CN117479642A - 显示面板 - Google Patents
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- CN117479642A CN117479642A CN202310827573.0A CN202310827573A CN117479642A CN 117479642 A CN117479642 A CN 117479642A CN 202310827573 A CN202310827573 A CN 202310827573A CN 117479642 A CN117479642 A CN 117479642A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 41
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 41
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 36
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 6
- -1 poly (phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 description 2
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NXMLTNBCTHMJII-UHFFFAOYSA-N 1-(4-phenylphenyl)-9H-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=3NC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)C=C1 NXMLTNBCTHMJII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMBJUBUWNIDCSI-UHFFFAOYSA-N 2-[1-anilino-4-(4-anilinophenyl)cyclohexa-2,4-dien-1-yl]-N,N-diphenylaniline Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)C1(CC=C(C=C1)C1=CC=C(NC2=CC=CC=C2)C=C1)NC1=CC=CC=C1 VMBJUBUWNIDCSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNSXNNUEMWLJEV-UHFFFAOYSA-N 4-butan-2-yl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC(C(C)CC)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZNSXNNUEMWLJEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYPAGHMQEIUKAO-UHFFFAOYSA-N 4-butyl-n-[4-[4-(n-(4-butylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(CCCC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(CCCC)=CC=1)C1=CC=CC=C1 GYPAGHMQEIUKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(4-methylphenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZSJBLXYNYSKPJ-UHFFFAOYSA-N 9-octyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2C(CCCCCCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 LZSJBLXYNYSKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016001 MoSe Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKSIBASBWOCEBD-UHFFFAOYSA-N N,N-bis(4-methoxyphenyl)-9,9'-spirobi[fluorene]-1-amine Chemical compound COc1ccc(cc1)N(c1ccc(OC)cc1)c1cccc2-c3ccccc3C3(c4ccccc4-c4ccccc34)c12 JKSIBASBWOCEBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YERGTYJYQCLVDM-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);2-(4-methylphenyl)pyridine Chemical compound [Ir+3].C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=N1 YERGTYJYQCLVDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N sulfonic acid Chemical compound OS(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本申请实施例提供一种显示面板。