可以被配置为与检查光学模块一起沿扫描方向移动。
测量光学模块可以包括激光自动聚焦模块。
缺陷检查装置可以进一步包括用于支撑对象的载物台以及被配备有检查光学模块和测量光学模块的门架。
检查装置可以构成自动光学检查系统,并且缺陷分类器可以构成自动缺陷分类系统。
复检图像数据可以包括2D图像数据。
根据一个或多个实施例的用于检查缺陷的方法包括:通过对对象进行线扫描来检测缺陷;测量缺陷的参考高度;通过对缺陷进行成像来生成复检图像数据;测量缺陷的高度;生成缺陷相对于参考高度的高度数据;以及基于复检图像数据和高度数据对缺陷进行分类。
测量缺陷的参考高度可以包括利用光学三角测量方法的自动聚焦方法,并且测量缺陷的高度可以包括对比度检测自动聚焦方法。
测量参考高度可以在对对象进行线扫描期间。
测量缺陷的高度可以在对缺陷进行成像期间执行。
该方法可以进一步包括使用区域扫描相机检测缺陷的对比度,并且对缺陷成像可以包括使用该区域扫描相机。
对对象进行线扫描可以在沿扫描方向移动检查光学模块的同时执行,并且测量缺陷的参考高度可以由与检查光学模块一起沿扫描方向移动的测量光学模块来执行。
测量缺陷的参考高度可以由激光自动聚焦模块执行。
检测缺陷可以由自动光学检查系统执行,并且对缺陷进行分类可以由自动缺陷分类系统执行。
复检图像数据可以包括2D图像数据。
根据实施例,可以提供可以通过添加缺陷的高度数据来确保缺陷分类一致性的缺陷检查装置和用于检查缺陷的方法。缺陷的高度数据可以在无需额外的处理的情况下获得,并且随着缺陷分类准确性的提高,可以减少不必要的修复过程,且可以提高处理效率。
此外,除非另外陈述,否则实施例可以提供在整个说明书中可以认识到的效果。
附图说明
图1是示意性地示出根据一个或多个实施例的缺陷检查系统的框图。
图2是示意性地示出根据一个或多个实施例的缺陷检查装置的透视图。
图3是示意性地示出根据一个或多个实施例的缺陷检查装置的框图。
图4是示出根据一个或多个实施例的用于检查缺陷的方法的流程图。
图5是示出根据一个或多个实施例的缺陷高度测量方法的示意图。
图6是示出当仅采用缺陷的平面图像对缺陷进行分类时发生的问题的示意图。
图7是示意性地示出根据一个或多个实施例的显示面板的截面图。
具体实施方式
通过参考实施例的详细描述和附图,可以更容易地理解本公开的一些实施例的方面及其实现方法。在下文中,将参考附图更详细地描述实施例。然而,所描述的实施例可以具有各种修改且可以以不同的形式体现,并且不应被解释为仅限于在本文中例示的实施例。相反,提供这些实施例作为示例以使本公开透彻且完整,并充分地向本领域技术人员传达本公开的方面,并且应当理解,本公开覆盖了在本公开的构思和技术范围内的所有修改、等同和替换。相应地,可以不描述对于本领域普通技术人员完全理解本公开的方面而言不必要的过程、元件和技术。
除非另外指出,否则在整个附图和书面描述中,相同的附图标记、字符或其组合表示相同的元件,并且因此将不重复其描述。进一步地,为使描述清楚,可能不示出与实施例的描述无关或不相关的部件。
在附图中,为了清楚起见,元件、层和区域的相对尺寸可能被夸大。此外,在附图中提供交叉影线和/或阴影通常是为了使相邻元件之间的边界清晰。因此,除非另外指明,否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对特定材料、材料性质、大小、比例、所例示的元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
在本文中参考是实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图示来描述各种实施例。因此,将预期到由于例如制造技术和/或公差而导致的图示形状的变化。进一步地,本文中公开的具体结构性或功能性描述仅仅是例示性的,目的在于描述根据本公开构思的实施例。因此,本文中公开的实施例不应被解释为限于区域的图示的形状,而是包括由于例如制造而导致的形状偏差。
例如,图示为矩形的注入区域通常具有倒圆的或弯曲的特征,和/或在其边缘处具有注入浓度梯度,而不是从注入区域到非注入区域的二元改变。同样,通过注入形成的掩埋区域可以导致在掩埋区域与通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。
因此,附图中图示的区域本质上是示意性的,并且它们的形状并非旨在图示装置的区域的实际形状,而且并非旨在限制。此外,如本领域技术人员将认识到的,可以以各种方式修改所描述的实施例,所有这些都不脱离本公开的精神或范围。
在详细描述中,出于解释的目的,阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的透彻理解。然而,显而易见的是,可以在不采用这些具体细节的情况下或者采用一个或多个等同布置来实践各种实施例。在其他情况下,以框图形式示出公知的结构和装置以避免不必要地模糊各种实施例。
为了便于解释,在本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“下侧”、“之下”、“上方”、“上”和“上侧”等的空间相对术语来描述图中所图示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。应当理解,空间相对术语旨在涵盖除了图中所描绘的定向之外装置在使用中或操作中的不同定向。例如,如果图中的装置被翻转,则被描述为在其他元件或特征“下方”、“下面”或“之下”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此,示例术语“下方”和“之下”可以涵盖上方和下方两种定向。装置可以以其他方式(例如,旋转90度或以其他定向)被定向,并且本文中使用的空间相对描述语应被相应地解释。类似地,当第一部件被描述为布置在第二部件“上”时,这指示第一部件布置在第二部件的上侧或下侧,而不限于第二部件的基于重力方向的上侧。
