CN117595800A - 低噪声放大器及射频功放模组 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种低噪声放大器及射频功放模组，其中，所述低噪声放大器包括信号输入端、输入匹配电路、第一电阻、频偏补偿电路、第一场效应管、第二场效应管、输入衰减电路、第三场效应管、源极衰减电路、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、衰减支路、第七场效应管、第二电阻、第一电容、输出匹配电路、输出衰减电路以及信号输出端。本发明中的低噪声放大器可以使其增益、噪声系数、IIP3指标以及电流保持一个平衡量，以提升其整体性能。

Description

低噪声放大器及射频功放模组

技术领域

本发明涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种低噪声放大器及射频功放模组。

背景技术

随着无线通信技术的迅速发展，手机、平板等具备无线通信作用的电子设备已成为人们生活中的必需品，而接收机中的低噪声放大器作为电子设备中的关键一环，其性能的好坏直接影响了电子设备的体验感。

低噪声放大器的性能主要包含增益、噪声系数以及IIP3，而在电子设备的应用中，随着输入信号的强度变化，低噪声放大器所需要的增益、噪声系数以及IIP3指标也各不相同，通常来说，随着输入信号的增加，所需的增益则越低，IIP3指标要求则越高，噪声系数则需要适当恶化。另外，为应对日渐提升的需要要求，功耗也成为了低噪声放大器的一个性能指标，在低增益的档位时，噪声系数、IIP3指标和电流则需要保持一个平衡量，即使各指标保持在各自对应的量内，以提升低噪声放大器的整体性能。但相关技术中的低噪声放大器结构并不能使其增益、噪声系数、IIP3指标以及电流保持一个平衡量，因此大大的降低了其整体性能。

所以，现急需一种新的低噪声放大器来解决上述问题。

发明内容

针对以上现有技术的不足，本发明提出了一种低噪声放大器及射频功放模组，以解决相关技术中的低噪声放大器结构并不能使其增益、噪声系数、IIP3指标以及电流保持一个平衡量，从而降低了其整体性能的问题。

为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

第一方面，本发明提供了一种低噪声放大器，其包括信号输入端、输入匹配电路、第一电阻、频偏补偿电路、第一场效应管、第二场效应管、输入衰减电路、第三场效应管、源极衰减电路、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、衰减支路、第七场效应管、第二电阻、第一电容、输出匹配电路、输出衰减电路以及信号输出端；

所述输入匹配电路的输入端连接至所述信号输入端；

所述第一电阻的第一端连接至所述输入匹配电路的输出端，所述第一电阻的第二端用于连接第一偏置电压；

所述频偏补偿电路的输入端、所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的栅极以及所述输入衰减电路的输入端分别连接至所述输入匹配电路的输出端；所述频偏补偿电路用于对接收到的信号进行处理，以将频率偏移进行补偿，从而使得信号能够被正确地解调和处理；

所述第三场效应管的栅极连接至所述输入衰减电路的第一输出端；所述第三场效应管的源极连接至所述输入衰减电路的第二输出端；所述输入衰减电路用于对接收到的信号进行衰减；

所述源极衰减电路的输入端分别连接至所述频偏补偿电路的输出端、所述第一场效应管的源极、所述第二场效应管的源极、所述输入衰减电路的第二输出端以及所述第三场效应管的源极，所述源极衰减电路的输出端接地；所述源极衰减电路用于对过驱动电压进行分压，并弱化漏电流和过驱动电压之间的非线性；

所述第四场效应管的源极连接至所述第一场效应管的漏极；

所述第五场效应管的源极连接至所述第二场效应管的漏极；

所述第六场效应管的源极连接至所述第三场效应管的漏极；所述第四场效应管的栅极、所述第五场效应管的栅极以及所述第六场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路；所述第五场效应管的漏极以及所述第六场效应管的漏极分别连接至所述第四场效应管的漏极；

所述衰减支路的输入端连接至所述第四场效应管的漏极，所述衰减支路的输出端接地；所述衰减支路用于通过电阻值来控制衰减量的大小；

所述第七场效应管的源极连接至所述第四场效应管的漏极；

所述第二电阻的第一端连接至所述第七场效应管的栅极，所述第二电阻的第二端用于连接第二偏置电压；

所述第一电容的第一端连接至所述第七场效应管的栅极，所述第一电容的第二端接地；

所述输出匹配电路的第一输入端连接至电源，所述输出匹配电路的第二输入端连接至所述第七场效应管的漏极；

所述输出衰减电路的输入端分别连接至所述第七场效应管的漏极以及所述输出匹配电路的输出端；所述输出衰减电路的输出端连接至所述信号输出端；所述输出衰减电路用于对输出的信号进行衰减。

优选的，所述输入衰减电路包括第八场效应管、第二电容、第三电阻、第四电阻、第九场效应管以及第十场效应管；

第八场效应管的源极作为所述输入衰减电路的输入端，所述第八场效应管的漏极分别作为所述输入衰减电路的第一输出端和所述输入衰减电路的第二输出端；

所述第二电容的第一端连接至所述第八场效应管的漏极；

所述第三电阻的第一端和所述第四电阻的第一端分别连接至所述第二电容的第二端；

所述第九场效应管的漏极连接至所述第三电阻的第二端；

所述第十场效应管的漏极连接至所述第四电阻的第二端；所述第八场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极以及所述第十场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路；所述第十场效应管的源极和所述第九场效应管的源极连接。

优选的，所述源极衰减电路包括第一电感、第二电感、第十一场效应管、第十二场效应管、第五电阻、第六电阻、第十三场效应管以及第十四场效应管；

所述第一电感的第一端作为所述源极衰减电路的输入端；

所述第二电感的第一端连接至所述第一电感的第二端；

所述第十一场效应管的漏极连接至所述第一电感的第二端；

所述第十二场效应管的漏极连接至所述第二电感的第二端；

第五电阻的第一端和所述第六电阻的第一端分别连接至所述第二电感的第二端；

所述第十三场效应管的漏极连接至所述第五电阻的第二端；

所述第十四场效应管的漏极连接至所述第六电阻的第二端；所述第十一场效应管的栅极、所述第十二场效应管的栅极、所述第十三场效应管的栅极以及所述第十四场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路；所述第十一场效应管的源极、所述第十二场效应管的源极、所述第十三场效应管的源极以及所述第十四场效应管的源极共同作为所述源极衰减电路的输出端。

优选的，所述衰减支路包括第三电容、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十五场效应管、第十六场效应管以及第十七场效应管；

所述第三电容的第一端作为所述衰减支路的输入端；

所述第七电阻的第一端、所述第八电阻的第一端以及所述第九电阻的第一端分别连接至所述第三电容的第二端；

所述第十五场效应管的漏极连接至所述第七电阻的第二端；

所述第十六场效应管的漏极连接至所述第八电阻的第二端；

所述第十七场效应管的漏极连接至所述第九电阻的第二端；所述第十五场效应管的栅极、所述第十六场效应管的栅极以及所述第十七场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路；所述第十五场效应管的源极、所述第十六场效应管的源极以及所述第十七场效应管的源极共同作为所述衰减支路的输出端。

优选的，所述频偏补偿电路包括第四电容、第五电容、第六电容、第十八场效应管以及第十九场效应管；

所述第四电容的第一端、所述第五电容的第一端以及所述第六电容的第一端共同作为所述频偏补偿电路的输入端；

所述第十八场效应管的栅极和所述第十九场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路；所述第十八场效应管的漏极连接至所述第五电容的第二端，所述第十九场效应管的漏极连接至所述第六电容的第二端；

所述第四电容的第二端、所述第十八场效应管的源极以及所述第十九场效应管的源极共同作为所述频偏补偿电路的输出端。

第二方面，本发明提供了一种射频功放模组，其包括如上所述的低噪声放大器。

与相关技术相比，本发明中的低噪声放大器通过设计信号输入端、输入匹配电路、第一电阻、频偏补偿电路、第一场效应管、第二场效应管、输入衰减电路、第三场效应管、源极衰减电路、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、衰减支路、第七场效应管、第二电阻、第一电容、输出匹配电路、输出衰减电路以及信号输出端，并限定各器件的连接方式，从而可以控制低噪声放大器的增益、噪声系数、IIP3指标和电流的变化量，以使低噪声放大器的增益、噪声系数、IIP3指标以及电流能保持一个平衡量，进而提升其整体性能。

附图说明

下面结合附图详细说明本发明。通过结合以下附图所作的详细描述，本发明的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：

