CN117525100A - 一种显示装置及其制作方法 - Google Patents

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CN117525100A CN202210883627.0A CN202210883627A CN117525100A CN 117525100 A CN117525100 A CN 117525100A CN 202210883627 A CN202210883627 A CN 202210883627A CN 117525100 A CN117525100 A CN 117525100A
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Abstract

本发明公开了一种显示装置及其制作方法，显示装置包括：驱动基板，和位于驱动基板之上的多个发光器件。其中发光器件包括：驱动芯片和位于驱动芯片背离驱动基板的一侧的像素单元，像素单元包括至少一个发光芯片，各发光芯片与驱动芯片电连接，发光芯片在驱动芯片的驱动下发光。驱动芯片与像素单元构成一体化的发光器件，驱动基板上不需要制作过多的线路或者薄膜晶体管结构，工艺难度低，可以进一步缩小像素尺寸和像素间的间距，提高分辨率。驱动芯片和像素单元进行一对一的驱动发光，实现静态驱动，相较于动态驱动逐行扫描的方式，可以避免瞬时较大的脉冲电流损坏发光芯片，并且可以避免扫描条纹的产生。

Description

一种显示装置及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及其制作方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)直显技术直接通过驱动LED发光进行图像显示，相较于需要采用背光模组提供光源的液晶显示技术而言，具有亮度高、动态范围广、响应速度快等优点，可以满足不同应用场景的需求。
目前的LED显示装置主要基于PM(Passive Matrix，简称PM)驱动的方式和AM(Active Matrix，简称AM)驱动的方式进行显示。其中采用PM驱动的LED显示装置通常需要在基板上设计大量的数据信号和扫描信号的走线，走线设计复杂，难以进一步缩小像素间的间距，并且PM驱动采用逐行扫描的方式进行图像显示，在对显示画面进行拍照或者录像时会出现明显的扫描条纹。采用AM驱动的LED显示装置通常需要在基板上制作大量的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)结构，薄膜晶体管工艺的设备投资巨大，进入门槛高，采用AM驱动的LED显示装置难以进行大规模推广。
发明内容
本发明实施例中的第一方面，提供一种显示装置，包括：
驱动基板，用于提供驱动信号；
多个发光器件，位于驱动基板之上；发光器件与驱动基板电连接；发光器件包括：
驱动芯片，位于靠近驱动基板的一侧，与驱动基板电连接；
像素单元，位于驱动芯片背离驱动基板的一侧；像素单元包括：
至少一个发光芯片，各发光芯片与驱动芯片电连接；发光芯片在驱动芯片的驱动下发光。
本发明实施例提供的显示装置，驱动芯片与像素单元构成一体化的发光器件，驱动基板上不需要制作过多的线路或者薄膜晶体管结构，工艺难度低，可以进一步缩小像素尺寸和像素间的间距，提高分辨率。驱动芯片和像素单元进行一对一的驱动发光，实现静态驱动，相较于动态驱动逐行扫描的方式，可以避免瞬时较大的脉冲电流损坏发光芯片，并且可以避免扫描条纹的产生。
本发明一些实施例中，像素单元包括多个发光芯片；各发光芯片沿驱动芯片背离驱动基板的方向叠层设置；其中，像素单元中的各发光芯片的出射光的颜色不同。叠层设置可以进一步缩小像素单元的横向尺寸，提高分辨率。多种颜色的发光芯片可以实现彩色显示。
本发明一些实施例中，像素单元包括三个发光芯片，分别为第一发光芯片、第二发光芯片和第三发光芯片；第一发光芯片位于靠近驱动芯片的一侧，第二发光芯片位于第一发光芯片背离驱动芯片的一侧，第三发光芯片位于第二发光芯片背离第一发光芯片的一侧；第一发光芯片为红色发光芯片；第二发光芯片为绿色发光芯片，第三发光芯片为蓝色发光芯片，或者，第二发光芯片为蓝色发光芯片，第三发光芯片为绿色发光芯片；红色发光芯片用于发射红色光线，绿色发光芯片用于发射绿色光线，蓝色发光芯片用于发射蓝色光线。将红色发光芯片设置在像素单元的最底部，防止红色发光芯片吸收蓝色光和绿色光，提高出光效率。
本发明一些实施例中，像素单元还包括：选择透过层，位于第一发光芯片和第二发光芯片之间；选择透过层用于透射红色光，反射绿色光和蓝色光，进一步提高出光效率。
本发明一些实施例中，第一发光芯片包括：
第一发光芯片包括第一N型掺杂层和第一P型掺杂层；第二发光芯片包括第二N型掺杂层和第二P型掺杂；第三发光芯片包括第三N型掺杂层和第三P型掺杂层；像素单元还包括：第一绝缘层位于第一发光芯片面向驱动芯片的一侧；第二绝缘层位于第一发光芯片和选择透过层之间；第三绝缘层位于第二发光芯片和第三发光芯片之间；保护层位于第三发光芯片背离第三绝缘层的一侧；四个电极，电极包括至少一个导少一个欧姆接触层。四个电极分别为第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；第一电极与第一N型掺杂层电连接，第二电极与第二N型掺杂层电连接，第三电极与第三N型掺杂层电连接，第四电极分别与第一P型掺杂、第二P型掺杂和第三P型掺杂电连接；或者，第一电极与第一P型掺杂层电连接，第二电极与第二P型掺杂层电连接，第三电极与第三P型掺杂层电连接，第四电极分别与第一N型掺杂、第二N型掺杂和第三N型掺杂电连接，从而实现三个发光芯片的共电极设计。
本发明一些实施例中，驱动芯片包括：位于驱动芯片面向像素单元一侧的第一驱动引脚、第二驱动引脚、第三驱动引脚和共电极引脚，以及位于驱动芯片背离像素单元一侧的数据信号输入引脚、时钟信号引脚、电源输入引脚和接地引脚；
其中，第一驱动引脚与第一电极电连接；第二驱动引脚与第二电极电连接；第三驱动引脚与第三电极电连接；共电极引脚与第四电极电连接。显示装置可以采用共阴极驱动，或者共阳极的方式进行驱动。
本发明一些实施例中，发光器件还包括：
键合层，像素单元的第一电极、第二电极、第三电极和第四电极分别通过键合层与驱动芯片的第一驱动引脚、第二驱动引脚、第三驱动引脚和共电极引脚对应电连接；键合层为金属层或者异向导电膜层。
本发明一些实施例中，像素单元还包括：反射层，位于第一发光芯片面向驱动芯片的一侧，用于反射入射至反射层的光线，提高光线的利用率。
本发明一些实施例中，像素单元中包括多个发光芯片；各发光芯片在驱动芯片背离驱动基板的表面上并排排列；其中，像素单元中的各发光芯片的出射光的颜色不同。发光芯片并排排列有利于降低像素单元的厚度，实现显示装置薄型化。
本发明实施例的第二方面，提供一种显示装置的制作方法，包括：
制作驱动芯片；
制作像素单元；像素单元包括至少一个发光芯片；
