CN117568744A - 掩模制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及掩模制造方法。根据本发明的掩模制造方法为OLED像素形成用掩模制造方法，包括以下步骤：(a)准备掩模金属膜；(b)在掩模金属膜的第一面上形成第一绝缘部；(c)在与掩模金属膜的第一面相对的第二面上形成第二绝缘部；(d)对第一绝缘部和第二绝缘部进行图案化，以使多个图案之间具有空间；(e)在掩模金属膜的第一面上通过第一绝缘部图案间的空间在掩模金属膜上形成副掩模图案；(f)在掩模金属膜的第二面上通过第二绝缘部图案间的空间在掩模金属膜上形成主掩模图案。

Description

掩模制造方法

技术领域

本发明涉及掩模制造方法。更具体地，涉及一种可在长条掩模上稳定地形成掩模图案的掩模制造方法。

背景技术

作为OLED制造工艺中形成像素的技术，主要使用FMM(Fine Metal Mask，精细金属掩模)方法，该方法将薄膜形式的金属掩模(Shadow Mask，阴影掩模)紧贴于基板并且在所需位置上沉积有机物。

在现有的OLED制造工艺中，将掩模制造成条状、板状等后，将掩模焊接固定到OLED像素沉积框架上并使用。一个掩模上可以具有与一个显示器对应的多个单元。

在超高画质的OLED中，现有的QHD画质为500-600PPI(pixel per inch，每英寸像素)，像素的尺寸达到约30至50μm，而4KUHD、8KUHD高画质具有比之更高的-860PPI，-1600PPI等的分辨率。如此，考虑到超高画质的OLED的像素尺寸，需要将各单元之间的对准误差缩减为数μm左右，超出这一误差将导致产品的不良，所以收率可能极低。

此外，随着OLED大面积化及高分辨率化，掩模需要厚度更薄且面积更大。为了在大面积的掩模上形成掩模图案，一般采用在轧制的掩模金属膜上进行蚀刻的方法。或者，可采用将大面积的掩模放置到特定支撑板之后，只朝一方向进行蚀刻并形成掩模图案的方法。然而，现有方法难以在大面积条状掩模的所有部分，特别难以在各单元之间形成均匀的掩模图案，由于只朝一方向进行蚀刻，因此很难精确地控制掩模图案的宽度、深度等。

因此，现实情况需要一种既可用于大面积的像素工艺中又具有微细掩模图案以进行高画质的像素工艺的条状掩模制造方法。

发明内容

技术问题

本发明为了解决如上所述的诸多现有技术问题而提出，其目的在于提供一种制造条状掩模时可稳定地形成掩模图案的掩模制造方法。

此外，本发明的目的在于，提供一种在制造条状掩模过程中通过向两个方向进行蚀刻从而可精确地控制掩模图案的宽度、深度等的掩模制造方法。

此外，本发明的目的在于，提供一种能够缩减用于制造条状掩模的生产成本且能够灵活地应对各种掩模产品群的掩模制造方法。

但是，上述技术问题仅为示例性的，本发明的范围并不受限于此。

解决问题的技术方案

本发明的上述目的通过掩模制造方法来实现，所述掩模用于形成OLED像素，该方法包括以下步骤：(a)准备掩模金属膜；(b)在掩模金属膜的第一面上形成第一绝缘部；(c)在与掩模金属膜的第一面相对的第二面上形成第二绝缘部；(d)对第一绝缘部和第二绝缘部进行图案化，以使多个图案之间具有空间；(e)在掩模金属膜的第一面上通过第一绝缘部图案间的空间在掩模金属膜上形成副掩模图案；(f)在掩模金属膜的第二面上通过第二绝缘部图案间的空间在掩模金属膜上形成主掩模图案。

