CN117471289B - 芯片测试装置 - Google Patents

芯片测试装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117471289B
CN117471289B CN202311775442.9A CN202311775442A CN117471289B CN 117471289 B CN117471289 B CN 117471289B CN 202311775442 A CN202311775442 A CN 202311775442A CN 117471289 B CN117471289 B CN 117471289B
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat
heat transfer
semiconductor
mounting
connector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202311775442.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN117471289A (zh
Inventor
梁晖
王树锋
陈小兵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qianhai Jingfangyun Shenzhen Test Equipment Co ltd
Original Assignee
Qianhai Jingfangyun Shenzhen Test Equipment Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qianhai Jingfangyun Shenzhen Test Equipment Co ltd filed Critical Qianhai Jingfangyun Shenzhen Test Equipment Co ltd
Priority to CN202311775442.9A priority Critical patent/CN117471289B/zh
Publication of CN117471289A publication Critical patent/CN117471289A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117471289B publication Critical patent/CN117471289B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0416—Connectors, terminals
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2877—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to cooling
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
    • G05D23/22—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element being a thermocouple

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Devices That Are Associated With Refrigeration Equipment (AREA)

Abstract

本申请提供了一种芯片测试装置，涉及芯片测试温度控制领域。半导体制冷器与承载台配合形成容纳芯片的控温空间，导热主体置于装配壳体与半导体制冷器之间，安装座与装配壳体连接，并将导热主体卡设在装配壳体上，走线连接座向靠近半导体制冷器的一侧滑动并可滑动至与半导体制冷器电连接的位置。本申请改变了控温空间，使控温空间变小，以趋向于极小空间，进而可减少控温空间内的空气，使得控温空间内的空气所含水的重量小于50mg，降低在芯片周围因低温结露而产生的短路风险。

Description

芯片测试装置
技术领域
本申请属于芯片测试温度控制领域，具体是涉及一种芯片测试装置。
背景技术
对芯片进行高低温测试可对芯片进行性能评估，而现有技术中应用于高低温测试的设备会出现在芯片周围结露导致芯片损毁的现象。
发明内容
本申请一方面提供了一种芯片测试装置，包括：
承载台，用于承载芯片；
半导体制冷器，与所述承载台配合形成容纳所述芯片的控温空间，所述控温空间配置为通过减小空间至所述控温空间内的空气所含水的重量小于50mg；
装配壳体，位于所述半导体制冷器远离所述承载台的一侧；
导热主体，置于所述装配壳体与所述半导体制冷器之间，与所述半导体制冷器接触，以进行热量传递；
安装座，与所述装配壳体连接，并延伸至所述导热主体靠近所述半导体制冷器的一侧，以将所述导热主体卡设在所述装配壳体上，使得所述导热主体与所述装配壳体配合形成用于容纳介质的交换空间；以及
走线连接座，在所述装配壳体的侧面与所述装配壳体滑动连接，以向靠近或远离所述半导体制冷器的一侧滑动，所述走线连接座配置为向靠近所述半导体制冷器的一侧滑动并可滑动至与所述半导体制冷器电连接的位置，实现所述半导体制冷器的正常工作。
本申请采用上述技术方案带来的有益效果：本申请改变了控温空间，使控温空间变小，以趋向于极小空间，进而可减少控温空间内的空气，使得控温空间内的空气所含水的重量小于50mg，降低在芯片周围因低温结露而产生的短路风险。其中，安装座可便于导热主体与装配壳体的拆卸与组装，走线连接座与装配壳体滑动连接实现拆卸与组装，并在滑动过程中与半导体制冷器实现电连接，便于对芯片测试装置的电路走线进行合理布置，实现对空间的合理利用。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一些实施例中芯片测试装置的结构示意图；
图2为图1所示实施例中温度控制组件在一些实施例中的结构爆炸示意图；
图3为图2所示实施例中热量交换件在一些实施例中的结构示意图；
图4为图3所示实施例中热量交换件在一些实施例中的结构爆炸示意图；
图5为图4所示实施例中热量交换件在另一视角的结构示意图；
图6为图2所示实施例中半导体制冷器在一些实施例中的结构示意图；
图7为图6所示实施例中半导体制冷器在另一视角的结构示意图；
图8为图6所示实施例中半导体制冷器在一些实施例中的结构爆炸示意图；
图9为图8所示实施例中半导体制冷器在另一视角的结构示意图；
图10为图2所示实施例中温度控制组件在一些实施例中的结构示意图；
图11为图10所示实施例中温度控制组件在线Xl-Xl处的剖视图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其他实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其他实施例相结合。
本申请提供了一种芯片测试装置，该芯片测试装置可用于对芯片进行高低温测试。高低温测试是指将芯片置于高温或低温环境中，对芯片的部分或全部功能进行功能测试，并可对测试结果进行分析。芯片测试装置的设计与实现，旨在满足芯片在不同环境下的性能测试需求，为芯片的性能评估提供更为准确的数据支持。同时，芯片测试装置可以大大提高测试效率。
请参阅图1，图1为本申请一些实施例中芯片测试装置的结构示意图。芯片测试装置100可包括用于承载芯片103的承载台101以及用于将芯片103压持在承载台101上并对芯片103进行温度调节的温度控制组件102。芯片103可放置在承载台101上。承载台101可与芯片103进行电连接，以在功能测试过程中对芯片103的输入和输出信号进行监测，完成采样，以便采样后对芯片103进行稳定性和可靠性评估。温度控制组件102可置于承载台101上，并对芯片103进行压持接触，使得芯片103被夹持在承载台101与温度控制组件102之间。温度控制组件102可控制芯片103的温度，以在功能测试过程中为芯片103创造一个适宜的环境。例如通过加热或降温的方式为芯片103提供稳定的温度环境。温度控制组件102可具备加热功能，能够将芯片103加热到所需的温度范围，以确保芯片103在高温环境下正常运行，同时也可以检测芯片103在高温条件下的稳定性和可靠性。温度控制组件102还具备降温功能，能够将芯片103的温度降低到所需的低温范围，以确保芯片103在低温环境下正常运行，同时也可以检测芯片103在低温条件下的性能表现和可靠性。
