CN117525893A - 电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种电子设备，第一辐射体包括第一耦合端；第二辐射体包括相背设置的馈电端及第二耦合端，馈电端与第一耦合端之间形成第一耦合缝隙；第三辐射体包括第三耦合端、第一连接点及第二接地端，第三耦合端与第二耦合端之间形成第二耦合缝隙；容性调谐电路的一端电连接第一连接点，容性调谐电路的另一端接地；馈源用于激励第一辐射体及第二辐射体形成支持第一低频频段的第一谐振模式、激励第二辐射体形成支持第二低频频段的第二谐振模式、激励第三辐射体及容性调谐电路形成支持第三低频频段的环形模式，环形模式的谐振电流从第二接地端经第一连接点、容性调谐电路下地。本申请提供了一种能够提升天线效率的电子设备。

Description

电子设备

技术领域

本申请涉及通信技术领域，具体涉及一种电子设备。

背景技术

随着电子设备的通信需求增加，电子设备需设置越来越多的天线，如何提升天线效率，成为需要解决的技术问题。

发明内容

本申请提供了一种能够提升天线效率的电子设备。

本申请提供的一种电子设备，包括天线组件，所述天线组件包括：

第一辐射体，包括第一耦合端；

第二辐射体，包括相背设置的馈电端及第二耦合端，所述馈电端与所述第一耦合端之间形成第一耦合缝隙；

第三辐射体，包括第三耦合端、第一连接点及第二接地端，所述第三耦合端与所述第二耦合端之间形成第二耦合缝隙；

容性调谐电路，所述容性调谐电路的一端电连接所述第一连接点，所述容性调谐电路的另一端接地；及

馈源，所述馈源电连接所述馈电端，所述馈源用于激励所述第一辐射体及所述第二辐射体形成支持第一低频频段的第一谐振模式，所述馈源还用于激励所述第二辐射体形成支持第二低频频段的第二谐振模式，所述馈源还用于激励所述第三辐射体及所述容性调谐电路形成支持第三低频频段的环形模式，所述环形模式的谐振电流从所述第二接地端经所述第一连接点、所述容性调谐电路下地，所述第一低频频段的中心频点小于所述第二低频频段的中心频点，所述第二低频频段的中心频点小于所述第三低频频段的中心频点。

本申请实施例提供的电子设备，第一辐射体包括第一耦合端，第二辐射体包括相背设置的馈电端及第二耦合端，馈电端与第一耦合端之间形成第一耦合缝隙，第三辐射体包括第三耦合端、第一连接点及第二接地端，第三耦合端与第二耦合端之间形成第二耦合缝隙；容性调谐电路的一端电连接第一连接点，容性调谐电路的另一端接地；馈源电连接馈电端，馈源用于激励第一辐射体及第二辐射体形成支持第一低频频段的第一谐振模式，馈源还用于激励第二辐射体形成支持第二低频频段的第二谐振模式，馈源还用于激励第三辐射体及容性调谐电路形成支持第三低频频段的环形模式，环形模式的谐振电流从第二接地端经第一连接点、容性调谐电路下地，第一低频频段的中心频点小于第二低频频段的中心频点，第二低频频段的中心频点小于第三低频频段的中心频点，其中，第一谐振模式用于增加第二低频频段的带宽及效率，环形模式用于增加第二低频频段的效率，进而提升主模式(第二谐振模式)的第二低频频段的效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的电子设备的局部分解示意图；

图3是本申请实施例提供的电子设备的局部背视图；

图4是本申请实施例提供的一种天线组件的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的天线组件上第一谐振模式的电流分布示意图；

图6是本申请实施例提供的天线组件上第二谐振模式的电流分布示意图；

图7是本申请实施例提供的天线组件上第二辐射体的接地电路的接地端接近于参考地板的拐角点的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的天线组件上第二辐射体的接地电路的接地端接近于参考地板的拐角点的电流分布示意图；

图9是本申请实施例提供的天线组件上第三谐振模式的电流分布示意图；

图10是本申请实施例提供的容性调谐电路包括电容元件的结构示意图；

图11是本申请实施例提供的第一辐射体的第一耦合端为接地端的结构示意图；

图12是本申请实施例提供的第一辐射体包括第一开关调谐电路的结构示意图；

图13是本申请实施例提供的第一辐射体包括第二开关调谐电路的结构示意图；

图14是本申请实施例提供的第一辐射体包括第三开关调谐电路的结构示意图；

图15是本申请实施例提供的电子设备为直板手机为例的正面视图；

图16是本申请实施例提供的电子设备为折叠手机、转轴在上面为例对的结构示意图；

图17是本申请实施例提供的第一辐射体位于第一手掌握持区、第二辐射体位于自由区及第三辐射体位于第二手掌握持区的结构示意图；

图18是本申请实施例提供的电子设备为可折叠电子设备的结构示意图；

图19是本申请提供的电子设备在折叠自由空间下的S参考曲线、效率曲线；

图20是本申请提供的天线组件的S参数曲线及效率曲线；

图21是本申请提供的单独设置第二辐射体，设置第一辐射体及第二辐射体，设置第二辐射体及第三辐射体，同时设置第一辐射体、第二辐射体及第三辐射体的S参数曲线；

图22是本申请提供的单独设置第二辐射体，设置第一辐射体及第二辐射体，设置第二辐射体及第三辐射体，同时设置第一辐射体、第二辐射体及第三辐射体的效率曲线。

附图标号说明：

电子设备1000；天线组件100；显示屏200；中框300；后盖400；中板310；边框320；顶边321；底边322；第一侧边323；第二侧边324；参考地板500；第一辐射体10；第二辐射体20；第三辐射体30；容性调谐电路40；馈源50；第一耦合端C；馈电端D；第二耦合端E；第一耦合缝隙N1；第三耦合端F；第一连接点G；第二接地端H；第二耦合缝隙N2；容性调谐电路40；接地电路60；第一接地端A；第一边501；第二边502；拐角点503；电感元件L0；第一开关调谐电路T1；第一开关单元K1；第一阻抗调谐支路R1；第二开关调谐电路T2；第二开关单元K2；第二阻抗调谐支路R2；第三开关单元K3；电容元件C0；第一主体710；第二主体720。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，本申请所描述的实施例仅仅是一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请提供的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请的保护范围。

在本申请中提及“实施例”意味着，结合实施例所描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的、独立的或备选的实施例。本领域技术人员可以显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如：包含了一个或多个零部件的组件或设备没有限定于已列出的一个或多个零部件，而是可选地还包括没有列出的但所示例的产品固有的一个或多个零部件，或者基于所说明的功能其应具有的一个或多个零部件。

请参阅图1，图1为本申请实施例提供的一种电子设备1000的结构示意图。电子设备1000包括但不限于为手机、平板电脑、笔记本电脑、计算机、可穿戴设备、无人机、机器人、数码相机等具有通讯功能的设备。本申请实施例以手机为例进行说明，其他的电子设备可参考本实施例。

请参阅图2，图2是电子设备1000的局部分解示意图。所述电子设备1000包括所述天线组件100，以电子设备1000为手机为例对所述天线组件100的工作环境进行举例说明。电子设备1000包括沿厚度方向依次设置的显示屏200、中框300及后盖400。其中，中框300包括中板310以及围接于中板310周侧的边框320。边框320可为导电边框。当然，在其他实施方式中，电子设备1000可不具有中板310。显示屏200、中板310及后盖400依次层叠设置，显示屏200与中板310之间、中板310与后盖400之间皆形成收容空间以收容主板、摄像头模组、受话器模组、电池、各种传感器等器件。边框320的一侧围接于显示屏200的边缘，边框320的另一侧围接于后盖400的边缘，以形成电子设备1000的完整的外观结构。本实施例中，边框320与中板310为一体结构，边框320与后盖400可为分体结构，以上为以手机为例的所述天线组件100的工作环境，但是本申请的所述天线组件100不限于上述的工作环境中。