显示面板包括驱动基板、多个第一电极、像素定义层、多个第一发光层、多个第二电极、多个第二发光层以及第三电极;多个第一电极均设于驱动基板的一侧,并且,多个第一电极均与驱动基板电性连接;像素定义层设于驱动基板和第一电极上,像素定义层上设有多个开口,多个开口分别对应于多个第一电极设置;多个第一发光层分别设置于多个开口内;多个第二电极分别对应设置于多个第一发光层背离第一电极的一侧;多个第二发光层分别设置于多个第二电极背离第一发光层的一侧;第三电极设于多个第二发光层以及像素定义层背离驱动基板的一侧。该显示面板具有较高的发光效率以及较长的使用寿命。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管)显示面板具有自主发光、视角宽、色彩鲜艳、对比度高、工作温度范围宽及适于柔性显示等优点,近年来发展势头迅猛。
然而,现有的AMOLED显示面板通常存在发光效率低、使用寿命短等缺点。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板,具有较高的发光效率以及较长的使用寿命。
本申请实施例提供一种显示面板,包括:
驱动基板;
多个第一电极,多个所述第一电极均设于所述驱动基板的一侧,并且,多个所述第一电极均与所述驱动基板电性连接;
像素定义层,设于所述驱动基板和所述第一电极上,所述像素定义层上设有间隔设置的多个开口,多个所述开口分别对应于多个所述第一电极设置,每一所述开口至少暴露出对应的所述第一电极的至少一部分;
多个第一发光层,分别设置于多个所述开口内,并且,每个所述第一发光层均设于对应的所述第一电极上;
多个第二电极,多个所述第二电极间隔设置,并且,多个所述第二电极分别对应设置于多个所述第一发光层背离所述第一电极的一侧;
多个第二发光层,分别设置于多个所述第二电极背离所述第一发光层的一侧;
第三电极,设于多个所述第二发光层以及所述像素定义层背离所述驱动基板的一侧;
其中,所述第一发光层在所述第一电极和所述第二电极的电压差的驱动下进行发光,所述第二发光层在所述第二电极和所述第三电极的电压差的驱动下进行发光。
在一些实施例中,所述第一电极为所述第一发光层的阳极,所述第二电极为所述第一发光层的阴极同时为所述第二发光层的阳极,所述第二电极为所述第二发光层的阴极。
在一些实施例中,所述第一电极的材料的功函数大于所述第二电极的材料的功函数,所述第二电极的材料的功函数大于所述第三电极的材料的功函数。
在一些实施例中,所述显示面板中的光线朝向所述第三电极背离所述驱动基板的一侧射出,所述显示面板还包括第一光取出层,所述第一光取出层设置于所述第三电极背离所述第二发光层的一侧。
在一些实施例中,所述显示面板还包括第二光取出层,所述第二光取出层设置于所述第二电极和所述第二发光层之间,所述第二光取出层具有导电性能。
在一些实施例中,所述显示面板还包括设于所述第一电极和所述第一发光层之间的第一空穴传输层和第一空穴注入层,其中,所述第一空穴注入层靠近所述第一电极设置,所述第一空穴传输层靠近所述第一发光层设置;和/或
所述显示面板还包括设于所述第一发光层和所述第二电极之间的第一电子传输层和第一电子注入层,其中,所述第一电子注入层靠近所述第二电极设置,所述第一电子传输层靠近所述第一发光层设置;和/或
所述显示面板还包括设于所述第二电极和所述第二发光层之间的第二空穴传输层和第二空穴注入层,其中,所述第二空穴注入层靠近所述第二电极设置,所述第二空穴传输层靠近所述第二发光层设置;和/或
所述显示面板还包括设于所述第二发光层和所述第三电极之间的第二电子传输层和第二电子注入层,其中,所述第二电子注入层靠近所述第三电极设置,所述第二电子传输层靠近所述第二发光层设置。
在一些实施例中,所述第二光取出层设置于所述第二电极和所述第二空穴注入层之间。
在一些实施例中,所述第一发光层、所述第二发光层、所述第一空穴传输层、所述第一空穴注入层、所述第二空穴传输层和所述第二空穴注入层中的至少一个采用喷墨打印法制备。
在一些实施例中,所述第一电极为所述第一发光层的阴极,所述第二电极为所述第一发光层的阳极同时为所述第二发光层的阴极,所述第二电极为所述第二发光层的阳极。
在一些实施例中,所述第一电极的材料的功函数小于所述第二电极的材料的功函数,所述第二电极的材料的功函数小于所述第三电极的材料的功函数。
本申请实施例提供的显示面板,通过将第一发光层设置为在第一电极和第二电极之间的电压差的驱动下进行发光,将第二发光层设置为在第二电极和第三电极之间的电压差的驱动下进行发光,相当于将第一发光层和第二发光层串联在一起,与现有技术中仅设置一层发光层的显示面板相比,可以提升显示面板的发光效率,可以理解的是,当显示面板的发光效率提升时,在相同的发光亮度下,可以使显示面板所采用的电流降低,从而可以减缓显示面板的老化作用,进而能够延长显示面板的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。
图1为本申请实施例提供的显示面板的第一种结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图。
图3为本申请实施例提供的显示面板的第三种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
