CN117348653B - 一种铝源输送管路的控制方法、装置、设备及介质 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及数据处理技术领域,尤其涉及一种铝源输送管路的控制方法、装置、设备及介质,基于获取的第一扫描周期压力和第二扫描周期压力,计算所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值以及所述二级压力采集器件的累积精度误差,进而控制所述铝源输送管路中的各种阀门,维持铝源输送管路的压力稳定,保证雾化前的源液输送压力精度满足设置要求;并且,还根据雾化器的反馈流量数据和液体流量控制装置的传输流量数据,确定所述液体流量控制装置的设定流量数据,提升输入雾化器的源液流量精度。
Description
技术领域
本申请涉及数据处理技术领域,尤其涉及一种铝源输送管路的控制方法、装置、设备及介质。
背景技术
在电子器件生产工艺中,全球半导体薄膜沉积设备市场规模较大,原子层沉积技术应用十分广泛。通过制造超薄高介质材料取代传统氧化硅,成功解决了场效应晶体管因线宽缩小而引起的漏电流难题,促使摩尔定律进一步向更小线宽发展。在存储芯片领域,ALD设备凭借原子级别的薄膜厚度和均匀性、高阶梯覆盖率,以及精确控制的多元掺杂和叠层等技术,可满足先进存储器件制造过程中的工艺要求。此外,其产品在新型存储器的工艺需求中也有着广泛的应用前景。在第三代半导体领域,随着5G通讯、新能源汽车和充电桩等市场加速,进一步推动IGBT、Sic、GaN等功率器件的需求。ALD技术的金属氧化物、氮化物薄膜可作为栅氧层、钝化层和过渡层等,起到更好的器件漏电抑制、阻水阻氧效果。在新型显示技术领域,如AR、VR等消费类终端的发展,Mini/Micro LED和Micro-OLED市场规模快速提升。此技术具备产能高、综合成本低等优势,可为Micro-OLED硅基微型显示器、先进晶圆封装、MEMS等提供定制化量产解决方案。
伴随着半导体集成电路产业的飞速发展,在ALD镀膜设备制程环节需要使用TMA介质作为铝源注入,随着更复杂、更密集的大规模和超大规模集成电路的生产,由于工艺技术难度更高、生产过程更为复杂,当前铝源输入的稳定性已不能满足其需求。
发明内容
为克服现有技术中的不足,本申请提供一种铝源输送管路的控制方法、装置、设备及介质,能够对铝源输送管路进行恒压稳定,保证输送压力精度满足工艺需求。
第一方面,本申请提供一种铝源输送管路的控制方法,应用于ALD镀膜设备,所述铝源输送管路设置有一级压力采集器件和二级压力采集器件,所述方法包括以下步骤:
获取当前所述一级压力采集器件的第一扫描周期压力和当前所述二级压力采集器件的第二扫描周期压力;
基于获取的所述第一扫描周期压力和所述第二扫描周期压力,计算所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值以及所述二级压力采集器件的累积精度误差;
根据所述二级压力采集器件的累积精度误差和设置的恒压阈值之间的第一关系,以及所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值和设置的精度误差阈值之间的第二关系,控制所述铝源输送管路中的各种阀门,以维持压力稳定。
在一种可能的实施方式中,所述铝源输送管路中的各种阀门包括泄压阀门、压力补偿阀门和调节阀门PDV,所述根据所述二级压力采集器件的累积精度误差和设置的恒压阈值之间的第一关系,以及所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值和设置的精度误差阈值之间的第二关系,控制所述铝源输送管路中的各种阀门,包括以下步骤:
若所述二级压力采集器件的累积精度误差大于设置的恒压阈值,开启所述泄压阀门调整至标准压力;或者,若所述二级压力采集器件的累积精度误差小于设置的恒压阈值,开启所述压力补偿阀门调整至标准压力;
若所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值大于或者小于设置的精度误差阈值,开启调节阀门PDV进行恒压。
在一种可能的实施方式中,通过如下方式计算所述二级压力采集器件的累积精度误差:
将距离当前时间最近的开启所述泄压阀门或者开启所述压力补偿阀门的动作时间作为初始时间;
获取从所述初始时间至当前时间中所述二级压力采集器件的每次第二扫描周期压力;
根据设置的恒压阈值计算每次所述第二扫描周期压力的相对误差,并进行求和,得到所述二级压力采集器件的累积精度误差。
在一种可能的实施方式中,所述铝源输送管路还设置有与雾化器形成闭合回路的液体流量控制装置,所述方法还包括以下步骤:
获取所述雾化器的反馈流量数据和所述液体流量控制装置的传输流量数据;
