CN117353732B - 恒温晶振温度补偿方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种恒温晶振温度补偿方法及装置，其方法包括：获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系；获取所述晶振频率准确度与所述晶振压控端DAC变化之间的第二关系；根据待调整晶振的环境温度以及所述对应关系，确定所述晶振需补偿的频率准确度；根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振压控端的电压补偿量；根据所述电压补偿量对所述待调整晶振进行电压补偿。本发明通过构建不同温度下晶振频率准确度与传感器的热敏电阻的电压之间的关系，根据实际温度下的实际电压确定晶振需补偿的频率准确度，进而确定需要对晶振补偿的电压补偿量，通过调节电压实现对晶振频率的精准补偿。
Description
技术领域
本发明涉及恒温晶振技术领域，尤其涉及恒温晶振温度补偿方法及装置。
背景技术
在海底，湖底，矿洞内等没有GPS授时的环境下，仍需要比较准确的授时系统，以保证设备进行高精度的数据采集；由于原子钟的功耗高，寿命短，成本高，比较难适用于这些环境下；由于真空封装技术的提高，新技术制造出的恒温晶振能保证超低功耗的情况下仍能保持较优良的频率准确度。
恒温晶振(OCXO)对温度稳定性的解决方案采用了恒温技术，将晶体置于恒温控制模块内，通过设置恒温工作点，使晶振保持恒温状态，在一定范围内不受外界温度影响，达到稳定输出频率的效果。但是恒温晶振随着环境温度的变化，仍然有较大的频率漂移，在-10～70℃范围内有约7.5ppb的频率变化。一般的温度补偿是，在晶振附近添加温度传感器来实现温度补偿。
当环境温度发生变化时，传感器会检测到温度变化并将其转换为电信号。这个电信号会被输入到一个纯硬件控制电路中，根据传感器测得的温度值来调整晶振的压控电压，从而实现对输出频率的自动调节。
由于不同的恒温晶振的温度-频率的响应、热敏电阻的温度-阻值的响应各有不同，导致这种纯硬件控制电路产生的频率，仍然随温度有较大的偏差。
发明内容
本发明提供一种恒温晶振温度补偿方法及装置，用以解决现有技术中不同恒温晶振的温度-频率响应、热敏电阻的温度-阻值响应不同导致的恒温晶振频率补偿准确度较低的缺陷，实现一种准确率更高的恒温晶振补偿方法。
本发明提供一种恒温晶振温度补偿方法，包括：
获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系；
获取所述晶振频率准确度与所述晶振压控端DAC之间的第二关系；
根据待调整晶振的热敏电阻的实际电压以及所述对应关系，确定所述晶振需补偿的频率准确度；
根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振压控端的电压补偿量；
根据所述电压补偿量对所述待调整晶振进行电压补偿。
根据本发明提供的一种恒温晶振温度补偿方法，所述获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系的步骤包括：
获取所述晶振频率准确度与所述预设温度之间的第一关联关系；
获取所述热敏电阻的电压与所述预设温度之间的第二关联关系；
根据所述第一关联关系和所述第二关联关系，确定所述对应关系。
根据本发明提供的一种恒温晶振温度补偿方法，所述获取所述晶振频率准确度与所述预设温度之间的第一关联关系的步骤，包括：
获取测量晶振在至少一个预设温度下的频率准确度；
根据所述测量晶振在至少一个预设温度下的频率准确度构建所述第一关联关系。
根据本发明提供的一种恒温晶振温度补偿方法，所述获取所述热敏电阻的电压与所述预设温度之间的第二关联关系的步骤，包括：
获取测量晶振在至少一个预设温度下的热敏电阻的电压；
根据所述测量晶振在至少一个预设温度下的热敏电阻的电压构建所述第二关联关系。
根据本发明提供的一种恒温晶振温度补偿方法，所述根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振压控端的电压补偿量的步骤，包括：
根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振需补偿的频率准确度对应的晶振压控端DAC的变化；
根据所述晶振压控端DAC的变化，确定所述振压控端的电压补偿量。
本发明还提供一种恒温晶振温度补偿装置，包括：
获取模块，用于获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系；
所述获取模块还用于，获取所述晶振频率准确度与所述晶振压控端DAC变化之间的第二关系；
