CN117587358A - 沉积设备 - Google Patents

Abstract

提供了沉积设备。用于将沉积材料沉积在布置在掩模上的基础衬底上的沉积设备包括：掩模组件，包括在其中限定开口并且围绕开口的掩模框架以及布置在掩模框架上的掩模；布置在基础衬底上的静电卡盘；以及布置在静电卡盘上的板。静电卡盘包括多个磁体，并且多个磁体之中的至少一个磁体的磁性与多个磁体之中除至少一个磁体以外的其余磁体的磁性不同。

Description

沉积设备

本申请要求于2022年8月18日提交的第10-2022-0103609号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及沉积设备。

背景技术

显示装置可包括像素。包括在像素中的每个中的发光元件可包括彼此间隔开的电极和布置在电极之间的发光层。电极和发光层可通过使用数种方法形成。在这些方法之中，独立沉积方法是其中掩模(例如，精细金属掩模(“FMM”))被拉伸并且然后将其紧密地粘附到掩模框架上，并且将沉积材料沉积在待沉积的表面上的方法。

发明内容

实施方式提供了能够改善工艺偏差(process variation)和产率的沉积设备。

根据本公开的方面，提供了用于将沉积材料沉积在布置在掩模上的基础衬底上的沉积设备，沉积设备包括：包括在其中限定开口并且围绕开口的掩模框架以及布置在掩模框架上的掩模的掩模组件、布置在基础衬底上的静电卡盘以及布置在静电卡盘上的板。静电卡盘包括多个磁体，并且多个磁体之中的至少一个磁体的磁性与多个磁体之中的其它磁体的磁性不同。

静电卡盘可包括磁性区域。磁性区域可包括与磁性区域的中心区域对应的第一区域以及布置在第一区域的一侧处的第二区域。

多个磁体可包括布置在第一区域中的第一磁体和布置在第二区域中的第二磁体。第一磁体的磁性可大于第二磁体的磁性。

第一磁体的磁导率可大于第二磁体的磁导率。

第一磁体的磁化率可大于第二磁体的磁化率。

在平面图中，磁性区域可与板重叠。

板可包括永磁体。

静电卡盘可在其中限定多个内部凹槽。多个磁体可分别布置在多个内部凹槽中。

静电卡盘可包括面对板的第一表面和作为第一表面的相对表面的第二表面。磁体可布置成与第二表面相比更靠近第一表面。

磁体可布置成与第一表面间隔开特定距离。

磁体中的每个可包括面对板的第三表面和作为第三表面的相对表面的第四表面。第三表面和第一表面可存在于相同的平面上。

至少一个磁体中的每个的尺寸可与其它磁体中的每个的尺寸不同。

根据本公开的另一方面，提供了用于将沉积材料沉积在布置在掩模上的基础衬底上的沉积设备，沉积设备包括：包括在其中限定开口并且围绕开口的掩模框架以及布置在掩模框架上的掩模的掩模组件、布置在基础衬底上的静电卡盘以及布置在静电卡盘上的板。静电卡盘包括多个磁体，并且多个磁体之中的至少一个磁体中的每个的尺寸与多个磁体之中的其它磁体的尺寸不同。

静电卡盘可包括磁性区域。磁性区域可包括与磁性区域的中心区域对应的第一区域以及布置在第一区域的一侧处的第二区域。

多个磁体可包括布置在第一区域中的第一磁体和布置在第二区域中的第二磁体。第一磁体的尺寸可大于第二磁体的尺寸。

在平面图中，磁性区域可与板重叠。

静电卡盘可包括面对板的第一表面和作为第一表面的相对表面的第二表面。磁体可布置成与第二表面相比更靠近第一表面。

磁体可布置成与第一表面间隔开特定距离。

磁体中的每个可包括面对板的第三表面和作为第三表面的相对表面的第四表面。第三表面和第一表面可存在于相同的平面上。

至少一个磁体的磁性可与其它磁体的磁性不同。

附图说明

现在将在下文中参照附图对示例性实施方式进行更加全面的描述；然而，它们可以不同的形式实施，并且不应被解释为受限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达示例性实施方式的范围。

在附图中，为了图示的清楚，尺寸可被放大。应理解，当元件被称为位于两个元件“之间”时，该元件能够为两个元件之间的唯一元件，或者也可存在有一个或多个居间元件。相同的附图标记始终指示相同的元件。

图1是示意性地示出根据本公开的实施方式的沉积设备的剖面图。

图2是示出作为图1中所示的沉积设备的沉积目标的基础衬底的实例的透视图。

图3是示出在沉积工艺中施加到包括在图1中所示的沉积设备中的掩模和静电卡盘的外力的视图。

图4A和图4B是示意性地示出包括在图1中所示的沉积设备中的静电卡盘和板的实例的透视图。

图5是示意性地示出包括在图1中所示的沉积设备中的静电卡盘和板的实例的透视图。

图6是示意性地示出包括在图1中所示的沉积设备中的静电卡盘的实例的平面图。

图7是示意性地示出包括在图1中所示的沉积设备中的静电卡盘的另一实例的平面图。

图8是示意性地示出根据本公开的实施方式的沉积设备的剖面图。

图9是示意性地示出根据本公开的实施方式的沉积设备的剖面图。

图10是示意性地示出根据本公开的实施方式的沉积设备的剖面图。

具体实施方式

相似的附图标记始终指示相似的元件。在附图中，为了清楚起见，某些线、层、部件、元件或特征的厚度可被放大。应理解，虽然术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的“第一”元件也可被称为“第二”元件。除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的单数形式也旨在包括复数形式。