请参阅图1，承载台101可包括具有放置槽1001的承载主体10以及设置在放置槽1001内的隔热环20。放置槽1001可用于容纳芯片103，也可供温度控制组件102伸入。隔热环20可围设在芯片103周围，并可与承载主体10、温度控制组件102配合围设形成控温空间1002。而芯片103位于控温空间1002内。
当控温空间1002容纳芯片103后，控温空间1002内的空气所含水的重量可被控制，并可被控制为小于50mg。进而，控温空间1002内的水在现有技术中记载的一滴水的重量为50mg的情况下，而不足以形成完整的一滴水。在控温空间1002内的水被控制时，温度控制组件102可在功能测试过程中控制芯片103的温度，使芯片103处于低温环境下，可有效地降低了芯片103在功能测试过程中因低温结露而产生的短路风险。
基于芯片测试装置100多在室内或室外使用，进而控温空间1002内的空气湿度可与控温空间1002外的空气湿度一致，这一特点限制了控温空间1002内空气所含的水分重量，进一步地，在控温空间1002内的空气所含水的重量被控制下，可实现对控温空间1002的缩小，使得控温空间1002可被制造得更小，进而就使得芯片测试装置100的控温空间1002相对于常规技术而言具有较小空间，并趋向于极小空间。即，可通过减小控温空间1002的容积，控制控温空间1002内的空气所含的水。当然，在控温空间1002的容积较小甚至于极小时，也可通过对控温空间1002内部空气湿度的控制，进一步控制控温空间1002内部空气中水的重量。
另外，芯片测试装置100的使用环境的空气湿度在被确定时，控温空间1002基于使用环境所确定的大小在芯片测试装置100被设计完成后理应不会被改变，但是芯片测试装置100在设置趋向于极小空间的控温空间1002时，会存在装配误差，从而影响芯片测试装置100的测试结果。而控温空间1002内的空气所含水的重量被控制为小于50mg的设计方案，也是基于改善芯片测试装置100因装配误差导致低温结露的目的而进行的设计。
承载主体10可采用隔热材料制成，也可以是在其他材料表面上设置隔热材料层制成，当然也可以根据现有技术中所记载的方案选择合适的材料制成，不作赘述。
放置槽1001可设置在承载主体10靠近温度控制组件102的一侧。放置槽1001的槽底上可设置采样电路板11。采样电路板11可用于承载芯片103，并与芯片103电连接，实现功能测试过程的采样。采样电路板11负责采集电信号，并将所采集的电信号传输至处理器。当采样电路板11完成电信号采集后，电信号便可以通过处理器进行处理，处理器能够对电信号进行深入地分析与处理，从而在处理器的配合下完成对芯片103的功能测试。进而在一些实施例中，处理器也可为芯片测试装置100的一部分。在一些实施例中，采样电路板11可与处理器电连接。
隔热环20可采用隔热材料，以保障控温空间1002内的温度。隔热环20可与承载主体10固定连接，并围设在芯片103的周围。在一些实施例中，隔热环20可与放置槽1001的槽侧壁密封连接，也可仅与放置槽1001的槽侧壁接触，当然也可在形成控温空间1002的情况下与放置槽1001的槽侧壁间隔设置。在一些实施例中，隔热环20可与放置槽1001的槽底密封连接，也可仅与放置槽1001的槽底接触。
在一些实施例中，隔热环20可围设在采样电路板11的周围。在一些实施例中，在控温空间1002容积较小甚至于极小时，隔热环20可设置在采样电路板11上。即，隔热环20可通过与采样电路板11密封连接，实现与放置槽1001的槽底密封连接。即，隔热环20可通过与采样电路板11接触，实现与放置槽1001的槽底密封接触。
在一些实施例中，隔热环20与承载主体10为一体结构，可提高整体结构的稳定性，同时也增强了隔热效果。在一些实施例中，隔热环20为承载主体10的一部分。在一些实施例中，在承载主体10采用隔热材料时，隔热环20可以省略。而控温空间1002可由承载主体10与温度控制组件102配合围设形成。
请参阅图1和图2，图2为图1所示实施例中温度控制组件102在一些实施例中的结构爆炸示意图。温度控制组件102可包括与承载台101例如承载主体10滑动连接的热量交换件30以及设置在热量交换件30上并位于热量交换件30靠近承载台101例如承载主体10的一侧的半导体制冷器（Thermoelectric cooler）40。热量交换件30和半导体制冷器40均位于承载主体10设置放置槽1001的一侧。热量交换件30可带动半导体制冷器40向靠近或远离承载台101例如承载主体10的一侧滑动，以调节半导体制冷器40与承载台101例如承载主体10之间的距离。在热量交换件30带动半导体制冷器40向靠近承载台101例如承载主体10的一侧滑动时，半导体制冷器40可伸入放置槽1001内将芯片103压持在承载主体10例如采样电路板11上，使得半导体制冷器40与芯片103接触。半导体制冷器40在与芯片103接触的情况下，对芯片103进行温度控制，营造高温环境或低温环境。热量交换件30与半导体制冷器40进行热量传递，热量交换件30可在半导体制冷器40营造高温环境时，为半导体制冷器40提供热量，可在半导体制冷器40营造低温环境时，对半导体制冷器40进行散热。
在一些实施例中，热量交换件30可与承载台101例如承载主体10无连接关系。在一些实施例中，半导体制冷器40与芯片103可无压接触或间隔设置。
请参阅图2、图3、图4和图5，图3为图2所示实施例中热量交换件30在一些实施例中的结构示意图，图4为图3所示实施例中热量交换件30在一些实施例中的结构爆炸示意图，图5为图4所示实施例中热量交换件30在另一视角的结构示意图。热量交换件30可包括与承载台101例如承载主体10滑动连接的安装座31以及设置在安装座31上且用于设置半导体制冷器40的热量交换座32以及设置在热量交换座32上且与半导体制冷器40电连接的走线连接座33。安装座31可通过滑杆、滑轨、伸缩杆、升降杆或丝杠等可实现滑动的结构与承载台101例如承载主体10滑动连接，以调节安装座31与承载台101例如承载主体10之间的距离，使得安装座31向靠近或远离承载台101例如承载主体10的一侧运动。热量交换座32设置在半导体制冷器40远离承载台101例如承载主体10的一侧，与半导体制冷器40进行热量交换，并可与安装座31一同相对于承载台101例如承载主体10滑动。热量交换座32可在半导体制冷器40营造高温环境时，为半导体制冷器40提供热量，以在半导体制冷器40营造低温环境时，对半导体制冷器40进行散热。走线连接座33设置在热量交换座32上，并与半导体制冷器40电连接，可对半导体制冷器40的电路走线实现合理布置，也可合理利用空间，及保障半导体制冷器40的正常工作。
安装座31可包括对称设置的第一安装板34和第二安装板35。第一安装板34和第二安装板35可间隔设置。
在一些实施例中，第一安装板34上可设置有固定孔341，以与热量交换座32连接。具体地，可通过螺钉穿过固定孔341与热量交换座32连接，实现第一安装板34与热量交换座32的连接。可以理解地，第一安装板34也可通过卡接、焊接、粘接或插接等方式与热量交换座32连接。
在一些实施例中，第二安装板35上可设置有固定孔351，以与热量交换座32连接。具体地，可通过螺钉穿过固定孔351与热量交换座32连接，实现第二安装板35与热量交换座32的连接。可以理解地，第二安装板35也可通过卡接、焊接、粘接或插接等方式与热量交换座32连接。
在一些实施例中，安装座31可通过第一安装板34和/或第二安装板35与承载台101例如承载主体10滑动连接。
在一些实施例中，第一安装板34和/或第二安装板35可分别通过滑杆、滑轨、伸缩杆、升降杆或丝杠等结构与承载台101例如承载主体10滑动连接，以实现安装座31与承载台101例如承载主体10的滑动连接。
在一些实施例中，第一安装板34和第二安装板35连接在一起或一体成型为一个整体结构。
