CN117364059A - 沉积设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种沉积设备，所述沉积设备包括：气体供应件，包括多个气体注入口；板，设置为面对气体供应件，并且设置为朝向气体供应件上下移动，其中，目标基底放置在板上；主体部，包括限定板与气体供应件之间的反应空间的第一部分、设置在第一部分下方并且限定下空间的第二部分、以及与板间隔开的内壁；以及多个第一排出部，设置在第一部分的外壁上。

Description

沉积设备
技术领域
实施例总体上涉及一种沉积设备。
背景技术
显示器件制造工艺可以包括薄膜形成工艺。薄膜可以通过使用原子层沉积设备的沉积工艺来形成。可以将反应气体和净化气体顺序地注入到原子层沉积设备中，并且通过反应气体与净化气体之间的表面反应在待沉积的基底上形成薄膜。使用原子层沉积设备形成的薄膜具有优异的适用性和均匀性。
然而，随着待沉积的基底的尺寸增加，需要增加原子层沉积设备的尺寸。因此，会增加用于供应和排出反应气体和净化气体的时间，从而降低工艺效率。
将理解的是，本技术部分的背景技术部分地意图为理解技术而提供有用的背景。然而，本技术部分的背景还可以包括不作为在这里公开的主题的相应有效申请日之前被相关领域的技术人员已知或理解的内容的一部分的想法、构思或认知。
发明内容
实施例提供了一种沉积设备。
根据实施例的沉积设备可以包括：气体供应件，包括多个气体注入口；板，设置为面对气体供应件，并且设置为朝向气体供应件上下移动，其中，目标基底可以放置在板上；主体部，所述主体部可以包括限定板与气体供应件之间的反应空间的第一部分、设置在第一部分下方并且限定下空间的第二部分、以及与板间隔开的内壁；以及多个第一排出部，设置在第一部分的外壁上。
在实施例中，在平面图中，板可以具有相对于第一部分的中心点对称的N角形形状，并且多个第一排出部可以设置在与板的N个顶点对应的位置处。
在实施例中，沉积设备还可以包括：第三部分，从第一部分的外壁突出，多个第一排出部中的每个可以连接到第三部分，并且第三部分的内壁的直径在从第一部分朝向多个第一排出部中的每个的方向上逐渐减小。
在实施例中，沉积设备还可以包括：遮蔽框架，设置在板上。
在实施例中，遮蔽框架可以包括：固定部，限定暴露目标基底的开口；以及壁部，从固定部的下表面沿着主体部的内壁向下延伸。
在实施例中，在平面图中，固定部可以具有相对于第一部分的中心点对称的N角形形状，N是等于或大于3的自然数。
在实施例中，在平面图中，壁部可以沿着主体部的外边界设置。
在实施例中，沉积设备还可以包括：第三部分，从第一部分的外壁突出，多个第一排出部中的每个可以连接到第三部分，第三部分的内壁的直径可以在从第一部分朝向多个第一排出部中的每个的方向上逐渐减小，并且从壁部的下表面到固定部的上表面的长度可以形成为比在板的抬升方向上的直径长。在板的抬升方向上的直径可以被限定为第三部分的在第三部分物理接触第一部分的位置处的直径。
在实施例中，第二部分的内壁与遮蔽框架之间的距离可以是恒定的。
在实施例中，第二部分的内壁与遮蔽框架之间的距离可以为约0.5mm或更大且约5mm或更小。
在实施例中，第一部分的内壁可以限定多个流动路径，从气体供应件供应到反应空间的气体通过多个流动路径流动到多个第一排出部，并且多个流动路径中的每个可以在宽度上在从第一部分的中心朝向多个第一排出部的方向上逐渐减小。
在实施例中，第一部分的内壁可以包括限定多个流动路径中的任何一个的第一内壁和第二内壁，并且第一内壁与第二内壁之间的角度可以大于约45度且小于约90度。
在实施例中，从气体供应件供应到反应空间的气体的一部分通过主体部的内壁与板之间的空间流动到下空间中。
在实施例中，从气体供应件供应到反应空间并且排出到多个第一排出部的气体的量可以大于通过主体部的内壁与板之间的空间流动到下空间中的气体的一部分的量。
主体部可以能够执行原子层沉积(ALD)工艺。
沉积设备还可以包括：第二排出部，设置在第二部分的底表面上。
一种沉积设备可以包括：气体供应件，可以包括多个气体注入口；板，设置为面对气体供应件，并且设置为朝向气体供应件上下移动，其中，目标基底放置在板上；主体部，包括限定板与气体供应件之间的反应空间的第一部分、设置在第一部分下方并且限定下空间的第二部分、以及与板间隔开的内壁；泵送管道，连接到第一部分的外壁；以及泵，连接到泵送管道。
在实施例中，沉积设备还可以包括：压力计、节流阀和控制器。压力计可以连接到第一部分的外壁，并且节流阀可以连接在压力计与泵送管道之间，并且控制器可以使用压力计监测主体部内部的压力，并且可以控制节流阀的移动。
在实施例中，沉积设备还可以包括：第三部分，从第一部分的外壁突出，并且泵送管道可以连接到第三部分。
在实施例中，第三部分的内壁可以形成为在宽度上从第一部分朝向泵送管道逐渐减小。
根据实施例，一种沉积设备可以包括：气体供应件，包括多个气体注入口；板，设置为面对气体供应件，并且朝向气体供应件上下移动，其中，目标基底可以放置在板上；主体部，所述主体部可以包括限定板与气体供应件之间的反应空间的第一部分、设置在第一部分下方并且限定下空间的第二部分，并且主体部具有与板间隔开的内壁；以及多个第一排出部，设置在第一部分的外壁上。因此，沉积设备可以快速地排出主体部中的气体并且可以使沉积工艺时间最小化。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解说明性的、非限制性的实施例，在附图中：
图1A和图1B是示出根据实施例的沉积设备的示意图。
图2是图1A的沉积设备中的遮蔽框架的示意性透视图。
图3是沿着图2的线I-I'截取的示意性剖视图。
图4是图1A的部分A的放大图。
图5和图6是示出图1A的沉积设备中的第一部分的示意图。
图7是示出图1A的沉积设备中的多个第一排出部的示意图。
图8是示出图1A的沉积设备中的第三部分的示意图。
具体实施方式
现在将在下文中参照其中示出了实施例的附图更充分地描述公开。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达公开的范围。
在附图中，为了易于描述和为了清楚起见，可以夸大元件的尺寸、厚度、比例和大小。同样的标号始终表示同样的元件。
如在这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。
在说明书和权利要求书中，术语“和/或”为了其含义和解释的目的而意图包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意指包括“A、B或者A和B”的任何组合。术语“和”以及“或”可以以合取含义或析取含义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。
在说明书和权利要求书中，短语“……中的至少一个(种/者)”为了其含义和解释的目的而意图包括“选自……的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以被理解为意指包括“A、B或者A和B”的任何组合。
将理解的是，术语“连接到”或“结合到”可以包括流体连接、物理连接和/或电连接或者结合。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与公开所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非在这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景下的意思一致的意思，而将不以理想化的或过于形式化的含义进行解释。
如在这里使用的“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意指：考虑到正在被谈及的测量和与具体量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，在如由本领域普通技术人员所确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“约(大约)”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
图1A和图1B是示出根据实施例的沉积设备的视图。图1A是根据实施例的沉积设备的剖视图，图1B是根据实施例的沉积设备的透视图。
参照图1，根据实施例的沉积设备1000可以包括气体供应单元(气体供应件)100、板200、主体部300和多个第一排出部400。
气体供应单元100可以提供源气体、反应气体和净化气体。为此，气体供应单元100可以包括用于选择性地或同时地注入源气体、反应气体和净化气体的多个气体注入口GH。
源气体可以用于沉积薄膜。在实施例中，源气体可以包括铝和硅中的至少一种。在源气体包括铝的情况下，源气体可以是TMA。在源气体包括硅的情况下，源气体可以是有机金属源气体。例如，源气体可以是DIPAS、BTBAS、BDEAS和/或3DMAS。