请参阅图1、图2和图3,本申请实施例提供一种显示面板100,包括驱动基板10、多个第一电极21、像素定义层30、多个第一发光层41、多个第二电极22、多个第二发光层42以及第三电极23;
多个第一电极21均设于驱动基板10的一侧,并且,多个第一电极21均与驱动基板10电性连接;
像素定义层30设于驱动基板10和第一电极21上,像素定义层30上设有间隔设置的多个开口31,多个开口31分别对应于多个第一电极21设置,每一开口31至少暴露出对应的第一电极21的至少一部分;
多个第一发光层41分别设置于多个开口31内,并且,每个第一发光层41均设于对应的第一电极21上;
多个第二电极22间隔设置,并且,多个第二电极22分别对应设置于多个第一发光层41背离第一电极21的一侧;
多个第二发光层42分别设置于多个第二电极22背离第一发光层41的一侧;
第三电极23设于多个第二发光层42以及像素定义层30背离驱动基板10的一侧;
第一发光层41在第一电极21和第二电极22的电压差的驱动下进行发光,第二发光层42在第二电极22和第三电极23的电压差的驱动下进行发光。
示例性地,第三电极23可以为连续分布的整面电极。
示例性地,本申请实施例的显示面板100可以为AMOLED(Active Matrix OrganicLight Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管)显示面板。
本申请实施例提供的显示面板100,通过将第一发光层41设置为在第一电极21和第二电极22之间的电压差的驱动下进行发光,将第二发光层42设置为在第二电极22和第三电极23之间的电压差的驱动下进行发光,相当于将第一发光层41和第二发光层42串联在一起,与现有技术中仅设置一层发光层的显示面板相比,可以提升显示面板100的发光效率,可以理解的是,当显示面板100的发光效率提升时,在相同的发光亮度下,可以使显示面板100所采用的电流降低,从而可以减缓显示面板100的老化作用,进而能够延长显示面板100的使用寿命。
另外,需要说明的是,现有的显示面板由于发光效率较低,从而使得显示面板在使用时需要采用较大电流,以实现所需发光亮度,然而,当采用电流较大时,会导致显示面板中的部分器件的老化速度加快,从而出现烧屏现象;本申请通过提升显示面板100中所有器件的发光效率,从而可以延长所有器件的使用寿命,由于在相同的发光亮度下,可以使显示面板100所采用的电流降低,从而可以延缓所有器件的老化速度,进而可以改善或者消除烧屏现象。
示例性地,本申请实施例的显示面板100中的器件可以为正置器件,此时,第一电极21为第一发光层41的阳极,第二电极22为第一发光层41的阴极同时为第二发光层42的阳极,第三电极23为第二发光层42的阴极。也即是说,当显示面板100中输入电流时,第一电极21上的电压大于第二电极22上的电压,第二电极22上的电压大于第三电极23上的电压,从而使得第一发光层41可以在第一电极21和第二电极22的电压差的驱动下进行发光,第二发光层42可以在第二电极22和第三电极23的电压差的驱动下进行发光。
可以理解的是,通过将第二电极22同时作为第一发光层41的阴极以及第二发光层42的阳极,不仅可以节约一层电极,而且可以利用第二电极22将第一发光层41和第二发光层42串联起来,由于第一发光层41和第二发光层42可以同时发光,从而可以起到使显示面板100的发光效率翻倍的效果,进而可以提升显示面板100的发光亮度。
示例性地,第一电极21的材料的功函数大于第二电极22的材料的功函数,第二电极22的材料的功函数大于第三电极23的材料的功函数。可以理解的是,阳极的材料的功函数需要尽可能的高,以便提高空穴的注入效率;阴极的材料的功函数要尽可能的低,以便提高电子的注入效率;本申请实施例通过设置第一电极21、第二电极22、第三电极23的材料的功函数依次降低,可以使第一电极21、第二电极22、第三电极23的功函数相匹配,使得第一发光层41和第二发光层42中均可以注入较多的电子和空穴,从而可以提升第一发光层41和第二发光层42的发光效率。
示例性地,显示面板100还可以包括设于第一电极21和第一发光层41之间的第一空穴传输层和第一空穴注入层,其中,第一空穴注入层靠近第一电极21设置,第一空穴传输层靠近第一发光层41设置。可以理解的是,通过在第一电极21和第一发光层41之间设置第一空穴传输层和第一空穴注入层,可以提升第一电极21中的空穴向第一发光层41中注入的效率,从而提升第一发光层41的发光效率。
示例性地,显示面板100还可以包括设于第一发光层41和第二电极22之间的第一电子传输层和第一电子注入层,其中,第一电子注入层靠近第二电极22设置,第一电子传输层靠近第一发光层41设置。可以理解的是,通过第一发光层41和第二电极22之间设置第一电子传输层和第一电子注入层,可以提升第二电极22中的电子向第一发光层41中注入的效率,从而提升第一发光层41的发光效率。
示例性地,显示面板100还可以包括设于第二电极22和第二发光层42之间的第二空穴传输层和第二空穴注入层,其中,第二空穴注入层靠近第二电极22设置,第二空穴传输层靠近第二发光层42设置。可以理解的是,通过在第二电极22和第二发光层42之间设置第二空穴传输层和第二空穴注入层,可以提升第二电极22中的空穴向第二发光层42中注入的效率,从而提升第二发光层42的发光效率。
示例性地,显示面板100还可以包括设于第二发光层42和第三电极23之间的第二电子传输层和第二电子注入层,其中,第二电子注入层靠近第三电极23设置,第二电子传输层靠近第二发光层42设置。可以理解的是,通过在第二发光层42和第三电极23之间设置第二电子传输层和第二电子注入层,可以提升第三电极23中的电子向第二发光层42中注入的效率,从而提升第二发光层42的发光效率。
示例性地,第一发光层41、第二发光层42、第一空穴传输层、第一空穴注入层、第二空穴传输层和第二空穴注入层中的至少一个采用喷墨打印法制备。在一些实施例中,第一发光层41、第二发光层42、第一空穴传输层、第一空穴注入层、第二空穴传输层和第二空穴注入层可以均采用喷墨打印法制备。
值得一提的是,OLED通常包括白光有机发光二极管(White Organic Light-Emtting Diode,WOLED)、喷墨印刷有机发光二极管(Inkjet-printed OLED,IJP OLED)、量子点有机发光二极管(QD-OLED),其中,喷墨印刷有机发光二极管(IJP OLED)由于具有节约材料的独特优势从而在AMOLED显示屏中得到广泛运用,然而,目前受到材料以及制备工艺的影响,喷墨印刷有机发光二极管(IJP OLED)的发光效率较低,使用寿命较短并且存在烧屏的状况,本申请通过提升器件的发光效率,从而可以延长器件的使用寿命,由于在相同的发光亮度下,可以使显示面板100所采用的电流降低,从而可以延缓器件的老化速度,进而可以改善或者消除烧屏现象。
示例性地,本申请实施例的显示面板100中的器件可以为顶发射器件,此时,第二电极22和第三电极23可以均具有较高的透光率,第二电极22的透光率和第三电极23的透光率可以各自为90%以上,例如90%、92%、94%、96%、98%、99%、100%等。
请参阅图1和图3,当显示面板100中的器件为顶发射器件时,显示面板100中的光线朝向第三电极23背离驱动基板10的一侧射出,此时,显示面板100还可以包括第一光取出层51,第一光取出层51设置于第三电极23背离第二发光层42的一侧。
可以理解的是,通过在第三电极23背离第二发光层42的一侧设置第一光取出层51,也即是说,将第一光取出层51设置在第一发光层41的发射光线和第二发光层42的发射光线的出射路径上,从而可以提升第一发光层41和第二发光层42的发射光线的取出率,进而可以提升显示面板100的光取出率。
请参阅图2和图3,当显示面板100中的器件为顶发射器件时,显示面板100中的光线朝向第三电极23背离驱动基板10的一侧射出,此时,显示面板100还可以包括第二光取出层52,第二光取出层52设置于第二电极22和第二发光层42之间,第二光取出层52具有导电性能。
需要说明的是,通过在第二电极22和第二发光层42之间设置第二光取出层52,相当于将第二光取出层52设置于第一发光层41背离驱动基板10的一侧,从而可以提升第一发光层41的发射光线的取出率,进而可以提升显示面板100的光取出率。
可以理解的是,当显示面板100工作时,由于第二电极22中的空穴需要传输至第二发光层42中,因此需要将第二光取出层52设置为具有导电性能,以使得第二电极22中的空穴可以经由第二光取出层52传输至第二发光层42中。
示例性地,第二光取出层52可以包括不具有导电性能的光取出材料和导电材料,或者,第二光取出层52可以包括具有导电性能的光取出材料。
示例性地,当第二电极22和第二发光层42之间设有第二空穴传输层和第二空穴注入层时,第二光取出层52可以设置于第二电极22和第二空穴注入层之间。
请参阅图1,在一些实施例中,显示面板100中可以仅设置第一光取出层51,请参阅图2,在另一些实施例中,显示面板100中可以仅设置第二光取出层52,请参阅图3,在又一些实施例中,显示面板100中可以同时设置第二光取出层52和第一光取出层51。
可以理解的是,本申请实施例的显示面板100中,在从驱动基板10至第一电极21的方向上,第三电极23与第一光取出层51之间还可以设置第三发光层和第四电极,或者,第三电极23与第一光取出层51之间还可以设有交替层叠设置的多个发光层和多个电极,从而使得多个发光层可以串联在一起,以进一步提升显示面板100的发光效率。需要说明的是,本申请实施例中,多个指两个或两个以上。
示例性地,本申请实施例的显示面板100中的器件也可以为倒置器件,此时,第一电极21为第一发光层41的阴极,第二电极22为第一发光层41的阳极同时为第二发光层42的阴极,第二电极22为第二发光层42的阳极。此时,第一电极21的材料的功函数小于第二电极22的材料的功函数,第二电极22的材料的功函数小于第三电极23的材料的功函数。
示例性地,本申请实施例的显示面板100中,第一电极21、第二电极22和第三电极23可以采用溅射或蒸镀等工艺制备,第一电子传输层、第一电子注入层、第二电子传输层、第二电子注入层、第二光取出层52和第一光取出层51可以采用蒸镀工艺制备。
在一些实施例中,本申请实施例的显示面板100中的器件也可以为底发射器件,此时,第一电极21和第二电极22可以均具有较高的透光率,第一电极21的透光率和第二电极22的透光率可以各自为90%以上,例如90%、92%、94%、96%、98%、99%、100%等。
请参阅图1至图3,驱动基板10可以包括依次层叠设置的衬底11、薄膜晶体管阵列层12、钝化层13以及平坦层14,薄膜晶体管阵列层12中设有驱动TFT,驱动TFT包括栅极、源极和漏极123,钝化层13与平坦层14上设有通孔105,第一电极21通过通孔105与驱动TFT的漏极123相连。
示例性地,衬底11可以为刚性基板(例如玻璃基板)或柔性基板(例如PI)。
示例性地,钝化层13的材料可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)以及氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种。
示例性地,平坦层14的材料可以为有机树脂材料。
示例性地,第一空穴传输层的材料和第二空穴传输层的材料可以各自包括4,4'-N,N'-二咔唑基-联苯(CBP)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)、N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺(TPD)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(Poly-TPD)、N,N'-二(4-(N,N'-二苯基-氨基)苯基)-N,N'-二苯基联苯胺(DNTPD)、4,4',4'-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA)、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)及其衍生物、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺(NPB)、聚(亚苯基亚乙烯基)(PPV)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](MEH-PPV)、聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](MOMO-PPV)、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-omeTAD)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(MCP)、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、N,N,N',N'-四芳基联苯胺、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚螺芴及其衍生物、聚噻吩(TPH)及其衍生物中的至少一种。
示例性地,第一空穴注入层的材料和第二空穴注入层的材料可以各自包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、酞菁铜(CuPc)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、聚二氧乙基塞吩(PEDOT)、PEDOT:PSS掺有MoO3的衍生物(PEDOT:PSS-MoO3)、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、过渡金属氧化物和过渡金属硫系化合物中的至少一种。示例性地,过渡金属氧化物可以包括MoOx、VOx、WOx、CrOx、CuO中的一种或多种。示例性地,金属硫系化合物可以包括MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS中的一种或多种。
示例性地,第一发光层和第二发光层的材料可以均包括有机发光材料。示例性地,有机发光材料可以包括但不限于4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱(III)(CBP:Ir(mppy)3)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱(TCTX:Ir(mmpy))、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料、DBP荧光材料、延迟荧光材料、TTA材料、TADF(热活化延迟)材料、含有B-N共价键合的聚合物、HLCT(杂化局域电荷转移激发态)材料、Exciplex(激基复合物)发光材料、聚乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的一种或多种。
示例性地,第一电极21、第二电极22和第三电极23可以各自独立地选自掺杂金属氧化物电极、复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属单质电极或合金电极。所述掺杂金属氧化物电极的材料可以包括但不限于铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、铟掺杂氧化锌(IZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)、铝掺杂氧化镁(AMO)、镉掺杂氧化锌中的一种或多种。所述复合电极为两层或两层以上的导电材料层叠形成的电极,例如AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、Ca/Al、LiF/Ca、LiF/Al、BaF2/Al、CsF/Al、CaCO3/Al、BaF2/Ca/Al等,其中,“/”表示层叠结构,例如AZO/Ag/AZO表示包括依次层叠的AZO层、Ag层及AZO层的复合电极。所述金属单质电极的材料可以包括但不限于银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、金(Au)、镓(Ga)、镍(Ni)、铂(Pt)、铱(Ir)、铜(Cu)、钼(Mo)、钙(Ca)、钡(Ba)中的一种或多种。所述合金电极包括但不限于Au:Mg合金电极或Ag:Mg合金电极。
以上对本申请实施例提供的显示面板进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