步骤(a)可以为通过将卷绕的金属片材剪切为对应一个或者多个单元的尺寸来准备掩模金属膜的步骤。

在步骤(a)和步骤(b)之间，对掩模金属膜的一面或者两面进行厚度缩减工艺。

在步骤(b)中，在支撑基板上可粘合掩模金属膜，并可将第一绝缘部夹设在支撑基板与掩模金属膜之间。

在步骤(b)和步骤(c)之间，在与掩模金属膜的第一面相对的第二面上可进行厚度缩减工艺。

厚度缩减工艺可以只在掩模金属膜中作为掩模图案形成区域的掩模单元区域进行，而不在掩模单元区域以外的虚设区域进行。

第一绝缘部和第二绝缘部可以为干膜抗蚀剂。

第一绝缘部和第二绝缘部可具有大于掩模金属膜的尺寸且可覆盖掩模金属膜。

通过对第一绝缘部和第二绝缘部两侧端向外侧方向施加拉力，可使掩模金属膜绷紧地展开。

第一绝缘部和第二绝缘部的曝光可分别对与掩模金属膜的掩模单元对应的每个单位区域分阶段进行。

在对应一个或者两个掩模单元的区域进行第一绝缘部和第二绝缘部的曝光之后，通过移动绝缘部和掩模金属膜的结合体，在与上一次曝光的掩模单元相邻的掩模单元对应的区域进行第一绝缘部和第二绝缘部的曝光。

第一绝缘部的图案间隔可小于第二绝缘部的图案间隔。

在步骤(d)与步骤(e)之间，可执行通过在第二绝缘部的上部夹设临时粘合部来粘合支撑基板的步骤。

在步骤(e)中，副掩模图案可形成为不贯穿掩模金属膜。

在(e)步骤与(f)步骤之间，可进一步包括：(1)去除第一绝缘部的步骤；(2)通过在掩模金属膜的第一面上夹设临时粘合部以粘合支撑基板的步骤；

在步骤(f)中，主掩模图案可形成为贯穿掩模金属膜，并由主掩模图案和副掩模图案之和构成掩模图案。

技术效果

根据本发明，具有在制造掩模时可稳定地形成掩模图案的效果。

此外，根据本发明，在制造条状掩模的过程中朝两个方向进行蚀刻，从而具有可精确地控制掩模图案的宽度、深度等的效果。

此外，根据本发明，具有能够缩减制造条状掩模的生产成本且能够灵活地应对各种掩模产品群的效果。

当然，本发明的范围并不受限于上述效果。

附图说明

图1是将掩模附着在框架上的过程示意图。

图2是根据本发明一实施例的掩模金属膜的准备过程示意图。

图3至图6是根据本发明一实施例的掩模制造过程的示意图。在各步骤中上方附图是示意性俯视图，下方附图是示意性侧截面图。

图7是根据本发明的多个实施例的绝缘部的曝光过程示意图。

附图标记：

50、51、52:支撑基板

60、61、65:绝缘部、第一绝缘部、第二绝缘部

62、66:第一绝缘部图案间的空间、第二绝缘部图案间的空间

100:掩模

110:掩模金属膜

C:单元、掩模单元

P:掩模图案

P1.主掩模图案

P2.副掩模图案

具体实施方式

对本发明的后述详细说明，可参照作为本发明可实施的特定实施例图示的附图。为了使本领域技术人员能够实施本发明，下面具体说明这些实施例。充分详细地说明这些实施例，以使所属技术领域中具有通常知识者能够实施本发明。本发明的各种实施例应理解为互为不同但不相排斥。例如，在此记载的特定形状、结构及特性可将一实施例在不超出本发明的精神及范围的情况下实现为其他实施例。另外，公开的每一个实施例中的个别组成要素的位置或布置应理解为在不超出本发明精神及范围情况下可进行变更。因此，以下详细说明并非用于限定本发明，只要能适当地说明，本发明的范围仅由所附的权利要求和与其等同的所有范围限定。附图中类似的附图标记通过各个方面指代相同或类似的功能，为了方便起见，长度、面积及厚度等及其形态还可夸大表示。

下面，为了能够使本领域技术人员容易实施本发明，参照附图对本发明涉及的优选实施例进行详细说明。

图1是将掩模10附着于框架20的过程示意图。

现有的掩模10为条状(Stick-Type)或者板状(Plate-Type)，图1的条状掩模10可以将条的两侧焊接固定到OLED像素沉积框架上并使用。掩模10的主体(Body，或者掩模膜11)具有多个显示单元C。一个单元C与智能手机等的一个显示器对应。单元C中形成有像素图案P，以便与显示器的各个像素对应。