根据获取的所述雾化器的反馈流量数据和所述液体流量控制装置的传输流量数据,确定所述液体流量控制装置的设定流量数据,以维持流量稳定。
在一种可能的实施方式中,所述根据获取的所述雾化器的反馈流量数据和所述液体流量控制装置的传输流量数据,确定所述液体流量控制装置的设定流量数据,包括以下步骤:
根据设置的设定流量误差和当前所述雾化器的扫描周期流量,计算当前所述雾化器的扫描周期误差;
若计算出的前所述雾化器的扫描周期误差大于或者等于零,将获取的所述液体流量控制装置的传输流量数据与设置的所述设定流量误差相减之后,与获取的所述雾化器的反馈流量数据相加,得到所述液体流量控制装置的设定流量数据;
若计算出的前所述雾化器的扫描周期误差小于零,将获取的所述液体流量控制装置的传输流量数据与设置的所述设定流量误差和获取的所述雾化器的反馈流量数据相加,得到所述液体流量控制装置的设定流量数据。
在一种可能的实施方式中,所述铝源输送管路设置有多个支路,每个所述支路均设置有管路切换器件,所述方法还包括以下步骤:
根据铝源的输送规格,控制相应的管路切换器件开启;以将其输送至所述雾化器进行雾化;其中,不同的所述支路用于根据工艺配方输送不同规格的铝源。
在一种可能的实施方式中,所述铝源输送管路的铝源输入端的转角大于90°。
第二方面,本申请提供一种铝源输送管路的控制装置,应用于ALD镀膜设备,所述铝源输送管路设置有一级压力采集器件和二级压力采集器件,所述装置包括:
获取模块,用于获取当前所述一级压力采集器件的第一扫描周期压力和当前所述二级压力采集器件的第二扫描周期压力;
计算模块,用于基于获取的所述第一扫描周期压力和所述第二扫描周期压力,计算所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值以及所述二级压力采集器件的累积精度误差;
控制模块,用于根据所述二级压力采集器件的累积精度误差和设置的恒压阈值之间的第一关系,以及所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值和设置的精度误差阈值之间的第二关系,控制所述铝源输送管路中的各种阀门,以维持压力稳定。
第三方面,本申请提供一种电子设备,包括:处理器、存储器和总线,所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令,当电子设备运行时,所述处理器与所述存储器之间通过总线通信,所述机器可读指令被所述处理器执行时执行如第一方面任一所述的铝源输送管路的控制方法的步骤。
第四方面,本申请提供一种计算机可读存储介质,该计算机可读存储介质上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器运行时执行如第一方面任一所述的铝源输送管路的控制方法的步骤。
本实施例提供的一种铝源输送管路的控制方法、装置、设备及介质,获取当前所述一级压力采集器件的第一扫描周期压力和当前所述二级压力采集器件的第二扫描周期压力;基于获取的所述第一扫描周期压力和所述第二扫描周期压力,计算所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值以及所述二级压力采集器件的累积精度误差;根据所述二级压力采集器件的累积精度误差和设置的恒压阈值之间的第一关系,以及所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值和设置的精度误差阈值之间的第二关系,控制所述铝源输送管路中的各种阀门,从而维持铝源输送管路的压力稳定,保证雾化前的源液输送压力精度满足设置要求;
并且,其他实施例中,还根据雾化器的反馈流量数据和液体流量控制装置的传输流量数据,确定所述液体流量控制装置的设定流量数据,从而提升输入雾化器的源液流量精度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了本申请一实施例所述铝源输送管路的控制方法的流程图;
图2示出了本申请一实施例所述控制所述铝源输送管路中的各种阀门的流程图;
图3示出了本申请一实施例所述维持所述铝源输送管路流量稳定的流程图;
图 4示出了本申请一实施例所述确定所述液体流量控制装置的设定流量数据的流程图;
图5示出了本申请一实施例所述铝源输送管路的控制装置的结构示意图;
图6示出了本申请一实施例所述电子设备的结构框图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,应当理解,本申请中附图仅起到说明和描述的目的,并不用于限定本申请的保护范围。另外,应当理解,示意性的附图并未按实物比例绘制。本申请中使用的流程图示出了根据本申请的一些实施例实现的操作。 应该理解,流程图的操作可以不按顺序实现,没有逻辑的上下文关系的步骤可以反转顺序或者同时实施。 此外,本领域技术人员在本申请内容的指引下,可以向流程图添加一个或多个其他操作,也可以从流程图中移除一个或多个操作。