热量交换座32可包括与安装座31例如第一安装板34、第二安装板35连接的装配壳体36以及与装配壳体36扣合连接形成交换空间3601且位于装配壳体36靠近半导体制冷器40的一侧的导热主体37。导热主体37可与半导体制冷器40接触实现两者之间的热量交换。交换空间3601内可有空气、酒精、油或冷却剂等可与导热主体37进行热量交换的介质。介质可吸收或释放热量。热量交换座32可使得介质在交换空间3601内释放热量，并传递至导热主体37，再传递至半导体制冷器40，实现高温环境的营造，可使得介质在交换空间3601内吸收热量，实现热量从半导体制冷器40传递至导热主体37，再传递至介质，实现低温环境的营造。
装配壳体36可包括与导热主体37扣合连接形成交换空间3601且与安装座31例如第一安装板34、第二安装板35连接的壳体主体361、设置在壳体主体361上且与交换空间3601连通的进口件362、设置在壳体主体361上且与交换空间3601连通的出口件363以及设置在壳体主体361上并与控温空间1002连通的通气件364。介质可从进口件362进入交换空间3601内，再从出口件363流出交换空间3601，以实现介质在交换空间3601内的流通。通气件364可使得气体充入控温空间1002内，以进一步调控控温空间1002内的空气湿度。
壳体主体361可采用隔热材料制成，以避免与壳体主体361所处的环境进行热量传递，减少热量传递对壳体主体361所处的环境的影响。当然，壳体主体361也可采用导热材料制成。具体地，壳体主体361的材料可根据本领域技术人员的需求进行确定。
壳体主体361朝向导热主体37的一侧设置有容纳槽3611，以容纳导热主体37，进而实现壳体主体361与导热主体37的配合。在一些实施例中，容纳槽3611的槽侧壁上设置有让位豁口3612，以与走线连接座33、半导体制冷器40配合。
容纳槽3611的槽底上设置有让位槽3613。当导热主体37位于容纳槽3611内时与容纳槽3611的槽底接触，以卡在容纳槽3611内，同时导热主体37封堵让位槽3613，以在让位槽3613处形成交换空间3601。
壳体主体361在靠近导热主体37的一侧设置有固定孔3614和固定孔3615。其中，固定孔3614和固定孔3615可设置在容纳槽3611的槽侧壁上，并位于容纳槽3611的两侧，并可使得让位豁口3612位于固定孔3614和固定孔3615之间。
固定孔3614与固定孔341形成固定孔对，使得螺栓可穿过固定孔341并伸入固定孔3614内，与壳体主体361连接，实现热量交换座32例如壳体主体361与第一安装板34的连接固定。当然，热量交换座32例如壳体主体361与安装座31例如第一安装板34也可采用其他方式进行连接固定。在一些实施例中，安装座31例如第一安装板34固定在导热主体37上，而不固定在热量交换座32例如壳体主体361。
固定孔3615与固定孔351形成固定孔对，使得螺栓穿过固定孔351并伸入固定孔3615内，与壳体主体361连接，实现热量交换座32例如壳体主体361与第二安装板35的连接固定。当然，热量交换座32例如壳体主体361与安装座31例如第二安装板35也可采用卡接、焊接、粘接或插接等其他方式进行连接固定。在一些实施例中，安装座31例如第二安装板35固定在导热主体37上，而不固定在热量交换座32例如壳体主体361。
壳体主体361在靠近导热主体37的一侧设置有贯穿孔3616，并向远离导热主体37的一侧延伸，以贯穿壳体主体361。其中，贯穿孔3616可设置在容纳槽3611的槽侧壁上。贯穿孔3616与交换空间3601不连通。贯穿孔3616可与控温空间1002连通，使得气体流入控温空间1002内。
壳体主体361在靠近让位豁口3612的侧面上设置有让位通槽3617，以容纳走线连接座33。让位通槽3617可自壳体主体361靠近导热主体37的一侧向壳体主体361远离导热主体37的一侧延伸，并与让位豁口3612连通。壳体主体361在让位通槽3617内设置有滑轨3618，以与走线连接座33滑动连接。滑轨3618可自壳体主体361靠近导热主体37的一侧向壳体主体361远离导热主体37的一侧延伸，使得走线连接座33可在滑轨3618上向靠近或远离导热主体37的一侧滑动。在一些实施例中，滑轨3618可在靠近导热主体37的一侧设置有止位部3619，以对走线连接座33进行限位。
进口件362可设置在壳体主体361远离导热主体37的一侧，并与交换空间3601连通。当然，进口件362也可根据需要在壳体主体361的其他位置进行设置。在一些实施例中，处理器可控制进口件362的截断，可控制进口件362内的介质的流速，可控制介质的温度。
出口件363可设置在壳体主体361远离导热主体37的一侧，并与交换空间3601连通。当然，出口件363也可根据需要在壳体主体361的其他位置进行设置。在一些实施例中，处理器可控制出口件363的截断，可控制出口件363内的介质的流速，可控制介质的温度。
通气件364设置在壳体主体361远离导热主体37的一侧，并设置在贯穿孔3616处，与贯穿孔3616连通，使得气体从通气件364流入贯穿孔3616内，再流入控温空间1002内。当然，通气件364也可根据需要在壳体主体361的其他位置进行设置。在一些实施例中，通气件364可与控温空间1002连通。在一些实施例中，处理器可控制通气件364的截断，可控制通气件364内的气体的流速，可控制气体的湿度。
导热主体37可采用导热材料制成。导热主体37设置在装配壳体36例如壳体主体361靠近半导体制冷器40的一侧，并与装配壳体36例如壳体主体361扣合连接。
导热主体37可包括与装配壳体36例如壳体主体361扣合连接的导热板371以及设置在导热板371位于交换空间3601内的表面上的多个翅片372。
导热板371可设置在容纳槽3611内，与装配壳体36例如壳体主体361扣合，以在让位槽3613处形成交换空间3601。在一些实施例中，导热板371位于容纳槽3611内时，可使得导热板371远离壳体主体361的一侧的表面与装配壳体36例如壳体主体361靠近导热板371的一侧的表面平齐，提升外观表现力，实现热量交换座32的小型化。在一些实施例中，容纳槽3611可以省略。导热板371可直接与装配壳体36例如壳体主体361靠近导热板371的一侧的表面扣合。
导热板371远离装配壳体36例如壳体主体361的一侧可与安装座31例如第一安装板34、第二安装板35接触，进而可在安装座31例如第一安装板34、第二安装板35的限位下，将导热板371限位在容纳槽3611内，实现导热板371与装配壳体36例如壳体主体361的扣合连接。即，安装座31例如第一安装板34、第二安装板35与装配壳体36例如壳体主体361连接，并伸至导热板371远离装配壳体36例如壳体主体361的一侧，实现与导热板371的接触，对导热板371进行限位。在一些实施例中，导热板371可与安装座31例如第一安装板34、第二安装板35为一体结构。在一些实施例中，导热板371可为安装座31的一部分。
当然，导热板371与装配壳体36例如壳体主体361也可通过卡接、焊接、粘接或插接等方式扣合连接。
导热板371可与半导体制冷器40层叠设置，实现与半导体制冷器40接触，进而可与半导体制冷器40实现热量交换。
导热板371远离装配壳体36例如壳体主体361的一侧可凸伸设置多个卡块3711，以使得导热板371在多个卡块3711之间形成限位空间3701，使得半导体制冷器40可置于限位空间3701内被限位，并可与导热板371接触。导热板371通过多个卡块3711实现对半导体制冷器40的限位和/或连接固定。
全部或部分卡块3711上可设置固定孔3712，以便与半导体制冷器40连接固定。
卡块3711可在与贯穿孔3616对应的部位延伸设置连接部3713。在导热板371与装配壳体36例如壳体主体361扣合连接时，连接部3713与装配壳体36例如壳体主体361接触，对贯穿孔3616进行遮挡封堵。连接部3713可设置有贯穿连接部3713的连通孔3714。连通孔3714可与贯穿孔3616连通，使得气体从贯穿孔3616流入连通孔3714内，再流入控温空间1002内。即，连通孔3714可与控温空间1002连通。
多个翅片372设置在交换空间3601内，并间隔设置，以增大与介质的接触面积，以加快翅片372与介质之间热量传递的效率。翅片372可实现导热板371与介质之间的热量传递。
走线连接座33可设置在让位通槽3617内。在一些实施例中，走线连接座33远离装配壳体36例如壳体主体361的一侧的表面与装配壳体36例如壳体主体361在让位通槽3617处的表面平齐，以提升外观表现力，使得热量交换座32小型化。
