CN117460716A - 包含双(((z)-3-(4-氰基-3,5-双(三氟甲基)苯基)-4-氧代戊-2-烯-2-基)氧基)铜(ii)或相应的铝(iii)或铁(iii)络合物或类似络合物的有机电子器件 - Google Patents
包含双(((z)-3-(4-氰基-3,5-双(三氟甲基)苯基)-4-氧代戊-2-烯-2-基)氧基)铜(ii)或相应的铝(iii)或铁(iii)络合物或类似络合物的有机电子器件 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种有机电致发光器件，包含基底、阳极层和阴极层、至少一个发光层以及至少一个半导体层或更多个半导体层，其中所述至少一个半导体层包含至少一种金属有机化合物，所述金属有机化合物包含金属M和至少一个配体L，其中所述配体L优选为4‑(2,4‑二氧代戊‑3‑基)‑2,6‑双(三氟甲基)苯甲腈(I)，并且所述金属有机化合物优选为双(三氟甲基)苯基)‑4‑氧代戊‑2‑烯‑2‑基)氧基)铜(II)(G1)或相应的铝(III)和铁(III)络合物。包含所述金属有机化合物的有机电致发光器件的技术数据示于表3中。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含基底、阳极层和阴极层、至少一个发光层以及至少一个半导体层，所述至少一个半导体层包含金属和至少一个配体的至少一种金属化合物，并且涉及包含电致发光器件的有机电子器件。
背景技术
作为自发光器件的有机发光二极管OLED具有广视角、优异对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现性。典型的OLED包含依次层叠在基底上的阳极层、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极层。在此方面，HIL、HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
当对阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HIL和HTL移动至EML，从阴极注入的电子经由ETL移动至EML。空穴和电子在EML中复合以产生激子。当激子从激发态下降至基态时，发光。空穴和电子的注入和流动应该是平衡的，使得具有上述结构的OLED具有低工作电压、优异效率和/或长寿命。
有机发光二极管器件的性能可受空穴注入层的特性的影响，其中，可受空穴注入层中含有的空穴传输化合物和金属络合物的特性的影响。
CN 111018921涉及金属络合物和包含其的电致发光器件，其中所述金属络合物包含由金属和配体构成的新结构。
仍然需要通过提供具有改善性能的半导体层来改善发光二极管和有机电子器件的性能，特别是，通过改善其中包含的化合物的特性来实现改善的工作电压、改善的寿命、电流效率和/或改善的工作电压随时间推移的稳定性。
此外，仍然需要提供一种半导体层，例如空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)，其使得能够对包含具有更远离真空能级的HOMO能级的化合物的相邻层进行注入。
另一个目的在于提供具有改善的热特性的化合物和半导体层，例如空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)，其具有改善的热稳定性。
另一个目的在于提供一种半导体层，例如空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)，其包含能够在适合大量生产的条件下通过真空热沉积而沉积的化合物。
发明内容
一个方面提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含：基底、阳极层和阴极层、至少一个发光层以及至少一个半导体层或更多个半导体层，其中
所述半导体层包含至少一种金属化合物，其中
所述至少一个半导体层包含至少一种金属化合物，其中所述金属化合物包含金属M和至少一个配体L，或所述金属化合物具有式(I)：
其中
M为金属离子；
p为M的化合价；
w为n；
L为配体；
其中所述金属化合物包含
-金属，和
-至少一个配体，其中所述至少一个配体包含配位连接体X和至少一个配体片段Y，
其中配位连接体X和所述至少一个配体片段Y通过至少一个键彼此连接，其中
-配位连接体X选自式(IIa)
其中
m和n独立地选自0或1；
Z选自CR1、O、N；并且
A1和A2独立地选自C＝O、C-O、C＝NR2、C-NR3、SO、SO2或P(＝O)R4；
其中A1和A2一起任选地与Z形成环；
其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y，其中
取代基选自吸电子基团，优选卤素、F、Cl、CN、全氟化的C1至C8烷基、全氟化的C6至C12芳基或C2至C12杂芳基，和/或；
-所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基、取代或未取代的C2至C24杂环基、全氟化的C1至C4烷基、在3位处取代的C6至C24芳基、在4位处取代的C6至C24芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，其中
所述至少一个配体片段Y具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷；其中
阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中
-第一阳极子层包含具有在≥4eV且≤6eV范围内的逸出功的第一金属，并且
-第二阳极子层包含透明导电氧化物(TCO)；并且
所述至少一个半导体层设置于第一发光层和阳极层之间，
-第一阳极子层设置为更靠近基底，并且
-第二阳极子层设置为更靠近所述至少一个半导体层；
其中排除下列配体片段Y：
根据一个实施方式，所述有机电致发光器件包含基底、阳极层和阴极层、至少一个发光层以及至少一个或更多个半导体层，其中所述至少一个或更多个半导体层含有包含至少一种金属化合物的空穴注入层或者空穴注入层和空穴传输层，其中所述金属化合物包含金属M和至少一个配体L，或所述金属化合物具有式(I)，其中
所述金属化合物包含
-金属M，和
-至少一个配体L，其中所述至少一个配体L包含配位连接体X和至少一个配体片段Y，
其中配位连接体X和所述至少一个配体片段Y通过至少一个键彼此连接，其中
-配位连接体X选自式(IIa)
其中
m和n独立地选自0或1；
Z选自CR1、O、N；并且
A1和A2独立地选自C＝O、C-O、C＝NR2、C-NR3、SO、SO2或P(＝O)R4；
其中A1和A2一起任选地与Z形成环；
其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y，其中
取代基选自吸电子基团，优选卤素、F、Cl、CN、全氟化的C1至C8烷基、全氟化的C6至C12芳基或C2至C12杂芳基，和/或；
-所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基、取代或未取代的C2至C24杂环基、全氟化的C1至C4烷基、在3位处取代的C6至C24芳基、在4位处取代的C6至C24芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，并且
-更优选地，所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基，
其中
取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl和/或CN；
并且
其中所述至少一个配体片段Y具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷；其中
所述阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中
-第一阳极子层包含具有在≥4eV且≤6eV范围内的逸出功的第一金属，并且
-第二阳极子层包含透明导电氧化物(TCO)；并且
空穴注入层设置于第一发光层和阳极层之间，
-第一阳极子层设置为更靠近基底，并且
-第二阳极子层设置为更靠近空穴注入层；
其中排除下列配体片段Y：
根据一个实施方式，所述有机电致发光器件包含基底、阳极层和阴极层、至少一个发光层以及至少一个或更多个半导体层，所述至少一个或更多个半导体层包含空穴传输层或者空穴注入层和空穴传输层，其中
空穴传输层或者空穴注入层和空穴传输层包含至少一种金属化合物，其中所述金属化合物包含金属M和至少一个配体L，或所述金属化合物具有式(I)，其中
所述金属化合物包含
-金属M，和
-至少一个配体L，其中所述至少一个配体L包含配位连接体X和至少一个配体片段Y，
其中配位连接体X和至少一个配体片段Y通过至少一个键彼此连接，其中
-配位连接体X选自式(IIa)
其中
m和n独立地选自0或1；
Z选自CR1、O、N；并且
A1和A2独立地选自C＝O、C-O、C＝NR2、C-NR3、SO、SO2或P(＝O)R4；
其中A1和A2一起任选地与Z形成环；
其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y，其中
取代基选自吸电子基团，优选卤素、F、Cl、CN、全氟化的C1至C8烷基、全氟化的C6至C12芳基或C2至C12杂芳基，和/或；
-所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基、取代或未取代的C2至C24杂环基、全氟化的C1至C4烷基、在3位处取代的C6至C24芳基、在4位处取代的C6至C24芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，并且
-更优选地，所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基，
其中
取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl和/或CN；
并且
其中所述至少一个配体片段Y具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷；其中
阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中
-第一阳极子层包含具有在≥4eV且≤6eV范围内的逸出功的第一金属，并且
-第二阳极子层包含透明导电氧化物(TCO)；并且
空穴传输层设置于第一发光层和阳极层之间，
-第一阳极子层设置为更靠近基底，并且
-第二阳极子层设置为更靠近空穴传输层；
其中排除下列配体片段Y：
根据一个实施方式，有机电致发光器件包含基底、阳极层和阴极层、至少一个发光层以及至少一个或更多个半导体层，其选自空穴传输层和空穴注入层，其中
所述半导体层包含至少一种金属化合物，其中
所述金属化合物包含金属M和至少一个配体L，或所述金属化合物具有式(I)，包含
-金属，和
-至少一个配体，其中所述至少一个配体包含配位连接体X和至少一个配体片段Y，
其中配位连接体X和至少一个配体片段Y通过至少一个键彼此连接，其中
-配位连接体X选自式(IIa)
其中
m和n独立地选自0或1；
Z选自CR1、O、N；
并且
A1和A2独立地选自C＝O、C-O、C＝NR2、C-NR3、SO、SO2或P(＝O)R4；
其中A1和A2一起任选地与Z形成环；
其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y，其中
取代基选自吸电子基团，优选卤素、F、Cl、CN、全氟化的C1至C8烷基、全氟化的C6至C12芳基或C2至C12杂芳基，和/或；
-所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基、取代或未取代的C2至C24杂环基、全氟化的C1至C4烷基、在3位处取代的C6至C24芳基、在4位处取代的C6至C24芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，并且
-更优选地，所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基，
其中
取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl和/或CN；
并且
其中所述至少一个配体片段Y具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷；其中
阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中
-第一阳极子层包含具有在≥4eV且≤6eV范围内的逸出功的第一金属，并且
-第二阳极子层包含透明导电氧化物(TCO)；并且
空穴传输层和空穴注入层设置于第一发光层和阳极层之间，
-第一阳极子层设置为更靠近基底，并且
-第二阳极子层设置为更靠近空穴注入层；
其中排除下列配体片段Y：
根据一个实施方式，所述至少一个半导体层可以是空穴注入层和/或空穴传输层，优选地，可以是空穴注入层的所述至少一个半导体层是非发射性的。
在本说明书的上下文中，术语“基本上由……组成”特别意指和/或包括≥90％(体积/体积)的浓度、更优选≥95％(体积/体积)的浓度、最优选≥99％(体积/体积)的浓度。
应指出的是，在整个本申请和权利要求书中，任何Bn、Rn等始终是指相同的部分，除非另有说明。
在本说明书中，术语“配体”是指通过配位键或离子相互作用、优选通过配位键与阳离子金属结合的阴离子分子，其中配位键的性质可以具有从共价键到离子键范围内的特征。
在本说明书中，当没有另外提供定义时，“部分氟化的”是指其中仅部分氢原子被氟原子代替的烷基、芳基、杂芳基等。
在本说明书中，当没有另外提供定义时，“全氟化的”是指其中所有氢原子均被氟原子代替的烷基、芳基、杂芳基等。
除非另有说明，否则如果金属与阴离子一起被提及，则在此使用的术语“金属”包括金属阳离子，其中金属阳离子的正电荷和阴离子的负电荷彼此平衡。
在本说明书中，吸电子基团(EWG)是通过与之键合的碳原子降低分子中的电子密度的基团。吸电子基团的典型例子为卤素(特别是F和Cl)、-COR、-COH、-COOR、-COOH、部分氟化或全氟化的烷基、部分氟化或全氟化的芳基、部分氟化或全氟化的杂芳基、部分氟化或全氟化的碳环基、部分氟化或全氟化的C2至C20杂环基、-NO2和-CN。
根据一个实施方式，其中吸电子基团独立地选自卤素，其中卤素优选选自F，全卤化C1至C3(其中全卤化C1至C3优选为全氟化的)，部分或全氟化的C1至C6烷氧基或–(O)l-CqH2q-CpHalp2p+1，其中l＝0或1(优选为0)，q＝1或2(优选为1)且p＝1至3(优选为1或2)，并且Hal＝卤素(优选为F)。
根据一个实施方式，吸电子基团独立地选自被C1至C8烷基或C1至C8烷氧基取代，且C1至C8烷基或C1至C8烷氧基部分的取代基为氟，其中数量nF(氟取代基的数量)和nH(氢的数量)遵循式：nF>nH+2。
根据一个实施方式，吸电子基团独立地选自全氟化的C1至C8烷基或全氟化的C1至C8烷氧基。
根据一个实施方式，吸电子基团独立地选自部分或全氟化的C3至C6烷基。
根据一个实施方式，吸电子基团独立地选自CF3或CN。
根据一个实施方式，吸电子基团独立地选自CF3、C2F5、C3F7或C4F9，优选为CF3。
在本说明书中，当未另行提供定义时，“取代的”是指用以下取代的：氘、C6至C12芳基、C3至C11杂芳基和C1至C12烷基、D、C1至C12烷氧基、C3至C12支链烷基、C3至C12环烷基、C3至C12支链烷氧基、C3至C12环烷氧基、部分或全氟化的C1至C12烷基、部分或全氟化的C1至C12烷氧基、部分或全氘化的C1至C12烷基、部分或全氘化的C1至C12烷氧基、卤素、CN或PY(R10)2，其中Y选自O、S或Se，优选为O，且R10独立地选自C6至C12芳基、C3至C12杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基，优选是指用以下取代的：氘(也称为D)、卤素、Cl、F、CN、部分或全氟化的C1至C8烷基、部分或全氟化的C1至C8烷氧基。