参照图1的(a)，沿着条状掩模10的长轴方向施加拉力F1-F2，并在展开的状态下将条状掩模10装载到方框形状的框架20上。条状掩模10的单元C1-C6位于框架20的框内部空白区域。

参照图1的(b)，微调施加到条状掩模10各侧的拉力F1-F2的同时进行对准，之后通过焊接W条状掩模10侧面的一部分，使条状掩模10和框架20彼此连接。图1的(c)示出彼此连接的条状掩模10和框架的侧截面。

将由多个条状掩模10和框架20相互连接的连接体紧贴或者靠近布置在OLED像素沉积装置的待形成OLED像素的目标基板上后，可在条状掩模10的下部沉积有机物源。有机物源可作为OLED的像素使用，所述有机物源穿过掩模10的像素图案P并沉积于待形成OLED像素的目标基板上。

以往，为了在大面积的条状掩模上形成掩模图案，对轧制的掩模金属膜进行蚀刻或者将大面积的条状掩模放置到特定的支撑板上并只朝一个方向进行蚀刻。压延金属膜作为轧制的掩模金属膜，很难对其进行厚度减缩。因此，需要使用在掩模图案形成工艺之前已另行厚度缩减的材料或者在掩模图案形成工艺之后进行厚度缩减工艺，十分麻烦。此外，轧制的掩模金属膜由于其两端缠绕在支撑轴上导致支撑不稳定，因此大面积的条状掩模的各单元间还存在掩模图案不均匀性变大的问题。当只朝一个方向进行蚀刻时，存在很难精确地控制掩模图案的宽度、深度等的问题。

因此，本发明通过朝两个方向对掩模图案进行蚀刻工艺的同时通过支撑基板支撑大面积的掩模或者条状掩模，从而提供能够稳定地进行掩模图案形成工艺并稳定地进行掩模金属膜的厚度缩减工艺的大面积条状掩模的制造方法。

图2是根据本发明一实施例的掩模金属膜110'的准备过程示意图。

参照图2，可准备用于制造条状掩模的掩模金属膜110'。本发明的掩模100(参照图6)中形成有多个掩模图案P，一个掩模100可包括一个或者多个以群集的掩模图案P为单位的单元C。一个掩模单元C可以与智能手机等的一个显示器对应。图6示出了条状掩模100中包括五个掩模单元C(C1至C5)的实施例。

掩模金属膜110'(或者掩模100)也可以是因瓦合金(invar)、超因瓦合金(superinvar)、镍(Ni)、镍-钴(Ni-Co)等材料。掩模金属膜110'(或者掩模100)可使用利用压延(rolling)工艺或者电铸(electroforming)生成的金属片材(sheet)。

作为掩模金属膜110'原材料的金属片材30可以为卷绕在卷取辊41的状态。金属片材30基于辊子42以平整的状态移送，并基于剪切手段45剪切成适当的尺寸，以准备掩模金属膜110'。剪切的掩模金属膜110'的尺寸可对应条状掩模100的尺寸或者略大一些。本发明通过利用从卷绕的金属片材30剪切且包括一个或者多个单元C尺寸的掩模金属膜110'进行掩模图案P的形成工艺，相比于以轧制状态对轧制的掩模金属膜进行蚀刻的现有工艺，具有操控容易的优点。此外，根据不同的新产品、开发中的产品，单元C尺寸式样发生变化时，具有可灵活应对的优点。此外，以轧制状态进行蚀刻的工艺在整个卷中只能生产单一产品，相反地，本发明可采用单片式方法制造条状掩模100，具有便于多品种少量生产的优点。此外，对于以轧制状态进行蚀刻的工艺，由于在连续工艺中金属片材各部分特性产生偏差，会加大金属片材的浪费，如将偏差部分整个废弃掉后再进行工艺。相反地，本发明由于采用单片式方法剪切掩模金属膜110'并使用，因此具有能够显著地减少金属片材的浪费的优点。