走线连接座33可与装配壳体36例如壳体主体361滑动连接，以在让位通槽3617内滑动，并可沿让位通槽3617的延伸方向滑动，并可向靠近或远离半导体制冷器40的一侧滑动，并可滑动至与半导体制冷器40电连接的位置，使得走线连接座33与半导体制冷器40接触或插接，并在接触或插接时实现电连接。当然走线连接座33也可与装配壳体36例如壳体主体361通过卡接、焊接、粘接或插接等其他方式连接，不作赘述。
走线连接座33可包括设置在让位通槽3617内的座主体331以及设置在座主体331上且用于与半导体制冷器40电连接的走线接头332。
座主体331设置在让位通槽3617内时，座主体331远离装配壳体36例如壳体主体361的一侧的表面与装配壳体36例如壳体主体361在让位通槽3617处的外表面平齐。
座主体331设置有插孔3311，以用于安装走线接头332。当然在一些实施例中，插孔3311也可供半导体制冷器40伸入。
在一些实施例中，插孔3311的数量可为1个或多个，当然也可根据半导体制冷器40的需求设置。
在一些实施例中，插孔3311的延伸方向可与滑轨3618的延伸方向一致。
座主体331在与滑轨3618相对的位置处设置有滑动部3312，以使得滑动部3312与滑轨3618连接，并在滑轨3618上滑动，并可滑动至滑动部3312与止位部3619抵接限位的位置，对座主体331限位。在一些实施例中，座主体331可向靠近半导体制冷器40的一侧滑动，以滑动至滑动部3312与止位部3619抵接限位的位置。
走线接头332可设置在插孔3311内，用于与半导体制冷器40电连接，实现半导体制冷器40的正常工作。在一些实施例中，走线接头332可与处理器电连接，进而处理器可控制半导体制冷器40，实现温度的调节。
在滑动部3312与止位部3619抵接限位时，走线接头332与半导体制冷器40接触或插接，实现电连接。
请参阅图1和图2，半导体制冷器40可与热量交换座32例如导热主体37连接固定，同时与热量交换座32例如导热主体37接触，实现热量传递。半导体制冷器40可随热量交换座32移动而移动。
请参阅图6、图7、图8和图9，图6为图2所示实施例中半导体制冷器40在一些实施例中的结构示意图，图7为图6所示实施例中半导体制冷器40在另一视角的结构示意图，图8为图6所示实施例中半导体制冷器40在一些实施例中的结构爆炸示意图，图9为图8所示实施例中半导体制冷器40在另一视角的结构示意图。半导体制冷器40可包括与导热主体37例如导热板371连接固定的安装壳体41、设置在安装壳体41靠近装配壳体36例如壳体主体361的一侧且与安装壳体41扣合连接形成安装空间4101的传热板42、安装在安装空间4101内并在远离传热板42的一侧伸出安装空间4101的半导体制冷件43以及位于安装壳体41远离传热板42的一侧并设置在半导体制冷件43上的传导头44。安装壳体41与导热主体37例如导热板371的连接固定，可使得传热板42与导热主体37例如导热板371接触，实现两者之间的热量传递。半导体制冷件43可分别与传热板42、传导头44接触，以使得热量由传导头44依次传递至半导体制冷件43、传热板42，或使得热量由传热板42依次传递至半导体制冷件43、传导头44。传导头44可伸入放置槽1001，压持芯片103，并可与安装壳体41、承载主体10、隔热环20配合围设形成控温空间1002。
安装壳体41可采用隔热材料制成，以改善与安装壳体41所处的环境进行热量传递的过程，进而减少对安装壳体41所处的环境的影响，当然也可减少对控温空间1002的影响。
安装壳体41可在随热量交换座32移动时伸入放置槽1001内，与传导头44、承载主体10、隔热环20配合围设形成控温空间1002。在一些实施例中，安装壳体41可与隔热环20接触，实现密封，并与传导头44、承载主体10、隔热环20配合围设形成控温空间1002。在一些实施例中，安装壳体41可在随热量交换座32移动时不伸入放置槽1001内。在一些实施例中，安装壳体41可在随热量交换座32移动时移动至与承载主体10层叠设置的位置，与传导头44、承载主体10、隔热环20配合围设形成控温空间1002。
安装壳体41在朝向装配壳体36例如壳体主体361的一侧设置有安装槽411，以用于容纳、安装半导体制冷件43。在一些实施例中，在安装壳体41与传热板42扣合连接时，可在安装槽411处形成安装空间4101。
安装槽411的槽侧壁在对应于让位豁口3612的部位设置有让位豁口4111，以在安装壳体41与导热主体37例如导热板371连接固定时，让位豁口4111和让位豁口3612形成让位通道。
安装槽411的槽底开设伸出孔4112，以与半导体制冷件43配合。伸出孔4112可贯穿安装壳体41，并与安装空间4101连通，以使得半导体制冷件43可从伸出孔4112伸出安装空间4101。
安装槽411的槽侧壁在靠近连接部3713的部位上形成连接槽4113，以通过连接槽4113与连通孔3714连通，与控温空间1002连通。
安装槽411的槽底在伸出孔4112的周围且在靠近连接槽4113的部位上设置有通气槽4114。通气槽4114可与连接槽4113连通，以使得连接槽4113通过通气槽4114与控温空间1002连通。
伸出孔4112可与控温空间1002连通，进而可使得通气槽4114通过伸出孔4112与控温空间1002连通。在一些实施例中，伸出孔4112的孔壁在靠近通气槽4114的部位设置有连通槽4115，以使得通气槽4114与连通槽4115连通，进而使得通气槽4114通过连通槽4115与控温空间1002连通。
安装壳体41在对应于连接部3713的部位上设置有遮挡部412，以与连接部3713接触，遮挡连通孔3714。遮挡部412在靠近连接部3713的一侧设置有延伸槽4121，以与连通孔3714连通。延伸槽4121可向靠近连接槽4113的部位上延伸，以与连接槽4113连通，进而使得连通孔3714通过延伸槽4121、连接槽4113、通气槽4114、连通槽4115与控温空间1002连通。
伸出孔4112的孔壁在靠近让位豁口4111的部位设置配合槽4116，以便于布置半导体制冷件43的电路走线。
安装壳体41在朝向装配壳体36例如壳体主体361的一侧设置有固定孔413和固定孔414。其中，固定孔413和固定孔414均可贯穿安装壳体41。固定孔413和固定孔414可设置在安装槽411的槽侧壁上，并可使得让位豁口4111位于固定孔413和固定孔414之间。
固定孔413与固定孔3712形成固定孔对，使得螺栓可穿过固定孔413并伸入固定孔3712内，与卡块3711连接，实现安装壳体41与导热主体37例如导热板371的连接固定。
固定孔414与固定孔3712形成固定孔对，使得螺栓可穿过固定孔414并伸入固定孔3712内，与卡块3711连接，实现安装壳体41与导热主体37例如导热板371的连接固定。
可以理解地，安装壳体41与导热主体37例如导热板371也可采用卡接、焊接、粘接或插接等方式连接固定。
当然，安装壳体41可不与导热主体37例如导热板371连接固定，而与装配壳体36例如壳体主体361连接固定。进一步的实施例，安装壳体41也可同时与导热主体37例如导热板371连接固定。
当然，安装壳体41可不与导热主体37例如导热板371连接固定，而与安装座31例如第一安装板34、第二安装板35连接固定。进一步的实施例，安装壳体41也可同时与导热主体37例如导热板371连接固定。
传热板42可设置在安装壳体41朝向装配壳体36例如壳体主体361的一侧，并可与安装壳体41扣合，遮盖安装槽411，以在安装槽411处形成安装空间4101。
在一些实施例中，传热板42可与安装槽411的槽侧壁抵接。在一些实施例中，传热板42上可设置有固定孔421。在一些实施例中，固定孔421可与固定孔413形成固定孔对，使得螺栓可穿过固定孔421并伸入固定孔413内，与安装壳体41连接，实现传热板42与安装壳体41的扣合连接。在一些实施例中，固定孔421与固定孔414形成固定孔对，使得螺栓可穿过固定孔421并伸入固定孔414内，与安装壳体41连接，实现传热板42与安装壳体41的扣合连接。
可以理解地，传热板42与安装壳体41也可采用卡接、焊接、粘接或插接等方式连接固定。
传热板42可置于限位空间3701内，与卡块3711接触，实现卡块3711对传热板42的限位。传热板42可与卡块3711、连接部3713配合遮挡封堵延伸槽4121。
