CN117374552A - 一种低剖面密封型微带至波导的过渡结构及应用 - Google Patents
一种低剖面密封型微带至波导的过渡结构及应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117374552A CN117374552A CN202311650620.5A CN202311650620A CN117374552A CN 117374552 A CN117374552 A CN 117374552A CN 202311650620 A CN202311650620 A CN 202311650620A CN 117374552 A CN117374552 A CN 117374552A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- row
- waveguide
- holes
- microstrip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000007704 transition Effects 0.000 title claims abstract description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 273
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 273
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 104
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
本发明提供一种低剖面密封型微带至波导的过渡结构及应用，包括：介质基片、微带线、金属过孔、基片集成波导、波导探针。所述介质基片采用PCB、LTCC或者薄膜工艺，基片表面、底面均进行金属化处理；微带线，所述过渡结构的输入端，将微带信号过渡至基片集成波导；金属过孔，为上下贯穿结构，连接基片顶层和底层金属；基片集成波导，由部分金属过孔和介于该部分金属过孔间的介质基片组成，将信号导引至波导探针；波导探针，所述过渡结构的输出端，由一个金属过孔和两个金属图案组成，实现基片集成波导的信号输出。基片底层金属通过合金烧结至波导金属腔体上，实现波导口密封。本发明提供一种W频段射频模块微组装电路小型化、密封的解决方案。
Description
技术领域
本发明涉及无线通信设备领域，尤其涉及一种低剖面密封型微带至波导的过渡结构及应用。
背景技术
在电子对抗/通信系统中，W频段的通信、侦查和干扰设备的使用越来越广泛。由于工作频段高，无法使用传统的密封型射频连接器，只能使用低损耗的波导传输；波导需要沿窄边或宽边剖开加工，以及波导探针处难以密封的特点，使得模块难以实现密封，又加上工作频段高，电路基本由裸芯片实现相关的功能性能，若裸芯片长久地暴露在空气中，容易失效或损坏，导致设备故障。
现有的W频段模块密封方案，主要有两种：一种是模块自身不密封，模块装配至整机中，靠整机天线罩或结构件实现密封；另一种是将裸芯片先封装在金属或陶瓷管壳里，再装配至模块中。对于依靠整机天线罩或结构件实现密封的方案，在产品前期联试时，因模块内裸芯片与空气接触，经常出现模块故障的现象。对于将裸芯片先封装在金属或陶瓷管壳里的方案，增加的芯片与管壳外的互联线会带来性能的恶化。
因此，亟需一种既能实现W频段模块波导口密封，又不影响器件性能指标的密封方案。
申请号为CN202210713008.7，发明名称为一种W波段密封型波导微带转换装置及雷达设备。公开波导段垂直于所述微带段形成L型结构；所述波导段从上往下依次分布有过渡腔、波导口以及匹配空气腔，并在所述波导口上覆盖有第一密封介质，所述微带段设有微带电路，所述微带电路从所述匹配空气腔处开始往垂直于所述波导段的方向延伸；经所述过渡腔进入所述波导口的信号透过所述第一密封介质传输至所述匹配空气腔，通过所述匹配空气腔中所述微带电路进行信号转换和传输。通过将转换装置设为L型结构为信号转换和微带传输提供了足够的空间，同时也保持了转换装置小型化结构；并在波导口处设有密封介质，实现对波导口的密封，以将波导口与外界环境进行隔离，提高芯片长期工作的可靠性；且所述密封介质还可透过射频信号，射频信号进入匹配空气腔后通过微带电路将波导传输模式的射频信号转换为微带传输模式的电信号，实现波导到微带转换，满足转换装置的密封性、低损耗以及小型化需求。但该发明整体结构保持了传统的波导、微带信号转换结构，需要借助金属反射面实现信号转换，整个结构剖面高，且受加工精度影响大。
发明内容
本发明的目的在于解决上述现有技术存在的缺陷，提供一种低剖面密封型微带至波导的过渡结构及应用，以解决现有W频段模块无法同时满足密封、又不影响性能指标的问题。
本发明采用如下技术方案：
一种低剖面密封型微带至波导的过渡结构，包括介质基片、微带线、金属过孔、基片集成波导、波导探针。
介质基片进行金属化处理，使介质基片表面、底面均为金属表面。低剖面密封型微带至波导的过渡结构的厚度等于介质基片的厚度。
微带线结构为凹字状结构，且微带线布置在介质基片左侧表面端部，凹字的口朝向介质基片内侧。所述微带线为低剖面密封型微带至波导的过渡结构的输入端，实现基片集成波导的信号输入，将微带信号过渡至基片集成波导。
所述金属过孔为贯穿介质基片并与介质基片表面金属层、底面金属层相连的结构，分为外侧金属过孔、内侧金属过孔和中心金属过孔，外侧金属过孔和内侧金属过孔以微带线的凹字口为轴线对称布置。内侧金属过孔共14个，包括Ⅰ排金属过孔、Ⅱ排金属过孔、Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔、Ⅵ排金属过孔，Ⅰ排金属过孔布置在微带线的凹字腰部，Ⅱ排金属过孔布置在微带线的凹字肩部，Ⅱ排金属过孔与Ⅰ排金属过孔的间距为距离α，Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔以等间距α排列在内侧。外侧金属过孔共14个，包括a排金属过孔、b排金属过孔、c排金属过孔、d排金属过孔、e排金属过孔、f排金属过孔、g排金属过孔，a排金属过孔以距离α平行布置在Ⅲ排金属过孔外，b排金属过孔以距离α平行布置在Ⅳ排金属过孔外，c排金属过孔以距离α平行布置在Ⅴ排金属过孔外，d排金属过孔、e排金属过孔、f排金属过孔、g排金属过孔以等间距α排列，其中，内侧Ⅵ排金属过孔以间距α平行布置在外侧f排金属过孔内侧，Ⅵ排金属过孔为4个，它们之间等间距α布置，中心金属过孔1个，位于IV排金属过孔、V排金属过孔的4个金属过孔中间位置，中心金属过孔尺寸大于其它金属过孔；
所述基片集成波导是由介质基片内侧II排金属过孔、Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔和介于内侧II排金属过孔、Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔之间的介质基片组成；电磁波被限制在介质基片内侧II排金属过孔、Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔和介质基片表面金属层边界、底面金属层边界形成的矩形腔内传播。
所述波导探针为低剖面密封型微带至波导的过渡结构的输出端，由中心金属过孔、电压探针构成，用于实现基片集成波导信号至波导信号的转换，中心金属过孔采用树脂填充，实现基片表面空气腔与基片底面空气腔之间的物理隔离，电压探针在介质基片底面为矩形部分和扇形部分的结合，中心金属过孔位于电压探针的矩形部分。
进一步的，所述微带线、金属过孔、基片集成波导和波导探针在同一块介质基片上，介质基片采用PCB工艺或LTCC工艺或薄膜工艺加工实现。
一种W频段微带波导转化装置，包含低剖面密封型微带至波导的过渡结构、外部输入微带线、键合金丝、输出波导、金属盖板和金属腔体。低剖面密封型微带至波导的过渡结构置于金属腔体内，外部输入微带线与低剖面密封型微带至波导的过渡结构上的微带线通过键合金丝实现互联，低剖面密封型微带至波导的过渡结构的介质基片采用合金烧结至金属输出波导，输出波导开设在金属腔体内且与波导探针的扇形部分相对应。金属盖板盖合在金属腔体上，并对金属盖板与金属腔体的缝隙进行激光封焊。
高频信号通过外部输入微带线、键合金丝、微带线进入基片集成波导的金属过孔和介质基片表面金属层、底面金属层，限制高频信号朝着波导探针方向传输，高频信号经过波导探针，耦合进入输出波导。
低剖面密封型微带至波导的过渡结构采用基片集成波导作为中间结构，将微带信号转换至基片集成波导信号，再将基片集成波导信号通过波导探针，转换为波导信号；微带线上键合金丝与射频芯片或其它微带线互联；波导探针的耦合输出信号通过基片底部的金属波导输出，介质基片底面金属层采用合金烧结至波导金属腔体上，实现基片上下表面空气腔的物理隔离；低剖面密封型微带至波导的过渡结构的剖面薄，其垂直高度等于介质基片的厚度。
本发明的有益效果：
1.本发明既能解决W频段模块波导口不能密封，又不影响模块性能指标。
2.本发明采用基片集成波导基片集成波导作为中间结构，将微带信号转换至基片集成波导信号，再将基片集成波导信号通过波导探针，转换为波导信号；微带线、基片集成波导、波导探针集成于同一块介质基片上，降低了剖面尺寸。
3.本发明采用的树脂填充中心金属过孔和介质基片底面合金烧结至输出波导腔体的处理手段，保证微带信号所在腔体和波导腔体的物理隔离，裸芯片位于微带线所在腔体内，盖上金属盖板，并进行常用的激光封焊操作，可实现裸芯片的完全密封。
附图说明
图1为本发明的主视图；
图2为本发明的剖视图；
图3为本发明的透视图；
图4为本发明的底视图；
图5为本发明的应用封装结构剖视图；
图6为传统微带至波导的过渡结构的应用封装结构剖视图；
图7为本发明的应用封装结构三维示意图；
图8为本发明的应用封装结构的微带至波导信号转换的仿真曲线；
图9为本发明的应用封装结构的应用实例剖视图。
图中：1-低剖面密封型微带至波导的过渡结构、11-介质基片、12-微带线、13-金属过孔、131-外侧金属过孔、132-内侧金属过孔、133-中心金属过孔、14-基片集成波导、15-波导探针、151-电压探针；
2-外部输入微带线、3-键合金丝、4-输出波导、5-金属盖板。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1，参见附图1，本发明的低剖面密封型微带至波导的过渡结构，包括介质基片11、微带线12、金属过孔13、基片集成波导14、波导探针15。
参见附图2，介质基片11采用PCB工艺、LTCC工艺或者薄膜工艺加工实现，主体材料为聚四氟乙烯树脂，聚四氟乙烯树脂包裹一层金属铜，使得介质基片11表面为金属表面，底面为金属表面。微带线12、金属过孔13、基片集成波导14和波导探针15均布置在介质基片11上。低剖面密封型微带至波导的过渡结构1的厚度等于介质基片11的厚度。
参见附图3，微带线12用于实现微带信号的输入。微带线12结构为凹字状结构，微带线12采用PCB工艺加工制作，具体是微带线12通过蚀刻工艺蚀刻介质基片11表面金属铜形成，且微带线12位于介质基片11左侧表面端部，凹字的口朝向介质基片11内侧。
参见附图3，金属过孔13为贯穿介质基片并与介质基片表面金属层、底面金属层相连的结构，分为外侧金属过孔131、内侧金属过孔132和中心金属过孔133，外侧金属过孔131和内侧金属过孔132以微带线的凹字口为轴线对称布置。内侧金属过孔132共14个，包括Ⅰ排金属过孔、Ⅱ排金属过孔、Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔、Ⅵ排金属过孔，Ⅰ排金属过孔布置在微带线12的凹字腰部，Ⅱ排金属过孔布置在微带线12的凹字肩部，Ⅱ排金属过孔与Ⅰ排金属过孔的间距为距离α，Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔以等间距α排列在内侧。外侧金属过孔131共14个，包括a排金属过孔、b排金属过孔、c排金属过孔、d排金属过孔、e排金属过孔、f排金属过孔、g排金属过孔，a排金属过孔以距离α平行布置在Ⅲ排金属过孔外，b排金属过孔以距离α平行布置在Ⅳ排金属过孔外，c排金属过孔以距离α平行布置在Ⅴ排金属过孔外，d排金属过孔、e排金属过孔、f排金属过孔、g排金属过孔以等间距α排列，其中，内侧Ⅵ排金属过孔以间距α平行布置在外侧f排金属过孔内侧，Ⅵ排金属过孔为4个，它们之间等间距α布置，中心金属过孔133共1个，位于IV排金属过孔、V排金属过孔的4个金属过孔中间位置，中心金属过孔尺寸大于其它金属过孔。
所述基片集成波导14是由介质基片11内侧II排金属过孔、Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔和介于内侧II排金属过孔、Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔之间的介质基片组成；电磁波被限制在介质基片11内侧II排金属过孔、Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔和介质基片表面金属层边界、底面金属层边界形成的矩形腔内传播。
参见附图4，所述波导探针15为低剖面密封型微带至波导的过渡结构的输出端，由中心金属过孔133、电压探针151构成，用于实现基片集成波导信号至波导信号的转换，中心金属过孔133采用树脂填充，实现基片表面空气腔与基片底面空气腔之间的物理隔离，电压探针151在介质基片11底面为矩形部分和扇形部分的结合，中心金属过孔133位于电压探针151的矩形部分。
参见附图5和附图7所示，一种W频段微带波导转化装置，包含低剖面密封型微带至波导的过渡结构1、外部输入微带线2、键合金丝3、输出波导4、金属盖板5和金属腔体。低剖面密封型微带至波导的过渡结构1置于金属腔体内，外部输入微带线2与低剖面密封型微带至波导的过渡结构1上的微带线12通过键合金丝3实现互联，低剖面密封型微带至波导的过渡结构的介质基片11采用合金烧结至金属输出波导4，输出波导4开设在金属腔体内且与波导探针15的扇形部分相对应。金属盖板5盖合在金属腔体上，并对金属盖板5与金属腔体的缝隙进行激光封焊。
高频信号通过外部输入微带线2、键合金丝3、微带线12进入基片集成波导14的金属过孔和介质基片11表面金属层、底面金属层结构，限制高频信号朝着波导探针15方向传输，高频信号经过中心金属过孔133、电压探针151，耦合进入输出波导4。中心金属过孔133采用树脂填充，实现基片表面空气腔与基片底面空气腔的物理隔离。
参照附图6所示，一种传统的微带波导转换结构，包含微带线12、外部输入微带线2、键合金丝3、输出波导4和金属盖板5。高频信号通过外部输入微带线2、键合金丝3耦合进入微带线12，并通过金属盖板5反射后进入输出波导4内，整个微带线12置于波导腔体中，波导腔体布置在金属腔体内，微带线12和输出波导4之间没有任何隔离措施，由于输出波导4无法密封，导致微带线12所在腔体也无法密封，微带线12所在腔体内的裸芯片长久暴露在空气中，容易失效或损坏，导致设备故障。
参见附图8，为W波段高频信号在本发明低剖面密封型微带至波导的过渡结构处的信号转换的仿真验证，其仿真方法为：首先在HFSS软件中建好仿真工程，设置单位为mm后再进行画图操作，为提高画图效率，可以利用已经画好的CAD图，并将其导入HFSS仿真工程中，再设置好各部分材料后完成模型建立；再将端口设置为50欧姆阻抗后就可进行仿真。根据仿真结果，在88GHz-97GHz时转换损耗小于0.6dB，回波损耗小于-15dB，仿真证明本发明低剖面密封型微带至波导的过渡结构的可用于匹配W波段，同时达到低损耗的效果。
如图9所示的应用封装结构的应用实例剖视图，共包含4个通道，每个通道包含2个低剖面密封型微带至波导的过渡结构，所有的过渡结构与金属腔体的联结方式与图5和图7结构所采用方式相同，这里不再赘述，所有的芯片介于两个过渡结构之间的金属凹槽内，通过微带线和金丝键合相连。金属盖板盖合后先通过螺钉固定，然后进行激光封焊，实现芯片的完全密封。
本发明的低剖面密封型微带至波导的过渡结构，可以有效解决波导探针处难以密封的问题。同样场景下，本发明低剖面密封型微带波导的过渡结构占用空间可以根据波导尺寸进行调整，整体结构尺寸相较于传统波导探针结构尺寸不会明显增加，加工成本也没有明显上升。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (6)
1.一种低剖面密封型微带至波导的过渡结构，其特征在于,包括介质基片、微带线、金属过孔、基片集成波导、波导探针；
介质基片进行金属化处理，使介质基片表面、底面均为金属表面；
所述微带线为低剖面密封型微带至波导的过渡结构的输入端，微带线结构为凹字状结构，且微带线布置在介质基片左侧表面端部，凹字的口朝向介质基片内侧；
所述金属过孔为贯穿介质基片并与介质基片表面金属层、底面金属层相连的结构，分为外侧金属过孔、内侧金属过孔和中心金属过孔，外侧金属过孔和内侧金属过孔以微带线的凹字口为轴线对称布置；
内侧金属过孔共14个，包括Ⅰ排金属过孔、Ⅱ排金属过孔、Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔、Ⅵ排金属过孔，Ⅰ排金属过孔布置在微带线的凹字腰部，Ⅱ排金属过孔布置在微带线的凹字肩部，Ⅱ排金属过孔与Ⅰ排金属过孔的间距为距离α，Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔以等间距α排列在内侧，外侧金属过孔共14个，包括a排金属过孔、b排金属过孔、c排金属过孔、d排金属过孔、e排金属过孔、f排金属过孔、g排金属过孔，a排金属过孔以距离α平行布置在Ⅲ排金属过孔外，b排金属过孔以距离α平行布置在Ⅳ排金属过孔外，c排金属过孔以距离α平行布置在Ⅴ排金属过孔外，d排金属过孔、e排金属过孔、f排金属过孔、g排金属过孔以等间距α排列，其中，内侧Ⅵ排金属过孔以间距α平行布置在外侧f排金属过孔内侧，Ⅵ排金属过孔为4个，它们之间等间距α布置，中心金属过孔1个，位于内侧IV排金属过孔、V排金属过孔的4个金属过孔中间位置，中心金属过孔尺寸大于其它金属过孔；
所述基片集成波导是由介质基片内侧II排金属过孔、Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔和介于内侧II排金属过孔、Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔之间的介质基片组成，电磁波被限制在介质基片内侧II排金属过孔、Ⅲ排金属过孔、Ⅳ排金属过孔、Ⅴ排金属过孔和介质基片表面金属层边界、底面金属层边界形成的矩形腔内传播；
所述波导探针为低剖面密封型微带至波导的过渡结构的输出端，由中心金属过孔、电压探针构成，中心金属过孔采用树脂填充，实现基片表面空气腔与基片底面空气腔之间的物理隔离，电压探针在介质基片底面为矩形部分和扇形部分的结合，中心金属过孔位于电压探针的矩形部分。
2.根据权利要求1所述的低剖面密封型微带至波导的过渡结构，其特征在于，所述微带线、金属过孔、基片集成波导、波导探针在同一块介质基片上，介质基片采用PCB工艺或LTCC工艺或薄膜工艺加工实现。
3.根据权利要求1所述的低剖面密封型微带至波导的过渡结构，其特征在于，微带线实现基片集成波导的信号输入，将微带信号过渡至基片集成波导。
4.根据权利要求1所述的低剖面密封型微带至波导的过渡结构，其特征在于，波导探针用于实现基片集成波导信号至波导信号的转换。
5.根据权利要求1所述的低剖面密封型微带至波导的过渡结构，其特征在于，低剖面密封型微带至波导的过渡结构的厚度等于介质基片的厚度。
6.一种W频段微带波导转化装置，其特征在于，包含权利要求1中低剖面密封型微带至波导的过渡结构、外部输入微带线、键合金丝、输出波导、金属盖板和金属腔体，低剖面密封型微带至波导的过渡结构置于微带信号所在金属腔体，外部输入微带线与低剖面密封型微带至波导的过渡结构上的微带线通过键合金丝实现互联，低剖面密封型微带至波导的过渡结构的介质基片采用合金烧结至输出波导，输出波导开设在金属腔体内且与波导探针的扇形部分相对应，金属盖板盖合在金属腔体上，并对金属盖板与金属腔体的缝隙进行激光封焊；
高频信号通过外部输入微带线、键合金丝、微带线进入基片集成波导的金属过孔和介质基片表面金属层、底面金属层，限制高频信号朝着波导探针方向传输，高频信号经过中心金属过孔、电压探针，耦合进入输出波导。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311650620.5A CN117374552B (zh) | 2023-12-05 | 2023-12-05 | 一种低剖面密封型微带至波导的过渡结构及应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311650620.5A CN117374552B (zh) | 2023-12-05 | 2023-12-05 | 一种低剖面密封型微带至波导的过渡结构及应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117374552A true CN117374552A (zh) | 2024-01-09 |
| CN117374552B CN117374552B (zh) | 2024-02-02 |
Family
ID=89393233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311650620.5A Active CN117374552B (zh) | 2023-12-05 | 2023-12-05 | 一种低剖面密封型微带至波导的过渡结构及应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117374552B (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2500978A1 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-19 | Sivers Ima AB | Waveguide transition |
| US20150054593A1 (en) * | 2013-08-26 | 2015-02-26 | Microelectronics Technology, Inc. | Multi-layer circuit board with waveguide to microstrip transition structure |
| CN107342446A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-11-10 | 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） | 太赫兹基片集成波导‑微带过渡结构 |
| CN108711665A (zh) * | 2018-05-25 | 2018-10-26 | 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） | 矩形波导微带气密封过渡电路 |
| US20180358677A1 (en) * | 2015-10-02 | 2018-12-13 | Limited Liability Company "Radio Gigabit" | Waveguide-to-microstrip transition |
| CN113904076A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-01-07 | 成都雷电微晶科技有限公司 | 一种w波段具有镜频抑制特性的h面探针过渡结构 |
| CN115020953A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-06 | 华南理工大学 | 基于微带脊间隙波导的毫米波背靠背层间过渡转换结构 |
| CN115241621A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-10-25 | 成都辰天信息科技有限公司 | 一种w波段密封型波导微带转换装置及雷达设备 |
-
2023
- 2023-12-05 CN CN202311650620.5A patent/CN117374552B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2500978A1 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-19 | Sivers Ima AB | Waveguide transition |
| US20150054593A1 (en) * | 2013-08-26 | 2015-02-26 | Microelectronics Technology, Inc. | Multi-layer circuit board with waveguide to microstrip transition structure |
| US20180358677A1 (en) * | 2015-10-02 | 2018-12-13 | Limited Liability Company "Radio Gigabit" | Waveguide-to-microstrip transition |
| CN107342446A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-11-10 | 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） | 太赫兹基片集成波导‑微带过渡结构 |
| CN108711665A (zh) * | 2018-05-25 | 2018-10-26 | 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） | 矩形波导微带气密封过渡电路 |
| CN113904076A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-01-07 | 成都雷电微晶科技有限公司 | 一种w波段具有镜频抑制特性的h面探针过渡结构 |
| CN115020953A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-06 | 华南理工大学 | 基于微带脊间隙波导的毫米波背靠背层间过渡转换结构 |
| CN115241621A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-10-25 | 成都辰天信息科技有限公司 | 一种w波段密封型波导微带转换装置及雷达设备 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| NGUYEN THANH TUAN ET AL: ""Bandwidth extension of planar microstrip-to-waveguide transition by via-hole locations at both sides of microstrip line"", 《2019 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ANTENNAS AND PROPAGATION AND USNC-URSI RADIO SCIENCE MEETING》 * |
| 杨妍: ""一种平面形式的矩形波导和微带线集成结构研究"", 《机电信息》, no. 14, pages 29 - 31 * |
| 邹雄等: ""基片集成波导与微带线的过渡研究 "", 《解放军理工大学学报（自然科学版）》, vol. 14, no. 2, pages 129 - 133 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117374552B (zh) | 2024-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP4109518A1 (en) | Three-dimensional packaging housing structure of radio frequency microsystem and manufacturing method | |
| EP2333828A1 (en) | High-frequency circuit package, and sensor module | |
| CN108711665A (zh) | 矩形波导微带气密封过渡电路 | |
| CN105977215B (zh) | 可平行缝焊的高频高速陶瓷无引线外壳 | |
| CN215496704U (zh) | 一种基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件 | |
| JP4261726B2 (ja) | 配線基板、並びに配線基板と導波管との接続構造 | |
| JPH11260966A (ja) | 高周波半導体装置 | |
| CN116207050B (zh) | 一种相控阵tr芯片封装结构 | |
| CN211404488U (zh) | 一种毫米波芯片封装结构及其测试结构 | |
| CN114335954A (zh) | 基于陶瓷微带探针-金属波导可气密的封装外壳 | |
| CN113193326B (zh) | 一种w频段多通道气密封装相控阵sip模块 | |
| CN117374552B (zh) | 一种低剖面密封型微带至波导的过渡结构及应用 | |
| CN117690915A (zh) | 一种多层陶瓷系统级封装结构 | |
| CN112993506A (zh) | 太赫兹无跳丝微带探针单片及系统级电路一体化封装结构 | |
| CN112701092A (zh) | 毫米波单片集成电路封装结构及其封装方法 | |
| CN112993505B (zh) | 太赫兹无跳丝共面波导单片及系统级电路低插损封装结构 | |
| JPH11112209A (ja) | 高周波用パッケージおよびその接続構造 | |
| CN210489608U (zh) | 一种满足Ka波段TR组件封装的陶瓷外壳 | |
| CN114284258A (zh) | 一种超高集成的多路并行光电转换组件 | |
| CN212908021U (zh) | 基于htcc工艺的三维垂直互联结构及t/r组件 | |
| CN112928086A (zh) | 可应用于毫米波频段smt贴装的扇出型封装结构 | |
| CN113871368A (zh) | 毫米波表贴气密封装结构及封装方法 | |
| Lu et al. | A study of a low-loss and ultra-wide band transmission structure through BGA based on HTCC technology | |
| JP3628238B2 (ja) | 配線基板およびその導波管との接続構造 | |
| Zhou et al. | A Wideband and Low Loss Millimeter-wave MMIC Packaging Based on HTCC Technology |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |