CN117457836A - 微型发光二极管及显示装置 - Google Patents

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CN117457836A CN202311435026.4A CN202311435026A CN117457836A CN 117457836 A CN117457836 A CN 117457836A CN 202311435026 A CN202311435026 A CN 202311435026A CN 117457836 A CN117457836 A CN 117457836A
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light emitting
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杨洋
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Abstract

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种微型发光二极管及显示装置，微型发光二极管包括半导体叠层，半导体叠层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；微型发光二极管的出光面设置有凸透镜结构，凸透镜结构凸面的方向与从发光层至出光面的方向一致；其中，凸透镜结构的底侧外表面处设有光反射结构，光反射结构靠近凸透镜结构轴向的一侧为光反射面。本发明提供的微型发光二极管通过在凸透镜结构的底侧外表面设置光反射结构，能够使得微型发光二极管发出的大角度光也能被集中到发光二极管的轴向，实现轴向聚光的效果，应用在类似AR/VR产品对轴向聚光有较高需求的产品中，具有显著的效果。

Description

微型发光二极管及显示装置
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种微型发光二极管及显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Micro LED)具有尺寸小、集成度高、自发光等特性。与LCD、OLED显示相比，Micro LED在亮度、分辨率、对比度、能耗、寿命、响应速度和热稳定性等方面具有较大优势，在商业上具有广泛且重要的应用价值。例如AR(Augmented Reality，增强现实)、VR(Virtual Reality，虚拟现实)、可穿戴设备、抬头显示系统(HUD：Head up Display，也称汽车平视显示系统)、微型投影、3D打印等显示领域，已被业内认为是AR近眼显示的终极解决方案。
随着AR/VR市场的逐渐扩大，Micro LED在AR/VR中的应用需求也日益增长。并且在应用端追求更佳小巧轻便的过程中，Micro LED的尺寸需求也逐渐减小，芯片尺寸需要降至5um、2um甚至2um以下。
Micro LED产品在类似AR/VR产品的应用中，更加注重轴向亮度的大小，现有的Micro LED产品会采用微透镜折射的方式，将发光二极管的光进行汇集，微透镜通常是由透明介质层制成，将其设计适当的形状，尽量将不同角度的光集中到轴向，然而入射角度太大的光难以依靠折射率或者形状的改变集中到轴向，无法满足轴向聚光亮度的要求。
需要说明的是，公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术
发明内容
为解决上述背景技术中提到的问题，本发明一实施例提供一种微型发光二极管，包括：
半导体叠层，所述半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；
微型发光二极管的出光面设置有凸透镜结构，所述凸透镜结构凸面的方向与从所述发光层至所述出光面的方向一致；
其中，所述凸透镜结构的底侧外表面处设有光反射结构，所述光反射结构靠近所述凸透镜结构轴向的一侧为光反射面。
在上述实施例的基础上，进一步的，垂直于所述光反射结构轴向的截面面积由反射结构底面向反射结构顶面逐渐减小。
在上述实施例的基础上，进一步的，所述光反射结构的光反射面与其反射结构底面的倾斜角度为45°～75°。
在上述实施例的基础上，进一步的，所述凸透镜结构的半径a和所述光反射结构的高度h的比a：h＝1:1～1.25:1；