将像素单元与驱动芯片电连接形成发光器件；
将发光器件转移到驱动基板上形成显示装置。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之一；
图2为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之二；
图3为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之三；
图4为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之四；
图5为本发明实施例提供的发光器件的俯视示意图之一；
图6为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之五；
图7为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之一；
图8为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之二；
图9为本发明实施例提供的发光器件的俯视示意图之二；
图10为本发明实施例提供的发光器件的俯视示意图之三；
图11为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之三；
图12为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之四；
图13为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之五；
图14为本发明实施例提供的显示装置的制作方法流程图；
图15为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之一；
图16为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之二；
图17为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之三；
图18为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之四；
图19为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之五；
图20为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之六；
图21为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之七。
其中，1-驱动基板，2-发光器件，21-驱动芯片，22-像素单元，220-发光芯片，22A-第一发光芯片，22B-第二发光芯，22C-第三发光芯片，221-选择透过层，222-第一绝缘层，N1-第一N型掺杂层，P1-第一P型掺杂层，223-第二绝缘层，P2-第二P型掺杂层，N2-第二N型掺杂层，224-第三绝缘层，P3-第三P型掺杂层，N3-第三型掺杂层，P11-第一欧姆接触层，P21-第二欧姆接触层，P31-第三欧姆接触层，N11-第四欧姆接触层，N21-第五欧姆接触层，N31-第六欧姆接触层，225-保护层，226-第一电极，227-第二电极，228-第三电极，229-第四电极，M1-第一导电部，M2-第二导电部，M3-第三导电部，M4-第四导电部，M5-第五导电部，M6-第六导电部，H1-第一过孔，H2-第二过孔，H3-第三过孔，H4-第四过孔，GND-接地引脚，COM-共电极引脚，VCC-电源输入引脚，G-第三驱动引脚，B-第二驱动引脚，CLK-时钟信号引脚，R-第一驱动引脚，DATA-数据信号输入引脚，E-键合层，F-反射层，S1-硅基衬底，S2-衬底，S3-蓝宝石衬底。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)利用电子和空穴复合时辐射能量进行发光。LED直显技术直接通过驱动LED发光进行图像显示，相较于需要采用背光模组提供光源的液晶显示技术而言，具有亮度高、动态范围广、响应速度快等优点，可以满足不同应用场景的需求。
目前的LED显示装置中，LED阵列排布在驱动基板之上，一个LED作为一个像素单元，或者在彩色显示时一个红色LED、一个蓝色LED和一个绿色LED共同构成一个像素单元，通过PM(Passive Matrix，简称PM)驱动或者AM(Active Matrix，简称AM)驱动的方式驱动像素单元发光进行图像显示。
其中采用PM驱动的LED显示装置通常需要在驱动基板上设计大量的数据信号和扫描信号的走线，走线设计复杂，且走线占据的空间较大，难以进一步缩小像素间的间距。并且PM驱动采用逐行扫描的方式进行图像显示，在一个扫描周期内，每行LED依次瞬时点亮，在下一行LED点亮时上一行LED熄灭，LED点亮时较大的脉冲电流对LED的寿命产生较大影响，并且在对显示画面进行拍照或者录像时会出现明显的扫描条纹。采用AM(ActiveMatrix，简称AM)驱动的LED显示装置通常需要在基板上制作大量的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)结构，每个LED通过对应的薄膜晶体管结构行成的像素电路进行驱动，目前进行薄膜晶体管工艺的设备投资巨大，进入门槛高，采用AM驱动的LED显示装置难以进行大规模推广。
有鉴于此，本发明提供一种显示装置及其制作方法，可以克服上述问题。
本发明实施例的第一方面，提供一种显示装置。
图1为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之一。
如图1所示，在本发明实施例中，显示装置包括：驱动基板1和多个发光器件2。
驱动基板1位于显示装置的底部，用于提供驱动信号。驱动基板1的形状和尺寸与显示装置的形状和尺寸相适应。驱动基板1的形状通常为方形或者矩形，在应用于异形显示装置时，驱动基板1也可以是圆形等其他形状。
驱动基板1上具有多条用于传输驱动信号的线路。在一些实施例中，驱动基板1可以为印刷电路板(Printed Circuit Board，简称PCB)，印刷电路板通常采用金属和耐热性能较好的环氧树脂或者酚醛树脂作为衬底基板，然后在衬底基板上制作覆铜层，通过刻蚀覆铜层制作线路图案形成驱动基板1上的线路。在一些实施例中，驱动基板1也可以通过在玻璃基板上制作覆铜层，然后通过刻蚀覆铜层制作线路图案形成线路。在此不做限定。
多个发光器件2位于驱动基板1之上，与驱动基板1电连接。在一些实施中，多个发光器件2在驱动基板1上阵列排布，发光器件2的形状可以为方形、矩形或者圆形等形状，在此不做限定。其中，发光器件2包括：驱动芯片21和像素单元22。
如图1所示，驱动芯片21位于发光器件2中靠近驱动基板1的一侧，与驱动基板1电连接。像素单元22位于驱动芯片21背离驱动基板1的一侧，像素单元22的横向尺寸与驱动芯片21的横向尺寸相同或者像素单元22的横向尺寸略小于驱动芯片21的横向尺寸。一个像素单元22中包括至少一个发光芯片。一个像素单元22中的各个发光芯片与驱动芯片21电连接，各个发光芯片在驱动芯片21的驱动下发光。
在本发明实施例中，至少一个发光芯片构成一个像素单元22，像素单元22在对应的驱动芯片21的驱动下发射不同灰度的光线，从而实现图像显示。
具体实施时，驱动芯片21和像素单元22均可以通过常用的芯片制作工艺进行制作，制作工艺简单，并且驱动芯片21和像素单元22的尺寸均可以随着芯片制作工艺的进步而进一步减小。
驱动芯片21和像素单元22制作完成后，将像素单元22转移连接在驱动芯片21的表面上，与驱动芯片21电连接构成一体化的发光器件2，在一帧图像的显示过程中，驱动芯片21可以驱动对应的像素单元22进行发光，实现静态驱动，相较于现有技术中PM驱动逐行扫描的动态驱动方式，可以避免瞬时较大的脉冲电流损坏发光芯片，并且可以避免扫描条纹的产生。
本发明实施例中的驱动基板直接采用现有技术中成熟的PCB或者玻璃基板的布线工艺，不需要在驱动基板上制作大量的TFT结构，可以直接利用现有的大量产能，相较于现有技术中AM驱动的方式，驱动基板的制作简单，进入门槛低，可以进行大规模的推广和应用。
相较于现有技术中将多个发光芯片和驱动芯片阵列排布在驱动基板上，发光芯片与驱动芯片通过驱动基板上的线路进行电连接的方案，本发明实施例中将至少一个发光芯片设置在驱动芯片的表面上直接与驱动芯片电连接，可以减少驱动基板上大量的信号线路，降低驱动基板加工的复杂程度和制作成本，例如采用PCB制作的驱动基板，可以减少PCB的层数。信号线路减少，还可以节省更多的走线空间，缩小相邻像素单元之间的间距，增加像素单元的数量，从而进一步提高显示装置的分辨率。
图2为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之二。
在一些实施例中，如图2所示，一个像素单元22仅包括一个发光芯片220，各像素单元22中的发光芯片220用于出射相同颜色的光线，显示装置可以用于不同灰度的图像显示。
图3为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之三。
在一些实施例中，一个像素单元22仅包括一个发光芯片，至少两个像素单元22中的发光芯片出射的光线颜色不同。具体实施时，如图3所示，显示装置包括三种出射光线颜色互不相同的像素单元22，三种出射光线颜色互不相同的像素单元22各自只包括一个发光芯片，分别为第一发光芯片22A、第二发光芯片22B和第三发光芯片22C，其中每个发光芯片用于出射不同颜色的光线，从而可以实现彩色显示。其中，第一发光芯片22A可以用于出射红色光线，第二发光芯片22B可以用于出射蓝色光线，第三发光芯片22C可以用于出射绿色光线。具体实施时，每种发光芯片出射光线的颜色可以根据实际需求进行设置，以满足画质需求，在此不作限制。
图4为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之四。
在一些实施例中，像素单元22包括多个发光芯片。举例来说，如图4所示，像素单元22包括第一发光芯片22A、第二发光芯片22B和第三发光芯片22C等，每个发光芯片用于出射不同颜色的光线，从而可以实现彩色显示。
具体实施时，如图4所示，第一发光芯片22A、第二发光芯片22B和第三发光芯片22C沿驱动芯片21背离驱动基板1的方向叠层设置，通过将各驱动芯片叠层设置可以缩小发光器件2的横向尺寸，从而增加像素单元的数量，从而进一步提高显示装置的分辨率。制作时，可以分别制作第一发光芯片22A、第二发光芯片22B和第三发光芯片22C，并将第一发光芯片22A、第二发光芯片22B和第三发光芯片22C通过绝缘材料叠层贴合，从而形成像素单元22，在此不做限定。
图5为本发明实施例提供的发光器件的俯视示意图。
在一些实施中，如图5所示，第一发光芯片22A、第二发光芯片22B和第三发光芯片22C还可以并列排列在驱动芯片21的表面上，采用并列排布的方式，可以缩小显示器件在竖直方向上的尺寸，减小显示装置的厚度。
除此之外，各发光芯片也可以采用其他方式在驱动芯片背离驱动基板的表面上进行排列，以达到对应的效果，在此不做限定。
以图4所示的结构为例进行具体说明。如图4所示，像素单元22包括三个发光芯片，分别为第一发光芯片22A、第二发光芯片22B和第三发光芯片22C。
第一发光芯片22A位于靠近驱动芯片21的一侧，第二发光芯片22B位于第一发光芯片22A背离驱动芯片21的一侧，第三发光芯片22C位于第二发光芯片22B背离第一发光芯片22A的一侧。其中第一发光芯片22A为红色发光芯片，用于发射红色光线，红色发光芯片22A通常采用的材料对光线具有较高的吸收效率，因此将红色发光芯片22A设置在靠近驱动芯片21的一侧，显示装置从驱动芯片21背离驱动基板1的一侧出光，可以避免红色发光芯片22A吸收第二发光芯片22B和第三发光芯片22C出射的光线，提高光线的出射效率；第二发光芯片22B为绿色发光芯片，用于发射绿色光线，第三发光芯片22C为蓝色发光芯片，用于发射蓝色光线，或者，第二发光芯片22B为蓝色发光芯片，用于发射蓝色光线，第三发光芯片22C为绿色发光芯片，用于发射绿色光线，在此不做限定。
图6为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之五。
具体实施时，如图6所示，像素单元22还可以包括：选择透过层221，位于第一发光芯片22A和第二发光芯片22B之间。选择透过层221用于透射红色光，反射绿色光和蓝色光，从而避免第二发光芯片22B和第三发光芯片22C向第一发光芯片22A一侧出射的光线被第一发光芯片22A吸收，进而进一步提高光线的出射效率。具体实施时，选择透过层221利用薄膜干涉原理，通过设置多个不同折射率的膜层，实现对红色光波长范围内的光线的增透作用和对蓝色光与绿色光波长范围内的光线的增反作用，从而实现透射红色光，反射绿色光和蓝色光。选择透过层221也可以仅用于增强绿色光和蓝色光的反射。实际实施过程中，选择透过层221可以为布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector，简称DBR)，在此不做限定。
在一些实施例中，像素单元22还可以包括两个或者大于三个的发光芯片，各发光芯片之间的排列关系及各发光芯片出射光的颜色可以根据实际需求进行设置，在此不做限定。
图7为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之一。
在一些实施例中，发光芯片为发光二极管芯片，第一发光芯片22A具体包括：第一N型掺杂层和第一P型掺杂层，第二发光芯片22B具体包括：第二N型掺杂层和第二P型掺杂层，第三发光芯片22C具体包括：第三N型掺杂层和第三P型掺杂层。
具体实施时，每个发光芯片中的N型掺杂层和P型掺杂层的相对位置可以根据实际需求进行设置，在此不做限定。例如，在如图7所示的实施例中，第一N型掺杂层N1位于靠近驱动芯片21的一侧；第一P型掺杂层P1位于第一N型掺杂层N1背离所述驱动芯片21的一侧；第二P型掺杂层P2位于第一P型掺杂层P1背离第一N型掺杂层N1的一侧；第二N型掺杂层N2位于第二P型掺杂层P2背离第一P型掺杂层P1的一侧；第三P型掺杂层P3位于第二N型掺杂层N2背离第二P型掺杂层P2的一侧；第三N型掺杂层N3位于第三P型掺杂层P3背离第二N型掺杂层N2的一侧。
在一些实施例中，像素单元22还包括：第一绝缘层222、第二绝缘层223、第三绝缘层224和保护层225。其中，第一绝缘层222位于第一发光芯片22A面向驱动芯片21的一侧；第二绝缘层223位于第一发光芯片22A和选择透过层221之间；第三绝缘层224位于第二发光芯片22B和第三发光芯片22C之间；保护层225位于第三发光芯片22C背离第三绝缘层223的一侧。
具体实施时，以图7所示的结构为例，第一绝缘层222位于第一N型掺杂层N1面向驱动芯片21的一侧。第一绝缘层222对像素单元22起绝缘和保护的作用，防止第一N型掺杂层N1与驱动芯片21及其他部件产生非必要的电性接触。第一绝缘层222的材料可以选用常用的光刻胶材料或无机氧化物材料，如SU-8或二氧化硅等，通过涂布、沉积、蒸镀等工艺形成于第一N型掺杂层N1的表面，在此不做限定。
第二绝缘层223，位于第一P型掺杂层P1与第二P型掺杂层P2之间。第二绝缘层223用于第一发光芯片22A与选择透过层221之间的连接和固定，并对第一P型掺杂层P1起绝缘和保护的作用。第二绝缘层223的材料可以选用常用的光刻胶材料或无机氧化物材料，如SU-8或二氧化硅等，通过涂布、沉积、蒸镀等工艺形成于第一P型掺杂层P1的表面，在此不做限定。
第三绝缘层224，位于第二N型掺杂层N2与第三P型掺杂层P3之间。第三绝缘层224用于第二发光芯片22B与第三发光芯片22C之间的连接和固定，并对第二N型掺杂层N2和第三P型掺杂层P3起绝缘和保护的作用。第一绝缘层224的材料可以选用常用的光刻胶材料或无机氧化物材料，如SU-8或二氧化硅等，通过涂布、沉积、蒸镀等工艺形成于第三P型掺杂层P3的表面，在此不做限定。
保护层225，位于第三N型掺杂层N3背离第三P型掺杂层P3一侧，对第三N型掺杂层N3起绝缘和保护的作用。在本发明实施例中，像素单元22可以按照第三发光芯片22C到第一发光芯片22A的顺序依次制作，保护层225可以为制作第三N型掺杂层N3时所使用的衬底材料，如蓝宝石等。或者，在一些实施例中，在像素单元制作完成后，通过湿法腐蚀的方式除去第三N型掺杂层N3一侧的衬底材料，然后通过旋涂、沉积、蒸镀等方式在第三N型掺杂层N3的一侧制作保护层225，保护层225的材料可以为二氧化硅、氮化硅等透明材料。
如图7所示，像素单元22还包括四个电极，分别为第一电极226、第二电极227、第三电极228和第四电极229。当采用共阳极设置时，第一电极226与第一N型掺杂层电连接，第二电极227与第二N型掺杂层电连接，第三电极228与第三N型掺杂层电连接，第四电极229分别与第一P型掺杂层、第二P型掺杂层和第三P型掺杂层电连接。当采用共阴极设置时，第一电极226与第一P型掺杂层电连接，第二电极227与第二P型掺杂层电连接，第三电极228与第三P型掺杂层电连接，第四电极229分别与第一N型掺杂层、第二N型掺杂层和第三N型掺杂层电连接。
具体实施时，电极可以包括至少一个导电部和至少一个欧姆接触层。
以图7所示的结构进行说明。如图7所示，第一绝缘层222和第一N型掺杂层N1包括第一过孔H1，第一过孔H1中填充有第一导电部M1。第一过孔H1中第一N型掺杂层N1的侧壁上设置有绝缘层，以避免第一N型掺杂层N1与第一导电部M1产生非必要的电性接触。制作时可以使第一导电部M1部分凸出第一绝缘层222的表面。
具体实施时，还可以在第一导电部M1和第一P型掺杂层P1之间设置第一欧姆接触层P11，用于在第一P型掺杂层P1与第一导电部M1之间形成良好的电性接触。第一导电部M1和第一欧姆接触层P11构成第一电极226。
第一绝缘层222、第一N型掺杂层N1、第一P型掺杂层P1、第二绝缘层233以及选择透过层221包括第二过孔H2，第二过孔H2中填充有第二导电部M2。第二过孔H2中第一N型掺杂层N1、第一P型掺杂层P1的侧壁上均设置有绝缘层，以避免第一N型掺杂层N1、第一P型掺杂层P1与第二导电部M2产生非必要的电性接触。
具体实施时，还可以在第二导电部M2和第二P型掺杂层P2之间设置第二欧姆接触层P21，用于在第二P型掺杂层P2与第二导电部M2之间形成良好的电性接触。第二欧姆接触层P21形成于第二P型掺杂层P2的表面上，第二欧姆接触层P21的横向尺寸可以大于第二过孔H2的横向尺寸，避免因第二过孔H2开孔时位置偏移造成第二导电部M2与第二欧姆接触层P21无法充分接触。第二导电部M2和第二欧姆接触层P21构成第二电极227。
第一绝缘层222、第一N型掺杂层N1、第一P型掺杂层P1、第二绝缘层233、选择透过层221、第二P型掺杂层P2、第二N型参杂层N2以及第三绝缘层224包括第三过孔H3，第三过孔H3中填充有第三导电部M3。第三过孔H3中第一N型掺杂层N1、第一P型掺杂层P1、第二N型掺杂层N2以及第二P型掺杂层P2的侧壁上均设置有绝缘层，以避免第一N型掺杂层N1、第一P型掺杂层P1、第二N型掺杂层N2以及第二P型掺杂层P2与第三导电部M3产生非必要的电性接触。
具体实施时，还可以在第三导电部M3和第三P型掺杂层P3之间设置第三欧姆接触层P31，用于在第三P型掺杂层P3与第三导电部M3之间形成良好的电性接触。第三欧姆接触层P31形成于第三P型掺杂层P3的表面上，第三欧姆接触层P31的横向尺寸可以大于第三过孔H3的横向尺寸，避免因第三过孔H3开孔时位置偏移造成第三导电部M3与第三欧姆接触层P31无法充分接触。第三导电部M3和第三欧姆接触层P31构成第三电极228。
第一绝缘层222与第一N型掺杂层N1之间设置有第四欧姆接触层N11，第二N型掺杂层N2与第三绝缘层224之间设置有第五欧姆接触层N21。第一绝缘层222包括第四过孔H4，第四过孔H4中填充有第四导电部M4。第四欧姆接触层N11形成于第一N型掺杂层N1的表面上，与第一N型掺杂层N1电连接。第四导电部M4通过第四欧姆接触层N11与第一N型掺杂层电连接。
第一N型掺杂层N1、第一P型掺杂层P1、第二绝缘层223、选择透过层221、第二P型掺杂层P2以及第二N型参杂层N2包括第五过孔H5，第五过孔H5中填充有第五导电部M5，第四欧姆接触层N11与第五欧姆接触层N21通过第五导电部M5电连接。第五过孔H5内第一N型掺杂层N1、第一P型掺杂层P1、第二N型掺杂层N2以及第二P型掺杂层P2的侧壁上均设置有绝缘层，第五欧姆接触层N21形成于第二N型掺杂层N2的表面上，与第二N型掺杂层N2电连接，第四导电部M4、第四欧姆接触层N11、第五导电部M5、第五欧姆接触层N21和第二N型掺杂层N2相互电连接。
第三绝缘层224和第三P型掺杂层P3包括第六过孔H6，第六过孔H6中填充有第六导电部M6，第六导电部M6与第五欧姆接触层N21相互电连接。第四导电部M4、第四欧姆接触层N11、第五导电部M5、第五欧姆接触层N21、第六导电部M6和第三N型掺杂层N3电连接。第六过孔H6中第三P型掺杂层P3的侧壁上设置有绝缘层，以避免第三P型掺杂层P3与第六导电部M6产生非必要的电性接触。
具体实施时，还可以在第六导电部M6和第三N型掺杂层N3之间设置第六欧姆接触层N31，用于在第三N型掺杂层N3与第六导电部M6之间形成良好的电性接触。第四导电部M4、第四欧姆接触层N11、第五导电部M5、第五欧姆接触层N21、第六导电部M6和第六欧姆接触层N31构成第四电极229。
在图7所示的像素单元中，各个发光芯片可以采用共阴极的方式驱动。
图8为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之二。
在一些实施例中，如图8所示，像素单元中各个发光芯片采用共阳极的方式进行驱动，其中，第一电极226与第一N型掺杂层N1电连接，第二电极227与第二N型掺杂层N2电连接，第三电极228与第三N型掺杂层N3电连接，第四电极229分别与第一P型掺杂层P1、第二P型掺杂层P2和第三P型掺杂层P3电连接。具体实施时，各个电极与芯片的具体连接方式可以参照前述内容，在此不做赘述。
在本发明实施例中，当每个发光芯片中的N型掺杂层与P型掺杂层之间的相对位置采用如图7或图8所示的结构以外的方式进行设置时，发光器件的具体结构可参照图7或图8实施例的结构进行设置，在此不做赘述。
图9为本发明实施例提供的发光器件的俯视示意图之二；图10为本发明实施例提供的发光器件的俯视示意图之三。
在一些实施例中，如图9所示，像素单元22的形状为矩形，第一电极226、第二电极227、第三电极228和第四电极229沿矩形的长边方向排列，图7可以为发光器件沿图中虚线的截面结构示意图，以此方式制作像素单元22，可以减小像素单元22短边方向的尺寸。
在一些实施例中，如图10所示，像素单元22的形状为方形，第一电极226、第二电极227、第三电极228和第四电极229呈阵列排布，图7可以为发光器件沿图中虚线的截面结构示意图，以此方式制作像素单元22结构更加紧凑。
除此之外，根据需求，像素单元22也可以制作为其它形状，第一电极226、第二电极227、第三电极228和第四电极229也可以采用其他方式进行排列，在此不做限定。
在一些实施例中，如图9和图10所示，第一电极226、第二电极227、第三电极228和第四电极229的截面形状可以均设置为圆形。具体实施时，第一电极226、第二电极227、第三电极228和第四电极229的截面形状也可以为矩形、方形或其他形状，在此不做限定。
图11为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之三。
在一些实施例中，如图11所示，驱动芯片21包括：第一驱动引脚R、第二驱动引脚B、第三驱动引脚G、共电极引脚COM、数据信号输入引脚DATA、时钟信号引脚CLK、电源输入引脚VCC和接地引脚GND。
第一驱动引脚R位于驱动芯片21面向像素单元22一侧，与第一电极226电连接，用于向第一发光芯片22A提供驱动信号，第一发光芯片22A可以响应该驱动信号进行发光。
第二驱动引脚B位于驱动芯片21面向像素单元22一侧，与第二电极227电连接，用于向第二发光芯片22B提供驱动信号，第二发光芯片22B可以响应该驱动信号进行发光。
第三驱动引脚G位于驱动芯片21面向像素单元22一侧，与第三电极228电连接，用于向第三发光芯片22C提供驱动信号，第三发光芯片22C可以响应该驱动信号进行发光。
共电极引脚COM，位于驱动芯片21面向像素单元22一侧，与第四电极229电连接。第一发光芯片22A、第二发光芯片22B和第三发光芯片22C采用共阴极的方式进行驱动，第一发光芯片22A、第二发光芯片22B和第三发光芯片22C分开供电，可以精准分配电压，从而降低功耗。
数据信号输入引脚DATA，位于驱动芯片21背离像素单元22的一侧，与驱动基板电连接，用于接收数据信号。
时钟信号引脚CLK，位于驱动芯片21背离像素单元22的一侧，与驱动基板电连接，用于接收时钟信号。
电源输入引脚VCC，位于驱动芯片21背离像素单元22的一侧，与驱动基板电连接，用于输入电源。
接地引脚GND，位于驱动芯片21背离像素单元22的一侧，用于连接接地信号。
图12为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之四。
在本发明实施例中，如图12所示，发光器件还包括：键合层E。
键合层E位于像素单元22与驱动芯片21之间，像素单元22的第一焊盘226、第二焊盘227、第三焊盘228和第四焊盘229分别通过键合层E与驱动芯片21的第一驱动引脚R、第二驱动引脚B、第三驱动引脚G和共电极引脚COM对应电连接。具体实施时，键合层E可以为金属层或者具有单向导电特性的异向导电膜层(Anisotropic Conductive Film，简称ACF)，在此不做限定。
图13为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之五。
在本发明实施例中，如图13所示，像素单元还包括：反射层F。
反射层F位于第一发光芯片22A面向驱动芯片21的一侧，用于反射入射至反射层F的光线，提高光线的利用率。反射层F可以为金属材料或者其他具有反射效果的无机材料或者有机材料，在此不做限定。当反射层F采用金属材料制作时，需要在反射层F与第一发光芯片22A接触的表面进行绝缘处理。具体实施时，反射层F还包括多个用于暴露第一导电部M1、第二导电部M2、第三导电部M3和第四欧姆接触层N11的开口。
本发明实施例的第二方面，提供一种显示装置的制作方法。
图14为本发明实施例提供的显示装置的制作方法流程图。
如图14所示，显示装置的制作方法包括以下步骤：
S100：制作驱动芯片；
S200：制作像素单元；
S300：将像素单元与驱动芯片电连接形成发光器件；
S400：将发光器件转移到驱动基板上形成显示装置。
本发明实施例中，通过薄膜工艺、刻蚀工艺等常用的芯片制作工艺分别制作驱动芯片和像素单元。其中像素单元包括至少一个发光芯片，每个发光芯片可以单独进行制作，然后通过绝缘材料叠层贴合。当像素单元中仅包括一个发光芯片时，显示装置可以进行不同灰度的图像显示；当像素单元中包括多个像素单元时，各个像素单元可以用于出射不同颜色的光线，从而使显示装置进行彩色图像的显示。
制作完成驱动芯片和像素单元后，将像素单元与驱动芯片电连接形成发光器件。其中，像素单元中的各发光芯片与驱动芯片电连接，各发光芯片在驱动芯片的驱动下发光。
最后将发光器件转移到驱动基板上形成显示装置。
采用本发明提供的显示装置的制作方法，驱动芯片和像素单元均可以通过常用的芯片制作工艺进行制作，制作工艺简单，并且驱动芯片和像素单元的尺寸均可以随着芯片制作工艺的进步而进一步减小。
驱动芯片和像素单元制作完成后，将像素单元直接安装在驱动芯片的表面上，与驱动芯片电连接构成一体化的发光器件，在一帧图像的显示过程中，驱动芯片可以驱动对应的像素单元进行发光，实现静态驱动，相较于现有技术中PM驱动的逐行扫描的动态驱动方式，可以避免瞬时较大的脉冲电流损坏发光芯片，并且可以避免扫描条纹的产生。
本发明实施例中的驱动基板可以直接采用现有技术中成熟的PCB或者玻璃基板的布线工艺，不需要在驱动基板上制作大量的TFT结构，可以直接利用现有的大量产能，相较于现有技术中AM驱动的方式，驱动基板的制作简单，进入门槛低，可以进行大规模的推广和应用。
相较于现有技术中将多个发光芯片和驱动芯片阵列排布在驱动基板上，发光芯片与驱动芯片通过驱动基板上的线路进行电连接的方案，本发明实施例中将至少一个发光芯片设置在驱动芯片的表面上直接与驱动芯片电连接，可以减少驱动基板上大量的信号线路，降低驱动基板加工的复杂程度和制作成本，例如采用PCB制作的驱动基板，可以减少PCB的层数。信号线路减少，还可以节省更多的走线空间，缩小相邻像素单元之间的间距，增加像素单元的数量，从而进一步提高显示装置的分辨率。
下面通过一些具体的实施例对本发明提供的显示装置的制作方法进一步说明。
图15为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之一；图16为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之二。
在一些实施例中，如图15所示，在制作驱动芯片的过程中，先通过薄膜工艺、刻蚀工艺等常用的芯片制作工艺在硅基衬底S1的一侧制作驱动芯片的内部线路和第一面的接地引脚GND、电源输入引脚VCC、时钟信号引脚CLK和数据信号引脚DATA等结构。
如图16所示，然后将已加工的驱动芯片转移到衬底S2上，进行驱动芯片的第二面的加工。驱动芯片的第二面加工过程中，将硅基衬底S1的第二面进行减薄，以减小驱动芯片的厚度，便于后续对硅基衬底S1进行开口，开口完成后从开口位置引出驱动芯片内部电极，制作驱动芯片第二面的第一驱动引脚R、第二驱动引脚B、第三驱动引脚G和共电极引脚COM等结构。
在制作驱动芯片的同时，可以进行像素单元的制作。
在一些实施例中，像素单元包括叠层设置的第一发光芯片、第二发光芯片和第三发光芯片，第一发光芯片、第二发光芯片和第三发光芯片分别用于出射不同颜色的光线从而实现彩色显示。其中第一发光芯片用于出射红色光线；第二发光芯片用于出射蓝色光线，第三发光芯片用于出射绿色光线，或者，第二发光芯片用于出射绿色光线，第三发光芯片用于出射蓝色光线。
图17为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之三。
在制作像素单元的过程中，首先采用常用的芯片制作工艺分别制作第一发光芯片、第二发光芯片、第三发光芯片，然后将第一发光芯片、第二发光芯片、第三发光芯片依次叠层贴合形成图17所示的像素单元。
在制作第一发光芯片22A时，首先形成第一发光芯片22A的外延结构。接着对第一N型掺杂层N1和第一P型掺杂层P1进行打孔，分别形成贯穿第一发光芯片22A的第五过孔H5、第三过孔H3和第二过孔H2，在第五过孔H5、第三过孔H3和第二过孔H2内的第一发光芯片22A的侧壁上分别形成绝缘层。然后在五过孔H5、第三过孔H3和第二过孔H2中填充导电材料形成导电部。其中，位于第二过孔H2中的导电部为第二导电部M2。
接下来将第一发光芯片22A转移到暂态基板上，使第一P型掺杂层P1与暂态基板接触，刻蚀掉第一N型掺杂层N1侧的蓝宝石衬底，对第一N型掺杂层N1进行打孔，形成暴露第一P型掺杂层P1的第一过孔H1，在第一过孔H1中第一N型掺杂层N1的侧壁上形成绝缘层，然后向第一过孔H1中填充导电材料形成第一导电部M1，并在第一N型掺杂层N1的表面上与第五过孔H5对应的位置覆盖欧姆接触材料形成第四欧姆接触层N11，第四欧姆接触层N11的横向尺寸大于第五过孔H5的横向尺寸，以确保第一N型掺杂层N1与第四欧姆接触层N11形成良好的电性接触。具体实施时，向第一过孔H1中填充导电材料形成导电部之前，还可以先在第一过孔H1中填充欧姆接触材料形成第一欧姆接触层P11，在此不做限定。
最后移除暂态基板，完成第一发光芯片22A的制作。
在制作第二发光芯片22B时，首先形成第二发光芯片22B的外延结构。接着对第二P型掺杂层P2和第二N型掺杂层N2进行打孔，形成贯穿第二发光芯片22B的第五过孔H5和第三过孔H3，在第五过孔H5和第三过孔H3内第二发光芯片22B的侧壁上形成绝缘层，然后向第五过孔H5和第三过孔H3中填充导电材料形成导电部。其中，第三过孔H3中导电部的表面高于第二N型掺杂层的表面，以确保第二发光芯片22B与第三发光芯片22贴合时导电部与第三P型掺杂层形成有效的电连接；第五过孔H5中的导电部的表面也可以高于第二P型掺杂层P2的表面，以确保第五过孔H5中第一发光芯片22A的导电部和第二发光芯片22B的导电部充分接触，在此不做限定。具体制作时，还可以在第二P型掺杂层P2背离第二N型掺杂层N2的表面上，与第二过孔H2对应的位置覆盖欧姆接触材料形成第二欧姆接触层P21，第二欧姆接触层P21的横线尺寸大于第二过孔H2的横线尺寸，防止第二过孔H2开孔时位置偏移导致第二过孔H2中的导电部与第二欧姆接触层P21无法充分接触，在此不做限定。
具体在制作第二发光芯片22B时，在蓝宝石衬底上依次制作好第二N型掺杂层N2、第二P型掺杂层P2后，还可以在第二P型掺杂层P2背离第二N型掺杂层N2的表面上通过蒸镀、沉积、打印等方式形成选择透过层221，选择透过层221可以包括多层膜结构，在此不做限定。制作完选择透过层221之后，还需要在与第二过孔H2对应的位置对选择透过层221进行打孔，以使后续贴合时第二过孔H2中的导电部可与第二P型掺杂层电连接。具体实施时，打孔过程中，第五过孔H5和第三过孔H3还需要贯穿选择透过层221，在并在填充导电材料后形成导电部。
在制作第三发光芯片22C时，首先形成第三发光芯片22C的外延结构。接着对第三P型掺杂层P3进行打孔，形成贯穿第三P型掺杂层P3的第六过孔H6，在第六过孔H6内第三P型掺杂层P3的侧壁上形成绝缘层，然后向第六过孔H6中填充导电材料形成第六导电部M6。在向第六过孔H6中填充导电材料之前，还可以先在第六过孔H6中填充欧姆接触材料形成第六欧姆接触层N31，在此不做限定。
具体实施过程中，还可以在第三P型掺杂层P3的表面上，与第三过孔H3对应的位置覆盖欧姆接触材料形成第三欧姆接触层P31，第三欧姆接触层P31的横向尺寸大于第三过孔H3的横向尺寸，防止第三过孔H3开孔时位置偏移导致第三过孔H3中的导电部与第三欧姆接触层P31无法充分接触，在此不做限定。
制作完成第一发光芯片22A、第二发光芯片22B和第三发光芯片22之后，对各个发光芯片进行贴合。