可选的，所述电子设备1000为不可折叠电子设备，例如直板式手机等。

可选的，所述电子设备1000为可折叠电子设备，例如折叠式手机等。

请参阅图3，图3中为电子设备1000的背部视图。所述边框320包括相对设置的顶边321、底边322，以及连接于所述顶边321与所述底边322的第一侧边323及第二侧边324。其中，所述顶边321为使用者手持并竖屏使用所述电子设备1000时远离地面的一边，所述底边322为使用者手持并竖屏使用所述电子设备1000时朝向地面的一边。第一侧边323为使用者手持并竖屏使用所述电子设备1000时左侧边。所述第二侧边324为使用者手持并竖屏使用所述电子设备1000时右侧边。当然，所述第一侧边323还可以为使用者手持使用所述电子设备1000时右侧边。所述第二侧边324为使用者手持使用所述电子设备1000时左侧边。

以下结合附图对于所述天线组件100的具体结构进行举例说明。

请参阅图3及图4，所述电子设备1000还包括所述天线组件100及参考地板500。所述天线组件100包括第一辐射体10、第二辐射体20、第三辐射体30、容性调谐电路40及馈源50。

可选的，所述参考地板500设于所述边框320内。所述参考地板500的形状大致呈矩形。因为在手机中根据需要设置器件或者避让其他结构，在所述参考地板500的参考地边上开设各种槽、孔等。所述参考地板500包括但不限于为所述中板310的金属合金部分以及电路板(包括主板及副板)的参考地金属部分。大致来看，所述电子设备1000中的参考地系统可等效为大致的矩形，故称为所述参考地板500。其中，所述参考地板500并不指示参考地的形状呈板状且为一块矩形板。

本申请对所述第一辐射体10的材质不做具体的限定。可选的，所述第一辐射体10的材质为导电材质，包括但不限于为金属、合金等导电材质。本申请对于所述第一辐射体10的形状不做具体的限定。例如，所述第一辐射体10的形状包括但不限于条状、片状、杆状、涂层状、薄膜状等。图3所示的所述第一辐射体10仅仅为一种示例，并不能对本申请提供的所述第一辐射体10的形状造成限定。本实施例中，所述第一辐射体10皆呈条状。本申请对于所述第一辐射体10的延伸轨迹不做限定。可选的，所述第一辐射体10可以沿直线延伸、或者沿曲线延伸或者沿弯折线延伸。在其他实施方式中，所述第一辐射体10也可以呈弯折线等轨迹延伸。上述的所述第一辐射体10在延伸轨迹上可为宽度均匀的线条，也可以为宽度渐变、设有加宽区域等宽度不等的条形。

本申请对于所述第一辐射体10的形式不做具体的限定。可选的，所述第一辐射体10的形态包括但不限于为金属所述边框320、镶嵌于塑胶所述边框320内的金属框架、位于所述边框320内或表面的金属辐射体、成型于柔性电路板(Flexible Printed Circuitboard，FPC)上的柔性电路板天线、通过激光直接成型(Laser Direct Structuring，LDS)的激光直接成型天线、通过印刷直接成型(Print Direct Structuring，PDS)的印刷直接成型天线、导电片天线(例如金属支架天线)等。本实施例中，以所述第一辐射体10为所述电子设备1000的金属所述边框320的一部分为例。

所述第二辐射体20、所述第三辐射体30的材质、形状、形式等皆可参考所述第一辐射体10的材质、形状、形式等。

请参阅图3及图4，所述第一辐射体10包括第一耦合端C。换言之，所述第一辐射体10的一个端部为所述第一耦合端C。可选的，所述第一耦合端C为接地端或自由端。本申请中，接地端是指电连接所述参考地板500的一端，自由端是指与所述边框320上的其他导电部分通过绝缘断缝断开的一端。为了确保所述电子设备1000的所述边框320的结构强度，上述的绝缘断缝中填充有绝缘材质。

请参阅图3及图4，所述第二辐射体20包括相背设置的馈电端D及第二耦合端E。换言之，所述第二辐射体20的两个末端分别为所述馈电端D和所述第二耦合端E。可选的，所述馈电端D为电连接馈源50的一端。所述第二耦合端E为自由端。所述馈电端D与所述第一耦合端C之间形成第一耦合缝隙N1。可选的，所述第一耦合缝隙N1为绝缘断缝，所述第一耦合缝隙N1的宽度为0.5～2mm，但不限于此尺寸。所述第一辐射体10与所述第二辐射体20能够通过所述第一耦合缝隙N1产生容性耦合。在其中一个角度中，所述第一辐射体10和所述第二辐射体20可看作为所述边框320被所述第一耦合缝隙N1隔断而形成的两个部分。

所述第一辐射体10与所述第二辐射体20通过所述第一耦合缝隙N1进行容性耦合。其中，“容性耦合”是指所述第一辐射体10与所述第二辐射体20之间的所述第一耦合缝隙N1产生电场，所述第一辐射体10的信号能够通过电场传递至所述第二辐射体20，所述第二辐射体20的信号能够通过电场传递至所述第一辐射体10，以使所述第一辐射体10与所述第二辐射体20即使在未直接电连接的状态下也能够实现电信号导通。

请参阅图3及图4，所述第三辐射体30包括第三耦合端F、第一连接点G及第二接地端H。所述第三耦合端F与所述第二耦合端E之间形成第二耦合缝隙N2。可选的，第二耦合缝隙N2为绝缘断缝，第二耦合缝隙N2的宽度为0.5～2mm，但不限于此尺寸。所述第二辐射体20与所述第三辐射体30能够通过第二耦合缝隙N2产生容性耦合。

换言之，所述第三辐射体30的两个末端分别为所述第二接地端H和所述第三耦合端F，其中，所述第二接地端H为电连接所述参考地板500的一端。所述第一连接点G可为所述第三耦合端F，也可以为所述第三耦合端F与所述第二接地端H之间的位置。

请参阅图3及图4，所述容性调谐电路40的一端电连接所述第一连接点G，所述容性调谐电路40的另一端接地，接地即电连接所述参考地板500。容性调谐电路40整体呈容性。所述第三辐射体30的电长度远远小于低频频段对应的电长度(即低频频段的1/4波长)。所述第三辐射体30的电长度无法激励出低频的谐振模式。此时，所述第三辐射体30可等效为电感。所述第三辐射体30与容性调谐电路40之间形成等效LC谐振电路，所述容性调谐电路40用于使等效LC谐振电路的谐振频点拉低至低频频段。

本申请中所述的电长度可以满足以下公式：

其中，L为物理长度，a为电或电磁信号在媒介中的传输时间，b为在自由场景中的传输时间。

请参阅图4，所述馈源50电连接所述馈电端D。即所述第二辐射体20为主辐射体，所述第一辐射体10为所述第二辐射体20的寄生辐射体，所述第三辐射体30为所述第二辐射体20的寄生辐射体。可选的，所述馈电端D还通过接地电路60回地。

所述馈源50用于激励所述第一辐射体10及所述第二辐射体20形成支持第一低频频段的第一谐振模式。即馈源50经所述第二辐射体20将射频信号传输至所述第一辐射体10。以所述第一谐振模式为1/4波长模式为例，所述第一辐射体10的电长度为第一低频频段的中心频点的1/4波长。第一低频频段小于1GHz。

所述馈源50还用于激励所述第二辐射体20形成支持第二低频频段的所述第二谐振模式。以所述第二谐振模式为1/4波长模式为例，所述第二辐射体20的电长度为第二低频频段的中心频点的1/4波长。第二低频频段小于1GHz。

所述馈源50还用于激励所述第三辐射体30及所述容性调谐电路40(即等效LC谐振电路)形成支持第三低频频段的环形模式。第三低频频段小于1GHz。可选的，所述第三辐射体30的电长度远远小于第三低频频段的1/4波长。故本申请所形成的所述环形模式并不是激励所述第三辐射体30的电长度下的特征谐振，而是所述第三辐射体30等效为电感，容性调谐电路40等效为电容所形成的等效LC谐振电路的谐振。第三低频频段的中心频点为该等效LC谐振电路的谐振点。

所述环形模式的谐振电流从所述第二接地端H经所述第一连接点G、所述容性调谐电路40下地。由于电流的周期性，所述环形模式的谐振电流也可以反向流动。

所述环形模式的谐振电流的电流强度分布也与所述第二谐振模式的谐振电流的电流强度分布不同。例如，所述第二谐振模式的谐振电流为由强至弱的电流分布，而所述环形模式的谐振电流的电流强度在所述第三辐射体30上分布相对均匀。

第一低频频段、第二低频频段及第三低频频段皆小于1GHz。可选的，第一低频频段、第二低频频段及第三低频频段皆大于0.65GHz且小于0.9GHz。进一步地，第一低频频段、第二低频频段及第三低频频段共同可覆盖0.65GHz～0.9GHz。

本申请通过以上的设计，通过一个所述天线组件100(一个馈源50)形成三个谐振模式，且每个谐振模式多支持的频段不同，进而实现所述天线组件100在低频段可支持的频段数量增加，例如所述天线组件100可支持LB+LB+LB(低频三波)，或复杂的LB双波等的应用。

可选的，所述第一辐射体10与所述第二辐射体20之间的耦合模式为H-E模式。所述第一低频频段的中心频点小于所述第二低频频段(第一低频频段的高频侧)的中心频点。所述第一谐振模式用于在所述第二低频频段形成效率凸起。

具体的，当所述第一耦合端C为自由端时，所述第一耦合端C为电场最强处，所述馈电端D为电场最强处，所述第一谐振模式为所述第一辐射体10与所述第二辐射体20之间的H-E(磁场-电场)模式。所述第二辐射体20所支持的所述第二谐振模式为主谐振模式。所述第一辐射体10与所述第二辐射体20耦合所形成的所述第一谐振模式为寄生谐振模式。当所述第一谐振模式的谐振点位于所述第二谐振模式的谐振点之前(低频侧)时，所述第一谐振模式能够在其谐振点之后(高频侧)先形成效率凹坑再形成效率凸起，即所述第一谐振模式用于在所述第二低频频段的低频侧形成效率凸起。故本申请设计所述第一辐射体10与所述第二辐射体20耦合形成的所述第一谐振模式，以及设计所述第一谐振模式的谐振点小于所述第二谐振模式的谐振点，使所述第一辐射体10所形成的所述第一谐振模式提升第二低频频段的效率。

所述第二低频频段的中心频点小于所述第三低频频段的中心频点。所述环形模用于在所述第二低频频段(第三低频频段的低频侧)形成效率凸起。

所述环形模式与所述第二谐振模式相融合，且所述环形模式的谐振点大于第二低频频段的谐振点。当所述第二谐振模式的谐振点位于所述环形模式的谐振点之前(低频侧)时，所述环形模式能够在其谐振点之前(低频侧)先形成效率凹坑再形成效率凸起，所述环形模式用于在所述第二低频频段的高频侧形成效率凸起。故本申请设计所述第三辐射体30与所述第二辐射体20的耦合模式，以及设计所述环形模式的谐振点大于所述第二谐振模式的谐振点大小，使所述第三辐射体30所形成的所述环形模式提升第二低频频段的效率。

本申请实施例提供的所述电子设备1000，所述第一辐射体10包括所述第一耦合端C，所述第二辐射体20包括相背设置的所述馈电端D及所述第二耦合端E，所述馈电端D与所述第一耦合端C之间形成所述第一耦合缝隙N1，所述第三辐射体30包括所述第三耦合端F、所述第一连接点G及所述第二接地端H，所述第三耦合端F与所述第二耦合端E之间形成第二耦合缝隙N2，容性调谐电路40的一端电连接所述第一连接点G，容性调谐电路40的另一端接地，馈源50电连接所述馈电端D，馈源50用于激励所述第一辐射体10形成支持第一低频频段的所述第一谐振模式，馈源50还用于激励所述第二辐射体20形成支持第二低频频段的所述第二谐振模式，馈源50还用于激励所述第三辐射体30及容性调谐电路40形成支持第三低频频段的所述环形模式，所述环形模式的谐振电流从所述第二接地端H经所述第一连接点G、容性调谐电路40下地，第一低频频段的中心频点小于第二低频频段的中心频点，第二低频频段的中心频点小于第三低频频段的中心频点，其中，所述第一谐振模式用于增加第二低频频段的带宽及效率，所述环形模式用于增加第二低频频段的带宽及效率，所述第一谐振模式与所述环形模式形成所述第二谐振模式的双重效率提升作用，进而提升主模式(所述第二谐振模式)的第二低频频段的效率。

可选的，所述第三低频频段与所述第二低频频段形成连续频带，所述环形模式还用于增加所述第二低频频段的效率带宽(在后续进行具体说明)，提升抗频偏特性。

可选的，请参阅图4，所述第一辐射体10还包括与所述第一耦合端C相背设置的第一接地端A。所述第一接地端A用于电连接所述参考地板500。

请参阅图5，所述第一谐振模式的电流(图5中的虚线箭头部分)包括从所述第一接地端A流向所述第一耦合端C的第一子电流，及从所述第二耦合端E流向所述馈电端D的第二子电流，并在所述馈电端D下地。由于电流的周期性，所述第一谐振模式的电流方向可以反向。可选的，第一子电流在所述第一接地端A为电流强点，第一子电流在所述第一耦合端C为电流弱点，第一子电流的强度从所述第一接地端A流向所述第一耦合端C逐渐减少。

所述第一子电流的强度大于所述第二子电流的强度。换言之，所述第一谐振模式的主要电流位于所述第一辐射体10上，所述第二辐射体20上具有少量的电流。所述第一辐射体10的电长度接近于或为第一低频频段的中心频点的1/4波长，以便于所述第一子电流的电流模式为所述第一低频频段的中心频点的1/4波长模式。举例而言，本申请所述的“接近于”目标值可为与目标值相差1/10波长的范围。

请参阅图6，所述第二谐振模式的电流(图6中的虚线箭头部分)从所述第二耦合端E流向所述馈电端D。由于电流的周期性，所述第二谐振模式的电流方向可以反向。所述第二谐振模式的电流在所述馈电端D为电流强点，所述第二谐振模式的电流在所述第二耦合端E为电流弱点。所述第二谐振模式的电流强度从所述馈电端D至所述第二耦合端E逐渐减弱。

所述第二谐振模式的电流路径的电长度接近于或为第二低频频段的中心频点的1/4波长，以便于所述第二谐振模式为所述第二低频频段的中心频点的1/4波长模式。其中，所述第二谐振模式的电流路径的电长度可为所述第二辐射体20的电长度，或所述第二辐射体20+补偿电感的电长度。

请参阅图7，所述参考地板500包括弯折连接的第一边501和第二边502。所述第一边501与所述第二边502之间的连接处形成拐角点503。其中，第一边501与第二边502可为相垂直的两边。本申请不限于拐角点503为所述参考地板500的左上角、或右上角、或左下角、或右下角。

可选的，请参阅图7，所述天线组件100还包括接地电路60。所述接地电路60的一端电连接所述馈电端D，所述接地电路60的另一端接地，接地即电连接所述参考地板500。所述接地电路60的接地端与所述拐角点503之间的距离小于或等于所述第二低频频段的中心频点的1/16波长。换言之，所述第二辐射体20的回地位置接近于所述参考地板500的拐角点503，使所述参考地板500作为辐射器，且所述第二谐振模式在所述参考地板500上所形成的地板电流尽量少的相抵消，以增加所述第二谐振模式所支持的第二低频段的辐射效率。

具体的，对于手机所述参考地板500而言，所述参考地板500的横向边的长度与低频段的1/4波长尺寸相近，将所述参考地板500看作一个具有一定宽度的天线振子，所述参考地板500+所述第二辐射体20形成馈点偏置的偶极子天线。换言之，所述参考地板500可作为辐射器，在馈源50的激励下产生电流分布，提升所述第二低频段的辐射效率。

由于所述第二辐射体20的回地位置位于所述参考地板500的拐角点503附近，在馈源50的激励下，所述参考地板500上形成地板电流，地板电流包括沿横向边的横向电流及沿纵向边的纵向电流，该横向电流与纵向电流的流向皆朝向拐角点503，而由于横向电流与纵向电流相交，甚至接近垂直，所以横向电流与纵向电流之间的相互抵消少。

具体的，请参阅图8，以第一边501为横向边、第二边502为纵向边为例，其中，横向边的长度小于纵向边的长度。当所述天线组件100在所述参考地板500的拐角点503回地。所述参考地板500上的地板电流之间的最大角度为90°左右。即沿第一边501的横向电流以及沿第二边502的纵向电流为最大角度的电流，无反向电流产生，其远场能量抵消少，提升所述参考地板500的贡献效率，进而使第一频段具有较好的辐射效率。

所述第二辐射体20设于所述电子设备1000的所述底边322，可以利用所述电子设备1000的所述底边322上的空间，且避开了手竖屏握所述电子设备1000时的侧边位置，进而在手竖屏握持时具有较好的工作效率。

本实施例中，设计所述接地电路60的接地端与所述拐角点503之间的距离小于或等于第二低频频段的1/16波长。当所述接地电路60的接地端与所述拐角点503之间的距离大于第二低频频段的1/16波长时，沿横向边或纵向边上所形成的反向电流的部分相对较多，如此，反向电流相互抵消的部分较多，对第二低频频段的辐射效率较低。如此，所述接地电路60的接地端与所述拐角点503之间的距离小于或等于第二低频频段的1/16波长，沿横向边或纵向边上所形成的反向电流对的部分较少，对于第二低频频段的效率影响较小。进一步地，接地电路60的接地端可设于拐角点503，沿横向边或纵向边上所形成的反向电流的部分更少或者接近没有反向电流，对于第二低频频段的效率影响更小。

本实施方式中，接地电路60的接地端与拐角点503之间的距离小于或等于10mm。

随着所述电子设备1000的通信需求增加，所述电子设备1000上需设置越来越多的天线，而天线需要占据一定的位置空间，特别是低频天线的尺寸相对较大，占据的空间也较大。以所述电子设备1000为手机为例，一支低频天线占用了所述电子设备1000的右下角的全部空间，而为了进一步地提升低频信号的有效连接，所述电子设备1000上的低频天线的数量为多个，例如四支低频天线。由于低频天线的频率较低，在整机堆叠中，一支低频天线平均需要40-50mm的枝节长度，占据的空间较大。如果低频天线的长度缩短，则天线辐射效率会迅速下降。

本申请以下实施例将对于所述天线组件100在确保天线辐射效率的同时且实现小型化的结构进行具体说明。

可选的，所述第二辐射体20的电长度小于所述第二低频频段的中心频点的1/4波长。

请参阅图8，图8是本申请第一种实施例提供的所述天线组件100的结构示意图。所述接地电路60还包括电感元件L0。所述电感元件L0的一端电连接所述馈电端D，所述电感元件L0的另一端电连接所述参考地板500。所述电感元件L0用于补偿所述第二辐射体20的电长度。

一般地，所述第二辐射体20需要电长度接近于或为第二低频频段的中心频点的1/4波长时，利于在所述第二辐射体20上形成支持第二低频频段的1/4波长的谐振模式，而由于本实施例中设计所述第二辐射体20小型化，故缩短了所述第二辐射体20的长度，所述第二辐射体20的电长度小于或远小于第二低频频段的中心频点的1/4波长。

所述电感元件L0用于补偿所述第二辐射体20的电长度。所述第二谐振模式的谐振电流能够从所述第二辐射体20经所述电感元件L0流向所述参考地板500。所述电感元件L0用于增加所述第二谐振模式的谐振电流的电流路径，补偿所述第二辐射体20的电长度，使所述第二辐射体20与电感元件L0的电长度接近第二低频频段的1/4波长，进而为所述第二辐射体20产生所述第二谐振模式提供电长度条件。

本实施例通过将所述第二辐射体20的回地位置(接地电路60的接地端的位置)设于所述参考地板500的拐角附近，可激励所述参考地板500产生横向电流及纵向电流，并参与能量辐射，以提升第二低频频段的效率，另一方面，横向电流与纵向电流在远场能量相互抵消少，故也能够提升第二低频频段的效率。虽然缩短所述第二辐射体20的长度，会导致所述第二谐振模式的效率降低，但是由于本实施方式前述设计已将所述第二谐振模式的效率提升至较好的高度，即使所述第二辐射体20因长度缩短而导致效率有所降低，但也能够满足使用标准。故本实施例在上述的基础上适当缩短所述第二辐射体20的长度，也确保所述第二谐振模式的产生及具有相对较好的效率，减少了所述天线组件100所占据的空间，且实现了所述天线组件100的小型化。

进一步地，所述第二辐射体20的长度大于或等于所述第二低频频段的中心频点的1/4波长的1/5倍。本实施例中所述第二辐射体20的长度可缩短至第二低频频段的中心频点的1/4波长的1/2倍。换言之，所述第二辐射体20的长度可缩短至原本尺寸的一半。以第二低频频段为低频为例，在未缩短所述第二辐射体20的长度时，所述第二辐射体20的长度约为50mm，本实施方式中，所述第二辐射体20的长度可约为25mm，在产生所述第二谐振模式的同时，使所述第二谐振模式具有相对较好的辐射效率，且实现了所述天线组件100的小型化。进一步地，所述第二辐射体20的长度还可约为10mm，在产生所述第二谐振模式的同时，使所述第二谐振模式具有相对较好的辐射效率，且进一步地实现了所述天线组件100的小型化。

可选的，请参阅图8，电感元件L0包括电感。电感的一端电连接接地电路60的接地端的另一端，电感的另一端接地。如此，所述第二谐振模式的谐振电流可从所述第二辐射体20、电感下地。电感的等效电长度与所述第二辐射体20的电长度之和接近第二低频频段的1/4波长，使所述天线组件100具有产生所述第二谐振模式的电长度条件。

请参阅图8，所述天线组件100还包括匹配电路M，匹配电路M电连接于馈源50与所述馈电端D之间，所述匹配电路M用于调谐所述馈源50端口与所述馈电端D的阻抗匹配，以便于形成所述第二谐振模式。所述匹配电路M包括电容、电感中的至少一者。

需要说明的是，即使电感能够补充所述第二辐射体20的缩短而导致的电长度减少量，但是由于电感器件对谐振电流的作用不如辐射枝节的辐射贡献，所以若没有采取将所述天线组件100设于前述的所述参考地板500的拐角附近，将导致所述第二谐振模式的效率下降。而本申请前述中将所述天线组件100设于前述的所述参考地板500的拐角附近，可有效地弥补因电感及所述第二辐射体20所形成的所述第二谐振模式所带来的效率降低，在实现所述天线组件100小型化的同时还提升了所述第二谐振模式的效率。

请参阅图8，以所述第一辐射体10为单极子天线为例，单极子天线设于所述电子设备1000的右侧长边且靠近所述底边322的位置。其中，所述天线组件100的所述第二辐射体20的长度约为23mm，约为LB天线的辐射体正常所需尺寸的二分之一。

本实施方式将所述天线组件100的回地位置(电感所连接的接地电路60的接地端为回地位置)设于拐角处，不仅保证了在所述第二辐射体20上激励起LB低频频段的谐振电流，而且所述天线组件100在低频辐射时，有相当一部分能量来自于所述参考地板500(例如PCB板)的辐射贡献。其中，所述参考地板500(例如PCB板)短边(第一边501)的宽度与LB低频所需要长度接近，因此能更多的替代缩短后的所述第二辐射体20，激励起LB频段的谐振电流。此外，回地位置的强电流在所述参考地板500(例如PCB板)上分布如图8所示，基本无反向电流。所述参考地板500(例如PCB板)上电流形成的角度最大为90度，其他部分的电流之间的角度甚至小于90度，所述参考地板500上的电流在远场能量上无抵消，而在除拐角的其他位置，所述参考地板500(例如PCB板)上会产生反向电流，所述参考地板500上的电流在远场能量出现抵消，因此，所述天线组件100在拐角处回地可显著提高效率。

以上为对所述第一辐射体10的回地位置设于所述参考地板500的拐角点503及设计小型化的所述第一辐射体10的结构示意图。以下对于所述第三辐射体30及容性调谐电路40的具体结构进行举例说明。

本实施例中，所述第三辐射体30的电长度小于所述第三低频频段的1/4波长且大于所述第三低频频段的1/16波长。

所述第三辐射体30作为所述第二辐射体20的寄生辐射体。所述第三辐射体30在馈源50的作用下产生本征谐振模式需要约低频的1/4波长的电长度。然而，所述第三辐射体30的电长度远远小于所述第二辐射体20的电长度，所以所述第三辐射体30的电长度无法激励出低频的谐振模式。

请参阅图9，所述第三辐射体30对于所述环形模式的谐振电流而言等效为等效电感。所述容性调谐电路40与所述第三辐射体30对于所述环形模式的谐振电流为等效LC电路。所述第三辐射体30的电长度小于第三低频频段的1/4波长，所述第三辐射体30并没有产生所述第三辐射体30的本征谐振模式，所述第三辐射体30而是等效为电感，并与容性调谐电路40等效为等效LC谐振电路，在等效电感确定的情况下，容性调谐电路40将等效LC谐振电路的谐振频点调谐为低频，该低频记为第二低频频段。

换言之，容性调谐电路40用于与所述第三辐射体30形成等效LC谐振电路，并将等效LC谐振电路的谐振点调谐至低频频段。所述等效LC电路的谐振频点为所述第三低频频段的中心频点。

如此，所述第三辐射体30与容性谐振电路形成的等效LC谐振电路、所述第二辐射体20、所述第三辐射体30在馈源50的激励下形成支持低频的三波谐振，提升低频效率及带宽。本实施例中的所述第二辐射体20及所述第三辐射体30皆可实现小型化，且可支持低频的三波谐振。

本申请对于所述第三辐射体30的大小不做具体的限定，可选的，所述第三辐射体30的电长度为第三低频频段的1/8波长左右，所述第三辐射体30的长度为20mm±5mm。

若所述第三辐射体30的长度小于15mm，则离所述第三辐射体30的物理谐振长度(1/4波长)过远，此时从所述环形模式的S参数来看，所述环形模式弱，所述环形模式对所述第二谐振模式的贡献小，对于第一低频的效率提升作用小。本申请设计所述第三辐射体30的长度接近于第三低频频段的1/8波长，实现了极短的低频寄生枝节，形成低频三波，所述环形模式与所述第二谐振模式相融合，提升所述第二谐振模式的辐射效率，在提升低频效率的同时减少所述天线组件100占据的尺寸。

请参阅图10，所述容性调谐电路40包括电容元件。电容元件的数量为至少一个。可选的，所述电容元件的电容值小于或等于10pF。以所述第三辐射体30的电长度为第三低频频段的1/8波长为例，由于长度为第三低频频段的1/8波长左右的所述第三辐射体30可等效为电感，例如10-20nH。设置容性调谐电路40为电容元件，电容元件与所述第三辐射体30形成等效的LC电路，电容元件的电容值为小电容，例如电容值小于10pF，以将等效LC谐振电路的谐振频点拉低至低频频段，即形成支持第三低频频段的所述环形模式。

所述环形模式中，所述第二接地端H经所述第三辐射体30至所述第一连接点G，再经容性调谐电路40下地路径中的电流强度均匀，皆为较强电流，无明显的强弱电流之分。

请参阅图10，所述第一连接点G与所述第三耦合端F之间的距离较小。其中，所述第三耦合端F与所述第一连接点G很近，更容易激励出效率好的所述环形模式。对于等效LC谐振电路而言，所述第一连接点G与所述第二接地端H之间的部分等效为电感，所述第一连接点G至所述第三耦合端F之间的部分等效为电容，当所述第一连接点G至所述第三耦合端F之间的距离越长时，所述第一连接点G至所述第三耦合端F之间的电容对于等效LC谐振电路的影响越大，需要采用传统的电感调谐出低频，也不易形成所述环形模式。

本申请对于所述第一连接点G与所述第三耦合端F之间的距离不做具体的限定。可选的，本实施例中，所述第一连接点G与所述第三耦合端F之间的距离小于或等于所述第三辐射体30长度的1/5，在满足所述环形模式的同时，可相对灵活地设置第一接地点的位置和容性调谐电路40的位置，具有低频双波独立性和低频双波融合的特性。

可选的，所述第一连接点G位于所述第三耦合端F。所述环形模式的谐振电流流经整个所述第三辐射体30，所述第三辐射体30整个长度皆等效为电感，在满足所述第三辐射体30的尺寸小型化的同时，形成环形电流模式，支持第三低频频段，环形电流模式提升所述第二谐振模式的效率，进而提升第二低频频段的效率及带宽。

所述第二谐振模式与所述环形模式不同之处包括：所述第二谐振模式为所述第二辐射体20的电长度满足第一低频的1/4波长的本征谐振模式。所述环形模式为所述第三辐射体30的电长度远远小于第三低频频段的1/4波长模式时，所述第三辐射体30等效为电感，所述第三辐射体30与容性调谐电路40形成等效LC谐振电路的谐振模式。所述环形模式并不是所述第三辐射体30的本征谐振模式。

可选的，所述第一低频频段的子频段切换与所述第二低频频段的子频段切换相互独立，所述第二低频频段的子频段切换与所述第三低频频段的子频段切换相互独立。所述第一低频频段的子频段切换与所述第三低频频段的子频段切换相互独立。即所述第一谐振模式所支持的频段、所述第二谐振模式所支持的频段及所述环形模式所支持的频段三者皆可以独立切换，减少所支持频段之间的束缚，进而可支持更多的复杂频段组合。

在一种可选的实施方式中，请参阅图10，所述第一辐射体10还包括所述第一接地端A及第二连接点B。所述第一接地端A与所述第一耦合端C相背设置。所述第二连接点B位于所述第一接地端A或者位于所述第一接地端A与所述第一耦合端C之间。所述第一辐射体10与所述第二辐射体20之间的耦合模式为H-E(磁场-电场)模式。

在另一实施方式中，请参阅图11，所述第一耦合端C为接地端。所述第一辐射体10还包括自由端J及第二连接点B。所述自由端J与所述第一耦合端C相背设置。所述第二连接点B位于所述第一耦合端C与所述自由端J之间或者位于所述第一耦合端C。所述第一辐射体10与所述第二辐射体20之间的耦合模式为H-H(磁场-磁场)模式。

请参阅图12，所述天线组件100还包括第一开关调谐电路T1。所述第一开关调谐电路T1包括第一开关单元K1及多个第一阻抗调谐支路R1。所述第一阻抗调谐支路R1包括电感。所述第一开关单元K1电连接所述第二连接点B与多个所述第一阻抗调谐支路R1。所述第一开关单元K1用于切换所述第二连接点B与任意一个或多个所述第一阻抗调谐支路R1导通，每个第一阻抗调谐支路R1的另一端接地，以切换所述第一低频频段的子频段。第一开关调谐电路T1用于独立调谐所述第一低频频段的子频段。例如，从B28频段切换至B5频段等。

每个所述第一阻抗调谐支路R1的阻抗不同，每个所述第一阻抗调谐支路R1的一端皆电连接所述第一开关单元K1的选择端。每个所述第一阻抗调谐支路R1的另一端皆电连接所述参考地板500。第一开关单元K1为开关管，包括但不限于为三极管、晶体管、场效应管等中的至少一种。第一阻抗调谐支路R1可以为不同电感值的电感器。当第一开关单元K1切换至不同的第一阻抗调谐支路R1时，第一阻抗调谐支路R1具有不同的阻抗，即具有不同的等效电长度，如此，调谐所述第一谐振模式所支持的第一低频频段的子频段大小。

请参阅图13，所述天线组件100还包括第二开关调谐电路T2。所述第二开关调谐电路T2包括第二开关单元K2及多个第二阻抗调谐支路R2。所述第二阻抗调谐支路R2包括电感。所述第二开关单元K2电连接所述馈电端D与多个所述第二阻抗调谐支路R2。每个第二阻抗调谐支路R2的另一端皆接地。所述第二开关单元K2用于切换所述馈电端D与任意一个或多个所述第二阻抗调谐支路R2导通，以切换所述第二低频频段的子频段。第二开关调谐电路T2用于独立调谐所述第二低频频段的子频段。例如，从B5频段切换至B8频段等。

请参阅图14，所述容性调谐电路40还包括第三开关单元K3及多个电容元件C0。所述第三开关单元K3电连接所述第一连接点G和所述多个电容元件C0。所述第三开关单元K3用于切换所述第一连接点G与任意一个或多个所述电容元件C0导通，以切换所述环形模式所支持的第三低频频段的子频段。第三开关调谐电路用于独立调谐所述第三低频频段的子频段。所述第一开关单元K1切换所述第一连接点G与任意一个或多个所述电容元件C0导通时，可切换电容调谐电路具有不同的电容值(或者阻抗值)，不同电容值的电容元件C0将等效LC谐振电路调谐为不同的谐振点，进而切换所述环形模式支持不同的低频子频段，例如从B8切换至B5，从B5切换至B28等。

可以理解的，所述第一谐振模式的谐振电流分布与所述第二谐振模式的谐振电流分布相对独立，所述第二谐振模式的谐振电流分布与第三谐振模式的谐振电流分布相对独立。

在第一开关调谐电路T1切换第一低频频段的子频段时对于所述第二谐振模式的所支持的第二低频频段的子频段的影响小或基本无影响，且第二开关调谐电路T2切换第二低频频段的子频段时对于所述第一谐振模式的所支持的第一低频频段的子频段的影响小或基本无影响，在第二开关调谐电路T2切换第二低频频段的子频段时对于第三谐振模式的所支持的第三低频频段的子频段的影响小或基本无影响，且第三开关调谐电路切换第三低频频段的子频段时对于所述第二谐振模式的所支持的第二低频频段的子频段的影响小或基本无影响，故所述第一低频频段的子频段切换、所述第二低频频段的子频段切换与所述第三低频频段的子频段切换相互独立，以实现三波三切，所述天线组件100所支持的频段不仅能够满足B8频段+B28频段，还可以实现B28/B5/B8双波的更复杂L+L需求。

本申请对于所述第一辐射体10、所述第二辐射体20及所述第三辐射体30在所述边框320上的位置不做具体的限定。

所述第一辐射体10设于所述第一侧边323靠近于所述底边322的部分。所述第二辐射体20设于所述底边322。所述第三辐射体30的一部分设于所述底边322。所述第三辐射体30的另一部分设于所述第二侧边324靠近于所述底边322的部分。

请参阅图15及图16，图15以所述电子设备1000为直板手机为例的正面(显示屏200所在面)视图。图16以所述电子设备1000为折叠手机、转轴在上面为例对的结构示意图。

在左手握持场景下，所述第一侧边323的靠近所述底边322的区域为第一手掌握持区Z1。所述第一手掌握持区为左手手掌握持所述电子设备1000时接触所述第一侧边323的区域。第一手掌握持区Z1与所述底边322的距离小于或等于40mm。

右手握持场景下，所述第二侧边324的靠近所述底边322的区域为第二手掌握持区Z2。所述第二手掌握持区为右手手掌握持所述电子设备1000时接触所述第二侧边324的区域。第二手掌握持区Z2与所述底边322的距离小于或等于40mm。

所述底边322包括开放区，开放区为右手握持及左手握持时无法接触到所述底边322的区域。可选的，所述底边322的开放区Z3位于与所述第一侧边323、所述第二侧边324的距离大于10mm的区域。

可以理解，由于不同用户的手掌大小存在差异，会使得不同用户在以相同手势握持同一所述电子设备1000时，手掌握持于所述电子设备1000的所述边框320上位置存在一定差异。作为示例，本申请所述的手掌握持区可以为满足任意尺寸手掌的用户在以相同的手势握持本申请的所述电子设备1000时所形成的对应区域。例如，本申请的手掌握持区可以是包含任意尺寸手掌的用户以相同的姿势握持本申请的所述电子设备1000时，所述电子设备1000的所述边框320被手掌覆盖并与手掌存在接触的区域。

首先，请参阅图17，所述第二辐射体20位于所述底边322的开放区Z3内，如此，所述第二辐射体20作为主辐射体，其谐振电流不会受到手持影响，以确保主工作频段(第二低频频段)在自由空间、左手握持或右手握持状态下的天线性能，进而提高所述电子设备1000的抗手握性能。

然后，请参阅图17，所述第一辐射体10在所述第一谐振模式下的至少部分的强电流段设于所述第一手掌握持区Z1，以在左手手掌握持下形成介质加载，进而在左手握持下提升所述第一谐振模式的辐射效率。所述第三辐射体30在所述环形模式下的至少部分的强电流段设于所述第二手掌握持区Z2，以在右手手掌握持下形成介质加载，进而在右手握持下提升第三谐振模式的辐射效率。

可知，所述第二辐射体20设于所述电子设备1000的所述底边322，无论是折叠左手场景还是折叠右手场景，所述第二辐射体20皆无法被握住，因此不论所述电子设备1000处于展开状态还是处于折叠状态，手握对于所述天线组件100的主模性能影响较小，手的吸收少，因此手握降幅不大，所述电子设备1000具有抗手握特性。

通过对所述天线组件100的结构及在所述边框320上的安装位置进行设计，使所述第一辐射体10的强电流段位于所述第一侧边323的第一手掌握持区Z1内，所述第三辐射体30的强电流段位于所述第二侧边324的第二手掌握持区Z2内，以便,强电流段在手掌握持场景下被握持，进而形成介质加载作用。

以下对所述天线组件100在强电流段110处于手掌握持状态下形成介质加载进行具体的说明：由于所述强电流段设于所述第一侧边323的第一手掌握持区Z1。在左手握持场景下，手掌接触强电流段。手掌的等效介电常数较大，例如25-40，远远大于空气中的介电常数0，所以手掌接触强电流段，相当于改变了强电流段所辐射的电磁波的辐射环境。手掌在电磁波的辐射空间中形成了高介电常数介质。基于电磁波波长在高介电常数介质中会缩短的原理，让介质(例如手掌)覆盖或围绕于辐射体周围，可以在相应频段大大缩小天线体积，即介质加载可以起到小型化的作用。而在所述电子设备1000中，由于手掌握持前后强电流段的长度相等，因此手掌握持后，改变了强电流段周围的等效介电常数，由于强电流段的电长度不变，根据波长缩短效应，辐射能力会朝向低频偏移，即辐射效率峰值朝向低频侧偏移。

在所述第一谐振模式下，所述强电流段在辐射过程中，遇到手掌形成的高介电常数介质，如此，所述第一谐振模式下的辐射效率峰值会朝向低频侧偏移。由于所述第一谐振模式在第一低频频段及第一低频频段的高频侧的辐射效率为逐渐升高，即第一低频频段的高频侧的辐射效率高于第一低频频段的辐射效率。所以在所述第一谐振模式的辐射效率峰值朝向低频侧偏移之后，第一低频频段的辐射效率增加，即本文所述的所述天线组件100在手握持状态及所述第一谐振模式下形成介质加载，进而提升所述第一谐振模式下的辐射效率。

一般而言，手部接触所述天线组件100的辐射体时手部对于辐射体所辐射的电磁波具有吸收作用，而本申请中，由于手掌所接触的区域并非第一自由端D所在的辐射段，且手掌对于所述天线组件100的介质加载带来的效率提升大于手掌吸收作用带来的效率降低，所以整体而言呈现的是，所述天线组件100在手掌握持状态及所述第一谐振模式下形成介质加载，进而提升所述第一谐振模式下的辐射效率。

请参阅图18，所述电子设备1000为可折叠电子设备。所述第一侧边323、所述第二侧边324皆可弯折呈折叠状态或展开状态。所述顶边321与所述底边322在折叠状态下在所述电子设备1000的厚度方向上叠加设置。

请参阅图18，所述电子设备1000包括第一主体710及第二主体720。所述第一主体710与所述第二主体720活动连接(转动连接或滑动连接)以呈现折叠状态或展开状态。所述第一主体710包括所述顶边321。所述第二主体720包括所述底边322。所述电子设备1000处于展开状态时,所述顶边321与所述底边322分别位于所述电子设备1000的相背的两侧。所述电子设备1000处于折叠状态时,所述顶边321与所述底边322在厚度方向上重叠。换言之，所述顶边321、所述第一侧边323的第一部分、所述第二侧边324的第一部分位于所述第一主体710。所述底边322、所述第一侧边323的第二部分、所述第二侧边324的第二部分位于所述第二主体720。

对于所述电子设备1000为可折叠电子设备而言，由于折叠后由于所述参考地板500的面积减半，对效率影响很大，特别是依赖所述参考地板500辐射的低频而言。所述电子设备1000折叠后对于低频天线的效率影响较大，在N28频段，最大处降幅接近10dB。因为所述参考地板500上的电流分布大多集中在纵向，主地减半效率峰值会向高频移动，B28带内辐射效率大幅降低。

请参阅图8，本实施例中主天线(所述第二辐射体20)在所述第二谐振模式下激励所述参考地板500上形成的地板电流主要为横向电流。即所述第二辐射体20在所述第二谐振模式下激励所述参考地板500上形成的地板电流中横向电流强度大于纵向电流强度。由于折叠带来的主要是所述参考地板500的纵向尺寸的大幅减小，因此对于所述第二辐射体20在所述参考地板500上的电流分布影响小，即本申请提供的所述天线组件100具有很好的自谐振特性，具有一定的抗折叠特性，以进一步提升中高频天线在可折叠所述电子设备1000的在折叠后的辐射效率，以确保可折叠所述电子设备1000的合盖通话功能稳定。

请参阅图19，图19是本申请提供的所述电子设备1000在折叠自由空间下的S参考曲线、效率曲线。曲线a是所述电子设备1000在折叠自由空间下的S参数曲线。曲线b是所述电子设备1000在折叠自由空间下的辐射效率曲线。曲线c是所述电子设备1000在折叠自由空间下的总效率曲线。可以看出，折叠场景下，所述第二谐振模式所支持的B28频段的效率约为-10dB，在所述电子设备1000处于折叠状态下该B28频段的效率在实际应用中为很好的效率。

以下以所述第二辐射体20为单极子天线，单极子天线的回地位置靠近于所述参考地板500的拐角处，及缩短所述第二辐射体20的长度，实现LB天线小型化，及提高低频天线本身主模的效率。所述第一辐射体10与所述第二辐射体20之间的耦合为H-E形式，产生H-E寄生；所述第三辐射体30与所述第二辐射体20之间的耦合为E-E形式，产生环模寄生。

上述的所述天线组件100形成三种模式。其中，所述第一谐振模式为以所述第一接地端A到所述第一耦合缝隙N1的四分之一波长模式为主，同时所述馈电端D到第二耦合缝隙N2有反向的电流，这一模式即是H-E寄生枝节模式。所述第二谐振模式为主模式，在所述第二辐射体20上的四分之一波长模式。第三谐振模式为所述第三辐射体30的环模，所述第二接地端H至容性调谐电路40，其中所述第三辐射体30等效为电感，容性调谐电路40为下地电容，形成L-C谐振，模式3为环模。

请参阅图20，图20是本申请提供的所述天线组件100的S参数曲线及效率曲线。曲线a是指所述天线组件100的S参数曲线。曲线b是指所述天线组件100的辐射效率曲线。曲线c是指所述天线组件100的总效率曲线。

从S曲线中的点1所在的谐振为所述第一谐振模式，点2所在的谐振为所述第二谐振模式，点3所在的谐振为第三谐振模式。可以看出，所述第一谐振模式、所述第二谐振模式及第三谐振模式形成覆盖0.68-0.85GHz的连续频带。

从总效率曲线可以看出，在所述第一谐振模式的谐振点之后形成效率凹坑，并在所述第二谐振模式的谐振点形成效率凸起；第三谐振模式的谐振点之前形成效率凹坑，并在所述第二谐振模式的谐振点形成效率凸起，即所述第一谐振模式及第三谐振模式皆能够提升所述第二谐振模式的效率。

请参阅图21，图21是本申请提供的单独设置所述第二辐射体20，设置所述第一辐射体10及所述第二辐射体20，设置所述第二辐射体20及所述第三辐射体30，同时设置所述第一辐射体10、所述第二辐射体20及所述第三辐射体30的S参数曲线。曲线a是单独设置所述第二辐射体20的S参数曲线。曲线b是设置所述第一辐射体10及所述第二辐射体20的S参数曲线。曲线c是设置所述第二辐射体20及所述第三辐射体30的S参数曲线。曲线d是同时设置所述第一辐射体10、所述第二辐射体20及所述第三辐射体30的S参数曲线。

可以看到，所述第一谐振模式的谐振频点在略低于所述第二谐振模式(主模)的谐振频点位置，所述第一谐振模式起到提高主模带内效率的作用。环模的谐振频点位于略高于所述第二谐振模式(主模)的谐振频点位置，起到拓展带宽的作用。

请参阅图22，图22是本申请提供的单独设置所述第二辐射体20，设置所述第一辐射体10及所述第二辐射体20，设置所述第二辐射体20及所述第三辐射体30，同时设置所述第一辐射体10、所述第二辐射体20及所述第三辐射体30的效率曲线。曲线a1是单独设置所述第二辐射体20的效率曲线。曲线b1是设置所述第一辐射体10及所述第二辐射体20的效率曲线。曲线c1是设置所述第二辐射体20及所述第三辐射体30的效率曲线。曲线d1是同时设置所述第一辐射体10、所述第二辐射体20及所述第三辐射体30的效率曲线。

曲线a2是单独设置所述第二辐射体20的效率曲线。曲线b2是设置所述第一辐射体10及所述第二辐射体20的效率曲线。曲线c2是设置所述第二辐射体20及所述第三辐射体30的效率曲线。曲线d2是同时设置所述第一辐射体10、所述第二辐射体20及所述第三辐射体30的效率曲线。

可以看到，增加所述第一辐射体10之后，在辐射效率上，所述第二谐振模式(主模)的带内效率(0.7-0.8GHz)提高了0.5dB左右。可以看到，增加环模的所述第二辐射体20之后，所述第二谐振模式(主模)的效率带宽提升大约50MHz以上。从图22可以看出，所述第三低频频段与所述第二低频频段形成连续频带，第二低频频段单独工作时的效率带宽为0.7-0.82GHz(以回波损耗为-10dB为例)；第三低频频段+第二低频频段时的效率带宽为0.7-0.87GHz(以回波损耗为-10dB为例)，效率带宽提升了50MHz。所述环形模式还用于增加所述第二低频频段的效率带宽。

本申请实施例提供的所述电子设备1000，所述第一辐射体10包括所述第一耦合端C，所述第二辐射体20包括相背设置的所述馈电端D及所述第二耦合端E，所述馈电端D与所述第一耦合端C之间形成所述第一耦合缝隙N1，所述第三辐射体30包括所述第三耦合端F、所述第一连接点G及所述第二接地端H，所述第三耦合端F与所述第二耦合端E之间形成第二耦合缝隙N2，容性调谐电路40的一端电连接所述第一连接点G，容性调谐电路40的另一端接地，馈源50电连接所述馈电端D，馈源50用于激励所述第一辐射体10形成支持第一低频频段的所述第一谐振模式，馈源50还用于激励所述第二辐射体20形成支持第二低频频段的所述第二谐振模式，馈源50还用于激励所述第三辐射体30及容性调谐电路40形成支持第三低频频段的所述环形模式，所述环形模式的谐振电流从所述第二接地端H经所述第一连接点G、容性调谐电路40下地，第一低频频段的中心频点小于第二低频频段的中心频点，第二低频频段的中心频点小于第三低频频段的中心频点，其中，所述第一谐振模式用于增加第二低频频段的带宽及效率，所述环形模式用于增加第二低频频段的带宽及效率，所述第一谐振模式与所述环形模式形成所述第二谐振模式的双重效率提升作用，进而提升主模式(所述第二谐振模式)的第二低频频段的效率。

通过将所述第二辐射体20的回地位置(接地电路60的接地端的位置)设于所述参考地板500的拐角附近，可激励所述参考地板500产生横向电流及纵向电流，并参与能量辐射，以提升第二低频频段的效率，另一方面，横向电流与纵向电流在远场能量相互抵消少，故也能够提升第二低频频段的效率。虽然缩短所述第二辐射体20的长度，会导致所述第二谐振模式的效率降低，但是由于本实施方式前述设计已将所述第二谐振模式的效率提升至较好的高度，即使所述第二辐射体20因长度缩短而导致效率有所降低，但也能够满足使用标准。故本实施例在上述的基础上适当缩短所述第二辐射体20的长度，也确保所述第二谐振模式的产生及具有相对较好的效率，减少了所述天线组件100所占据的空间，且实现了所述天线组件100的小型化。

本实施例中所述第二辐射体20在所述第二谐振模式下激励所述参考地板500上形成的地板电流主要为横向电流。即所述第二辐射体20在所述第二谐振模式下激励所述参考地板500上形成的地板电流中横向电流强度大于纵向电流强度。由于折叠带来的主要是所述参考地板500的纵向尺寸的大幅减小，因此对于所述第二辐射体20在所述参考地板500上的电流分布影响小，即本申请提供的所述天线组件100具有很好的自谐振特性，具有一定的抗折叠特性，以进一步提升中高频天线在可折叠所述电子设备1000的在折叠后的辐射效率，以确保可折叠所述电子设备1000的合盖通话功能稳定。

所述第二辐射体20设于所述电子设备1000的所述底边322，无论是折叠左手场景还是折叠右手场景，所述第二辐射体20皆无法被握住，因此不论所述电子设备1000处于展开状态还是处于折叠状态，手握对于所述天线组件100的主模性能影响较小，手的吸收少，因此手握降幅不大，所述电子设备1000具有抗手握特性。

综上，本申请提供的下天线三频LB结构，以横向小型化单极子模式来构造主模，通过增加H-E枝节和环模枝节形成双寄生枝节来提高带内效率，不仅具有较高的效率和较宽的频带覆盖，并实现宽带化多频多切换功能；将所述第二辐射体20设于所述底边322的开放区Z3，以避免握持场景下手握主天线(所述第二辐射体20)；将所述第二辐射体20设于所述底边322，具有抗折叠特性，以在合盖场景下的效率更高；将所述第一辐射体10及所述第二辐射体20的强电流段设于握持场景下的手掌握持区，以便于手掌对天线上的强电流段进行介质加载，利用介质加载提升低频段辐射效率；以上设计实现在左右手握持场景手掌形成介质加载，性能提升，均衡左右手握持性能，形成抗折叠抗手握的低频天线。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (19)

1.一种电子设备，其特征在于，包括天线组件，所述天线组件包括：

第一辐射体，包括第一耦合端；

第二辐射体，包括相背设置的馈电端及第二耦合端，所述馈电端与所述第一耦合端之间形成第一耦合缝隙；

第三辐射体，包括第三耦合端、第一连接点及第二接地端，所述第三耦合端与所述第二耦合端之间形成第二耦合缝隙；

容性调谐电路，所述容性调谐电路的一端电连接所述第一连接点，所述容性调谐电路的另一端接地；及

馈源，所述馈源电连接所述馈电端，所述馈源用于激励所述第一辐射体和所述第二辐射体形成支持第一低频频段的第一谐振模式，所述馈源还用于激励所述第二辐射体形成支持第二低频频段的第二谐振模式，所述馈源还用于激励所述第三辐射体及所述容性调谐电路形成支持第三低频频段的环形模式，所述环形模式的谐振电流从所述第二接地端经所述第一连接点、所述容性调谐电路下地，所述第一低频频段的中心频点小于所述第二低频频段的中心频点，所述第二低频频段的中心频点小于所述第三低频频段的中心频点。

2.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一谐振模式为所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的H-E模式，所述第一谐振模式用于在所述第二低频频段的低频侧形成效率凸起；所述环形模式用于在所述第二低频频段的高频侧形成效率凸起。

3.如权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体还包括与所述第一耦合端相背设置的第一接地端，所述第一谐振模式的电流包括从所述第一接地端流向所述第一耦合端的第一子电流，及从所述第二耦合端流向所述馈电端的第二子电流，所述第一子电流的强度大于所述第二子电流的强度，所述第一子电流的电流模式为所述第一低频频段的中心频点的1/4波长模式。

4.如权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述第二谐振模式的电流从所述第二耦合端流向所述馈电端，所述第二谐振模式为所述第二低频频段的中心频点的1/4波长模式。

5.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第三低频频段与所述第二低频频段形成连续频带，所述环形模式还用于增加所述第二低频频段的效率带宽。

6.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括参考地板，所述参考地板包括弯折连接的第一边和第二边，所述第一边与所述第二边之间的连接处形成拐角点；

所述天线组件还包括接地电路，所述接地电路的一端电连接所述馈电端，所述接地电路的另一端接地，所述接地电路的接地端与所述拐角点之间的距离小于或等于所述第二低频频段的中心频点的1/16波长。

7.如权利要求6所述的电子设备，其特征在于，

所述第二辐射体的电长度小于所述第二低频频段的中心频点的1/4波长；

所述接地电路还包括电感元件，所述电感元件的一端电连接所述馈电端，所述电感元件的另一端电连接所述参考地板，所述电感元件用于补偿所述第二辐射体的电长度。

8.如权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述第二辐射体的电长度大于或等于所述第一低频频段的中心频点的1/4波长的1/5倍。

9.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第三辐射体的电长度小于所述第三低频频段的1/4波长且大于所述第三低频频段的1/16波长。

10.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括参考地板，所述第二辐射体在所述第二谐振模式下激励所述参考地板上形成的地板电流主要为横向电流。

11.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述容性调谐电路包括至少一个电容元件，所述电容元件的电容值小于或等于10pF。

12.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一连接点与所述第三耦合端之间的距离小于或等于所述第三辐射体长度的1/5。

13.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第三辐射体对于所述环形模式的谐振电流为等效电感，所述容性调谐电路与所述第三辐射体对于所述环形模式的谐振电流为等效LC电路，所述等效LC电路的谐振频点为所述第三低频频段的中心频点。

14.如权利要求1-13任意一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一低频频段的子频段切换与所述第二低频频段的子频段切换相互独立，所述第二低频频段的子频段切换与所述第三低频频段的子频段切换相互独立，所述第一低频频段的子频段切换与所述第三低频频段的子频段切换相互独立。

15.如权利要求14所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体还包括第一接地端及第二连接点，所述第一接地端与所述第一耦合端相背设置，所述第二连接点位于所述第一接地端或者位于所述第一接地端与所述第一耦合端之间；或者，

所述第一耦合端为接地端，所述第一辐射体还包括自由端及第二连接点，所述自由端与所述第一耦合端相背设置，所述第二连接点位于所述第一耦合端与所述自由端之间或者位于所述第一耦合端；

所述天线组件还包括第一开关调谐电路，所述第一开关调谐电路包括第一开关单元及多个第一阻抗调谐支路，所述第一阻抗调谐支路包括电感，所述第一开关单元电连接所述第二连接点与多个所述第一阻抗调谐支路，所述第一开关单元用于切换所述第二连接点与任意一个或多个所述第一阻抗调谐支路导通，以切换所述第一低频频段的子频段。

16.如权利要求14所述的电子设备，其特征在于，所述天线组件还包括第二开关调谐电路，所述第二开关调谐电路包括第二开关单元及多个第二阻抗调谐支路，所述第二阻抗调谐支路包括电感，所述第二开关单元电连接所述馈电端与多个所述第二阻抗调谐支路，所述第二开关单元用于切换所述馈电端与任意一个或多个所述第二阻抗调谐支路导通，以切换所述第二低频频段的子频段。

17.如权利要求14所述的电子设备，其特征在于，所述容性调谐电路还包括第三开关单元及多个电容元件，所述第三开关单元电连接所述第一连接点和所述多个电容元件，所述第三开关单元用于切换所述第一连接点与任意一个或多个所述电容元件导通，以切换所述第三低频频段的子频段。

18.如权利要求1-13、15-17任意一项所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括边框，所述边框包括依次连接的顶边、第一侧边、底边及第二侧边；

所述第一辐射体设于所述第一侧边靠近于所述底边的部分，所述第二辐射体设于所述底边，所述第三辐射体的一部分设于所述底边，所述第三辐射体的另一部分设于所述第二侧边靠近于所述底边的部分；所述电子设备为可折叠电子设备，所述第一侧边、所述第二侧边皆可弯折呈折叠状态或展开状态。

19.如权利要求18所述的电子设备，其特征在于，所述第一侧边包括第一手掌握持区，所述第一手掌握持区为左手手掌握持所述电子设备时接触所述第一侧边的区域；

所述第一辐射体在所述第一谐振模式下的至少部分的强电流段设于所述第一手掌握持区，以在左手手掌握持下形成介质加载；

所述第二侧边包括第二手掌握持区，所述第二手掌握持区为右手手掌握持所述电子设备时接触所述第二侧边的区域；

所述第三辐射体在所述环形模式下的至少部分的强电流段设于所述第二手掌握持区，以在右手手掌握持下形成介质加载。