本文中使用的用语是仅出于描述特定实施方式的目的，而不旨在限制。除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的“一”、“一个”、“该”和“至少一个”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数这两者。例如，除非上下文另有明确指示，否则“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义。“至少一个”将不被解释为限于“一”或者“一个”。“或者”意味着“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。还应理解，术语“包括”和/或“包括有”当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在和/或添加。

在整个说明书中，当元件被称为“连接”或“联接”到另一元件时，该元件能够直接地连接或联接到另一元件，或者通过介于它们之间的一个或多个居间元件间接地连接或联接到另一元件。

此外，诸如层、区、衬底或板的元件放置在另一元件“上”或“上方”的表述不仅表示元件“直接”放置在另一元件“上”或“正上方”的情况，而且还表示另外的元件介于元件与另一元件之间的情况。相反，诸如层、区、衬底或板的元件放置在另一元件“之下”或“下方”的表达不仅表示元件“直接”放置在另一元件“之下”或“正下方”的情况，而且还表示另外的元件介于元件与另一元件之间的情况。

在下文中，将参照附图对本公开的示例性实施方式进行更加详细的描述。在整个附图中，相同的附图标记赋予相同的元件，并且它们的重复描述将被省略。

图1是示意性地示出根据本公开的实施方式的沉积设备的剖面图。图2是示出作为图1中所示的沉积设备的沉积目标的基础衬底的实例的透视图。

图3是示出在沉积工艺中施加到包括在图1中所示的沉积设备中的掩模和静电卡盘的外力的视图。图4A和图4B是示意性地示出包括在图1中所示的沉积设备中的静电卡盘和板的实例的透视图。图5是示意性地示出包括在图1中所示的沉积设备中的静电卡盘和板的实例的透视图。

参照图1，根据本公开的实施方式的沉积设备100可将沉积材料沉积在基础衬底BS上。

例如，进一步参照图2，基础衬底BS可包括沉积区域DPA，并且沉积材料可沉积在沉积区域DPA上。为了描述的便利，在图2中示出了基础衬底BS包括一个沉积区域DPA的情况。然而，这仅为说明性的，并且基础衬底BS可包括多个沉积区域DPA。另外，为了描述的便利，图2中所示的基础衬底BS的沉积区域DPA的尺寸和形状仅为说明性的。沉积区域DPA的尺寸和形状可根据沉积工艺不同地设置。

基础衬底BS的沉积区域DPA可与由第一方向轴线(即，在第一方向DR1上延伸的轴线)和第二方向轴线(即，在第二方向DR2上延伸的轴线)限定的表面平行。另外，沉积区域DPA的法线方向可被限定为第三方向DR3。附图中所示的第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3仅是为了描述的便利而限定的实例。第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3是相对概念，并且可转换为其它方向。在下文中，为了描述的便利，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3由相似的附图标记指定。

返回参照图1，在实施方式中，沉积设备100可包括室CH、传送部DM、掩模组件110、支承构件120(或支承部)、静电卡盘(“ESC”)130、驱动部140、连接构件145(或连接部)、板150(或第一板)和沉积源160。

在室CH内部可形成有空间，并且可在室CH内部形成的空间中执行沉积工艺。例如，掩模组件110、支承构件120、静电卡盘130、驱动部140、连接构件145、板150、沉积源160和传送部DM的传送杆ML可布置在形成在室CH内部的空间中。

尽管图1中未单独示出，但是室CH可形成为使得其至少一部分被开口。在一些实施方式中，在室CH的开口部分处可布置有闸阀或类似物，并且可通过闸阀或类似物来打开或关闭室CH的开口部分。

支承构件120可支承并且固定掩模组件110。而且，支承构件120可允许掩模组件110在特定距离范围内上升/下降或者允许掩模组件110在特定角度范围内旋转。而且，支承构件120可允许掩模组件110在特定距离范围内在各种方向上线性移动。

掩模组件110可布置在支承构件120上。

掩模组件110可包括掩模111和掩模框架112。例如，掩模111可包括精细金属掩模(FMM)。另外，掩模框架112可限定沉积材料能够穿过的开口，并且包括围绕开口的多个框架。

在实施方式中，掩模框架112还可包括支承棒。支承棒可防止由于掩模111的自重而导致的翘曲现象，并且起到支承掩模框架112的作用。

掩模111可布置在掩模框架112的顶部上。在一些实施方式中，一个掩模111可布置在掩模框架112上，或者多个掩模111可布置在掩模框架112上。

当多个掩模111布置在掩模框架112上时，多个掩模111可在一个方向(例如，第一方向DR1或第二方向DR2)上排列，以封闭在掩模框架112中限定的开口的至少一部分。为了描述的便利，在下文中，将主要描述一个掩模111提供为布置在掩模框架112上并且封闭掩模框架112的开口的至少一部分的情况。