传热板42在置于限位空间3701内时可与导热主体37例如导热板371接触，实现传热板42与导热主体37例如导热板371之间的热量传递。在一些实施例中，传热板42可与导热主体37例如导热板371层叠设置。在一些实施例中，传热板42可与导热主体37例如导热板371为一体结构。在一些实施例中，传热板42可以省略。导热主体37例如导热板371可直接与安装壳体41采用安装壳体41与传热板42配合的方式配合。
半导体制冷件43可包括设置在安装空间4101内并与传热板42接触进行热量传递的第一层制冷件45和设置在安装空间4101内并与第一层制冷件45接触进行热量传递的第二层制冷件46。第一层制冷件45和第二层制冷件46可层叠设置。第二层制冷件46可自伸出孔4112伸出，并与传导头44连接固定实现热量传递。
第一层制冷件45可包括与传热板42接触进行热量传递的第一导热基板451、与第一导热基板451层叠设置的第二导热基板452以及设置在第一导热基板451和第二导热基板452之间的半导体电偶中间层453。第一导热基板451和第二导热基板452均可采用导热的材料制成。第二导热基板452设置在第一导热基板451远离传热板42的一侧。半导体电偶中间层453可与走线连接座33例如走线接头332电连接，或与处理器电连接，以实现半导体电偶中间层453的正常工作。半导体电偶中间层453可在第一导热基板451处吸收热量，在第二导热基板452处释放热量。半导体电偶中间层453也可在第一导热基板451处释放热量，在第二导热基板452处吸收热量。进而，半导体电偶中间层453的存在可在第一层制冷件45的相对两侧形成温度差。半导体电偶中间层453包括多个N型半导体和多个P型半导体。其中，多个N型半导体和多个P型半导体可采用本领域技术人员所熟知的连接方式进行连接。
第一导热基板451可伸入让位豁口4111。在一些实施例中，第一导热基板451可置于安装槽411内以伸入让位豁口4111内。
第一导热基板451可在靠近让位豁口4111的部位设置控制连接头4511。控制连接头4511可向远离第二导热基板452的一侧延伸。控制连接头4511可与走线连接座33例如走线接头332接触或插接实现电连接。在一些实施例中，走线连接座33可在让位通槽3617内向靠近第一导热基板451的一侧滑动，并可滑动至走线接头332与控制连接头4511接触或插接的位置。在一些实施例中，走线连接座33可在让位通槽3617内向靠近第一导热基板451的一侧滑动，并滑动至与止位部3619抵接限位时，走线接头332与控制连接头4511接触或插接，实现电连接。在一些实施例中，走线连接座33可在让位通槽3617内向靠近第一导热基板451的一侧滑动，并可滑动至控制连接头4511伸入插孔3311的位置，并可滑动至走线连接座33与止位部3619抵接限位的位置，并可滑动至控制连接头4511在插孔3311内与走线接头332接触或插接的位置，实现电连接。
在一些实施例中，控制连接头4511设置在第一导热基板451伸入让位豁口4111内的部位。
控制连接头4511可与半导体电偶中间层453例如N型半导体、P型半导体电连接，以实现走线连接座33例如走线接头332或处理器与半导体电偶中间层453电连接，便于对第一层制冷件45的正常工作进行控制。
第一导热基板451可在靠近让位豁口4111的部位设置有第一过孔4512，以与第二层制冷件46配合。
在一些实施例中，第一过孔4512设置在第一导热基板451伸入让位豁口4111内的部位。
第二导热基板452可伸入让位豁口4111。在一些实施例中，第二导热基板452可置于安装槽411内以伸入让位豁口4111内。在一些实施例中，第二导热基板452可置于第二层制冷件46上，并伸入让位豁口4111内。
第二导热基板452在靠近让位豁口4111的部位设置有第二过孔4521，第二过孔4521与第一过孔4512相对设置，以与第一过孔4512共同配合第二层制冷件46。
在一些实施例中，第二过孔4521设置在第一导热基板451伸入让位豁口4111内的部位。
第二导热基板452在远离第一导热基板451的一侧设置有传感器4522。传感器4522可包括湿度传感器或温度传感器。当然，也可包括其他类型的传感器。传感器4522的具体类型和组成可根据本领域技术人员的需要进行确定。
传感器4522可设置在第二导热基板452靠近让位豁口4111的部位，进而可对让位通道内的温度或湿度进行检测，也可根据需要对其他环境数据进行检测。
在一些实施例中，传感器4522设置在第一导热基板451伸入让位豁口4111内的部位，进而可位于让位豁口4111内。
第二导热基板452可在靠近让位豁口4111的部位设置功能连接头4523。功能连接头4523可向靠近第一导热基板451的一侧延伸，并可穿过第一过孔4512。功能连接头4523可与走线连接座33例如走线接头332接触或插接实现电连接。在一些实施例中，走线连接座33可在让位通槽3617内向靠近第一导热基板451的一侧滑动，并可滑动至走线接头332与功能连接头4523接触或插接的位置。在一些实施例中，走线连接座33可在让位通槽3617内向靠近第一导热基板451的一侧滑动，并滑动至与止位部3619抵接限位时，走线接头332与功能连接头4523接触或插接，实现电连接。在一些实施例中，走线连接座33可在让位通槽3617内向靠近第一导热基板451的一侧滑动，并可滑动至功能连接头4523伸入插孔3311的位置，并可滑动至走线连接座33与止位部3619抵接限位的位置，并可滑动至功能连接头4523在插孔3311内与走线接头332接触或插接的位置，实现电连接。
功能连接头4523可与传感器4522电连接，以实现走线连接座33例如走线接头332或处理器与传感器4522电连接，便于通过传感器4522采集数据。
在一些实施例中，功能连接头4523设置在第一导热基板451伸入让位豁口4111内的部位。
第二层制冷件46可包括与第一层制冷件45例如第二导热基板452层叠设置并接触实现热量传递的第一传热基板461、与第一传热基板461层叠设置并位于第一传热基板461远离第一层制冷件45例如第二导热基板452的一侧的第二传热基板462、与第二传热基板462层叠设置并位于第二传热基板462远离第一传热基板461的一侧的第三传热基板463、设置在第一传热基板461和第二传热基板462之间的半导体电偶夹层464以及设置在第二传热基板462和第三传热基板463之间的半导体电偶层465。第一传热基板461、第二传热基板462与第三传热基板463均可采用导热的材料制成，也可采用与第一导热基板451和/或第二导热基板452一样的材料制成。半导体电偶夹层464可与走线连接座33例如走线接头332电连接，或与处理器电连接，以实现半导体电偶夹层464的正常工作。半导体电偶夹层464可在第一传热基板461处吸收热量，在第二传热基板462处释放热量。半导体电偶夹层464可在第一传热基板461处释放热量，在第二传热基板462处吸收热量。进而，半导体电偶夹层464的存在可在第二层制冷件46的相对两侧形成温度差。半导体电偶层465可与走线连接座33例如走线接头332电连接，或与处理器电连接，以实现半导体电偶层465的正常工作。半导体电偶层465可在第二传热基板462处释放热量，在第三传热基板463处吸收热量。半导体电偶层465可在第二传热基板462处吸收热量，在第三传热基板463处释放热量。进而，半导体电偶层465的存在可在第二层制冷件46的相对两侧形成温度差。半导体电偶夹层464包括多个N型半导体和多个P型半导体。多个N型半导体和多个P型半导体可采用本领域技术人员所熟知的连接方式进行连接。半导体电偶层465包括多个N型半导体和多个P型半导体。多个N型半导体和多个P型半导体可采用本领域技术人员所熟知的连接方式进行连接。半导体电偶夹层464也可采用半导体电偶中间层453的设置方式进行设置。半导体电偶层465也可采用半导体电偶中间层453的设置方式进行设置。
第一传热基板461可伸入让位豁口4111。在一些实施例中，第一传热基板461可置于安装槽411内，可伸入让位豁口4111内，并搭载在安装槽411在让位豁口4111处的槽侧壁上。