在本说明书中，“芳基”是指可以通过从相应芳族烃中的芳族环中在形式上去除一个氢原子而产生的烃基基团。芳族烃是指含有至少一个芳族环或芳族环系的烃。芳族环或芳族环系是指共价结合的碳原子的平面环或环系，其中平面环或环系包含满足休克尔(Hückel)规则的离域电子的共轭体系。芳基基团的实例包括：单环基团，如苯基或甲苯基；包含通过单键连接的多个芳族环的多环基团，如联苯；以及包含稠合环的多环基团，如萘基或芴基。优选地，术语“取代或未取代的芳基”或“取代或未取代的C6至C24芳基”包括“稠合芳基环”或“缩合芳基环”的芳基化合物。
类似地，在杂芳基下，在适当的情况下，它尤其被理解为通过从包含至少一个这样的环的化合物中的杂环芳族环中在形式上去除一个环氢而衍生的基团。
另外，术语“取代或未取代的杂芳基”或“取代或未取代的C2至C24杂芳基”包括“稠合杂芳基环”或“缩合芳基环”或“包含至少一个非杂芳基环的稠合杂芳基环”或“包含至少非杂芳基环的缩合芳基环”的杂芳基化合物。
术语“稠合芳基环”或“缩合芳基环”以如下方式理解：当两个芳基环共享至少两个共同的sp2杂化碳原子时，它们被认为是稠合的或缩合的。
相应地，在本说明书中，“杂芳基取代的”是指用一个或多个杂芳基基团的取代，它们本身可被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
在本说明书中，当未另行提供定义时，“烷基基团”是指饱和的脂肪族烃基基团。烷基基团可为C1至C12烷基基团或C1至C8烷基基团。更具体地，烷基基团可为C1至C10烷基基团或C1至C6烷基基团。例如，C1至C4烷基基团在烷基链中包含1至4个碳，且可选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。
烷基基团的具体实例可为甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团。
术语“环烷基”是指通过从相应环烷中包含的环原子中在形式上去除一个氢原子而从环烷衍生的饱和烃基基团。环烷基基团的实例可为环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、甲基环己基基团、金刚烷基基团等。
术语“杂”以如下方式理解：可通过共价结合的碳原子形成的结构中的至少一个碳原子被其它多价原子替代。优选地，杂原子选自B、Si、N、P、O、S；更优选选自N、P、O、S，最优选为N。
术语“稠合环系”被理解为意指其中两个或更多个环共享至少两个原子的环系。
术语“5、6或7元环”被理解为意指包含5、6或7个原子的环。所述原子可选自C和一个或多个杂原子。
在本说明书中，单键是指直接键。
在上下文中，“不同”意指化合物不具有相同的化学结构。
术语“无”、“不含有”、“不包含”并不排除在沉积之前可能存在于化合物中的杂质。杂质对本发明实现的目的没有技术影响。
术语“接触”或“接触着”是指至少两层的设置，由此第一层与相邻的第二层直接接触。
术语“光活性层”可包含“吸光层”，且“光吸收层”同义地使用。
术语“光活性层”可包含优选地为“发光层(light-emitting layer)”、“光发射层(light emitting layer)”和“发射层(light emitting layer)”的层。
术语“OLED”和“有机发光二极管”同义地使用。
术语阳极和阳极电极同义地使用。术语“至少两个阳极子层”被理解为意指两个或更多个阳极子层，例如，两个或三个阳极子层。
术语阴极和阴极电极同义地使用。
术语“空穴传输层”被理解为意指在空穴注入层和设置于空穴注入层与阴极层之间的其它层之间传输空穴的层。
工作电压U以伏特进行测量。
在本说明书的上下文中，术语“基本上非发射性的”或“非发射性的”意指金属化合物、基质化合物或金属络合物和/或层对来自有机电子器件(优选地为OLED或显示器件)的可见发光光谱的贡献相对于该可见发光光谱小于10％，优选地小于5％，其中所述层为空穴注入层、空穴传输层、阳极层和阴极层。所述可见发光光谱是波长为约≥380nm至约≤780nm的发光光谱。
在说明书中，空穴特性是指如下能力：根据最高占据分子轨道(HOMO)能级，在施加电场时供给电子而形成空穴，并且在阳极中形成的空穴由于导电特性可以容易地注入发光层并在发光层中传输。
此外，电子特性是指如下能力：根据最低未占分子轨道(LUMO)能级，在施加电场时接受电子，并且在阴极中形成的电子由于导电特性可以容易地注入发光层并在发光层中传输。
术语“HOMO能级”被理解为意指最高占据分子轨道，且以eV(电子伏特)测定。
术语“更偏离真空能级的HOMO能级”被理解为意指HOMO能级的绝对值高于参考化合物的HOMO能级的绝对值。例如，术语“比N2,N2,N2',N2',N7,N7,N7',N7'-八(4-甲氧基苯基)-9,9'-螺二[芴]-2,2',7,7'-四胺的HOMO能级更偏离真空能级”被理解为意指空穴注入层的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的HOMO能级的绝对值高于N2,N2,N2',N2',N7,N7,N7',N7'-八(4-甲氧基苯基)-9,9'-螺二[芴]-2,2',7,7'-四胺的HOMO能级。
术语“绝对值”被理解为意指没有“-”符号的值。根据一个实施方式，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物(优选为空穴注入层的基质化合物)的HOMO能级可通过量子力学方法计算。
第一金属的逸出功以eV(电子伏特)测定。逸出功的列表值可在例如CRC化学和物理手册，2008版，第12-114页中找到。另外，逸出功的列表值可在例如https://en.wikipedia.org/wiki/Work_function#cite_note-12中找到。
在说明书中，空穴特性是指是指如下能力：根据最高占据分子轨道(HOMO)能级，在施加电场时供给电子而形成空穴，并且在阳极中形成的空穴由于导电特性可以容易地注入发光层并在发光层中传输。
此外，电子特性是指如下能力：根据最低未占分子轨道(LUMO)能级，在施加电场时接受电子，并且在阴极中形成的电子由于导电特性可以容易地注入发光层并在发光层中传输。
本文所描述的不同实施方式可分开地或以两个或更多个实施方式合成为实现本发明的素材。
有益效果
令人惊讶地发现，根据本发明的有机电致发光器件通过使得有机电致发光器件、优选有机发光二极管LED在多个方面优于本领域已知的有机电致发光器件，解决了本发明的基础问题，特别是关于工作电压的增加的降低更是如此。
另外，发现通过提供可以在适合大量生产的条件下通过真空热沉积而沉积的化合物，可解决本发明的基础的问题。特别是，金属络合物和基质化合物的速率起始温度可在适合大量生产的范围内。
此外，发现本文所述的金属化合物具有改善的热性质，且含有所述金属化合物作为半导体层(优选地作为空穴注入层或空穴传输层)的有机电子器件具有改善的性能，特别是在电流效率、稳定性和寿命方面具有改善的性能。
配位连接体X
m和n
根据一个实施方式，其中式(IIa)或(IIb)的配位连接体X中的m和n为m+n≥1。
根据一个实施方式，其中式(IIa)或(IIb)的配位连接体X中m和n选自1。根据一个实施方式，其中式(IIa)或(IIb)的配位连接体X中m＝1且n＝0。根据一个实施方式，其中式(IIa)或(IIb)的配位连接体X中m＝0且n＝1。根据一个实施方式，其中式(IIa)或(IIb)的配位连接体X中m和n选自0。根据其它实施方式，其中式(IIa)或(IIb)的配位连接体X中m和n选自m+n≥1。
Z
根据一个实施方式，其中Z选自CR1、O或N。根据一个实施方式，其中Z选自CR1或N。根据一个实施方式，其中Z选自CR1或O。根据一个实施方式，其中Z选自CR1。根据一个实施方式，其中Z选自O。根据一个实施方式，其中Z选自N。
A1和A2
根据一个实施方式，其中A1和A2独立地选自C＝O、C-O、C＝NR2、C-NR3、SO、SO2或P(＝O)R4。根据一个实施方式，其中A1和A2独立地选自C＝O、C-O。根据一个实施方式，其中A1和A2独立地选自C＝NR2、C-NR3。根据一个实施方式，其中A1和A2独立地选自SO或SO2。根据一个实施方式，其中A1和A2独立地选自C＝O、C-O、C＝NR2、C-NR3、SO2或P(＝O)R4。根据一个实施方式，其中A1和A2独立地选自C＝O、C-O、C＝NR2、C-NR3、SO2或P(＝O)R4。
根据一个实施方式，其中A1和A2一起与Z形成环。
R1、R2、R3和R4
根据一个实施方式，其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y。根据一个实施方式，其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C2至C18杂芳基、配体片段Y。根据一个实施方式，其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C2至C18杂芳基。根据一个实施方式，其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C12芳基、取代或未取代的C2至C128杂芳基、配体片段Y。根据一个实施方式，其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C12芳基、取代或未取代的C2至C12杂芳基。
根据一个实施方式，其中R1、R2、R3和R4上的取代基独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基、取代或未取代的C2至C24杂环基、全氟化的C1至C4烷基、在3位处取代的C6至C24芳基、在4位处取代的C6至C24芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，更优选地所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基，其中取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl和/或CN。
根据一个实施方式，其中R1、R2、R3和R4上的取代基独立地选自取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C2至C18杂芳基、取代或未取代的C1至C18烷基、取代或未取代的C3至C18碳环基、取代或未取代的C2至C18杂环基、全氟化的C1至C4烷基、在3位处取代的C6至C18芳基、在4位处取代的C6至C18芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，更优选地所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C2至C18杂芳基，其中取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl和/或CN。
根据一个实施方式，其中R1、R2、R3和R4上的取代基独立地选自取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C2至C18杂芳基、在3位处取代的C6至C18芳基、在4位处取代的C6至C18芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，更优选地所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C2至C18杂芳基，其中取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl和/或CN。
根据一个实施方式，其中R1、R2、R3和R4上的取代基独立地选自取代或未取代的C1至C18烷基、取代或未取代的C3至C18碳环基、取代或未取代的C2至C18杂环基、全氟化的C1至C4烷基、在4位处取代的C6至C18芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，更优选地所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C2至C18杂芳基，其中取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl和/或CN。
根据一个实施方式，其中R1、R2、R3和R4上的取代基独立地选自在3位处取代的C6至C18芳基、在4位处取代的C6至C18芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，更优选地所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C2至C18杂芳基，其中取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl和/或CN。
根据一个实施方式，其中配位连接体X可选自式(IIa)：
其中
m和n独立地选自0或1；
Z选自CR1、O、N；并且
A1和A2独立地选自C＝O、C-O、SO或SO2；
R1独立地选自H、D、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、配体片段Y；
其中A1和A2一起任选地与Z形成环。
根据一个实施方式，其中配位连接体X可选自式(IIa)：
其中
m和n选自1；
Z选自CR1、N；并且
A1和A2独立地选自C＝O、C-O或SO2；
R1独立地选自H、D、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、配体片段Y；
其中A1和A2一起任选地与Z形成环。
配体片段Y
根据一个实施方式，其中配体片段Y是所述至少一个配体片段Y，独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基、取代或未取代的C2至C24杂环基、全氟化的C1至C4烷基、在3位处取代的C6至C24芳基、在4位处取代的C6至C24芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，其中所述至少一个配体片段Y具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。
根据一个实施方式，其中配体片段Y是取代的C6至C24芳基或取代的C2至C24杂芳基、全氟化的C1至C4烷基、在3位处取代的C6至C24芳基、在4位处取代的C6至C24芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，更优选地是在4位处取代的C6至C24芳基，其中取代基选自卤素、F、Cl和/或CN。
根据一个实施方式，其中配体片段Y是取代的C6至C18芳基或取代的C2至C18杂芳基、全氟化的C1至C4烷基、在3位处取代的C6至C18芳基、在4位处取代的C6至C18芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，更优选地是在4位处取代的C6至C18芳基，其中取代基选自卤素、F、Cl和/或CN。
根据一个实施方式，其中配体片段Y是取代的C6至C12芳基或取代的C2至C12杂芳基、全氟化的C1至C4烷基、在3位处取代的C6至C18芳基、在4位处取代的C6至C12芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，更优选地是在4位处取代的C6至C12芳基，其中取代基选自卤素、F、Cl和/或CN。
根据一个实施方式，其中配体片段Y上的取代基是吸电子基团、F、Cl、CN、SCN、-OCF3、NO2、SF5、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基；
其中取代基是如F、Cl、CN的吸电子基团。
根据一个实施方式，其中配体片段Y上的取代基是吸电子基团、F、Cl、CN、SCN、-OCF3、NO2、SF5、全氟化的C1至C4烷基、CF3、在3位处和4位处(最优选地是4位处)取代的芳基、取代的4-吡啶基和取代的5-嘧啶基。
根据一个实施方式，其中配体片段Y上的取代基是F、Cl、CN、全氟化的C1至C4烷基、CF3、在3位处和4位处(最优选地是4位处)取代的芳基、取代的4-吡啶基和取代的5-嘧啶基。
Y的定向偶极矩
根据一个实施方式，其中配体片段Y具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。根据一个实施方式，其中配体片段Y具有选自≤-4.0德拜、≤-4.2德拜、≤-4.4德拜、≤-4.6德拜、≤-4.8德拜、≤-5.0德拜、≤-5.1德拜、≤-5.2德拜、≤-5.3德拜、≤-5.4德拜、≤-5.5德拜、≤-5.6德拜、≤-5.7德拜或≤-5.8德拜的定向偶极矩，更优选地，配体片段Y具有小于-5.5德拜的定向偶极矩。根据一个实施方式，其中配体片段Y具有选自≤-4.0德拜、≤-4.2德拜、≤-4.4德拜、≤-4.6德拜、≤-4.8德拜、≤-5.0德拜、≤-5.1德拜、≤-5.2德拜、≤-5.3德拜、≤-5.4德拜、≤-5.5德拜、≤-5.6德拜、≤-5.7德拜或≤-5.8德拜的定向偶极矩，更优选地，配体片段Y具有小于-5.5德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。
片段Y由式(IV)表示
根据一个实施方式，其中配体片段Y由式(IV)表示
其中q选自0、1、2，优选0或1；
Ar1选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的蒽基，优选地，Ar1是苯基；
U1选自N或CR’；
U2选自N或CR”；
U3选自N或CR”’；并且
其中R’、R”和R”’独立地选自H，D，吸电子基团，优选F，全氟化的C1至C24烷基，优选CF3，CN，SCN，OCF3，-NO2，-SF5。
根据一个实施方式，其中配体片段Y由式(IV)表示
其中q选自0、1、2，优选0或1；
Ar1选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的蒽基，优选地，Ar1是苯基；
U1选自N或CR’；
U2选自N或CR”；
U3选自N或CR”’；并且
其中R’、R”和R”’独立地选自H，D，吸电子基团，优选F，全氟化的C1至C24烷基，优选CF3，CN，SCN，OCF3，-NO2，-SF5；并且
所述至少一个配体片段Y具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。
根据一个实施方式，其中配体片段Y由式(IV)表示
其中
q选自0、1、2，优选0或1；
Ar1选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的蒽基，优选地，Ar1是苯基；
U1选自N或CR’；
U2选自N或CR”；
U3选自N或CR”’；并且
其中R’、R”和R”’独立地选自H，D，吸电子基团，优选F，全氟化的C1至C24烷基，优选CF3，CN，SCN，OCF3，-NO2，-SF5；并且
其中所述至少一个配体片段Y具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。
根据一个实施方式，其中配体片段Y由式(IV)表示
其中
q选自0、1、2，优选0或1；
Ar1选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的蒽基，优选地，Ar1是取代或未取代的苯基，其中取代基选自吸电子基团，优选卤素、F、Cl、全氟化的C1至C24烷基(优选地为CF3)、CN、SCN、OCF3、-NO2、-SF5、卤素、F、Cl和/或CN，优选地选自卤素、F、Cl和/或CN；
U1选自N或CR’；
U2选自N或CR”；
U3选自N或CR”’；并且
其中R’、R”和R”’独立地选自H，D，吸电子基团，优选F，全氟化的C1至C24烷基，优选CF3，CN，SCN，OCF3，-NO2，-SF5；并且
其中所述至少一个配体片段Y具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。
根据一个实施方式，其中配体片段Y由式(IV)表示
其中
q选自0、1、2，优选0或1；
Ar1选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的蒽基，优选地，Ar1是苯基，
其中Ar1上的取代基选自卤素、F、Cl和/或CN
U1选自N或CR’；
U2选自N或CR”；
U3选自N或CR”’；并且
其中R’、R”和R”’独立地选自H，D，吸电子基团，优选F，全氟化的C1至C24烷基，优选CF3，CN，SCN，OCF3，-NO2，-SF5；并且
其中所述至少一个配体片段Y具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。
根据一个实施方式，其中配体片段Y由式(IV)表示：
其中
q选自0、1、2，优选0或1；
Ar1选自未取代的苯基、未取代的萘基或未取代的蒽基，优选地，Ar1是苯基，
U1选自N或CR’；
U2选自N或CR”；
U3选自N或CR”’；并且
其中R’、R”和R”’独立地选自H，D，吸电子基团，优选F，全氟化的C1至C24烷基，优选CF3，CN，SCN，OCF3，-NO2，-SF5。
根据一个实施方式，其中配体片段Y由式(IV)表示：
其中
q选自0、1、2，优选0或1；
Ar1选自未取代的苯基、未取代的萘基或未取代的蒽基，优选地，Ar1是苯基，
U1选自N或CR’；
U2选自N或CR”；
U3选自N或CR”’；并且
其中R’、R”和R”’独立地选自H，D，吸电子基团，优选F，全氟化的C1至C24烷基，优选CF3，CN，SCN，OCF3，-NO2，-SF5；并且
其中所述至少一个配体片段Y具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。
根据一个实施方式，其中配体片段Y选自D1至D11：
其中更优选地，配体片段Y选自D1至D6、D1至D4或D5和D6。
金属
根据一个实施方式，其中金属M的化合价p可以是1、2、3或4。
根据一个实施方式，其中金属M具有≥22Da的原子量或者≥24Da的原子量。
根据一个实施方式，其中金属M可选自金属离子，其中相应的金属具有小于2.4、优选地小于2、更优选地小于1.9的根据艾伦(Allen)的电负性值。因此，在有机电子器件中可以实现特别良好的性能。
术语“根据艾伦的电负性(electronegativity according to Allen)”尤其参考Allen,Leland C.(1989)，“电负性是基态自由原子中价层电子的平均单电子能量(Electronegativity is the average one-electron energy of the valence-shellelectrons in ground-state free atoms)”，美国化学会志(Journal of the AmericanChemical Society).111(25):9003–9014。
根据一个实施方式，M的化合价p是1或2。
根据一个实施方式，其中金属M选自金属离子，其中相应的金属具有小于2.4、优选地小于2、更优选地小于1.9的根据艾伦的电负性值，并且金属M的化合价p是1或2。
根据一个实施方式，其中金属M选自碱金属、碱土金属、稀土金属或过渡金属，或者M选自碱金属、碱土金属或者第4或5周期的过渡金属。
根据一个实施方式，其中金属M选自金属离子，其中相应的金属具有小于2.4、优选地小于2、更优选地小于1.9的根据艾伦的电负性值，且M选自碱金属、碱土金属、稀土金属或者第4或5周期的过渡金属，并且金属M具有≥22Da的原子量或者≥24Da的原子量。
根据一个实施方式，其中金属M选自Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、In、Bi、Sc、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、La、Ce、Eu、或Yb，优选地金属M选自Al、Bi、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、Ag、Re、Au或Ce，更优选地金属M选自Al、Mn、Fe、Cu、Mo、Ag、Au或Ce。
根据一个实施方式，其中金属M选自碱土金属、过渡金属或稀土金属，优选Cu(II)、Ag(I)、Zn(II)、Fe(II)、Fe(III)、Ce(IV)，更优选地为Fe(II)。
根据一个实施方式，其中金属M选自Li、Na、K、Cs、Mg、Mn、Cu、Zn、Ag和Mo；优选地M选自Na、K、Cs、Mg、Mn、Cu、Zn和Ag；还优选M选自Na、K、Mg、Mn、Cu、Zn和Ag，其中如果金属M为Cu，则化合价p为2。
式(IIb)的配位连接体X
根据一个实施方式，其中所述至少一个配位连接体X由式(IIb)表示：
其中
Z选自CR1、N；
A1和A2独立地选自C＝O、C-O或SO2，且其中A1和A2一起任选地与Z形成环；
R1选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y；
Ra和Rb独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y，其中
取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、部分氟化或全氟化的C6至C12芳基或者部分氟化或全氟化的C2至C12杂芳基；
其中R1、Ra和Rb中的至少一者包含配体片段Y；
其中所述至少一个配体片段Y中的至少一个独立地选自取代的C6至C24芳基或者未取代或取代的C2至C24杂芳基，且其中所述至少一个配体片段Y中的至少一个具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。
根据一个实施方式，其中所述至少一个配体L由式(IIb)表示：
其中
Z选自CR1、N；
A1和A2独立地选自C＝O、C-O或SO2，且其中A1和A2一起任选地与Z形成环；
R1选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y；其中
取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、部分氟化或全氟化的C6至C12芳基或者部分氟化或全氟化的C2至C12杂芳基；
Ra和Rb独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y，其中
取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、部分氟化或全氟化的C6至C12芳基或者部分氟化或全氟化的C2至C12杂芳基；
其中R1、Ra和Rb中的至少一者包含配体片段Y；
其中所述至少一个配体片段Y中的至少一个独立地选自取代的C6至C24芳基或者未取代或取代的C2至C24杂芳基，且其中所述至少一个配体片段Y中的所述至少一个具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。
根据一个实施方式，其中Ra和Rb独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、配体片段Y。
根据一个实施方式，其中所述至少一个配体L由式(III)表示：
其中
R1选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y；
Ra和Rb独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y，其中
取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、全氟化的C6至C12芳基或者部分氟化或全氟化的C2至C12杂芳基；
其中R1、Ra和Rb中的至少一者包含配体片段Y；
其中所述至少一个配体片段Y中的至少一个独立地选自取代的C6至C24芳基或者未取代或取代的C2至C24杂芳基，且其中所述至少一个配体片段Y中的所述至少一个具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。
根据一个实施方式，其中所述至少一个配体L由式(III)表示：
其中
R1选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y，其中
取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、部分氟化或全氟化的C6至C12芳基或者部分氟化或全氟化的C2至C12杂芳基；
Ra和Rb独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y，其中
取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、全氟化的C6至C12芳基或者部分氟化或全氟化的C2至C12杂芳基；
其中R1、Ra和Rb中的至少一者包含配体片段Y；
其中所述至少一个配体片段Y中的至少一个独立地选自取代的C6至C24芳基或者未取代或取代的C2至C24杂芳基，且其中所述至少一个配体片段Y中的所述至少一个具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。
根据一个实施方式，其中R1是或包含配体片段Y。根据一个实施方式，其中R1包含配体片段Y。
金属化合物
金属化合物是非发射性的。在本说明书的上下文中，术语“基本上非发射性的＂或“非发射性的＂意指金属化合物对来自有机电子器件(优选地为OLED或显示器件)的可见发光光谱的贡献相对于该可见发光光谱小于10％，优选地小于5％。所述可见发光光谱是波长约≥380nm至约≤780nm的发光光谱。
配体片段Y
配体片段Y可选自表1。虚线表示结合至配位连接体X的位置。表1显示根据本发明可使用的式K1至K31的合适的配体片段Y。
表1：式K1至K31的配体片段Y
/>
/>
/>
半导体层
根据一个实施方式，包含所述半导体层的所述至少一个半导体层是有机半导体层，优选地所述至少一个半导体层是非发射性的。
根据本发明的一个实施方式，至少一个半导体层被设置和/或提供为与阳极相邻。
根据本发明的一个实施方式，至少一个半导体层与阳极直接接触。
根据本发明的一个实施方式，其中所述至少一个半导体层是空穴注入层。
根据本发明的一个实施方式，其中所述半导体层中的所述至少一个是空穴注入层，其由至少一种金属化合物组成或包含至少一种金属化合物。
在所述至少一个半导体层是空穴注入层和/或被设置和/或提供为与阳极相邻的情况下，则特别优选地，此层基本上由至少一种金属化合物组成。
根据另一个方式，所述至少一个半导体层可具有至少约≥0.5nm至约≤10nm、优选地约≥2nm至约≤8nm、还优选约≥3nm至约≤5nm的层厚度。
根据一个实施方式，其中所述半导体层包含至少一种基质化合物，其中所述至少一种基质化合物是非聚合化合物，优选地所述基质化合物是共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物。
优选地，包含共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的至少一个半导体层被设置在阳极上或被提供为与阳极相邻。
共价的基质化合物的优选实例是有机化合物，主要由共价结合的C、H、O、N、S组成，其还可任选地包含共价结合的B、P、As、Se。包含共价键碳-金属的有机金属化合物、包含有机配体和有机酸的金属盐的金属络合物为可作为有机的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的有机化合物的进一步实例。
在一个实施方式中，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物缺少金属原子，且其大部分骨架原子选自C、O、S、N。或者，共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物缺少金属原子，且其大部分骨架原子选自C和N。
在一个实施方式中，其中当在相同条件下测定时，共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的HOMO能级可比N2,N2,N2',N2',N7,N7,N7',N7'-八(4-甲氧基苯基)-9,9'-螺二[芴]-2,2',7,7'-四胺(CAS207739-72-8)的HOMO能级更负。
在一个实施方式中，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的计算的HOMO能级可比-4.27eV更负，优选地比-4.3eV更负，或者比-4.5eV更负，或者比-4.6eV更负，或者比-4.65eV更负。
根据另一个方面，当在二氯甲烷vs.Fc/Fc+中通过循环伏安法测定时，半导体层还包含具有比–0.2V更正且比1.22V更负(优选地比–0.18V更正且比1.12V更负)的氧化电位的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物。在这些条件下，螺-MeO-TAD(CAS207739-72-8)的氧化电位是-0.07V。
在一个实施方式中，其中当在相同条件下测定时，共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的HOMO能级可比N2,N2,N2',N2',N7,N7,N7',N7'-八(4-甲氧基苯基)-9,9'-螺二[芴]-2,2',7,7'-四胺(CAS207739-72-8)的HOMO能级更负，且比N4,N4”'-二(萘-1-基)-N4,N4”'-二苯基-[1,1':4',1”:4”,1”'-四联苯]-4,4”'-二胺的HOMO能级更正。
在一个实施方式中，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物可以不含烷氧基基团。
在一个实施方式中，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的计算的HOMO能级可选自<-4.27eV且>-4.84eV的范围，或者<-4.3eV且>-4.84eV的范围，或者<-4.5eV且>-4.84eV的范围，或者<-4.5eV且>-4.84eV的范围，或者<-4.6eV且>-4.84eV的范围。
在一个实施方式中，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的计算的HOMO能级可选自<-4.27eV且>-4.8eV的范围，或者<-4.3eV且>-4.8eV的范围，或者<-4.5eV且>-4.8eV的范围，或者<-4.5eV且>-4.8eV的范围，或者<-4.6eV且>-4.8eV的范围，或者<-4.65eV且>-4.8eV的范围。
优选地，共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物包含至少一种芳胺化合物、或者二芳胺化合物、或者三芳胺化合物。
根据有机电子器件的一个实施方式，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物(优选地空穴注入层的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物)可包含式(2)或式(3)的化合物：
其中
T1、T2、T3、T4和T5可独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，优选地单键或苯亚基；
T6选自取代或未取代的苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基；其中苯亚基上的取代基选自C6至C18芳基、C3至C18杂芳基、苯基、联苯、咔唑、苯基咔唑，优选地联苯或9-苯基咔唑；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5可独立地选自取代或未取代的C6至C20芳基、或者取代或未取代的C3至C20杂芳亚基、取代或未取代的联二苯叉、取代或未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、取代或未取代的萘、取代或未取代的蒽、取代或未取代的菲、取代或未取代的芘、取代或未取代的苝、取代或未取代的联三苯叉、取代或未取代的并四苯、取代或未取代的苯并(a)蒽、取代或未取代的二苯并呋喃、取代或未取代的二苯并噻吩、取代或未取代的呫吨、取代或未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、取代或未取代的氮杂环庚三烯、取代或未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚三烯、取代或未取代的9,9’-螺二[芴]、具有至少一个稠合芳族环的取代或未取代的9,9’-螺二[芴]、取代或未取代的螺[芴-9,9’-呫吨]、取代或未取代的芳族稠合环系(包含两个芳族6元环和两个芳族5元环，其中至少一个5元环包含杂原子)、取代或未取代的芳族稠合环系(包含两个芳族6元环和两个芳族5元环，其中至少一个5元环包含O原子)、或者取代或未取代的芳族稠合环系(包含至少三个取代或未取代的芳族环，所述取代或未取代的芳族环选自取代或未取代的非杂5元环、取代或未取代的杂5元环、取代或未取代的6元环和/或取代或未取代的7元环)、取代或未取代的芴、具有缩合的取代或未取代的杂环系或非杂环系的取代或未取代的芴(所述取代或未取代的杂环系或非杂环系包含2至6个取代或未取代的5、6或7元环)、或稠合环系(包含2至6个取代或未取代的5至7元环，且所述环选自：(i)不饱和的5至7元环的杂环、(ii)5至6元的芳族杂环、(iii)不饱和的5至7元环的非杂环、(iv)6元环的芳族非杂环)；
其中Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5的取代基相同或不同地选自：H、C(＝O)R2、CN、Si(R2)3、P(＝O)(R2)2、OR2、S(＝O)R2、S(＝O)2R2、具有1至20个碳原子的直链烷基、具有1至20碳原子的支链烷基、具有3至20个碳原子的环烷基、具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团、具有1至20碳原子的烷氧基基团、C6至C18芳基、C3至C18杂芳基、稠合环系(包含2至6个未取代的5至7元环，且所述环选自不饱和的5至7元环的杂环、5至6元的芳族杂环、不饱和的5至7元环的非杂环和6元环的芳族非杂环)。
优选地，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5的取代基相同或不同地选自：H、具有1至6个碳原子的直链烷基、具有1至6碳原子的支链烷基、具有3至6个碳原子的环烷基、具有2至6个碳原子的烯基或炔基基团、具有1至6碳原子的烷氧基基团、C6至C18芳基、C3至C18杂芳基、稠合环系(包含2至4个未取代的5至7元环，且所述环选自不饱和的5至7元环的杂环、5至6元的芳族杂环、不饱和的5至7元环的非杂环和6元环的芳族非杂环)；更优选地取代基相同或不同地选自：H、具有1至4个碳原子的直链烷基、具有1至4碳原子的支链烷基、具有3至4个碳原子的环烷基和/或苯基。因此，式(2)或(3)的化合物可具有适合大量生产的速率起始温度。
根据有机电子器件的一个实施方式，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物(优选地空穴注入层的基质化合物)包含式(2)或式(3)的化合物：
其中
T1、T2、T3、T4和T5可独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，优选地单键或苯亚基；
T6选自取代或未取代的苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基；其中苯亚基上的取代基选自C6至C18芳基、C3至C18杂芳基、苯基、联苯、咔唑、苯基咔唑，优选地联苯或9-苯基咔唑；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5可独立地选自未取代的C6至C20芳基、或未取代的C3至C20杂芳亚基、未取代的联二苯叉、未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、未取代的萘、未取代的蒽、未取代的菲、未取代的芘、未取代的苝、未取代的联三苯叉、未取代的并四苯、未取代的苯并(a)蒽、未取代的二苯并呋喃、未取代的二苯并噻吩、未取代的呫吨、未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、未取代的氮杂环庚三烯、未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚三烯、未取代的9,9’-螺二[芴]、未取代的螺[芴-9,9’-呫吨]、或未取代的芳族稠合环系(包含至少三个未取代的芳族环，所述未取代的芳族环选自未取代的非杂5元环、未取代的杂5元环、未取代的6元环和/或未取代的7元环)、未取代的芴、或稠合环系(包含2至6个未取代的5至7元环，且所述环选自：(i)不饱和的5至7元环的杂环、(ii)5至6元的芳族杂环、(iii)不饱和的5至7元环的非杂环、(iv)6元环的芳族非杂环)。
根据有机电子器件的一个实施方式，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物(优选地空穴注入层的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物)包含式(2)或式(3)的化合物：
其中
T1、T2、T3、T4和T5可独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，优选地单键或苯亚基；
T6选自取代或未取代的苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基；其中苯亚基上的取代基选自C6至C18芳基、C3至C18杂芳基、苯基、联苯、咔唑、苯基咔唑，优选地联苯或9-苯基咔唑；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5可独立地选自未取代的C6至C20芳基、或未取代的C3至C20杂芳亚基、未取代的联二苯叉、未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、未取代的萘、未取代的蒽、未取代的菲、未取代的芘、未取代的苝、未取代的联三苯叉、未取代的并四苯、未取代的苯并(a)蒽、未取代的二苯并呋喃、未取代的二苯并噻吩、未取代的呫吨、未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、未取代的氮杂环庚三烯、未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚三烯、未取代的9,9’-螺二[芴]、未取代的螺[芴-9,9’-呫吨]。
如果没有另外提及，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5的取代基可相同或不同地选自：H、C(＝O)R2、CN、Si(R2)3、P(＝O)(R2)2、OR2、S(＝O)R2、S(＝O)2R2、具有1至20个碳原子的直链烷基、具有1至20碳原子的支链烷基、具有3至20个碳原子的环烷基、具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团、具有1至20碳原子的烷氧基基团、C6至C18芳基、C3至C18杂芳基、稠合环系(包含2至6个未取代的5至7元环，且所述环选自不饱和的5至7元环的杂环、5至6元的芳族杂环、不饱和的5至7元环的非杂环和6元环的芳族非杂环)。
因此，式(2)或(3)的化合物可具有适合大量生产的速率起始温度。
根据一个实施方式，其中T1、T2、T3、T4和T5，或T1、T2和T3可独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基或三联苯亚基。根据一个实施方式，其中T1、T2、T3、T4和T5，或T1、T2和T3可独立地选自苯亚基、联苯亚基或三联苯亚基，并且T1、T2、T3、T4和T5，或T1、T2和T3中的一者为单键。根据一个实施方式，其中T1、T2、T3、T4和T5，或T1、T2和T3可独立地选自苯亚基或联苯亚基，并且T1、T2、T3、T4和T5，或T1、T2和T3中的一者为单键。根据一个实施方式，其中T1、T2、T3、T4和T5，或T1、T2和T3可独立地选自苯亚基或联苯亚基，并且T1、T2、T3、T4和T5，或T1、T2和T3中的二者为单键。
根据一个实施方式，其中T1、T2、T3、T4和T5，或T1、T2和T3可独立地选自苯亚基，并且T1、T2、T3、T4和T5，或T1、T2和T3中的一者为单键。根据一个实施方式，其中T1、T2、T3、T4和T5，或T1、T2和T3可独立地选自苯亚基，并且T1、T2、T3、T4和T5，或T1、T2和T3中的二者为单键。
根据一个实施方式，其中T6可选自取代或未取代的苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基；其中苯亚基上的取代基选自C6至C18芳基、C3至C18杂芳基、苯基、联苯、咔唑、苯基咔唑，优选地联苯或9-苯基咔唑。根据一个实施方式，其中T6可为取代或未取代的苯亚基，其中苯亚基上的取代基选自C6至C18芳基、C3至C18杂芳基、苯基、联苯、咔唑、苯基咔唑，优选地联苯或9-苯基咔唑。根据一个实施方式，其中T6可为联苯亚基。根据一个实施方式，其中T6可为三联苯亚基。
根据一个实施方式，其中Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5可独立地选自D1至D16：
其中星号“*”表示结合位置。
根据一个实施方式，其中Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5可独立地选自D1至D15；或者选自D1至D10和D13至D15。
根据一个实施方式，其中Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5可独立地选自D1、D2、D5、D7、D9、D10、D13至D16。
当Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5在这种范围内选择时，速率起始温度可在特别适合大量生产的范围内。
“式(2)或式(3)的基质化合物”也可被称为“空穴传输化合物”。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系，所述取代或未取代的芳族稠合环系包含杂芳族环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系(所述取代或未取代的芳族稠合环系包含杂芳族环和至少≥1个至≤3个取代或未取代的不饱和的5至7元环的杂环)、优选地≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系(所述取代或未取代的芳族稠合环系包含杂芳族环)。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系(所述取代或未取代的芳族稠合环系包含杂芳族环和至少≥1个至≤3个取代或未取代的不饱和的5至7元环的杂环)、优选地≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系(所述取代或未取代的芳族稠合环系包含杂芳族环和至少≥1个至≤3个取代或未取代的不饱和的5至7元环的杂环)、更优选地3或4个取代或未取代的芳族稠合环系(所述取代或未取代的芳族稠合环系包含杂芳族环和任选的至少≥1个至≤3个取代或未取代的不饱和的5至7元环的杂环)，还优选地其中所述包含杂芳族环的芳族稠合环系是未取代的且任选的至少≥1个至≤3个未取代的不饱和的5至7元环的杂环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系、优选地≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系、更优选地3或4个取代或未取代的芳族稠合环系。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系、优选地≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系、更优选地3或4个取代或未取代的芳族稠合环系，其包含取代或未取代的杂芳族环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和的5至7元环的杂环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和的7元环的杂环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的取代或未取代的芳族稠合环系可包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和的5至7元环的杂环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物的取代或未取代的芳族稠合环系可包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和的7元环的杂环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系、优选地≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系、更优选地3或4个取代或未取代的芳族稠合环系，并且其中所述芳族稠合环系包含取代或未取代的不饱和的5至7元环的杂环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系、优选地≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系、更优选地3或4个取代或未取代的芳族稠合环系，其包含取代或未取代的杂芳族环，并且其中所述芳族稠合环系包含取代或未取代的不饱和的5至7元环的杂环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系、优选地≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系、更优选地3或4个取代或未取代的芳族稠合环系，并且其中所述芳族稠合环系包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和的5至7元环的杂环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系、优选地≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系、更优选地3或4个取代或未取代的芳族稠合环系，其包含取代或未取代的杂芳族环，并且其中所述芳族稠合环系包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和的5至7元环的杂环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含：
-具有至少≥2个至≤6个(优选地≥3个至≤5个、或4个)稠合芳族环的取代或未取代的芳族稠合环系，所述稠合芳族环选自：取代或未取代的非杂芳族环、取代或未取代的杂5元环、取代或未取代的6元环和/或取代或未取代的不饱和的5至7元环的杂环；或
-具有至少≥2个至≤6个(优选地≥3个至≤5个、或4个)稠合芳族环的未取代的芳族稠合环系，所述稠合芳族环选自：未取代的非杂芳族环、未取代的杂5元环、未取代的6元环和/或未取代的不饱和的5至7元环的杂环。
应指出的是，用语“芳族稠合环系”可包含至少一个芳族环和至少一个取代或未取代的不饱和的5至7元环。应指出的是，所述取代或未取代的不饱和的5至7元环可以不是芳族环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可至少包含至少≥1个至≤6个、优选地≥2个至≤5个、或更优选地3或4个取代或未取代的芳族稠合环系，其具有：
-至少一个不饱和的5元环，和/或
-至少一个不饱和的6元环，和/或
-至少一个不饱和的7元环；其中优选地至少一个不饱和的5元环和/或至少一个不饱和的7元环包含至少1至3个杂原子、优选地1个杂原子。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可至少包含至少≥1个至≤6个、优选地≥2个至≤5个、或更优选地3或4个取代或未取代的芳族稠合环系，其具有：
-至少一个芳族的5元环，和/或
-至少一个芳族的6元环，和/或
-至少一个芳族的7元环；其中优选地至少一个芳族的5元环和/或至少一个芳族的7元环包含至少1至3个杂原子，优选地1个杂原子；
其中所述取代或未取代的芳族稠合环系包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和的5至7元环的杂环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含：
-至少≥6个至≤12个、优选地≥7个至≤11个、更优选地≥8个至≤10个或9个芳族环；和/或
-至少≥4个至≤11个、优选地≥5个至≤10个、更优选地≥6个至≤9个或还优选7或8个非杂芳族环，优选地所述非杂芳族环是芳族的C6环；和/或
-至少≥1个至≤4个、优选地2或3个芳族的5元环、优选地杂芳族的5元环；和/或
-至少1或2个不饱和的5至7元环的杂环，优选地至少1或2个不饱和的7元环的杂环；
-至少≥6个至≤12个、优选地≥7个至≤11个、更优选地≥8个至≤10个或9个芳族环，其中的至少≥4个至≤11个、优选地≥5个至≤10个、更优选地≥6个至≤9个或还优选7或8个是非杂芳族环，并且
至少≥1个至≤4个、优选地2或3个芳族环是杂芳族环，其中非杂芳族环与杂芳族环的总数量总共不超过12个芳族环；和/或
-至少≥6个至≤12个、优选地≥7个至≤11个、更优选地≥8个至≤10个或9个芳族环，其中的至少≥4个至≤11个、优选地≥5个至≤10个、更优选地≥6个至≤9个或还优选7或8个是非杂芳族环，并且
至少≥1个至≤4个、优选地2或3个芳族环是杂芳族环，其中非杂芳族环与杂芳族环的总数量总共不超过12个芳族环；并且空穴传输化合物或根据式(II)或(III)的空穴传输化合物包含至少≥1个至≤4个、优选地2或3个芳族的5元环、优选地杂芳族的5元环，和/或
空穴传输化合物或根据式(II)或(III)的空穴传输化合物包含至少1或2个不饱和的5至7元环的杂环、优选地至少1或2个不饱和的7元环的杂环。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可包含杂原子，其可选自O、S、N、B或P，优选地所述杂原子可选自O、S或N。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可至少包含至少≥1个至≤6个、优选地≥2个至≤5个、或更优选地3或4个取代或未取代的芳族稠合环系，其具有：
-至少一个芳族的5元环，和/或
-至少一个芳族的6元环，和/或
-至少一个芳族的7元环；其中优选地至少一个芳族的5元环和/或至少一个芳族的7元环包含至少1至3个、优选地1个杂原子；
其中所述取代或未取代的芳族稠合环系任选地包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和的5至7元环的杂环；并且其中所述取代或未取代的芳族稠合环系包含杂原子，其可选自O、S、N、B、P或Si，优选地所述杂原子可选自O、S或N。
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质化合物可以不含不是芳族环的部分和/或不饱和的7元环的部分的杂原子，优选地除了作为芳族环的部分或不饱和的7元环的部分的N原子之外，空穴传输化合物或根据式(1)的空穴传输化合物可以不含N原子。
根据一个实施方式，其中空穴传输化合物包含至少一个萘基基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团和/或取代的芴基基团，其中取代基独立地选自甲基、苯基或芴基。
根据电子器件的实施方式，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物选自F1至F19：
/>
/>
F1至F18的化合物优选用作用于空穴注入层的基质化合物。化合物F19可用作EBL中的基质化合物。
空穴注入层的基质化合物可以不含HTM014、HTM081、HTM163、HTM222、EL-301、HTM226、HTM355、HTM133、HTM334、HTM604和EL-22T。这些缩写代表例如Merck公司或Lumtec公司的制造商的名称。
根据进一步优选的实施方式，共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物具有如表2中所示的式(T-1)至(T-6)。
表2
/>
根据另一个方式，所述至少一个半导体层进一步包含共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物且可包含：
-至少约≥0.1重量％至约≤50重量％、优选地约≥1重量％至约≤25重量％、更优选地约≥2重量％至约≤15重量％的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物(优选地式(2)或式(3)的共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物)。
根据一个实施方式，其中所述半导体层设置于阳极层与发光层之间，优选地所述半导体层是空穴传输层或空穴注入层。
根据一个实施方式，其中半导体层设置于阳极层与发光层之间，优选地半导体层是空穴传输层或空穴注入层；优选地所述至少一个半导体层设置于阳极层上，更优选所述至少一个半导体层与阳极直接接触，其中半导体层优选地是空穴注入层。
偶极矩和定向偶极矩
包含N原子的分子的偶极矩由下式给出：
/>
其中qi和是原子i在分子中的部分电荷和位置。这里的定向偶极矩是指偶极向量μx的x分量，其定义为：
定向偶极矩和总偶极矩通过半经验分子轨道法测定。在气相中的部分电荷和原子位置使用在程序包TURBOMOLE V6.5中实施的杂化泛函B3LYP和6-31G*基组而获得。由此，原点中心被设定为配体的与金属结合的原子。定向偶极矩使用氢来计算，即配体片段自由基是以氢计算。
根据本发明的定向偶极矩，原点中心被设定为配体片段Y的直接或间接与配位连接体X结合的原子。配位连接体通过氢原子替代。该氢原子与配体片段Y之间的键的方向是与坐标系统的x轴平行，即定向偶极矩表明沿着此键的极性。
其更详细的示例参见图8，其显示用于测定定向偶极矩的化合物G1(双(((Z)-3-(4-氰基-3,5-双(三氟甲基)苯基)-4-氧代戊-2-烯-2-基)氧基)铜)的配体片段K6：
配位连接体X被配体片段Y的原点中心上的氢(氢自由基)替代。示出了配体片段和氢沿着X、Y和Z轴的方向。描述了考虑整个偶极矩的定向偶极矩μx的值。
其它层
根据本发明，除了上述已提到的层之外，有机电致发光器件可包含其它层。下面描述各个层的示例性实施方式：
基底
基底可以是通常用于制造电子器件(优选地有机电致发光器件或OLED)的任何基底。如果光要透过基底发射，则基底应为透明或半透明材料，例如玻璃基底或透明塑料基底。如果光要透过顶表面发射，则基底既可以是透明材料也可以是不透明材料，例如玻璃基底、塑料基底、金属基底或硅基底。
阳极电极
阳极电极也称为阳极层，可以通过沉积或溅射用于形成阳极电极的材料来形成。用于形成阳极电极的材料可以是高逸出功材料，以便于空穴注入。阳极材料也可选自低逸出功材料(即铝)。阳极电极可以是透明或反射电极。透明导电氧化物，优选地铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、二氧化锡(SnO2)、铝锌氧化物(AlZO)和氧化锌(ZnO)，可用于形成阳极电极。阳极电极也可以使用金属形成，通常是银(Ag)、金(Au)或金属合金。
根据一个实施方式，其中阳极层可含有包含Ag或Au或由Ag或Au组成的第一阳极子层、包含ITO或IZO或由ITO或IZO组成的第二阳极子层以及任选的包含ITO或IZO或由ITO或IZO组成的第三阳极子层。优选地，第一阳极子层可包含Ag或由Ag组成，第二阳极子层可包含ITO或由ITO组成，并且第三阳极子层可包含ITO或由ITO组成。优选地，第二和第三阳极子层中的透明导电氧化物可以选择为相同的。
根据一个实施方式，其中阳极层可含有包含Ag或Au且具有100nm至150nm厚度的第一阳极子层、包含ITO或IZO且具有3nm至20nm厚度的第二阳极子层以及包含ITO或IZO且具有3nm至20nm厚度的第三阳极子层。
阳极子层
阳极层可包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中第一阳极子层包含逸出功在≥4eV且≤6eV范围内的第一金属，并且第二阳极子层包含透明导电氧化物(TCO)。
根据一个实施方式，阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层以及任选的第三阳极子层，其中第一阳极子层包含逸出功在≥4eV且≤6eV范围内的第一金属，并且第二阳极子层包含透明导电氧化物(TCO)；其中空穴注入层设置于第一发光层与阳极层之间，第一阳极子层设置为更靠近基底，并且第二阳极子层设置为更靠近空穴注入层。
第一阳极子层
根据一个实施方式，其中第一阳极子层的第一金属可具有在≥4.2eV且≤6eV范围内的逸出功。第一金属可选自金属或金属合金。
根据一个实施方式，其中第一阳极子层的第一金属可选自Ag、Mg、Al、Cr、Pt、Au、Pd、Ni、Nd、Ir，优选地Ag、Au或Al，更优选Ag。
第一阳极子层可具有在5nm至200nm、或者8nm至180nm、或者8nm至150nm、或者100nm至150nm范围内的厚度。
第一阳极子层可通过利用真空热沉积来沉积第一金属而形成。
应当理解的是第一阳极层不是基底的一部分。
第二阳极子层
根据一个实施方式，其中透明导电氧化物可选自铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)，更优选地铟锡氧化物(ITO)，优选地ITO或IZO。
第一阳极子层可具有在3nm至200nm、或者3nm至180nm、或者3nm至150nm、或者3nm至20nm范围内的厚度。
第二阳极子层可以通过透明导电氧化物的溅射而形成。
第三阳极子层
