CN114481018A - 掩模制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及掩模制造方法。本发明的掩模制造方法用于制造OLED像素形成用掩模，该方法包括以下步骤：(a)准备掩模金属膜；(b)在掩模金属膜的至少第一面上形成图案化的第一绝缘部；(c)在掩模金属膜的第一面上通过第一绝缘部图案间的空间形成副掩模图案；(d)通过夹设隔板绝缘部来粘合形成有副掩模图案的掩模金属膜的第一面与支撑基板；(e)使用与掩模金属膜的第一面相对的第二面上形成的第二绝缘部图案间的空间，在掩模金属膜上形成主掩模图案，从而制造掩模。
Description
技术领域
本发明涉及掩模制造方法。更具体地，涉及一种可在掩模上稳定地形成掩模图案的掩模制造方法。
背景技术
作为OLED(有机发光二极管)制造工艺中形成像素的技术，主要使用精细金属掩模(Fine Metal Mask，FMM)方法，该方法将薄膜形式的金属掩模(Shadow Mask，阴影掩模)紧贴于基板并且在所需位置上沉积有机物。
在现有的OLED制造工艺中，将掩模制造成条状、板状等后，将掩模焊接固定到OLED像素沉积框架并使用。一个掩模上可以具备与一个显示器对应的多个单元。
在超高画质的OLED中，现有的QHD画质为500-600PPI(pixel per inch，每英寸像素)，像素的尺寸达到约30-50μm，而4KUHD、8KUHD高画质具有比之更高的-860PPI，-1600PPI等的分辨率。如此，考虑到超高画质的OLED的像素尺寸，需要将各单元之间的对准误差缩减为数μm左右，超出这一误差将导致产品的不良，所以收率可能极低。
此外，随着OLED大面积化及高分辨率化，掩模需要厚度更薄且面积更大。为了在大面积的掩模上形成掩模图案，一般采用在轧制的掩模金属膜上进行蚀刻的方法。或者，可采用将大面积的掩模放置到特定支撑板之后，只朝一方向进行蚀刻以形成掩模图案的方法。现有方法难以在大面积掩模的整体部分，特别是在各单元之间形成均匀的掩模图案，而由于只朝一方向进行蚀刻，因此很难精确地控制掩模图案的宽度、深度等。
因此，现实情况需要一种既可用于大面积的像素工艺中又具有微细掩模图案以进行高画质的像素工艺的掩模制造方法。
发明内容
技术问题
因此，本发明为了解决如上所述的诸多现有技术问题而提出，其目的在于提供一种在制造掩模时可稳定地形成掩模图案的掩模制造方法。
此外，本发明的目的在于，提供一种在掩模制造过程中通过向两个方向进行蚀刻从而可精确地控制掩模图案的宽度、深度等的掩模制造方法。
技术方案
本发明的上述目的通过掩模制造方法来实现，所述掩模制造方法用于制造OLED像素形成用掩模，该方法包括以下步骤：a)准备掩模金属膜；(b)在掩模金属膜的至少第一面上形成图案化的第一绝缘部；(c)在掩模金属膜的第一面上通过第一绝缘部图案间的空间形成副掩模图案；(d)通过夹设隔板绝缘部来粘合形成有副掩模图案的掩模金属膜的第一面与支撑基板；(e)使用与掩模金属膜的第一面相对的第二面上形成的第二绝缘部图案间的空间，在掩模金属膜上形成主掩模图案，从而制造掩模。
可进一步包括(f)将掩模从支撑基板剥离的步骤。
在步骤(b)中，可在第一面上形成图案化的第一绝缘部及在与第一面反向的第二面上形成图案化的第二绝缘部。
在步骤(c)中，副掩模图案能够以未贯穿掩模金属膜的方式形成。
第一绝缘部的图案间隔可小于第二绝缘部的图案间隔。
在步骤(e)中，主掩模图案能够以贯穿掩模金属膜的方式形成，主掩模图案与副掩模图案之和构成掩模图案。
步骤(a)可包括以下步骤：(a1)准备掩模金属膜；(a2)在掩模金属膜的第二面形成载体部；(a3)在掩模金属膜的第一面上缩减掩模金属膜的厚度。
可进一步包括(a4)在去除掩模金属膜的多个掩模单元区域的两侧虚设部区域的至少一部分形成对准标识的步骤。
在步骤(d)与步骤(e)之间，可进一步包括将载体部从掩模金属膜的第二面剥离的步骤。
第二绝缘部不形成于对准标识上，在步骤(e)中可去除掩模金属膜的对准标识。
步骤(a)可包括以下步骤：(a1)准备掩模金属膜；(a2)在掩模金属膜的第二面上形成载体部；在步骤(d)与步骤(e)之间，在掩模金属膜的第二面上缩减掩模金属膜的厚度。
步骤(b)可以是以掩模金属膜的一个掩模单元区域作为对象，至少在第一面上形成图案化的第一绝缘部的步骤。
步骤(b)可以是以掩模金属膜的多个掩模单元区域作为对象，至少在第一面上形成图案化的第一绝缘部的步骤。
在多个掩模单元区域上可形成主掩模图案和副掩模图案。
有益效果
根据本发明，具有在制造掩模时可稳定地形成掩模图案的效果。
此外，根据本发明，在制造掩模的过程中朝两个方向进行蚀刻，从而具有可精确地控制掩模图案的宽度、深度等的效果。
附图说明
图1是将掩模附着在框架上的过程的示意图。
图2至图5是根据本发明第一实施例的掩模制造过程的示意图。各步骤中上方附图是示意性俯视图，下方附图是示意性截面侧视图。
图6至图8是根据本发明的另一第一实施例的掩模制造过程的示意图。各步骤中上方附图是示意性俯视图，下方附图是示意性截面侧视图。
图9至图12是根据本发明的第二实施例的掩模制造过程的示意图。各步骤中上方附图是示意性俯视图，下方附图是示意性截面侧视图。
图13至图15是根据本发明的另一第二实施例的掩模制造过程的示意图。各步骤中上方附图是示意性俯视图，下方附图是示意性截面侧视图。
附图标记：
31、41：第一绝缘部、第二绝缘部
32、42：第一绝缘部图案间的空间、第二绝缘部图案间的空间
50：支撑基板
60：隔板绝缘部
65、70：载体部
100：掩模
C：单元、掩模单元
DM：虚设部、掩模虚设部
P：掩模图案
P1：主掩模图案
P2：副掩模图案
具体实施方式
本发明的详细说明将参照附图，该附图将能够实施本发明的特定实施例作为示例示出。充分详细地说明这些实施例，以使本领域技术人员能够实施本发明。本发明的各种实施例虽然彼此不同，但是不必相互排斥。例如，在此记载的特定形状、结构及特性与一实施例有关，在不脱离本发明的精神及范围的情况下，能够实现为其他实施例。另外，在不脱离本发明的精神及范围的情况下，公开的实施例中的个别构成要素的位置或配置可进行变更。因此，后述的详细说明不应被视为具有限制意义，本发明的范围仅由所附的权利要求书及与其等同的所有范围限定。图中相似的附图标记从多方面表示相同或相似的功能，为了方便起见，长度、面积、厚度及其形状可夸大表示。
下面，将参照附图对本发明的优选实施例进行详细说明，以便本领域技术人员能够容易实施本发明。
图1是将掩模10附着于框架20的过程的示意图。
现有的掩模10为棒式(Stick-Type)或者板式(Plate-Type)，图1的棒式掩模10可通过将棒的两侧焊接固定于OLED像素沉积框架来使用。掩模10的本体(Body)[或掩模膜11]具有多个显示单元C。一个单元C可对应一个智能手机等的显示器。单元C上形成有与显示器的各像素对应的像素图案P。
参照图1的(a)，通过沿着棒状掩模10的长轴方向施加拉伸力F1-F2，以展开的状态将棒状掩模10装载至四边形框体形状的框架20上。棒状掩模10的单元C1-C6将位于框架20的框体内部空白区域部分。
参照图1的(b)，通过微调施加在棒状掩模10各侧的拉伸力F1-F2并进行对准之后，并通过对棒状掩模10侧面的一部分进行焊接W将棒状掩模10与框架20相互连接。图1的(c)图示了相互连接的棒状掩模10和框架的侧截面。
将由多个条形掩模10和框架20相互连接的连接体紧贴或者靠近布置在OLED像素沉积装置的待形成OLED像素的目标基板上后，可在条形掩模10的下部沉积有机物源。有机物源可作为OLED的像素使用，所述有机物源穿过掩模10的像素图案P沉积于待形成OLED像素的目标基板上。
以往，为了在大面积的条形掩模上形成掩模图案，对轧制的掩模金属膜进行蚀刻或者将大面积的条形掩模放置到特定的支撑板上并只朝一个方向进行蚀刻。轧制金属膜作为轧制的掩模金属膜，很难对其进行厚度减缩。在掩模图案形成工艺之前，需要另行使用用于缩减厚度的材料或者在掩模图案形成工艺之后执行厚度缩减工艺，因此十分麻烦。此外，轧制的掩模金属膜由于其两端缠绕在支撑轴上导致支撑不稳定，因此大面积的条形掩模的各单元间还存在掩模图案不均匀性变大的问题。当只朝一个方向进行蚀刻时，存在很难精确地控制掩模图案的宽度、深度等的问题。
因此，本发明通过朝两个方向对掩模图案进行蚀刻工艺的同时通过支撑基板或者载体部支撑大面积的掩模或者条形掩模，从而提供能够稳定地进行掩模图案形成工艺并稳定地进行掩模金属膜的厚度缩减工艺的掩模制造方法、大面积条形掩模的制造方法。
图2至图5是根据本发明的第一实施例的掩模制造过程的示意图。各步骤中上方附图是示意性俯视图，下方附图是示意性截面侧视图。
首先，参照图2的(a)，可准备用于制造掩模的掩模金属膜110。本发明的掩模100(或者条形掩模100，参照图5)中形成有多个掩模图案P，一个掩模100可包括多个以群集的掩模图案P为单位的单元C。一个掩模单元C可对应一个智能手机等的显示器。图5图示了包括5个掩模单元C的条形掩模100的实施例。
掩模金属膜110(或者掩模100)可以是因瓦合金(invar)、超因瓦合金(superinvar)、镍(Ni)、镍-钴(Ni-Co)等材料。掩模金属膜110(或者掩模100)可使用利用轧制(rolling)工艺或者电铸(electroforming)生成的金属片材(sheet)。金属片材可使用一面或者两面经平坦化或者表面经厚度缩减的片材。而且，可利用CMP方法等执行平坦化、表面厚度缩减工序。通常，对于通过轧制(rolling)生成的金属膜(sheet)的情况而言，表面即，上部面和下部面的结晶粒的形态、方向等与金属膜的中央部存在差异。上层部与下层部通过轧制使晶粒朝轧制方向长长地排列且具有不规则的形态。相反，中央部上的晶粒大体没有方向性且具有球形的形态，因此优选考虑使用中央部。
接着，掩模金属膜110的至少第一面111(作为一示例，掩模金属膜110的下部面)上可形成图案化的第一绝缘部31。第一绝缘部31图案间的空间32可对应掩模单元C地形成。
此外，在与掩模金属膜110第一面111相对的第二面112(作为一示例，掩模金属膜110的上部面)上可形成第二绝缘部41。第二绝缘部41图案间的空间42可对应多个掩模单元C(作为一实施例，5个掩模单元)地形成。
如后所述，第一绝缘部31作为形成副掩模图案P2的图案，第二绝缘部41作为形成主掩模图案P1的图案，第一绝缘部31的图案间隔(图案间的空间32宽度)优选小于第二绝缘部41的图案间隔(图案间的空间42宽度)。
第一绝缘部31和第二绝缘部41可利用打印法等由光刻胶材料形成。将掩模金属膜110的两侧固定在夹持手段(未图示)等中并使其绷紧之后可形成第一绝缘部31和第二绝缘部41。
接着，参照图2的(b)，可在金属膜110的第一面(下部面)上形成副掩模图案P2。副掩模图案P2可通过对形成于掩模金属膜110第一面(下部面)的第一绝缘部31的图案间的空间32进行蚀刻而形成。副掩模图案P2可形成于掩模金属膜110的各掩模单元C区域，蚀刻可使用干蚀刻、湿蚀刻等方法，而且没有特别限制。
作为一示例，当采用湿蚀刻时，因各向同性蚀刻产生底切(undercut)，从而副掩模图案P2的宽度可大于第一绝缘部31的图案间的空间32宽度。因此，副掩模图案P2相对于掩模金属膜110的厚度优选以十分薄的厚度形成。即，以十分薄的厚度进行蚀刻以使掩模金属膜110不被贯穿，以接近作为预设值的掩模图案P下部宽度。根据一实施例，以约20μm厚度的掩模金属膜110为基准，副掩模图案P2的厚度小于5μm，优选小于2μm。副掩模图案P2的宽度可为10-25μm。