第一传热基板461可在靠近让位豁口4111的部位设置第一连接头4611。第一连接头4611可向远离第二传热基板462的一侧延伸并可依次穿过第二过孔4521、第一过孔4512。第一连接头4611可与走线连接座33例如走线接头332接触或插接实现电连接。在一些实施例中，走线连接座33可在让位通槽3617内向靠近第一导热基板451的一侧滑动，并可滑动至走线接头332与第一连接头4611接触或插接的位置。在一些实施例中，走线连接座33可在让位通槽3617内向靠近第一导热基板451的一侧滑动，并滑动至与止位部3619抵接限位时，走线接头332与第一连接头4611接触或插接，实现电连接。在一些实施例中，走线连接座33可在让位通槽3617内向靠近第一导热基板451的一侧滑动，并可滑动至第一连接头4611伸入插孔3311的位置，并可滑动至走线连接座33与止位部3619抵接限位的位置，并可滑动至第一连接头4611在插孔3311内与走线接头332接触或插接的位置，实现电连接。
在一些实施例中，第一连接头4611设置在第一导热基板451伸入让位豁口4111内的部位。
第一连接头4611可与半导体电偶夹层464例如N型半导体、P型半导体电连接，以实现走线连接座33例如走线接头332或处理器与半导体电偶夹层464电连接，便于对第二层制冷件46的正常工作进行控制。
第一传热基板461可在靠近让位豁口4111的部位设置第二连接头4612。第二连接头4612可向远离第二传热基板462的一侧延伸并可依次穿过第二过孔4521、第一过孔4512。第二连接头4612可与走线连接座33例如走线接头332接触或插接实现电连接。在一些实施例中，走线连接座33可在让位通槽3617内向靠近第一导热基板451的一侧滑动，并可滑动至走线接头332与第二连接头4612接触或插接的位置。在一些实施例中，走线连接座33可在让位通槽3617内向靠近第一导热基板451的一侧滑动，并滑动至与止位部3619抵接限位时，走线接头332与第二连接头4612接触或插接，实现电连接。并可滑动至第二连接头4612伸入插孔3311的位置，并可滑动至走线连接座33与止位部3619抵接限位的位置，并可滑动至第二连接头4612在插孔3311内与走线接头332接触或插接的位置，实现电连接。
在一些实施例中，第二连接头4612设置在第一导热基板451伸入让位豁口4111内的部位。
第二连接头4612可与半导体电偶层465例如N型半导体、P型半导体电连接，以实现走线连接座33例如走线接头332或处理器与半导体电偶层465电连接，便于对第二层制冷件46的正常工作进行控制。
第一导热基板451可在靠近让位豁口4111的部位设置有开口4613，以与配合槽4116连通。
在一些实施例中，开口4613设置在第一导热基板451伸入让位豁口4111内的部位。
在一些实施例中，开口4613可对应于传感器4522设置。在一些实施例中，开口4613设置在第一导热基板451对应于传感器4522的部位上。
第二传热基板462设置在安装槽411内，较第一传热基板461小，而不伸入让位豁口4111内，第二传热基板462可与安装槽411在让位豁口4111处的槽侧壁之间有缝隙，以与让位豁口4111配合。
第二传热基板462可与安装槽411的槽底接触，以遮挡封堵伸出孔4112。第二传热基板462可不对配合槽4116遮挡，以使得配合槽4116与让位豁口4111配合。第二传热基板462和第一传热基板461配合使得第二层制冷件46安装在安装壳体41上。
第三传热基板463位于安装壳体41远离传热板42的一侧，以位于安装空间4101外。第三传热基板463在远离第二传热基板462的一侧与传导头44连接固定，实现热量传递。
第三传热基板463上设置有导线4631。导线4631可穿过配合槽4116，并穿过第二传热基板462与安装槽411的槽侧壁之间的缝隙，然后与第二连接头4612连接固定，实现导线4631与第二连接头4612的电连接。
导线4631可与半导体电偶层465例如N型半导体、P型半导体电连接，进而使得第二连接头4612通过导线4631与半导体电偶层465例如N型半导体、P型半导体电连接。
半导体电偶层465可设置在伸出孔4112内，与位于安装空间4101内的第二传热基板462连接固定，并与位于安装空间4101外的第三传热基板463连接固定。
半导体电偶层465可伸入放置槽1001内。
传导头44可伸入放置槽1001内。传导头44可设置在第二层制冷件46例如第三传热基板463上。传导头44朝向第二层制冷件46例如第三传热基板463的一侧可具有接触面441，以通过接触面441与第二层制冷件46例如第三传热基板463接触和连接固定。
传导头44在接触面441上设置有环形隔离槽4411，以形成传导柱442，使得环形隔离槽4411围设在传导柱442周围，在传导柱442的周围通过环形隔离槽4411内的空气形成隔离，降低热量在传导柱442径向方向的传递效率。传导柱442可用于实现与芯片103之间的热量传递，可用于实现与第二层制冷件46例如第三传热基板463之间的热量传递。
传导头44在远离第二层制冷件46例如第三传热基板463的一侧设置有接触部443，以用于与芯片103接触，或压持芯片103，实现与芯片103之间的热量传递。环形隔离槽4411可向接触部443内延伸。
接触部443可包括用于与芯片103接触进行热量传递的接触主体4431以及套设在接触主体4431周围的隔离环4432。隔离环4432环设在接触主体4431的周围，并使得隔热环20环设在隔离环4432的周围。隔离环4432可与环形隔离槽4411配合，可进一步降低热量在传导柱442径向方向的传递效率。
接触主体4431远离第二层制冷件46例如第三传热基板463的一侧的表面设置有防粘槽4433，以降低结露导致的接触主体4431与芯片103之间的粘接强度。
在控温空间1002处营造低温环境时，半导体电偶层465在第三传热基板463处吸收热量，进而使得控温空间1002内的热量通过传导头44被半导体电偶层465吸收，半导体电偶层465在第二传热基板462处释放热量。半导体电偶夹层464可在第二传热基板462处吸收热量，并在第一传热基板461处释放热量。半导体电偶中间层453可在第二导热基板452处吸收热量，进而使得在第一传热基板461处的热量被吸收，半导体电偶中间层453可在第一导热基板451处释放热量。进一步使得第一导热基板451处的热量通过传热板42、导热主体37，被交换空间3601内的介质吸收。如此操作下来，第一层制冷件45和第二层制冷件46的配合可营造出零下55℃的低温环境。当然控温空间1002处的温度可根据需求调高。第二层制冷件46通过半导体电偶中间层453和半导体电偶层465配合的独特结构设计在温度控制上起到至关重要的作用，使得零下55℃的低温环境可轻松营造出来。
在控温空间1002处营造高温环境时，半导体电偶中间层453可在第一导热基板451吸收热量，进而使得交换空间3601内的介质的热量通过导热主体37、传热板42被吸收，半导体电偶中间层453可在第二导热基板452处释放热量。半导体电偶中间层453在第一传热基板461处吸收热量，进而使得第二导热基板452处的热量被吸收。半导体电偶中间层453可在第二传热基板462处释放热量。半导体电偶层465可在第二传热基板462处吸收热量，并在第三传热基板463处释放热量，并使得热量通过传导头44传递至控温空间1002内。
请参阅图10和图11，图10为图2所示实施例中温度控制组件102在一些实施例中的结构示意图，图11为图10所示实施例中温度控制组件102在线Xl-Xl处的剖视图。气体可从通气件364依次流通至贯穿孔3616、连通孔3714、延伸槽4121、连接槽4113、通气槽4114、连通槽4115，最后流入控温空间1002内。在一些实施例中，气体可在连接槽4113流入安装空间4101内。在一些实施例中，气体在安装空间4101内流通时，可自半导体制冷件43例如第一层制冷件45、第二层制冷件46周围流过，当然也可自半导体制冷件43例如第一层制冷件45、第二层制冷件46内部流过，对因潮湿空气进入半导体制冷件43例如第一层制冷件45、第二层制冷件46内引发的原电池效应进行改善。在一些实施例中，气体在安装空间4101内流通时，并可自让位通道例如让位豁口4111处流至外界。在一些实施例中，气体可自控温空间1002内通过配合槽4116、第二传热基板462与安装槽411的槽侧壁之间的缝隙，然后通过开口4613，从让位通道例如让位豁口4111处流至外界。在一些实施例中，气体可为干燥气体，可为惰性气体，当然也可根据本领域技术人员的需求进行气体类型和/或组成成分的选择。可以理解地，控温空间1002也可不与外界连通，为一个密封空间。
在一些实施例中，气体可从通气件364依次流通至贯穿孔3616、连通孔3714、延伸槽4121、连接槽4113、通气槽4114、连通槽4115，最后流入控温空间1002内，也可在控温空间1002为较小空间甚至于极小空间时改善芯片测试装置100因装配误差导致的低温结露现象。