在实施方式中，掩模111可在其中限定至少一个开口。当开口提供为多个时，多个开口可布置成使得图案形成在掩模111的至少一部分处。此外，当开口提供为多个时，多个开口可布置成在掩模111的多个区域中彼此区分开，并且布置成使得图案形成在每个区域中。

其上沉积有沉积材料的基础衬底BS可布置在掩模组件110上。基础衬底BS可为变成沉积目标的母衬底。

基础衬底BS的沉积区域DPA可被限定为与限定在掩模组件110的掩模111中的至少一个开口对应的区域。相应地，通过形成在掩模111中的至少一个开口而在基础衬底BS上暴露的区域可被限定为沉积区域DPA，并且由掩模111覆盖的区域可被限定为非沉积区域。

静电卡盘130可布置在基础衬底BS上。静电卡盘130可起到允许基础衬底BS通过使用静电力来固定并且允许基础衬底BS紧密地粘附到掩模111的作用。静电卡盘130可联接到基础衬底BS以防止基础衬底BS在沉积工艺的对齐和沉积材料的沉积中移动。而且，静电卡盘130可防止基础衬底BS被填充在静电卡盘130与基础衬底BS之间的泄漏到外部的气体抬起。

例如，静电卡盘130可包括布置在其内部的多个电极。多个电极可包括至少一个第一电极和至少一个第二电极。至少一个第一电极可具有第一极性，并且至少一个第二电极可具有与第一极性相反的极性的第二极性。例如，第一极性可具有正极性(+)，并且第二极性可具有负极性(-)。然而，这仅为说明性的。第一极性可具有负极性(-)，并且第二极性可具有正极性(+)。

在实施方式中，驱动部140可驱动静电卡盘130。例如，驱动部140可通过连接构件145连接到静电卡盘130以驱动静电卡盘130。

例如，驱动部140可包括电源，并且驱动部140的电源可通过连接构件145电连接到包括在静电卡盘130中的电极(例如，第一电极和第二电极)。包括在驱动部140中的电源可包括被限定为正电极的一个端子和被限定为负电极的另一端子。当电源的一个端子连接到静电卡盘130的第一电极以使得正极性电压通过电源施加到第一电极时，第一电极可具有正极性。当电源的另一端子连接到第二电极以使得负极性电压通过电源施加到第二电极时，第二电极可具有负极性。

预定电压通过驱动部140的电源施加到静电卡盘130，使得能够在静电卡盘130中生成静电力。例如，预定电压通过驱动部140的电源施加到静电卡盘130的第一电极和第二电极，使得能够生成静电力。相应地，基础衬底BS和掩模111能够通过静电力彼此紧密地粘附。例如，由静电卡盘130生成的静电力在朝向静电卡盘130的方向(例如，第三方向DR3)上吸引基础衬底BS和掩模111(例如，在静电卡盘130与基础衬底BS之间和/或静电卡盘130与掩模111之间生成引力)，使得基础衬底BS与掩模111之间的联接力增加。相应地，能够防止基础衬底BS和掩模111下垂。

在实施方式中，驱动部140可向上或向下传送静电卡盘130。而且，驱动部140可允许静电卡盘130在特定角度范围内旋转，并且允许静电卡盘130在特定距离范围内在各种方向上线性移动。例如，驱动部140可包括诸如电机或汽缸的装置或结构。

连接构件145可与静电卡盘130的上表面(例如，第一表面SF1)的至少一部分接触，以将静电卡盘130和驱动部140彼此连接。

连接构件145可在其中限定暴露静电卡盘130的上表面(例如，第一表面SF1)的至少一部分的开口OP。板150可安放在由连接构件145限定的开口OP上。例如，板150可安放在由连接构件145限定的开口OP上以允许基础衬底BS和掩模111彼此紧密地粘附。

板150可布置成在平面图中与静电卡盘130重叠。板150可包括包含永磁体的轭板。包括轭板的板150布置成与静电卡盘130重叠，以便除了由静电卡盘130生成的上述静电力以外，还能够通过由板150生成的磁力将基础衬底BS和掩模111进一步彼此紧密地粘附。例如，由板150生成的磁力在朝向板150的方向(例如，第三方向DR3)上吸引由金属材料制成的掩模111(例如，在板150与掩模111之间生成引力(吸引力))，以使得基础衬底BS与掩模111之间的联接力进一步增加。相应地，能够防止基础衬底BS和掩模111下垂。

传送部DM可连接到板150。传送部DM可包括传送杆ML和传送体MC。传送体MC可通过传送杆ML在第三方向DR3(即，竖直方向)上传送板150。而且，传送体MC可通过传送杆ML允许板150在特定角度范围内旋转，并且通过传送杆ML允许板150在特定距离范围内在各种方向上线性移动。