进一步地,短语“在平面图中”意指当从上方观察对象部分时,并且短语“在示意性截面图中”意指当从侧面观察通过垂直切割对象部分所截取的示意性截面时。术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方或侧面,反之亦然。此外,术语“重叠”可以包括层叠或堆叠、面对、在……之上延伸、覆盖或部分覆盖或者本领域普通技术人员应当知晓和理解的任何其他合适的术语。表述“不重叠”可以包括意指诸如“隔开”或“位于……的旁边”或“偏离”以及本领域普通技术人员应当知晓和理解的任何其他合适的等同表述。术语“面对”可以意指第一对象可以直接或间接地与第二对象相对。在其中第三对象居于第一对象与第二对象之间的情况下,第一对象和第二对象可以被理解为彼此间接相对,尽管仍然彼此面对。
应当理解,当元件、层、区域或部件被称为“形成在”或“在”另一元件、层、区域或部件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件、层、区域或部件时,它可以直接形成在、直接在该另一元件、层、区域或部件上、直接连接到或耦接到该另一元件、层、区域或部件,或者间接形成在、间接在该另一元件、层、区域或部件上、间接连接到或耦接到该另一元件、层、区域或部件,使得可以存在一个或多个居间的元件、层、区域或部件。此外,这可以笼统地意指直接或间接耦接或连接以及一体或非一体耦接或连接。例如,当层、区域或部件被称为“电连接”或“电耦接”到另一层、区域或部件时,它可以直接电连接或耦接到该另一层、区域或部件,或者可以存在居间的层、区域或部件。然而,“直接连接/直接耦接”或“直接在……上”是指一个部件直接连接或耦接到另一部件或直接在另一部件上,而没有居间部件。此外,在本说明书中,当层、膜、区域或板等的一部分形成在另一部分上时,形成方向不限于上方向,而是包括在侧表面上或在下方向上形成该部分。相反,当层、膜、区域或板等的一部分形成在另一部分“之下”时,这不仅包括该部分“直接在”该另一部分“下面”的情况,而且还包括在该部分与该另一部分之间存在又一部分的情况。同时,描述部件之间的关系的其他表述,诸如“在……之间”和“直接在……之间”或者“相邻”和“直接相邻”可以被类似地解释。此外,还应当理解,当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时,它可以是这两个元件或层之间的唯一元件或层,或者也可以存在一个或多个居间的元件或层。
为了本公开的目的,当在元件列表之后时,诸如“……中的至少一个”或“……中的任何一个”的表述修饰整个元件列表,而不修饰列表中的个别元件。例如,“X、Y和Z中的至少一个”、“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”以及“选自由X、Y或Z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合(诸如,例如,XYZ、XYY、YZ和ZZ)或者其任意变形。类似地,诸如“A和B中的至少一个”的表述可以包括A、B或者A和B。如本文中所使用的,“或”通常意指“和/或”,并且术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。例如,诸如“A和/或B”的表述可以包括A、B或者A和B。类似地,诸如“……中的至少一个”、“多个”、“……中的一个”和其他介词短语的表述在元件列表之后/之前时修饰整个元件列表,而不修饰列表中的个别元件。
应当理解,尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分,但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此,下面描述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分,而不脱离本公开的精神和范围。将元件描述为“第一”元件可能不需要或不暗示存在第二元件或其他元件。术语“第一”、“第二”等也可以在本文中用于区分元件的不同类别或组。为简明起见,术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类别(或第一组)”、“第二类别(或第二组)”等。
在示例中,X轴(对应于第一方向X)、Y轴(对应于第二方向Y)和/或Z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以以更宽泛的意义进行解释。例如,X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
本文中使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的,而不旨在限制本公开。如本文中所使用的,单数形式“一”旨在也包括复数形式,除非上下文另外明确指示。应当进一步理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”、“具有”和“包含”指明所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在,但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
