CN117388976A - 一种环形暗场光纤装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种环形暗场光纤装置，涉及晶圆检测技术领域。所述环形暗场光纤装置包括环形光罩以及沿所述环形光罩的内壁圆周排布的环形光纤头阵列，所述环形光纤头阵列中的两个环形光纤头之间具有预定光纤头间隔角度，且所述环形光纤头阵列由连接线缆引出，所述环形光纤头阵列中的每个环形光纤头的光纤NA角度小于光纤倾斜角度，且每个环形光纤头的工作距的范围为5mm‑40mm，每个环形光纤头的环形光纤厚度的范围为8mm‑25mm，利用环形暗场光纤能够更快速有效地检测出晶圆的划痕、颗粒和隐裂等，解决了明场照明很难检测出或容易漏检的技术缺陷，提升了半导体制造领域良率水平。

Description

一种环形暗场光纤装置
技术领域
本申请涉及晶圆检测技术领域，具体涉及一种环形暗场光纤装置。
背景技术
半导体晶圆检测AOI可用于芯片制造的多个制程，如衬底/外延片制造、晶圆光刻后、晶圆刻蚀后、晶圆成膜后以及晶圆CP测试后的外观缺陷检测。半导体晶圆AOI检测需要在低倍镜(典型倍率1X-20X)条件下检测，传统明场照明很难检测出或容易漏检的缺陷，影响半导体制造领域良率水平的提升。
发明内容
有鉴于此，本说明书实施例提供一种环形暗场光纤装置，利用环形暗场光纤能够更快速有效地检测出晶圆的划痕、颗粒和隐裂等，解决了明场照明很难检测出或容易漏检的技术缺陷，提升了半导体制造领域良率水平。
本说明书实施例提供以下技术方案：
提供了一种环形暗场光纤装置，包括环形光罩以及沿所述环形光罩的内壁圆周排布的环形光纤头阵列，所述环形光纤头阵列中的两个环形光纤头之间具有预定光纤头间隔角度，且所述环形光纤头阵列由连接线缆引出，所述环形光纤头阵列中的每个环形光纤头的光纤NA角度小于光纤倾斜角度，且每个环形光纤头的工作距的范围为5mm-40mm，每个环形光纤头的环形光纤厚度的范围为8mm-25mm。
在一些实施例中，所述环形光纤头阵列中的每个环形光纤头均为经过匀光处理的环形光纤头。
在一些实施例中，所述环形光罩的内直径取值范围为40mm-60mm。
在一些实施例中，所述光纤倾斜角度取值范围为20°-70°。
在一些实施例中，每个环形光纤头的光纤头直径不大于3mm。
在一些实施例中，所述预定光纤头间隔角度不大于15°。
在一些实施例中，所述连接线缆的长度为2m-3m。
在一些实施例中，所述连接线缆的直径为15mm。
与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
能够在低倍镜(典型地如倍率1X-20X)条件下快速检测，通过镜筒和物镜工作距设计的合适参数的环形暗场光纤，满足物方照明视场要求，同时利用环形暗场光纤能够更快速有效地检测出晶圆的划痕、颗粒和隐裂等，解决了明场照明很难检测出或容易漏检的技术缺陷，充分发挥了环形暗场光纤在晶圆检测AOI领域的重要价值，最终提升了半导体制造领域良率水平。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请实施例提供的环形暗场光纤装置设置示意图；
图2为本申请一些实施例的环形暗场光纤装置设置示意图；
图3为本申请另一些实施例的环形暗场光纤装置设置示意图；
图4为WD＝7mm、监控板照度接受面置于工作距7mm位置场景的光线追迹模拟结果示意图；
图5为WD＝7mm、监控板照度接受面置于工作距6mm位置场景的光线追迹模拟结果示意图；
图6为暗场环形光纤光源颗粒成像检测与视觉算法Halcon软件识别效果的对比图；
图7为裂纹暗场环形光纤成像效果图与明场同轴光源成像效果图的对比图；
图8为划痕暗场环形光纤成像效果图与明场同轴光源成像效果图的对比图；
图9为晶圆线扫检测缺陷Die Map软件显示示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本申请，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目和方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本申请的基本构想，图式中仅显示与本申请中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践。
如图1至图3所示，本申请实施例提供的环形暗场光纤装置包括环形光罩1以及沿环形光罩1的内壁圆周排布的环形光纤头阵列，环形光纤头阵列中的两个环形光纤头2之间具有预定光纤头间隔角度α，且环形光纤头阵列由连接线缆3引出，环形光纤头阵列中的每个环形光纤头2的光纤NA角度β小于光纤倾斜角度γ，且每个环形光纤头2的工作距H的范围为5mm-40mm，优选地工作距H(也可以用WD表示)为7mm，每个环形光纤头2的环形光纤厚度h的范围为8mm-25mm。
在一些实施例中，环形光纤头阵列中的每个环形光纤头2均为经过匀光处理的环形光纤头。在一些实施例中，环形光罩1的内直径D2取值范围为40mm-60mm。在一些实施例中，光纤倾斜角度γ取值范围为20°-70°。在一些实施例中，每个环形光纤头2的光纤头直径不大于3mm。在一些实施例中，预定光纤头间隔角度α不大于15°。在一些实施例中，光纤NA角度β为60°。在一些实施例中，环形光罩1与连接线缆3可以通过固定螺丝4进行固定。在一些实施例中，连接线缆3的长度为2m-3m。在一些实施例中，连接线缆3的直径为15mm。
在一些实施例中，本申请实施例提供的环形暗场光纤装置用于检测晶圆缺陷：颗粒物、晶圆划痕摩擦、裂纹等；适用于典型1X-20X远心大镜筒方案，其WPH高，检测速度快；也适合倍率1X-20X范围显微物镜方案，其NA值高，可以通过定制油浸物镜和紫外光源进一步实现成像清晰度更高的暗场检测。在一些实施例中，环形暗场光纤端口采用融合技术以提升耐温性能，并搭配基于激光激发荧光粉技术高亮光源使用，可以实现高亮暗场光斑输出，提升缺陷检测速度，对有图和无图检测具有重要意义。在一些实施例中，高亮光源可以采用高功率LED或结合激光照射荧光粉产生高亮白光。
下面结合具体实施例对本申请实施例提供的环形暗场光纤装置，进行示例性说明。主要实施思路如下：1.环形暗场光纤外形设计；2.环形暗场光纤关键参数；3.几何光学三角函数设计不同物方照明视场光斑两种方法；4.进一步评估设计的环形暗场光纤在不同Z位置的光斑均匀性和照明光斑大小；5.实际暗场成像效果进一步评测环形暗场设计；6.晶圆线扫AOI软件界面图，实时评估明场和暗场AOI成像效果，反向可优化环形暗场参数设计。
其中，图1显示了典型的环形暗场光纤外观设计和固定点位方式，图2和图3两个设计环形暗场方法，其中图3成像效果更好，但是实际应用中如果受限镜筒和物镜工作距及本身外观厚度，可以采用图2所示方案。
图4为WD＝7mm、监控板照度接受面置于工作距7mm位置场景的光线追迹模拟结果，图5为WD＝7mm、监控板照度接受面置于工作距6mm位置场景的光线追迹模拟结果，其中其他参数内直径40mm，倾斜角度66°，通过光学追迹模拟不同焦面Z位置，结合光线分布即照度均匀性差异分析安装位置对成像影响；模拟结果表明在图4所示场景中环形暗场光斑均匀性相对更好。
图6为暗场环形光纤光源颗粒成像检测(左)与视觉算法Halcon软件识别效果(右)的对比图，从图中可以看出，采用暗场环形光纤光源颗粒成像检测得到的成像检测效果，优于视觉算法Halcon软件识别效果。图7为裂纹暗场环形光纤成像效果图(右)与明场同轴光源成像效果图(左)的对比图，显出裂纹暗场环形光纤成像效果与比明场同轴光源成像效果好。图8为划痕暗场环形光纤成像效果图(右)与明场同轴光源成像效果图(左)的对比图，显示出划痕暗场环形光纤成像效果优于明场同轴光源成像效果。图9为晶圆线扫检测缺陷DieMap软件显示示意图，图上所有的灰色方块区域(如图上箭头所示的)表示无缺陷Die。可见，环形暗场光纤成像视觉算法识别效果与同轴明场照明相比，显示出了明显的环形暗场光纤优势。
因此，本申请实施例提供的环形暗场光纤装置进行晶圆缺陷检测时，相比现有技术，能够实现以下技术效果：能够在低倍镜(典型地如倍率1X-20X)条件下快速检测，通过镜筒和物镜工作距设计的合适参数的环形暗场光纤，满足物方照明视场要求，同时利用环形暗场光纤能够更快速有效地检测出晶圆的划痕、颗粒和隐裂等，解决了明场照明很难检测出或容易漏检的技术缺陷，充分发挥了环形暗场光纤在晶圆检测AOI领域的重要价值，最终提升了半导体制造领域良率水平。
本说明书中，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例侧重说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于后面说明的产品实施例而言，由于其与方法是对应的，描述比较简单，相关之处参见系统实施例的部分说明即可。
同时，本说明书使用了特定词语来描述本说明书的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本说明书至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一个替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本说明书的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
此外，除非权利要求中明确说明，本说明书所述处理元素和序列的顺序、数字字母的使用、或其他名称的使用，并非用于限定本说明书流程和方法的顺序。尽管上述披露中通过各种示例讨论了一些目前认为有用的发明实施例，但应当理解的是，该类细节仅起到说明的目的，附加的权利要求并不仅限于披露的实施例，相反，权利要求旨在覆盖所有符合本说明书实施例实质和范围的修正和等价组合。例如，虽然以上所描述的系统组件可以通过硬件设备实现，但是也可以只通过软件的解决方案得以实现，如在现有的处理设备或移动设备上安装所描述的系统。
上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本说明书的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本说明书进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本说明书中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本说明书示范实施例的精神和范围。

Claims (8)

1.一种环形暗场光纤装置，其特征在于，包括环形光罩以及沿所述环形光罩的内壁圆周排布的环形光纤头阵列，所述环形光纤头阵列中的两个环形光纤头之间具有预定光纤头间隔角度，且所述环形光纤头阵列由连接线缆引出，所述环形光纤头阵列中的每个环形光纤头的光纤NA角度小于光纤倾斜角度，且每个环形光纤头的工作距的范围为5mm-40mm，每个环形光纤头的环形光纤厚度的范围为8mm-25mm。
2.根据权利要求1所述的环形暗场光纤装置，其特征在于，所述环形光纤头阵列中的每个环形光纤头均为经过匀光处理的环形光纤头。
3.根据权利要求1所述的环形暗场光纤装置，其特征在于，所述环形光罩的内直径取值范围为40mm-60mm。
4.根据权利要求1所述的环形暗场光纤装置，其特征在于，所述光纤倾斜角度取值范围为20°-70°。
5.根据权利要求1所述的环形暗场光纤装置，其特征在于，每个环形光纤头的光纤头直径不大于3mm。
6.根据权利要求1所述的环形暗场光纤装置，其特征在于，所述预定光纤头间隔角度不大于15°。
7.根据权利要求1至6任一项所述的环形暗场光纤装置，其特征在于，所述连接线缆的长度为2m-3m。
8.根据权利要求7所述的环形暗场光纤装置，其特征在于，所述连接线缆的直径为15mm。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050007792A1 (en) * 2003-07-11 2005-01-13 August Technology Corp. Fiber optic darkfield ring light
CN106932399A (zh) * 2015-12-30 2017-07-07 上海微电子装备有限公司 一种暗场照明装置及表面缺陷检测装置
CN111272773A (zh) * 2019-12-31 2020-06-12 浙江大学 一种半导体晶圆表面缺陷的快速超高分辨检测系统
CN112119341A (zh) * 2018-03-20 2020-12-22 统一半导体公司 用于显微镜的照明设备
CN212430512U (zh) * 2020-09-15 2021-01-29 上海微电子装备（集团）股份有限公司 照明装置及暗场检测系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050007792A1 (en) * 2003-07-11 2005-01-13 August Technology Corp. Fiber optic darkfield ring light
CN106932399A (zh) * 2015-12-30 2017-07-07 上海微电子装备有限公司 一种暗场照明装置及表面缺陷检测装置
CN112119341A (zh) * 2018-03-20 2020-12-22 统一半导体公司 用于显微镜的照明设备
CN111272773A (zh) * 2019-12-31 2020-06-12 浙江大学 一种半导体晶圆表面缺陷的快速超高分辨检测系统
CN212430512U (zh) * 2020-09-15 2021-01-29 上海微电子装备（集团）股份有限公司 照明装置及暗场检测系统

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