确定模块，用于根据待调整晶振的环境温度以及所述对应关系，确定所述晶振需补偿的频率准确度；
所述确定模块还用于，根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振压控端的电压补偿量；
调整模块，根据所述电压补偿量对所述待调整晶振进行电压补偿。
本发明还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述任一种所述恒温晶振温度补偿方法。
本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述恒温晶振温度补偿方法。
本发明还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述恒温晶振温度补偿方法。
本发明提供的一种恒温晶振温度补偿方法和装置，通过5。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的恒温晶振温度补偿方法的流程示意图；
图2是本发明提供的恒温晶振温度补偿方法中用于展示第一关联关系的示意图；
图3是本发明提供的恒温晶振温度补偿方法中用于展示第二关联关系的示意图；
图4是本发明提供的恒温晶振温度补偿方法中用于展示对应关系的示意图；
图5是本发明提供的恒温晶振温度补偿装置的结构示意图；
图6是本发明提供的电子设备的结构示意图。
实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合图1-图4描述本发明的恒温晶振温度补偿方法。如图1所示，恒温晶振温度补偿方法包括：
步骤101，获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系；
对晶振频率进行调整时，是通过对晶振的压控电压进行调节，以调节晶振的输出频率。
而由于晶振处于不同温度环境时，不同恒温晶振的环境温度与输出频率之间的关联关系，以及晶振电路使用的热敏电阻的环境温度与阻值的关系不同，导致通过热敏电阻确定环境温度，进而根据环境温度对晶振的电压进行补偿时产生误差。因此，需要预先通过实验获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系，以在对待调整晶振进行电压补偿时，通过热敏电阻的实际电压获取对应的晶振频率准确度。
其中，晶振频率准确度表示晶振在某一环境温度下，晶振的实际输出频率与标准输出频率之间的偏差程度。
可选地，通过同步测量晶振在不同温度下的频率准确度和晶振电路使用的热敏电阻的电压，构建晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系。
步骤102，获取所述晶振频率准确度与所述晶振压控端DAC之间的第二关系；
预先将晶振及其测量设备处于不同预设温度条件下，测量得到不同温度条件下晶振频率准确度与晶振压控端DAC之间的第二关系。
其中，第二关系是指恒温晶振频率准确度随晶振压控端DAC变化的斜率，比如某一台模块，将单片机输出到恒温晶振的DAC增加1000个单位，测得频率准确度增加约7100e-12，得出恒温晶振频率准确度随晶振压控端DAC变化的斜率，结果约为7.1e-12每一个DAC。
也就是说，第二关系反映了需补偿的晶振频率准确度与晶振的压控端电压变化之间的关系，在此基础上，确定了晶振需补偿的频率准确度，即可确定晶振压控端DAC的变化，进而根据晶振压控端DAC的变化计算待调整晶振的电压需要调节至何值。
步骤103，根据待调整晶振的热敏电阻的电压以及所述对应关系，确定所述晶振需补偿的频率准确度；
具体来说，对待调整晶振进行温度补偿时，单片机实时监测待调整晶振的热敏电阻的电压ADC，并根据对应关系确定热敏电阻实际电压对应的晶振频率准确度。
其中，热敏电阻的实际电压以电压ADC的方式表示和监控。
也就是说，本申请在确定晶振需补偿的频率准确度时，直接使用热敏电阻的电压与晶振频率准确度之间的对应关系，不再通过热敏电阻的电压确定环境温度，再通过环境温度确定晶振频率准确度，以避免热敏电阻的电压与环境温度之间的响应，以及环境温度与晶振频率准确度之间的响应不同导致的误差，进而得到更加准确的晶振的频率准确度。
步骤104，根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振压控端的电压补偿量；
根据热敏电阻的实际电压确定晶振频率准确度后，即可根据预先确定的第二关系，得到晶振压控端DAC的变化，再根据晶振压控端的DAC变化得到计算晶振压控端的电压补偿量。
步骤105，根据所述电压补偿量对所述待调整晶振进行电压补偿。
对晶振压控端补偿计算得到的电压补偿量，即可通过调节晶振压控端电压的方式，将晶振调整至当前环境温度下的标准输出频率，实现对晶振的补偿。
可选地，在待调整晶振所属的纯硬件电路上，增加单片机控制和频率校准电路。将预先构建的对应关系和第二关系预先存储与单片机中，使单片机更根据存储于其中的关系，实时监测待调整晶振的热敏电阻的电压，并实时计算待调整晶振的电压补偿量，对晶振进行补偿。
具体地，将GPS模块或铷原子钟输出的PPS信号输入频率校准电路，校准电路通过时间-数字测量模块采集频率分频秒与标准秒之间的时间差，并根据数据粗略计算出晶振的频率准确度，调节DAC输出电压来修正晶振的频率，具体的，单片机根据频率准确度计算得到电压补偿量，调节DAC输出电压，经运算放大后，驱动恒温晶振的压控端，从而控制恒温晶振的输出频率；经过多次调整，直至晶振频率的分频秒和GPS的标准秒的相位一致，此时晶振的频率达到标称频率。
本发明通过构建不同温度下晶振频率准确度与传感器的热敏电阻的电压之间的关系，根据实际温度下的实际电压确定晶振的频率准确度，即确定晶振需补偿的频率准确度，进而确定需要对晶振补偿的电压补偿量，通过调节电压实现对晶振频率的精准补偿。
本发明恒温晶振温度补偿方法中，所述获取所述晶振频率准确度与所述预设温度之间的第一关联关系的步骤，包括：
获取测量晶振在至少一个预设温度下的频率准确度；
根据所述测量晶振在至少一个预设温度下的频率准确度构建所述第一关联关系。
通过对测量晶振进行实验获取测量晶振在至少一个预设温度下的频率准确度。
具体地，将测量晶振及其控制模块放置于高低温试验箱并通电老化，并输入标准的PPS来驯服校准晶振的频率，然后停止驯服，调整高低温试验箱的温度程式，通过频率测量设备使用精准的频率源（如驯服稳定的铷原子钟），采集测量晶振在不同预设温度下输出的频率准确度。
在一个可行的实施方式中，不同预设温度包括-10℃、0℃、10℃、20℃、30℃、40℃、50℃和60℃。
实际实验过程中，首先设置高低温试验箱为-10℃，此时高低温试验箱内的温度从常温逐渐变为-10℃，并在-10℃的温度保持2.5小时，以获取-10℃下测量晶振的频率准确度。
进一步地，将高低温试验箱的温度由-10℃调整为0℃，并在0℃保持2小时，以获取0℃下测量晶振的频率准确度。
以同样的方式，将高低温试验箱的温度逐步上调，同时每上调一次均在该温度下保持2小时，以获取该预设温度下准确的晶振频率准确度。其中，每次温度调整所需的时间为30分钟。
根据多次测量得到的多组预设温度和晶振频率准确度，构建第一关联关系。
可选地，测量每个预设温度对应的频率准确度时，以在该预设温度下保持2小时的期间内，多次测量的结果的均值作为该预设温度对应的频率准确度。
在一种可行的实施方式中，以预设温度对应的温度ADC为横坐标，以测量晶振的频率准确度为纵坐标，将每个预设温度的温度ADC对应的频率准确度为图中的单点，绘制出随预设温度变化的测量晶振的频率准确度走势图，如图2所示。
进一步的，在-10℃至60℃的范围中，当前DAC情况下恒温晶振输出的频率准确度最大约为4.9ppb，最小约为-2.5ppb，因此得出测量晶振原始的温度灵敏度，也就是未经过电压补偿时的温度灵敏度约为7.4ppb。
在此基础上，将随预设温度变化的测量晶振的频率准确度作为第一关联关系，获取待调整晶振所处的环境温度即可根据环境温度对应的温度ADC确定该环境温度下待调整晶振的实际输出频率。
本发明恒温晶振温度补偿方法中，所述获取所述热敏电阻的电压与所述预设温度之间的第二关联关系的步骤，包括：
获取测量晶振在至少一个预设温度下的热敏电阻的电压；
根据所述测量晶振在至少一个预设温度下的热敏电阻的电压构建所述第二关联关系。
可以用获取第一关联关系类似的方式获取第二关联关系。
具体的，在测量晶振位于高低温试验箱内实验时，在采集每个预设温度对应的频率准确度时，同时使用单片机ADC采集热敏电阻的电压。
通过多个预设温度下采集得到的多个热敏电阻的电压ADC，获取热敏电阻的电压ADC与预设温度之间的第二关联关系。
在一个可行的实施方式中，以预设温度对应的温度ADC为横坐标，以热敏电阻的电压ADC为纵坐标，将获取到的预设温度下的电压ADC以图像的方式绘制出来，结果如图3所示。
其他可行的实施方式中，也可独立进行另一次实验，获取第二关联关系。
本发明恒温晶振温度补偿方法中，所述获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系的步骤包括：
获取所述晶振频率准确度与所述预设温度之间的第一关联关系；
获取所述热敏电阻的电压与所述预设温度之间的第二关联关系；
根据所述第一关联关系和所述第二关联关系，确定所述对应关系。
采取上述方法构建完成第一关联关系和第二关联关系以后，也就是分别获得了预设温度关于晶振频率准确度和热敏电阻的电压之间的关系，因此，将第一关联关系和第二关联关系进行配对，即可获取同一预设温度下，晶振频率准确度与热敏电阻的电压之间的关系，其中热敏电阻的电压以电压ADC的方式表示。
具体地，首先以表格的形式将测量得到的预设温度下的热敏电阻的电压ADC与晶振频率准确率进行整理，其结果如下表所示：
表1晶振控制板上热敏电阻ADC和晶振频率准确度随温度变化的对应关系
| 温度 | 热敏电阻adc | 晶振频率准确度（单位：1e-12） |
| -10 | 3279 | 4881 |
| 0 | 2943 | 3752 |
| 10 | 2545 | 2335 |
| 20 | 2106 | 895 |
| 30 | 1686 | -388 |
| 40 | 1331 | -1376 |
| 50 | 1034 | -2084 |
| 60 | 792 | -2557 |
根据表格数据拟合得到晶振在预设温度下热敏电阻电压ADC与晶振频率准确度之间的对应关系曲线，如图4所示。将表格与拟合得到的对应关系曲线录入单片机中，以供对待调整晶振进行补偿时使用。
进一步地，由于本申请中通过实验得到的对应关系中，在实验的预设温度下得到的热敏电阻电压与晶振频率准确度之间的对应数值结果最为准确，在未经实验的温度下，热敏电阻电压与晶振频率准确度之间的对应数值结果通过拟合得到。
因此，在实际使用对应关系通过热敏电阻的电压确定晶振频率准确度时，可以将临近数据进行线性插值算法处理，进而得到相对准确的晶振频率准确度的值。也就是说，录入数据后，单片机在检测到对应的温度点时，对控制频率的DAC进行控制补偿；在非录入点，单片机采用临近温度对应值，进行线性插值处理，计算出所处温度对应的补偿量。综合起来调整恒温晶振的压控端，从而在较宽的温度范围内，晶振仍然能够输出更加准确的频率。
本发明恒温晶振温度补偿方法中，所述根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振压控端的电压补偿量的步骤，包括：
根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振需补偿的频率准确度对应的晶振压控端的DAC的变化；
根据所述晶振压控端的DAC的变化，确定所述晶振压控端的电压补偿量。
使用待调整晶振的热敏电阻的实际电压对应晶振频率准确度的值，在预先构建的第二关系中得到晶振需补偿的频率准确度对应的晶振压控端的DAC的变化。
将得到的晶振压控端的DAC的变化，作为晶振压控端的电压补偿量。
单片机使用该计算得到的电压补偿量调整输出电压，对待调整晶振的压控电压进行调整，以将待调整晶振的频率补偿至更接近与该温度下的标准频率。
下面对本发明提供的温晶振温度补偿装置进行描述，下文描述的温晶振温度补偿装置与上文描述的温晶振温度补偿方法可相互对应参照。
如图5所示，恒温晶振温度补偿装置包括获取模块501、确定模块502和调整模块503：
获取模块501，用于获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系；
对晶振频率进行调整时，是通过对晶振的压控电压进行调节，以调节晶振的输出频率。
而由于晶振处于不同温度环境时，不同恒温晶振的环境温度与输出频率之间的关联关系，以及晶振电路使用的热敏电阻的环境温度与阻值的关系不同，导致通过热敏电阻确定环境温度，进而根据环境温度对晶振的压控电压进行补偿时产生误差。因此，需要预先通过实验获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系，以在对待调整晶振进行压控电压补偿时，通过热敏电阻的实际电压获取对应的晶振频率准确度。
其中，晶振频率准确度表示晶振在某一环境温度下，晶振的实际输出频率与标准输出频率之间的偏差程度。
可选地，通过同步测量晶振在不同温度下的频率准确度和晶振电路使用的热敏电阻的电压，构建晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系。
所述获取模块501还用于，获取所述晶振频率准确度与所述晶振压控端DAC之间的第二关系；
预先将晶振及其测量设备处于不同预设温度条件下，测量得到不同温度条件下晶振频率准确度与晶振压控端DAC变化之间的第二关系。
其中，第二关系是指恒温晶振频率准确度随晶振压控端DAC变化的斜率，具体的，将单片机输出到恒温晶振的DAC增加1000个单位，测得频率准确度增加约7100e-12，得出恒温晶振频率准确度随晶振压控端DAC变化的斜率，结果约为7.1e-12每一个DAC。
也就是说，第二关系反映了需补偿的晶振频率准确度与晶振的压控端电压变化之间的关系，在此基础上，确定了晶振需补偿的频率准确度，即可确定晶振压控端DAC的变化，进而根据晶振压控端DAC的变化计算待调整晶振的电压需要调节至何值。
确定模块502，用于根据待调整晶振的热敏电阻的电压以及所述对应关系，确定所述晶振需补偿的频率准确度；
具体来说，对待调整晶振进行温度补偿时，单片机实时监测待调整晶振的热敏电阻的电压ADC，并根据对应关系确定热敏电阻实际电压对应的晶振频率准确度。
其中，热敏电阻的实际电压以电压ADC的方式表示和监控。
也就是说，本申请在确定晶振需补偿的频率准确度时，直接使用热敏电阻的电压与晶振频率准确度之间的对应关系，不再通过热敏电阻的电压确定环境温度，再通过环境温度确定晶振的频率准确度，以避免热敏电阻的电压与环境温度之间的响应，以及环境温度与晶振的频率准确度之间的响应不同导致的误差，进而得到更加准确的晶振的频率准确度。
所述确定模块502还用于，根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振压控端的电压补偿量；
根据热敏电阻的实际电压确定待调整晶振的实际频率准确度后，即可根据预先确定的第二关系，得到晶振压控端DAC的变化，再根据晶振压控端的DAC变化得到计算晶振压控端的电压补偿量。
调整模块503，根据所述电压补偿量对所述待调整晶振进行电压补偿。
对晶振压控端补偿计算得到的电压补偿量，即可通过调节晶振压控端电压的方式，将晶振调整至当前环境温度下的标准输出频率，实现对晶振的补偿。
可选地，在待调整晶振所属的纯硬件电路上，增加单片机控制和频率校准电路。将预先构建的对应关系和第二关系预先存储与单片机中，使单片机更根据存储于其中的关系，实时监测待调整晶振的热敏电阻的电压和晶振压控端电压，并实时计算待调整晶振的电压补偿量，对晶振进行补偿。
具体地，将GPS模块或铷原子钟输出的PPS信号输入频率校准电路，校准电路通过时间-数字测量模块采集频率分频秒与标准秒之间的时间差，并根据数据粗略计算出晶振的频率准确度，调节DAC输出电压来修正晶振的频率，具体的，单片机根据频率准确度计算得到电压补偿量，调节DAC输出电压，经运算放大后，驱动恒温晶振的压控端，从而控制恒温晶振的输出频率；经过多次调整，直至晶振频率的分频秒和GPS的标准秒的相位一致，此时晶振的频率达到标称频率。
本发明通过构建不同温度下晶振频率准确度与传感器的热敏电阻的电压之间的关系，根据实际温度下的实际电压确定晶振的实际频率准确度，进而确定需要对晶振补偿的电压补偿量，通过调节电压实现对晶振频率的精准补偿。
图6示例了一种电子设备的实体结构示意图，如图6所示，该电子设备可以包括：处理器(processor)610、通信接口(CommunicationsInterface)620、存储器(memory)630和通信总线640，其中，处理器610，通信接口620，存储器630通过通信总线640完成相互间的通信。处理器610可以调用存储器630中的逻辑指令，以执行温晶振温度补偿方法，该方法包括：获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系；获取所述晶振需补偿的频率准确度与所述晶振压控端DAC变化之间的第二关系；根据待调整晶振的环境温度以及所述对应关系，确定所述晶振需补偿的频率准确度；根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振压控端的电压补偿量；根据所述电压补偿量对所述待调整晶振进行电压补偿。
此外，上述的存储器630中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（ROM，Read-OnlyMemory）、随机存取存储器（RAM，RandomAccessMemory）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
另一方面，本发明还提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机程序，计算机程序可存储在非暂态计算机可读存储介质上，所述计算机程序被处理器执行时，计算机能够执行上述各方法所提供的恒温晶振温度补偿方法，该方法包括：获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系；获取所述晶振需补偿的频率准确度与所述晶振压控端DAC变化之间的第二关系；根据待调整晶振的环境温度以及所述对应关系，确定所述晶振需补偿的频率准确度；根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振压控端的电压补偿量；根据所述电压补偿量对所述待调整晶振进行电压补偿。