图3至图6是根据本发明一实施例的掩模100的制造过程示意图。在各步骤中，上方附图是示意性俯视图，下方附图是示意性侧截面图。

参照图3的(a)，可将图2中准备的掩模金属膜110'粘合在支撑基板50上。此时，支撑基板50和掩模金属膜110'之间可夹设第一绝缘部60:61。第一绝缘部61优选为光刻胶，更优选为干膜抗蚀剂(dry film resist，DFR)。此外，第一绝缘部60与支撑基板50之间还可以进一步夹设能够提供粘合力的附加粘合手段，如液蜡(liquid wax)、酒精、水等。对于附加粘合手段而言，只要在掩模金属膜110'的厚度缩减PS过程能够将掩模金属膜110'固定在支撑基板50上，对其材质没有限制。

接着，在支撑基板50上粘合并支撑掩模金属膜110'的状态下，可进行厚度缩减PS工艺。利用厚度缩减工艺PS(或者平坦化工艺)可对掩模金属膜110'的一面(下部面)进行镜面化的同时通过部分去除掩模金属膜110'来缩减厚度。厚度缩减PS可采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)方法进行，可使用悉知的CMP方法且没有特别限制。此外，也可以通过化学湿蚀刻(chemical wet etching)或者干蚀刻(dry etching)方法缩减PS掩模金属膜110'的厚度。除此之外，只要是能够缩减掩模金属膜110'厚度的平坦化工艺皆可使用，对其没有限制。

经压延工艺制造的掩模金属膜110'具有大于数十μm的厚度，为了制造具有高分辨率的掩模，需要缩减厚度。掩模金属膜110'中心部的粒子相比于表面部更加规则，因此，对于旨在形成掩模图案P的蚀刻而言，更为有利。此外，为了控制表面特性、厚度，经电铸工艺制造的掩模金属膜110'同样可进行厚度缩减或者平坦化工艺。随着掩模金属膜110'厚度的缩减，掩模金属膜110'->110的厚度可为5μm至25μm。作为一示例，将40μm厚度的掩模金属膜110'进行厚度缩减PS之后，可制成25μm厚度的掩模金属膜110。

由于支撑基板50粘合并支撑掩模金属膜110'，因此具有可稳定地进行厚度缩减PS工艺的优点。厚度缩减PS可只对用于形成掩模图案P的区域即掩模单元C区域进行，这样以来，在掩模单元C区域以外的虚设部区域，焊接部(未图示)相对形成得较厚，因此，将掩模100焊接到框架(未图示)上时，焊接能够稳定地进行。

另外，还可以粘合到支撑基板50之后不进行厚度缩减PS，而是直接使用在进行图2的掩模金属膜110'的剪切工艺后，通过额外的工艺对掩模金属膜110'的一面或者两面进行厚度缩减PS得到的厚度缩减后的掩模金属膜110。

接下来，参照图3的(b)，可将掩模金属膜110从支撑基板50上分离。由于掩模金属膜110的下部面(第一面)与第一绝缘部61粘合，因此只通过将第一绝缘部61从支撑基板50分离便可将第一绝缘部61和掩模金属膜110的结合体同时从支撑基板50分离。尤其，当第一绝缘部61为干膜抗蚀剂(dry film resist，DFR)时，只将薄膜从支撑基板50分离，从而具有可简化工艺的优点。

然后，可在掩模金属膜110的上部面(第二面)上形成第二绝缘部65。第二绝缘部65优选具有与第一绝缘部61相同的材质，更优选为DFR。第一绝缘部61和第二绝缘部65可包覆掩模金属膜110的上部面和下部面。即，绝缘部60可覆盖掩模金属膜110以使其布置于绝缘部内部。

另外，还可以在从支撑基板50分离掩模金属膜110和第一绝缘部61之前，在掩模金属膜110的上部面形成第二绝缘部65之后，从支撑基板50分离掩模金属膜110和绝缘部60(61、65)。