当一个或多个实施例可以不同地实现时,特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如,两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
如本文中所使用的,术语“基本上”、“大约”、“近似”和类似术语用作近似的术语而不是程度的术语,并且旨在考虑本领域普通技术人员会认识到的测量的或计算的值的固有偏差。考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即测量系统的限制),本文中所使用的“大约”或“近似”包括所述的值,并且意指在本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如,“大约”可以意指在一个或多个标准偏差内,或者在所述的值的±30%、±20%、±10%、±5%内。进一步地,当描述本公开的实施例时,“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施例”。
根据本文中所描述的本公开的实施例的电子或电气装置和/或任何其他相关装置或组件可以利用用以处理数据或数字信号的任何合适的硬件、固件(例如,专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如,这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在分立的IC芯片上。进一步地,这些装置的各种组件可以实现在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)或印刷电路板(PCB)上,或者形成在一个基板上。电路硬件可以包括例如专用集成电路(ASIC)、被配置为执行存储在非暂时性存储介质中的指令的通用或专用中央处理单元(CPU)、数字信号处理器(DSP)、图形处理单元(GPU)以及诸如现场可编程门阵列(FPGA)的可编程逻辑器件。
进一步地,这些装置的各种组件可以是在一个或多个计算装置中的一个或多个处理器上运行的进程或线程,其执行计算机程序指令并与其他系统组件交互以用于执行本文中所描述的各种功能。计算机程序指令存储在可以使用诸如例如随机存取存储器(RAM)的标准存储器装置在计算装置中实现的存储器中。计算机程序指令也可以存储在诸如例如CD-ROM或闪存驱动等的其他非暂时性计算机可读介质中。此外,本领域技术人员应当认识到,各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中,或者特定计算装置的功能可以跨一个或多个其他计算装置分布,而不脱离本公开的实施例的精神和范围。
在附图中关于功能块、单元和/或模块描述了一些实施例。本领域技术人员应当理解,这样的块、单元和/或模块由逻辑电路、分立组件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、线路连接和其他电子电路物理地实现。这可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术来形成。由微处理器或其他类似硬件实现的块、单元和/或模块可以使用软件来编程和控制以执行本文中所讨论的各种功能,可选地可以由固件和/或软件进行驱动。此外,每个块、单元和/或模块可以由专用硬件或者执行一些功能的专用硬件及执行与专用硬件的功能不同的功能的处理器(例如,一个或多个编程的微处理器和相关电路)的组合来实现。此外,在一些实施例中,块、单元和/或模块可以物理地分离为两个或更多个交互的分立块、单元和/或模块,而不脱离本公开的范围。此外,在一些实施例中,块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块,而不脱离本公开的范围。
除非另外定义,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。应当进一步理解,诸如那些在常用词典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的背景中的含义相一致的含义,并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释,除非本文中明确地如此定义。
图1是示意性地示出根据一个或多个实施例的缺陷检查系统的框图。
参照图1,缺陷检查系统10可以是检查对象中存在或不存在缺陷并且对检测到的缺陷进行分类的系统。例如,缺陷检查系统10可以是通过检查包括在对象中的元件、布线、层等中是否存在缺陷来区分良品对象和不良对象的系统。此外,缺陷检查系统10可以是可以区分存在或不存在缺陷以及缺陷的类型和程度等的系统。例如,对象可以是显示图像的显示面板,或者是在显示面板的制造工艺期间在其上形成晶体管、电容器、布线、绝缘层等的基板。对象可以是各种电子组件,诸如印刷电路板(PCB)、半导体器件和半导体封装件。除了工艺缺陷和器件缺陷之外,缺陷还可以包括对象上的污点、灰尘、异物和污染物。
缺陷检查系统10可以包括装载器100、缺陷检查装置200、缓冲装置300和卸载器400等。
装载器100可以从对象容纳于其中的卡盒装载待检查的对象,并且可以将该对象提供给缺陷检查装置200。
缺陷检查装置200可以对从装载器100提供的对象执行缺陷检查处理。缺陷检查装置200可以检查所装载的对象,可以根据缺陷确定方法来确定对象是否有缺陷,并且可以输出对象的缺陷检查结果。缺陷检查处理例如可以包括对对象进行扫描,以检测缺陷并确定缺陷的类型。
缓冲装置300位于缺陷检查装置200与卸载器400之间,并且可以临时容纳已经检查过缺陷的对象。
卸载器400根据由缺陷检查装置200输出的缺陷检查结果对已经完成缺陷检查的对象进行分类,并将该对象卸载到后续处理装置或检查装置。
缺陷检查系统10可以进一步包括用于在装置之间传送对象的机械装置,诸如机械臂和传送带。
图2是示意性地示出根据一个或多个实施例的缺陷检查装置的透视图。
参照图2,缺陷检查装置200可以包括基架BF、载物台ST、载物台移动器(例如,载物台移动单元)SM、检查光学模块CM、测量光学模块LM和门架GT等。
其上放置用于缺陷检查的对象OB的载物台ST可以位于基架BF上。载物台ST可以由载物台移动器SM固定。载物台移动器SM可以安装在基架BF上,并且载物台ST可以由载物台移动器SM移动。载物台移动器SM可以在范围(例如,预定范围)内移动载物台ST。例如,载物台移动器SM可以沿着第一方向X移动载物台ST。载物台移动器SM可以省略,并且可以进一步包括用于沿着第一方向X移动门架GT的移动器/移动单元。
检查光学模块CM和测量光学模块LM可以隔开地设置在载物台ST上方。
检查光学模块CM可以对对象OB进行扫描以检测其任何缺陷。例如,检查光学模块CM可以沿着第二方向Y对对象OB进行线扫描。检查光学模块CM可以通过对对象OB进行线扫描来生成检查图像。检查光学模块CM可以通过对对象OB的缺陷区域进行成像来生成复检图像。缺陷检查装置200可以经由通过使用检查光学模块CM检测缺陷的对比度而获得自动聚焦,并且可以基于所获得的自动聚焦来测量缺陷的高度。为了进行线扫描、为了进行缺陷区域成像以及为了进行对比度检测等,检查光学模块CM可以包括光源和传感器。从光源发射的光可以照射到对象OB的扫描区域,并且传感器可以检测由对象OB反射或散射的光。检查光学模块CM可以包括线扫描相机、区域扫描相机等作为传感器。
测量光学模块LM可以通过使用利用光学三角测量方法的自动聚焦方法来测量对象OB中的缺陷的参考高度。参考高度可以是与对象OB的缺陷相邻的区域的Z轴高度。为了使用光学三角测量方法获得自动聚焦,测量光学模块LM可以包括光源和传感器。例如,测量光学模块LM可以是激光自动聚焦模块。测量光学模块LM可以与检查光学模块CM一起沿着第二方向Y移动。
检查光学模块CM和测量光学模块LM可以安装在门架GT上,并且可以与载物台ST间隔开距离(例如,预定距离)。门架GT可以包括在水平方向上延伸的水平支撑件(例如,水平支撑单元)HS和在垂直方向上延伸的垂直支撑件(例如,垂直支撑单元)VS。水平支撑件HS的延伸方向可以与第二方向Y基本上相同,第二方向Y是检查光学模块CM的扫描方向。水平支撑件HS可以通过安装检查光学模块CM来提供对对象OB进行扫描的路径。检查光学模块CM和测量光学模块LM可以沿着第二方向Y移动,第二方向Y通常是水平支撑件HS的延伸方向。检查光学模块CM和测量光学模块LM可以在彼此相邻的同时,或者在其间具有间隔(例如,预定间隔)的同时,一起沿着第二方向Y在扫描方向上移动。
参照图3进一步详细地描述根据一个或多个实施例的缺陷检查装置200。
图3是示意性地示出根据一个或多个实施例的缺陷检查装置的框图。
参照图3,缺陷检查装置200可以包括控制器210、检查装置(例如,检查单元)220、高度测量器(例如,高度测量单元)230、储存器(例如,存储单元)240、缺陷分类器(例如,缺陷分类单元)250、输出端(例如,输出单元)260、载物台ST等。
控制器210可以控制载物台ST的移动。例如,控制器210可以输出指示载物台ST以在载物台ST的对应方向上移动的控制信号。控制器210可以控制检查装置220的操作。例如,当对象OB被装载在载物台ST上时,控制器210可以将用于指示检查装置220执行对对象OB进行检查的操作的控制信号输出到检查装置220。检查装置220的操作可以包括检查装载在载物台ST上的对象OB的整个区域。检查装置220的操作可以包括对对象OB的对应区域进行成像。控制器210可以处理从检查装置220输出的数据。控制器210可以整体地控制缺陷检查装置200的操作。控制器210可以是诸如电子控制器(例如,电子控制单元(ECU))或微控制器(例如,微控制单元(MCU))的硬件、在硬件中执行的软件或者其组合。控制器210可以是计算机,诸如个人计算机。
载物台ST可以支撑对象OB,对象OB可以是例如显示面板。载物台ST可以是具有四边形形状或圆形形状等的板。载物台ST可以在X-Y平面中或在X-Y-Z空间中可移动。例如,载物台ST可以沿着第一方向X移动,或者可以沿着第一方向X和第二方向Y移动。
检查装置220可以检查对象OB中存在的缺陷。检查装置220可以以线扫描方法检查对象OB的整个区域。检查装置220可以接收控制器210的控制信号以将光照射到装载在载物台ST上的对象OB,并且可以根据从对象OB反射或散射的光获得检查图像。检查装置220可以包括安装在门架GT上的检查光学模块CM。检查装置220可以构成自动光学检查(AOI)系统。检查装置220可以包括光照射器(例如,光照射单元)221和检测器(例如,检测单元)222。光照射器221和检测器222可以包括在检查光学模块CM中。
光照射器221可以将光照射到对象OB。例如,光照射器221可以设置于在其上装载对象OB的载物台ST上方以朝向对象OB照射光。光照射器221可以包括用于照射包括紫外线到近红外线的宽带光的光源。光照射器221可以包括激光光源,诸如氩离子激光器或氦基激光器。光照射器221可以包括将从光源发射的光引导到对象OB的光学元件(例如,透镜、分束器等)。
检测器222可以检测来自对象OB的光,并且可以响应于检测到的光而生成输出。来自对象OB的光可以是由光照射器221照射的光被对象OB反射或散射的光。检测器222可以包括任何合适的检测器。例如,检测器222可以包括相机。相机可以包括利用时间延迟积分(TDI)方法的线扫描相机。相机可以包括区域扫描相机。相机可以包括电荷耦合器件(CCD)或互补金属氧化物半导体(CMOS)。相机可以包括像素,并且像素可以输出灰度值。
检测器222可以捕获对象OB的图像,且所捕获的图像可以包括关于形成在对象OB上的图案(例如,布线、半导体器件等)的信息。在检测器222中,所捕获的图像可以是灰度值的组合。检测器222可以通过对对象OB进行线扫描而生成检查图像。线扫描相机可以被用于创建检查图像。
检测器222可以通过对在对象OB中检测到的缺陷区域进行成像来生成缺陷的复检图像。可以使用区域扫描相机来执行用于生成复检图像的缺陷区域成像。检测器222可以生成与所捕获的复检图像相对应的复检图像数据。
控制器210可以通过处理通过对对象OB进行扫描而由检测器222生成的检查图像数据来检测缺陷。例如,通过将构成由检测器222生成的检查图像数据的每个灰度值与周围的灰度值进行比较,如果灰度值重复的模式周期不同,则可以确定存在缺陷。可替代地,检查装置220可以通过将由检测器222生成的检查图像数据与参考图像数据进行比较来检测缺陷。例如,当对象OB中存在缺陷时,由光照射器221照射的光被缺陷散射,因此检测器222可以检测散射光,并且可以生成与参考图像数据不同的检查图像数据。所生成的检查图像数据可以存储在储存器240中。控制器210计算存储在储存器240中的检查图像数据和参考图像数据之间的相似度,并且当相似度小于参考相似度时,可以确定对象OB具有缺陷,并且可以识别缺陷位置。
基于检查图像数据的缺陷确定可以由控制器210执行,但也可以由检查装置220或缺陷分类器250执行。
高度测量器230可以测量包括在对象OB中的缺陷的高度。高度测量器230可以测量缺陷(例如,异物)相对于参考高度的高度。高度测量器230可以通过应用两种自动聚焦方法来测量缺陷的高度。高度测量器230可以通过利用光学三角测量方法的自动聚焦方法来测量对象OB中的缺陷的参考高度(或Z轴参考高度)。高度测量器230可以通过使用对比度检测自动聚焦方法来测量缺陷的高度(或Z轴高度)。高度测量器230可以通过从缺陷的高度减去参考高度来测量缺陷相对于参考高度的高度,于是可以计算得到高度数据(或缺陷高度数据或缺陷的高度数据)。
对于利用光学三角测量方法的自动聚焦方法,高度测量器230可以包括激光自动聚焦模块。激光自动聚焦模块可以包括激光光源和传感器。例如,激光自动聚焦模块可以通过由激光光源将激光线轮廓投射到对象OB并且通过由传感器获得反射光束的位移来测量对象OB中的缺陷的Z轴参考高度。Z轴的参考高度测量可以例如由检查装置220在对象OB扫描期间执行。通过使用光学三角测量方法,可以实时测量对象OB的位置。
对于对比度检测自动聚焦方法,高度测量器230可以包括相机。相机可以是区域扫描相机。例如,可以在移动相机的镜头组的同时采用图像传感器来测量缺陷的对比度,并且可以通过获得对比度最大处的值来计算缺陷的Z轴高度。高度测量器230可以通过使用包括在检测器222中的相机通过对比度检测自动聚焦方法来测量高度。例如,当由检测器222对缺陷图像进行成像时,可以通过应用对比度检测自动聚焦算法来测量缺陷的Z轴高度。也就是说,当由检测器222的区域扫描相机捕获复检图像时,可以通过使用同一区域扫描相机采用通过对比度检测自动聚焦方法所获得的自动聚焦值来测量缺陷的Z轴高度。
储存器240可以存储由检查装置220生成的复检图像数据。储存器240可以存储由高度测量器230生成的缺陷高度数据。储存器240可以存储参考图像数据,其是用于确定缺陷的参考。存储在储存器240中的数据可以由控制器210管理。
缺陷分类器250可以配置基于图像处理和机器学习技术的自动缺陷分类(ADC)系统。缺陷分类器250可以基于从检查装置220输出的复检图像数据并基于从高度测量器230输出的缺陷高度数据来对缺陷进行分类。可以被用于进行缺陷分类的缺陷信息数据可以存储在储存器240中,并且缺陷分类器250可以通过将从复检图像数据和缺陷高度数据获得的缺陷信息与缺陷信息数据进行比较来对缺陷进行分类。缺陷信息数据可以由工作人员设置。缺陷信息数据可以基于机器学习技术来更新。
复检图像可以是2D图像。因此,当通过复检图像对缺陷进行分类时,根据缺陷的高度或厚度来区分缺陷可能是困难的,因为依赖于缺陷的平面尺寸、平面形状和颜色对缺陷进行分类可能是合适的。通过将缺陷高度数据添加到缺陷复检图像数据,可以确保缺陷分类一致性。此外,因为可以在由检查装置220进行检查期间获得缺陷的高度数据,所以可以提高缺陷检测能力而无需额外的处理步骤,并且最终可以提高良率。
输出端260可以从缺陷分类器250接收关于对象OB的缺陷分类的数据,并且可以显示缺陷检查结果。输出端260可以实时显示检查状态。
图4是示出根据一个或多个实施例的用于检查缺陷的方法的流程图。图5是示出根据一个或多个实施例的缺陷高度测量方法的示意图。图6是示出当仅采用缺陷的平面图像对缺陷进行分类时发生的问题的示意图。
参照图4,可以将需经缺陷检查的对象OB传送到缺陷检查装置200,并且可以将其对准到缺陷检查位置(S10)。在这种情况下,可以将对象OB放置在载物台ST上。
缺陷检查装置200的检查装置220可以通过以与线扫描相同的方式检查对象OB的整个区域来检测缺陷(S20)。可以通过比较由CCD相机捕获的检查图像的灰度值来检测缺陷。例如,通过比较构成检查图像数据的灰度值与周围的灰度值,如果灰度值重复的模式周期不同,则可以确定存在缺陷。可以在执行线扫描的同时比较检查图像数据的灰度值,并且可以实时检测缺陷。