在一些实施例中，控温空间1002的容积可设计为781立方毫米。如果1立方米空气总重1.29千克且在湿度为70%时的含水约为17.9克，那么控温空间1002在同样湿度要求下的含水量约为0.014克，因为含水量极少无法产生结露，在露点时，无法产生结露现象。
以上所述仅为本申请的部分实施例，并非因此限制本申请的保护范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所做的等效装置或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种芯片测试装置，其特征在于，包括：
承载台，用于承载芯片；
半导体制冷器，与所述承载台配合形成容纳所述芯片的控温空间，所述控温空间配置为通过减小空间至所述控温空间内的空气所含水的重量小于50mg；
装配壳体，位于所述半导体制冷器远离所述承载台的一侧；
导热主体，置于所述装配壳体与所述半导体制冷器之间，与所述半导体制冷器接触，以进行热量传递；
安装座，与所述装配壳体连接，并延伸至所述导热主体靠近所述半导体制冷器的一侧，以将所述导热主体卡设在所述装配壳体上，使得所述导热主体与所述装配壳体配合形成用于容纳介质的交换空间；以及
走线连接座，在所述装配壳体的侧面与所述装配壳体滑动连接，以向靠近或远离所述半导体制冷器的一侧滑动，所述走线连接座配置为向靠近所述半导体制冷器的一侧滑动并可滑动至与所述半导体制冷器电连接的位置，实现所述半导体制冷器的正常工作。
2.根据权利要求1所述的芯片测试装置，其特征在于，所述半导体制冷器包括：
安装壳体，与所述导热主体连接；
传热板，卡设在所述安装壳体与所述导热主体之间，与所述导热主体接触，以进行热量传递，所述传热板与所述安装壳体扣合连接形成安装空间，所述安装壳体设置有与所述安装空间连通的伸出孔，所述伸出孔向远离所述传热板的一侧延伸；
传导头，位于所述安装壳体远离所述传热板的一侧，所述传导头用于与所述芯片接触，并与所述安装壳体、所述承载台围设形成所述控温空间；以及
半导体制冷件，设置在所述安装空间内，与所述传热板接触，以进行热量传递，所述半导体制冷件穿设于所述伸出孔，与所述传导头连接固定，以进行热量传递，所述走线连接座配置为向靠近所述半导体制冷件的一侧滑动并可滑动至与所述半导体制冷件电连接的位置，实现所述半导体制冷件的正常工作。
3.根据权利要求2所述的芯片测试装置，其特征在于，所述装配壳体设置有贯穿孔，所述贯穿孔与所述安装空间连通，所述伸出孔的孔壁上设置有连通槽，所述连通槽分别与所述控温空间、所述安装空间连通。
4.根据权利要求3所述的芯片测试装置，其特征在于，所述装配壳体包括设置有所述贯穿孔的壳体主体以及设置在所述壳体主体上并与所述贯穿孔连通的通气件，所述壳体主体与所述安装座连接，以将所述导热主体卡设在所述壳体主体上，使得所述导热主体与所述壳体主体配合形成所述交换空间。
5.根据权利要求4所述的芯片测试装置，其特征在于，所述导热主体设置有置于所述壳体主体与所述安装壳体之间的连接部，所述连接部设置有与所述贯穿孔连通的连通孔，所述安装壳体朝向所述导热主体的一侧设置有与所述连通孔连通的延伸槽，所述延伸槽延伸至所述安装空间内。
6.根据权利要求2所述的芯片测试装置，其特征在于，所述导热主体靠近所述传热板的一侧设置有卡块，所述卡块围设形成限位空间，所述卡块与所述安装壳体连接固定，所述传热板卡设在所述限位空间内。
7.根据权利要求2所述的芯片测试装置，其特征在于，所述装配壳体包括壳体主体，所述壳体主体的侧面上设置有让位通槽，所述走线连接座包括座主体和走线接头，所述座主体位于所述让位通槽内并与所述壳体主体滑动连接，以在所述让位通槽的延伸方向上滑动，所述座主体上设置有插孔，所述走线接头安装在所述插孔内，所述座主体配置为向靠近所述半导体制冷器的一侧滑动并可滑动至所述走线接头与所述半导体制冷件电连接的位置，在所述走线接头与所述半导体制冷件电连接时，所述半导体制冷件部分位于所述插孔内。
8.根据权利要求2所述的芯片测试装置，其特征在于，所述安装壳体在靠近所述传热板的一侧设置有安装槽，所述安装壳体在所述安装槽处与所述传热板配合形成所述安装空间，所述安装槽的槽侧壁在对应于所述走线连接座的部位设置让位豁口，所述半导体制冷件部分置于所述让位豁口，所述伸出孔设置在所述安装槽的槽底，所述伸出孔的孔壁上设置有配合槽。
9.根据权利要求8所述的芯片测试装置，其特征在于，所述半导体制冷件包括：
第一层制冷件，设置在所述安装空间内，并与所述传热板接触，以进行热量传递，部分置于所述让位豁口内；
第二层制冷件，设置在所述安装空间内，与所述第一层制冷件层叠设置，并位于所述第一层制冷件远离所述传热板的一侧，与所述第一层制冷件层接触，以进行热量传递，所述第二层制冷件穿设于所述伸出孔，与所述传导头连接固定，以进行热量传递。
10.根据权利要求9所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一层制冷件包括：
第一导热基板，与所述传热板接触，以进行热量传递，所述第一导热基板在靠近所述让位豁口的部位设置控制连接头和第一过孔；
第二导热基板，与所述第一导热基板层叠设置，在靠近所述让位豁口的部位设置有传感器、第二过孔和功能连接头，所述传感器位于所述第二导热基板远离所述第一导热基板的一侧并与所述功能连接头电连接，所述第二过孔与所述第一过孔相对设置，所述功能连接头穿设于所述第一过孔；以及
半导体电偶中间层，设置在所述第一导热基板和所述第二导热基板之间，并与所述控制连接头电连接；
另外，所述第二层制冷件包括：
第一传热基板，与所述第二导热基板层叠设置并接触，以实现热量传递，所述第一传热基板在靠近所述让位豁口的部位设置开口、第一连接头和第二连接头，所述第一连接头穿设于所述第一过孔和所述第二过孔，所述第二连接头穿设于所述第一过孔和所述第二过孔，所述开口与所述让位豁口配合，并对应于所述传感器设置；
第二传热基板，与所述第一传热基板层叠设置并位于所述第一传热基板远离所述第二导热基板的一侧，与所述安装槽的槽底接触；
第三传热基板，与所述第二传热基板层叠设置并位于所述第二传热基板远离所述第一传热基板的一侧，位于所述安装空间外并与所述传导头连接，以进行热量传输，所述第三传热基板上设置有导线，所述导线穿设于配合槽并与所述第二连接头电连接；
半导体电偶夹层，设置在所述第一传热基板和所述第二传热基板之间，以分别与所述第一传热基板、所述第二传热基板进行热量传递，所述半导体电偶夹层与所述第一连接头电连接；以及
半导体电偶层，设置在所述第二传热基板和所述第三传热基板之间，以分别与所述第二传热基板、所述第三传热基板进行热量传递，所述半导体电偶层穿设于所述伸出孔，并与所述导线电连接；
其中，所述走线连接座配置为向靠近所述半导体制冷件的一侧滑动并可滑动至同时与所述控制连接头、所述功能连接头、所述第一连接头和所述第二连接头插接的位置，以使所述走线连接座与所述半导体制冷件电连接。
CN202311775442.9A 2023-12-22 2023-12-22 芯片测试装置 Active CN117471289B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311775442.9A CN117471289B (zh) 2023-12-22 2023-12-22 芯片测试装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311775442.9A CN117471289B (zh) 2023-12-22 2023-12-22 芯片测试装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117471289A CN117471289A (zh) 2024-01-30
CN117471289B true CN117471289B (zh) 2024-04-19

Family