另外,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
需要说明的是,本申请实施例中将会用到术语“包括”,用于指出其后所声明的特征的存在,但并不排除增加其它的特征。
基于背景技术所提出的技术问题,本申请提供一种铝源输送管路的控制方法、装置、设备及介质,能够维持铝源输送管路的压力稳定,并且提升输入雾化器的源液流量精度。
在一实施例中,参见说明书附图1,本申请提供的一种铝源输送管路的控制方法,应用于ALD镀膜设备,所述铝源输送管路设置有一级压力采集器件和二级压力采集器件,所述方法包括以下步骤:
S1、获取当前所述一级压力采集器件的第一扫描周期压力和当前所述二级压力采集器件的第二扫描周期压力;
S2、基于获取的所述第一扫描周期压力和所述第二扫描周期压力,计算所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值以及所述二级压力采集器件的累积精度误差;
S3、根据所述二级压力采集器件的累积精度误差和设置的恒压阈值之间的第一关系,以及所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值和设置的精度误差阈值之间的第二关系,控制所述铝源输送管路中的各种阀门,以维持压力稳定。
在本申请实施例中,所述铝源输送管路的控制方法可以运行于终端设备或者是服务器;其中,终端设备可以为本地应用软件,当铝源输送管路的控制方法运行于服务器时,该铝源输送管路的控制方法则可以基于云交互系统来实现与执行,其中,云交互系统至少包括服务器和客户端设备(也即应用软件)。具体的,以应用于服务器为例,当所述铝源输送管路的控制方法运行于服务器时,能够对铝源输送管路进行恒压并提升铝源输送流量的精度。
为了清楚地了解本发明实施例的技术方案,先对ALD(Atomic layer deposition,原子层沉积)进行示例性说明。所述ALD是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法,具体是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法,例如,利用TMA气体(三甲基铝)沉积Al2O3钝化膜。在本申请中,则是通过铝源输送管路为ALD设备输送恒压、且流量稳定的铝源(TMA液体),然后由ALD设备的雾化器将该铝源雾化为气体,并传输至后序的反应器。
由于,铝源输送管路中的铝源(TMA液体)是由压气(高压惰性气体)供应,所以所述铝源输送管路存在一级输送和二级输送,并且所述铝源输送管路中会存在气泡对液体质量、流量造成误差,为了更好的采集所述铝源输送管路的压力数据,设置有一级压力采集器件和二级压力采集器件,同时设置有各种阀门,例如泄压阀门、压力补偿阀门和调节阀门PDV,以维持所述铝源输送管路恒压,保证雾化前的铝源(TMA液体)输送压力精度满足设置要求。
在一实施例中,所述铝源输送管路设置有一级压力采集器件P1和二级压力采集器件P2,在步骤S1中,获取当前所述一级压力采集器件P1的第一扫描周期压力Pre(p1(t))和当前所述二级压力采集器件P2的第二扫描周期压力Pre(p2(t))。
在步骤S2中,基于所述一级压力采集器件P1的第一扫描周期压力Pre(p1(t))和当前所述二级压力采集器件P2的第二扫描周期压力Pre(p2(t)),计算出的所述一级压力采集器件P1和所述二级压力采集器件P2之间的相对误差绝对值Pre(p(t))= |Pre(p2(t))- Pre(p1(t))|;
通过如下方式计算所述二级压力采集器件P2的累积精度误差Pre(total),包括以下步骤:将距离当前时间最近的开启所述泄压阀门调整至标准压力,或者开启所述压力补偿阀门调整至标准压力的动作时间作为初始时间;获取从所述初始时间至当前时间中所述二级压力采集器件P2的每次第二扫描周期压力Pre(p2(t))、Pre(p2(t-1))、Pre(p2(t-2))……Pre(p2(1));根据设置的恒压阈值Pre(s(p)计算每次所述第二扫描周期压力Pre(p2(t))、Pre(p2(t-1))、Pre(p2(t-2))……Pre(p2(1))的相对误差,并进行求和,得到所述二级压力采集器件P2的累积精度误差Pre(total);
其中,在根据设置的恒压阈值Pre(s(p)计算每次所述第二扫描周期压力Pre(p2(t))、Pre(p2(t-1))、Pre(p2(t-2))……Pre(p2(1))的相对误差时,以计算第二扫描周期压力Pre(p2(t))为例,若Pre(s(p)>Pre(p2(t)),第二扫描周期压力Pre(p2(t))的相对误差为Pre(s(p)-Pre(p2(t));若Pre(s(p)<Pre(p2(t)),第二扫描周期压力Pre(p2(t))的相对误差为re(p2(t))-Pre(s(p)。
具体的,参见说明书附图2,在步骤S3中,所述根据所述二级压力采集器件的累积精度误差和设置的恒压阈值之间的第一关系,以及所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值和设置的精度误差阈值之间的第二关系,控制所述铝源输送管路中的各种阀门,包括以下步骤:
S301、若所述二级压力采集器件的累积精度误差大于设置的恒压阈值,开启所述泄压阀门调整至标准压力;或者,若所述二级压力采集器件的累积精度误差小于设置的恒压阈值,开启所述压力补偿阀门调整至标准压力;
S302、若所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值大于或者小于设置的精度误差阈值,开启调节阀门PDV进行恒压。
即,在步骤S301中,当Pre(total)>Pre(s(p)时,开启泄压阀门调整至标准压力;或者Pre(total)<Pre(s(p)时,开启压力补偿阀门调整至标准压力。其中,所述标准压力(standard pressure)为一公布的化学名词,规定为100kPa;在步骤S302中,设定的精度误差阈值为Pre(p)=±0.1psig,当Pre(p(t))>Pre(p) or Pre(p(t))<Pre(p)时,开启调节阀门PDV进行恒压;从而使得铝源(TMA液体)输入雾化器之前的传输压力精度满足设置的±0.1psig,为保证铝源(TMA液体)稳定雾化和在线持续供应的质量。
进一步的,在本申请中,除了要保证铝源输送管路的恒压稳定,还需要精准控制铝源(TMA液体)输入雾化器的流量精度。
在一实施例中,所述铝源输送管路设置有与雾化器形成闭合回路的液体流量控制装置LFM,参见说明书附图3,维持所述铝源输送管路流量稳定,包括以下步骤:
S4、获取所述雾化器的反馈流量数据和所述液体流量控制装置的传输流量数据;
S5、根据获取的所述雾化器的反馈流量数据和所述液体流量控制装置的传输流量数据,确定所述液体流量控制装置的设定流量数据,以维持流量稳定。
具体的,在步骤S4中,先获取所述雾化器的反馈流量数据FSVA和所述液体流量控制装置的传输流量数据FSTLFM;在步骤S5中,参见说明书附图4,所述根据获取的所述雾化器的反馈流量数据和所述液体流量控制装置的传输流量数据,确定所述液体流量控制装置的设定流量数据,包括以下步骤:
S501、根据设置的设定流量误差和当前所述雾化器的扫描周期流量,计算当前所述雾化器的扫描周期误差;
S502、若计算出的当前所述雾化器的扫描周期误差大于或者等于零,将获取的所述液体流量控制装置的传输流量数据与设置的所述设定流量误差相减之后,与获取的所述雾化器的反馈流量数据相加,得到所述液体流量控制装置的设定流量数据;
S503、若计算出的当前所述雾化器的扫描周期误差小于零,将获取的所述液体流量控制装置的传输流量数据与设置的所述设定流量误差和获取的所述雾化器的反馈流量数据相加,得到所述液体流量控制装置的设定流量数据。
在步骤S501-步骤S503中,设置的设定流量误差为F(s)=±1%sccm/minFSLFM,其中,FSLFM即表示所述液体流量控制装置的设定流量数据;当计算出的当前所述雾化器的扫描周期误差FD(VA(t))大于或者等于零,将获取的所述传输流量数据FSTLFM与设置的所述设定流量误差F(s)相减之后,与获取的所述反馈流量数据FSVA相加,得到所述液体流量控制装置的设定流量数据FSLFM,即FSLFM= FSTLFM- F(s)+ FSVA;
当计算出的当前所述雾化器的扫描周期误差FD(VA(t))小于零,将获取的所述传输流量数据FSTLFM与设置的所述设定流量误差F(s)和所述反馈流量数据FSVA相加,得到所述液体流量控制装置的设定流量数据FSLFM,即FSLFM= FSTLFM+ F(s)+ FSVA。
从而实现雾化器和液体流量控制装置LFM连接形成闭环回路,液体流量控制装置LFM的阀门开合大小变送为模拟量电流,来控制雾化器的阀门开合,实现稳定的流量输出。
在其他实施例中,所述铝源输送管路设置有多个支路,每个所述支路均设置有管路切换器件,不同的所述支路用于根据工艺配方输送不同规格的铝源。则根据铝源的输送规格,控制相应的管路切换器件开启以将其输送至所述雾化器进行雾化。
进一步的,为了保证吹扫无死角且回液工艺最大程度减小液体残留,铝源输送管路部分设计为98°,尤其的,将铝源输入端的转角大于90°,以降低弯管阻力。