反应气体可以是能够使沉积在目标基底SUB上的源气体氧化或氮化的气体。例如，反应气体可以是氮气(N2)、氧气(O2)、氧化氮(N2O)、氨气(NH3)和臭氧(O3)中的至少一种。
净化气体可以是不与源气体、反应气体和薄膜化学反应的气体。
板200可以设置为面对气体供应单元100。例如，板200可以设置在沿着第一方向D1和垂直于第一方向D1的第三方向D3形成的平面上。
在由第一方向D1和第三方向D3限定的平面图中，板200可以具有相对于第一部分PA1的中心CP点对称的N角形形状。板200可以支撑(或容纳)目标基底SUB。为此，板200可以具有拥有比目标基底SUB的面积大的面积的平板形状。
板200可以朝向气体供应单元100上下移动。例如，板200可以沿着第二方向D2上下移动，第二方向D2可以垂直于第一方向D1和第三方向D3。板200可以在沉积工艺期间固定而不移动。
主体部300可以包括第一部分PA1、第二部分PA2和第三部分PA3。
第一部分PA1可以限定气体供应单元100与板200之间的反应空间。更具体地，在目标基底SUB放置在板200上之后，板200可以朝向气体供应单元100上下移动。板200可以仅在使气体供应单元100与板200之间在第二方向D2上的距离变窄的方向上移动。由板200、气体供应单元100和第一部分PA1围绕的空间可以被限定为反应空间。
第二部分PA2可以设置在第一部分PA1下方。例如，第一部分PA1可以定位在主体部300的上部，第二部分PA2可以定位在主体部300的下部。
第三部分PA3可以形成为从第一部分PA1的外壁310突出。例如，在主体部300在平面图中具有矩形形状的情况下，第三部分PA3可以分别设置在与该矩形形状的四个顶点对应的位置处。
第一排出部400可以设置在第一部分PA1的外壁310上。详细地，第一排出部400中的每个可以连接到从第一部分PA1的外壁310突出的第三部分PA3。
第一排出部400可以设置在与板200的N个顶点对应的位置处。例如，在板200在平面图中具有矩形形状的情况下，第一排出部400可以分别设置在与该矩形形状的四个顶点对应的位置处。尽管未示出，但是即使第一排出部400不在四边形的每个顶点处，第一排出部400也可以设置为相对于第一部分PA1的中心CP对称。因此，可以在不产生涡流的情况下快速地执行气体供应和气体排出。
沉积设备1000还可以包括遮蔽框架500。
遮蔽框架500可以设置在板200上。遮蔽框架500可以设置为与第二部分PA2的内壁322具有恒定距离(例如，图4的距离IN)。稍后将参照图2至图6描述遮蔽框架500的详细描述。
沉积设备1000还可以包括第二排出部600。
第二排出部600可以设置在第二部分PA2的底表面BF上。
从气体供应单元100供应的气体中的大部分可以通过第一排出部400排出。未通过第一排出部400排出的残余气体可以流动到遮蔽框架500与第二部分PA2的内壁322之间的间隙中，并且可以排出到第二排出部600中。
图2是图1A的沉积设备中的遮蔽框架的示意性透视图，图3是沿着图2的线I-I'截取的示意性剖视图。
参照图2，遮蔽框架500可以包括固定部510和壁部520。
固定部510可以限定暴露目标基底SUB的开口OS。
固定部510可以在平面图中相对于第一部分PA1的中心CP点对称，并且可以具有N角形形状。这里，N可以是3或更大的自然数。
参照图3，壁部520可以从固定部510的下表面沿着主体部300的内壁向下延伸。在平面图中，壁部520可以沿着主体部300的外边界设置。包括在壁部520中的四个表面中的每个可以具有矩形形状。因此，遮蔽框架500可以控制流动到下空间中的排出气体的量。稍后将参照图4描述遮蔽框架500的详细描述。
图4是图1A的部分A的放大图。
参照图4，固定部510的上表面的水平可以与第二部分PA2的内壁322的上表面的水平基本上相同。在其他实施例中，固定部510的上表面的水平可以基本上高于第二部分PA2的内壁322的上表面的水平。换句话说，在沉积工艺期间，固定部510的上表面的水平可以等于或高于第二部分PA2的内壁322的上表面的水平。
壁部520可以具有相对大的长度。例如，从壁部520的下表面到固定部510的上表面的长度(在下文中，被称为“第一长度R1”)形成为比第三部分PA3的在第三部分PA3与第一部分PA1接触的位置处在板200的抬升方向上的直径(在下文中，被称为“第二长度R2”)长。因此，即使在板200朝向气体供应单元100上升的情况下，也可以减少流过板200与第二部分PA2的内壁322之间的间隙的排出气体的量。例如，如果使用根据实施例的遮蔽框架500而不是仅具有固定部510且没有壁部520的遮蔽框架，则可以减少流动到下空间中的排出气体的量。
第二部分PA2的内壁322与遮蔽框架500之间的距离IN可以是恒定的。因此，在从气体供应单元100供应的气体移动到第一排出部400的情况下，可以恒定地保持从气体供应单元100供应的气体的流速或压力。
例如，遮蔽框架500与第二部分PA2的内壁322之间的距离IN可以大于或等于约0.5mm且小于或等于约5mm。
在遮蔽框架500与第二部分PA2的内壁322之间的距离IN小于约0.5mm的情况下，会发生板200不能上下移动的问题。遮蔽框架500可以在沉积工艺期间热膨胀。因此，遮蔽框架500和第二部分PA2的内壁322可能彼此接触。
另一方面，在遮蔽框架500与第二部分PA2的内壁322之间的距离IN超过约5mm的情况下，从气体供应单元100供应的气体中的大部分会流动到下空间中。残余气体会积聚在下空间的底表面BF的拐角处，并且在第二部分PA2中会发生污染。
根据主体部300的材料和形状，遮蔽框架500与第二部分PA2的内壁322之间的距离IN的数值范围可以是可变化的。最小距离IN可以被设定为具有不妨碍板200的上下移动的距离IN。最大距离IN可以被设定为小于第一排出部400的排出传导率(exhaustconductance)。
图5和图6是示出图1A的沉积设备中的第一部分的示意图。图5和图6是包括在图1A的沉积设备中的第一部分的平面图。
参照图5，第一部分PA1的内壁320可以限定多个流动路径VL，从气体供应单元100供应到反应空间的气体通过流动路径VL流动到第一排出部400。
流动路径VL中的每个可以在宽度上在从第一部分PA1的中心CP朝向第一排出部400中的每个的方向上逐渐减小。例如，第一部分PA1的内壁320可以在宽度上从第一部分PA1的中心CP朝向其中设置有第一排出部400的排出方向逐渐减小。
第三部分PA3的内壁可以在宽度上随着其从第一部分PA1出发朝向第一排出部400而逐渐减小。例如，流动路径VL中的每个的宽度可以从第一部分PA1的中心CP朝向第一排出部400逐渐减小。
参照图6，第一部分PA1的限定流动路径VL中的任何一个的第一内壁314与第二内壁316之间的角度ANG可以大于约45度且小于约90度。在实施例中，第一内壁314与第二内壁316之间的角度ANG可以大于或等于约50度且小于或等于约80度。
例如，在主体部300在平面图中具有矩形形状的情况下，第一内壁314与第二内壁316之间的角度ANG可以大于约45度且小于约90度。在实施例中，第一内壁314与第二内壁316之间的角度ANG可以大于或等于约50度且小于或等于约80度。关于角度ANG的数值范围可以根据主体部300的形状而是可变化的。
第一部分PA1的与第一排出部400'相邻的内壁320可以相对于假想线对称，第一排出部400'可以是第一排出部400中的一个。假想线可以是连接第一排出部400'和第一部分PA1的中心CP的线。例如，参照图5和图6，第一内壁314和第二内壁316可以相对于假想线对称，该假想线可以连接第一排出部400'和第一部分PA1的中心CP。
从气体供应单元100供应到反应空间的气体的一部分可以通过主体部300的内壁320和322以及板200之间的空间流动到下空间中。在一个实施例中，在遮蔽框架500进一步设置在板200上的情况下，供应到反应空间的气体的一部分可以通过遮蔽框架500和内壁322之间的具有距离IN的间隙流动到下空间中。
从气体供应单元100供应到反应空间并且排出到第一排出部400的气体的量可以大于可以供应到反应空间以流动到下空间中的气体的量。供应到反应空间的气体可以通过主体部300的内壁320和322与板200之间的空间流动到下空间中。详细地，供应到反应空间的气体中的大部分可以通过第一排出部400排出，并且仅相对少量的气体可以流过遮蔽框架500与第二部分PA2的内壁322之间的间隙。
如上面参照图1A描述的，为了排出流动到遮蔽框架500与第二部分PA2的内壁322之间的间隙中的气体，可以在第二部分PA2的底表面BF中进一步设置第二排出部600。因此，可以防止第二部分PA2的下拐角的污染。
图7是示出图1A的沉积设备中的第一排出部的示意图。
参照图7，第一排出部400中的每个可以包括压力计420、节流阀430、泵送管道440、泵450和控制器460。
泵送管道440的一端可以连接到限定气体供应单元100与板200之间的反应空间的第一部分PA1的外壁310。泵送管道440可以设置在主体部300的上拐角处。详细地，泵送管道440可以设置在从第一部分PA1的外壁310突出的第三部分PA3上。如上面参照图6描述的，第三部分PA3的内壁可以在宽度上从第一部分PA1到泵送管道440逐渐减小。因此，排出气体的流动可以被引导到第一排出部400中的每个。泵送管道440的另一端可以连接到泵450。
压力计420可以连接到泵送管道440。压力计420可以监测主体部300的内部压力。
节流阀430可以连接在压力计420与泵450之间。节流阀430可以用于恒定地维持由压力计420监测的内部压力。在实施例中，压力计420和节流阀430可以设置在第一部分PA1的外壁310与泵送管道440之间。压力计420可以连接到第一部分PA1的外壁310，节流阀430可以连接在压力计420与泵送管道440之间。
泵450可以连接到泵送管道440的另一端。连接到对称地布置的第一排出部400中的每个的泵450可以通过使用上泵送方法来缩短排出路径，并且可以根据主体部300的下部形状来防止涡流的发生。
控制器460可以通过使用压力计420监测主体部300的内部压力来控制节流阀430的移动。例如，可以通过拧紧或松开节流阀430来恒定地维持主体部300的内部压力。因此，从气体供应单元100供应到反应空间的气体可以通过第一排出部400中的每个均匀地排出。
图8是示出图1A的沉积设备中的第三部分的示意图。
参照图8，第三部分PA3的内壁可以在宽度上随着其从第一部分PA1出发朝向泵送管道440逐渐减小。
由第一部分PA1的内壁320限定的流动路径VL中的每个的宽度可以在从第一部分PA1的中心CP到第三部分PA3的方向上逐渐减小。第三部分PA3的内壁的宽度可以随着其朝向从第一部分PA1连接到泵送管道440的排出方向出发而逐渐减小。例如，流动路径VL中的每个的宽度可以从第一部分PA1的中心CP朝向泵送管道440逐渐减小。
对于CVD设备，可以不需要快速的气体切换。因此，在使用底泵送方法的沉积设备的使用中可以不存在问题。
然而，在ALD设备的情况下，可能需要快速的气体切换。具体地，在ALD工艺中，可以按以下顺序配置循环。首先，可以供应反应源，可以供应净化气体，可以供应反应气体，并且可以供应净化气体。这里，反应源和反应气体可以顺序地注入以通过表面反应形成薄膜。
作为使用根据实施例的沉积设备1000的流动分析的结果，在从气体供应单元100供应气体之后大约0.1秒之后，在主体部300的下部中可以几乎看不到气流。即使在从气体供应单元100供应气体之后经过约10秒之后，在主体部300的下部中也可以几乎看不到气流。
气体可以从气体供应单元100供应到反应空间，并且在大约0.1秒之后，气体中的大部分可以排出到第一排出部400。因此，可以能够在供应反应源之后快速切换为净化气体。
在气体可以从气体供应单元100供应到反应空间之后，在第二部分PA2中在大约10秒之后可以几乎看不到气流。
沉积设备1000可以使用其中设置在第一部分PA1中的第一排出部400可以被泵送的上泵送方法。从气体供应单元100供应的气体可以沿着流动路径VL排出。例如，从气体供应单元100供应的气体可以从主体部300的上部排出。因此，可以缩短排出路径，并且可以通过防止涡流的发生来快速切换气体。
沉积设备1000还可以包括在第二部分PA2的底表面BF上的第二排出部600，以排出滞留在底表面BF上的气体。因此，可以能够防止排出气体滞留在第二部分PA2的底表面BF上。例如，在沉积设备1000的底表面BF上不会产生颗粒。
前述内容是实施例的说明，并且不应被解释为实施例的限制。尽管已经描述了些许实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离公开的新颖教导和优点的情况下，能够在实施例中进行许多修改。因此，所有这样的修改都意图包括在公开的范围内。因此，将理解的是，前述内容是各种实施例的说明，并且不应被解释为限于所公开的特定实施例，并且对所公开的实施例的修改以及其他实施例都意图包括在公开的范围内。

Claims (20)

1.一种沉积设备，所述沉积设备包括：
气体供应件，包括多个气体注入口；
板，设置为面对所述气体供应件，并且设置为朝向所述气体供应件上下移动，其中，目标基底放置在所述板上；
主体部，包括：第一部分，限定所述板与所述气体供应件之间的反应空间；第二部分，设置在所述第一部分下方，并且限定下空间；以及内壁，与所述板间隔开，以及
多个第一排出部，设置在所述第一部分的外壁上。
2.根据权利要求1所述的沉积设备，其中，
在平面图中，所述板具有相对于所述第一部分的中心点对称的N角形形状，并且
所述多个第一排出部设置在与所述板的N个顶点对应的位置处。
3.根据权利要求2所述的沉积设备，所述沉积设备还包括：
第三部分，从所述第一部分的所述外壁突出，其中，
所述多个第一排出部中的每个连接到所述第三部分，并且
所述第三部分的内壁的直径在从所述第一部分朝向所述多个第一排出部中的每个的方向上逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的沉积设备，所述沉积设备还包括：
遮蔽框架，设置在所述板上。
5.根据权利要求4所述的沉积设备，其中，所述遮蔽框架包括：
固定部，限定暴露所述目标基底的开口；以及
壁部，从所述固定部的下表面沿着所述主体部的所述内壁向下延伸。
6.根据权利要求5所述的沉积设备，其中，在平面图中，所述固定部具有相对于所述第一部分的中心点对称的N角形形状，N是等于或大于3的自然数。
7.根据权利要求6所述的沉积设备，其中，在平面图中，所述壁部沿着所述主体部的外边界设置。
8.根据权利要求6所述的沉积设备，所述沉积设备还包括：
第三部分，从所述第一部分的所述外壁突出，其中，
所述多个第一排出部中的每个连接到所述第三部分，并且
所述第三部分的内壁的直径在从所述第一部分朝向所述多个第一排出部中的每个的方向上逐渐减小，并且
从所述壁部的下表面到所述固定部的上表面的长度形成为比所述第三部分的在所述第三部分物理接触所述第一部分的位置处在所述板的抬升方向上的直径长。
9.根据权利要求4所述的沉积设备，其中，所述第二部分的内壁与所述遮蔽框架之间的距离是恒定的。
10.根据权利要求9所述的沉积设备，其中，所述第二部分的所述内壁与所述遮蔽框架之间的所述距离为0.5mm或更大且5mm或更小。
11.根据权利要求1所述的沉积设备，其中，
所述第一部分的内壁限定多个流动路径，从所述气体供应件供应到所述反应空间的气体通过所述多个流动路径流动到所述多个第一排出部，并且
所述多个流动路径中的每个在宽度上在从所述第一部分的中心朝向所述多个第一排出部的方向上逐渐减小。
12.根据权利要求11所述的沉积设备，其中，
所述第一部分的所述内壁包括限定所述多个流动路径中的任何一个的第一内壁和第二内壁，并且
所述第一内壁与所述第二内壁之间的角度大于45度且小于90度。
13.根据权利要求1所述的沉积设备，其中，从所述气体供应件供应到所述反应空间的气体的一部分通过所述主体部的所述内壁与所述板之间的空间流动到所述下空间中。
14.根据权利要求13所述的沉积设备，其中，从所述气体供应件供应到所述反应空间并且排出到所述多个第一排出部的气体的量大于通过所述主体部的所述内壁与所述板之间的所述空间流动到所述下空间中的气体的所述一部分的量。
15.根据权利要求1所述的沉积设备，其中，所述主体部能够执行原子层沉积工艺。
16.根据权利要求1所述的沉积设备，所述沉积设备还包括：
第二排出部，设置在所述第二部分的底表面上。
17.一种沉积设备，所述沉积设备包括：
气体供应件，包括多个气体注入口；
板，设置为面对所述气体供应件，并且设置为朝向所述气体供应件上下移动，其中，目标基底放置在所述板上；
主体部，包括：第一部分，限定所述板与所述气体供应件之间的反应空间；第二部分，设置在所述第一部分下方，并且限定下空间；以及内壁，与所述板间隔开；
泵送管道，连接到所述第一部分的外壁；以及
泵，连接到所述泵送管道。
18.根据权利要求17所述的沉积设备，所述沉积设备还包括：
压力计和节流阀，设置在所述第一部分的所述外壁与所述泵送管道之间；以及
控制器，能够使用所述压力计监测所述主体部内部的压力，并且控制所述节流阀的移动，其中，
所述压力计连接到所述第一部分的所述外壁，并且
所述节流阀连接在所述压力计与所述泵送管道之间。
19.根据权利要求17所述的沉积设备，所述沉积设备还包括：
第三部分，从所述第一部分的所述外壁突出，
其中，所述泵送管道连接到所述第三部分。
20.根据权利要求19所述的沉积设备，其中，所述第三部分的内壁形成为在宽度上从所述第一部分朝向所述泵送管道逐渐减小。
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