例如，传送体MC可布置在室CH的外部处，并且包括汽缸和电机中的任一个。例如，当传送体MC包括汽缸时，传送杆ML可为活塞。在另一实例中，当传送体MC包括电机时，传送杆ML可实现为能够根据电机的旋转而竖直地移动的滚珠丝杠。然而，这仅为说明性的，并且本公开的实施方式不限于此。传送部DM可包括能够移动板150的各种装置。

在实施方式中，静电卡盘130和板150可彼此独立地被驱动和/或传送。例如，静电卡盘130可由驱动部140驱动和/或传送，并且板150可由传送部DM驱动和/或传送。如上所述，静电卡盘130和板150由不同的部件彼此独立地被驱动和/或传送，以便防止对齐由于振动而导致歪曲，从而提高生产能力。

沉积源160可布置在室CH内部。沉积材料可容纳在沉积源160内部。

沉积源160可朝向掩模111蒸发有机材料、无机材料和导电材料之中的至少一种沉积材料。沉积材料可在穿过限定在掩模111中的至少一个开口的同时沉积在基础衬底BS的沉积区域DPA上。例如，沉积源160可通过使用在高温下加热和蒸发沉积材料的方法将沉积材料沉积在基础衬底BS的沉积区域DPA上。在实例中，沉积源160可包括用于加热沉积材料的加热器。

尽管图1中未示出，但是沉积设备100还可包括用于在水平方向(例如，第一方向DR1或第二方向DR2)上移动沉积源160的传送工具。

喷嘴部165可连接到沉积源160以将在沉积源160中蒸发或升华的沉积材料提供到外部。喷嘴部165可包括至少一个喷嘴。例如，喷嘴可以布置成彼此间隔开并且以点形式排列的点喷嘴的形式提供。在另一实例中，喷嘴可以将沉积材料喷射到特定区域上的线喷嘴的形式提供。

尽管图1中未示出，但是沉积设备100还可包括压力调节部。压力调节部可连接到室CH以调节室CH内部的压力。例如，压力调节部可包括连接到室CH的连接管和布置在连接管中的泵，并且连接管可连接到能够去除外部污染物的单独的装置。

根据在沉积工艺中作为沉积目标的基础衬底BS的平坦度，工艺偏差和产率可能是有问题的。例如，当在沉积工艺中作为沉积目标的基础衬底BS的平坦度改变时，沉积材料无法正常地沉积在基础衬底BS的沉积区域DPA上。因此，工艺偏差增加，并且产率降低。因此，沉积工艺的可靠性可能劣化。

在实例中，支承构件120和掩模框架112仅支承掩模111的相对侧(例如，一侧和与该一侧相对的另一侧)，并且因此，用于支承掩模111的支承力可随着变得距离掩模111的两侧更远而变得更弱。也就是说，用于在向上方向(例如，第三方向DR3)上支承掩模111的支承力可随着变得距离掩模111的两侧更远(或者随着变得更靠近掩模111的中心部分)而变得更弱。可能因施加到掩模111的外力而发生掩模111的翘曲现象。例如，由于在向下方向(例如，第三方向DR3的相反方向)上施加到掩模111的重力，掩模111，具体地，掩模111的中心部分可能在向下方向(或重力方向)上翘曲。相应地，布置在掩模111上的基础衬底BS也可能在向下方向上翘曲。此外，因为用于提供静电力的静电卡盘130布置在基础衬底BS的顶部上，因此由静电卡盘130生成的重力施加到基础衬底BS和掩模111，并且因此，掩模111和基础衬底BS的翘曲现象可能变得更严重。另外，随着作为沉积设备100的沉积目标的显示装置变得大尺寸，基础衬底BS和掩模111的尺寸变大。因此，掩模111和基础衬底BS的翘曲现象可变得更严重。

为了减少(例如，消除)这样的现象，包括在根据本公开的实施方式的沉积设备100中的静电卡盘130可包括至少一个磁体MG。

磁体MG是具有磁性的物体，并且可通过产生磁场来生成磁力。例如，磁体MG可包括顺磁材料。然而，这仅为说明性的，并且本公开的实施方式不限于此。再例如，磁体MG可包括抗磁材料。

磁体MG可提供(或布置)在限定在静电卡盘130内部的内部凹槽GRV中。例如，静电卡盘130可包括第一表面SF1(或上表面)和作为第一表面SF1的相对侧的第二表面SF2(或下表面)。第一表面SF1可为静电卡盘130的与板150相对的上表面，并且第二表面SF2可为静电卡盘130的与基础衬底BS接触的下表面。磁体MG可布置在限定在静电卡盘130内部的与静电卡盘130的第一表面SF1的一侧对应的内部凹槽GRV中。也就是说，磁体MG布置在静电卡盘130内部，并且可布置成更靠近板150。换言之，磁体MG布置在第三方向DR3上距第一表面SF1和第二表面SF2的特定距离处，并且可布置成与第二表面SF2相比更靠近第一表面SF1。

例如，进一步参照图4A和图4B，磁体MG可布置在限定在静电卡盘130内部的内部凹槽GRV中。如图4B中所示，内部凹槽GRV可对应于形成在静电卡盘130内部的空间，并且磁体MG可提供在静电卡盘130的内部凹槽GRV中。