可见,本申请提供的铝源输送管路的控制方法,一方面能够维持所述铝源输送管路恒压,保证雾化前的铝源(TMA液体)输送压力精度满足设置要求;另一方面能够控制铝源(TMA液体)输入雾化器的流量精度,从而满足ALD镀膜所设置的工艺要求。
基于同一发明构思,本申请实施例中还提供了一种铝源输送管路的控制装置,由于本申请实施例中的装置解决问题的原理与本申请实施例上述一种铝源输送管路的控制方法相似,因此装置的实施可以参见方法的实施,重复之处不再赘述。
如说明书附图5所示,本申请实施例提供的一种铝源输送管路的控制装置,应用于ALD镀膜设备,所述铝源输送管路设置有一级压力采集器件和二级压力采集器件,所述装置包括:
获取模块501,用于获取当前所述一级压力采集器件的第一扫描周期压力和当前所述二级压力采集器件的第二扫描周期压力;
计算模块502,用于基于获取的所述第一扫描周期压力和所述第二扫描周期压力,计算所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值以及所述二级压力采集器件的累积精度误差;
控制模块503,用于根据所述二级压力采集器件的累积精度误差和设置的恒压阈值之间的第一关系,以及所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值和设置的精度误差阈值之间的第二关系,控制所述铝源输送管路中的各种阀门,以维持压力稳定。
在一实施例中,所述铝源输送管路中的各种阀门包括泄压阀门、压力补偿阀门和调节阀门PDV,所述控制模块503根据所述二级压力采集器件的累积精度误差和设置的恒压阈值之间的第一关系,以及所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值和设置的精度误差阈值之间的第二关系,控制所述铝源输送管路中的各种阀门,包括:
若所述二级压力采集器件的累积精度误差大于设置的恒压阈值,开启所述泄压阀门调整至标准压力;或者,若所述二级压力采集器件的累积精度误差小于设置的恒压阈值,开启所述压力补偿阀门调整至标准压力;
若所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值大于或者小于设置的精度误差阈值,开启调节阀门PDV进行恒压。
在一实施例中,所述计算模块502计算所述二级压力采集器件的累积精度误差,包括:
将距离当前时间最近的开启所述泄压阀门或者开启所述压力补偿阀门的动作时间作为初始时间;
获取从所述初始时间至当前时间中所述二级压力采集器件的每次第二扫描周期压力,并进行求和,得到所述二级压力采集器件的累积精度误差。
在一实施例中,所述铝源输送管路还设置有与雾化器形成闭合回路的液体流量控制装置,所述装置还包括:
确定模块,用于获取所述雾化器的反馈流量数据和所述液体流量控制装置的传输流量数据;根据获取的所述雾化器的反馈流量数据和所述液体流量控制装置的传输流量数据,确定所述液体流量控制装置的设定流量数据,以维持流量稳定。
在一实施例中,所述确定模块根据获取的所述雾化器的反馈流量数据和所述液体流量控制装置的传输流量数据,确定所述液体流量控制装置的设定流量数据,包括:
根据设置的设定流量误差和当前所述雾化器的扫描周期流量,计算当前所述雾化器的扫描周期误差;
若计算出的前所述雾化器的扫描周期误差大于或者等于零,将获取的所述液体流量控制装置的传输流量数据与设置的所述设定流量误差相减之后,与获取的所述雾化器的反馈流量数据相加,得到所述液体流量控制装置的设定流量数据;
若计算出的前所述雾化器的扫描周期误差小于零,将获取的所述液体流量控制装置的传输流量数据与设置的所述设定流量误差和获取的所述雾化器的反馈流量数据相加,得到所述液体流量控制装置的设定流量数据。
在一实施例中,所述铝源输送管路设置有多个支路,每个所述支路均设置有管路切换器件,所述装置还包括:
开启模块,用于根据铝源的输送规格,控制相应的管路切换器件开启;以将其输送至所述雾化器进行雾化;其中,不同的所述支路用于根据工艺配方输送不同规格的铝源。
在一实施例中,所述铝源输送管路的铝源输入端的转角大于90°。
本申请提供的一种铝源输送管路的控制装置,通过获取模块获取当前所述一级压力采集器件的第一扫描周期压力和当前所述二级压力采集器件的第二扫描周期压力;通过计算模块基于获取的所述第一扫描周期压力和所述第二扫描周期压力,计算所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值以及所述二级压力采集器件的累积精度误差;通过控制模块根据所述二级压力采集器件的累积精度误差和设置的恒压阈值之间的第一关系,以及所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值和设置的精度误差阈值之间的第二关系,控制所述铝源输送管路中的各种阀门,从而维持铝源输送管路的压力稳定,保证雾化前的源液输送压力精度满足设置要求;
并且,其他实施例中,还通过确定模块根据雾化器的反馈流量数据和液体流量控制装置的传输流量数据,确定所述液体流量控制装置的设定流量数据,从而提升输入雾化器的源液流量精度。
基于本发明的同一构思,说明书附图6所示,本申请实施例提供的一种电子设备600的结构,该电子设备600包括:至少一个处理器601,至少一个网络接口604或者其他用户接口603,存储器605,至少一个通信总线602。通信总线602用于实现这些组件之间的连接通信。该电子设备600可选的包含用户接口603,包括显示器(例如,触摸屏、LCD、CRT、全息成像(Holographic)或者投影(Projector)等),键盘或者点击设备(例如,鼠标,轨迹球(trackball),触感板或者触摸屏等)。
存储器605可以包括只读存储器和随机存取存储器,并向处理器601提供指令和数据。存储器605的一部分还可以包括非易失性随机存取存储器(NVRAM)。
在一些实施方式中,存储器605存储了如下的元素,可执行模块或者数据结构,或者他们的子集,或者他们的扩展集:
操作系统6051,包含各种系统程序,用于实现各种基础业务以及处理基于硬件的任务;
应用程序模块6052,包含各种应用程序,例如桌面(launcher)、媒体播放器(MediaPlayer)、浏览器(Browser)等,用于实现各种应用业务。
在本申请实施例中,通过调用存储器605存储的程序或指令,处理器601用于执行如一种铝源输送管路的控制方法中的步骤,能够对铝源输送管路进行恒压稳定,保证输送压力精度满足工艺需求,并且提升铝源输送的流量精度。
本申请还提供了一种计算机可读存储介质,该计算机可读存储介质上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器运行时执行如铝源输送管路的控制方法中的步骤。
具体地,该存储介质能够为通用的存储介质,如移动磁盘、硬盘等,该存储介质上的计算机程序被运行时,能够执行上述铝源输送管路的控制方法。
在本申请所提供的实施例中,应该理解到,所揭露装置和方法,可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,又例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请提供的实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是:以上实施例,仅为本申请的具体实施方式,用以说明本申请的技术方案,而非对其限制,本申请的保护范围并不局限于此,尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改、变化或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例技术方案的精神和范围。都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种铝源输送管路的控制方法,其特征在于,应用于ALD镀膜设备,所述铝源输送管路设置有一级压力采集器件和二级压力采集器件,所述方法包括以下步骤:
获取当前所述一级压力采集器件的第一扫描周期压力和当前所述二级压力采集器件的第二扫描周期压力;
基于获取的所述第一扫描周期压力和所述第二扫描周期压力,计算所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值以及所述二级压力采集器件的累积精度误差;
根据所述二级压力采集器件的累积精度误差和设置的恒压阈值之间的第一关系,以及所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值和设置的精度误差阈值之间的第二关系,控制所述铝源输送管路中的各种阀门,以维持压力稳定;
其中,所述铝源输送管路中的各种阀门包括泄压阀门、压力补偿阀门和调节阀门PDV,所述根据所述二级压力采集器件的累积精度误差和设置的恒压阈值之间的第一关系,以及所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值和设置的精度误差阈值之间的第二关系,控制所述铝源输送管路中的各种阀门,包括以下步骤:
若所述二级压力采集器件的累积精度误差大于设置的恒压阈值,开启所述泄压阀门调整至标准压力;或者,若所述二级压力采集器件的累积精度误差小于设置的恒压阈值,开启所述压力补偿阀门调整至标准压力;
若所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值大于或者小于设置的精度误差阈值,开启调节阀门PDV进行恒压;
其中,通过如下方式计算所述二级压力采集器件的累积精度误差:
将距离当前时间最近的开启所述泄压阀门或者开启所述压力补偿阀门的动作时间作为初始时间;
获取从所述初始时间至当前时间中所述二级压力采集器件的每次第二扫描周期压力;
根据设置的恒压阈值计算每次所述第二扫描周期压力的相对误差,并进行求和,得到所述二级压力采集器件的累积精度误差;其中,通过所述第二扫描周期压力和所述恒压阈值中较大值减去较小值以计算所述相对误差。
2.根据权利要求1所述一种铝源输送管路的控制方法,其特征在于,所述铝源输送管路还设置有与雾化器形成闭合回路的液体流量控制装置,所述方法还包括以下步骤:
获取所述雾化器的反馈流量数据和所述液体流量控制装置的传输流量数据;
根据获取的所述雾化器的反馈流量数据和所述液体流量控制装置的传输流量数据,确定所述液体流量控制装置的设定流量数据,以维持流量稳定。
3.根据权利要求2所述一种铝源输送管路的控制方法,其特征在于,所述根据获取的所述雾化器的反馈流量数据和所述液体流量控制装置的传输流量数据,确定所述液体流量控制装置的设定流量数据,包括以下步骤:
根据设置的设定流量误差和当前所述雾化器的扫描周期流量,计算当前所述雾化器的扫描周期误差;
若计算出的当前所述雾化器的扫描周期误差大于或者等于零,将获取的所述液体流量控制装置的传输流量数据与设置的所述设定流量误差相减之后,与获取的所述雾化器的反馈流量数据相加,得到所述液体流量控制装置的设定流量数据;
若计算出的当前所述雾化器的扫描周期误差小于零,将获取的所述液体流量控制装置的传输流量数据与设置的所述设定流量误差和获取的所述雾化器的反馈流量数据相加,得到所述液体流量控制装置的设定流量数据。
4.根据权利要求3所述一种铝源输送管路的控制方法,其特征在于,所述铝源输送管路设置有多个支路,每个所述支路均设置有管路切换器件,所述方法还包括以下步骤:
根据铝源的输送规格,控制相应的管路切换器件开启;以将其输送至所述雾化器进行雾化;其中,不同的所述支路用于根据工艺配方输送不同规格的铝源。
5.根据权利要求4所述一种铝源输送管路的控制方法,其特征在于,所述铝源输送管路的铝源输入端的转角大于90°。
6.一种铝源输送管路的控制装置,其特征在于,应用于ALD镀膜设备,所述铝源输送管路设置有一级压力采集器件和二级压力采集器,所述装置包括:
获取模块,用于获取当前所述一级压力采集器件的第一扫描周期压力和当前所述二级压力采集器件的第二扫描周期压力;
计算模块,用于基于获取的所述第一扫描周期压力和所述第二扫描周期压力,计算所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值以及所述二级压力采集器件的累积精度误差;
控制模块,用于根据所述二级压力采集器件的累积精度误差和设置的恒压阈值之间的第一关系,以及所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值和设置的精度误差阈值之间的第二关系,控制所述铝源输送管路中的各种阀门,以维持压力稳定;其中,所述铝源输送管路中的各种阀门包括泄压阀门、压力补偿阀门和调节阀门PDV,若所述二级压力采集器件的累积精度误差大于设置的恒压阈值,开启所述泄压阀门调整至标准压力;或者,若所述二级压力采集器件的累积精度误差小于设置的恒压阈值,开启所述压力补偿阀门调整至标准压力;若所述一级压力采集器件和所述二级压力采集器件之间的相对误差绝对值大于或者小于设置的精度误差阈值,开启调节阀门PDV进行恒压;其中,将距离当前时间最近的开启所述泄压阀门或者开启所述压力补偿阀门的动作时间作为初始时间;获取从所述初始时间至当前时间中所述二级压力采集器件的每次第二扫描周期压力;根据设置的恒压阈值计算每次所述第二扫描周期压力的相对误差,并进行求和,得到所述二级压力采集器件的累积精度误差;其中,通过所述第二扫描周期压力和所述恒压阈值中较大值减去较小值以计算所述相对误差。
7.一种电子设备,其特征在于,包括:处理器、存储器和总线,所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令,当电子设备运行时,所述处理器与所述存储器之间通过总线通信,所述机器可读指令被所述处理器执行时执行如权利要求1至5任一所述的铝源输送管路的控制方法的步骤。
8.一种计算机可读存储介质,其特征在于,该计算机可读存储介质上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至5任一所述的铝源输送管路的控制方法的步骤。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62273714A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Clarion Co Ltd | 有機金属ガス供給方法および装置 |