接下来，参照图4的(c)，可在掩模金属膜110的第一面和第二面(下部面和上部面)上形成图案化的第一绝缘部61和第二绝缘部65。图案化可在第一绝缘部61和第二绝缘部65同时进行，也可单独进行。此外，还可以如下面的图7中所描述，分别按照第一绝缘部61、第二绝缘部65的单位区域进行图案化。第一绝缘部61的图案间的空间62和第二绝缘部65的图案间的空间66可布置为与多个掩模单元[作为一实施例，五个掩模单元C1至C5]对应。

如后所述，第一绝缘部61作为形成副掩模图案P2的图案，第二绝缘部65作为形成主掩模图案P1的图案，第一绝缘部61的图案间隔(图案间的空间62宽度)优选小于第二绝缘部65的图案间隔(图案间的空间66宽度)。或者，图案间的空间62、66设置为相同，且通过控制蚀刻程度使主掩模图案P1和副掩模图案P2具有不同的尺寸。

绝缘部60包覆掩模金属膜110，绝缘部60和掩模金属膜110在相同的平面方向上形成，且绝缘部60可具有大于掩模金属膜110的尺寸。因此，如果利用夹紧手段(未图示)夹紧绝缘部60的两侧端，并向外侧方向施加拉力使其紧绷，则掩模金属膜110也可以随绝缘部60处于紧绷状态。

图7是根据本发明的多个实施例的绝缘部的曝光过程示意图。

绝缘部60和掩模金属膜110以紧绷的状态进行曝光(exposure；PE)、烘焙、显影，从而可形成图案化的第一绝缘部61和第二绝缘部65。此时，如图7的(a)，可一次性地对整个掩模金属膜110进行曝光PE。只是，由于掩模金属膜110为可形成多个单元C的长条状掩模100材料，因此为了一次性地对较长的掩模金属膜110进行曝光PE，需要大规模的曝光装置、曝光掩模等设备。

因此，本发明如图7的(b)，可阶段性地对掩模金属膜110的局部进行曝光PE1->PE2->PE3。准备能够针对一个或者两个单元C进行曝光的小型曝光装置70，并可通过多个阶段S1->S2->S3对掩模金属膜110进行曝光PE。

作为一例，当掩模金属膜110为包括五个单元C(C1至C5)的尺寸时，在第一阶段S1利用曝光装置70对第一单元C1和第二单元C2进行曝光PE1，然后通过移动曝光装置70或者移动绝缘部60/掩模金属膜110的结合体，并在第二阶段S2利用曝光装置70对第三单元C3和第四单元C4进行曝光PE2，然后在第三阶段S3利用曝光装置70对第五单元C5进行曝光PE3。

如此，针对绝缘部60/掩模金属膜110的结合体，可通过夹紧绝缘部60的两端进行固定的状态下阶段性地对部分掩模金属膜110进行曝光PE，因此具有可减小设备的尺寸和费用的优点。

接下来，参照图4的(d)，可在掩模金属膜110的第一面(下部面)上形成副掩模图案P2。副掩模图案P2可通过对形成于掩模金属膜110第一面(下部面)的第一绝缘部61的图案间的空间62进行蚀刻而形成。副掩模图案P2可形成于掩模金属膜110的各掩模单元C区域，蚀刻可使用干蚀刻、湿蚀刻等方法，对其没有特别限制。

作为一示例，当采用湿蚀刻时，因各向同性蚀刻产生底切(undercut)，从而副掩模图案P2的宽度可大于第一绝缘部61的图案间的空间32宽度。因此，副掩模图案P2相对于掩模金属膜110的厚度优选以十分薄的厚度形成。即，为了使掩模金属膜110不被贯穿，以十分薄的厚度进行蚀刻，从而接近作为预设值的掩模图案P下部宽度。根据一实施例，以约20μm厚度的掩模金属膜110为基准，副掩模图案P2的厚度小于5μm，优选小于2μm。副掩模图案P2的宽度可为10-25μm。

为了形成副掩模图案P2而进行蚀刻之前，可通过在绝缘部60的上部面夹设临时粘合部55来粘合支撑基板51。即，可利用支撑基板51和临时粘合部55堵住第二绝缘部65的图案间的空间66。因此，在副掩模图案P2的蚀刻工艺中可防止蚀刻液渗入第二绝缘部65的图案间的空间66。

临时粘合部55可使用基于加热可分离的粘合剂、基于UV照射可分离的粘合剂，可优选使用基于UV照射可分离的薄膜。

接下来，参照图5的(e)，可去除第一绝缘部61。当第一绝缘部61为DFR时，可通过分离薄膜来去除第一绝缘部61。如果去除第一绝缘部61则副掩模图案P2可暴露在掩模金属膜110的下部面。

然后，将第二绝缘部65上部的支撑基板51和临时粘合部55分离，可通过将临时粘合部56夹设在掩模金属膜110的下部面来粘合支撑基板52。

掩模金属膜110的第一面(下部面)与支撑基板52可通过中间夹设临时粘合部56来进行粘合。在粘合之前，掩模金属膜110的第一面和/或支撑基板52的上面可预先形成有临时粘合部56。临时粘合部56也可以与临时粘合部55为相同的材质，优选地，可使用基于UV照射可分离的薄膜。

临时粘合部56可填充于暴露在掩模金属膜110的第一面上的副掩模图案P2内。由此，在后述的主掩模图案P1形成过程中可起到防止副掩模图案P2发生变形的作用。在掩模金属膜110上掩模图案P工艺结束且直至制成掩模100之前，临时粘合部能够使掩模金属膜110更加紧密地粘合在支撑基板50的一面并得到支撑。

另外，临时粘合部56与掩模金属膜110之间还可夹设隔板绝缘部(未图示)。隔板绝缘部60在后述形成主掩模图案P1的蚀刻工艺中，可起到防止蚀刻液进入掩模金属膜110与临时粘合部56的界面以损伤临时粘合部56/支撑基板50，以及防止主掩模图案P1产生蚀刻误差的作用。隔板绝缘部可利用不被蚀刻液蚀刻的负型、正型光刻胶材料并可采用打印方式等。此外，为了在湿蚀刻工艺中保持原形，隔板绝缘部还可使用固化负型光刻胶、含有环氧树脂的负型光刻胶等。作为一示例，使用环氧树脂系的SU-8光刻胶、黑色矩阵光刻胶(black matrix)，从而使其在临时粘合部的烘培过程中一并固化。

接下来，参照图5的(f)，可在与掩模金属膜110第一面(下部面)相对的第二面(上部面)上形成主掩模图案P1。主掩模图案P1可通过对形成于掩模金属膜110第二面(上部面)的第二绝缘部65图案间的空间66进行蚀刻而形成。主掩模图案P1能够形成为对应副掩模图案P2。主掩模图案P1可形成于掩模金属膜110的各掩模单元C区域，蚀刻可使用干蚀刻、湿蚀刻等方法，对其方法没有特别限制。

作为一示例，当使用湿蚀刻时，可产生基于各向同性蚀刻的底切(undercut)，因此主掩模图案P1的宽度可大于第二绝缘部65的图案间的空间66宽度。优选考虑上述内容后设定第二绝缘部65的图案间的宽度。根据一实施例，以约20μm厚度的掩模金属膜110为基准，主掩模图案P1的厚度可为15-18μm厚度。主掩模图案P1的宽度可为30-40μm，但不限于此。

主掩模图案P1的蚀刻工艺可进行至形成有副掩模图案P2的界面，即，形成有临时粘合部[或者隔板绝缘部]的部分。主掩模图案P1可连通至副掩模图案P2。

接下来，参照图6的(g)，可去除第二绝缘部66。通过主掩模图案P1的形成将掩模金属膜110贯穿，主掩模图案P1与副掩模图案P2之和可构成掩模图案P。随着多个掩模图案P的形成，掩模金属膜110可作为掩模100而使用。

然后，可进一步进行从支撑基板52分离掩模100的步骤。通过对临时粘合部56进行加热、化学处理、施加超声波、施加UV中至少一个可进行分离，如果支撑基板50与掩模100之间夹设有隔板绝缘部，则可通过去除隔板绝缘部进行分离。由此，可结束包括多个掩模单元C的条状掩模100的制造。

如上所述，本发明在通过支撑基板51、52粘合并支撑掩模金属膜110的状态下，可朝两个方向进行掩模图案P的蚀刻工艺，从而具有可稳定地形成掩模图案P且在大面积的掩模100中使各单元形成均匀的掩模图案P的效果。此外，还具有可稳定地进行掩模金属膜110的厚度缩减工艺的效果。

此外，不针对轧制掩模金属膜进行工艺，通过剪切并使用对应单元尺寸的掩模金属膜，根据不同的新产品、开发中的产品，单元C尺寸式样发生变化时能够灵活地应对，可采用单片式方法制造条状掩模100，具有有利于多品种少量生产的优点，也可利用小规模设备进行工艺，因此具有根据需要能够迅速地反应并搭建和增设产品线的效果。

如上所述，本发明虽然参考附图对优选实施例进行了说明，但是本发明不受所述实施例限制，在不超出本发明精神的情况下本发明所属技术领域的普通技术人员可对其进行各种变形和变更。所述变形例和变更例应视为皆属于本发明及附上的权利要求书的范围。

Claims (16)

1.一种掩模制造方法，该掩模用于形成OLED像素，其中，该方法包括以下步骤：

(a)准备掩模金属膜；

(b)在掩模金属膜的第一面上形成第一绝缘部；

(c)在与掩模金属膜的第一面相对的第二面上形成第二绝缘部；

(d)对第一绝缘部和第二绝缘部进行图案化，以使多个图案之间具有空间；

(e)在掩模金属膜的第一面上通过第一绝缘部图案间的空间在掩模金属膜上形成副掩模图案；

(f)在掩模金属膜的第二面上通过第二绝缘部图案间的空间在掩模金属膜上形成主掩模图案。

2.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，步骤(a)为将卷绕的金属片材剪切为对应一个或者多个单元的尺寸以准备掩模金属膜的步骤。

3.如权利要求2所述的掩模制造方法，其中，在步骤(a)和步骤(b)之间，对掩模金属膜的一面或者两面进行厚度缩减工艺。

4.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，在步骤(b)中，在支撑基板上粘合掩模金属膜，并将第一绝缘部夹设在支撑基板与掩模金属膜之间。

5.如权利要求4所述的掩模制造方法，其中，在步骤(b)和步骤(c)之间，在与掩模金属膜的第一面相对的第二面上进行厚度缩减工艺。

6.如权利要求5所述的掩模制造方法，其中，厚度缩减工艺只在掩模金属膜中作为掩模图案形成区域的掩模单元区域进行，而不在掩模单元区域以外的虚设区域进行。

7.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，第一绝缘部和第二绝缘部为干膜抗蚀剂。

8.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，第一绝缘部和第二绝缘部具有大于掩模金属膜的尺寸且覆盖掩模金属膜。

9.如权利要求8所述的掩模制造方法，其中，通过对第一绝缘部和第二绝缘部两侧端向外侧方向施加拉力，使掩模金属膜绷紧地展开。

10.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，在步骤(d)中，第一绝缘部和第二绝缘部的曝光分别对与掩模金属膜的掩模单元对应的每个单位区域分阶段进行。

11.如权利要求10所述的掩模制造方法，其中，在对应一个或者两个掩模单元的区域进行第一绝缘部和第二绝缘部的曝光之后，通过移动绝缘部和掩模金属膜的结合体，在与上一次曝光的掩模单元相邻的掩模单元对应的区域进行第一绝缘部和第二绝缘部的曝光。

12.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，第一绝缘部的图案间隔小于第二绝缘部的图案间隔。

13.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，在步骤(d)与步骤(e)之间，执行通过在第二绝缘部的上部夹设临时粘合部来粘合支撑基板的步骤。

14.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，在步骤(e)中，副掩模图案形成为不贯穿掩模金属膜。

15.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，在(e)步骤与(f)步骤之间，进一步包括：

(1)去除第一绝缘部的步骤；

(2)通过在掩模金属膜的第一面夹设临时粘合部以粘合支撑基板的步骤。

16.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，在步骤(f)中，主掩模图案形成为贯穿掩模金属膜，并由主掩模图案和副掩模图案之和构成掩模图案。