根据一个实施方式，有机电致发光器件的阳极层可包含第一阳极子层、第二阳极子层和第三阳极子层至少三个阳极子层。根据一个实施方式，除了第一和第二阳极子层之外，有机电致发光器件的阳极层可包含第三阳极子层，其中第三阳极子层包含透明导电氧化物，其中第三阳极子层可设置于基底和第一阳极子层之间。
第三阳极子层可具有在3nm至200nm、或者3nm至180nm、或者3nm至150nm、或者3nm至20nm范围内的厚度。
第三阳极子层可以通过透明导电氧化物的溅射而形成。
应当理解的是第三阳极层不是基底的一部分。
空穴注入层
空穴注入层(HIL)可通过真空沉积、旋转涂布、印刷、流延、缝模涂布、朗缪尔-布洛杰特(LB)沉积等而在阳极电极上形成。当HIL是使用真空沉积形成时，沉积条件可根据用于形成HIL的化合物以及HIL的期望结构和热性质而变化。然而，一般而言，用于真空沉积的条件可包括100℃至500℃的沉积温度、10-8托至10-3托的压力(1托等于133.322Pa)以及0.1nm/秒至10nm/秒的沉积速率。
当HIL是使用旋转涂布或印刷形成时，涂布条件可根据用于形成HIL的化合物以及HIL的期望结构和热性质而变化。例如，涂布条件可包括约2000rpm至约5000rpm的涂布速度以及约80℃至约200℃的热处理温度。执行涂布后，热处理移除溶剂。
HIL可由通常用于形成HIL的任何化合物形成。可用于形成HIL的化合物的实例包括酞菁化合物，优选地铜酞菁(CuPc)，4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，TDATA，2T-NATA，聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)，聚(3,4-乙撑二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)，聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐(PANI/PSS)。
HIL可包含p型掺杂剂或由p型掺杂剂组成，且所述p型掺杂剂可选自四氟-四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)、2,2'-(全氟萘-2,6-二亚基)二丙二腈或2,2',2”-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(对氰基四氟苯基)乙腈)，但不限于此。HIL可选自掺杂有p型掺杂剂的空穴传输基质化合物。已知的掺杂的空穴传输材料的典型实例为：掺杂有LUMO能级为约-5.2eV的四氟-四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)的HOMO能级为约-5.2eV的铜酞菁(CuPc)；掺杂有F4TCNQ的锌酞菁(ZnPc)(HOMO＝-5.2eV)；掺杂有F4TCNQ的α-NPD(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；掺杂有2,2'-(全氟萘-2,6-二亚基)二丙二腈的α-NPD。p型掺杂剂的浓度可选自1至20重量％，更优选选自3重量％至10重量％。
HIL的厚度可在约1nm至约100nm的范围内，例如约1nm至约25nm的范围内。当HIL的厚度在此范围内时，HIL可具有优异的空穴注入特性，而驱动电压无实质损失。
根据有机电子器件的一个实施方式，其中空穴注入层可包含第一空穴注入子层和第二空穴注入子层，所述第一空穴注入子层包含根据本发明的金属化合物，所述第二空穴注入子层包含共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物。
根据有机电子器件的另一个实施方式，其中空穴注入层可包含第一空穴注入子层和第二空穴注入子层，所述第一空穴注入子层包含根据本发明的金属化合物，所述第二空穴注入子层包含共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物，其中第一空穴注入子层设置为更靠近包含第一阳极子层和第二阳极子层的阳极层，并且第二空穴注入子层设置为更靠近所述至少一个发光层。
根据有机电子器件的一个实施方式，其中空穴注入层可包含第一空穴注入子层和第二空穴注入子层，所述第一空穴注入子层包含根据本发明的金属化合物，所述第二空穴注入子层包含基质化合物，所述基质化合物包含至少一种芳胺化合物、二芳胺化合物、三芳胺化合物，其中第一空穴注入子层设置为更靠近阳极层，并且第二空穴注入子层设置为更靠近所述至少一个发光层。
根据有机电子器件的一个实施方式，其中空穴注入层可包含第一空穴注入子层和第二空穴注入子层，所述第一空穴注入子层包含根据本发明的金属化合物，所述第二空穴注入子层包含基质化合物，所述基质化合物包含至少一种芳胺化合物、二芳胺化合物、三芳胺化合物，其中第一空穴注入子层设置为更靠近包含第一阳极子层和第二阳极子层的阳极层，并且第二空穴注入子层设置为更靠近所述至少一个发光层。
空穴传输层
空穴传输层(HTL)可通过真空沉积、旋转涂布、缝模涂布、印刷、流延、朗缪尔-布洛杰特(LB)沉积等而在HIL上形成。当HTL是通过真空沉积或旋转涂布形成时，用于沉积和涂布的条件可与HIL的形成条件相似。然而，用于真空或溶液沉积的条件可根据用于形成HTL的化合物而变化。
在一个实施方式中，其中有机电致发光器件进一步包含空穴传输层，其中空穴传输层设置于半导体层与所述至少一个光活性层之间。
在一个实施方式中，其中所述空穴传输层包含共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物。
在一个实施方式中，其中所述至少一个半导体层和所述空穴传输层包含共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物，其中共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物在两种层中被选择为相同。
HTL的厚度可在约5nm至约250nm、优选地约10nm至约200nm、进一步约20nm至约190nm、进一步约40nm至约180nm、进一步约60nm至约170nm、进一步约80nm至约160nm、进一步约100nm至约160nm、进一步约120nm至约140nm的范围内。
当HTL的厚度是在此范围内时，HTL可具有优异的空穴传输特性，而驱动电压无实质损失。
电子阻挡层
电子阻挡层(EBL)的功能是防止电子从发光层转移至空穴传输层，由此将电子限制在发光层内。由此，效率、工作电压和/或寿命可改善。通常，电子阻挡层包含三芳胺化合物。与空穴传输层的LUMO能级相比，三芳胺化合物可具有更接近真空能级的LUMO能级。与空穴传输层的HOMO能级相比，电子阻挡层可具有更远离真空能级的HOMO能级。电子阻挡层的厚度可在2nm至20nm之间选择。
如果电子阻挡层具有高的三重态能级，则其也可被描述为三重态控制层。
如果使用绿色或蓝色磷光的发光层，则三重态控制层的功能是减少三重态的猝灭。由此，可实现较高的从磷光发光层的发光效率。三重态控制层选自三重态能级高于相邻发光层中的磷光发光体的三重态能级的三芳胺化合物。三重态控制层的适合的化合物(特别是三芳胺化合物)描述于EP 2 722 908 A1中。
光活性层(PAL)
光活性层将电流转换为光子或将光子转换为电流。
PAL可通过真空沉积、旋转涂布、缝模涂布、印刷、流延、LB沉积等而在HTL上形成。当PAL是使用真空沉积或旋转涂布形成时，用于沉积和涂布的条件可与HIL的形成条件相似。然而，沉积和涂布的条件可根据用于形成PAL的化合物而变化。
光活性层可不包含本发明的金属化合物。
发光层(EML)
EML可通过真空沉积、旋转涂布、缝模涂布、印刷、流延、LB沉积等而在HTL上形成。当EML是使用真空沉积或旋转涂布形成时，用于沉积和涂布的条件可与HIL的形成条件相似。然而，沉积和涂布的条件可根据用于形成EML的化合物而变化。
发光层可不包含本发明所述的金属化合物。
发光层(EML)可由主体和发光体掺杂剂组合形成。主体的实例为Alq3、4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(AND)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9,10-二-2-萘基蒽(TBADN)、二苯乙烯基芳亚基(DSA)和双(2-(2-羟基苯基)苯并-噻唑)锌(Zn(BTZ)2)。
发光体掺杂剂可为磷光或荧光发光体。磷光发光体和经由热活化延迟荧光(TADF)机制发光的发光体可由于其较高的效率而优选。发光体可为小分子或聚合物。
红色发光体掺杂剂的实例为PtOEP、Ir(piq)3和Btp2lr(acac)，但不限于此。这些化合物为磷光发光体；然而，红色荧光发光体掺杂剂也可被使用。
绿色磷光发光体掺杂剂的实例为Ir(ppy)3(ppy＝苯基吡啶)、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3。
蓝色磷光发光体掺杂剂的实例为F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)和Ir(dfppz)3和三联芴。4,4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)、2,5,8,11-四-叔丁基苝(TBPe)为蓝色荧光发光体掺杂剂的实例。
基于100重量份的主体，发光体掺杂剂的量可在约0.01至约50重量份的范围内。或者，发光层可由发光聚合物组成。EML可具有约10nm至约100nm的厚度，例如约20nm至约60nm的厚度。当EML的厚度在此范围内时，EML可具有优异的发光，而驱动电压无实质损失。
空穴阻挡层(HBL)
空穴阻挡层(HBL)可通过使用真空沉积、旋转涂布、缝模涂布、印刷、流延、LB沉积等而在EML上形成，以防止空穴扩散至ETL中。当EML包含磷光掺杂剂时，HBL也可具有三重态激子阻挡功能。
HBL也可称为辅助ETL或a-ETL。
当HBL是使用真空沉积或旋转涂布形成时，用于沉积和涂布的条件可与HIL的形成条件相似。然而，沉积和涂布的条件可根据用于形成HBL的化合物而变化。可使用通常用于形成HBL的任何化合物。用于形成HBL的化合物的实例包括二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物和三嗪衍生物。
HBL可具有在约5nm至约100nm的范围内的厚度，例如约10nm至约30nm的厚度。当HBL的厚度在此范围内时，HBL可具有优异的空穴阻挡性质，而驱动电压无实质损失。
电子传输层(ETL)
根据本发明的有机电致发光器件可进一步包含电子传输层(ETL)。
根据另一个实施方式，电子传输层可进一步包含吖嗪化合物，优选地三嗪化合物。
在一个实施方式中，其中电子传输层可进一步包含选自碱金属有机络合物(优选地LiQ)的掺杂剂。
ETL的厚度可为在约15nm至约50nm的范围内，例如在约20nm至约40nm的范围内。当EIL的厚度在此范围内时，ETL可具有令人满意的电子注入性质，而驱动电压无实质损失。
根据另一个实施方式，有机电致发光器件可进一步包含空穴阻挡层和电子传输层，其中空穴阻挡层和电子传输层包含吖嗪化合物。优选地，吖嗪化合物为三嗪化合物。
电子注入层(EIL)
可促进电子从阴极注入的任选的EIL可在ETL上形成，优选地直接在电子传输层上形成。用于形成EIL的材料的实例包括本领域已知的8-羟基喹啉锂(LiQ)、LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、Ca、Ba、Yb、Mg。用于形成EIL的沉积和涂布的条件与HIL的形成条件相似，但沉积和涂布的条件可根据用于形成EIL的材料而变化。
EIL的厚度可在约0.1nm至约10nm的范围内，例如在约0.5nm至约9nm的范围内。当EIL的厚度在此范围内时，EIL可具有令人满意的电子注入性质，而驱动电压无实质损失。
阴极电极
也称为阴极层的阴极电极形成于ETL上或任选的EIL上。阴极电极可由金属、合金、导电化合物或其混合物形成。阴极电极可具有低逸出功。例如，阴极电极可由锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝(Al)-锂(Li)、钙(Ca)、钡(Ba)、镱(Yb)、镁(Mg)-铟(In)、镁(Mg)-银(Ag)等形成。或者，阴极电极可由透明导电氧化物(优选地ITO或IZO)形成。
阴极电极的厚度可在约5nm至约1000nm的范围内，例如在约10nm至约100nm的范围内。当阴极电极的厚度在约5nm至约50nm的范围内时，即使由金属或金属合金形成，阴极电极可以是透明的或半透明的。
应该理解，阴极电极不是电子注入层或电子传输层的一部分。
有机电致发光器件(OLED)
根据本发明的有机电致发光器件可以是有机发光器件。
根据一个方面，提供了一种有机电致发光器件(OLED)，包含：基底；形成于基底上的阳极电极；包含本发明所述的金属化合物的半导体层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极电极。
根据另一个方面，提供了一种OLED，包含：基底；形成于基底上的阳极电极；包含本发明所述的金属化合物的半导体层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极电极。
根据另一个方面，提供了一种OLED，包含：基底；形成于基底上的阳极电极；包含本发明所述的金属化合物的半导体层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极电极。
根据各种实施方式，可提供设置在上文提及的层之间、基底上或顶部电极上的OLED层。
根据一个方面，OLED可包含如下层结构：基底与阳极电极相邻设置，阳极电极与第一空穴注入层相邻设置，第一空穴注入层与第一空穴传输层相邻设置，第一空穴传输层与第一电子阻挡层相邻设置，第一电子阻挡层与第一发光层相邻设置，第一发光层与第一电子传输层相邻设置，第一电子传输层与n型电荷产生层相邻设置，n型电荷产生层与空穴产生层相邻设置，空穴产生层与第二空穴传输层相邻设置，第二空穴传输层与第二电子阻挡层相邻设置，第二电子阻挡层与第二发光层相邻设置，在第二发光层与阴极电极之间设置任选的电子传输层和/或任选的注入层。
根据本发明的半导体层可以是第一空穴注入层和p型电荷产生层。
例如，根据图7的OLED可以通过以下方法形成，其中在基底(110)上，包含第一阳极子层(121)和第二阳极子层(122)的阳极层(120)和空穴注入层(HIL)(130)。HIL(130)设置于阳极层(120)上。在HIL(130)之上，随后依次形成空穴传输层(HTL)(140)、电子阻挡层(EBL)(145)、第一发光层(EML)(150)、空穴阻挡层(HBL)(155)、电子传输层(ETL)(160)和阴极层(190)。
有机电子器件
根据本发明的有机电致发光器件可以是发光器件或光伏电池，优选地是发光器件。
此外，本发明涉及一种显示器件，包含根据本发明的有机电致发光器件。
根据一个实施方式，其中有机电子器件包含有机电致发光器件，优选地所述有机电子器件是显示器件或电致发光器件。
根据另一个方面，提供了一种制造有机电子器件的方法，所述方法使用：
-至少一个沉积源，优选地两个沉积源，更优选地至少三个沉积源。
可以适合使用的沉积方法包括：
-通过真空热沉积进行的沉积；
-通过溶液处理进行的沉积，优选地所述处理选自旋转涂布、印刷、流延；和/或
-缝模涂布。
根据各种实施方式，提供一种方法，其使用：
-第一沉积源，所述第一沉积源根据本发明释放如本发明所述的金属化合物，和
-第二沉积源，所述第二沉积源释放共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物；
所述方法包括形成半导体层的步骤；从而对于有机电致发光器件(OLED)：
-通过从第一沉积源根据本发明释放如本发明所述的金属化合物和从第二沉积源释放共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物来形成半导体层。
根据各种实施方式，所述方法可进一步包括：在阳极电极上形成选自形成空穴传输层或形成空穴阻挡层的至少一层、以及在阳极电极与第一电子传输层之间的发光层。
根据各种实施方式，所述方法可进一步包括用于形成有机电致发光器件(OLED)的步骤，其中
-在基底上形成阳极电极，
-在阳极电极上形成包含如本发明所述的金属化合物的半导体层，
-在包含如本发明所述的金属化合物的半导体层上形成空穴传输层，
-在空穴传输层上形成发光层，
-在发光层上形成电子传输层，任选地在发光层上形成空穴阻挡层，
-最后，形成阴极电极，
-任选地在第一阳极电极与发光层之间依次形成空穴阻挡层，
-任选地在电子传输层与阴极电极之间形成电子注入层。
根据各种实施方式，OLED可具有下面的层结构，其中这些层具有下面的顺序：
阳极、根据本发明包含如本发明所述的金属化合物的半导体层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、发光层、任选的空穴阻挡层、电子传输层、任选的电子注入层、以及阴极。
根据本发明的另一个方面，提供一种包含至少一个根据在整个本申请中描述的任何实施方式的有机发光器件的电子器件，优选地，所述电子器件包含在整个本申请中描述的实施方式之一中的有机电致发光器件。更优选，所述电子器件是显示器件。
在下文中，参考实例更详细说明实施方式。然而，本公开内容并不限于下面的实例。现在，将对示例性方式进行详细阐释。
附图说明
前述要素以及所要求保护的要素和所述实施方式中根据本发明使用的要素就其尺寸、形状、材料选择和技术概念而言没有任何特殊例外，从而可无限制地应用相关领域中已知的选择准则。
本发明的目的的附加细节、特征以及优点公开于从属权利要求和以示例性方式显示根据本发明的优选实施方式的各自的附图的以下描述中。然而，任何实施方式不一定代表本发明的完整范围，因此，参考权利要求以及本文以解释本发明的范围。应理解，前面的一般描述和以下的详细描述仅为示例性的和解释性的，且旨在提供所要求保护的进一步解释。
图1至图7
图1是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件的示意截面图；
图2是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件的示意截面图；
图3是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件的示意截面图；
图4是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件的示意截面图；
图5是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件的示意截面图；
图6是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件的示意截面图；
图7是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件的示意截面图。
图8显示用于定向偶极矩的测定的发明例(G1)的配体片段K6的方向。
在下文中，参考实例更详细说明图1至图7。然而，本公开并不限于下面的附图。
在本文中，当称第一元件形成或设置于第二元件“上”或“之上”时，第一元件可直接设置于第二元件上，或者一个或多个其它元件可设置于它们之间。当称第一元件“直接”形成或设置于第二元件“上”或“之上”时，没有其它元件设置于它们之间。
图1是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件(100)的示意截面图。有机电子器件(100)包含基底(110)、阳极层(120)以及空穴注入层(HIL)(130)。HIL(130)设置于阳极层(120)上。在HIL(130)之上，设置有空穴传输层(140)、第一发光层(EML)(150)以及阴极层(190)。
图2是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件(100)的示意截面图。有机电子器件(100)包含基底(110)、包含第一阳极子层(121)和第二阳极子层(122)的阳极层(120)以及空穴注入层(HIL)(130)。HIL(130)设置于包含第一阳极子层(121)和第二阳极子层(122)的阳极层(120)上。在HIL(130)之上，设置有空穴传输层(140)、第一发光层(EML)(150)以及阴极层(190)。
图3是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件(100)的示意截面图。有机电子器件(100)包含基底(110)，包含第一阳极子层(121)、第二阳极子层(122)和第三阳极子层(123)的阳极层(120)，以及空穴注入层(HIL)(130)。HIL(130)设置于阳极层(120)上。在HIL(130)之上，设置有空穴传输层(140)、第一发光层(EML)(150)以及阴极层(190)。
图4是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件(100)的示意截面图。有机电子器件(100)包含基底(110)、包含第一阳极子层(121)和第二阳极子层(122)的阳极层(120)以及空穴注入层(HIL)(130)。HIL(130)设置于阳极层(120)上。在HIL(130)之上，设置有空穴传输层(HTL)(140)、第一发光层(EML)(150)、空穴阻挡层(HBL)(155)、电子传输层(ETL)(160)以及阴极层(190)。
图5是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件(100)的示意截面图。有机电子器件(100)包含基底(110)，包含第一阳极子层(121)、第二阳极子层(122)和第三阳极子层(123)的阳极层(120)，以及空穴注入层(HIL)(130)。HIL(130)设置于阳极层(120)上。在HIL(130)之上，设置有空穴传输层(HTL)(140)、第一发光层(EML)(150)、空穴阻挡层(HBL)(155)、电子传输层(ETL)(160)以及阴极层(190)。
图6是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件(100)的示意截面图。有机电子器件(100)包含基底(110)，包含第一阳极子层(121)、第二阳极子层(122)和第三阳极子层(123)的阳极层(120)，以及空穴注入层(HIL)(130)。HIL(130)设置于阳极层(120)上。在HIL(130)之上，设置有空穴传输层(HTL)(140)、电子阻挡层(EBL)(145)、第一发光层(EML)(150)、空穴阻挡层(HBL)(155)、电子传输层(ETL)(160)以及阴极层(190)。
图7是根据本发明的一种示例性实施方式的有机电子器件(100)的示意截面图。有机电子器件(100)包含基底(110)，包含第一阳极子层(121)、第二阳极子层(122)和第三阳极子层(123)的阳极层(120)，以及空穴注入层(HIL)(130)。HIL(130)设置于阳极层(120)上。在HIL(130)之上，设置有空穴传输层(HTL)(140)、电子阻挡层(EBL)(145)、第一发光层(EML)(150)、空穴阻挡层(HBL)(155)、电子传输层(ETL)(160)、电子注入层(180)以及阴极层(190)。
图8显示用于定向偶极矩的测定的发明例G1(双(((Z)-3-(4-氰基-3,5-双(三氟甲基)苯基)-4-氧代戊-2-烯-2-基)氧基)铜)的配体片段K6的方向。配位连接体X被配体片段Y的原点中心上的氢(氢自由基)替代。示出了配体片段和氢沿着X、Y和Z轴的方向。描述了考虑整个偶极矩的定向偶极矩μx的值。
尽管图1至图7中未示出，但可在阴极层190上进一步形成覆盖层和/或密封层，以便密封有机电子器件100。此外，可对其应用各种其它修改。
在下文中，参考实例更详细说明实施方式。然而，本公开并不限于下面的实例。
具体实施方式
本发明通过以下实例进一步说明，这些实例仅是示例性的并且不具有约束力。
化合物可以如文献中的描述来制备，或者，替代性化合物可以如文献中描述的类似化合物来制备。
速率起始温度
速率起始温度(TRO)通过将100mg的化合物装入VTE源中来测定。作为VTE源，可使用如Kurt J.Lesker公司(www.lesker.com)或CreaPhys公司(http://www.creaphys.com)供应的用于有机材料的点源。在低于10-5毫巴的压力下以15K/分钟的恒定速率来加热VTE源，并以热电偶测量源内的温度。以QCM检测器检测化合物的蒸发，所述QCM检测器检测检测器的石英晶体上的化合物沉积。石英晶体上的沉积速率是以埃/秒来测量的。为测定速率起始温度，将沉积速率相对于VTE源温度绘图。速率起始是在QCM检测器上有显著沉积发生时的温度。为了准确的结果，将VTE源加热和冷却三次，且仅来自第二次和第三次运行的结果用以测定速率起始温度。
为实现对有机化合物的蒸发速率的良好控制，速率起始温度可在200℃至255℃的范围内。如果速率起始温度低于200℃，则蒸发可能太快而因此难以控制。如果速率起始温度超过255℃，则蒸发速率可能太低，这可导致低节拍时间(tact time)，且由于长时间暴露在高温下，VTE源中有机化合物可能发生分解。
速率起始温度是化合物的挥发性的间接量度。速率起始温度越高，化合物的挥发性越低。
还原电位
还原电位通过循环伏安法在室温下以Metrohm PGSTAT30恒电位装置和MetrohmAutolab GPES软件进行测定。对特定化合物给出的氧化还原电位是在被测物质的氩气脱气、干燥的0.1M THF溶液中，在氩气气氛下，以0.1M六氟磷酸四丁基铵的支持电解质，在铂工作电极之间，以由被氯化银覆盖的银线组成且直接浸入被测溶液中的Ag/AgCl准标准电极(Metrohm银棒电极)，以扫描速率100mV/s测量的。第一次运行是在工作电极上最宽的电位设定范围内完成的，然后在随后的运行中适当地调节范围。最后三次运行是在添加二茂铁(浓度为0.1M)作为标准物的情况下完成的。在减去对标准Fc+/Fc氧化还原电对观察到的阴极电位和阳极电位的平均值后，对应于所研究的化合物的阴极峰和阳极峰的电位平均值最终提供了上面报告的值。所有研究的化合物和报告的比较化合物都显示了定义明确的可逆电化学行为。
计算的HOMO和LUMO
HOMO和LUMO以程序包TURBOMOLE V6.5(TURBOMOLE公司，Litzenhardtstrasse 19，76135Karlsruhe，德国)进行计算。通过在气相中应用杂化泛函B3LYP和6-31G*基组来测定分子结构的优化的几何形状以及HOMO和LUMO能级。如果多于一种构型是可实行的，则选择具有最低总能量的构型。HOMO和LUMO能级以电子伏特(eV)记录。
在空穴注入层和/或空穴传输层中的基质化合物
表2中显示基质化合物的HOMO能级和速率起始温度TRO。HOMO能级使用TURBOMOLEV6.5(TURBOMOLE公司，Litzenhardtstrasse 19，76135Karlsruhe，德国)通过在气相中应用杂化泛函B3LYP和6-31G*基组进行计算。
表3：空穴注入层的基质化合物
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如表3所示，基质化合物具有适合有机电子器件的大量生产的速率起始温度。
实验数据
4-(2,4-二氧代戊烷-3-基)-2,6-双(三氟甲基)苯甲腈(配体)的合成
在惰性条件下，将28.6g(87.7毫摩尔)的碳酸铯悬浮于100mL的干燥DMF中。在室温下加入4.5mL(43.9毫摩尔)的乙酰丙酮和10g(36.6毫摩尔)的4-氯-2,6-双(三氟甲基)苯甲腈。混合物在60℃下加热20小时。滤出固体并用乙酸乙酯清洗。将母液加入至250mL 2N的盐酸中。相分离后，水层用乙酸乙酯萃取，而合并的有机层用盐水清洗，以硫酸镁干燥，并在降低的压力下移除溶剂。粗产物用甲醇/水和乙酸乙酯/己烷浆洗以获得8.7g(71％产率)灰白色、固体结晶的产物。
4-(2,4-二氧代戊烷-3-基)-2,6-双(三氟甲基)苯甲腈
双(((Z)-3-(4-氰基-3,5-双(三氟甲基)苯基)-4-氧代戊-2-烯-2-基)氧基)铜的合成
将3.0g(8.9毫摩尔)的4-(2,4-二氧代戊烷-3-基)-2,6-双(三氟甲基)苯甲腈溶解于20ml的乙腈中并加入0.89g(4.45毫摩尔)的乙酸铜(II)一水合物。在室温下搅拌该混合物1小时。加入30ml的水，且将沉淀物滤出，以水和己烷清洗并在高真空下干燥。获得3.15g(96％)灰紫色粉末的产物。
双(((Z)-3-(4-氰基-3,5-双(三氟甲基)苯基)-4-氧代戊-2-烯-2-基)氧基)铜
用于制造OLED的一般程序
对于根据表2的实施例1和2以及比较例1，将具有包含120nm Ag的第一阳极子层、8nm ITO的第二阳极子层和10nm ITO的第三阳极子层的阳极层的玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用水以超音波清洗60分钟，接着用异丙醇以超音波清洗20分钟。在氮气流中将液膜移除，接着进行等离子体处理(见表3)以制备阳极层。等离子体处理在包含97.6体积％氮气和2.4体积％氧气的气氛下进行。
接着，将作为基本上共价的基质化合物的N-([1,1’-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(F3)和根据本发明的金属化合物(例如双(((Z)-3-(4-氰基-3,5-双(三氟甲基)苯基)-4-氧代戊-2-烯-2-基)氧基)铜)或作为比较例的La(FOD)3在真空中共沉积在阳极层上，以形成具有10nm厚度的空穴注入层(HIL)。HIL的组成可见于
表3中。
接着，将基本上共价的基质化合物(N-([1,1’-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺真空沉积在HIL上，以形成具有128nm厚度的HTL。HTL中的基本上共价的基质化合物的式与HIL中使用的基本上共价的基质化合物相同。
接着，将N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二苯基-N-(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)-9H-芴-2-胺(CAS1613079-70-1)(F19)真空沉积在HTL上，以形成具有5nm厚度的电子阻挡层(EBL)。
接着将作为EML主体的97体积％H09(Sun Fine Chemicals公司，韩国)和作为蓝色荧光发光体掺杂剂的3体积％BD200(Sun Fine Chemicals公司，韩国)沉积于EBL上，以形成具有20nm厚度的蓝光第一发光层(EML)。
接着通过将2-(3'-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪沉积在发光层EML上以形成具有5nm厚度的空穴阻挡层。
接着通过沉积50重量％的4'-(4-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)萘-1-基)-[1,1'-联苯]-4-甲腈和50重量％的LiQ而在空穴阻挡层上形成具有31nm厚度的电子传输层。
接着将镱在10-7毫巴下以0.01至的速率蒸发，以在电子传输层上形成具有2nm厚度的电子注入层。
接着将Ag:Mg(90:10体积％)在10-7毫巴下以0.01至的速率蒸发，以在电子注入层上形成具有100nm厚度的阴极层。
接着，将N-([1,1’-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(F3)沉积于阴极层上以形成具有75nm厚度的覆盖层。
通过用载玻片对器件进行封装来保护OLED叠层免受环境条件的影响。由此，形成包含用于进一步保护的吸气材料(getter material)的空腔。
为评价发明例相较于现有技术的性能，在20℃下测定电流效率。使用Keithley2635源测量单元(source measure unit)，通过提供以V计的工作电压U且测量以mA计且流过受测器件的电流，而测定电流-电压特性。对器件施加的电压在0V至10V之间的范围内以0.1V的步长变化。同样地，使用Instrument Systems CAS-140CT阵列光谱仪(由德国认证委员会(DAkkS)校准)对每个电压值测量以cd/m2计的辉度(luminance)来确定辉度-电压特性和CIE坐标。
在环境条件(20℃)和30mA/cm2下，使用Keithley 2400源表来测量器件的寿命LT，且以小时进行记录。使用经校准的光电二极管来测量器件的亮度(brightness)。寿命LT被定义为直到器件的亮度降低至其初始值的97％的时间。
为了测定随着时间推移的电压稳定性U(100h)-(1h)，对器件施加30mA/cm2的电流密度。在1小时后和在100小时后测量工作电压，接着对1小时至100小时的时间段计算电压稳定性。
本发明的技术效果
可使用的适合的金属络合物可以选自G1至G3：
技术效果示于表3：
表3
在包含根据本发明(优选地根据式(I))的金属化合物的半导体层中，与现有技术相比，工作电压的增加显著减少，寿命显著增加，并且电流效率显著增加。
工作电压随时间推移的增加的减少可有利于提高电子器件的稳定性。
寿命的增加可有利于提高电子器件的稳定性。
高效率可有利于减少功率消耗和提高电池寿命，尤其是在移动器件中更是如此。
上文详述的实施方式中的要素和特征的特定组合仅是示例性的；还明确设想用在此和通过引用并入的专利/申请的其它教导置换和取代这些教导。如本领域技术人员将会认识到的，本领域普通技术人员可以在不背离所要求保护的本发明主旨和范围的情况下想到本文所述内容的变化、修改和其它实施方式。因此，前述描述仅作为示例而非旨在限制。在权利要求书中，词语“包含”不排除其它要素或步骤，不定冠词“一个”或“一种”不排除复数。仅在互相不同的从属权利要求中叙述了特定措施这一事实并不表明不能有利地使用这些措施的组合。本发明的范围在权利要求及其等效物中限定。此外，说明书和权利要求书所用的附图标记不限制所要求保护的本发明的范围。
Claims (19)
1.一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含：基底、阳极层和阴极层、至少一个发光层以及至少一个半导体层或更多个半导体层，其中
所述至少一个半导体层包含至少一种金属化合物，其中所述金属化合物包含金属M和至少一个配体L，或所述金属化合物具有式(I)：
其中
M为金属离子；
p为M的化合价；
w为p；
L为配体；
其中所述金属化合物包含
-金属M，和
-至少一个配体L，其中所述至少一个配体L包含至少一个配位连接体X和至少一个配体片段Y，
其中所述配位连接体X和所述至少一个配体片段Y通过至少一个键彼此连接，其中
-所述配位连接体X选自式(IIa)
其中
m和n独立地选自0或1；
Z选自CR1、O、N；并且
A1和A2独立地选自C＝O、C-O、C＝NR2、C-NR3、SO、SO2或P(＝O)R4；
其中A1和A2一起任选地与Z形成环；
其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y，其中
所述取代基选自吸电子基团，优选卤素、F、Cl、CN、全氟化的C1至C8烷基、全氟化的C6至C12芳基或C2至C12杂芳基；
-所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基、取代或未取代的C2至C24杂环基、全氟化的C1至C4烷基、在3位处取代的C6至C24芳基、在4位处取代的C6至C24芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，其中
所述至少一个配体片段Y具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷；其中
所述阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中
-所述第一阳极子层包含第一金属，所述第一金属具有在≥4eV且≤6eV范围内的逸出功，并且
-所述第二阳极子层包含透明导电氧化物(TCO)；并且
所述至少一个半导体层设置于第一发光层和所述阳极层之间，
-所述第一阳极子层设置为更靠近所述基底，并且
-所述第二阳极子层设置为更靠近所述至少一个半导体层；
其中排除下列配体片段Y：
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中所述有机电致发光器件包含基底、阳极层和阴极层、至少一个发光层以及至少一个半导体层或更多个半导体层，其中
所述至少一个或更多个半导体层含有包含至少一种金属化合物的空穴注入层或者空穴注入层和空穴传输层，其中所述金属化合物包含金属M和至少一个配体L，或所述金属化合物具有式(I)：
其中
M为金属离子；
p为M的化合价；
w为p；
L为配体；
其中所述金属化合物包含
-金属M，和
-至少一个配体L，其中所述至少一个配体L包含配位连接体X和至少一个配体片段Y，
其中所述配位连接体X和所述至少一个配体片段Y通过至少一个键彼此连接，其中
-所述配位连接体X选自式(IIa)
其中
m和n独立地选自0或1；
Z选自CR1、O、N；并且
A1和A2独立地选自C＝O、C-O、C＝NR2、C-NR3、SO、SO2或P(＝O)R4；
其中A1和A2一起任选地与Z形成环；
其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y，其中
所述取代基选自吸电子基团，优选为卤素、F、Cl、CN、全氟化的C1至C8烷基、全氟化的C6至C12芳基或C2至C12杂芳基，和/或；
-所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基、取代或未取代的C2至C24杂环基、全氟化的C1至C4烷基、在3位处取代的C6至C24芳基、在4位处取代的C6至C24芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，更优选地，所述至少一个配体片段Y独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基，
其中
所述取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl和/或CN；并且
其中所述至少一个配体片段Y具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷；其中
所述阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中
-所述第一阳极子层包含第一金属，所述第一金属具有在≥4eV且≤6eV范围内的逸出功，并且
-所述第二阳极子层包含透明导电氧化物(TCO)；并且
所述空穴注入层设置于第一发光层和所述阳极层之间，
-所述第一阳极子层设置为更靠近所述基底，并且
-所述第二阳极子层设置为更靠近所述空穴注入层；
其中排除下列配体片段Y：
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其中所述配体片段Y为取代的C6至C24芳基或取代的C2至C24杂芳基、全氟化的C1至C4烷基、在3位处取代的C6至C24芳基、在4位处取代的C6至C24芳基、取代的4-吡啶基或取代的5-嘧啶基，更优选在4位处取代的C6至C24芳基，其中所述取代基选自卤素、F、Cl和/或CN。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的有机电致发光器件，其中所述配体片段Y具有选自≤-4.0德拜、≤-4.2德拜、≤-4.4德拜、≤-4.6德拜、≤-4.8德拜、≤-5.0德拜、≤-5.1德拜、≤-5.2德拜、≤-5.3德拜、≤-5.4德拜、≤-5.5德拜、≤-5.6德拜、≤-5.7德拜或≤-5.8德拜的定向偶极矩，更优选地，所述配体片段Y具有小于-5.5德拜的定向偶极矩。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的有机电致发光器件，其中所述配体片段Y由式(IV)表示
其中
q选自0、1、2，优选0或1；
Ar1选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的蒽基，优选Ar1为苯基；
U1选自N或CR’；
U2选自N或CR”；
U3选自N或CR”’；并且
其中R’、R”和R”’独立地选自H，D，吸电子基团，优选F，全氟化的C1至C24烷基，优选CF3，CN，SCN，OCF3，-NO2，-SF5。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的有机电致发光器件，其中所述配体片段Y由式(IV)表示
其中
q选自0、1、2，优选0或1；
Ar1选自未取代的苯基、未取代的萘基或未取代的蒽基，优选Ar1为苯基；
U1选自N或CR’；
U2选自N或CR”；
U3选自N或CR”’；并且
其中R’、R”和R”’独立地选自H，D，吸电子基团，优选F，全氟化的C1至C24烷基，优选CF3，CN，SCN，OCF3，-NO2，-SF5。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的有机电致发光器件，其中所述配体片段Y由式(IV)表示
其中
q选自0、1、2，优选0或1；
Ar1选自未取代的苯基、未取代的萘基或未取代的蒽基，优选Ar1为苯基；
U1选自N或CR’；
U2选自N或CR”；
U3选自N或CR”’；并且
其中R’、R”和R”’独立地选自H，D，吸电子基团，优选F，全氟化的C1至C24烷基，优选CF3，CN，SCN，OCF3，-NO2，-SF5；
其中U1、U2和U3中的最多两者为N，或如果U1、U2和U3分别为CR’、CR”和CR”’，则R’、R”、R”’中的至少一者为吸电子基团。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的有机电致发光器件，其中所述配体片段Y选自D1至D11：
其中
更优选所述配体片段Y选自D1至D6、D1至D4或者D5和D6。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的有机电致发光器件，其中所述配位连接体X选自式(IIa)
其中
m和n独立地选自0或1；
Z选自CR1、O、N；并且
A1和A2独立地选自C＝O、C-O、SO或SO2；
R1独立地选自H、D、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、配体片段Y；
其中A1和A2一起任选地与Z形成环。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的有机电致发光器件，其中所述配位连接体X选自式(IIa)
其中
m和n选自1；
Z选自CR1、N；并且
A1和A2独立地选自C＝O、C-O或SO2；
R1独立地选自H、D、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、配体片段Y；
其中A1和A2一起任选地与Z形成环。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的有机电致发光器件，其中所述金属M选自Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、In、Bi、Sc、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、La、Ce、Eu或Yb，优选地，所述金属选自Al、Bi、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、Ag、Re、Au或Ce，更优选地，所述金属选自Al、Mn、Fe、Cu、Mo、Ag、Au或Ce。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的有机电致发光器件，其中所述至少一个配位连接体X由式(IIb)表示：
其中
Z选自CR1、N；
A1和A2独立地选自C＝O、C-O或SO2，其中A1和A2一起任选地与Z形成环；
R1选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y；
Ra和Rb独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y，其中
所述取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、部分氟化或全氟化的C6至C12芳基或者部分氟化或全氟化的C2至C12杂芳基；
其中R1、Ra和Rb中的至少一者包含配体片段Y；
其中所述至少一个配体片段Y中的至少一个独立地选自取代的C6至C24芳基或者未取代或取代的C2至C24杂芳基，且其中所述至少一个配体片段Y中的所述至少一个具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。
13.根据权利要求1至12中的任一项所述的有机电致发光器件，其中Ra和Rb独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、配体片段Y。
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的有机电致发光器件，其中所述至少一个配体L由式(III)表示：
其中
R1选自H、D、CN、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y；
Ra和Rb独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基或者取代或未取代的C2至C24杂环基、配体片段Y，其中
所述取代基选自吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、全氟化的C6至C12芳基或者部分氟化或全氟化的C2至C12杂芳基；
其中R1、Ra和Rb中的至少一者包含配体片段Y；
其中所述至少一个配体片段Y中的至少一个独立地选自取代的C6至C24芳基或者未取代或取代的C2至C24杂芳基，且其中所述至少一个配体片段Y中的所述至少一个具有小于-3.6德拜的定向偶极矩，并且其中所述至少一个配体L带负电荷。
15.根据权利要求1至14中的任一项所述的有机电致发光器件，其中R1包含所述配体片段Y。
16.根据权利要求1至15中的任一项所述的有机电致发光器件，其中所述半导体层设置于所述阳极层和所述发光层之间，优选地，所述半导体层为空穴传输层或空穴注入层。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的有机电致发光器件，其中所述半导体层设置于所述阳极层和所述发光层之间，优选地，所述半导体层为空穴传输层或空穴注入层；优选地，所述至少一个半导体层设置在所述阳极层之上，更优选地，所述至少一个半导体层与所述阳极直接接触，其中所述半导体层优选为空穴注入层。
18.根据权利要求1至17中的任一项所述的有机电致发光器件，其中所述半导体层包含至少一种基质化合物，其中所述至少一种基质化合物为非聚合化合物，优选地，所述基质化合物为共价的基质化合物或基本上共价的基质化合物。
19.根据权利要求1至18所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件为有机发光二极管、显示器件或电致发光器件，优选为有机发光二极管。
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