具体实施时，通过第三绝缘层224对第三P型掺杂层P3和第二N型掺杂层N2进行贴合，使第六过孔H6中的第六导电部M6与第五欧姆接触层N21接触，第三过孔H3中的导电部与第三P型掺杂层P3或者第三欧姆接触层P31接触。
通过第二绝缘层223对第二P型掺杂层P2和第一P型导电层P1进行贴合或者对选择透过层221和第一P型掺杂层P1进行贴合，使第一发光芯片22A中、第二发光芯片22B中分别位于第五过孔H5内、第三过孔H3内的导电部对应接触，分别形成第五导电部M5和第三导电部M3，并且使第二导电部M2与第二P型掺杂层P2接触或者使第二导电部M2与第二欧姆接触层P21接触形成电连接。
第一发光芯片22A、第二发光芯片22B和第三发光芯片22贴合完成之后，在第一发光芯片22A背离第二发光芯片22B的一侧通过蒸镀、沉积、旋转涂布、印刷等方式制作第一绝缘层222。第一绝缘层222包括用于暴露第一导电部M1的第一过孔H1、用于暴露第二导电部M2的第二过孔H2、用于暴露第三导电部M3的第三过孔H3，以及用于暴露第四欧姆接触层N11的第四过孔H4，第四过孔通H4还用于填充导电材料并形成第四导电部M4。然后分别向第一绝缘层222的各个过孔中填充导电材料，形成各电极。其中，第一导电部M1和第一欧姆接触层P11构成第一电极226；第二导电部M2和第二欧姆接触层P21构成第二电极227；第三导电部M3和第三欧姆接触层P31构成第三电极228；第四导电部M4、第四欧姆接触层N11、第五导电部M5、第五欧姆接触层N21、第六导电部M6和第六欧姆接触层N31构成第四电极229。具体实施时，在制作第一发光芯片22A中各个过孔内的导电部时，也可以使第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3中的导电部的表面高于第一N型掺杂层N1的表面，由于第一绝缘层222的厚度较薄，因此在制作第一绝缘层222时，第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3中的导电部均可以直接贯穿第一绝缘层222，从而简化填充导电材料的工艺步骤，在此不做限定。
如图17所示，在制作第一绝缘层222之前，还可以在第一发光芯片22A背离第二发光芯片22B的一侧通过蒸镀、沉积、旋转涂布、印刷等方式制作反光层F。反光层F包括用于暴露第一导电部M1、第二导电部M2、第三导电部M3和第四欧姆接触层N11的开口。
最后形成如图17所示的像素单元。
图18为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之四。
如图18所示，将制作好的驱动芯片的结构与像素单元的结构通过键合层E键合形成电连接，以使第一电极226与第一驱动引脚R通过键合层E电连接，第二电极227与第二驱动引脚B通过键合层E电连接，第三电极228与第三驱动引脚G通过键合层E电连接，第四电极229与共电极引脚COM通过键合层E电连接，形成发光器件的结构。
图19为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之五。
进一步地，如图19所示，通过湿法腐蚀，去除驱动芯片结构上的衬底S2，漏出各个引脚的焊盘。然后，如图19所示，将像素单元结构上的蓝宝石衬底S3的厚度减薄，形成保护层225，并对减薄后的蓝宝石衬底S3进行抛光，用于出光。
或者，通过湿法腐蚀去除如图19所示的像素单元结构上的蓝宝石衬底S3，漏出第三发光芯片22C的外延层，然后通过沉积、蒸镀等工艺在第三N型掺杂层N3背离第三P型掺杂层P3的表面上制作氧化硅或者氮化硅等材料形成的保护层225。最终形成如图13所示的发光器件。
图20为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之六。
实际实施过程中，同一个蓝宝石衬底上可以同时制作多个发光芯片结构，同一个硅基衬底上也可以同时制作与多个像素单元对应的多个驱动芯片的结构，因此，如图20所示，在发光器件2制作过程中可以一次性制作多个发光器件2，多个发光器件2制作完成后需要通过划片或者切割的方式对各个发光器件2进行分离，得到一颗颗的独立的发光器件2，以便后续根据需求进行使用。
发光器件2制作完成后，还需要对每个发光器件2进行探针测试，筛选良品，并进行分堆和包装，以备使用。
图21为本发明实施例提供的显示装置的制作过程示意图之七。
最后，如图21所示，将筛选出的良品发光器件2转移到驱动基板1上，完成显示装置的制作。具体实施时，还可以通过旋涂、印刷、沉积或者蒸镀等工艺，在发光器件2背离驱动基板1的一侧制作一层封装层，用于保护显示装置，在此不做限定。
由于像素单元中发光芯片的N型掺杂层和P型掺层的相对位置不同，本发明实施例提供的显示装置的具体制作过程可能有所不同。本发明实施例仅以一具体结构为例对显示装置的制作过程进行具体说明，对于其它结构的显示装置的制作流程在此不做赘述。
根据第一发明构思，提供一种显示装置，显示装置包括：驱动基板，用于提供驱动信号；多个发光器件，位于驱动基板之上；发光器件与驱动基板电连接；发光器件包括：驱动芯片，位于靠近驱动基板的一侧，与驱动基板电连接；像素单元，位于驱动芯片背离驱动基板的一侧；像素单元包括：至少一个发光芯片，各发光芯片与驱动芯片电连接；发光芯片在驱动芯片的驱动下发光。本发明实施例提供的显示装置，驱动芯片与像素单元构成一体化的发光器件，驱动基板上不需要制作过多的线路或者薄膜晶体管结构，工艺难度低，可以进一步缩小像素尺寸和像素间的间距，提高分辨率。驱动芯片和像素单元进行一对一的驱动发光，实现静态驱动，相较于动态驱动逐行扫描的方式，可以避免瞬时较大的脉冲电流损坏发光芯片，并且可以避免扫描条纹的产生。
根据第二发明构思，像素单元包括多个发光芯片；各发光芯片沿驱动芯片背离驱动基板的方向叠层设置；其中，像素单元中的各发光芯片的出射光的颜色不同。叠层设置可以进一步缩小像素单元的横向尺寸，提高分辨率。多种颜色的发光芯片可以实现彩色显示。
根据第三发明构思，像素单元包括三个发光芯片，分别为第一发光芯片、第二发光芯片和第三发光芯片；第一发光芯片位于靠近驱动芯片的一侧，第二发光芯片位于第一发光芯片背离驱动芯片的一侧，第三发光芯片位于第二发光芯片背离第一发光芯片的一侧；第一发光芯片为红色发光芯片；第二发光芯片为绿色发光芯片，第三发光芯片为蓝色发光芯片，或者，第二发光芯片为蓝色发光芯片，第三发光芯片为绿色发光芯片；红色发光芯片用于发射红色光线，绿色发光芯片用于发射绿色光线，蓝色发光芯片用于发射蓝色光线。将红色发光芯片设置在像素单元的最底部，防止红色发光芯片吸收蓝色光和绿色光，提高出光效率。
根据第四发明构思，像素单元还包括：选择透过层，位于第一发光芯片和第二发光芯片之间；选择透过层用于透射红色光，反射绿色光和蓝色光，进一步提高出光效率。
根据第五发明构思，第一发光芯片包括：第一发光芯片包括第一N型掺杂层和第一P型掺杂层；第二发光芯片包括第二N型掺杂层和第二P型掺杂；第三发光芯片包括第三N型掺杂层和第三P型掺杂层；像素单元还包括：第一绝缘层位于第一发光芯片面向驱动芯片的一侧；第二绝缘层位于第一发光芯片和选择透过层之间；第三绝缘层位于第二发光芯片和第三发光芯片之间；保护层位于第三发光芯片背离第三绝缘层的一侧；四个电极，电极包括至少一个导电部和至少一个欧姆接触层。四个电极分别为第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；第一电极与第一N型掺杂层电连接，第二电极与第二N型掺杂层电连接，第三电极与第三N型掺杂层电连接，第四电极分别与第一P型掺杂、第二P型掺杂和第三P型掺杂电连接；或者，第一电极与第一P型掺杂层电连接，第二电极与第二P型掺杂层电连接，第三电极与第三P型掺杂层电连接，第四电极分别与第一N型掺杂、第二N型掺杂和第三N型掺杂电连接，从而实现三个发光芯片的共电极设计。
根据第六发明构思，驱动芯片包括：位于驱动芯片面向像素单元一侧的第一驱动引脚、第二驱动引脚、第三驱动引脚和共电极引脚，以及位于驱动芯片背离像素单元一侧的数据信号输入引脚、时钟信号引脚、电源输入引脚和接地引脚；其中，第一驱动引脚与第一电极电连接；第二驱动引脚与第二电极电连接；第三驱动引脚与第三电极电连接；共电极引脚与第四电极电连接。显示装置采用共阴极驱动，第一发光芯片、第二发光芯片和第三发光芯片分开供电，可以精准分配电压，从而降低功耗。
根据第七发明构思，发光器件还包括：键合层，像素单元的第一电极、第二电极、第三电极和第四电极分别通过键合层与驱动芯片的第一驱动引脚、第二驱动引脚、第三驱动引脚和共电极引脚对应电连接；键合层为金属层或者异向导电膜层。
根据第八发明构思，像素单元还包括：反射层，位于第一发光芯片面向驱动芯片的一侧，用于反射入射至反射层的光线，提高光线的利用率。
根据第九发明构思，像素单元中包括多个发光芯片；各发光芯片在驱动芯片背离驱动基板的表面上并排排列；其中，像素单元中的各发光芯片的出射光的颜色不同。发光芯片并排排列有利于降低像素单元的厚度，实现显示装置薄型化。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
驱动基板，用于提供驱动信号；
多个发光器件，位于所述驱动基板之上；所述发光器件与所述驱动基板电连接；所述发光器件包括：
驱动芯片，位于靠近所述驱动基板的一侧，与所述驱动基板电连接；
像素单元，位于所述驱动芯片背离所述驱动基板的一侧；所述像素单元包括：
至少一个发光芯片，各所述发光芯片与所述驱动芯片电连接；所述发光芯片在所述驱动芯片的驱动下发光。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素单元包括多个所述发光芯片；各所述发光芯片沿所述驱动芯片背离所述驱动基板的方向叠层设置；其中，所述像素单元中的各所述发光芯片的出射光的颜色不同。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述像素单元包括三个所述发光芯片，分别为第一发光芯片、第二发光芯片和第三发光芯片；
所述第一发光芯片位于靠近所述驱动芯片的一侧，所述第二发光芯片位于所述第一发光芯片背离所述驱动芯片的一侧，所述第三发光芯片位于所述第二发光芯片背离所述第一发光芯片的一侧；
所述第一发光芯片为红色发光芯片；所述第二发光芯片为绿色发光芯片，所述第三发光芯片为蓝色发光芯片，或者，所述第二发光芯片为蓝色发光芯片，所述第三发光芯片为绿色发光芯片；
所述红色发光芯片用于发射红色光线，所述绿色发光芯片用于发射绿色光线，所述蓝色发光芯片用于发射蓝色光线。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述像素单元还包括：
选择透过层，位于所述第一发光芯片和所述第二发光芯片之间；所述选择透过层用于透射红色光，反射绿色光和蓝色光。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述第一发光芯片包括第一N型掺杂层和第一P型掺杂层；所述第二发光芯片包括第二N型掺杂层和第二P型掺杂；所述第三发光芯片包括第三N型掺杂层和第三P型掺杂层；
所述像素单元还包括：
第一绝缘层，位于所述第一发光芯片面向所述驱动芯片的一侧；
第二绝缘层，位于所述第一发光芯片和所述选择透过层之间；
第三绝缘层，位于所述第二发光芯片和所述第三发光芯片之间；
保护层，位于所述第三发光芯片背离所述第三绝缘层的一侧；
四个电极，分别为第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；所述第一电极与所述第一N型掺杂层电连接，所述第二电极与所述第二N型掺杂层电连接，所述第三电极与所述第三N型掺杂层电连接，所述第四电极分别与所述第一P型掺杂、所述第二P型掺杂和所述第三P型掺杂电连接；或者，所述第一电极与所述第一P型掺杂层电连接，所述第二电极与所述第二P型掺杂层电连接，所述第三电极与所述第三P型掺杂层电连接，所述第四电极分别与所述第一N型掺杂、所述第二N型掺杂和所述第三N型掺杂电连接；
所述电极包括至少一个导电部和至少一个欧姆接触层。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述驱动芯片包括：位于所述驱动芯片面向所述像素单元一侧的第一驱动引脚、第二驱动引脚、第三驱动引脚和共电极引脚，以及位于所述驱动芯片背离所述像素单元一侧的数据信号输入引脚、时钟信号引脚、电源输入引脚和接地引脚；
其中，所述第一驱动引脚与所述第一电极电连接；所述第二驱动引脚与所述第二电极电连接；所述第三驱动引脚与所述第三电极电连接；所述共电极引脚与所述第四电极电连接。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述发光器件还包括：
键合层，所述像素单元的第一电极、第二电极、第三电极和第四电极分别通过所述键合层与所述驱动芯片的第一驱动引脚、第二驱动引脚、第三驱动引脚和共电极引脚对应电连接；
所述键合层为金属层或者异向导电膜层。
8.如权利要求3～7任一项所述的显示装置，其特征在于，所述像素单元还包括：
反射层，位于所述第一发光芯片面向所述驱动芯片的一侧，用于反射入射至所述反射层的光线。
9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素单元中包括多个所述发光芯片；各所述发光芯片在所述驱动芯片背离所述驱动基板的表面上并排排列；其中，所述像素单元中的各所述发光芯片的出射光的颜色不同。
10.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：
制作驱动芯片；
制作像素单元；所述像素单元包括至少一个发光芯片；
将所述像素单元与所述驱动芯片电连接形成发光器件；
将所述发光器件转移到驱动基板上形成显示装置。
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