其中，所述凸透镜结构的半径a为所述凸透镜结构底侧边缘到所述凸透镜结构的中心线的垂直距离；所述光反射结构的高度h为所述光反射结构的反射结构底面到其反射结构顶面的垂直距离。
在上述实施例的基础上，进一步的，所述光反射结构采用金属材料制得或为DBR材料，所述金属材料优选Au、Ag、Al、Cu中的至少一种材料。
本发明还提供一种显示装置，包括驱动基板以及像素单元，所述像素单元为微型发光二极管，多个所述微型发光二极管成阵列分布于驱动基板上，所述微型发光二极管为如上任意一种所述的微型发光二极管；
其中，相邻的两个所述微型发光二极管之间形成有芯粒隔离槽。
在上述实施例的基础上，进一步的，所述芯粒隔离槽自相邻的两个微型发光二极管之间从所述第一半导体层沿所述发光层的一侧方向延伸至所述第二半导体层或部分所述第二半导体层。
在上述实施例的基础上，进一步的，微型发光二极管的所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层；
多个所述微型发光二极管的所述第二半导体层连接为一体；
从所述第一半导体层至所述第二半导体层方向，所述半导体叠层的横截面积逐渐增大或不变。
在上述实施例的基础上，进一步的，相邻所述微型发光二极的凸透镜结构之间的间隔区域设置有所述光反射结构，且所述光反射结构的侧面均为光反射面，且侧面分别与相邻所述微型发光二极的凸透镜结构底侧外表面接触。
在上述实施例的基础上，进一步的，微型发光二极管的所述第一半导体层上还设置有第一焊盘电极；
还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖依次从所述第一焊盘电极的部分侧壁、所述第一半导体层的侧壁以及所述发光层的侧壁至所述第二半导体层的部分侧壁。
在上述实施例的基础上，进一步的，在微型发光二极管的所述第一绝缘层的一侧，依次设置有镜面反射层和第二绝缘层。
在上述实施例的基础上，进一步的，多个所述微型发光二极管通过第一焊盘电极上设置键合层和驱动背板电性连接。
在上述实施例的基础上，进一步的，所述第二半导体层远离所述发光层的一侧设置有透明导电层，多个所述微型发光二极管的透明导电层连接为一体；所述凸透镜结构的透镜底面以及所述光反射结构的反射结构底面均接触设置在所述透明导电层表面；
所述透明导电层的外表面电性连接有第二焊盘电极。
在上述实施例的基础上，进一步的，微型发光二极管的所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层；
自所述第二半导体层至所述第一半导体层方向，所述半导体叠层的横截面积逐渐增大或不变。
在上述实施例的基础上，进一步的，微型发光二极管还包括第三绝缘层，第三绝缘层覆盖所述第二半导体层的侧壁、所述发光层的侧壁和所述第一半导体层的侧壁；
所述凸透镜结构设置于所述第三绝缘层外，并包覆所述半导体叠层。
在上述实施例的基础上，进一步的，相邻微型发光二极管的凸透镜结构形成的透镜槽与所述芯粒隔离槽相对应。
在上述实施例的基础上，进一步的，微型发光二极的第一半导体层远离所述发光层的一侧设置有键合层，微型发光二极通过所述键合层和所述驱动背板电性连接。
本发明提供的微型发光二极管通过在凸透镜结构的底侧外表面设置光反射结构，能够使得微型发光二极管发出的大角度光也能被集中到发光二极管的轴向，实现轴向聚光的效果。
在优选实施例中，光反射结构的材料为金属材料，在起到反射作用的同时，还能起到电流扩展，使电流分布更加均匀的效果。
本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分的技术特征和有益效果可以从说明书中显而易见地得出，或者是通过实施本发明而了解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见的，下面描述中的部分附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本发明一实施例提供的微型发光二极管的结构示意图；
图2是图1中凸透镜结构和光反射结构的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种显示装置的实施例结构示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种显示装置的实施例结构示意图。
附图标记：