参照图4和图5,缺陷检查装置200的高度测量器230可以测量对象OB的缺陷FS附近(例如,对象OB的缺陷FS的位置的沿着线扫描方向之前和/或之后的位置)的Z轴参考高度a(S30)。可以通过在对象OB的整个区域的线扫描检查期间使用测量光学模块LM来获得Z轴参考高度a。测量光学模块LM可以与沿着扫描方向执行线扫描检查的检查光学模块CM相邻定位,以与检查光学模块CM一起移动。测量光学模块LM可以通过光学三角测量方法实时获得自动聚焦,并且可以根据扫描速度快速地测量Z轴参考高度a。因此,不需要额外的时间或处理步骤来获得Z轴参考高度a。
缺陷检查装置200的检查装置220可以经由通过使用检查光学模块CM对检测到的缺陷区域进行成像来生成缺陷FS的复检图像(S40)。所生成的复检图像可以转换为复检图像数据,并且可以存储在储存器240中。缺陷区域的成像可以由包括在检查光学模块CM中的相机来执行。复检图像数据可以是包括缺陷FS的二维信息的数据,诸如缺陷FS的平面形状和宽度w。
缺陷检查装置200的高度测量器230可以测量缺陷FS的Z轴高度b(S50)。当对缺陷区域进行成像以生成缺陷FS的复检图像时,可以通过应用对比度检测自动聚焦算法来获得缺陷FS的Z轴高度b。因此,不需要额外的装置或处理步骤来获得缺陷FS的Z轴高度b。
缺陷检查装置200的高度测量器230可以根据缺陷FS的Z轴参考高度a和Z轴高度b之间的差(例如,b-a)来计算缺陷FS相对于参考高度的高度c(S60)。所计算的高度数据可以存储在储存器240中。当计算缺陷FS相对于参考高度的高度c时,可以考虑并反映检查光学模块CM与测量光学模块LM之间的偏移d。
缺陷检查装置200的缺陷分类器250可以基于存储在储存器240中的复检图像数据和高度数据而对缺陷FS进行分类(S70)。例如,如果缺陷FS被分类为简单的异物,则可以执行清洗过程以去除缺陷FS。如果缺陷FS被分类为可修复缺陷,则可以通过执行修复过程(例如,研磨、熔化等)来去除缺陷FS。如果缺陷FS被分类为不可修复缺陷,则其可以被报废,而不执行用于去除缺陷的过程。通过将高度数据添加到是二维数据的复检图像数据,可以提高在如上所述的下一处理中所执行的对缺陷FS进行分类的准确性。
当仅采用复检图像对缺陷FS进行分类而不考虑缺陷FS的高度时,通过缺陷分类器250进行的台阶式异物分类的一致性可能会低。例如,参照图6,区分可能需要修复的具有相对大高度的缺陷FS与可能不需要任何修复的具有相对低高度的缺陷FS可能相对困难。如果对其应用了机器学习的自动缺陷分类(ADC)系统仅采用2D图像执行学习,则可能难以根据缺陷FS的高度来区分缺陷。因此,由于必须对怀疑为台阶式异物的所有缺陷FS执行修复过程,所以修复过程的量可能增加。此外,即使对于由于台阶差太高而不能修复的缺陷FS,也可能不必要地执行修复过程。
当由缺陷分类器250通过自动缺陷分类(ADC)对缺陷进行分类时,通过添加缺陷FS的高度数据,可以确保分类一致性,并且可以避免不必要的修复过程。此外,可以在自动缺陷分类(ADC)期间改进基于2D图像和Z轴数据的机器学习方法,并且可以确保建模的一致性。
在下文中,将简要描述可以是根据一个或多个实施例的用于检查缺陷的方法的对象的显示面板。
图7是示意性地示出根据一个或多个实施例的显示面板的截面图。
参照图7,根据一个或多个实施例的显示面板可以包括显示器(例如,显示单元)DSP以及设置在显示器DSP上和/或面对显示器DSP的颜色转换器(例如,颜色转换单元)CCP。显示器DSP和颜色转换器CCP可以组合,或者颜色转换器CCP可以层压在显示器DSP上。包括填充材料的填充层FL可以设置在显示器DSP与颜色转换器CCP之间。
显示器DSP可以包括基板SB1以及设置在基板SB1之上的层和元件。基板SB1可以包括绝缘材料,诸如玻璃或塑料。
电路层CL可以设置在基板SB1上。电路层CL可以包括用于驱动显示面板的像素的元件,诸如晶体管、电容器和布线。此外,电路层CL可以对元件进行配置,或者包括用于形成元件或在元件之间进行绝缘的绝缘层。元件可以包括导电层(其可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)和/或钼(Mo)等),并且可以包括半导体层(其可以包括多晶硅、非晶硅和/或氧化物半导体等)。绝缘层由无机绝缘层和/或有机绝缘层组成,无机绝缘层包括诸如氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘材料,有机绝缘层包括诸如酰亚胺类聚合物、丙烯酸类聚合物和/或硅氧烷类聚合物的有机绝缘材料。
发光二极管LED可以设置在电路层CL上。发光二极管LED可以构成显示面板的像素。每个发光二极管LED可以包括第一电极E1、发射层EL和第二电极E2。尽管示出了三个发光二极管LED,但是显示面板可以包括更多个发光二极管LED以匹配分辨率。
第一电极E1可以电连接到包括在电路层CL中的晶体管。第一电极E1可以包括金属,诸如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)或金(Au)。第一电极E1可以包括透明导电氧化物(TCO),诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
像素限定层PDL可以设置在第一电极E1上。像素限定层PDL可以具有/限定与第一电极E1重叠的开口。像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。
发射层EL可以设置在第一电极E1和像素限定层PDL之上。发射层EL可以通过像素限定层PDL的开口与第一电极E1接触。与所示的相反,发射层EL可以设置在像素限定层PDL的开口内。发射层EL可以包括发射蓝光的发光材料。发射层EL可以包括除了发射蓝光之外还发射红光或绿光的发光材料。在第一电极E1上,除了发射层EL之外,还可以设置空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
第二电极E2可以设置在发射层EL上。第二电极E2可以包括金属,诸如钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或锂(Li)。第二电极E2可以包括透明导电氧化物(TCO),诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
针对每个像素单独提供第一电极E1以接收驱动电流。第二电极E2公共地提供给各像素以接收公共电压。第一电极E1可以被称为像素电极,并且第二电极E2可以被称为公共电极。第一电极E1可以是发光二极管LED的阳极,并且第二电极E2可以是发光二极管LED的阴极。
封装层EN可以设置在第二电极E2上。封装层EN可以是包括无机绝缘层IL1和IL2以及有机绝缘层OL的薄膜封装层。
填充层FL可以设置在封装层EN上,并且颜色转换器CCP可以设置在填充层FL上。
颜色转换器CCP可以包括基板SB2。基板SB2可以包括绝缘材料,诸如玻璃或塑料。
挡光构件BM以及滤色器层CF1、CF2和CF3可以设置在基板SB2上。
挡光构件BM可以与显示器DSP的像素限定层PDL重叠。挡光构件BM可以被设置为不与像素限定层PDL的开口(其是发光区域)重叠。挡光构件BM可以设置在相邻的滤色器层CF1、CF2和CF3之间。挡光构件BM可以包括黑色颜料或染料,并且可以减少或防止由于显示器DSP的金属层而引起的光反射。挡光构件BM可以称为黑矩阵。
滤色器层CF1、CF2和CF3可以与像素限定层PDL的开口重叠。滤色器层CF1、CF2和CF3可以包括透射红光的红色滤色器层CF1、透射绿光的绿色滤色器层CF2以及透射蓝光的蓝色滤色器层CF3。
分隔壁BK可以设置在挡光构件BM上。分隔壁BK可以与像素限定层PDL重叠。分隔壁BK可以分隔像素区域。分隔壁BK可以包括有机绝缘材料。在所图示的实施例中,挡光构件BM设置在基板SB2与分隔壁BK之间,但是分隔壁BK可以设置在基板SB2和挡光构件BM之间。在所图示的实施例中,颜色转换器CCP可以省略挡光构件BM,并且在这种情况下,滤色器层CF1、CF2和CF3可以重叠以提供挡光区域。滤色器层CF1、CF2和CF3的重叠部分可以设置在基板SB2与分隔壁BK之间。
颜色转换层CC1和CC2可以设置在滤色器层CF1和CF2上。颜色转换层CC1和CC2可以设置在由分隔壁BK限定的空间中。颜色转换层CC1和CC2可以包括红色转换层CC1和绿色转换层CC2。红色转换层CC1可以与红色滤色器层CF1重叠,并且绿色转换层CC2可以与绿色滤色器层CF2重叠。
红色转换层CC1和绿色转换层CC2可以包括不同的半导体纳米晶体。例如,入射到红色转换层CC1上的蓝光可以由包括在红色转换层CC1中的半导体纳米晶体转换为红光,并且可以发射。入射到绿色转换层CC2上的蓝光可以由包括在绿色转换层CC2中的半导体纳米晶体转换为绿光,并且可以发射。
半导体纳米晶体可以包括将入射蓝光转换为红光或绿光的磷光体和/或量子点。量子点可以根据颗粒尺寸控制发射的光的色相,并且相应地量子点可以发射诸如蓝色、红色和绿色的各种颜色的光。
在蓝色滤色器层CF3上,替代颜色转换层CC1和CC2,可以设置或可以不设置透射层。透射层可以包括能够透射蓝光的聚合物材料。
钝化层PV可以设置在颜色转换层CC1和CC2上。钝化层PV可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
虽然已经结合目前被认为是实用的实施例的内容描述了本公开,但是应当理解,本公开不限于所公开的实施例。相反,旨在覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置,其中包括其功能等同。
Claims (10)
1.一种缺陷检查装置,包括:
检查装置,用于通过对对象进行线扫描来检测缺陷,并且用于生成所述缺陷的复检图像数据;
高度测量器,用于获得所述缺陷的参考高度和所述缺陷的高度,并且用于生成所述缺陷的高度数据;以及
缺陷分类器,用于基于所述复检图像数据和所述高度数据对所述缺陷进行分类。
2.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其中,所述高度测量器被配置为通过利用光学三角测量方法的自动聚焦方法来测量所述参考高度,并且被配置为通过对比度检测自动聚焦方法来测量所述缺陷的所述高度。
3.根据权利要求2所述的缺陷检查装置,其中,所述高度测量器被配置为当所述检查装置对所述对象进行线扫描时测量所述参考高度。
4.根据权利要求2所述的缺陷检查装置,其中,所述高度测量器被配置为当所述检查装置对所述缺陷进行成像时测量所述缺陷的所述高度。
5.根据权利要求4所述的缺陷检查装置,其中,所述检查装置被配置为使用区域扫描相机来对所述缺陷进行成像,并且
其中,所述高度测量器被配置为使用所述区域扫描相机来检测所述缺陷的对比度。
6.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其中,所述检查装置包括用于在沿扫描方向移动的同时执行所述线扫描的检查光学模块,
其中,所述高度测量器包括用于测量所述参考高度的测量光学模块,并且
其中,所述测量光学模块被配置为与所述检查光学模块一起沿所述扫描方向移动。
7.根据权利要求6所述的缺陷检查装置,其中,所述测量光学模块包括激光自动聚焦模块。
8.根据权利要求6所述的缺陷检查装置,进一步包括:
载物台,用于支撑所述对象;以及
门架,被配备有所述检查光学模块和所述测量光学模块。
9.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其中,所述检查装置构成自动光学检查系统,并且
其中,所述缺陷分类器构成自动缺陷分类系统。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的缺陷检查装置,其中,所述复检图像数据包括2D图像数据。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220105041A KR20240027200A (ko) | 2022-08-22 | 2022-08-22 | 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법 |
KR10-2022-0105041 | 2022-08-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117607142A true CN117607142A (zh) | 2024-02-27 |
Family
ID=89907607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311057987.6A Pending CN117607142A (zh) | 2022-08-22 | 2023-08-22 | 缺陷检查装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240060904A1 (zh) |
KR (1) | KR20240027200A (zh) |
CN (1) | CN117607142A (zh) |
-
2022
- 2022-08-22 KR KR1020220105041A patent/KR20240027200A/ko unknown
-
2023
- 2023-06-29 US US18/344,484 patent/US20240060904A1/en active Pending
- 2023-08-22 CN CN202311057987.6A patent/CN117607142A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20240027200A (ko) | 2024-03-04 |
US20240060904A1 (en) | 2024-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10876975B2 (en) | System and method for inspecting a wafer | |
JP5421763B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
US8885918B2 (en) | System and method for inspecting a wafer | |
JP4776197B2 (ja) | 配線基板の検査装置 | |
EP2387794A2 (en) | System and method for inspecting a wafer | |
TWI761880B (zh) | 基板缺陷檢查裝置、方法、電腦可讀記錄介質及電腦程式產品 | |
KR101098321B1 (ko) | 통합 비주얼 이미징 및 전자 감지 검사 시스템 | |
KR101043236B1 (ko) | Led 칩 외관 검사 장치 및 그 방법 | |
CN110970326A (zh) | 激光照射装置及其驱动方法 | |
JP2011158363A (ja) | Pga実装基板の半田付け検査装置 | |
JP6461555B2 (ja) | バンプ検査装置 | |
KR101215306B1 (ko) | 전자 부품 검사 장치 및 방법 | |
CN117607142A (zh) | 缺陷检查装置 | |
KR101745883B1 (ko) | 인쇄회로기판의 광학 검사 장치 및 방법 | |
US10466179B2 (en) | Semiconductor device inspection of metallic discontinuities | |
CN111725086B (zh) | 半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 | |
JP2020073922A (ja) | 配線回路基板の製造方法および検査方法 | |
Qixin et al. | A binocular machine vision system for ball grid array package inspection | |
JP5018182B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20140012341A (ko) | 자동광학 검사장치 | |
US20240013370A1 (en) | Visual inspection apparatus and visual inspection methods | |
KR101030445B1 (ko) | Led 소자의 다이 및 와이어 본딩 검사 장치 및 그 방법 | |
CN116413281A (zh) | 多功能标准校正片及光学检测设备的检测方法 | |
JP2023100561A (ja) | 半導体製造装置、検査装置および半導体装置の製造方法 | |
CN116403936A (zh) | 半导体制造装置、检查装置及半导体器件的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |