CN117431013A - 一种化学机械抛光液及抛光方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒、聚丙烯酸、碳酸钾、烷基季铵盐、阻聚剂、水和pH调节剂。本申请还提供了一种抛光方法。本申请提供的化学机械抛光液中聚丙烯酸和碳酸钾的引入显著提升二氧化硅晶圆表面材料的去除速率，且抛光后的二氧化硅晶圆具有良好的表面粗糙度；同时采用烷基季铵盐作为电荷平衡剂和阻聚剂联合使用，能够使浓缩后的抛光液在高浓度条件下依旧保持稳定。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造过程中抛光技术领域，尤其涉及一种化学机械抛光液及抛光方法。
背景技术
二氧化硅是一种氧化物半导体材料，其具备高电介质常数、低漏电率以及优秀的可控性能，因此广泛应用于硅基半导体中，例如在金氧半场效晶体管（MOSFET）中氧化硅可作为栅极氧化物材料，在集成电路（IC）中氧化硅可作为电介质层。在晶圆的加工过程中一般通过热氧化法、化学气相沉积法（CVD）、热分解法、阳极氧化法或者反应溅射法来制备二氧化硅。
现代半导体电路集成度高且均为多层互连结构，晶圆上成千上万个复杂结构通过金属互连来形成具有相应功能的电路和器件单元，在这些互连结构中，金属导线之间一般填充二氧化硅等材料作为电介质层，随着多层材料的叠加和沉积，需要对晶圆表面进行抛光以保持其全局平坦化。
在半导体的加工过程中，晶圆表面材料的去除速率和粗糙度是影响其性能的关键因素，所以既要保持较高的去除速率也要保持极低的抛后粗糙度。
化学机械抛光作为半导体材料平坦化精细加工的常用加工流程，被认为是实现材料全局平坦化最有效的加工方式。化学机械抛光结合化学力和机械力，将需要加工的晶圆放入cmp设备中，对晶圆施加一定压力，使得晶圆以下压状态在抛光垫上机械摩擦，与此同时按适量流速注入抛光液，使得晶圆在机械摩擦力和化学力的叠加作用下达到去除表面瑕疵、修整划痕和损伤的效果。但是目前抛光液在处理二氧化硅晶圆的过程中依旧存在表面粗糙度和高浓度条件下不稳定的问题。
发明内容
本发明解决的技术问题在于提供一种化学抛光液，本申请提供的化学机械抛光液对于二氧化硅晶圆表面材料的去除速率较高，且在高浓度条件下依旧保持稳定。
本申请提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒、聚丙烯酸、碳酸钾、烷基季铵盐、阻聚剂、水和pH调节剂；
所述烷基季铵盐为RR'(CH3)2N+X-，其中，R为-CnH2n+1，n=8~18；R'与R相同，或为-CH3或-CH2C6H5；X-为卤素阴离子；
所述阻聚剂选自苄基三甲基氯化铵、苄基三甲基溴化铵、苄基三甲基氢氧化铵、苄基三乙基氯化铵、苄基三乙基溴化铵、苄基三乙基氢氧化铵、苯基三甲基氯化铵、苯基三甲基溴化铵、苯基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。
优选的，所述研磨颗粒选自SiO2、气相SiO2、A12O3、CeO2、TiO2、ZrO2和Fe2O3中的一种或多种；
和/或，所述研磨颗的粒径为20~200nm；
和/或，所述聚丙烯酸的数均分子量为2000~50万；
和/或，所述pH调节剂为酸调节剂，所述酸调节剂选自有机酸或无机酸，所述无机酸选自盐酸、硝酸和硫酸中的一种或多种，所述有机酸选自丁二酸、丙二酸、酒石酸和葡萄糖酸中的一种或多种；
和/或，所述pH调节剂为碱调节剂，所述碱调节剂选自无机碱或有机碱，所述无机碱选自氢氧化钾和氢氧化钠中的一种或两种，所述有机碱选自乙醇胺、乙二胺和二乙胺中的一种或多种；
优选的，所述研磨颗粒为SiO2；
和/或，所述研磨颗的粒径为50~150nm；
和/或，所述聚丙烯酸的数均分子量为5000~45万；
和/或，所述烷基季铵盐选自十六烷基三甲基铵盐、十六烷基二甲基苄基铵盐、十二烷基三甲基铵盐、十二烷基二甲基苄基铵盐、双十二烷基二甲基铵盐和八烷基三甲基铵盐中的一种或多种。
优选的，所述抛光液包括SiO2研磨颗粒、聚丙烯酸、碳酸钾、十六烷基三甲基氯化铵、苄基三甲基氯化铵、水和pH调节剂；或所述抛光液包括SiO2研磨颗粒、聚丙烯酸、碳酸钾、双十二烷基二甲基氯化铵、苄基三乙基氢氧化铵、水和pH调节剂。
优选的，所述抛光液还包括杀菌剂。
优选的，以质量百分比计，所述研磨颗粒的含量为5~50wt%；
和/或，所述聚丙烯酸的含量为0.01~1wt%；
和/或，所述碳酸钾的含量为0.1~5wt%；
和/或，所述烷基季铵盐的含量为0.01~0.5wt%；
和/或，所述阻聚剂的含量为0.1~5wt%；
和/或，所述抛光液的pH为9~12。
优选的，以质量百分比计，所述研磨颗粒的含量为10~30wt%，
和/或，所述聚丙烯酸的含量为0.1~0.5wt%；
和/或，所述碳酸钾的含量为0.5~1.5wt%；
和/或，所述烷基季铵盐的含量为0.01~0.1wt%；
和/或，所述阻聚剂的含量为0.5~1.5wt%；
和/或，所述抛光液的pH为10~11。
本申请还提供了一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括：
将抛光液稀释后对待抛光样品进行抛光处理；
所述抛光液为所述的化学机械抛光液。
优选的，所述待抛光样品为包含二氧化硅的晶圆，所述抛光时间为1~3min，稀释后的抛光液的流速为120~180ml/min。
本申请提供了一种化学机械抛光液，其包括研磨颗粒、聚丙烯酸、碳酸钾、烷基季铵盐、阻聚剂、水和pH调节剂；其中，聚丙烯酸和碳酸钾的引入对二氧化硅晶圆表面材料去除率的提升具有协同作用，能够显著提升二氧化硅晶圆表面材料的去除速率，且抛光后的二氧化硅晶圆具有良好的表面粗糙度；同时采用烷基季铵盐作为电荷平衡剂并加入阻聚剂联合使用，能够使浓缩后的抛光液在高浓度条件下依旧保持稳定，在生产运输和使用上均有着积极意义。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
鉴于现有技术中二氧化硅晶圆抛光液对去除速率、表面粗糙度和稳定化的性能需求，本申请提供了一种化学机械抛光液，其通过聚丙烯酸和碳酸钾的复配，烷基季铵盐和阻聚剂的复配，提高了去除速率和粗糙度，且使得抛光液在高浓度条件下具有较好稳定性；具体的，本发明实施例公开了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒、聚丙烯酸、碳酸钾、烷基季铵盐、阻聚剂、水和pH调节剂；
所述烷基季铵盐为RR'(CH3)2N+X-，其中，R为-CnH2n+1，n=8~18；R'与R相同，或为-CH3或-CH2C6H5；X-为卤素阴离子；
所述阻聚剂选自苄基三甲基氯化铵、苄基三甲基溴化铵、苄基三甲基氢氧化铵、苄基三乙基氯化铵、苄基三乙基溴化铵、苄基三乙基氢氧化铵、苯基三甲基氯化铵、苯基三甲基溴化铵、苯基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。
在化学机械抛光液中，其还包括杀菌剂；具体的，所述杀菌剂选自MTSB330杀菌剂或KORDEK杀菌剂。在本申请中，所述化学机械抛光液中杀菌剂可以选择性加入，其仅具有杀菌作用。
在本申请提供的化学机械抛光液中，所述研磨颗粒选自SiO2、气相SiO2、A12O3、CeO2、TiO2、ZrO2和Fe2O3中的一种或多种，在具体实施例中，所述研磨颗粒选自SiO2；所述研磨颗粒的粒径为20~200nm，具体的，所述研磨颗粒的粒径为50~150nm，更具体地，所述研磨颗粒的粒径为80~120nm。所述研磨颗粒的含量为5~50wt%，更具体地，所述研磨颗粒的含量为10~30wt%，示例的，所述研磨颗粒的含量为5wt%、7wt%、8wt%、9wt%、10wt%、12wt%、15wt%、17wt%、18wt%、19wt%、20wt%、21wt%、22wt%、24wt%、26wt%、28wt%、29wt%、31wt%、32wt%、35wt%、38wt%、40wt%、41wt%、43wt%、47wt%、48wt%、50wt%。
所述聚丙烯酸的数均分子量为2000~50万，具体的，所述聚丙烯酸的数均分子量为5000~45万，更具体地，所述聚丙烯酸的数均分子量为7000、8000、9000、1万、3万、11万、13万、18万、21万、24万、28万、32万、33万、35万、38万、40万、42万、43万。所述聚丙烯酸的含量为0.01~1wt%，具体的，所述聚丙烯酸的含量为0.1~0.5wt%，示例的，所述聚丙烯酸的含量为0.01wt%、0.03wt%、0.06wt%、0.08wt%、0.10wt%、0.12wt%、0.16wt%、0.18wt%、0.22wt%、0.25wt%、0.29wt%、0.35wt%、0.38wt%、0.50wt%、0.52wt%、0.58wt%、0.63wt%、0.69wt%、0.72wt%、0.76wt%、0.82wt%、0.88wt%、0.90wt%、0.96wt%、0.98wt%。
所述碳酸钾的含量为0.1~5wt%，具体的，所述碳酸钾的含量为0.3~3.5wt%，更具体的，所述碳酸钾的含量为0.5~1.5wt%，示例的，所述碳酸钾的含量为0.8wt%、1.0wt%、1.2wt%、1.5wt%、1.8wt%、2.0wt%、2.1wt%、2.3wt%、2.5wt%、2.7wt%、2.9wt%、3.0wt%、3.1wt%、3.3wt%或3.5wt%。
所述聚丙烯酸和所述碳酸钾的引入可以提高抛光液对表面材料的去除速率，抛后可获得良好的表面粗糙度，但是发明人在研究过程中发现聚丙烯酸的引入对抛光液的稳定性会有影响。
所述烷基季铵盐可以促进研磨颗粒与二氧化硅（TEOS）晶圆片之间的吸引力提升研磨速率，也能起到平衡电荷保持系统稳定的作用。所述烷基季铵盐为RR'(CH3)2N+X-，其中，R为-CnH2n+1，n=8~18；R'与R相同，或为-CH3或-CH2C6H5；X-为卤素阴离子；具体的，n为8、9、10、11、12、13、14、15、16、17或18，所述X-为Cl-、Br-。
具体的，所述烷基季铵盐选自十六烷基三甲基铵盐、十六烷基二甲基苄基铵盐、十二烷基三甲基铵盐、十二烷基二甲基苄基铵盐、双十二烷基二甲基铵盐和八烷基三甲基铵盐中的一种或多种。所述烷基季铵盐的含量为0.01~0.5wt%，具体的，所述烷基季铵盐的含量为0.01~0.1wt%，示例的，所述烷基季铵盐的含量为0.01wt%、0.03wt%、0.06wt%、0.08wt%、0.10wt%、0.12wt%、0.15wt%、0.18wt%、0.20wt%、0.23wt%、0.25wt%、0.28wt%、0.30wt%、0.35wt%、0.40wt%、0.43wt%、0.45wt%、0.48wt%、0.50wt%。
本申请中，阻聚剂选自苄基三甲基氯化铵、苄基三甲基溴化铵、苄基三甲基氢氧化铵、苄基三乙基氯化铵、苄基三乙基溴化铵、苄基三乙基氢氧化铵、苯基三甲基氯化铵、苯基三甲基溴化铵、苯基三甲基氢氧化铵中的一种或多种，在具体实施例中，所述阻聚剂为苄基三甲基氯化铵、苄基三乙基氢氧化铵。所述阻聚剂的含量为0.1~5wt%，具体的，所述阻聚剂的含量为0.5~1.5wt%，示例的，所述阻聚剂的含量为0.8wt%、1.0wt%、1.2wt%、1.5wt%、1.8wt%、2.0wt%、2.1wt%、2.3wt%、2.5wt%、2.7wt%、2.9wt%、3.0wt%、3.1wt%、3.3wt%或3.5wt%。
在抛光液中，需要pH调节剂调节抛光液至适当的pH，具体的，所述pH调节剂为酸调节剂，所述酸调节剂选自有机酸或无机酸，所述无机酸选自盐酸、硝酸和硫酸中的一种或多种，所述有机酸选自丁二酸、丙二酸、酒石酸和葡萄糖酸中的一种或多种；和/或所述pH调节剂为碱调节剂，所述碱调节剂选自无机碱或有机碱，所述无机碱选自氢氧化钾和氢氧化钠中的一种或两种，所述有机碱选自乙醇胺、乙二胺和二乙胺中的一种或多种；
在抛光液中，所述水的含量为40~90wt%。在本申请中，所述聚丙烯酸、所述研磨颗粒、所述碳酸钾、所述烷基季铵盐、所述阻聚剂、所述水、其他添加剂以及pH调节剂构成了所述化学机械抛光液，上述各组分的含量是以上述所有组分的总质量为基础的。
所述抛光液的pH为9~12，更具体地，所述抛光液的pH为10~11。
在本申请具体实施例中，所述抛光液包括SiO2研磨颗粒、聚丙烯酸、碳酸钾、十六烷基三甲基氯化铵、苄基三甲基氯化铵、水和pH调节剂；或所述抛光液包括SiO2研磨颗粒、聚丙烯酸、碳酸钾、双十二烷基二甲基氯化铵、苄基三乙基氢氧化铵、水和pH调节剂。
在本申请中，以质量百分比计，所述化学机械抛光液具体包括：
20%粒径100nm的SiO2、0.2%数均分子量为2000的聚丙烯酸、0.5%碳酸钾、0.1%十六烷基三甲基氯化铵、0.5%苄基三甲基氯化铵，抛光液的pH值为10.5；
或20%粒径100nm的SiO2、0.2%数均分子量为5000的聚丙烯酸、0.5%碳酸钾、0.1%十六烷基三甲基氯化铵、0.5%苄基三甲基氯化铵，抛光液的pH值为10.5；
或20%粒径100nm的SiO2、0.2%数均分子量为5000的聚丙烯酸、1%碳酸钾、0.1%十六烷基三甲基氯化铵、0.5%苄基三甲基氯化铵，抛光液的pH值为10.5；
或20%粒径100nm的SiO2、0.2%数均分子量为100000的聚丙烯酸、0.5%碳酸钾、0.1%十六烷基三甲基氯化铵、0.5%苄基三甲基氯化铵，抛光液的pH值为10.5；
或20%粒径100nm的SiO2、0.2%数均分子量为100000的聚丙烯酸、1%碳酸钾、0.1%十六烷基三甲基氯化铵、0.5%苄基三甲基氯化铵，抛光液的pH值为10.5；
或20%粒径100nm的SiO2、0.2%数均分子量为340000的聚丙烯酸、0.5%碳酸钾、0.1%十六烷基三甲基氯化铵、0.5%苄基三甲基氯化铵，抛光液的pH值为10.5；
或20%粒径100nm的SiO2、0.2%数均分子量为340000的聚丙烯酸、1%碳酸钾、0.1%十六烷基三甲基氯化铵、0.5%苄基三甲基氯化铵，抛光液的pH值为10.5；
或20%粒径100nm的SiO2、0.4%数均分子量为340000的聚丙烯酸、1%碳酸钾、0.5%十六烷基三甲基氯化铵、0.5%苄基三甲基氯化铵，抛光液的pH值为10.5；
或15%粒径150nm的SiO2、0.2%数均分子量为340000的聚丙烯酸、1%碳酸钾、0.1%双十二烷基二甲基氯化铵、0.5%苄基三乙基氢氧化铵，抛光液的pH值为10.5；
或30%粒径70nm的SiO2、0.2%数均分子量为340000的聚丙烯酸、1%碳酸钾、0.1%双十二烷基二甲基氯化铵、0.5%苄基三乙基氢氧化铵，抛光液的pH值为10.5。
进一步的，本申请还提供了一种抛光方法，包括：
将化学机械抛光液稀释后对待抛光样品进行抛光处理；
所述化学机械抛光液为上述方案所述的抛光液。
在本申请中，所述抛光处理的具体操作方式按照本领域技术人员熟知的方式进行，对此本申请不进行特别的限制。
在本申请提供的抛光方法中，所述待抛光样品为包含二氧化硅的晶圆，所述抛光时间为1~3min，所述抛光液稀释后的抛光液的流速为120~180ml/min。
本申请提供的化学机械抛光液中加入聚丙烯酸和碳酸钾，两者对二氧化硅（TEOS）晶圆去除速率的提升具有协同作用，能够显著提升二氧化硅介电材料的去除速率，且抛后可获得良好的表面粗糙度；同时，采用烷基季铵盐作为电荷平衡剂并加入阻聚剂联合使用，能够使浓缩后的抛光液在高浓度条件下依旧保持稳定。基于此，本发明制备了高浓度抛光液，其对后续的生产和运输都有积极意义。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的化学机械抛光液及其制备方法和应用进行详细说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
以下实施例中的组分均为市售产品。
表1提供了本发明实施例和对比例的化学机械抛光液的具体成分，其中各组分均按纯净物的含量计算，并按表中所给的配方配制，余量为水（表1中含量%均表示质量百分数），将各种组分混合均匀，再采用硝酸或氢氧化钾调节pH到所需要的值后混合均匀制得抛光液。将制得的抛光液用水稀释后进行抛光测试，稀释比为重量比1:1。
利用实施例和对比例制备的抛光液对待抛光的样品进行抛光；待抛光的二氧化硅样品为8寸二氧化硅（TEOS）晶圆片，抛光压力4psi，抛光时间1min，抛光使用抛光机型号为SIZONE TENMS-200 Plus，抛光垫型号为IC1010，抛光头和抛光盘转速分别为100rpm和90rpm，抛光液流速为150ml/min。
膜厚测量机台为Filmetrics F54-xy-200，采用49点测量抛光前后的膜厚变化值，从而计算抛光速率。
待二氧化硅晶圆片抛光完成后通过 Nanosurf Alphacen 300型原子力显微镜对抛光后二氧化硅（TEOS）的表面进行粗糙度测试，检测二氧化硅表面材料去除速率，结果如表2所示；表3为实施例1~8和对比例4~8相较对比例3去除速率提升数据表；
表1 实施例和对比例提供的化学机械抛光液的配方数据表
表2 实施例和对比例提供的抛光液抛光后的性能数据表
表3 实施例1~8和对比例4~8相较于对比例3的去除速率提升数据表
分析表2、表3的数据，由对比例1~3和实施例6的对比可以看出，当抛光液体系不引入聚丙烯酸和碳酸钾时（对比例3），系统比较稳定，在合适加工条件下，可以提供基础的二氧化硅（TEOS）晶圆去除速率和良好的去后表面粗糙度，但是二氧化硅晶圆的表面材料去除速率较低。与实施例6相比较，当抛光液引入聚丙烯酸和碳酸钾时，对比例1由于缺少烷基季铵盐，对比例2则缺少阻聚剂，均会造成高浓度抛光液分层。说明当抛光液含有聚丙烯酸和碳酸钾时，虽然提高了二氧化硅晶圆的表面材料的去除速率，但却不利于浓缩原液的稳定保存，需要烷基季铵盐作为电荷平衡剂并加入阻聚剂联合使用才能保持高浓度抛光液的老化稳定性。
由对比例4~7可以看出，单独添加聚丙烯酸时，抛光液对二氧化硅的去除速率有提升作用，其中分子量越大提升越明显，例如添加分子量为2000的聚丙烯酸后，去除速率提升约为0.25%，但添加分子量为34万的聚丙烯酸后，去除速率提升8.14%，且抛后表面粗糙度均保持良好。
由对比例8可以看出，单独添加碳酸钾时，抛光液对二氧化硅的去除速率有提升作用，在0.5%质量分数添加量的条件下，去除速率提升5.48%，且抛后表面粗糙度保持良好。
将对比例4~8与实施例1~8的比较可知，同时添加聚丙烯酸和碳酸钾时，抛光液对二氧化硅的去除速率有显著提升，实施例7中，去除速率高达18.38%。说明聚丙烯酸和碳酸钾对二氧化硅（TEOS）晶圆去除速率的提升具有协同作用。
由实施例8可以看出，体系中聚丙烯酸的含量为0.2%时即达到平台值，进一步提升浓度对去除速率没有增益，出于成本考虑，聚丙烯酸的含量优选1wt%以下，更优选0.1~0.5wt%。
由上述实验结果分析可知，抛光液中聚丙烯酸、碳酸钾、烷基季铵盐和阻聚剂缺一不可，共同作用促进去除速率显著提升，并能够使抛光液在高浓度下保存稳定。
基于上述测试结果，本发明中的化学机械抛光液能够显著提升二氧化硅介电材料的去除速率，且抛后可获得良好的表面粗糙度；另外此体系在制备高浓度抛光液的条件下依旧能保持稳定的状态，使其在生产运输和使用上均有着积极意义。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (9)
1.一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒、聚丙烯酸、碳酸钾、烷基季铵盐、阻聚剂、水和pH调节剂；
所述烷基季铵盐为RR'(CH3)2N+X-，其中，R为-CnH2n+1，n=8~18；R'与R相同，或为-CH3或-CH2C6H5；X-为卤素阴离子；
所述阻聚剂选自苄基三甲基氯化铵、苄基三甲基溴化铵、苄基三甲基氢氧化铵、苄基三乙基氯化铵、苄基三乙基溴化铵、苄基三乙基氢氧化铵、苯基三甲基氯化铵、苯基三甲基溴化铵、苯基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述研磨颗粒选自SiO2、气相SiO2、A12O3、CeO2、TiO2、ZrO2和Fe2O3中的一种或多种；
和/或，所述研磨颗的粒径为20~200nm；
和/或，所述聚丙烯酸的数均分子量为2000~50万；
和/或，所述pH调节剂为酸调节剂，所述酸调节剂选自有机酸或无机酸，所述无机酸选自盐酸、硝酸和硫酸中的一种或多种，所述有机酸选自丁二酸、丙二酸、酒石酸和葡萄糖酸中的一种或多种；
和/或，所述pH调节剂为碱调节剂，所述碱调节剂选自无机碱或有机碱，所述无机碱选自氢氧化钾和氢氧化钠中的一种或两种，所述有机碱选自乙醇胺、乙二胺和二乙胺中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述研磨颗粒为SiO2；
和/或，所述研磨颗的粒径为50~150nm；
和/或，所述聚丙烯酸的数均分子量为5000~45万；
和/或，所述烷基季铵盐选自十六烷基三甲基铵盐、十六烷基二甲基苄基铵盐、十二烷基三甲基铵盐、十二烷基二甲基苄基铵盐、双十二烷基二甲基铵盐和八烷基三甲基铵盐中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述抛光液包括SiO2研磨颗粒、聚丙烯酸、碳酸钾、十六烷基三甲基氯化铵、苄基三甲基氯化铵、水和pH调节剂；或所述抛光液包括SiO2研磨颗粒、聚丙烯酸、碳酸钾、双十二烷基二甲基氯化铵、苄基三乙基氢氧化铵、水和pH调节剂。
5.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述抛光液还包括杀菌剂。
6.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，以质量百分比计，所述研磨颗粒的含量为5~50wt%；
和/或，所述聚丙烯酸的含量为0.01~1wt%；
和/或，所述碳酸钾的含量为0.1~5wt%；
和/或，所述烷基季铵盐的含量为0.01~0.5wt%；
和/或，所述阻聚剂的含量为0.1~5wt%；
和/或，所述抛光液的pH为9~12。
7.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，以质量百分比计，所述研磨颗粒的含量为10~30wt%，
和/或，所述聚丙烯酸的含量为0.1~0.5wt%；
和/或，所述碳酸钾的含量为0.5~1.5wt%；
和/或，所述烷基季铵盐的含量为0.01~0.1wt%；
和/或，所述阻聚剂的含量为0.5~1.5wt%；
和/或，所述抛光液的pH为10~11。
8.一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括：
将抛光液稀释后对待抛光样品进行抛光处理；
所述抛光液为权利要求1~7任一项所述的化学机械抛光液。
9.根据权利要求8所述的抛光方法，其特征在于，所述待抛光样品为包含二氧化硅的晶圆，所述抛光时间为1~3min，稀释后的抛光液的流速为120~180ml/min。
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