CN117547348A - 一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪及其实现方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪及其实现方法，包括：构造容量小、储存电压高的第一储能单元电路；构造容量大、储存电压低的第二储能单元电路；将第一储能单元电路和第二储能单元电路用二极管反向并联连接；给第一储能单元电路储存高压，再给第二储能单元电路储存低压；由第一储能单元电路放电、启动放电单元电路；在第一储能单元电路的储存电压低于第二储能单元电路的储存电压时，二极管正向导通，第二储能单元电路放电、产生超长脉宽脉冲光。本发明的脱毛仪所产生脉冲光电流小、脉宽大，更适合肤色较深的人使用，医学研究证明，不同肤色的人热弛豫时间不同，肤色越深，热弛豫时间越长，脱毛越温和、安全、有效。

Description

一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪及其实现方法

技术领域

本发明涉及激光脱毛仪技术领域，具体涉及一种产生超长脉宽强脉冲光脱毛仪及其实现方法。

背景技术

目前市场上的强脉冲光脱毛仪基本原理如下：采用电源适配器供电，一般采用12V或者24V输出，给脱毛仪供电，脱毛仪内部升压电路升压后给储能电容充电，然后再由储能电容给氙气石英灯管放电并产生闪光，由于基本电路一般采用单脉冲工作方式，储能电容所储存的能量在一个脉冲释放全部的能量，所以储能电容的容量和储存电压决定了单脉冲的闪光能量，同时也就决定了脉宽的大小，由于氙气闪光灯的制作工艺限制，决定了最低额定端电压，即灯管阳极和阴极的最小稳定工作启动电压。

目前行业应用一般为额定电压260V，灯管最小启动电压为210V，如果储能电容储存电压低于260V，将会出现漏闪的概率，如果低于210V，就无法启动工作，即灯管不会闪光，由于在某些特定条件下，我们需要更大的脉宽，就要选用更低的储能电压和更大的电容容量，比如低于210V的最小启动电压。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种产生超长脉宽强脉冲光脱毛仪及其实现方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

构造一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法，包括步骤：构造依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其中，

构造所述储能电路的步骤包括：

构造容量小、储存电压高的第一储能单元电路；

构造容量大、储存电压低的第二储能单元电路；

将所述第一储能单元电路和所述第二储能单元电路采用二极管反向并联连接；

充电过程步骤包括：

控制所述充电控制电路给所述第一储能单元电路储存高压，然后再给所述第二储能单元电路储存低压；

放电过程步骤包括：

先由所述第一储能单元电路放电、启动所述放电单元电路工作；

在所述第一储能单元电路的储存电压低于所述第二储能单元电路的储存电压时，反向连接的所述二极管正向导通，所述第二储能单元电路开始放电，从而产生超长脉宽脉冲光。

本发明所述的脱毛仪实现方法，其中，所述充电控制电路包括：

连接充电电源的第一引脚、连接脱毛仪主控芯片的控制端和连接所述第二储能单元电路输入端的第二引脚；其中，

所述控制端获取不同信号时分别对应将所述第一引脚和所述第二引脚导通或关断；

所述二极管负极同时连接所述第一储能单元电路的输入端和所述放电单元电路的输入端。

本发明所述的脱毛仪实现方法，其中，所述第一储能单元电路包括第一储能电容，所述第二储能单元电路包括第二储能电容；

所述二极管负极连接所述第一储能电容正极，所述第一储能电容负极接地；

所述二极管正极连接所述第二储能电容正极，所述第二储能电容负极接地。

本发明所述的脱毛仪实现方法，其中，所述第一储能单元电路包括第一储能电容，所述第二储能单元电路包括第二储能电容；

所述二极管负极连接所述第一储能电容正极，所述第一储能电容负极接地；

所述二极管正极连接所述充电控制电路的第一引脚，所述第二储能电容正极连接所述充电控制电路的第二引脚，所述第二储能电容负极接地。

本发明所述的脱毛仪实现方法，其中，所述充电控制电路包括第一IGBT开关管，所述第一IGBT开关管的G极作为所述控制端，所述第一IGBT开关管的C极作为所述第一引脚，所述第一IGBT开关管的E极作为所述第二引脚。

本发明还提供了一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法，包括步骤：构造依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其中，

构造所述储能电路的步骤包括：

构造容量小、储存电压高的第一储能单元电路；

构造容量大、储存电压低的第二储能单元电路；

将所述第一储能单元电路和所述第二储能单元电路采用二极管反向并联连接；

充电过程步骤包括：

控制所述充电控制电路给所述第一储能单元电路储存高压，然后再给所述第二储能单元电路储存低压；

放电过程步骤包括：

先由所述第一储能单元电路放电，启动所述放电单元电路工作；

在所述第一储能单元电路的储存电压低于所述第二储能单元电路的储存电压时，反向连接的所述二极管正向导通，所述第二储能单元电路开始放电，从而产生超长脉宽脉冲光；

所述第二储能单元电路包含多个并联连接的容量大、储存电压低的电解电容，和用于控制实际起作用的电解电容数量以调整最终输出脉冲宽度的脉宽控制电路。

本发明所述的脱毛仪实现方法，其中，所述充电控制电路包括：

连接充电电源的第一引脚、连接脱毛仪主控芯片的控制端和连接所述第二储能单元电路输入端的第二引脚；其中，

所述控制端获取不同信号时分别对应将所述第一引脚和所述第二引脚导通或关断；

所述二极管负极同时连接所述第一储能单元电路的输入端和所述放电单元电路的输入端；

所述第一储能单元电路包括第一储能电容，所述第二储能单元电路包括两个或两个以上并联连接的电解电容；

所述二极管负极连接所述第一储能电容正极，所述第一储能电容负极接地；

所述二极管正极连接所述充电控制电路的第一引脚，所述第二储能电容正极连接所述充电控制电路的第二引脚，所述第二储能电容负极接地；

所述脉宽控制电路包括：

分别控制连接所述电解电容的多个开关管，多个所述开关管的控制端分别连接所述脱毛仪主控芯片、用来控制每个电解电容所在电路的通断、以调整最终产生的脉冲光的脉宽。

本发明还提供了一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪，包括依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其中，所述储能电路包括：容量小、储存电压高的第一储能单元电路，容量大、储存电压低的第二储能单元电路，所述第一储能单元电路和所述第二储能单元电路采用二极管反向并联连接；

充电过程：控制所述充电控制电路给所述第一储能单元电路储存高压，然后再给所述第二储能单元电路储存低压；

放电过程：先由所述第一储能单元电路放电、启动所述放电单元电路工作；在所述第一储能单元电路的储存电压低于所述第二储能单元电路的储存电压时，反向连接的所述二极管正向导通，所述第二储能单元电路开始放电，从而产生超长脉宽脉冲光。

本发明所述的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪，其中，所述充电控制电路包括：

连接充电电源的第一引脚、连接脱毛仪主控芯片的控制端和连接所述第二储能单元电路输入端的第二引脚；其中，

所述控制端获取不同信号时分别对应将所述第一引脚和所述第二引脚导通或关断；

所述二极管负极同时连接所述第一储能单元电路的输入端和所述放电单元电路的输入端。

本发明所述的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪，其中，所述充电控制电路包括第一IGBT开关管，所述第一IGBT开关管的G极作为所述控制端，所述第一IGBT开关管的C极作为所述第一引脚，所述第一IGBT开关管的E极作为所述第二引脚。

本发明的有益效果在于：通过采用电容容量很小、但是储存电压很高的第一储能单元电路，作为前级启动放电单元电路(即：灯管)使用，另外一个第二储能单元电路采用大容量、低储存电压，高压小容量储能单元电路和低压大容量储能单元电路之间采用二极管反向并联连接，充电的时候先给小容量储能单元电路储存高压，然后再跟大容量储能单元电路储存低压，这样放电的时候，先由高压低容量储能单元电路启动灯管工作，由于容量小，储存电压迅速降低，当电压低于大容量储能单元电路的储存低压时候，反向连接的二极管正向导通，并开始放电，由于第二储能单元电路是低压放电，其工作电流小，且容量大，所以放电时间很长，即产生的脉宽很大，即形成超长脉宽脉冲光；

因此本发明的脱毛仪可产生电流小、脉宽大的脉冲光，更适合肤色较深的人进行脱毛，该结论在医学上有据可依，不同肤色的人热弛豫时间不同，肤色越深，热弛豫时间越长，脱毛越温和、安全、有效。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，下面描述中的附图仅仅是本发明的部分实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图：

图1是本发明实施例的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法流程图一；

图2是本发明实施例的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪电路整体原理框图；

图3是本发明实施例的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪电路原理框图一；

图4是本发明实施例的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪电路原理图一；

图5是本发明实施例的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪电路原理框图二；

图6是本发明实施例的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪电路原理图二；

图7是本发明实施例的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法流程图二；

图8是本发明产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪电路可变脉宽方案拓展实施例一部分电路原理图；

图9是本发明产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪电路可变脉宽方案拓展实施例二部分电路原理图；

图10是本发明各实施例中高电压(灯管额定电压)波形示意图；

图11是本发明各实施例中低电压波形示意图；

图12是本发明各实施例中的灯管高压触发信号波形图。

具体实施方式

为了使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。

本发明实施例中，如图1所示，同时参阅图2-图6，涉及一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法，包括：

步骤S01：构造依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其中，构造储能电路的步骤包括：构造容量小、储存电压高的第一储能单元电路；构造容量大、储存电压低的第二储能单元电路；将第一储能单元电路和第二储能单元电路采用二极管反向并联连接；

步骤S02：充电过程步骤包括：控制充电控制电路给第一储能单元电路储存高压，然后再给第二储能单元电路储存低压；

步骤S03：放电过程步骤包括：先由第一储能单元电路放电、启动放电单元电路工作；在第一储能单元电路的储存电压低于第二储能单元电路的储存电压时，反向连接的二极管正向导通，第二储能单元电路开始放电，从而产生超长脉宽脉冲光。

其中，构造容量小、储存电压高的第一储能单元电路，具体是指，该第一储能单元电路整体电容量较小，但储存电压高，高电压可以是一般灯管额定电压，比如260V，波形图如图10所示，或者是其他型号或规格的灯管额定电压；该第一储能单元电路的电压值要求是可以正常启动放电单元电路放电，即启动灯管放电。

其中，构造容量大、储存电压低的第二储能单元电路，具体是指，该第二储能单元电路整体电容量较大，储存电压低，低电压可以是一般灯管最小启动电压，比如160V，波形图如图11所示，或者是其他型号或规格的灯管最小启动电压；该第二储能单元电路的电压值要求是高于放电单元电路的最小启动电压，防止漏闪。

上述第一储能单元电路和第二储能单元电路可分别由一个或多个电解电容构成，所采用电解电容的容量，根据脱毛仪单脉冲的闪光能量来进行选择。

其中，构造的充电控制电路是用于在输入电压达到额定电压时，进行放电产生脉冲光。其可以是并联或串联连接的一个或多个氙气石英灯管，或者其他型号的可以产生脉冲光的放电灯管。

其中，构造的充电控制电路是用于对第一储能单元电路和第二储能单元电路进行充电顺序控制，该充电控制电路输入端连接脱毛仪的主控芯片，控制不同容量的两个储能单元电路先后完成充电。

上述实施例的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法中，通过采用电容容量很小、但是储存电压很高的第一储能单元电路，作为前级启动放电单元电路(例如：氙气灯管)使用，另外一个第二储能单元电路采用大容量、低储存电压，高压小容量储能单元电路和低压大容量储能单元电路之间采用二极管反向并联连接，充电的时候先给小容量储能单元电路储存高压，然后再跟大容量储能单元电路储存低压，这样放电的时候，先由高压低容量储能单元电路启动灯管工作，由于容量小，储存电压迅速降低，当电压低于大容量储能单元电路的储存低压时候，反向连接的二极管正向导通，并开始放电，由于第二储能单元电路是低压放电，其工作电流小，且容量大，所以放电时间很长，即产生的脉宽很大，即形成超长脉宽脉冲光；因此采用本发明实现的脱毛仪可产生电流小、脉宽大的脉冲光，更适合肤色较深的人进行脱毛，该结论在医学上有据可依，不同肤色的人热弛豫时间不同，肤色越深，热弛豫时间越长，脱毛越温和、安全、有效。

进一步地，如图1、图2和图3所示，作为其中一个实现方式，上述实施例的脱毛仪实现方法中，构造的充电控制电路10包括：连接充电电源(例如：电源适配器)的第一引脚11、连接脱毛仪主控芯片的控制端13和连接第二储能单元电路输入端的第二引脚12；其中，控制端13获取到来自脱毛仪主控芯片的不同信号(例如：高电平或低电平信号)时，分别对应将第一引脚11和第二引脚12导通或关断；二极管23的负极同时连接第一储能单元电路21的输入端和放电单元电路30的输入端。

进一步地，如图4所示，同时参阅图1、图2和图3，作为其中一个实现方式，上述实施例的脱毛仪实现方法中，第一储能单元电路21包括第一储能电容C25，第二储能单元电路22包括第二储能电容C21；二极管D11的负极连接第一储能电容C25的正极，第一储能电容C25的负极接地；二极管D11正极连接第二储能电容C21的正极，第二储能电容C21的负极接地。充电控制电路10包括第一IGBT开关管，第一IGBT开关管的G极作为控制端13，第一IGBT开关管的C极作为第一引脚，第一IGBT开关管的E极作为第二引脚。

如图3和图4所示的充电控制电路10对第一储能单元电路21和第二储能单元电路22进行充电顺序控制具体过程如下：

放电单元电路(例如：氙气灯管)没有导通时，其两端电压与第一储能电容C25相同。当第一IGBT开关管的G脚为低电平，连接充电电源(例如：电源适配器、变压器)的第一引脚11输出260V脉冲电压，给第一储能电容C25充电，冲满电压后，充电电源停止输出；或者充满电压后，脱毛仪主控芯片(即：CPU)调整充电电源电压输出为160V，此时第一IGBT开关管的G脚为高电平，CE脚导通，给第二储能电容C21充电160V低压；冲满电压后，第一IGBT开关管的G脚变为低电平关断；或者G脚依然为高电平，此时由于第一储能电容C25与第二储能电容C21反接二极管D11，第一储能电容C25不会给第二储能电容C21放电。至此完成对两个不同电压储能单元的顺序充电过程。

如图3和图4所示，当高压触发信号出现，放电单元电路(例如：氙气灯管)导通，开始放电，第一储能电容C25由于容量很小，电压迅速降低，大约1ms左右，电压降到与第二储能电容C21电压略低的时候，此时反向二极管D11电容正向导通，第二储能电容C21开始对灯管放电，由于氙气灯管的导电特性，直至第二储能电容C21电容放电完成的时候，氙气灯管关断，因为第二储能电容C21容量很大，所以放电脉宽可以持续数十毫秒，可以根据需要调整第二储能电容C21的容量值。

进一步地，如图5所示，同时参阅图1和图2，作为另一个实现方式，上述实施例的脱毛仪实现方法中，第一储能单元电路21包括第一储能电容C25，第二储能单元电路22包括第二储能电容C21；二极管D11负极连接第一储能电容C25正极，第一储能电容C25负极接地；二极管D11正极连接充电控制电路10的第一引脚11，第二储能电容C21正极连接充电控制电路10的第二引脚12，第二储能电容C21负极接地。充电控制电路10包括第一IGBT开关管，第一IGBT开关管的G极作为控制端13，第一IGBT开关管的C极作为第一引脚11，第一IGBT开关管的E极作为第二引脚12。

如图5和图6所示的充电控制电路10对第一储能单元电路21和第二储能单元电路22进行充电顺序控制具体过程如下：

当第一IGBT开关管的G脚为低电平，连接充电电源(例如：电源适配器、变压器)的第一引脚11输出260V脉冲电压，给第一储能电容C25充电，冲满电压后，充电电源停止输出；或者充满电压后，脱毛仪主控芯片(即：CPU)调整充电电源电压输出为160V，此时第一IGBT开关管的G脚为高电平或低电平，充电电源都会直接给第二储能电容C21充电160V低压；冲满电压后，此时无论第一IGBT开关管的G脚变为低电平CE关断、或者G脚依然为高电平CE导通，由于第一储能电容C25与第二储能电容C21反接二极管D11，第一储能电容C25不会给第二储能电容C21放电。至此完成对两个不同电压储能单元的顺序充电过程。

如图5和图6所示，当高压触发信号出现，放电单元电路(例如：氙气灯管)导通，开始放电，第一储能电容C25由于容量很小，电压迅速降低，大约1ms左右，电压降到与第二储能电容C21电压略低的时候，此时反向二极管D11电容正向导通，第二储能电容C21开始对灯管放电，由于氙气灯管的导电特性，直至第二储能电容C21电容放电完成的时候，氙气灯管关断，因为第二储能电容C21容量很大，所以放电脉宽可以持续数十毫秒，可以根据需要调整第二储能电容C21的容量值。

在本发明的另一实施例中，还提供了一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法，如图7所示，包括：

步骤S11：构造依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其中，构造储能电路的步骤包括：构造容量小、储存电压高的第一储能单元电路；构造容量大、储存电压低的第二储能单元电路；将第一储能单元电路和第二储能单元电路采用二极管反向并联连接；

步骤S12：充电过程步骤包括：控制充电控制电路给第一储能单元电路储存高压，然后再给第二储能单元电路储存低压；

步骤S13：放电过程步骤包括：先由第一储能单元电路放电，启动放电单元电路工作；在第一储能单元电路的储存电压低于第二储能单元电路的储存电压时，反向连接的二极管正向导通，第二储能单元电路开始放电，从而产生超长脉宽脉冲光；

步骤S14：构造的第二储能单元电路包含多个并联连接的容量大、储存电压低的电解电容，和用于控制实际起作用的电解电容数量以调整最终输出脉冲宽度的脉宽控制电路，通过脉宽控制电路来控制实际起作用的电解电容数量，改变接入电路的小容量电容量，从而调整最终输出脉冲宽度。

对于上述步骤S11-S13的具体原理描述及说明，均可参考图1对应的方法流程的原理解释，在此不赘述。下面仅针对图7所示方法流程中不同于图1所示流程的步骤S14进行解释说明。

作为上述步骤S14的一种具体实现方式，如图8所示，构造的第二储能单元电路包含两个并联连接的容量大、储存电压低的电解电容(图8中所示C211和C212)，脉宽控制电路可以采用第二IGBT开关管实现，通过脱毛仪主控芯片来控制该第二IGBT开关管的控制端来实现将一个或两个电解电容接入电路中。当接入一个电解电容时，第二储能单元电路功能和原理说明可以参考前面各实施例。当接入两个电解电容时，跟前述各实施例不同的是，因为第二储能单元电容的容量增加了，放电时间更长，因此可以获得比前述各实施例中更宽的脉冲光，从而得到更加温和、安全、有效的脱毛效果。

作为上述步骤S14的另一种具体实现方式，如图9所示，构造的第二储能单元电路包含三个并联连接的容量大、储存电压低的电解电容(图9中所示C211、C212和C213)，脉宽控制电路可以采用第二IGBT开关管和第三IGBT开关管实现，通过脱毛仪主控芯片来控制该第二IGBT开关管和第三IGBT开关管的控制端来实现将一个、两个或三个电解电容接入电路中。当接入一个电解电容时，第二储能单元电路功能和原理说明可以参考前面各实施例。当接入两个或三个电解电容时，跟前述各实施例不同的是，充电过程中需要连续完成对两个或三个点解电容的充电，同时因为第二储能单元电容的容量增加了，放电时间更长，因此可以获得比前述各实施例中更宽的脉冲光，从而得到更加温和、安全、有效的脱毛效果。

因此，本实施例的方法通过脉宽控制电路来控制实际起作用的电解电容数量，改变接入电路的小容量电容量，从而调整最终输出脉冲宽度。可以实现采用同一脱毛仪实现不同宽度的脉冲光输出，实现不同肤色的人都可以选择适合的脱毛脉冲光输出模式，使得脱毛更加温和、安全、有效。

在本发明另一实施例中，如图2所示，参考图1，还提供了一种超长脉宽强脉冲光脱毛仪，包括依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其中，储能电路包括：容量小、储存电压高的第一储能单元电路，容量大、储存电压低的第二储能单元电路，第一储能单元电路和第二储能单元电路采用二极管反向并联连接。可以理解，作为一个功能完整的脱毛仪电路，还包括主控芯片等必要的电路单元和结构单元。

充电过程：脱毛仪主控芯片40控制充电控制电路10给第一储能单元电路储存高压，然后再给第二储能单元电路储存低压；放电过程：先由第一储能单元电路放电、启动放电单元电路工作；在第一储能单元电路的储存电压低于第二储能单元电路的储存电压时，反向连接的二极管正向导通，第二储能单元电路开始放电，从而产生超长脉宽脉冲光。

作为一个优选实施例，如图3和图4所示，超长脉宽强脉冲光脱毛仪的充电控制电路10包括：连接充电电源(例如：电源适配器)的第一引脚11、连接脱毛仪主控芯片的控制端13和连接第二储能单元电路输入端的第二引脚12；其中，控制端13获取到来自脱毛仪主控芯片的不同信号(例如：高电平或低电平信号)时，分别对应将第一引脚11和第二引脚12导通或关断；二极管23的负极同时连接第一储能单元电路21的输入端和放电单元电路30的输入端。各电路的具体功能原理可以参阅前述方法流程实施例的描述，在此不再赘述。

上述各实施例中，所有涉及充电的步骤或电路中，所采用的充电电源，例如变压器，可以是一个，也可以是两个或者多个，上述各实施例的原件数量也均不限制使用一个，也可以是能实现上述各项功能的多个组合。上述各实施例中，所列举的电容、二极管、三极管、复合管等电子元器件，也不限于文字或图示中所显示的，比如IGBT开关管，其功能实质上是带有控制端的开关器件，能实现此功能的复合管还有其他多种，在此不一一举例说明，当然也可以是采用另一种分立元件电路来实现并替代该功能部件，也应在本发明专利的保护范围内。

应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法，包括步骤：构造依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其特征在于，

构造所述储能电路的步骤包括：

构造容量小、储存电压高的第一储能单元电路；

构造容量大、储存电压低的第二储能单元电路；

将所述第一储能单元电路和所述第二储能单元电路采用二极管反向并联连接；

充电过程步骤包括：

控制所述充电控制电路给所述第一储能单元电路储存高压，然后再给所述第二储能单元电路储存低压；

放电过程步骤包括：

先由所述第一储能单元电路放电、启动所述放电单元电路工作；

在所述第一储能单元电路的储存电压低于所述第二储能单元电路的储存电压时，反向连接的所述二极管正向导通，所述第二储能单元电路开始放电，从而产生超长脉宽脉冲光。

2.根据权利要求1所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，所述充电控制电路包括：

连接充电电源的第一引脚、连接脱毛仪主控芯片的控制端和连接所述第二储能单元电路输入端的第二引脚；其中，

所述控制端获取不同信号时分别对应将所述第一引脚和所述第二引脚导通或关断；

所述二极管负极同时连接所述第一储能单元电路的输入端和所述放电单元电路的输入端。

3.根据权利要求1或2所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，所述第一储能单元电路包括第一储能电容，所述第二储能单元电路包括第二储能电容；

所述二极管负极连接所述第一储能电容正极，所述第一储能电容负极接地；

所述二极管正极连接所述第二储能电容正极，所述第二储能电容负极接地。

4.根据权利要求1或2所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，所述第一储能单元电路包括第一储能电容，所述第二储能单元电路包括第二储能电容；

所述二极管负极连接所述第一储能电容正极，所述第一储能电容负极接地；

所述二极管正极连接所述充电控制电路的第一引脚，所述第二储能电容正极连接所述充电控制电路的第二引脚，所述第二储能电容负极接地。

5.根据权利要求2所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，所述充电控制电路包括第一IGBT开关管，所述第一IGBT开关管的G极作为所述控制端，所述第一IGBT开关管的C极作为所述第一引脚，所述第一IGBT开关管的E极作为所述第二引脚。

6.一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法，包括步骤：构造依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其特征在于，

构造所述储能电路的步骤包括：

构造容量小、储存电压高的第一储能单元电路；

构造容量大、储存电压低的第二储能单元电路；

将所述第一储能单元电路和所述第二储能单元电路采用二极管反向并联连接；

充电过程步骤包括：

控制所述充电控制电路给所述第一储能单元电路储存高压，然后再给所述第二储能单元电路储存低压；

放电过程步骤包括：

先由所述第一储能单元电路放电，启动所述放电单元电路工作；

在所述第一储能单元电路的储存电压低于所述第二储能单元电路的储存电压时，反向连接的所述二极管正向导通，所述第二储能单元电路开始放电，从而产生超长脉宽脉冲光；

所述第二储能单元电路包含多个并联连接的容量大、储存电压低的电解电容，和用于控制实际起作用的电解电容数量以调整最终输出脉冲宽度的脉宽控制电路。

7.根据权利要求6所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，构造所述充电控制电路的步骤包括：

连接充电电源的第一引脚、连接脱毛仪主控芯片的控制端和连接所述第二储能单元电路输入端的第二引脚；其中，

所述控制端获取不同信号时分别对应将所述第一引脚和所述第二引脚导通或关断；

所述二极管负极同时连接所述第一储能单元电路的输入端和所述放电单元电路的输入端；

所述第一储能单元电路包括第一储能电容，所述第二储能单元电路包括两个或两个以上并联连接的电解电容；

所述二极管负极连接所述第一储能电容正极，所述第一储能电容负极接地；

所述二极管正极连接所述充电控制电路的第一引脚，所述第二储能电容正极连接所述充电控制电路的第二引脚，所述第二储能电容负极接地；

所述脉宽控制电路包括：

分别控制连接所述电解电容的多个开关管，多个所述开关管的控制端分别连接所述脱毛仪主控芯片、用来控制每个电解电容所在电路的通断、以调整最终产生的脉冲光的脉宽。

8.一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪，包括依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其特征在于，所述储能电路包括：容量小、储存电压高的第一储能单元电路，容量大、储存电压低的第二储能单元电路，所述第一储能单元电路和所述第二储能单元电路采用二极管反向并联连接；

充电过程：控制所述充电控制电路给所述第一储能单元电路储存高压，然后再给所述第二储能单元电路储存低压；

放电过程：先由所述第一储能单元电路放电、启动所述放电单元电路工作；在所述第一储能单元电路的储存电压低于所述第二储能单元电路的储存电压时，反向连接的所述二极管正向导通，所述第二储能单元电路开始放电，从而产生超长脉宽脉冲光。

9.根据权利要求8所述的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪，其特征在于，所述充电控制电路包括：

连接充电电源的第一引脚、连接脱毛仪主控芯片的控制端和连接所述第二储能单元电路输入端的第二引脚；其中，

所述控制端获取不同信号时分别对应将所述第一引脚和所述第二引脚导通或关断；

所述二极管负极同时连接所述第一储能单元电路的输入端和所述放电单元电路的输入端。

10.根据权利要求9所述的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪，其特征在于，所述充电控制电路包括第一IGBT开关管，所述第一IGBT开关管的G极作为所述控制端，所述第一IGBT开关管的C极作为所述第一引脚，所述第一IGBT开关管的E极作为所述第二引脚。