图1为本发明实施例提供的一种低噪声放大器的整体电路结构图；

图2为本发明实施例提供的一种低噪声放大器中输入衰减电路的电路结构图；

图3为本发明实施例提供的一种低噪声放大器中源极衰减电路的电路结构图；

图4为本发明实施例提供的一种低噪声放大器中衰减支路的电路结构图；

图5为本发明实施例提供的一种低噪声放大器中频偏补偿电路的电路结构图。

其中，100、低噪声放大器；1、输入匹配电路；2、频偏补偿电路；3、输入衰减电路；4、源极衰减电路；5、衰减支路；6、输出匹配电路；7、输出衰减电路。

具体实施方式

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

本发明实施例提供了一种低噪声放大器100，结合图1至图5所示，其包括信号输入端RFIN、输入匹配电路1、第一电阻R1、频偏补偿电路2、第一场效应管M1、第二场效应管M2、输入衰减电路3、第三场效应管M3、源极衰减电路4、第四场效应管S4、第五场效应管S5、第六场效应管S6、衰减支路5、第七场效应管M7、第二电阻R2、第一电容C1、输出匹配电路6、输出衰减电路7以及信号输出端RFOUT。

其中，输入匹配电路1的输入端连接至信号输入端RFIN。

第一电阻R1的第一端连接至输入匹配电路1的输出端，第一电阻R1的第二端连接至外部的第一偏置电压VCS。

频偏补偿电路2的输入端、第一场效应管M1的栅极、第二场效应管M2的栅极以及输入衰减电路3的输入端分别连接至输入匹配电路1的输出端；频偏补偿电路2用于对接收到的信号进行处理，以将频率偏移进行补偿，从而使得信号能够被正确地解调和处理。

第三场效应管M3的栅极连接至输入衰减电路3的第一输出端；第三场效应管M3的源极连接至输入衰减电路3的第二输出端；输入衰减电路3用于对接收到的信号进行衰减。

源极衰减电路4的输入端分别连接至频偏补偿电路2的输出端、第一场效应管M1的源极、第二场效应管M2的源极、输入衰减电路3的第二输出端以及第三场效应管M3的源极，源极衰减电路4的输出端接地（GND）；源极衰减电路4用于对过驱动电压进行分压，并弱化漏电流和过驱动电压之间的非线性。

第四场效应管S4的源极连接至第一场效应管M1的漏极。

第五场效应管S5的源极连接至第二场效应管M2的漏极。

第六场效应管S6的源极连接至第三场效应管M3的漏极；第四场效应管S4的栅极、第五场效应管S5的栅极以及第六场效应管S6的栅极分别连接至外部的控制电路；第五场效应管S5的漏极以及第六场效应管S6的漏极分别连接至第四场效应管S4的漏极。

衰减支路5的输入端连接至第四场效应管S4的漏极，衰减支路5的输出端接地；衰减支路5用于通过电阻值来控制衰减量的大小。

第七场效应管M7的源极连接至第四场效应管S4的漏极。

第二电阻R2的第一端连接至第七场效应管M7的栅极，第二电阻R2的第二端连接至外部的第二偏置电压VCG。第二偏置电压VCG和第一偏置电压VCS属于两个不同偏置电压。

第一电容C1的第一端连接至第七场效应管M7的栅极，第一电容C1的第二端接地。

输出匹配电路6的第一输入端连接至电源，输出匹配电路6的第二输入端连接至第七场效应管M7的漏极。

输出衰减电路7的输入端分别连接至第七场效应管M7的漏极以及输出匹配电路6的输出端；输出衰减电路7的输出端连接至信号输出端RFOUT；输出衰减电路7用于对输出的信号进行衰减。

具体地，输入衰减电路3包括第八场效应管S8、第二电容C2、第三电阻R3、第四电阻R4、第九场效应管S9以及第十场效应管S10。

其中，第八场效应管S8的源极作为输入衰减电路3的输入端，第八场效应管S8的漏极分别作为输入衰减电路3的第一输出端和输入衰减电路3的第二输出端。

第二电容C2的第一端连接至第八场效应管S8的漏极。

第三电阻R3的第一端和第四电阻R4的第一端分别连接至第二电容C2的第二端。

第九场效应管S9的漏极连接至第三电阻R3的第二端。

第十场效应管S10的漏极连接至第四电阻R4的第二端；第八场效应管S8的栅极、第九场效应管S9的栅极以及第十场效应管S10的栅极分别连接至外部的控制电路；第十场效应管S10的源极和第九场效应管S9的源极连接。

具体地，源极衰减电路4包括第一电感L1、第二电感L2、第十一场效应管S11、第十二场效应管S12、第五电阻R5、第六电阻R6、第十三场效应管S13以及第十四场效应管S14。

其中，第一电感L1的第一端作为源极衰减电路4的输入端。

第二电感L2的第一端连接至第一电感L1的第二端。

第十一场效应管S11的漏极连接至第一电感L1的第二端。

第十二场效应管S12的漏极连接至第二电感L2的第二端。

第五电阻R5的第一端和第六电阻R6的第一端分别连接至第二电感L2的第二端。

第十三场效应管S13的漏极连接至第五电阻R5的第二端。

第十四场效应管S14的漏极连接至第六电阻R6的第二端；第十一场效应管S11的栅极、第十二场效应管S12的栅极、第十三场效应管S13的栅极以及第十四场效应管S14的栅极分别连接至外部的控制电路；第十一场效应管S11的源极、第十二场效应管S12的源极、第十三场效应管S13的源极以及第十四场效应管S14的源极共同作为源极衰减电路4的输出端。

具体地，衰减支路5包括第三电容C3、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十五场效应管S15、第十六场效应管S16以及第十七场效应管S17。

其中，第三电容C3的第一端作为衰减支路5的输入端。

第七电阻R7的第一端、第八电阻R8的第一端以及第九电阻R9的第一端分别连接至第三电容C3的第二端。

第十五场效应管S15的漏极连接至第七电阻R7的第二端。

第十六场效应管S16的漏极连接至第八电阻R8的第二端。

第十七场效应管S17的漏极连接至第九电阻R9的第二端；第十五场效应管S15的栅极、第十六场效应管S16的栅极以及第十七场效应管S17的栅极分别连接至外部的控制电路；第十五场效应管S15的源极、第十六场效应管S16的源极以及第十七场效应管S17的源极共同作为衰减支路5的输出端。

具体地，频偏补偿电路2包括第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第十八场效应管S18以及第十九场效应管S19。

第四电容C4的第一端、第五电容C5的第一端以及第六电容C6的第一端共同作为频偏补偿电路2的输入端。

第十八场效应管S18的栅极和第十九场效应管S19的栅极分别连接至外部的控制电路；第十八场效应管S18的漏极连接至第五电容C5的第二端，第十九场效应管S19的漏极连接至第六电容C6的第二端。

第四电容C4的第二端、第十八场效应管S18的源极以及第十九场效应管S19的源极共同作为频偏补偿电路2的输出端。

本实施例中，上述的场效应管也可以称为晶体管。

本实施例中的低噪声放大器100主要通过以下六种方式的调整来控制其各增益档位的各项指标（增益、噪声系数、IIP3指标以及电流），以使其适应于多种应用场景，具体为合理设置衰减量，一种或多种方式组合起来使用。

第一种方式：通过设计第一场效应管M1至第七场效应管M7的连接方式，可以减少共源管的面积，从而直接改变gm（跨导）的大小，以达到降低电流的效果，并减少非线性电容的引入，还能对IIP3指标具有显著的提升，但噪声的恶化程度则较大。

第二种方式：输入衰减电路3可以提升IIP3指标，但对噪声系数的恶化同样明显。

第三种方式：源极衰减电路4的第一电感L1和第二电感L2本身具有一定的Q值，会对驱动电压起到一定的分压作用，以弱化漏电流与驱动电压之间的非线性，因此可以提升IIP3指标并降低电流，但这需要依赖于gm的大小，源极衰减电路4中的第五电阻R5和第六电阻R6等效到其输入端，相当于除以一个共源级的放大倍数，因此对于噪声系数的恶化相对于输入衰减来说较小。但第五电阻R5和第六电阻R6的增加会使第五场效应管S5向高频移动，此时则需要加入一些共源管的栅源间电容进行补偿。

第四种方式：衰减支路5通过加载在共源放大管的输出端和共栅放大管的输入端，从而可以提升IIP3指标，但同样对噪声系数具有恶化作用，但程度均不如直接在共源放大管的输入端加衰减来得明显。

第五种方式：衰减电路直接在信号输出端RFOUT增加衰减网络，这对噪声系数不会产生恶化作用，同时对IIP3指标和功耗无提升，衰减量稳定。

第六种方式：通过连接外部的第一偏置电压VCS和外部的第二偏置电压VCG，本质上改变过驱动电压，以为达成精准的增益档位做一些微调。

本实施例中的低噪声放大器100中的第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3以及第七场效应管M7构成共源共栅放大管，接入共源放大管的面积通过第四场效应管S4、第五场效应管S5以及第六场效应管S6选择，在第四场效应管S4、第五场效应管S5以及第六场效应管S6和共栅放大管之间接入衰减支路5，这样便可以通过加入的电阻值的大小来控制各项指标的变化量；加载在源极的源极衰减电路4通过选择接入的电感（第一电感L1和第二电感L2）和电阻（第五电阻R5和第六电阻R6）的大小来控制各项指标的变化量；输入衰减电路3接在共源放大管的栅极，使用时第八场效应管S8提供一个串联导通电阻，同样通过并联电阻接入的大小来控制各项指标的变化量；输出衰减电路7接在输出匹配电路6之后，通常为一个Π型衰减电路或L型衰减电路。

本实施例中的低噪声放大器100通过设计信号输入端RFIN、输入匹配电路1、第一电阻R1、频偏补偿电路2、第一场效应管M1、第二场效应管M2、输入衰减电路3、第三场效应管M3、源极衰减电路4、第四场效应管S4、第五场效应管S5、第六场效应管S6、衰减支路5、第七场效应管M7、第二电阻R2、第一电容C1、输出匹配电路6、输出衰减电路7以及信号输出端RFOUT，并限定各器件的连接方式，从而可以控制低噪声放大器100的增益、噪声系数、IIP3指标和电流的变化量，以使低噪声放大器100的增益、噪声系数、IIP3指标以及电流能保持一个平衡量，进而提升其整体性能。

实施例二

本发明实施例提供了一种射频功放模组，该射频功放模组包括上述实施例一中的低噪声放大器100。由于本实施例中的射频功放模组包含了上述实施例一中的低噪声放大器100，因此其所达到的技术效果与上述实施例一中的低噪声放大器100所达到的技术效果相同，在此不再赘述。

需要说明的是，以上参照附图所描述的各个实施例仅用以说明本发明而非限制本发明的范围，本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的前提下对本发明进行的修改或者等同替换，均应涵盖在本发明的范围之内。此外，除上下文另有所指外，以单数形式出现的词包括复数形式，反之亦然。另外，除非特别说明，那么任何实施例的全部或一部分可结合任何其它实施例的全部或一部分来使用。

Claims (6)

1.一种低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器包括信号输入端、输入匹配电路、第一电阻、频偏补偿电路、第一场效应管、第二场效应管、输入衰减电路、第三场效应管、源极衰减电路、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、衰减支路、第七场效应管、第二电阻、第一电容、输出匹配电路、输出衰减电路以及信号输出端；

所述输入匹配电路的输入端连接至所述信号输入端；

所述第一电阻的第一端连接至所述输入匹配电路的输出端，所述第一电阻的第二端用于连接第一偏置电压；

所述频偏补偿电路的输入端、所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的栅极以及所述输入衰减电路的输入端分别连接至所述输入匹配电路的输出端；所述频偏补偿电路用于对接收到的信号进行处理，以将频率偏移进行补偿，从而使得信号能够被正确地解调和处理；

所述第三场效应管的栅极连接至所述输入衰减电路的第一输出端；所述第三场效应管的源极连接至所述输入衰减电路的第二输出端；所述输入衰减电路用于对接收到的信号进行衰减；

所述源极衰减电路的输入端分别连接至所述频偏补偿电路的输出端、所述第一场效应管的源极、所述第二场效应管的源极、所述输入衰减电路的第二输出端以及所述第三场效应管的源极，所述源极衰减电路的输出端接地；所述源极衰减电路用于对过驱动电压进行分压，并弱化漏电流和过驱动电压之间的非线性；

所述第四场效应管的源极连接至所述第一场效应管的漏极；

所述第五场效应管的源极连接至所述第二场效应管的漏极；

所述第六场效应管的源极连接至所述第三场效应管的漏极；所述第四场效应管的栅极、所述第五场效应管的栅极以及所述第六场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路；所述第五场效应管的漏极以及所述第六场效应管的漏极分别连接至所述第四场效应管的漏极；

所述衰减支路的输入端连接至所述第四场效应管的漏极，所述衰减支路的输出端接地；所述衰减支路用于通过电阻值来控制衰减量的大小；

所述第七场效应管的源极连接至所述第四场效应管的漏极；

所述第二电阻的第一端连接至所述第七场效应管的栅极，所述第二电阻的第二端用于连接第二偏置电压；

所述第一电容的第一端连接至所述第七场效应管的栅极，所述第一电容的第二端接地；

所述输出匹配电路的第一输入端连接至电源，所述输出匹配电路的第二输入端连接至所述第七场效应管的漏极；

所述输出衰减电路的输入端分别连接至所述第七场效应管的漏极以及所述输出匹配电路的输出端；所述输出衰减电路的输出端连接至所述信号输出端；所述输出衰减电路用于对输出的信号进行衰减。

2.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输入衰减电路包括第八场效应管、第二电容、第三电阻、第四电阻、第九场效应管以及第十场效应管；

第八场效应管的源极作为所述输入衰减电路的输入端，所述第八场效应管的漏极分别作为所述输入衰减电路的第一输出端和所述输入衰减电路的第二输出端；

所述第二电容的第一端连接至所述第八场效应管的漏极；

所述第三电阻的第一端和所述第四电阻的第一端分别连接至所述第二电容的第二端；

所述第九场效应管的漏极连接至所述第三电阻的第二端；

所述第十场效应管的漏极连接至所述第四电阻的第二端；所述第八场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极以及所述第十场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路；所述第十场效应管的源极和所述第九场效应管的源极连接。

3.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述源极衰减电路包括第一电感、第二电感、第十一场效应管、第十二场效应管、第五电阻、第六电阻、第十三场效应管以及第十四场效应管；

所述第一电感的第一端作为所述源极衰减电路的输入端；

所述第二电感的第一端连接至所述第一电感的第二端；

所述第十一场效应管的漏极连接至所述第一电感的第二端；

所述第十二场效应管的漏极连接至所述第二电感的第二端；

第五电阻的第一端和所述第六电阻的第一端分别连接至所述第二电感的第二端；

所述第十三场效应管的漏极连接至所述第五电阻的第二端；

所述第十四场效应管的漏极连接至所述第六电阻的第二端；所述第十一场效应管的栅极、所述第十二场效应管的栅极、所述第十三场效应管的栅极以及所述第十四场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路；所述第十一场效应管的源极、所述第十二场效应管的源极、所述第十三场效应管的源极以及所述第十四场效应管的源极共同作为所述源极衰减电路的输出端。

4.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述衰减支路包括第三电容、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十五场效应管、第十六场效应管以及第十七场效应管；

所述第三电容的第一端作为所述衰减支路的输入端；

所述第七电阻的第一端、所述第八电阻的第一端以及所述第九电阻的第一端分别连接至所述第三电容的第二端；

所述第十五场效应管的漏极连接至所述第七电阻的第二端；

所述第十六场效应管的漏极连接至所述第八电阻的第二端；

所述第十七场效应管的漏极连接至所述第九电阻的第二端；所述第十五场效应管的栅极、所述第十六场效应管的栅极以及所述第十七场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路；所述第十五场效应管的源极、所述第十六场效应管的源极以及所述第十七场效应管的源极共同作为所述衰减支路的输出端。

5.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述频偏补偿电路包括第四电容、第五电容、第六电容、第十八场效应管以及第十九场效应管；

所述第四电容的第一端、所述第五电容的第一端以及所述第六电容的第一端共同作为所述频偏补偿电路的输入端；

所述第十八场效应管的栅极和所述第十九场效应管的栅极分别连接至外部的控制电路；所述第十八场效应管的漏极连接至所述第五电容的第二端，所述第十九场效应管的漏极连接至所述第六电容的第二端；

所述第四电容的第二端、所述第十八场效应管的源极以及所述第十九场效应管的源极共同作为所述频偏补偿电路的输出端。

6.一种射频功放模组，其特征在于，所述射频功放模组包括如权利要求1至5任意一项所述的低噪声放大器。