又一方面，本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各方法提供的恒温晶振温度补偿方法，该方法包括：获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系；获取所述晶振频率准确度与所述晶振压控端DAC变化之间的第二关系；根据待调整晶振的环境温度以及所述对应关系，确定所述晶振需补偿的频率准确度；根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振压控端的电压补偿量；根据所述电压补偿量对所述待调整晶振进行电压补偿。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (9)
1.一种恒温晶振温度补偿方法，其特征在于，包括：
获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系；其中晶振频率准确度表示晶振在某一环境温度下，晶振的实际输出频率与标准输出频率之间的偏差程度；
获取所述晶振频率准确度与晶振压控端DAC之间的第二关系；其中第二关系是指恒温晶振频率准确度随晶振压控端DAC变化的斜率；
根据待调整晶振的热敏电阻的实际电压以及所述对应关系，确定所述晶振需补偿的频率准确度；
根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振压控端的电压补偿量；
根据所述电压补偿量对所述待调整晶振进行电压补偿。
2.根据权利要求1所述的恒温晶振温度补偿方法，其特征在于，所述获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系的步骤包括：
获取所述晶振频率准确度与所述预设温度之间的第一关联关系；
获取所述热敏电阻的电压与所述预设温度之间的第二关联关系；
根据所述第一关联关系和所述第二关联关系，确定所述对应关系。
3.根据权利要求2所述的恒温晶振温度补偿方法，其特征在于，所述获取所述晶振频率准确度与所述预设温度之间的第一关联关系的步骤，包括：
获取测量晶振在至少一个预设温度下的频率准确度；
根据所述测量晶振在至少一个预设温度下的频率准确度构建所述第一关联关系。
4.根据权利要求2所述的恒温晶振温度补偿方法，其特征在于，所述获取所述热敏电阻的电压与所述预设温度之间的第二关联关系的步骤，包括：
获取测量晶振在至少一个预设温度下的热敏电阻的电压；
根据所述测量晶振在至少一个预设温度下的热敏电阻的电压构建所述第二关联关系。
5.根据权利要求1-4任一项所述的恒温晶振温度补偿方法，其特征在于，所述根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振压控端的电压补偿量的步骤，包括：
根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振需补偿的频率准确度对应的晶振压控端DAC的变化；
根据所述晶振压控端DAC的变化，确定所述晶振压控端的电压补偿量。
6.一种恒温晶振温度补偿装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取晶振频率准确度与热敏电阻的电压在预设温度下的对应关系；其中晶振频率准确度表示晶振在某一环境温度下，晶振的实际输出频率与标准输出频率之间的偏差程度；
所述获取模块还用于，获取所述晶振频率准确度与晶振压控端DAC之间的第二关系；其中第二关系是指恒温晶振频率准确度随晶振压控端DAC变化的斜率；
确定模块，用于根据待调整晶振的环境温度以及所述对应关系，确定所述晶振需补偿的频率准确度；
所述确定模块还用于，根据所述晶振需补偿的频率准确度及所述第二关系，确定所述晶振压控端的电压补偿量；
调整模块，根据所述电压补偿量对所述待调整晶振进行电压补偿。
7.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至5任一项所述恒温晶振温度补偿方法。
8.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一项所述恒温晶振温度补偿方法。
9.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一项所述恒温晶振温度补偿方法。
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