JP2007039750A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Furukawa Co Ltd | 原子層堆積装置 |
JP2013076113A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給装置及び成膜装置 |
CN107850905A (zh) * | 2015-06-12 | 2018-03-27 | 西港能源有限公司 | 控制终端使用设备中的压力偏差的高压流体控制系统和方法 |
CN207760427U (zh) * | 2018-01-26 | 2018-08-24 | 常州比太黑硅科技有限公司 | 一种三甲基铝计量输送装置 |
CN111595408A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-28 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 一种测量恒温密闭容器内液位的设备、镀膜装置、测量液位的方法 |
CN217561175U (zh) * | 2022-02-24 | 2022-10-11 | 广东亿威仕流体控制有限公司 | 一种隔膜式蓄能器的恒压差试验装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6413293B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び記憶媒体 |
JP6706121B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-06-03 | 株式会社フジキン | 圧力制御装置および圧力制御システム |
US20170362701A1 (en) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | Veeco Instruments Inc. | Central source delivery for chemical vapor deposition systems |
-
2023
- 2023-12-05 CN CN202311649294.6A patent/CN117348653B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62273714A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Clarion Co Ltd | 有機金属ガス供給方法および装置 |
JP2007039750A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Furukawa Co Ltd | 原子層堆積装置 |
JP2013076113A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給装置及び成膜装置 |
CN107850905A (zh) * | 2015-06-12 | 2018-03-27 | 西港能源有限公司 | 控制终端使用设备中的压力偏差的高压流体控制系统和方法 |
CN207760427U (zh) * | 2018-01-26 | 2018-08-24 | 常州比太黑硅科技有限公司 | 一种三甲基铝计量输送装置 |
CN111595408A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-28 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 一种测量恒温密闭容器内液位的设备、镀膜装置、测量液位的方法 |
CN217561175U (zh) * | 2022-02-24 | 2022-10-11 | 广东亿威仕流体控制有限公司 | 一种隔膜式蓄能器的恒压差试验装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
CVD设备气流不稳定因素分析及解决方案;刘永立;;半导体技术(02);全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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