CN117396762A - 微波的泄漏检测方法以及微波的泄漏检测装置 - Google Patents
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Abstract
[技术问题]本发明提供一种在防爆区域内使用的微波的泄漏检测装置。[解决手段]微波的泄漏检测装置(1)具备:防爆构造的防爆传感器(10a),能够检测电场及磁场中的至少一者的增加;以及检测部(20),根据由防爆传感器(10a)检测到电场及磁场中的至少一者的增加而检测微波的泄漏。防爆传感器(10)是感应型的防爆接近传感器,具有检测线圈(11)以及内部电路(12)。
Description
技术领域
本发明涉及检测微波的泄漏的泄漏检测方法及泄漏检测装置、以及其中使用的传感器装置。
背景技术
在处理可燃性的气体、蒸汽、粉尘等的工序中,通常,将能够使用电子设备的区域规定为防爆区域。这是因为,有可能电子设备成为火源,发生爆炸。因此,在防爆区域内使用具有防爆构造的电子设备,以免成为火源。
发明内容
本发明所要解决的技术问题
存在在防爆区域内进行微波的照射工序的情况。在这种情况下,存在要检测微波的泄漏的需求,但是目前,无法广泛地使用具有能够检测微波的泄漏的防爆构造的传感器,存在当在防爆区域内进行微波的照射时难以检测微波的泄漏的问题。
本发明是鉴于这种问题而提出的,其目的在于提供一种用于在防爆区域内进行微波的照射时检测微波的泄漏的微波的泄漏检测方法及微波的泄漏检测装置、以及其中使用的传感器装置。
用于解决技术问题的技术方案
为了达成上述目的,本发明的一个方式的微波的泄漏检测方法包括:在防爆区域中,在要检测微波的泄漏的部位配置能够检测电场及磁场中的至少一者的增加的防爆构造的一个或者两个以上的传感器的步骤;以及根据由一个或者两个以上的传感器中的至少任一者检测到电场及磁场中的至少一者的增加而检测微波的泄漏的步骤。
另外,在本发明的一个方式的微波的泄漏检测方法中,传感器也可以是感应型或者静电容型的防爆接近传感器,在检测微波的泄漏的步骤中,在传感器的输出为与物体检测相应的输出时检测出微波的泄漏。
另外,在本发明的一个方式的微波的泄漏检测方法中,也可以在配置传感器的步骤中,将一个或者两个以上的传感器配置在具有导入微波的空间的中空部件的凸缘的接合部,在检测微波的泄漏的步骤中,在向空间导入微波时进行微波的泄漏的检测。
另外,在本发明的一个方式的微波的泄漏检测方法中,也可以在配置传感器的步骤中,将一个或者两个以上的传感器配置在用于防止微波从进行微波的照射的容器的内部向外部泄漏的扼流圈构造的外部侧,在检测微波的泄漏的步骤中,在容器内照射微波时进行微波的泄漏的检测。
另外,在本发明的一个方式的泄漏检测方法中,传感器具有指向性,在配置传感器的步骤中,也可以将一个或者两个以上的传感器配置成能够检测泄漏的方向的微波。
本发明的一个方式的微波的泄漏检测装置具备:防爆构造的传感器,能够检测电场及磁场中的至少一者的增加;以及检测部,根据由传感器检测到电场及磁场中的至少一者的增加而检测微波的泄漏。
另外,在本发明的一个方式的微波的泄漏检测装置中,传感器也可以是感应型或者静电容型的防爆接近传感器。
本发明的一个方式的微波的泄漏检测用的传感器装置具备:感应型或者静电容型的防爆构造的防爆接近传感器;以及保护部件,设置成包围防爆接近传感器的物体检测范围,且使微波透过。
本发明的一个方式的微波的泄漏检测用的传感器装置具备:防爆构造的传感器,能够检测电场及磁场中的至少一者的增加;以及反射部件,设置于传感器的周围,用于向传感器引导微波。
另外,在本发明的一个方式的传感器装置中,传感器也可以是感应型或者静电容型的防爆接近传感器。
发明的效果
根据本发明的一个方式的微波的泄漏检测方法以及微波的泄漏检测装置,能够通过将能够检测电场及磁场中的至少一者的增加的防爆构造的传感器配置在防爆区域中试图检测微波的泄漏的位置,从而在防爆区域内进行微波的照射时检测微波的泄漏。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式的微波的泄漏检测装置的结构的示意图。
图2A是用于说明该实施方式中的、使用防爆传感器的实验的图。
图2B是用于说明该实施方式中的、使用防爆传感器的实验的图。
图3A是示出该实施方式的微波的泄漏检测装置的其他结构的示意图。
图3B是示出该实施方式的微波的泄漏检测装置的其他结构的示意图。
图4是示出该实施方式的微波的泄漏检测装置的其他结构的示意图。
图5是示出该实施方式中的、具有保护部件的传感器装置的图。
图6A是示出该实施方式中的、具有反射部件的传感器装置的图。
图6B是示出该实施方式中的、具有反射部件的传感器装置的图。
图6C是示出该实施方式中的、具有保护部件以及反射部件的传感器装置的图。
图7A是示出该实施方式中的、具有反射部件的传感器装置的图。
图7B是示出该实施方式中的、具有反射部件的传感器装置的剖视图。
图8A是用于说明该实施方式中的防爆传感器的配置的图。
图8B是用于说明该实施方式中的防爆传感器的配置的图。
图8C是用于说明该实施方式中的防爆传感器的配置的图。
图9是用于说明该实施方式中的防爆传感器的配置的图。
图10是用于说明该实施方式中的防爆传感器的配置的图。
图11A是用于说明该实施方式中的防爆传感器的配置的图。
图11B是用于说明该实施方式中的防爆传感器的配置的图。
具体实施方式
以下,利用实施方式,对本发明的一个方式的微波的泄漏检测方法及微波的泄漏检测装置以及其中使用的传感器装置进行说明。此外,在以下的实施方式中,赋予相同的附图标记的结构要素是相同或者相应的,存在省略再次说明的情况。本实施方式的微波的泄漏检测方法以及微波的泄漏检测装置使用防爆构造的传感器检测微波的泄漏。另外,本实施方式的传感器装置是用于该微波的泄漏的检测的装置。
图1、图3A、图3B、图4是示出本实施方式的微波的泄漏检测装置1的结构的示意图。微波的泄漏检测装置1具备:防爆构造的防爆传感器10,能够检测电场及磁场中的至少一者的增加;以及检测部20,根据由防爆传感器10检测到电场及磁场中的至少一者的增加而检测微波的泄漏。此外,在图1中,示出了作为感应型的防爆接近传感器的防爆传感器10a,在图3A、图3B中,示出了作为静电容型的防爆接近传感器的防爆传感器10b,在图4中,示出了作为磁型的防爆接近传感器的防爆传感器10c。在不特别区分防爆传感器10a、10b、10c的情况下,如上所述称为防爆传感器10。防爆传感器10例如也可以是耐压防爆构造、内压防爆构造、增安防爆构造、充油防爆构造、或者本质安全防爆构造的传感器。耐压防爆构造、内压防爆构造等的种类优选选定与防爆区域的类别相适的种类。
在图1中,作为感应型的防爆接近传感器的防爆传感器10a具有检测线圈11以及内部电路12。在作为接近传感器使用防爆传感器10a的情况下,内部电路12通过检测线圈11产生高频磁场。而且,当金属物体靠近时,在该金属物体中流过感应电流(涡电流),检测线圈11的阻抗发生变化。内部电路12能够根据该阻抗的变化,检测物体。另一方面,如图1所示,在向检测线圈11照射微波5的情况下,由于高频磁场被扰乱而检测线圈11的阻抗发生变化,因此内部电路12与物体检测同样地,还能够检测微波。即,检测部20也可以在来自防爆传感器10a的输出为与物体检测相应的输出时,检测出微波的泄漏。此外,在来自防爆传感器10a的输出为与物体检测相应的输出的情况下,检测线圈11的位置中的微波的电磁场的强度超过固定值。因此,防爆传感器10a也可以认为是能够检测电场及磁场中的至少一者的增加的传感器。
使用感应型的防爆接近传感器,进行了微波的检测实验。在本实验中,如图2A所示,以使与波导管的凸缘的接合部的距离为L的方式配置防爆传感器10a,并进行了从波导管的凸缘的接合部泄漏的微波的检测。在图2A中,用虚线示出的检测线圈11位于防爆传感器10a的左侧。本实验在图2中的距离L为5cm的位置处的微波的泄漏量为3(mW/cm2)的状况下进行了微波的检测。通过Narda公司制造的高频电磁场测量器(显示器:NBM-520、探针:E0391)测量了微波的泄漏量。另外,作为防爆传感器10a,使用了IDEC公司制造的检测距离为5mm、10mm、15mm的三个防爆构造的接近传感器。实验结果如以下表格所示。
[表1]
在检测距离为5mm的接近传感器中,虽然无法检测到微波,但是在检测距离为10mm、15mm的接近传感器中,能够分别在距离L=1cm、3cm中检测到微波。这些距离处的电磁场强度如以上表格所记载。另外,在如图2B所示配置防爆传感器10a的情况下,无法检测到微波。因此,在用于实验的防爆传感器10a中,无法检测到图1中箭头D1方向的微波5,而能够检测到箭头D2方向的微波5。因此,作为感应型的防爆接近传感器的防爆传感器10a具有指向性。另外,确认了防爆接近传感器的检测距离越长,微波的检测灵敏度越高,即使是较弱的微波也能够检测出来。因此,只要使用与要检测的微波的强度相应的检测距离的防爆接近传感器即可。此外,接近传感器的检测距离是指,在从检测面在垂直方向上靠近标准检测体的情况下,接近传感器动作时的距离。
在图3A中,作为静电容型的防爆接近传感器的防爆传感器10b具有电极13、以及内部电路14。在作为接近传感器使用防爆传感器10b的情况下,内部电路14例如具有高频振荡电路,当电介质等的物体靠近时,电极13的电荷发生变化,能够通过与之相应地变化的振荡状态来检测物体。另一方面,如图3A所示,在向电极13照射微波的情况下,由于电极13的电荷也发生变化,因此与物体检测同样地,内部电路14能够检测微波。即,检测部20也可以在来自防爆传感器10b的输出为与物体检测相应的输出时,检测出微波的泄漏。此外,在来自防爆传感器10b的输出为与物体检测相应的输出的情况下,电极13的位置处的微波的电场的强度超过固定值。因此、防爆传感器10b也可以称为是能够检测电场及磁场中的至少一者的增加的传感器。
在静电容型的防爆传感器10b中,与图3A的箭头D2的方向的微波5相比,图3A的箭头D1的方向的微波5能够使电极13中的电荷更大地发生变化。因此,防爆传感器10b与箭头D2的方向的微波5相比,更容易检测箭头D1的方向的微波5,具有指向性。
此外,使用静电容型的防爆接近传感器,进行了微波的检测实验的结果,与图3A所示的结构相比,如图3B所示,以与电极13相对置的方式配置金属板23的结构的微波的检测灵敏度高,能够检测更弱的微波。该金属板23通常为平板,优选为与电极13相同程度的大小或者比电极13大。在这种情况下,如图3B所示,防爆传感器10b也可以具有电极13、内部电路14、以及以与电极13相对置的方式设置的金属板23。金属板23相对于电极13,配置在接近传感器的物体检测侧。在图3B所示的防爆传感器10b中,相对于电极13或者金属板23的平面向法线方向前进的微波被金属板23屏蔽从而不到达电极13,因此检测出箭头D2的方向的微波5。因此,图3B所示的防爆传感器10b也具有指向性。
在图4中,作为磁型的防爆接近传感器的防爆传感器10c具有霍尔IC15、以及内部电路16。在作为接近传感器使用防爆传感器10c的情况下,当产生磁场的物体(例如,永久磁石等)靠近时,由该磁场在霍尔IC15中产生霍尔电压。内部电路16能够通过对该霍尔电压进行放大并检测,来检测物体。另一方面,如图4所示,在向霍尔IC15照射微波5的情况下,也由该微波5的磁场在霍尔IC15中产生霍尔电压,因此与物体检测同样地,内部电路16能够检测微波5。即,检测部20也可以在来自防爆传感器10c的输出为与物体检测相应的输出时,检测出微波的泄漏。此外,在来自防爆传感器10c的输出为与物体检测相应的输出的情况下,霍尔IC15的位置处的微波的磁场的强度超过固定值。因此,防爆传感器10c可以称为能够检测电场及磁场中的至少一者的增加的传感器。
在此,对防爆传感器10c为具备作为霍尔元件的霍尔IC15的防爆接近传感器的情况进行了说明,但是防爆传感器10c也可以是取代霍尔IC15具备磁阻元件的防爆接近传感器。在这种情况下,也可以根据该磁阻元件的磁阻的增加检测微波。此外,在霍尔IC15中检测一个方向的磁场,因此使用霍尔IC15的防爆传感器10c具有指向性。另一方面,由于在磁阻元件中检测在检测位置处的磁场的增加,因此使用磁阻元件的防爆传感器10c不具有指向性,既能够检测箭头D1的方向的微波5,也能够检测箭头D2的方向的微波5。另外,即使是使用霍尔IC15的防爆传感器10c,例如,如使用多个霍尔IC15等,在构成为能够覆盖多个检测方向的情况下,也能够作为没有指向性的防爆传感器10c。
此外,作为感应型、静电容型、或者磁型的防爆接近传感器的防爆传感器10a、10b、10c已被市售,因此省略这些的详细的说明。另外,使用防爆传感器10进行检测的微波的频率例如既可以是915MHz、2.45GHz、5.8GHz、24GHz左右,也可以是其他的、从300MHz到300GHz的范围内的频率。
能够检测电场及磁场中的至少一者的增加的防爆构造的防爆传感器10也可以是在感测位置处的微波的强度超过阈值时,输出发生变化的传感器。在能够调整该阈值的情况下,也可以在配置防爆传感器10之前,进行阈值的校准,以能够检测期望的强度的微波的泄漏。另一方面,在使用作为市售的防爆接近传感器的防爆传感器10的情况下,通常,难以进行校准。在这种情况下,也可以通过调整微波泄漏的位置与防爆传感器10的距离,能够检测期望的强度的微波的泄漏。例如,在检测从波导管的凸缘的接合部泄漏的微波的情况下,能够通过在较靠近接合部的位置配置防爆传感器10,来检测较微弱的微波的泄漏,能够通过在较远离接合部的位置配置防爆传感器10,来在泄漏的微波的强度较高的情况下检测微波的泄漏。
检测部20根据由防爆传感器10检测到电场及磁场中的至少一者的增加,检测微波的泄漏。此外,在防爆传感器10为防爆接近传感器的情况下,检测部20也可以在防爆传感器10的输出为与物体检测相应的输出时检测出微波的泄漏。检测部20检测微波的泄漏例如即可以通过预先确定的方法来输出该检测结果,也可以在检测到微波的泄漏时,进行预先确定的控制等的处理。检测结果的输出例如也可以是检测结果的显示、声音输出、发送等。另外,在进行控制等的处理的情况下,例如,在检测到微波的泄漏时,检测部20也可以为了停止微波的照射而进行停止基于微波发生器的微波的产生的控制。此外,防爆传感器10通常配置在防爆区域。另一方面,检测部20通常配置在防爆区域外。这样,在检测部20配置在防爆区域外的情况下,检测部20也可以不是防爆构造。另外,在图1、图3A、图3B、图4中,示出了一个防爆传感器10与检测部20连接的情况,但是理所当然地,也可以是两个以上的防爆传感器10与检测部20连接。因此,微波的泄漏检测装置1也可以具有两个以上的防爆传感器10。在两个以上的防爆传感器10与检测部20连接的情况下,检测部20也可以根据通过两个以上的防爆传感器10中的至少任一者来检测电场及磁场中的至少一者的增加,检测微波的泄漏。
接下来,对本实施方式的传感器装置8进行说明。图5是示出具有设置在防爆传感器10的物体检测范围31的保护部件30的传感器装置8的图,图6A~图6C、图7A、图7B是示出具有用于向防爆传感器10引导微波的反射部件40的传感器装置8的图。在微波的泄漏检测装置1中,也可以取代防爆传感器10使用传感器装置8。
在图5中,传感器装置8具有防爆传感器10、以及保护部件30。该防爆传感器10例如也可以是上述的防爆接近传感器。保护部件30设置成包围防爆传感器10的物体检测范围31。该保护部件30用于不会使物体进入物体检测范围31。因此,保护部件30优选设置为包围整个物体检测范围31。另外,在保护部件30由可被防爆传感器10检测出的材料构成的情况下,为了不使防爆传感器10检测出保护部件30,保护部件30优选不存在于物体检测范围31内。另一方面,在保护部件30由不会被防爆传感器10检测出的材料构成的情况下,保护部件30也可以存在于物体检测范围31内。保护部件30设置成包围防爆传感器10的物体检测范围31是包括,这样由不会被防爆传感器10检测出的材料构成的保护部件30存在于物体检测范围31内的情形在内的概念。通过设置该保护部件30,不是由防爆传感器10检测靠近的物体,而是检测出微波。另外,为了通过防爆传感器10检测出微波,保护部件30优选由使微波透过的材料来构成。使微波透过的材料是介电损耗率小的材料,虽然不做特别限制,但是例如也可以是聚四氟乙烯等氟树脂、石英、玻璃、陶瓷、树脂等。微波透过性材料的介电损耗率例如在检测对象的微波的频率以及检测泄漏时的温度下,优选小于1,更加优选小于0.1,进一步优选小于0.01。
在图6A中,传感器装置8具有防爆传感器10、以及用于向防爆传感器10引导微波5的反射部件40a。反射部件40a设置在防爆传感器10的周围,如图6A所示,也可以是喇叭形状。
在图6B中,传感器装置8具有防爆传感器10、以及用于向防爆传感器10引导微波5的反射部件40b。反射部件40b设置在防爆传感器10的周围,如图6B所示,也可以是抛物线形状。此外,在不特别区分反射部件40a、40b的情况下,如上所述称为反射部件40。对于其他的反射部件也是同样的。
反射部件40例如也可以由微波反射性的材料构成。微波反射性的材料例如也可以是金属。金属虽然不做特别限制,但是例如也可以是不锈钢、碳钢、铝、铝合金、镍、镍合金、铜、铜合金等。
这样,例如,通过使用反射部件40,能够向感应型的防爆接近传感器等存在指向性的防爆传感器10反射并引导微波5,还能够检测与指向性不同的方向的微波。
在图6C中,传感器装置8具有防爆传感器10、保护部件30以及反射部件40a。这样,传感器装置8也可以具有保护部件30与反射部件40两者。
图7A、图7B是示出具有一面开口的长方体形状的反射部件40c、以及配置在该反射部件40c的内部的防爆传感器10的传感器装置8的图。图7A是从开口41侧观察该传感器装置8的图,图7B是图7A的VIIB-VIIB线剖视图。在图7B中,省略防爆传感器10的内部构造。反射部件40c也可以由上述的微波反射性的材料构成。防爆传感器10优选配置在反射部件40c的内部,使得反射部件40c不存在于物体检测范围31。在该传感器装置8中,从开口41向内部导入的微波在反射部件40c的内表面反射,并被防爆传感器10检测。
接下来,对使用微波的泄漏检测装置1的微波的泄漏检测方法进行说明。微波的泄漏检测方法包含:在防爆区域中,在要检测微波的泄漏的部位配置一个或者两个以上的防爆传感器10的步骤;以及根据由该一个或者两个以上的防爆传感器10中的至少任一者检测到电场及磁场中的至少一者的增加而检测微波的泄漏的步骤。
首先,在配置防爆传感器10的步骤中,在防爆区域中,在要检测微波的泄漏的部位配置一个或者两个以上的防爆传感器10。在防爆传感器10具有指向性的情况下,优选将一个或者两个以上的防爆传感器10配置成能够检测泄漏的方向的微波。
要检测微波的泄漏的部位例如也可以是具有导入微波的空间的中空部件的凸缘的接合部。这是因为,在凸缘的接合部中的接合不适当的情况下,微波有可能从该接合部泄漏。具有导入微波的空间的中空部件例如既可以是波导管,也可以是在内部进行微波的照射的容器,也可以是与该容器连接的连接管,还可以是具有导入微波的空间的其他的中空部件。连接管例如也可以是观察窗、原材料等的投入口、生成物等的排出口、清洁管路、吸气口、或者排气口等的连接管。
在这种情况下,也可以在具有导入微波的空间的中空部件的凸缘的接合部配置一个或者两个以上的防爆传感器10。在凸缘的接合部配置防爆传感器10例如即可以是在凸缘的接合部的周围配置防爆传感器10,也可以是在设置于凸缘的接合部的中空部配置防爆传感器10。在此,对于前者使用图8A~图8C进行说明,对于后者使用图9进行说明。
图8A、图8B是示出在波导管51、52的凸缘51a、52a的接合部50的周围配置四个防爆传感器10的例子的图。图8A是从与波导管51、52的中心轴垂直的方向观察波导管51、52的图,图8B是图8A的VIIIB-VIIIB线剖视图。如图8A、图8B所示,通过螺栓53以及螺母54连接圆形的波导管51的凸缘51a与圆形的波导管52的凸缘52a。另外,通过一部分螺栓53来将四个安装器具55固定于凸缘51a,并将防爆传感器10固定于该安装器具55。可以认为从凸缘51a、52a的接合部50泄漏的微波向沿着接合面的方向前进。因此,在防爆传感器10为感应型的防爆接近传感器的情况下,由于存在指向性,因此优选如图8A、图8B所示配置防爆传感器10。即,优选以使泄漏的微波为在图1的箭头D2示出的方向的方式配置防爆传感器10。另外,如图8B所示,四个防爆传感器10优选以波导管51、52的长度方向的中心轴为中心,每隔均等的角度即每隔90度配置。因此,在配置三个防爆传感器10的情况下,如图8C所示,优选以波导管51、52的中心轴为中心,每隔120度配置。这样,在凸缘的接合部的周围配置多个防爆传感器10时,优选以凸缘的中心轴为中心,按照均等的角度配置。
配置在凸缘51a、51b的接合部50的周围的防爆传感器10的个数不限。例如,即可以在凸缘51a、51b的接合部50的周围配置两个防爆传感器10,也可以配置五个以上的防爆传感器10。此外,由于通常是无法事先知晓在接合部50的哪个位置产生微波的泄漏,因此优选将防爆传感器10配置成能够检测从接合部50的任意的位置泄漏的微波。另外,在所配置的防爆传感器10与接合部50的距离短的情况下,也可以配置较多的防爆传感器10,在该距离长的情况下,也可以配置较少的防爆传感器10。
图9是示出在设置于波导管51、52的凸缘51a、52a的接合部50的中空部56配置有防爆传感器10的例子的图。此外,在图9中,省略了用于固定凸缘51a、52a的螺栓以及螺母。中空部56也可以以波导管51、52的中心轴为中心以均等的角度设置多个(例如,三个、四个等)。而且,也可以分别在各个中空部56配置一个防爆传感器10。虽然在图9中进行了省略,但是防爆传感器10的输出用的配线也可以经由设置于接合部50或者凸缘51a的配线用的孔向波导管51、52的外部延伸。
另外,要检测微波的泄漏的位置例如也可以是用于防止微波从进行微波的照射的容器的内部向外部泄漏的扼流圈构造的设置位置。这是因为,在扼流圈构造没有正常运作的情况下,微波有可能从扼流圈构造的部位泄漏。在这种情况下,也可以在用于防止微波从进行微波的照射的容器的内部向外部泄漏的扼流圈构造的外部侧配置一个或者两个以上的防爆传感器10。扼流圈构造例如既可以设置在进行微波的照射的容器与从该容器的外部向内部延伸的搅拌轴之间的间隙,也可以设置在进行微波的照射的容器与可开闭地设置于该容器的门扇或者遮板(shutter)之间的间隙。
图10是示出在内部进行微波的照射的容器61、以及从容器61的外部向内部延伸的搅拌轴62的一例的剖视图。在图10中,在容器61的凸台部61a与搅拌轴62之间的间隙63设置有扼流圈构造。而且,在该扼流圈构造的外部侧设置有多个防爆传感器10。
此外,在此,主要对配置多个防爆传感器10的情况进行了说明,但是也可以配置一个防爆传感器10。在配置一个防爆传感器10的情况下,为了能够适当地检测来自凸缘的接合部等的微波的泄漏,因此也可以使用反射部件40。图11A、图11B是示出在凸缘51a、52a的接合部的周围配置一个防爆传感器10与圆筒形状的反射部件40d的状况的图。图11A是从与波导管51、52的中心轴垂直的方向观察波导管51、52的图,图11B是图11A的XIB-XIB线剖视图。此外,在图11A、图11B中,对于用于将反射部件40d安装于波导管51、52的安装器具,省略了图示。如图11A、图11B所示,在波导管51、52的凸缘51a、52a的接合部的周围以使中心轴与波导管51、52的中心轴一致的方式配置圆筒形状的反射部件40d。因此,在凸缘51a、52a的接合部的任意的部位泄漏的微波在圆筒形状的反射部件40d的内周面、或者波导管51、52的外周面反射并引导至一个防爆传感器10,并由该防爆传感器10检测。这样,通过适当地配置反射部件40,还能够减少防爆传感器10的个数。
接下来,在检测微波的泄漏的步骤中,根据由配置的一个或者两个以上的防爆传感器10中的至少任一者检测到电场及磁场中的至少一者的增加而检测微波的泄漏。也可以在进行微波的照射工序时进行该步骤。即,也可以在向中空部件的内部空间导入微波时,或者,在设置有扼流圈构造的容器内照射微波时,进行微波的泄漏的检测。例如也可以由检测部20进行该微波的泄漏的检测。另外,在检测微波的泄漏的步骤中,在由防爆传感器10中的至少任一者检测到电场及磁场中的至少一者的增加的情况下,例如,既可以输出存在微波的泄漏的情况,或者,也可以进行停止微波产生器的处理等的、用于应对微波的泄漏的处理。
如以上所述,根据本实施方式的微波的泄漏检测装置1以及微波的泄漏检测方法,通过使用能够检测电场及磁场中的至少一者的增加的、市售的防爆传感器10,能够廉价地在防爆区域内检测微波的泄漏。而且,能够根据检测到微波的泄漏而停止微波的照射,或者作业人员从防爆区域退避,能够提高安全性。例如,能够通过将防爆传感器10配置在凸缘的接合部,检测来自该接合部的微波的泄漏。另外,例如,通过将防爆传感器10配置在扼流圈构造的外部侧,能够检测来自该扼流圈构造的部位的微波的泄漏。
另外,在本实施方式的传感器装置8中,通过具有设置在防爆传感器10的感测范围的保护部件30,能够不进行基于防爆传感器10的微波以外的感测,能够不进行微波以外的误检测。另外,能够在传感器装置8具有向防爆传感器10引导微波的反射部件40的情况下,例如,使指向性的方向变化,或者能够通过更少的个数的传感器装置8来检测微波的泄漏,或者使能够通过一个传感器装置8检测到微波的泄漏的范围更宽。
此外,在本实施方式中,主要对防爆传感器10为防爆接近传感器的情况进行了说明,但是也可以不是。防爆传感器10也可以是防爆接近传感器以外的能够检测电场及磁场中的至少一者的增加的防爆构造的传感器。
另外,本发明不局限于以上的实施方式,能够进行各种变更,理所当然地,这些也包含在本发明的范围内。
Claims (8)
1.一种微波的泄漏检测方法,其包括:
在防爆区域中,在具有导入微波的空间的中空部件的凸缘的接合部、或者用于防止微波从所述中空部件的内部向外部泄漏的扼流圈构造的外部侧配置能够检测电场及磁场中的至少一者的增加的防爆构造的一个或者两个以上的传感器的步骤;以及
根据由所述一个或者两个以上的传感器中的至少任一者检测到电场及磁场中的至少一者的增加而检测微波的泄漏的步骤。
2.根据权利要求1所述的微波的泄漏检测方法,其中,
所述传感器是感应型或者静电容型的防爆接近传感器。
3.根据权利要求1或2所述的泄漏检测方法,其中,
所述传感器具有指向性。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的微波的泄漏检测方法,其中,
在检测所述微波的泄漏的步骤中,在所述防爆传感器的输出为与物体检测相应的输出时检测出微波的泄漏。
5.一种微波的泄漏检测装置,其具备:
防爆构造的传感器,能够检测电场及磁场中的至少一者的增加;以及
检测部,根据由所述传感器检测到电场及磁场中的至少一者的增加而检测微波的泄漏,
所述传感器在防爆区域中配置在具有导入微波的空间的中空部件的凸缘的接合部或者用于防止微波从所述中空部件的内部向外部泄漏的扼流圈构造的外部侧。
6.根据权利要求5所述的微波的泄漏检测装置,其中,
所述传感器是感应型或者静电容型的防爆接近传感器。
7.根据权利要求5或6所述的微波的泄漏检测装置,其中,
进一步具备保护部件,所述保护部件设置成包围所述传感器的检测范围,且使微波透过。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的微波的泄漏检测装置,其中,
进一步具备反射部件,所述反射部件设置在所述传感器的周围,用于向所述传感器引导微波。
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