CN117418193A - 一种掩膜板制备方法及掩膜板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种掩膜板制备方法及掩膜板，涉及泛半导体制作技术领域，所述方法包括以下步骤：步骤S1、在透明载板上形成导电膜或半导体膜；步骤S2、在导电膜或半导体膜形成光阻膜；步骤S3、在光阻膜上光刻掩膜片图案；步骤S4、在光阻膜上电铸掩膜片，得到掩膜片组件；步骤S5、将掩膜片组件与掩膜框贴合绑定，得到掩膜框组件；步骤S6、通过脱模处理，将掩膜框组件中的载板、导电膜或半导体膜、光阻膜与掩膜片及掩膜框分离，得到掩膜板。所述制备方法通过在脱模处理前先将掩膜片组件与掩膜框贴合绑定，通过透明载板的固定作用，可避免掩膜片破裂和下沉，使制备得到的掩膜板，不但厚度较薄，具有较高的像素分辨率，且不易皱褶，具有更好的蒸镀效果。
Description
技术领域
本发明涉及泛半导体制作技术领域，特别涉及一种掩膜板制备方法及掩膜板。
背景技术
OLED显示器相较于LCD显示器具有很多优势，例如色彩再现好、响应时间短、低温特性好，且厚度可以做到更薄、重量更轻、柔性好，因此OLED显示器以其优异的性能正在取代已打下巨大市场的LCD显示器。
OLED显示屏制造用蒸镀机中，为将RGB发光层有机材料分别蒸镀到基板的RGB像素点上，设置有发光层蒸镀室，蒸镀室内设置有蒸镀时遮蔽其它像素的精密掩膜板(FMM)。由于有机材料蒸气的一部分蒸镀至基板时，有一定的蒸发入射角，这些蒸发入射角导致有机膜的填充均匀度下降。为使基板像素内均匀充填有机膜，往往将掩膜片制作得很薄，以降低蒸发入射角的影响。通常像素分辨率越高，需要的掩膜片越薄，但是，掩膜片越薄，其强度则越弱。然而，强度弱的掩膜片容易起皱或破裂，给搬送、绑定和蒸镀带来难解之题。因此，如何获得厚度薄、强度高的精密掩膜板是现有技术亟待解决的问题。
申请号为201710261890.5的中国发明专利公开了一种电铸掩膜板的脱模方法，通过该脱模方法，可获得厚度较薄的掩膜片。但是该方法仅制备得到掩膜片，当将掩膜片用于制备掩膜板时，需通过焊接将其绑定于掩膜框上，然而，厚度较薄的掩膜片容易在焊接时中部向下凹陷，特别是掩膜片较大时，凹陷越明显，这会导致焊接完成后，掩膜框中的掩膜片的中部依然处于下凹的部分，不但不利于后续蒸镀时与基板对位，并且在反复蒸镀时，由于磁性盖板的磁吸作用，会使掩膜片反复出现紧贴基板或与基板分离后下凹，如此一来，容易使掩膜片产生皱褶，导致对位不精准，使得蒸镀效果不理想；此外，较薄的掩膜片单独与掩膜框进行焊接绑定时，由于需施加一定的预应力，导致掩膜片容易破裂，最终导致成品率和良品率均不高。
可见，现有技术还有待改进和提高。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种掩膜板制备方法及掩膜板，旨在解决现有掩膜板制备方法无法制备得厚度较薄且不易皱褶、破裂的掩膜片的缺陷。
为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案：
一种掩膜板制备方法，其中，所述方法包括以下步骤：
步骤S1、在透明载板上形成导电膜或/和半导体膜；
步骤S2、在导电膜或半导体膜形成光阻膜；
步骤S3、在光阻膜上光刻掩膜片图案；
步骤S4、在光阻膜上电铸掩膜片，得到掩膜片组件；
步骤S5、将掩膜片组件与掩膜框贴合绑定，得到掩膜框组件；
步骤S6、通过脱模处理，将掩膜框组件中的载板、导电膜或半导体膜、光阻膜与掩膜片及掩膜框分离，得到掩膜板。
所述的掩膜板制备方法中，在所述步骤S5前，还包括将掩膜框冷却收缩的步骤。
所述的掩膜板制备方法中，所述步骤S1、在透明载板上形成导电膜或半导体膜包括通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在透明载板上沉积导电膜或半导体膜。
所述的掩膜板制备方法中，沉积所述半导体膜所采用的氧化物包括氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝中的一种或多种的混合物。
所述的掩膜板制备方法中，所述步骤S1中，所述半导体膜的电阻率为1x10-3～105Ω·m。
所述的掩膜板制备方法中，所述步骤S5中，通过焊接将掩膜片组件与掩膜框贴合绑定。
所述的掩膜板制备方法中，所述步骤S6中，所述脱模处理的方法包括辐照法、机械剥离法或超声剥离法。
一种掩膜板，采用如上所述的方法制备得到，其中，所述掩膜板包括掩膜框和固定于掩膜框上的掩膜片，所述掩膜片的厚度为0.5～30μm。
所述的掩膜板中，所述掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，所述第一掩膜板和第二掩膜板设有一个或多个的支撑梁，所述第一掩膜板和第二掩膜板的蒸镀区互补。
所述的掩膜板中，所述掩膜片设有焊脚，所述掩膜框在对应焊脚的位置设有用于焊接的凹槽。
有益效果：
本发明提供了一种掩膜板制备方法及掩膜板，所述制备方法通过在脱模处理前先将掩膜片组件与掩膜框贴合绑定，通过透明载板的固定作用，可使掩膜片保持水平状态，并且在贴合绑定时不易破裂，进而大大提高掩膜板的成品率和良品率。制备得到的掩膜板，不但厚度较薄，具有较高的像素分辨率，并且其掩膜片的中部区域不会下沉凹陷，不但可提高蒸镀效果，并且在使用过程中，即便在磁性盖板的反复磁吸作用下，掩膜片也不会出现变形和皱褶的现象，可大大提高蒸镀的效果。
附图说明
图1为本发明提供的掩膜板制备方法的工艺流程图一。
图2为掩膜板制备方法的工艺流程图二。
图3为通过结构示意图表示的掩膜板制备步骤。
图4为通过结构示意图表示的设有支撑梁的掩膜板制备步骤。
图5为通过结构示意图表示的设有支撑梁和焊脚的掩膜板制备步骤。
附图中标记：1-透明载板，2-导电膜或半导体膜，3-光阻膜，4-掩膜片，5-掩膜框，6-支撑梁，7-焊脚，8-凹槽，9-凸起物，10-掩膜片组件，11-掩膜框组件，12-掩膜板，12.1-第一掩膜板，12.2-第二掩膜板。
具体实施方式
本发明提供一种掩膜板制备方法及掩膜板，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
制作OLED的过程中，需使用蒸镀机将有机发光材料蒸镀至基板上。在蒸镀时，为了获得特定形状的蒸镀图案，需要使用精密掩膜板12遮蔽其他像素区域。由于掩膜片4的厚度会影响像素的分辨率，像素分辨率会随掩膜片4的厚度增加而降低。然而，厚度降低时会导致掩膜片4容易凹陷和破裂，为了获得厚度较薄且不易凹陷、起皱、破裂的掩膜板12，本发明第一方面提供了一种掩膜板12的制备方法，如图1、图3所示，该方法包括以下步骤：
步骤S1、在透明载板1上形成导电膜或/和半导体膜；
步骤S2、在导电膜或半导体膜2上形成光阻膜3；
步骤S3、在光阻膜3上形成掩膜片4图形；
步骤S4、电铸掩膜片4，得到掩膜片组件10；
步骤S5、将掩膜片组件10与掩膜框5贴合绑定，得到掩膜框组件11；
步骤S6、通过脱模处理，将掩膜框组件11中的载板、导电膜或半导体膜2、光阻膜3与掩膜片4及掩膜框5分离，得到掩膜板12。
上述制备步骤中，所述步骤S1中，通过在透明载板1上形成导电膜或/和半导体膜，可使透明载板1具有导电性，同时，该导电膜或/和半导体膜可提高透明载板1对光阻膜3的吸附性；所述步骤S2中，通过涂布工艺在透明载板1上形成光阻膜3，该光阻膜3便于后续通过光刻方式获得掩膜片4图案，并且，该光阻膜3的厚度大于待形成的掩膜片4的厚度；所述步骤S3中，通过光刻的方式在光阻膜3上形成掩膜片4图形，该掩膜片4图形对应的区域无光阻材料，可使导电膜或半导体膜2裸露，因而便于后续通过电铸的方式在导电膜或半导体膜2裸露的位置形成掩膜片4，而光阻膜未被光刻的位置对应的是掩膜片4的蒸镀区；所述步骤S4中，通过在光阻膜3光刻的部分处电铸掩膜片4，可形成具有蒸镀图案的掩膜片4，并且，由于此时的掩膜片4附着于透明载板1上，因此不会出现中部下沉或凹陷的现象；所述步骤S5中，将包含有透明载板1、导电膜或/和半导体膜、光阻膜3及掩膜片4的掩膜片组件10与掩膜框5贴合绑定，由于贴合绑定时透明载板1与掩膜片4处于一体，可使掩膜片4保持水平状态，因此，在绑定的前后，掩膜片4的中部均不会出现下沉的现象，并且在绑定时，通过透明载板的支撑作用，超薄的掩膜片4也不会破裂；所述步骤S6中，通过将透明载板1、导电膜或/和半导体膜2、光阻膜3与掩膜片4进行脱模处理，即可得到只具有掩膜片4和掩膜框5的掩膜板12，其中，脱模处理包括采用辐照法使光阻膜3、掩膜片4与透明载板1初步分离，再采用机械剥离法或超声剥离法将光阻膜3与掩膜片4分离，通过多种脱模方式相结合，可使掩膜片4保持完整，不易破裂。
需要说明的是，由于沉积导电膜或半导体膜、涂布光阻膜、光刻光阻膜、辐照法脱模和机械剥离法、超声剥离法脱模均为先有技术，在此不作详细说明。
通过上述制备方法制备得到的掩膜板12，不但可使掩膜片4保持非常薄的厚度，并且由于其是在脱模前将掩膜片4固定于掩膜框5上，因此，不会出现在焊接时掩膜片4破裂的情况；其次，掩膜片组件10中的透明载板1及光阻膜3可使掩膜片4在与掩膜框5贴合绑定时处于水平状态，避免其中部下沉，因此，一方面可保证掩膜片4与掩膜框5对位精准，焊接得到的掩膜板12具有更高的精度，可提高后续蒸镀的效果；另一方面，由于掩膜片4没有向下凹陷，因此在后续蒸镀时，即便反复使用，在磁性盖板的反复磁吸作用下，掩膜片4也不会出现变形和皱褶的现象，可大大提高蒸镀的效果。
现有技术中，通常采用透明导电基板作为载板，如氧化铟锡(ITO)玻璃或者掺杂氟的二氧化锡(FTO)玻璃。但是，这类透明导电基板表面光滑，导致光阻膜3难以在其表面附着。对此，在本发明中，采用透明的载板作为基材，并在其表面沉积一层导电膜或/和半导体膜，由于导电膜或半导体膜2具有导电性，不但便于后续进行电铸掩膜片4，同时，该导电膜或半导体又能增加透明载板1对光阻膜3的吸附性。
具体实施过程中，可通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在载板表面沉积导电膜或半导体膜2，又或者先沉积导电膜，然后再沉积半导体膜，均可实现使载板表面具有导电性。优选的方式为在载板表面先沉积导电膜后，再沉积一层半导体膜，这样可较好的提高光阻膜3的附着性。
由于半导体膜的导电性会影响后续电铸掩膜片4的速度，当同样膜厚的场合，电阻率较大时，可降低电铸的速度，进而获得结构致密的掩膜片4，但是电阻率过大时会使得电铸速度过慢，电铸效率过低；然而电阻率较小，虽然可提高电铸的速度，但是难以控制掩膜片4的厚度，因此难以获得厚度较薄的掩膜片4。对此，在一种较佳的实施例中，所述步骤S1中，用于制备所述半导体膜所采用的氧化物包括氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝中的一种或多种的混合物，这些氧化物形成的半导体膜，通过调整可使其电阻率为1x10-3～1x105Ω·m，具有合适的导电性能，可使后续电铸的速度适中，获得厚度较薄的掩膜片4，同时其对光阻膜3又具有较好的附着力。
所述光阻膜的材料为在激光作用下容易分解、融化或烧蚀的高聚合物，如含有光敏性聚酰亚胺的光刻胶，或者还添加有碳纳米粒子的光刻胶，通过涂布的方式设置于导电膜或/和半导体膜的表面。通过该光阻膜，可利用光刻的方式在透明载板1上形成目标形状的掩膜片4图形，便于后续进行电铸掩膜片4。
在一种较佳的实施例中，所述步骤S5中，是通过激光焊接的方式将掩膜片组件10与掩膜框5贴合绑定，如，通过激光焊接，将掩膜片4的边缘与掩膜框5的边框焊接。
在另一种较佳的实施例中，为了避免掩膜片4中部向下凹陷，所述掩膜框5的中部设有支撑梁6，因此，进行激光焊接时，不仅仅将掩膜片4的边缘与掩膜框5的边框进行焊接，同时还将掩膜片4的非蒸镀区与支撑梁6焊接，这样使得掩膜片4与掩膜框5的连接更稳固，同时，设置的支撑梁6能从掩膜片4的中部托起掩膜片4，避免其下沉变形。
由于通过焊接将掩膜片绑定于掩膜框时，会在焊接位置留下凸起的焊点，这些焊点在蒸镀时会与基板接触，容易划伤基板。对此，在一种较佳的实施例中，所述掩膜片4设有折弯的焊脚7，所述掩膜框5在对应焊脚7的位置设有凹槽8，在焊接时，通过焊脚7和凹槽8，不但可快速对位，并且，焊接完成后，形成的焊点位于凹槽中，因此，在蒸镀时，基板表面不会与焊点接触，可避免焊点划伤基板。
需要说明的是，当掩膜框设有支撑梁时，所述支撑梁上也设有用于焊接的凹槽。
需要进一步说明的是，所述掩膜片4或掩膜框5可以是方形的，也可以是圆形的，或者是其他形状，在此不做限定。
然而，虽然通过将掩膜片4与载板脱模前将掩膜片4固定于掩膜框5上可使掩膜片4的与掩膜框5连接时处于水平展开的状态，但是，由于重力的作用，该种方法制备得到的掩膜板12，其掩膜片4还是会轻微出现下沉凹陷变形的现象，这种凹陷变形在蒸镀时因磁性盖板的反复作用会形成皱褶，最终导致对位不精准，蒸镀效果差。对此，在一种较佳的实施例中，如图2所示，在步骤S5前，还包括步骤A1、将掩膜框5冷却收缩的步骤，如，通过冷却板使掩膜框5降温收缩，使焊接前的掩膜框5小于其常温时的尺寸，因此，将掩膜片4焊接于冷却收缩后的掩膜框5上，待焊接完毕恢复常温时，掩膜框5会膨胀，进而使掩膜片4受到拉伸的应力，可使掩膜片4处于向四周张紧的状态，避免因中部重力导致的凹陷，使掩膜片4保持水平，易于蒸镀时对位。具体实施过程中，可根据掩膜框5的材质及掩膜片4所需的拉伸力的大小来确定冷却收缩的程度，以确保掩膜片4处于水平伸展的状态。
由此可见，通过本发明所述的掩膜片4的制备方法，通过先将掩膜片4组合与掩膜框5贴合绑定，然后再进行脱模处理，不但可获得厚度较薄的掩膜片4，并且能使掩膜片4保持水平舒展，不出现下沉凹陷、皱褶和破裂的现象；此外，通过将掩膜框5进行冷却收缩处理，利用热胀冷缩的原理，可使制备得到的掩膜片4受到向往伸展的应力，进而能避免凹陷和皱褶。
本发明第二方面还提供一种掩膜板12，该掩膜板12采用如上所述的掩膜板12制备方法制备得到，如图3所示，所述掩膜板12包括掩膜框5和固定于掩膜框5上的掩膜片4，所述掩膜片4的厚度为0.5～30μm，因此，当应用于蒸镀工艺时，可形成较大的蒸发入射角，使蒸镀形成的发光层像素内膜厚更为均匀，像素分辨率更高，具有更好的光学性能。
然而，掩膜片4的厚度越薄，虽然可使蒸镀得到有机发光层的像素分辨率更高，但是，厚度越薄则掩膜片4的强度越弱，特别是当掩膜片4比较大时，由于掩膜框5只有四周的边框，使得掩膜片4的支撑来源于四边，但是在重力作用下，掩膜片4的中部容易起皱或破裂，导致搬运难度或使用的难度增大。对此，在一种较佳的实施例中，如图4所示，所述掩膜框5的中部设有一条或多条支撑梁6，如横向或纵向设置的一条或多条支撑梁6，又或者是纵横交错设置的一条或多条支撑梁6，所述支撑梁6的上表面与掩膜边框的承载面齐平，因此，通过支撑梁6的支撑作用，可使掩膜片4的中部区域不再下垂，一方面，可降低掩膜片4起皱或破裂的几率，另一方面，可使掩膜片4的边部和中部保持在同一水平面上，进而使掩膜片4对位更精准，蒸镀效果更好。
例如，所述掩膜框5的中部设有三条支撑梁6，三条支撑梁6水平等距设置，所述掩膜片4固定于所述掩膜框5的承载面上，其蒸镀区设置于相邻两条支撑梁6之间或支撑梁6与掩膜边框之间。
然而，由于设置的支撑梁6会遮挡部分掩膜片4，导致所述掩膜板12通过一次蒸镀无法在基板上形成完整的有机发光层，致使基板的利用率降低，导致成本提高。对此，在一种较佳的实施例中，所述掩膜板12包括第一掩膜板12.1和第二掩膜板12.2，所述第一掩膜板12.1和第二掩膜板12.2均设有一个或多个的支撑梁6，并且所述第一掩膜板12.1和第二掩膜板12.2的蒸镀区互补。因此，通过两次蒸镀，即可在基板上形成完整的蒸镀图案。
例如，所述第一掩膜板12.1由掩膜框5和固定于掩膜框5承载面上的掩膜片4，所述掩膜框5的中设有一支撑梁6，该支撑梁6将掩膜框5分隔为左右两个区域，所述掩膜片4的蒸镀图案设置于支撑梁6与掩膜边框之间的区域内。由于支撑梁6的遮挡，导致通过第一掩膜板12.1无法在基板表面形成完整的图案，所以，所述第一掩膜板12.1和第二掩膜板12.2的掩膜框5中，其蒸镀图案所对应的区域应与第一掩膜板12.1支撑梁6所在位置相对应，并且其蒸镀图案能与第一掩膜板12.1的蒸镀图案相互补，因此，通过以第一掩膜板12.1作为掩膜板12进行一次蒸镀后，再以第二掩膜板12.2作为掩膜板12进行第二次蒸镀，通过两次蒸镀，可在基板上得到完整的蒸镀图案，提高基板的利用率。
前述实施例中，所述掩膜片4是通过焊接固定于掩膜框5上，由于焊接时会在表面形成向上凸起的焊点，这些凸起的焊点在蒸镀时容易划伤基板。对此，在一种较佳的实施例中，如图5所示，所述掩膜片4的四周设有呈弯折状的焊脚7，所述掩膜框5在对应焊脚7的位置设有用于焊接的凹槽8，这些凹槽的位置低于掩膜框的承载面，焊接前，将掩膜片4置于掩膜框5上，掩膜片4的焊脚7伸入凹槽8内，再通过焊接，使掩膜片4稳定的固定于掩膜框5上。因此，通过设置焊脚和凹槽，可使形成的焊点位于凹槽中，由于凹槽的位置低于掩膜框的承载面，因此，在蒸镀时可避免焊点与基板接触，进而可防止焊点划伤基板；同时，通过焊脚7与凹槽8对位，能使掩膜片4与掩膜框5的连接更为精准。
需要说明的是，为了制备具有焊脚7的掩膜板12，所述透明载板1在对应焊脚7的位置设有凸起物9，对应的，形成的导电膜、半导体膜也会形成凸起物9。
在一种较佳的实施例中，所述凹槽8的横截面为直角梯形，其斜边对应的槽壁靠近掩膜框5的内侧；所述焊脚7为与直角梯形相适配的焊接，其折弯部的下表面紧贴斜边及底边，因此，在焊接前，更利于掩膜片4与掩膜框5对位。
对于设有支撑梁6的掩膜框5，所述支撑梁6上也设有横截面为等腰梯形结构的凹槽8，所述掩膜在对应支撑梁6凹槽8的位置设有横截面为等腰梯形结构的焊脚7，因此，通过焊接，可使掩膜片4的中部固定于支撑梁6上，使掩膜片4的固定更稳固。
综上所述，本发明公开的一种掩膜板12制备方法和掩膜板12，通过采用特殊的制备步骤，可获得掩膜片4厚度较薄的掩膜板12，蒸镀时，可大大提高像素分辨率，并且，由于该掩膜板12在制备时先将掩膜片4焊接于掩膜框5上，再进行脱模处理，可避免掩膜片4下沉凹陷，进而不会因反复蒸镀使用出现皱褶，也不易破裂。
在本发明实施方式的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”、“上”“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明实施方式的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种掩膜板制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S1、在透明载板上形成导电膜或/和半导体膜；
步骤S2、在导电膜或半导体膜形成光阻膜；
步骤S3、在光阻膜上光刻掩膜片图案；
步骤S4、在光阻膜上电铸掩膜片，得到掩膜片组件；
步骤S5、将掩膜片组件与掩膜框贴合绑定，得到掩膜框组件；
步骤S6、通过脱模处理，将掩膜框组件中的载板、导电膜或半导体膜、光阻膜与掩膜片及掩膜框分离，得到掩膜板。
2.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法，其特征在于，在所述步骤S5前，还包括将掩膜框冷却收缩的步骤。
3.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤S1、在透明载板上形成导电膜或半导体膜包括通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在透明载板上沉积导电膜或半导体膜。
4.根据权利要求3所述的掩膜板制备方法，其特征在于，沉积所述半导体膜所采用的氧化物包括氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝中的一种或多种的混合物。
5.根据权利要求4所述的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述半导体膜的电阻率为1x10-3～105Ω·m。
6.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，通过焊接将掩膜片组件与掩膜框贴合绑定。
7.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤S6中，所述脱模处理的方法包括辐照法、机械剥离法或超声剥离法。
8.一种掩膜板，采用如权利要求1-7任一项所述的方法制备得到，其特征在于，所述掩膜板包括掩膜框和固定于掩膜框上的掩膜片，所述掩膜片的厚度为0.5～30μm。
9.根据权利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，所述第一掩膜板和第二掩膜板设有一个或多个的支撑梁，所述第一掩膜板和第二掩膜板的蒸镀区互补。
10.根据权利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜片设有焊脚，所述掩膜框在对应焊脚的位置设有用于焊接的凹槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311405865.1A CN117418193A (zh) | 2023-10-26 | 2023-10-26 | 一种掩膜板制备方法及掩膜板 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202311405865.1A CN117418193A (zh) | 2023-10-26 | 2023-10-26 | 一种掩膜板制备方法及掩膜板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117418193A true CN117418193A (zh) | 2024-01-19 |
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ID=89524309
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202311405865.1A Pending CN117418193A (zh) | 2023-10-26 | 2023-10-26 | 一种掩膜板制备方法及掩膜板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117418193A (zh) |
-
2023
- 2023-10-26 CN CN202311405865.1A patent/CN117418193A/zh active Pending
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