100-第一半导体层；110-第一焊盘电极；200-发光层；210-透明导电层；220-第二焊盘电极；300-第二半导体层；400-凸透镜结构；410-透镜底面；500-光反射结构；510-光反射面；520-反射结构底面；530-反射结构顶面；610-第一绝缘层；620-镜面反射层；630-第二绝缘层；640-第三绝缘层；700-驱动基板。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例；下面所描述的本发明不同实施方式中所设计的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合；基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、或以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，皆为“至少包含”的意思。
实施例1
本实施例提供一种微型发光二极管，如图1所示，包括：
半导体叠层，所述半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层100、发光层200和第二半导体层300；
在一些实施例中，第一半导体层100可以为N型半导体层，在电源作用下可以向发光层200提供电子。优选的，第一半导体层100包括N型掺杂的氮化物层，N型掺杂的氮化物层可包括N型杂质，N型杂质可以包括Si、Ge、Sn中的一种或其组合。第一半导体层100可以是单层结构，也可以是多层结构，该多层结构具有不同的组成。
第二半导体层300可以为P型半导体层，在电源作用下可以向发光层200提供空穴。在一些实施例中，第二半导体层300包括P型掺杂的氮化物层。P型掺杂的氮化物层可包括一个或多个的P型杂质，P型杂质可以包括Mg、Zn、Be中的一种或其组合。第二半导体层300可以是单层结构，也可以是多层结构，该多层结构具有不同的组成。
此外，在另一些实施例中，第一半导体层100可以为P型半导体层，第二半导体层300可以为N型半导体层。
发光层200可以为量子阱结构(Quantum Well，简称QW)。在一些实施例中，发光层200也可以为多重量子阱结构(Multiple Quantum Well，简称MQW)，其中多重量子阱结构包括以重复的方式交替设置的多个量子阱层(Well)和多个量子阻障层(Barrier)，例如可以是GaN/AlGaN、InAlGaN/InAlGaN或InGaN/AlGaN的多量子阱结构。此外，发光层200内的阱层的组成以及厚度决定生成的光的波长。为了提高发光层200的发光效率，可通过在发光层200中改变量子阱的深度、成对的量子阱和量子势垒的层数、厚度和/或其它特征来实现。
其中，微型发光二极管的出光面S设置有凸透镜结构400，所述凸透镜结构400凸面的方向与从所述发光层200至所述出光面S的方向一致；如图1所示，在该实施例中，在微型发光二极管的所述第二半导体层300所在一侧的外表面为出光面S。凸透镜结构400设置在微型发光二极管的出光面S，能够对光起到汇聚的作用，使得非垂直于微型发光二极管表面的光线通过折射和反射向凸透镜结构400的轴向(轴向可参考如图1所示虚线位置)，即使光尽可能朝着垂直于微型发光二极管表面的方向集中，从而增强微型发光二极管的轴向发光强度。然而，根据光的折射和反射原理，当光的入射光线和凸透镜结构400的轴向角度过大时，凸透镜结构400则无法将其进行向轴向汇聚。因此，为了解决该问题，本实施例提供如下发明构思：
如图1，在所述凸透镜结构400的底侧外表面上设有光反射结构500，所述光反射结构500靠近所述凸透镜结构400轴向的一侧为光反射面510。通过该设计思路，将和凸透镜结构400的轴向角度过大的入射光线进行反射，通过光反射作用，使光向凸透镜结构400轴向汇聚，从而提高微型发光二极管的轴向光强度，实现轴向聚光的效果。
更进一步的实施例中，如图1和图2所示，所述光反射结构500的截面面积由反射结构底面520向反射结构顶面530逐渐减小，其截面为正梯形，该结构使得其光反射面510不仅能够将和凸透镜结构400的轴向角度过大的入射光线向凸透镜结构400轴向汇聚，还能保证经过反射后的光线仍然在微型发光二极管出光面S的一侧。其中，凸透镜结构400可以为连续一体结构且围绕凸透镜结构400底部一周设置，或者分成多个块状结构设置在凸透镜结构400底部。
在一些优选实施例中，如图2所示，所述光反射结构500的光反射面510与其反射结构底面520的倾斜角度β为45°～75°，该角度的限定能够大大提高微型发光二极管的轴向聚光效果。若倾斜角度β过小，光经过反射后，角度发生改变的范围小，将造成和凸透镜结构400的轴向角度过大的入射光仍无法较好的向轴向汇聚；若倾斜角度β过大，随着角度增大，反射光线将会逐渐平行于光反射面510后，与微型发光二极管的出光面相反，无法有效达到轴向聚光的效果。当然，本领域技术人员也可以根据产品对轴向聚光的需求，在本发明的发明构思基础上调整倾斜角度，例如倾斜角度β调整为40°～80°或30°～85°。
较佳的，为了使和凸透镜结构400轴向角度过大的入射光的轴向聚光能力进一步加强，可以限定所述凸透镜结构400的半径a和所述光反射结构500的高度h的比a：h＝1:1～1.25:1；其中，如图2所示，所述凸透镜结构400的半径a为所述凸透镜结构400的中心到所述凸透镜结构400底侧边缘的垂直距离；所述光反射结构500的高度h为所述光反射结构500的反射结构底面520到其反射结构顶面530的垂直距离。
在光反射结构500的选择上，优选的，所述光反射结构500可以采用金属材料制得或为DBR材料，所述金属材料优选Au、Ag、Al、Cu中的至少一种材料。其中，DBR结构是由高折射率子层和低折射率子层交替堆叠构成。高折射率子层的材料可以为氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或者氧化钛，低折射率子层的材料可以为氧化硅。
而当光反射结构500采用金属材料时，金属材料不仅具有较好的光反射能力，还能起到电流扩展，使电流分布更加均匀，进一步提高微型发光二极管的性能。
除本实施例上述所述的发光二极管结构特征外，本领域技术人员可以在该实施例的基础上，增加其它发光二极管的结构特征，如电极、欧姆接触层、电流扩展层等等，或者对相应表面进行粗化等工艺，以达到相应的目的。
实施例2
在实施例1的发明构思基础上，本发明提供一种显示装置的实施例，如图3所示，包括驱动基板700以及像素单元，所述像素单元为微型发光二极管，多个所述微型发光二极管成阵列分布于驱动基板700上，所述微型发光二极管为实施例1中任意优选方案组合的微型发光二极管；在该实施例中，微型发光二极管的所述第一半导体层100为N型半导体层，所述第二半导体层300为P型半导体层；
其中，相邻的两个所述微型发光二极管之间形成有芯粒隔离槽V1；所述芯粒隔离槽V1自相邻的两个微型发光二极管的第一半导体层100之间沿所述发光层200的一侧方向延伸至部分所述第二半导体层300，从所述第一半导体层100至所述第二半导体层300方向，所述半导体叠层的横截面积逐渐增大或不变，即本实施例中微型发光二极管的半导体叠层类似倒梯形；
在该实施例中，如图3所示，多个所述微型发光二极管的所述第二半导体层300连接为一体相互连通，优选的，在所述第二半导体层300远离所述发光层200的一侧设置有透明导电层210，多个微型发光二极管的透明导电层210连接为一体；此时，不同型发光二极管的凸透镜结构400的底面410以及所述光反射结构500的反射结构底面520均接触设置在所述透明导电层210表面；透明导电层210的材料可包含铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、锌铟氧化物(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟(indium oxide，InO)、氧化锡(tinoxide，SnO)、镉锡氧化物(cadmium tin oxide，CTO)、锡锑氧化物(antimony tin oxide，ATO)、铝锌氧化物(aluminum zinc oxide，AZO)、锌锡氧化物(zinc tin oxide，ZTO)、氧化锌掺杂镓(gallium doped zinc oxide，GZO)、氧化铟掺杂钨(tungsten doped indiumoxide，IWO)或者氧化锌(zinc oxide，ZnO)，但本公开实施例并非以此为限。
更优选的，相邻所述微型发光二极的凸透镜结构400之间的间隔位置设置有所述凸透镜结构400，且所述光反射结构500的侧面均为光反射面510，且分别与相邻所述微型发光二极的凸透镜结构400底侧外表面接触。由图3可以看出，两个相邻的凸透镜结构400之间至少设置了一个光反射结构500，即一个光反射结构500和相邻的至少两个凸透镜结构400接触，且光反射结构500的接触面均为光反射面510。通过多个凸透镜结构400共用光反射结构500的方式，可以提到凸透镜结构400的空间利用效率，有利于显示装置缩小尺寸。
更具体的，微型发光二极管的所述第一半导体层100上还设置有第一焊盘电极110；多个所述微型发光二极管通过第一焊盘电极110上设置键合层800和驱动背板700电性连接，其中，所述驱动背板700可以为硅基CMOS驱动背板或根据实际需要进行选择。
还包括第一绝缘层610，所述第一绝缘层610覆盖依次从所述第一焊盘电极110的部分侧壁、所述第一半导体层100的侧壁以及所述发光层200的侧壁至所述第二半导体层300的部分侧壁。进一步的，如图1和图3所示，在微型发光二极管的所述第一绝缘层610的一侧，即与覆盖半导体叠层相对应的另一侧，依次设置有镜面反射层620和第二绝缘层630。
其中，绝缘层的材料包含非导电材料。非导电材料优选地为无机材料或是介电材料。无机材料可以包含硅胶。介电材料包含氧化铝、氮化硅、氧化硅、氧化钛、或氟化镁等电绝缘材料。例如，绝缘层材料可以是二氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化钽、氧化铌、钛酸钡或者其组合。而第一绝缘层610、镜面反射层620和第二绝缘层630可形成全方向反射镜结构(ODR)。
如图3所示，所述透明导电层210的外表面电性连接有第二焊盘电极220。除此之外，本领域技术人员可以在该实施例的基础上，增加其它发光二极管的结构特征，在此不做赘述。
实施例3
在实施例1的发明构思基础上，本发明提供一种显示装置的实施例，如图4所示，包括驱动基板700以及像素单元，所述像素单元为微型发光二极管，多个所述微型发光二极管成阵列分布于驱动基板700上，所述驱动背板700可以为硅基CMOS驱动背板或根据实际需要进行选择。
所述微型发光二极管为实施例1中任意优选方案组合的微型发光二极管；在该实施例中，微型发光二极管的所述第一半导体层100为P型半导体层，所述第二半导体层300为N型半导体层；如图4所示，从所述第二半导体层300至所述第一半导体层100方向，所述半导体叠层的横截面积逐渐增大，即本实施例中微型发光二极管的半导体叠层类似正梯形。
其中，相邻的两个所述微型发光二极管之间形成有芯粒隔离槽V2；所述芯粒隔离槽V2自相邻的两个所述微型发光二极管的所述第一半导体层100之间沿所述发光层200的一侧方向延伸至部分所述第二半导体层300。
具体的，如图4所示，微型发光二极管还包括第三绝缘层640，所述第三绝缘层640覆盖依次从所述第二半导体层300的侧壁、所述发光层200的侧壁至所述第一半导体层100的侧壁。
其中，所述凸透镜结构400设置于所述第三绝缘层640外，并包覆所述半导体叠层，凸透镜结构400的凸向和微型发光二极管的出光面一致，起到一定的轴向聚光作用。
在本实施例中，如图4所示，相邻微型发光二极管的凸透镜结构400形成的透镜槽V2与所述芯粒隔离槽V1相对应，即相邻凸透镜结构400之间形成的凹槽和相邻微型发光二极管形成的凹槽一致。
具体的，微型发光二极的第一半导体层100远离所述发光层200的一侧设置有键合层800，微型发光二极通过所述键合层800和所述驱动背板700电性连接。
除此之外，本领域技术人员可以在该实施例的基础上，增加其它发光二极管的结构特征，在此不做赘述。
另外，本领域技术人员应当理解，尽管现有技术中存在许多问题，但是，本发明的每个实施例或技术方案可以仅在一个或几个方面进行改进，而不必同时解决现有技术中或者背景技术中列出的全部技术问题。本领域技术人员应当理解，对于一个权利要求中没有提到的内容不应当作为对于该权利要求的限制。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (17)

1.一种微型发光二极管，其特征在于，包括：
半导体叠层，所述半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；
微型发光二极管的出光面设置有凸透镜结构，所述凸透镜结构凸面的方向与从所述发光层至所述出光面的方向一致；
其中，所述凸透镜结构的底侧外表面处设有光反射结构，所述光反射结构靠近所述凸透镜结构轴向的一侧为光反射面。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：垂直于所述光反射结构轴向的截面面积由反射结构底面向反射结构顶面逐渐减小。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于：所述光反射结构的光反射面与其反射结构底面的倾斜角度为45°～75°。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述凸透镜结构的半径a和所述光反射结构的高度h的比a：h＝1:1～1.25:1；
其中，所述凸透镜结构的半径a为所述凸透镜结构底侧边缘到所述凸透镜结构的中心线的垂直距离；所述光反射结构的高度h为所述光反射结构的反射结构底面到其反射结构顶面的垂直距离。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述光反射结构采用金属材料制得或为DBR材料，所述金属材料优选Au、Ag、Al、Cu中的至少一种材料。
6.一种显示装置，其特征在于：包括驱动基板以及像素单元，所述像素单元为微型发光二极管，多个所述微型发光二极管成阵列分布于驱动基板上，所述微型发光二极管为权利要求1-5任意一项所述的微型发光二极管；
其中，相邻的两个所述微型发光二极管之间形成有芯粒隔离槽。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
所述芯粒隔离槽自相邻的两个微型发光二极管之间从所述第一半导体层沿所述发光层的一侧方向延伸至所述第二半导体层或部分所述第二半导体层。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
微型发光二极管的所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层；
多个所述微型发光二极管的所述第二半导体层连接为一体；
从所述第一半导体层至所述第二半导体层方向，所述半导体叠层的横截面积逐渐增大或不变。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于：相邻所述微型发光二极的凸透镜结构之间的间隔区域设置有所述光反射结构，且所述光反射结构的侧面均为光反射面，且侧面分别与相邻所述微型发光二极的凸透镜结构底侧外表面接触。
10.根据权利要求8所述的微型发光二极管，其特征在于：微型发光二极管的所述第一半导体层上还设置有第一焊盘电极；
还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖依次从所述第一焊盘电极的部分侧壁、所述第一半导体层的侧壁以及所述发光层的侧壁至所述第二半导体层的部分侧壁。
11.根据权利要求10所述的微型发光二极管，其特征在于：在微型发光二极管的所述第一绝缘层的一侧，依次设置有镜面反射层和第二绝缘层。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于：多个所述微型发光二极管通过第一焊盘电极上设置键合层和驱动背板电性连接。
13.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于：所述第二半导体层远离所述发光层的一侧设置有透明导电层，多个所述微型发光二极管的透明导电层连接为一体；所述凸透镜结构的透镜底面以及所述光反射结构的反射结构底面均接触设置在所述透明导电层表面；
所述透明导电层的外表面电性连接有第二焊盘电极。
14.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
微型发光二极管的所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层；
自所述第二半导体层至所述第一半导体层方向，所述半导体叠层的横截面积逐渐增大或不变。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于：微型发光二极管还包括第三绝缘层，第三绝缘层覆盖所述第二半导体层的侧壁、所述发光层的侧壁和所述第一半导体层的侧壁；
所述凸透镜结构设置于所述第三绝缘层外，并包覆所述半导体叠层。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于：相邻微型发光二极管的凸透镜结构形成的透镜槽与所述芯粒隔离槽相对应。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于：微型发光二极的第一半导体层远离所述发光层的一侧设置有键合层，微型发光二极通过所述键合层和所述驱动背板电性连接。
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