接着，参照图3的(c)，可去除掩模金属膜110第一面上的第一绝缘部31。副掩模图案P2可暴露在第一面上。第二绝缘部41也可在此步骤形成，而不在图2的步骤(a)中形成。
接着，参照图3的(d)，准备支撑基板50，并可将掩模金属膜110的第一面粘合在支撑基板50上。支撑基板50优选为面积大于掩模金属膜110的平板状，可由玻璃、石英等材料形成。
第二绝缘部41也可在此步骤形成，而不在图2的步骤(a)中形成。此外，该情况下，在形成第二绝缘部41之前，也可在掩模金属膜110的第二面上进一步进行CMP方法等的平坦化或者厚度缩减工艺。
掩模金属膜110的第一面与支撑基板50可通过中间夹设隔板绝缘部60来粘合。在粘合之前，掩模金属膜110的第一面和/或支撑基板50的上面可预先形成有隔板绝缘部60。隔板绝缘部60与第一绝缘部31和第二绝缘部41一样，可以是光刻胶材料。隔板绝缘部60可填充于暴露在掩模金属膜110的第一面上的副掩模图案P2内。由此，在后述的主掩模图案P1形成过程中可起到防止副掩模图案P2发生变形的作用。
另外，在隔板绝缘部60与支撑基板50之间还可夹设临时粘合部(未图示)。在掩模金属膜110上掩模图案P工艺结束且直至制成掩模100之前，临时粘合部能够使掩模金属膜110更加紧密地粘合在支撑基板50的一面并得到支撑。临时粘合部可使用基于加热可剥离的粘合剂、基于UV照射可剥离的粘合剂。
作为一示例，临时粘合部可使用液蜡(liquid wax)。液蜡可使用半导体晶片的研磨工序等中使用的蜡，其种类没有特别限制。作为主要用于控制与维持力有关的粘合力、耐冲击性等的树脂成分，液蜡可包括如丙烯酸、醋酸乙烯酯、尼龙及各种聚合物的物质及溶剂。作为一示例，临时粘合部可使用包括作为树脂成分的丁腈橡胶(ABR，Acrylonitrilebutadiene rubber)，作为溶剂成分的n-丙醇的SKYLIQUIDABR-4016。液蜡可通过旋转涂布来形成临时粘合部55。
隔板绝缘部60在后述形成主掩模图案P1的蚀刻工艺中，可起到防止蚀刻液进入至掩模金属膜110与临时粘合部的界面以损伤临时粘合部/支撑基板50，以及防止主掩模图案P1产生蚀刻误差的作用。隔板绝缘部60可由不受蚀刻液蚀刻的负型、正型光刻胶材料通过打印方法等形成于掩模金属膜110上。此外，为了在湿蚀刻工艺中保持原形，隔板绝缘部60还可使用固化负型光刻胶、含有环氧树脂的负型光刻胶等。作为一示例，使用环氧树脂系的SU-8光刻胶、黑色矩阵光刻胶(black matrix)，从而使其在临时粘合部的烘培过程中一并固化。
接着，参照图4的(e)，可在与掩模金属膜110第一面(下部面)相对的第二面(上部面)上形成主掩模图案P1。主掩模图案P1可通过对形成于掩模金属膜110第二面(上部面)的第二绝缘部41图案间的空间42进行蚀刻而形成。主掩模图案P1能够以对应副掩模图案P2地形成。主掩模图案P1可形成于掩模金属膜110的各掩模单元C区域，蚀刻可使用干蚀刻、湿蚀刻等方法且没有特别限制。
作为一示例，当使用湿蚀刻时，可产生基于各向同性蚀刻的底切(undercut)，因此主掩模图案P1的宽度可大于第二绝缘部41的图案间的空间42宽度。优选考虑上述内容后设定第二绝缘部41的图案间的宽度。根据一实施例，以约20μm厚度的掩模金属膜110为基准，主掩模图案P1的厚度可为15-18μm厚度。主掩模图案P1的宽度可为30-40μm，但不限于此。
主掩模图案P1的蚀刻工艺可执行至形成有副掩模图案P2的界面，即，形成有隔板绝缘部60的部分。主掩模图案P1可连通至副掩模图案P2。
接着，参照图4的(f)，可去除第二绝缘部41。主掩模图案P1的形成将贯穿掩模金属膜110，主掩模图案P1与副掩模图案P2之和可构成掩模图案P。随着多个掩模图案P的形成，掩模金属膜110可作为掩模100而使用。
接着，参照图5的(g)，可进一步执行从支撑基板50剥离掩模100的步骤。通过去除支撑基板50与掩模100之间的隔板绝缘部60来执行剥离，如果支撑基板50和掩模100是通过临时粘合部进一步粘合的状态，则通过对临时粘合部进行加热、化学处理、施加超声波、施加UV中至少任意一个来进行剥离。
由此，可结束掩模100的制造。
另外，在执行至图4的(f)步骤的状态中还可使用叠层体，所述叠层体通过将掩模100以夹设隔板绝缘部60、临时粘合部(未图示)地粘合在支撑基板50上而形成。此时，在只移动支撑基板50便将掩模100对应至框架(未图示)之后，可将掩模100附着在框架上。框架上附着有掩模100的框架一体型掩模可在OLED像素沉积工艺中使用。此外，为了在支撑基板50上焊接掩模100与框架，可在照射激光的部分上进一步形成激光通过孔(未图示)。
图6至图8是根据本发明的另一第一实施例的掩模制造过程的示意图。在各步骤中上方附图是示意性俯视图，下方附图是示意性截面侧视图。
根据本发明的另一实施例的掩模制造过程可通过改变图2至图5中上述步骤中的一部分来执行。表示为(a1)、(b1)等的步骤对应上述图2至图5的(a)、(b)等的步骤。
参照图6的(a1)，在准备用于制造掩模的掩模金属膜110'之后，可在掩模金属膜110'的第二面(上部面)上形成载体部65、70。载体部可以是形成有临时粘合部65的平板状载体基板70，也可以使用保护膜形态的载体部。此外，掩模金属膜110'除了利用临时粘合部、光刻胶以外还可以夹设酒精、水等或者利用静电方式、磁力方式等粘合在载体基板70上。
接下来，参照图6的(a2)，可在将掩模金属膜110′粘合并支撑在载体部65、70的状态下，执行厚度缩减工艺T。厚度缩减工艺T(或者平坦化工艺)可对掩模金属膜110的一面(下部面)进行镜面化的同时通过部分去除掩模金属膜110来缩减厚度。厚度缩减T可采用CMP(Chemical Mechanical Polishing)方法执行，可使用悉知的CMP方法且没有特别限制。此外，也可以通过化学湿蚀刻(chemical wet etching)或者干蚀刻(dry etching)方法缩减T掩模金属膜110′的厚度。除此之外，只要是能够缩减掩模金属膜110′厚度的平坦化工艺皆可使用，对其没有限制。
经轧制工艺制造的掩模金属膜110′具有数十μm的厚度，为了制造具有高分辨率的掩模，需要缩减厚度。此外，经电铸工艺制造的掩模金属膜110′同样为了控制表面特性、厚度，可执行厚度缩减或者平坦化工艺。随着掩模金属膜110′厚度的缩减，掩模金属膜110'->110的厚度可为5μm至20μm。
载体部65、70粘合并支撑掩模金属膜110′，从而具有可稳定地执行厚度缩减T工艺的优点。厚度缩减可只对用于形成掩模图案P的区域即掩模单元C区域执行，在掩模单元C区域以外的虚设部区域，由于焊接部(未图示)以较厚的厚度形成，因此，将掩模100焊接到框架(未图示)上时具有能够使焊接稳定地进行的优点。
接下来，参照图7的(a3)，可在掩模金属膜110的第一面(下部面)上形成图案化的第一绝缘部31。这与图2的步骤(a)相同，因此省略详细说明。
另外，在形成第一绝缘部31之前，可在除掩模金属膜110的多个掩模单元区域以外的两侧虚设部区域的至少一部分上形成对准标识AM。对准标识AM可形成于两侧虚设部区域以便于在形成主掩模图案P1的步骤[图8的步骤(d1)之后，对应图4的步骤(e)]中去除。从载体部65、70剥离掩模金属膜110之后将其粘合到支撑基板50上，并为了形成与副掩模图案P2对应的主掩模图案P1而形成第二绝缘部41时，可将对准标识AM作为对准的基准使用。对准标识AM也可以如掩模图案P的形成工艺通过蚀刻工艺而形成。对准标识AM能够以贯穿掩模金属膜110状形成，或者通过半蚀刻局部形成。
接下来，参照图7的(b1)，可在金属膜110的第一面(下部面)上形成副掩模图案P2。该过程与图2的(b)步骤相同，因此省略其详细说明。
接下来，参照图8的(c1)，可去除掩模金属膜110第一面上的第一绝缘部31。副掩模图案P2可暴露于第一面。
接下来，参照图8的(d1)，可准备支撑基板50，并将掩模金属膜110的第一面粘合在支撑基板50上。这与图3的(d)步骤相同。只是，隔板绝缘部60不仅填充在副掩模图案P2中而且还可填充在对准标识AM内。
此外，可在与掩模金属膜110第一面相对的第二面[作为一示例，掩模金属膜110的上部面]上形成第二绝缘部41。此时，可使第二绝缘部41不形成于对准标识AM之上。在接下来用于形成主掩模图案P1的蚀刻过程中，对准标识AM暴露在蚀刻液中，从而将与虚设部区域部分115一起被去除。
接下来，可在掩模金属膜110的第二面(上部面)上形成主掩模图案P1。主掩模图案P1可通过在形成于掩模金属膜110第二面(上部面)的第二绝缘部41图案间的空间42进行蚀刻而形成。这与图4的(e)对应，形成有主掩模图案P1的同时形成有对准标识AM的虚设部区域部分115也可通过蚀刻得以去除。
然后，再经过图4的步骤(f)和图5的步骤(g)可结束掩模100的制造。
另外，如图6的(a2)所示的缩减掩模金属膜110′厚度T的工艺，也可在形成主掩模图案P1之前执行。在形成副掩模图案P2的状态下，对副掩模图案P2的反面进行厚度缩减T，因此不会影响主掩模图案P1。此外，掩模金属膜110′处于通过夹设隔板绝缘部60/临时粘合部粘合并支撑在支撑基板50上的状态，因此具有可稳定地执行厚度缩减T工艺的优点。
图9至图12是根据本发明的第二实施例的掩模制造过程的示意图。在各步骤中上方附图是示意性俯视图，下方附图是示意性截面侧视图。下面，对于与图2至图5的上述第一实施例相同的过程，将省略其说明。
首先，参照图9的(a)，可准备用于制造掩模的掩模金属膜110。本发明的掩模100(参照图12)形成有多个掩模图案P，一个掩模100可包括一个以群集的掩模图案P为单位的单元C。一个掩模单元C可对应一个智能手机等的显示器。图12图示了包括1个掩模单元C的条形掩模100的实施例。掩模金属膜110的材料与图2的(a)中所述材料相同。
接着，可在掩模金属膜110的至少第一面111(作为一示例，掩模金属膜110的下部面)上形成图案化的第一绝缘部31。第一绝缘部31图案间的空间32可对应掩模单元C地形成。
此外，可在与掩模金属膜110第一面111相对的第二面112(作为一示例，掩模金属膜110的上部面)上形成第二绝缘部41。第二绝缘部41图案间的空间42可对应掩模单元C地形成。
第一绝缘部31的图案间隔(图案间空间32的宽度)优选小于第二绝缘部41的图案间隔(图案间空间42的宽度)。
第一绝缘部31和第二绝缘部41可利用打印法等由光刻胶材料形成。将掩模金属膜110的两侧固定在夹持手段(未图示)等中并使其绷紧之后可形成第一绝缘部31和第二绝缘部41。
然后，参照图9的(b)，可在金属膜110的第一面(下部面)上形成副掩模图案P2。副掩模图案P2可形成于掩模金属膜110的掩模单元C区域。副掩模图案P2的形成方法与图2的(b)所述的方法相同。
然后，参照图10的(c)，可去除掩模金属膜110第一面上的第一绝缘部31。副掩模图案P2可暴露在第一面上。第二绝缘部41也可在此步骤形成，而不在图9的步骤(a)中形成。
接着，参照图10的(d)，可准备支撑基板50，并将掩模金属膜110的第一面粘合在支撑基板50上。
第二绝缘部41也可在此步骤形成，而不在图9的步骤(a)中形成。此外，这种情况下，在形成第二绝缘部41之前，在掩模金属膜110的第二面上可进一步执行CMP方法等的平坦化或者厚度缩减工艺。
掩模金属膜110的第一面与支撑基板50可通过中间夹设隔板绝缘部60来粘合。此外，在隔板绝缘部60与支撑基板50之间还可夹设临时粘合部(未图示)。
然后，参照图11的(e)，可在与掩模金属膜110第一面(下部面)相对的第二面(上部面)上形成主掩模图案P1。主掩模图案P1的蚀刻工艺可执行至形成有副掩模图案P2的界面，即形成有隔板绝缘部60的部分。主掩模图案P1可连通至副掩模图案P2。
接着，参照图11的(f)，可去除第二绝缘部41。由于形成主掩模图案P1，掩模金属膜110被贯穿，因此可通过主掩模图案P1和副掩模图案P2之和构成掩模图案P。基于多个掩模图案P的形成，掩模金属膜110可作为掩模100使用。
接着，参照图12的(g)，可进一步执行将掩模100从支撑基板50剥离的步骤。由此，可结束掩模100的制造。
另外，在执行至图11的(f)步骤的状态中还可使用叠层体，所述叠层体通过将掩模100以夹设隔板绝缘部60、临时粘合部(未图示)地粘合在支撑基板50上而形成。
图13至图15是根据本发明的另一第二实施例的掩模制造过程的示意图。在各步骤中,上方附图是示意性俯视图，下方附图是示意性截面侧视图。
根据本发明的另一实施例的掩模制造过程可通过改变图9至图12中上述步骤中的一部分来执行。表示为(a1)、(b1)等的步骤是指对应上述图9至图12的(a)、(b)等的步骤。此外，下面，对于与图6至图8中的上述第一实施例相同的过程，将省略其说明。
参照图13的(a1)，在准备用于制造掩模的掩模金属膜110′之后，可在掩模金属膜110'的第二面(上部面)上形成载体部65、70。
接下来，参照图13的(a2)，可在将掩模金属膜110′粘合并支撑在载体部65、70的状态下，执行厚度缩减T工艺。
接下来，参照图14的(a3)，可在掩模金属膜110的第一面(下部面)上形成图案化的第一绝缘部31。这与图9的步骤(a)相同，因此省略详细说明。
另外，在形成第一绝缘部31之前，可在除掩模金属膜110的多个掩模单元区域以外的两侧虚设部区域的至少一部分上形成对准标识AM。对准标识AM可形成于两侧虚设部区域以便在形成主掩模图案P1的步骤[图15的步骤(d1)之后，与图11的步骤(e)对应]中去除。
接下来，参照图14的(b1)，可在金属膜110的第一面(下部面)上形成副掩模图案P2。这与图9的(b)步骤相同，因此省略其详细说明。
接下来，参照图15的(c1)，可去除掩模金属膜110第一面上的第一绝缘部31。副掩模图案P2可暴露在第一面。
接下来，参照图15的(d1)，可准备支撑基板50，并将掩模金属膜110的第一面粘合在支撑基板50上。这与图10的(d)步骤相同。只是，隔板绝缘部60不仅填充在副掩模图案P2中而且还可填充在对准标识AM内。
此外，可在与掩模金属膜110第一面相对的第二面[作为一示例，掩模金属膜110的上部面]上形成第二绝缘部41。此时，可使第二绝缘部41不形成于对准标识AM之上。在接下来的用于形成主掩模图案P1的蚀刻过程中，对准标识AM暴露在蚀刻液中，从而与虚设部区域部分115一起被去除。
接下来，可在掩模金属膜110的第二面(上部面)上形成主掩模图案P1。这与图11的(e)对应，在形成有主掩模图案P1的同时形成有对准标识AM的虚设部区域部分115也可通过蚀刻得以去除。
然后，再经过图11的步骤(f)及图12的步骤(g)完成掩模100的制造。
另外，如图13的(a2)所示的缩减掩模金属膜110′厚度T的工艺，也可在形成主掩模图案P1之前执行。
如上所述，本发明通过使用支撑基板60和载体部65、70，在粘合并支撑掩模金属膜110的状态下，可朝两个方向进行掩模图案P的蚀刻工艺，从而具有可稳定地形成掩模图案P且在大面积的掩模100中使各单元形成均匀的掩模图案P的效果。此外，还具有可稳定地执行掩模金属膜110的厚度缩减工艺的效果。
如上所述，本发明列举了优选实施例进行图示和说明，本发明不限于上述实施例，在不脱离本发明的精神的范围内，本领域技术人员能够进行各种变形和变更。这种变形及变更均落在本发明和所附的权利要求书的范围内。
Claims (14)
1.一种掩模制造方法，其用于制造OLED像素形成用掩模，该方法包括以下步骤：
(a)准备掩模金属膜；
(b)在掩模金属膜的至少第一面上形成图案化的第一绝缘部；
(c)在掩模金属膜的第一面上通过第一绝缘部图案间的空间形成副掩模图案；
(d)通过夹设隔板绝缘部来粘合形成有副掩模图案的掩模金属膜的第一面与支撑基板；
(e)使用与掩模金属膜的第一面相对的第二面上形成的第二绝缘部图案间的空间，在掩模金属膜上形成主掩模图案，从而制造掩模。
2.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，进一步包括：(f)将掩模从支撑基板剥离的步骤。
3.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，在步骤(b)中，在第一面上形成图案化的第一绝缘部以及在与第一面相对的第二面上形成图案化的第二绝缘部。
4.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，在步骤(c)中，副掩模图案以不贯穿掩模金属膜的方式形成。
5.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，第一绝缘部的图案间隔小于第二绝缘部的图案间隔。
6.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，在步骤(e)中，主掩模图案以贯穿掩模金属膜的方式形成，主掩模图案与副掩模图案之和构成掩模图案。
7.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，步骤(a)包括以下步骤：
(a1)准备掩模金属膜；
(a2)在掩模金属膜的第二面上形成载体部；
(a3)在掩模金属膜的第一面上缩减掩模金属膜的厚度。
8.如权利要求7所述的掩模制造方法，其中，进一步包括：(a4)在除去掩模金属膜的多个掩模单元区域的两侧虚设部区域的至少一部分形成对准标识的步骤。
9.如权利要求7所述的掩模制造方法，其中，在步骤(d)与步骤(e)之间，进一步包括将载体部从掩模金属膜的第二面剥离的步骤。
10.如权利要求9所述的掩模制造方法，其中，第二绝缘部不形成于对准标识上面，在步骤(e)中去除掩模金属膜的对准标识。
11.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，步骤(a)包括以下步骤：
(a1)准备掩模金属膜；
(a2)在掩模金属膜的第二面上形成载体部；
在步骤(d)与步骤(e)之间，在掩模金属膜的第二面上缩减掩模金属膜的厚度。
12.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，步骤(b)是以掩模金属膜的一个掩模单元区域作为对象，至少在第一面上形成图案化的第一绝缘部的步骤。
13.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，步骤(b)是以掩模金属膜的多个掩模单元区域作为对象，至少在第一面上形成图案化的第一绝缘部的步骤。
14.如权利要求13所述的掩模制造方法，其中，在多个掩模单元区域上形成主掩模图案和副掩模图案。
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