在实施方式中，当在平面(例如，由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面)上(即，在平面图中)观察时，磁体MG可布置成与板150的至少一部分重叠。

例如，如图4A中所示，静电卡盘130可包括磁性区域MGA，并且磁体MG可布置在磁性区域MGA中。当在静电卡盘130的第一表面SF1中的平面(例如，由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面)上(即，在平面图中)观察时，磁性区域MGA可对应于与板150重叠的区域。

因为静电卡盘130包括磁体MG，因此在布置在静电卡盘130内部的磁体MG与板150之间可生成在向上方向(例如，第三方向DR3)上的磁力。

更具体地，进一步参照图3，在图3中示出了施加到掩模111、静电卡盘130和布置在掩模111与静电卡盘130之间的基础衬底BS的外力F1和F2。例如，在图3中示出了在向下方向(例如，第三方向DR3的相反方向)上施加到掩模111、静电卡盘130和基础衬底BS的第一外力F1和在向上方向(例如，第三方向DR3)上施加到掩模111、静电卡盘130和基础衬底BS的第二外力F2。

首先，第一外力F1可在向下方向(例如，第三方向DR3的相反方向)上施加到掩模111和基础衬底BS。第一外力F1可对应于由参照图1描述的掩模111、静电卡盘130和基础衬底BS生成的重力之和。

另外，第二外力F2可在向上方向(例如，第三方向DR3)上施加到掩模111和基础衬底BS。第二外力F2可为布置在静电卡盘130内部的磁体MG与板150之间生成的磁力。

例如，由于板150包括包含永磁体的轭板，因此在板150与静电卡盘130的磁体MG之间可生成磁力(例如，第二外力F2)。在实例中，由于永磁体包括铁磁材料，因此构成静电卡盘130的磁体MG的包括电子的构成元件的磁矩通过响应于由板150(例如，包括在板150中的永磁体)生成的磁场而被对齐，从而能够生成磁力，即，第二外力F2。

尽管第一外力F1在向下方向(例如，第三方向DR3的相反方向)上施加到掩模111和基础衬底BS，但是由板150和静电卡盘130的磁体MG生成的第二外力F2能够减少(例如，消除)掩模111和基础衬底BS的翘曲现象。例如，其中第一外力F1施加到掩模111和基础衬底BS的方向与其中第二外力F2施加到掩模111和基础衬底BS的方向彼此相反，当第一外力F1的绝对值与第二外力F2的绝对值相同时，由掩模111、静电卡盘130和基础衬底BS的重力生成的第一外力F1可被由板150和静电卡盘130的磁体MG生成的第二外力F2抵消。相应地，能够减少(例如，消除)掩模111和基础衬底BS的翘曲现象。为了相等地设置第一外力F1的绝对值和第二外力F2的绝对值，可确定磁体MG的数量、尺寸、位置和/或性质。这将参照图5至图7进行详细描述。

在图4A中，示出了静电卡盘130包括沿着第一方向DR1连续地布置在磁性区域MGA中并且在第二方向DR2上长长地延伸的三个磁体MG。然而，包括在静电卡盘130中的磁体MG的数量不限于此。

例如，进一步参照图5，静电卡盘130_1可包括沿着第一方向DR1和第二方向DR2中的每个连续地布置并且在第一方向DR1上长长地延伸的九个磁体MG_1。

如上所述，包括在静电卡盘130中的磁体MG的数量可被不同地设置，并且本公开不限于上述实例。再例如，为了相等地设置参照图3描述的第一外力F1的绝对值和第二外力F2的绝对值，可确定包括在静电卡盘130中的磁体MG的尺寸、数量等。

在下文中，为了描述的便利，将主要描述静电卡盘130包括三个磁体MG并且三个磁体MG布置在磁性区域MGA的边区域和中心区域中的情况。

图6是示意性地示出包括在图1中所示的沉积设备中的静电卡盘的实例的平面图。此处，“平面图”是第三方向DR3(即，静电卡盘130的厚度方向)上的视图。图6是更详细地示出包括在静电卡盘130中的磁体MG的性质的视图。

参照图1至图6，静电卡盘130可包括布置在磁性区域MGA中的磁体MG。

磁性区域MGA可包括第一区域MGA_C(或中心区域)和与静电卡盘130的相对的部分对应的两个第二区域MGA_S(或边区域)。两个第二区域MGA_S可在第一方向DR1上相对于第一区域MGA_C布置在相对的位置上。

磁体MG可包括布置在磁性区域MGA的第一区域MGA_C中的第一磁体MG1和布置在第二区域MGA_S中的第二磁体MG2。

在实施方式中，第一磁体MG1的磁性可强于第二磁体MG2的磁性。例如，第一磁体MG1的磁导率和磁化率可分别大于第二磁体MG2的磁导率和磁化率。随着磁体MG的磁导率变得更大，通过响应于外部磁场(例如，由包括在板150中的永磁体生成的磁场)而生成的磁通量密度的值变得更大。随着磁体MG的磁化率变得更大，由外部磁场(例如，由包括在板150中的永磁体生成的磁场)生成的磁体MG的磁化程度变得更大。因此，随着磁体MG的磁导率和磁化率变得更大，磁体MG的磁性可变得更强。也就是说，第一磁体MG1的磁性可强于第二磁体MG2的磁性。

由于第一磁体MG1的磁性强于第二磁体MG2的磁性，因此由板150施加到静电卡盘130的磁力在第一区域MGA_C中可比在第二区域MGA_S中大。例如，由于第一磁体MG1与第二磁体MG2之间的磁性的差异，在向上方向(例如，第三方向DR3)上施加到静电卡盘130的第二外力F2(或磁力)的大小可随着从静电卡盘130的相对端部变得更靠近中心部分而变得更大。

如参照图1所述，由于支承构件120和掩模框架112仅支承掩模111的两侧(例如，一侧和与该一侧相对的另一侧)，因此在静电卡盘130中不存在磁体MG的情况下，用于在向上方向(例如，第三方向DR3)上支承掩模111和基础衬底BS的支承力可随着变得距离掩模111的两侧更远而变得更弱。

更具体地，具有实质上相同大小的重力在整个区域上作用在掩模111和基础衬底BS上，但是由支承构件120和掩模框架112生成的在向上方向(例如，第三方向DR3)上的支承力的大小随着变得距离支承构件120和掩模框架112更远(即，随着变得更靠近掩模111和基础衬底BS的中心部分)而减小。因此，作用在掩模111和基础衬底BS上的在向下方向(例如，第三方向DR3的相反方向)上的净力(例如，重力和支承力之和的净力)，可随着变得更靠近基础衬底BS的中心部分而变得更大。

包括在根据本公开的实施方式的沉积设备100中的静电卡盘130包括相对于区域具有不同磁性的磁体，使得遍及掩模111和基础衬底BS的整个区域，具有相同值的净力(例如，实质上具有0的大小的净力)能够作用在掩模111和基础衬底BS上。

例如，根据第一磁体MG1与第二磁体MG2之间的磁性的差异，与第一区域MGA_C(或中心区域)对应地生成的磁力的大小大于与第二区域MGA_S(或边区域)对应地生成的磁力的大小，并且因此，遍及掩模111和基础衬底BS的整个区域，具有相同值的净力(例如，实质上具有0的大小的净力)能够作用在掩模111和基础衬底BS上。相应地，能够更有效地减少(或消除)掩模111和基础衬底BS的翘曲现象。

图7是示意性地示出包括在图1中所示的沉积设备中的静电卡盘的另一实例的平面图。图7是更详细地示出包括在静电卡盘130_2中的磁体MG_2的尺寸的视图。

参照图1至图5和图7，静电卡盘130_2可包括布置在磁性区域MGA中的磁体MG_2。

磁体MG_2可包括布置在第一区域MGA_C中的第一磁体MG1_1和布置在第二区域MGA_S中的第二磁体MG2_1。

在实施方式中，在平面图中第一磁体MG1_1的尺寸(或面积)可大于第二磁体MG2_1的尺寸(或面积)。随着磁体MG_2的尺寸(或面积)变得更大，通过响应于外部磁场(例如，由包括在板150中的永磁体生成的磁场)而生成的磁力的大小可变得更大。

由于在平面图中第一磁体MG1_1的尺寸(或面积)大于第二磁体MG2_1的尺寸(或面积)，因此由板150施加到静电卡盘130_2的磁力在第一区域MGA_C中可比在第二区域MGA_S中大。例如，在向上方向(例如，第三方向DR3)上施加到静电卡盘130_2的第二外力F2(或磁力)的大小可随着从静电卡盘130_2的相对端部变得更靠近中心部分而变得更大。

包括在根据本公开的实施方式的沉积设备100中的静电卡盘130_2包括相对于区域具有不同尺寸(或面积)的磁体MG_2，使得遍及掩模111和基础衬底BS的整个区域，具有相同值的净力(例如，实质上具有0的大小的净力)能够作用在掩模111和基础衬底BS上。

在实例中，第一磁体MG1_1和第二磁体MG2_1可具有不同长度的一条边(例如，与第一方向DR1平行的边)。例如，第一磁体MG1_1和第二磁体MG2_1具有矩形形状，并且具有相同长度的纵向边(例如，相同长度的与第二方向DR2平行的边)。然而，第一磁体MG1_1和第二磁体MG2_1可具有不同长度的纵向边(例如，不同长度的与第二方向DR2平行的边)。

例如，第一磁体MG1_1的与第一方向DR1平行的横向边的第一长度d1可比第二磁体MG2_1的与第一方向DR1平行的横向边的第二长度d2长。在平面图中第一磁体MG1_1的尺寸(或面积)可大于第二磁体MG2_1的尺寸(或面积)。

然而，这仅为说明性的，并且第一磁体MG1_1和第二磁体MG2_1的形状不限于此。只要第一磁体MG1_1的尺寸(或面积)大于第二磁体MG2_1的尺寸(或面积)，具有各种形状的第一磁体MG1_1和第二磁体MG2_1可提供(或布置)在静电卡盘130_2中。例如，第一磁体MG1_1和第二磁体MG2_1可具有不同的形状，以使得在平面图中第一磁体MG1_1的尺寸(或面积)大于第二磁体MG2_1的尺寸(或面积)。在另一实例中，磁体(例如，第一磁体MG1_1)仅提供(或布置)在与静电卡盘130_2的中心区域对应的第一区域MGA_C中，并且可不提供(或布置)在与静电卡盘130_2的边区域对应的第二区域MGA_S中。

图8是示意性地示出根据本公开的实施方式的沉积设备的剖面图。

在图8中，将主要对与上述实施方式的部分不同的部分进行描述以避免冗余。图8中所示的实施方式中未特别描述的部分遵循上述实施方式的那些部分。另外，相同的附图标记指示相同的部件，并且相似的附图标记指示相似的部件。

图8示出了图1中所示的实施方式的与在其处提供(或布置)磁体MG_3的位置相关的变形实施方式。

参照图1和图8，沉积设备100_1可包括室CH、传送部DM、掩模组件110、支承构件120、静电卡盘130_3、驱动部140、连接构件145、板150和沉积源160。

磁体MG_3可提供(或布置)在限定在静电卡盘130_3内部的内部凹槽GRV_1中。

在实施方式中，磁体MG_3提供(或布置)在静电卡盘130_3的内部凹槽GRV_1中，并且可提供(或布置)成与静电卡盘130_3的上表面(例如，第一表面SF1)相邻。

例如，磁体MG_3可包括第三表面SFM_U(或上表面)和第四表面SFM_D(或下表面)，并且磁体MG_3的第三表面SFM_U可与静电卡盘130_3的第一表面SF1接触。也就是说，由磁体MG_3的第三表面SFM_U限定的平面和由静电卡盘130_3的第一表面SF1限定的平面可为相同的平面。换言之，磁体MG_3的第三表面SFM_U和静电卡盘130_3的第一表面SF1可存在于相同的平面上，并且磁体MG_3的第三表面SFM_U可与静电卡盘130_3的第一表面SF1对齐。

磁体MG_3提供(或布置)成与静电卡盘130_3的上表面(例如，第一表面SF1)相邻，并且因此，与图1中的实施方式相比，磁体MG_3与板150之间的距离可减小。磁体MG_3与板150之间生成的磁力的大小可增加。相应地，尽管与图1中的实施方式相比，使用具有相对小的尺寸(或面积)的磁体MG_3和/或尽管使用具有相对弱的磁性的磁体MG_3，但是在磁体MG_3与板150之间能够生成具有足够大小的磁力。相应地，能够节省沉积工艺的成本。

图9是示意性地示出根据本公开的实施方式的沉积设备的剖面图。

在图9中，将主要对与上述实施方式的部分不同的部分进行描述以避免冗余。图9中所示的实施方式中未特别描述的部分遵循上述实施方式的那些部分。另外，相同的附图标记指示相同的部件，并且相似的附图标记指示相似的部件。

图9示出了图1中所示的实施方式的与连接构件145_1相关的变形实施方式。

参照图1和图9，沉积设备100_2可包括室CH、传送部DM、掩模组件110、支承构件120、静电卡盘130、驱动部140、连接构件145_1、板150和沉积源160。

连接构件145_1可覆盖静电卡盘130的上表面(例如，第一表面SF1)并且与静电卡盘130的上表面(例如，第一表面SF1)接触，以将静电卡盘130和驱动部140彼此连接。

在实施方式中，连接构件145_1可不暴露静电卡盘130的上表面(例如，第一表面SF1)。连接构件145_1可联接到静电卡盘130的上表面(例如，第一表面SF1)。

在实施方式中，连接构件145_1可在其中限定供板150安放在其上的凹槽部IG。板150安放在连接构件145_1中所提供的凹槽部IG上，以允许基础衬底BS和掩模111彼此紧密地粘附。

图10是示意性地示出根据本公开的实施方式的沉积设备的剖面图。

在图10中，将主要对与上述实施方式的部分不同的部分进行描述以避免冗余。图10中所示的实施方式中未特别描述的部分遵循上述实施方式的那些部分。另外，相同的附图标记指示相同的部件，并且相似的附图标记指示相似的部件。

图10示出了图1中所示的实施方式的与辅助板170相关的变形实施方式。

参照图1和图10，沉积设备100_3可包括室CH、传送部DM、掩模组件110、支承构件120、静电卡盘130、驱动部140、连接构件145、板150(或第一板)和沉积源160。

在实施方式中，与图1中的实施方式相比，沉积设备100_3还可包括提供在静电卡盘130与板150之间的辅助板170(或第二板)。例如，辅助板170可联接到板150的一个表面(例如，下表面)。

辅助板170可布置在静电卡盘130与板150之间以通过自重对基础衬底BS施压。例如，随着板150朝向基础衬底BS移动，辅助板170能够通过在磁力施加到掩模111之前，用自重对基础衬底BS施压来提高基础衬底BS与掩模111之间的紧密粘附力。

根据本公开，沉积设备包括包含至少一个磁体的静电卡盘(ESC)。相应地，通过静电卡盘的磁体与板之间生成的磁力减少(或消除)掩模和作为沉积目标的基础衬底的翘曲现象，从而能够改善工艺偏差和产率。

而且，根据本公开，包括在沉积设备中的静电卡盘包括相对于区域具有不同磁性和/或不同尺寸的磁体，以使得具有相同值的净力(例如，实质上具有0的大小的净力)能够遍及掩模和基础衬底的整个区域而作用在掩模和基础衬底上。相应地，能够更有效地减少(或消除)掩模和基础衬底的翘曲现象。

本文中已公开了示例性实施方式，并且尽管采用了特定术语，但是它们仅在一般和描述性意义使用和解释，而不是用于限制的目的。在一些情况下，如对于本领域普通技术人员将显而易见的是，自提交本申请起，除非另有具体指示，否则结合特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。相应地，本领域技术人员将理解，在不背离如所附的权利要求书中所记载的本公开的精神和范围的情况下，可进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种沉积设备，所述沉积设备用于将沉积材料沉积在布置在掩模上的基础衬底上，所述沉积设备包括：

掩模组件，所述掩模组件包括掩模框架和所述掩模，所述掩模框架在其中限定开口并且围绕所述开口，所述掩模布置在所述掩模框架上；

静电卡盘，所述静电卡盘布置在所述基础衬底上；以及

板，所述板布置在所述静电卡盘上，

其中，所述静电卡盘包括多个磁体，以及

其中，所述多个磁体之中的至少一个磁体的磁性与所述多个磁体之中除所述至少一个磁体以外的其余磁体的磁性不同。

2.如权利要求1所述的沉积设备，其中，所述静电卡盘包括磁性区域，以及

其中，所述磁性区域包括：

第一区域，所述第一区域与所述磁性区域的中心区域对应；以及

第二区域，所述第二区域布置在所述第一区域的一侧处。

3.如权利要求2所述的沉积设备，其中，所述多个磁体包括布置在所述第一区域中的第一磁体和布置在所述第二区域中的第二磁体，以及

其中，所述第一磁体的磁性大于所述第二磁体的磁性。

4.如权利要求3所述的沉积设备，其中，所述第一磁体的磁导率大于所述第二磁体的磁导率。

5.如权利要求3所述的沉积设备，其中，所述第一磁体的磁化率大于所述第二磁体的磁化率。

6.如权利要求2所述的沉积设备，其中，在平面图中，所述磁性区域与所述板重叠。

7.如权利要求1所述的沉积设备，其中，所述板包括永磁体。

8.如权利要求1所述的沉积设备，其中，所述静电卡盘在其中限定多个内部凹槽，以及

其中，所述多个磁体分别布置在所述多个内部凹槽中。

9.如权利要求1所述的沉积设备，其中，所述静电卡盘包括面对所述板的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，以及

其中，所述多个磁体布置成与所述第二表面相比更靠近所述第一表面。

10.如权利要求9所述的沉积设备，其中，所述多个磁体布置成与所述第一表面间隔开特定距离。

11.如权利要求9所述的沉积设备，其中，所述多个磁体中的每个包括面对所述板的第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，以及

其中，所述第三表面与所述第一表面共面。

12.如权利要求1所述的沉积设备，其中，所述至少一个磁体中的每个的尺寸与所述其余磁体中的每个的尺寸不同。

13.一种沉积设备，所述沉积设备用于将沉积材料沉积在布置在掩模上的基础衬底上，所述沉积设备包括：

掩模组件，所述掩模组件包括掩模框架和所述掩模，所述掩模框架在其中限定开口并且围绕所述开口，所述掩模布置在所述掩模框架上；

静电卡盘，所述静电卡盘布置在所述基础衬底上；以及

板，所述板布置在所述静电卡盘上，

其中，所述静电卡盘包括多个磁体，以及

其中，所述多个磁体之中的至少一个磁体中的每个的尺寸与所述多个磁体之中除所述至少一个磁体以外的其余磁体中的每个的尺寸不同。

14.如权利要求13所述的沉积设备，其中，所述静电卡盘包括磁性区域，以及

其中，所述磁性区域包括：

第一区域，所述第一区域与所述磁性区域的中心区域对应；以及

第二区域，所述第二区域布置在所述第一区域的一侧处。

15.如权利要求14所述的沉积设备，其中，所述多个磁体包括布置在所述第一区域中的第一磁体和布置在所述第二区域中的第二磁体，以及

其中，所述第一磁体的尺寸大于所述第二磁体的尺寸。

16.如权利要求14所述的沉积设备，其中，在平面图中，所述磁性区域与所述板重叠。

17.如权利要求14所述的沉积设备，其中，所述静电卡盘包括面对所述板的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，以及

其中，所述多个磁体布置成与所述第二表面相比更靠近所述第一表面。

18.如权利要求17所述的沉积设备，其中，所述多个磁体布置成与所述第一表面间隔开特定距离。

19.如权利要求17所述的沉积设备，其中，所述多个磁体中的每个包括面对所述板的第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，

其中，所述第三表面与所述第一表面共面。

20.如权利要求13所述的沉积设备，其中，所述至少一个磁体的磁性与所述其余磁体的磁性不同。