驱动基板;
多个第一电极,多个所述第一电极均设于所述驱动基板的一侧,并且,多个所述第一电极均与所述驱动基板电性连接;
像素定义层,设于所述驱动基板和所述第一电极上,所述像素定义层上设有间隔设置的多个开口,多个所述开口分别对应于多个所述第一电极设置,每一所述开口至少暴露出对应的所述第一电极的至少一部分;
多个第一发光层,分别设置于多个所述开口内,并且,每个所述第一发光层均设于对应的所述第一电极上;
多个第二电极,多个所述第二电极间隔设置,并且,多个所述第二电极分别对应设置于多个所述第一发光层背离所述第一电极的一侧;
多个第二发光层,分别设置于多个所述第二电极背离所述第一发光层的一侧;
第三电极,设于多个所述第二发光层以及所述像素定义层背离所述驱动基板的一侧;
其中,所述第一发光层在所述第一电极和所述第二电极的电压差的驱动下进行发光,所述第二发光层在所述第二电极和所述第三电极的电压差的驱动下进行发光。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极为所述第一发光层的阳极,所述第二电极为所述第一发光层的阴极同时为所述第二发光层的阳极,所述第二电极为所述第二发光层的阴极。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极的材料的功函数大于所述第二电极的材料的功函数,所述第二电极的材料的功函数大于所述第三电极的材料的功函数。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板中的光线朝向所述第三电极背离所述驱动基板的一侧射出,所述显示面板还包括第一光取出层,所述第一光取出层设置于所述第三电极背离所述第二发光层的一侧。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二光取出层,所述第二光取出层设置于所述第二电极和所述第二发光层之间,所述第二光取出层具有导电性能。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设于所述第一电极和所述第一发光层之间的第一空穴传输层和第一空穴注入层,其中,所述第一空穴注入层靠近所述第一电极设置,所述第一空穴传输层靠近所述第一发光层设置;和/或
所述显示面板还包括设于所述第一发光层和所述第二电极之间的第一电子传输层和第一电子注入层,其中,所述第一电子注入层靠近所述第二电极设置,所述第一电子传输层靠近所述第一发光层设置;和/或
所述显示面板还包括设于所述第二电极和所述第二发光层之间的第二空穴传输层和第二空穴注入层,其中,所述第二空穴注入层靠近所述第二电极设置,所述第二空穴传输层靠近所述第二发光层设置;和/或
所述显示面板还包括设于所述第二发光层和所述第三电极之间的第二电子传输层和第二电子注入层,其中,所述第二电子注入层靠近所述第三电极设置,所述第二电子传输层靠近所述第二发光层设置。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二光取出层设置于所述第二电极和所述第二空穴注入层之间。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一发光层、所述第二发光层、所述第一空穴传输层、所述第一空穴注入层、所述第二空穴传输层和所述第二空穴注入层中的至少一个采用喷墨打印法制备。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极为所述第一发光层的阴极,所述第二电极为所述第一发光层的阳极同时为所述第二发光层的阴极,所述第二电极为所述第二发光层的阳极。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极的材料的功函数小于所述第二电极的材料的功函数,所述第二电极的材料的功函数小于所述第三电极的材料的功函数。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310827573.0A CN117479642A (zh) | 2023-07-06 | 2023-07-06 | 显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310827573.0A CN117479642A (zh) | 2023-07-06 | 2023-07-06 | 显示面板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117479642A true CN117479642A (zh) | 2024-01-30 |
Family
ID=89629965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310827573.0A Pending CN117479642A (zh) | 2023-07-06 | 2023-07-06 | 显示面板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117479642A (zh) |
-
2023
- 2023-07-06 CN CN202310827573.0A patent/CN117479642A/zh active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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