ID=89634996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311775442.9A Active CN117471289B (zh) 2023-12-22 2023-12-22 芯片测试装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117471289B (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06242840A (ja) * 1993-02-19 1994-09-02 Hitachi Ltd 枚葉式熱処理装置および熱処理温度モニタ方法
JP2005114298A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Citizen Watch Co Ltd 温度調節装置
CN113740628A (zh) * 2020-05-28 2021-12-03 深圳市江波龙电子股份有限公司 老化测试设备及其加热组件
CN216485365U (zh) * 2021-11-08 2022-05-10 苏州英诺飞芯工业科技有限公司 一种半导体芯片高低温测试用测试箱
CN217640037U (zh) * 2022-05-31 2022-10-21 东莞先导先进科技有限公司 一种控温装置及芯片控温装置
CN116344405A (zh) * 2023-04-11 2023-06-27 星隆科技(江苏)有限公司 一种半导体电路封装辅助设备
CN219716056U (zh) * 2023-02-22 2023-09-19 皇虎测试科技(深圳)有限公司 一种芯片测试用控温及散热系统
CN219997236U (zh) * 2023-02-13 2023-11-10 苏州酷步科技有限公司 一种芯片高低温测试装置
CN117169699A (zh) * 2023-11-02 2023-12-05 安盈半导体技术(常州)有限公司 一种芯片高低温测试设备

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170023643A1 (en) * 2015-07-20 2017-01-26 Qualcomm Incorporated Handler based automated testing of integrated circuits in an electronic device
WO2020225578A1 (en) * 2019-05-07 2020-11-12 Mellanox Technologies Ltd Heat removal from silicon photonics chip using a recessed side-by-side thermal dissipation layout

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06242840A (ja) * 1993-02-19 1994-09-02 Hitachi Ltd 枚葉式熱処理装置および熱処理温度モニタ方法
JP2005114298A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Citizen Watch Co Ltd 温度調節装置
CN113740628A (zh) * 2020-05-28 2021-12-03 深圳市江波龙电子股份有限公司 老化测试设备及其加热组件
CN216485365U (zh) * 2021-11-08 2022-05-10 苏州英诺飞芯工业科技有限公司 一种半导体芯片高低温测试用测试箱
CN217640037U (zh) * 2022-05-31 2022-10-21 东莞先导先进科技有限公司 一种控温装置及芯片控温装置
CN219997236U (zh) * 2023-02-13 2023-11-10 苏州酷步科技有限公司 一种芯片高低温测试装置
CN219716056U (zh) * 2023-02-22 2023-09-19 皇虎测试科技(深圳)有限公司 一种芯片测试用控温及散热系统
CN116344405A (zh) * 2023-04-11 2023-06-27 星隆科技(江苏)有限公司 一种半导体电路封装辅助设备
CN117169699A (zh) * 2023-11-02 2023-12-05 安盈半导体技术(常州)有限公司 一种芯片高低温测试设备

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
基于半导体制冷器的微型黑体温控系统;吴红霞 等;宇航计测技术;20171015;第37卷(第05期);第64-67页 *
基于半导体制冷技术的高低温试验箱设计;冯利 等;机械与电子;20170724;第35卷(第07期);第43-46页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN117471289A (zh) 2024-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7457117B2 (en) System for controlling the temperature of electronic devices
US7663388B2 (en) Active thermal control unit for maintaining the set point temperature of a DUT
CN1917189B (zh) 模块化的散热器组件
US11477904B2 (en) Electronic assembly including cable modules
EP3739313B1 (en) Dry block temperature calibrator
JPH04229696A (ja) エッジ型コネクタに差込み可能な電子回路パッケージ・アセンブリおよび放熱装置
US9804223B2 (en) Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with heater socket
US11226362B2 (en) System-level testing apparatus and system-level testing system
WO2021103811A1 (zh) 电池模块、电池组以及设备
JP2022543078A (ja) 回路基板アセンブリ
CN117471289B (zh) 芯片测试装置
US10811800B1 (en) Cable connector assembly for an integrated circuit assembly
US8526822B2 (en) Optical transceiver assembly with integrated amplifier and transmitter driver on a flexible circuit
CN214412924U (zh) 一种网络适配器以及终端设备
CN220104993U (zh) 一种气体流量传感器封装结构
US20150022226A1 (en) Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device profiles with coaxial socket
US9007080B2 (en) Systems and methods for conforming device testers to integrated circuit device profiles with feedback temperature control
CN112540196A (zh) 红外探测器芯片测试用连接装置
KR101997847B1 (ko) 냉각제를 이용한 반도체소자 테스트용 인터페이스 보드
CN109427635B (zh) 半导体元件的测试设备及其搬运装置
CN115084822A (zh) 一种相控阵天线组件
CN112201916B (zh) 气密性平面合成模块、混合功率合成装置及实现方法
CN114113969A (zh) 用于激光器芯片的测试系统
CN104348005B (zh) 导热装置、具有该导热装置的插头，插座及组合
CN220830628U (zh) 光模块的控温装置以及光笼

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant