CN117335126A - 一种电子设备 - Google Patents

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CN117335126A CN202210718978.6A CN202210718978A CN117335126A CN 117335126 A CN117335126 A CN 117335126A CN 202210718978 A CN202210718978 A CN 202210718978A CN 117335126 A CN117335126 A CN 117335126A
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Abstract

本申请实施例提供了一种电子设备，包括天线，该天线通过两个馈电点之间设置的T型电路可以拓展天线的隔离度带宽，满足通信需要。天线包括第一电感，第二电感和电容，第一电感和第二电感串联在天线的两个馈电点之间，电容的一端位于第一电感与第二电感之间，电容的另一端接地。

Description

一种电子设备
技术领域
本申请涉及无线通信领域，尤其涉及一种电子设备。
背景技术
随着无线通信技术的快速发展，过去第二代(second generation，2G)移动通信系统主要支持通话功能，电子设备只是人们用于收发简讯以及语音沟通的工具，无线上网功能由于数据传输利用语音信道来传送，速度极为缓慢。现今，电子设备除了用于通话、发送短信、拍照之外，更可用于在线听音乐、观看网络影片、实时视频等，涵盖了人们生活中通话、影视娱乐以及电子商务等各式应用，在这之中，多种功能应用都需要无线网络上传及下载数据，因此，数据的高速传输变得极为重要。
而在众多研究当中，多输入多输出系统(multiple-input multiple-output，MIMO)是一项被广泛采用的核心技术，MIMO系统可以同时具备空间多样(spatialdiversity)及空间多任务(spatial multiplexing)，藉由在发射端与接收端架设多路天线所提供的空间自由度来提升通讯系统的频谱效率，进而达到改善通讯质量与提升传输速率的目标。目前在电子设备日益紧凑的布局中实现长期演进(long term evolution，LTE)/第五代(fifth generation，5G)新空口(New Radio，NR)的MIMO系统的多天线具有很大挑战。
发明内容
本申请实施例提供了一种电子设备，包括天线，该天线通过两个馈电点之间设置的T型电路可以拓展天线的隔离度带宽，满足通信需要。
第一方面，提供了一种电子设备，包括：天线，所述天线包括所述辐射体，所述辐射体包括第一馈电点和第二馈电点；地板，所述天线通过所述地板接地；其中，所述天线还包括第一电容，第二电容，第一馈电单元和第二馈电单元，所述第一电容的第一端与所述辐射体在第一馈电点处电连接，所述第一电容的第二端与所述第一馈电单元电连接，所述第二电容的第一端与所述辐射体在第二馈电点处电连接，所述第二电容的第二端与所述第二馈电单元电连接；所述天线还包括第一电感，第二电感和第三电容，所述第一电感的第一端位于所述第一电容的第二端与所述第一馈电单元之间，所述第一电感的第二端与所述第二电感的第一端电连接，所述第二电感的第二端位于所述第二电容的第二端与所述第二馈电单元之间，所述第三电容的第一端位于所述第一电感的第二端与所述第二电感的第一端之间，所述第三电容的第二端接地。
根据本申请实施例，可以利用串联的第一电感和第二电感调整天线中的DM模式对应的阻抗曲线。利用第三电容调整天线中的CM模式对应的阻抗曲线。因此，可以通过串联的第一电感和第二电感调整天线中的DM模式对应的阻抗曲线，可以通过第三电容调整天线中的CM模式对应的阻抗曲线，使CM模式对应的阻抗曲线和DM模式对应的阻抗曲线靠近，从而提升天线的隔离度的带宽。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一电感的电容值L1满足：1nH≤L1≤8nH；和/或，所述第二电感的电容值L2满足：1nH≤L2≤8nH；和/或，所述第三电容的电容值C3满足：0.1pF≤C3≤5pF。
根据本申请实施例，为论述的简洁，本申请仅以上述5G频段为例进行说明，在实际的应用中，可以根据设计需求对上述电容的电容值和电感的电感值进行调整。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一馈电点和所述第二馈电点沿所述辐射体的虚拟轴线对称；所述虚拟轴线两侧的辐射体的长度相同。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一电感的电感值和所述第二电感的电感值相同。
根据本申请实施例，随着天线的结构的对称性增加，天线的辐射特性(例如带宽)随之改善。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一馈电单元馈电时，所述天线产生第一谐振和第二谐振，所述第一谐振的谐振频率低于所述第二谐振的谐振频率；所述第二馈电单元馈电时，所述天线产生第三谐振和第四谐振，所述第一谐振的谐振频段和所述第三谐振的谐振频段同频，所述第二谐振的谐振频段和所述第四谐振的谐振频段同频。
根据本申请实施例，第一馈电单元通过第一电容间接耦合馈入电信号可以使第一天线单元工作在两种不同的模式下，产生两个谐振，以拓展天线的工作带宽。第二馈电单元通过第二电容间接耦合馈入电信号的情况也可以相应理解。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一电容的电容值C1满足：0.3pF≤C1≤1pF；和/或，所述第二电容的电容值C2满足：0.3pF≤C2≤1pF。
根据本申请实施例，本申请仅以上述5G频段为例进行说明，在实际的应用中，可以根据设计需求对第一电容的电容值以及第二电容的电容值进行调整，以调整馈入辐射体的电信号。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一电容包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种；所述第二电容包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种。
根据本申请实施例，可以根据电子设备内部的布局调整第一电容和第二电容的形式，本申请实施例对此并不做限制。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一电容包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层沿第一方向间隔，且所述第一金属层和所述第二金属层沿所述第一方向在所述地板所在的平面上的投影至少部分重叠，所述第一金属层与所述辐射体在第一馈电点处电连接，所述第二金属层与所述第一馈电单元电连接，所述第一方向为垂直于所述地板所在平面的方向；所述第二电容包括第三金属层和第四金属层，所述第三金属层和所述第四金属层沿所述第一方向间隔，且所述第三金属层和所述第四金属层沿所述第一方向在所述地板所在的平面上的投影至少部分重叠，所述第三金属层与所述辐射体在第二馈电点处电连接，所述第四金属层与所述第二馈电单元电连接；所述第一电感的第一端与所述第二金属层电连接；所述第二电感的第二端与所述第四金属层电连接。
根据本申请实施例，可以通过控制上述第一电容的电参数(例如，第一金属层1311和第二金属层1312之间填充的介质的相对介电常数)或第二电容的电参数，调整第一电容或第二电容的电容值，从而调整天线的辐射特征。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述天线的工作频段包括下列频段中的至少部分频段：3300MHz-42000MHz，3300MHz-3800MHz或4400MHz-5000MHz。
根据本申请实施例，天线的工作频段可以包括N77(3300MHz-42000MHz)，N78(3300MHz-3800MHz)或N79(4400MHz-5000MHz)中的至少部分频段。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述电子设备还包括：导电边框，所述边框上具有第一位置和第二位置，所述边框在所述第一位置设置第一缝隙，在所述第二位置设置第二缝隙，所述第一位置和所述第二位置之间的边框为第一边框，所述第一边框作为所述辐射体。
根据本申请实施例，天线可以为电子设备内的边框天线。
第二方面，提供了一种电子设备，包括：天线，所述天线包括所述辐射体，所述辐射体包括缝隙，第一馈电点和第二馈电点，所述缝隙设置于所述第一馈电点和所述第二馈电点之间；地板，所述天线通过所述地板接地；其中，所述天线还包括第一电容，第二电容，第一馈电单元和第二馈电单元，所述第一电容的第一端与所述辐射体在第一馈电点处电连接，所述第一电容的第二端与所述第一馈电单元电连接，所述第二电容的第一端与所述辐射体在第二馈电点处电连接，所述第二电容的第二端与所述第二馈电单元电连接；所述天线还包括第一电感，第二电感和第三电容，所述第一电感的第一端位于所述第一电容的第二端与所述第一馈电单元之间，所述第一电感的第二端与所述第二电感的第一端电连接，所述第二电感的第二端位于所述第二电容的第二端与所述第二馈电单元之间，所述第三电容的第一端位于所述第一电感的第二端与所述第二电感的第一端之间，所述第三电容的第二端接地。
结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述第一电感的电容值L1满足：1nH≤L1≤8nH；和/或，所述第二电感的电容值L2满足：1nH≤L2≤8nH；和/或，所述第三电容的电容值C3满足：0.1pF≤C3≤5pF。
结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述第一馈电点和所述第二馈电点沿所述辐射体的虚拟轴线对称；所述虚拟轴线两侧的辐射体的长度相同。
结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述缝隙设置于所述辐射体的中心区域。
结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述第一电感的电感值和所述第二电感的电感值相同。
结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述第一馈电单元馈电时，所述天线产生第一谐振和第二谐振，所述第一谐振的谐振频率低于所述第二谐振的谐振频率；所述第二馈电单元馈电时，所述天线产生第三谐振和第四谐振，所述第一谐振的谐振频段和所述第三谐振的谐振频段同频，所述第二谐振的谐振频段和所述第四谐振的谐振频段同频。
结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述第一电容的电容值C1满足：0.3pF≤C1≤1pF；和/或，所述第二电容的电容值C2满足：0.3pF≤C2≤1pF。
结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述第一电容包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种；所述第二电容包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种。
结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述第一电容包括第一金属层，所述第一金属层的一端与所述第一馈电单元电连接，所述第一金属层在所述第一馈电点处与所述辐射体间接耦合；所述第二电容包括第二金属层，所述第二金属层的一端与所述第二馈电单元电连接，所述第二金属在所述第二馈电点处层与所述辐射体间接耦合；所述第一电感的第一端与所述第一金属层电连接；所述第二电感的第二端与所述第二金属层电连接。
结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述天线的工作频段包括下列频段中的至少部分频段：3300MHz-42000MHz，3300MHz-3800MHz或4400MHz-5000MHz。
结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述电子设备还包括：导电边框，所述边框上具有第一位置和第二位置，所述边框在所述第一位置和所述第二位置接地，所述第一位置和所述第二位置之间的边框为第一边框，所述第一边框作为所述辐射体。
附图说明
图1是本申请实施例提供的电子设备的示意图。
图2是本申请提供的一种线天线的共模模式的结构及对应的电流、电场的分布示意图。
图3是本申请提供的一种线天线的差模模式的结构及对应的电流、电场的分布示意图。
图4是本申请提供的槽天线的共模模式的结构及对应的电流、电场、磁流的分布图。
图5是本申请提供的槽天线的差模模式的结构及对应的电流、电场、磁流的分布图。
图6是一种天线的结构示意图。
图7是图6中的(a)所示天线结构的仿真结果图。
图8是图6中的(b)所示天线结构的仿真结果图。
图9是图6中的(c)所示天线结构的仿真结果图。
图10是本申请实施例提供的一种电子设备100的结构示意图。
图11是本申请实施例提供的电流分布示意图。
图12是本申请实施例提供的电流分布示意图。
图13是本申请实施例提供的分布式电容的结构示意图。
图14是本申请实施例提供的另一种电子设备100的结构示意图。
图15是本申请实施例提供的一组天线的结构示意图。
图16是图15中的(a)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。
图17是图15中的(b)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。
图18是图15中的(c)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。
图19是图15中的(d)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。
图20是图15中的(d)所示的天线的系统效率和辐射效率的仿真结果图。
图21是本申请实施例提供的一种电子设备200的示意图。
图22是本申请实施例提供的阻抗曲线示意图。
图23是图21所示的电子设备200中的天线的S参数。
图24是图21所示的电子设备200中的天线的阻抗曲线。
图25是本申请实施例提供的一组天线的结构示意图。
图26是图15中的(a)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。
图27是图15中的(b)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。
图28是图15中的(c)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。
图29是本申请实施例提供的电子设备300的结构示意图。
图30是本申请实施例提供的一种天线的结构的示意图。
图31是图29所示的天线和图30所示天线的S参数。
图32是图29所示的天线和图30所示天线在2.5GHz至3GHz的阻抗曲线。
图33是图29所示的天线和图30所示天线在4.8GHz至5.8GHz的阻抗曲线。
具体实施方式
以下，对本申请实施例可能出现的术语进行解释。
耦合：可理解为直接耦合和/或间接耦合，“耦合连接”可理解为直接耦合连接和/或间接耦合连接。直接耦合又可以称为“电连接”，理解为元器件物理接触并电导通；也可理解为线路构造中不同元器件之间通过印制电路板(printed circuit board，PCB)铜箔或导线等可传输电信号的实体线路进行连接的形式；“间接耦合”可理解为两个导体通过隔空/不接触的方式电导通。在一个实施例中，间接耦合也可以称为电容耦合，例如通过两个导电件间隔的间隙之间的耦合形成等效电容来实现信号传输。
连接/相连：可以指一种机械连接关系或物理连接关系，例如，A与B连接或A与B相连可以指，A与B之间存在紧固的构件(如螺钉、螺栓、铆钉等)，或者A与B相互接触且A与B难以被分离。
电容：可理解为集总电容和/或分布电容。集总电容指的是呈容性的元器件，例如电容元件；分布电容(或分布式电容)指的是两个导电件间隔一定间隙而形成的等效电容。
谐振/谐振频率：谐振频率又叫共振频率。谐振频率可以指天线输入阻抗虚部为零处的频率。谐振频率可以有一个频率范围，即，发生共振的频率范围。共振最强点对应的频率就是中心频率点频率。中心频率的回波损耗特性可以小于-20dB。
谐振频段/通信频段/工作频段：无论何种类型的天线，总是在一定的频率范围(频段宽度)内工作。例如，支持B40频段的天线，其工作频段包括2300MHz～2400MHz范围内的频率，或者是说，该天线的工作频段包括B40频段。满足指标要求的频率范围可以看作天线的工作频段。
电长度：可以是指物理长度(即机械长度或几何长度)与所传输电磁波的波长之比，电长度可以满足以下公式：
其中，L为物理长度，λ为电磁波的波长。
波长：或者工作波长，可以是谐振频率的中心频率对应的波长或者天线所支持的工作频段的中心频率。例如，假设B1上行频段(谐振频率为1920MHz至1980MHz)的中心频率为1955MHz，那工作波长可以为利用1955MHz这个频率计算出来的波长。不限于中心频率，“工作波长”也可以是指谐振频率或工作频段的非中心频率对应的波长。
本申请实施例中提及的中间或中间位置等这类关于位置、距离的限定，均是针对当前工艺水平而言的，而不是数学意义上绝对严格的定义。例如，导体的中间(位置)可以是指导体上包括中点的一段导体部分，可以是包括该导体中点的一段八分之一波长的导体部分，其中，波长可以是天线的工作频段对应的波长，可以是工作频段的中心频率对应的波长，或者，谐振点对应的波长。又例如，导体的中间(位置)可以是指导体上距离中点小于预定阈值(例如，1mm，2mm，或2.5mm)的一段导体部分。
本申请实施例中提及的对称(例如，轴对称、或中心对称等)、平行、垂直、相同(例如，长度相同、宽度相同等等)等这类限定，均是针对当前工艺水平而言的，而不是数学意义上绝对严格的定义。例如，相互平行或垂直的两个天线单元之间可以存在预定角度(例如±5°，±10°)的偏差。
天线辐射效率(radiation efficiency)：指天线向空间辐射出去的功率(即有效地转换电磁波部分的功率)和输入到天线的有功功率之比。其中，输入到天线的有功功率＝天线的输入功率-损耗功率；损耗功率主要包括回波损耗功率和金属的欧姆损耗功率和/或介质损耗功率。辐射效率是衡量天线辐射能力的值，金属损耗、介质损耗均是辐射效率的影响因素。
本领域技术人员可以理解，效率一般是用百分比来表示，其与dB之间存在相应的换算关系，效率越接近0dB，表征该天线的效率越优。
天线回波损耗：可以理解为经过天线电路反射回天线端口的信号功率与天线端口发射功率的比值。反射回来的信号越小，说明通过天线向空间辐射出去的信号越大，天线的辐射效率越大。反射回来的信号越大，说明通过天线向空间辐射出去的信号越小，天线的辐射效率越小。
天线回波损耗可以用S11参数来表示，S11属于S参数中的一种。S11表示反射系数，此参数能够表征天线发射效率的优劣。S11参数通常为负数，S11参数越小，表示天线回波损耗越小，天线本身反射回来的能量越小，也就是代表实际上进入天线的能量就越多，天线的系统效率越高；S11参数越大，表示天线回波损耗越大，天线的系统效率越低。
需要说明的是，工程上一般以S11值为-6dB作为标准，当天线的S11值小于-6dB时，可以认为该天线可正常工作，或可认为该天线的发射效率较好。
地，或地板：可泛指电子设备(比如手机)内任何接地层、或接地板、或接地金属层等的至少一部分，或者上述任何接地层、或接地板、或接地部件等的任意组合的至少一部分，“地”可用于电子设备内元器件的接地。一个实施例中，“地”可以是电子设备的电路板的接地层，也可以是电子设备中框形成的接地板或屏幕下方的金属薄膜形成的接地金属层。一个实施例中，电路板可以是印刷电路板(printed circuit board，PCB)，例如具有8、10、12、13或14层导电材料的8层、10层或12至14层板，或者通过诸如玻璃纤维、聚合物等之类的介电层或绝缘层隔开和电绝缘的元件。一个实施例中，电路板包括介质基板、接地层和走线层，走线层和接地层通过过孔进行电连接。一个实施例中，诸如显示器、触摸屏、输入按钮、发射器、处理器、存储器、电池、充电电路、片上系统(system on chip，SoC)结构等部件可以安装在电路板上或连接到电路板；或者电连接到电路板中的走线层和/或接地层。例如，射频源设置于走线层。
理想电导体(perfect electric conductor，PEC)：在理想电导体表面，所有电场均与PEC垂直(磁场均与PMC平行)。
理想磁导体(perfect magnetic conductor，PMC)：在理想磁导体表面，所有磁场均与PMC垂直(电场均与PMC平行)。
应理解，本文中提到的，第一谐振的谐振频段和第二谐振的谐振频段(也称为同频，相同)可以理解为下列情况中的任意一种：
第一谐振的谐振频段和第二谐振的谐振频段包括相同的通信频段，例如，第一谐振和第二谐振可以应用于MIMO天线系统，第一谐振的谐振频段和第二谐振的谐振频段均包括5G中的sub6G频段，则可以认为第一谐振的谐振频段和第二谐振的谐振频段同频。
第一谐振的谐振频段和第二谐振的谐振频段存在部分频率重合，例如，第一谐振的谐振频段包括LTE中的B35(1.85-1.91GHz)，第二谐振的谐振频段包括LTE中的B39(1.88-1.92GHz)，第一谐振的谐振频段和第二谐振的谐振频段的频率部分重合，则可以认为第一谐振的谐振频段和第二谐振的谐振频段同频。
上述任何接地层、或接地板、或接地金属层由导电材料制得。一个实施例中，该导电材料可以采用以下材料中的任一者：铜、铝、不锈钢、黄铜和它们的合金、绝缘基片上的铜箔、绝缘基片上的铝箔、绝缘基片上的金箔、镀银的铜、绝缘基片上的镀银铜箔、绝缘基片上的银箔和镀锡的铜、浸渍石墨粉的布、涂覆石墨的基片、镀铜的基片、镀黄铜的基片和镀铝的基片。本领域技术人员可以理解，接地层/接地板/接地金属层也可由其它导电材料制得。
下面将结合附图，对本申请实施例的技术方案进行描述。
如图1所示，电子设备10可以包括：盖板(cover)13、显示屏/模组(display)15、印刷电路板(printed circuit board，PCB)17、中框(middle frame)19和后盖(rear cover)21。应理解，在一些实施例中，盖板13可以是玻璃盖板(cover glass)，也可以被替换为其他材料的盖板，例如超薄玻璃材料盖板，PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二酯)材料盖板等。
其中，盖板13可以紧贴显示模组15设置，可主要用于对显示模组15起到保护、防尘作用。
在一个实施例中，显示模组15可以包括液晶显示面板(liquid crystal display，LCD)，发光二极管(light emitting diode，LED)显示面板或者有机发光半导体(organiclight-emitting diode，OLED)显示面板等，本申请实施例对此并不做限制。
中框19主要起整机的支撑作用。图1中示出PCB17设于中框19与后盖21之间，应可理解，在一个实施例中，PCB17也可设于中框19与显示模组15之间，本申请实施例对此并不做限制。其中，印刷电路板PCB17可以采用耐燃材料(FR-4)介质板，也可以采用罗杰斯(Rogers)介质板，也可以采用Rogers和FR-4的混合介质板，等等。这里，FR-4是一种耐燃材料等级的代号，Rogers介质板是一种高频板。PCB17上承载电子元件，例如，射频芯片等。在一个实施例中，印刷电路板PCB17上可以设置一金属层。该金属层可用于印刷电路板PCB17上承载的电子元件接地，也可用于其他元件接地，例如支架天线、边框天线等，该金属层可以称为地板，或接地板，或接地层。在一个实施例中，该金属层可以通过在PCB17中的任意一层介质板的表面蚀刻金属形成。在一个实施例中，用于接地的该金属层可以设置在印刷电路板PCB17上靠近中框19的一侧。在一个实施例中，印刷电路板PCB17的边缘可以看作其接地层的边缘。可以在一个实施例中，金属中框19也可用于上述元件的接地。电子设备10还可以具有其他地板/接地板/接地层，如前所述，此处不再赘述。
其中，电子设备10还可以包括电池(图中未示出)。电池可以设置于设于中框19与后盖21之间，或者可设于中框19与显示模组15之间，本申请实施例对此并不做限制。在一些实施例中，PCB17分为主板和子板，电池可以设于所述主板和所述子板之间，其中，主板可以设置于中框19和电池的上边沿之间，子板可以设置于中框19和电池的下边沿之间。
电子设备10还可以包括边框11，边框11可以由金属等导电材料形成。边框11可以设于显示模组15和后盖21之间并绕电子设备10的外围周向延伸。边框11可以具有包围显示模组15的四个侧边，帮助固定显示模组15。在一种实现方式中，金属材料制成的边框11可以直接用作电子设备10的金属边框，形成金属边框的外观，适用于金属工业设计(industrialdesign，ID)。在另一种实现方式中，边框11的外表面还可以为非金属材料，例如塑料边框，形成非金属边框的外观，适用于非金属ID。
中框19可以包括边框11，包括边框11的中框19作为一体件，可以对整机中的电子器件起支撑作用。盖板13、后盖21分别沿边框的上下边沿盖合从而形成电子设备的外壳或壳体(housing)。在一个实施例中，盖板13、后盖21、边框11和/或中框19，可以统称为电子设备10的外壳或壳体。应可理解，“外壳或壳体”可以用于指代盖板13、后盖21、边框11或中框19中任一个的部分或全部，或者指代盖板13、后盖21、边框11或中框19中任意组合的部分或全部。
中框19上的边框11可以至少部分地作为天线辐射体以收/发射频信号，作为辐射体的这一部分边框，与中框19的其他部分之间可以存在间隙，从而保证天线辐射体具有良好的辐射环境。在一个实施例中，中框19在作为辐射体的这一部分边框处可以设置孔径，以利于天线的辐射。
或者，可以不将边框11看做中框19的一部分。在一个实施例中，边框11可以和中框19连接并一体成型。在另一实施例中，边框11可以包括向内延伸的突出件，以与中框19相连，例如，通过弹片、螺丝、焊接等方式相连。边框11的突出件还可以用来接收馈电信号，使得边框11的至少一部分作为天线的辐射体收/发射频信号。作为辐射体的这一部分边框，与中框30之间可以存在间隙，从而保证天线辐射体具有良好的辐射环境，使得天线具有良好的信号传输功能。
其中，后盖21可以是金属材料制成的后盖；也可以是非导电材料制成的后盖，如玻璃后盖、塑料后盖等非金属后盖；还可以是同时包括导电材料和非导电材料制成的后盖。
电子设备10的天线还可以设置于边框11内。当电子设备10的边框11为非导电材料时，天线辐射体可以位于电子设备10内并延边框11设置。例如，天线辐射体贴靠边框11设置，以尽量减小天线辐射体占用的体积，并更加的靠近电子设备10的外部，实现更好的信号传输效果。需要说明的是，天线辐射体贴靠边框11设置是指天线辐射体可以紧贴边框11设置，也可以为靠近边框11设置，例如天线辐射体与边框11之间能够具有一定的微小缝隙。
电子设备10的天线还可以设置于外壳内，例如支架天线、毫米波天线等(图1中未示出)。设置于壳体内的天线的净空可以由中框、和/或边框、和/或后盖、和/或显示屏中任一个上的开缝/开孔来得到，或者由任几个之间形成的非导电缝隙/孔径来得到，天线的净空设置可以保证天线的辐射性能。应可理解，天线的净空可以是由电子设备10内的任意导电元器件来形成的非导电区域，天线通过该非导电区域向外部空间辐射信号。在一个实施例中，天线40的形式可以为基于柔性主板(flexible printed circuit，FPC)的天线形式，基于激光直接成型(laser-direct-structuring，LDS)的天线形式或者微带天线(microstrip disk antenna，MDA)等天线形式。在一个实施例中，天线也可采用嵌设于电子设备10的屏幕内部的透明结构，使得该天线为嵌设于电子设备10的屏幕内部的透明天线单元。
图1仅示意性的示出了电子设备10包括的一些部件，这些部件的实际形状、实际大小和实际构造不受图1限定。
应理解，在本申请的实施例中，可以认为电子设备的显示屏所在的面为正面，后盖所在的面为背面，边框所在的面为侧面。
应理解，在本申请的实施例中，认为用户握持(通常是竖向并面对屏幕握持)电子设备时，电子设备所在的方位具有顶部、底部、左侧部和右侧部。
首先，由图2至图5来介绍本申请将涉及四个天线模式。其中，图2是本申请提供的一种线天线的共模模式的结构及对应的电流、电场的分布示意图。图3是本申请提供的另一种线天线的差模模式的结构及对应的电流、电场的分布示意图。图4是本申请提供的一种槽天线的共模模式的结构及对应的电流、电场、磁流的分布示意图。图5是本申请提供的另一种槽天线的差模模式的结构及对应的电流、电场、磁流的分布示意图。
1、线天线的共模(common mode，CM)模式
图2中的(a)示出线天线40的辐射体通过馈电线42连接到地(例如地板，可以是PCB)。线天线40在中间位置41处连接馈电单元(图未示)，并采用对称馈电(symmetricalfeed)。馈电单元可以通过馈电线42连接在线天线40的中间位置41。应理解，对称馈电可以理解为馈电单元一端连接辐射体，另外一端接地，其中，馈电单元与辐射体连接点(馈电点)位于辐射体中心，辐射体中心，例如可以是集合结构的中点，或者，电长度的中点(或上述中点附近一定范围内的区域)。
线天线40的中间位置41，例如中间位置41可以是线天线的几何中心，或者，辐射体的电长度的中点，例如馈电线42与线天线40连接处覆盖中间位置41。
图2中的(b)示出了线天线40的电流、电场分布。如图2中的(b)所示，电流在中间位置41两侧呈现反向分布，例如对称分布；电场在中间位置41两侧，呈现同向分布。如图2中的(b)所示，馈电线42处的电流呈现同向分布。基于馈电线42处的电流同向分布，图2中的(a)所示的这种馈电可称为线天线的CM馈电。基于电流在辐射体与馈电线42连接处的两侧呈现对称分布，图2中的(b)所示的这种线天线模式，可以称为线天线的CM模式(也可简称为CM线天线)。图2中的(b)所示的电流、电场可分别称为线天线的CM模式的电流、电场。
线天线的CM模式的电流、电场是线天线40在中间位置41两侧的两个枝节(例如，两个水平枝节)作为工作在四分之一波长模式的天线产生的。电流在线天线40的中间位置41处强，在线天线40的两端弱。电场在线天线40的中间位置41处弱，在线天线40的两端强。
2、线天线的差模(differential mode，DM)模式
如图3中的(a)示出线天线50的两个辐射体通过馈电线52连接到地(例如地板，可以是PCB)。线天线50在两个辐射体之间的中间位置51处连接馈电单元，并采用反对称馈电(anti-symmetrical feed)。馈电单元的一端通过馈电线52与其中一个辐射体连接，馈电单元的另一端通过馈电线52与其中另一个辐射体连接。中间位置51可以是线天线的几何中心，或者，辐射体之间形成的缝隙。
应理解，本申请中提到的“中心反对称馈电”可以理解为，馈电单元的正负两极分别连接在辐射体的上述中点附近的两个连接点。馈电单元的正负极输出的信号幅度相同，相位相反，例如相位相差180°±10°。
图3中的(b)示出了线天线50的电流、电场分布。如图3中的(b)所示，电流在线天线50的中间位置51两侧呈现同向分布，例如非对称分布；电场在中间位置51两侧呈反向分布。如图3中的(b)所示，馈电线52处的电流呈现反向分布。基于馈电线52处的电流反向分布，图3中的(a)所示的这种馈电可称为线天线DM馈电。基于电流在辐射体与馈电线52连接处的两侧呈现非对称分布(例如，同向分布)，图3中的(b)所示的这种线天线模式可以称为线天线的DM模式(也可简称为DM线天线)。图3中的(b)所示的电流、电场可分别称为线天线的DM模式的电流、电场。
线天线的DM模式的电流、电场是整个线天线50作为工作在二分之一波长模式的天线产生的。电流在线天线50的中间位置51处强，在线天线50的两端弱。电场在线天线50的中间位置51处弱，在线天线50的两端强。
应理解，对于线天线的辐射体，可以理解为产生辐射的金属结构件，其数量可以是一件，如图2所示，或者，也可以是两件，如图3所示，可以根据实际的设计或生产需要进行调整。例如，对于线天线的CM模式，也可以如图3所示采用两个辐射体，两个辐射体的两端相对设置并间隔一缝隙，在相互靠近的两端采用对称馈电的方式，例如在两个辐射体相互靠近的两端分别馈入同一馈源信号，也可以获得与图2所示天线结构类似的效果。相应的，对于线天线的DM模式，也可以如图2所示采用一个辐射体，在辐射体的中间位置设置两个馈电点并采用反对称馈电的方式，例如在该辐射体上对称的两个馈电点如分别馈入幅度相同、相位相反的信号，也可以获得与图3所示天线结构类似的效果。
3、槽天线的CM模式
图4中的(a)示出的槽天线60，可以是槽天线的辐射体中具有镂空的槽或缝隙61而形成的，或者可以是，槽天线的辐射体与地(例如地板，可以是PCB)合围出该槽或槽61而形成的。槽61可通过在地板上开槽形成。槽61的一侧设有开口62，开口62可具体开设在该侧的中间位置。槽61的该侧的中间位置例如可以是槽天线的几何中点，或者，辐射体的电长度的中点，例如开口62开设在辐射体上的区域覆盖该侧的中间位置。开口62处可连接馈电单元，并采用反对称馈电。应理解，反对称馈电可以理解为，馈电单元的正负两极分别连接在辐射体的两端。馈电单元的正负极输出的信号幅度相同，相位相反，例如相位相差180°±10°。
图4中的(b)示出了槽天线60的电流、电场、磁流分布。如图4中的(b)所示，电流在槽61周围的导体(如地板，和/或辐射体60)上围绕槽61呈同向分布，电场在槽61的中间位置两侧呈现反向分布，磁流在槽61的中间位置两侧呈反向分布。如图4中的(b)所示，开口62处(例如，馈电处)的电场同向，开口62处(例如，馈电处)的磁流同向。基于开口62处(馈电处)的磁流同向，图4中的(a)所示的这种馈电可称为槽天线CM馈电。基于电流在开口62两侧的辐射体上呈现非对称分布(例如，同向分布)，或者，基于电流在槽61周围的导体上围绕槽61呈同向分布，图4中的(b)所示的这种槽天线模式可以称为槽天线的CM模式(也可简称为CM槽天线或CM槽天线)。图4中的(b)所示的电场、电流、磁流分布可称为槽天线的CM模式的电场、电流、磁流。
槽天线的CM模式的电流、电场是槽天线60的中间位置两侧的槽天线体作为工作在二分之一波长模式的天线产生的。磁场在槽天线60的中间位置处弱，在槽天线60的两端强。电场在槽天线60的中间位置处强，在槽天线60的两端弱。
4、槽天线的DM模式
如图5中的(a)示出的槽天线70，可以是槽天线的辐射体中具有镂空的槽或缝隙72而形成的，或者可以是，槽天线的辐射体与地(例如地板，可以是PCB)合围出该槽或槽72而形成的。槽72可通过在地板上开槽形成。槽72的中间位置71处连接馈电单元，并采用对称馈电。应理解，对称馈电可以理解为馈电单元一端连接辐射体，另外一端接地，其中，馈电单元与辐射体连接点(馈电点)位于辐射体中心，辐射体中心，例如可以是集合结构的中点，或者，电长度的中点(或上述中点附近一定范围内的区域)。槽72的一侧边的中间位置连接馈电单元的正极，槽72的另一侧边的中间位置连接馈电单元的负极。槽72的侧边的中间位置例如可以是槽天线60的中间位置/地的中间位置，比如槽天线的几何中点，或者，辐射体的电长度的中点，例如馈电单元与辐射体的连接处覆盖该侧的中间位置51。
图5中的(b)示出了槽天线70的电流、电场、磁流分布。如图5中的(b)所示，在槽72周围的导体(如地板，和/或辐射体60)上，电流围绕槽72分布，且在槽72的中间位置两侧呈反向分布，电场在中间位置71两侧呈现同向分布，磁流在中间位置71两侧呈同向分布。馈电单元处的磁流呈反向分布(未示出)。基于馈电单元处的磁流呈反向分布，图5中的(a)所示的这种馈电可称为槽天线DM馈电。基于电流在馈电单元与辐射体的连接处两侧呈现对称分布(例如，反向分布)，或者，基于电流围绕缝隙71呈现对称分布(例如，反向分布)，图5中的(b)所示的这种槽天线模式可以称为槽天线的DM模式(也可简称为DM槽天线或DM槽天线)。图5中的(b)所示的电场、电流、磁流分布可称为槽天线的DM模式的电场、电流、磁流。
槽天线的DM模式的电流、电场是整个槽天线70作为工作在一倍波长模式的天线产生的。电流在槽天线70的中间位置处弱，在槽天线70的两端强。电场在槽天线70的中间位置处强，在槽天线70的两端弱。
在天线领域中，工作在CM模式的天线和工作在DM模式的天线通常具有高隔离，且通常CM模式和DM模式的天线的频段往往是单模式谐振，难以覆盖通信所需要的众多频段。尤其电子设备留给天线结构的空间日益减少，对于MIMO系统而言，需要单个天线结构实现多个频段覆盖，因此，多模式谐振同时具有高隔离的天线，具有很高的研究和实用价值。
应理解，对于槽天线的辐射体，可以理解为产生辐射的金属结构件(例如包括地板的一部分)，可以包括开口，如图4所示，或者，也可以为完整的环形，如图5所示，可以根据实际的设计或生产需要进行调整。例如，对于槽天线的CM模式，也可以如图5所示采用完整的环形辐射体，在槽61的一侧上的辐射体的中间位置设置两个馈电点并采用反对称馈电的方式，例如在原本设置开口位置的两端分别馈入幅度相同、相位相反的信号，也可以获得与图4所示天线结构类似的效果。相应的，对于槽天线的DM模式，也可以如图4所示采用包括开口的辐射体，在开口位置的两端采用对称馈电的方式，例如在开口两侧的辐射体的两端分别馈入同一馈源信号，也可以获得与图5所示天线结构类似的效果。
由于上述天线结构均可以产生电场呈正交(电场在远场内积为零(积分正交))的两种工作模式(电场呈对称分布或反对称分布)，这种天线结构的两种工作模式之间的隔离度较好，可以应用于电子设备中的多输入多输出(multi-input multi-output，MIMO)天线系统。
图6是一种天线的结构示意图。
应理解，通过不同的馈电方式可以产生上述CM模式和DM模式，则工作在CM模式和DM模式的天线之间可以具有良好的隔离度。
如图6中的(a)所示，利用在上述CM模式和DM模式，可以使两个馈电点同时馈入电信号时，虽然复用部分辐射体，但两个馈电点之间仍能保持良好的隔离度。如图7中的(a)所示，以S11/S22<-10dB为界限，第一天线单元(馈电端口1馈入电信号时形成的天线单元)和第二天线单元(馈电端口2馈入电信号时形成的天线单元)的带宽约为600MHz，隔离度(S21<-10dB)约为1GHz，无法满足5G中的N77(3300MHz-42000MHz)，N78(3300MHz-3800MHz)或N79(4400MHz-5000MHz)的通信需要。在通信频段中，第一天线单元和第二天线单元之间的相互影响较大，并不能应用于MIMO系统中。如图7中的(b)所示，为天线结构中CM模式和DM模式对应的阻抗曲线，CM模式和DM模式对应的阻抗曲线相距较远。
如图6中的(b)和(c)所示，在图6中的(a)所示的天线的结构的基础上，在辐射体的中心直接接地，或者，通过电容接地。但是在这种结构下，CM模式对应的阻抗曲线发生变化，但是对DM模式对应的阻抗曲线并没有改善，如图8中的(b)所示(对应于图6中的(b)所示的天线)以及图9中的(b)所示(对应于图6中的(c)所示的天线)。并且，对带宽(S11/S22)并没有很大的帮助，如图8中的(a)所示(对应于图6中的(b)所示的天线)以及图9中的(a)所示(对应于图6中的(c)所示的天线)。
因此，在图6所示的天线的结构中，并不能提供较大的隔离度带宽(例如，S21<-10dB)，在5G的频段中(例如，N77(3300MHz-42000MHz)，N78(3300MHz-3800MHz)或N79(4400MHz-5000MHz))，第一天线单元和第二天线单元之间的隔离度并不能在全频段满足的通信需要。
本申请实施例提供了一种电子设备，包括天线，该天线利用电子设备的部分导电边框作为天线的辐射体，通过天线的两个馈电点之间设置的T型电路可以拓展天线的隔离度带宽，满足通信需要。
图10是本申请实施例提供的一种电子设备100的结构示意图。
如图10所示，电子设备可以包括地板110，边框11和天线120。
其中，边框11上具有第一位置101和第二位置102，边框11在第一位置101设置第一缝隙103，在第二位置102设置第二缝隙104，第一位置101和第二位置102之间的边框11为第一边框105。第一边框105包括接地点106，接地点106设置于第一边框105的中心区域。
为论述的简洁，在本申请实施例中仅以电子设备的部分边框作为辐射体，天线120为边框天线为例进行说明。在实际的应用中，天线120的辐射体也可以是电子设备内的任意金属部件，例如，设备在支架上的金属件，或者，通过浮动金属(floating metal，FLM)工艺在电子设备后盖上设置的金属件，本申请对此并不做限制。
应理解，第一边框105的中心区域可以理解与距离第一边框105的中心5mm以内的区域，第一边框105的中心可以为第一边框105的物理长度的中心(几何中心)或者，电长度的中心。
天线120可以包括第一边框105，由第一边框105作为辐射体。第一边框105可以包括第一馈电点121和第二馈电点122。
天线120还可以包括第一电容131，第二电容132，第一馈电单元141和第二馈电单元142。第一电容131的第一端与第一边框105在第一馈电点121处电连接，第一电容131的第二端与第一馈电单元141电连接。第二电容132的第一端与第一边框105在第二馈电点122处电连接，第二电容132的第二端与第二馈电单元142电连接。
天线120还可以包括电感151，电感151的第一端位于第一电容131的第二端与第一馈电单元141之间，电感151的第二端位于第二电容132的第二端与第二馈电单元142之间。
应理解，本申请实施例提供的技术方案中，可以通过电感151调整天线120中DM模式对应的阻抗曲线，使其可以向CM模式对应的阻抗曲线靠近，从而提升天线120的隔离度的带宽。
在一个实施例中，第一馈电单元141馈电时，天线120可以作为第一天线单元。第一天线单元可以产生第一谐振和第二谐振，第一谐振的谐振频率低于第二谐振的谐振频率。第二馈电单元142馈电时，天线120可以作为第二天线单元。第二天线单元可以产生第三谐振和第四谐振，第一谐振的谐振频段和第三谐振的谐振频段同频(例如，第一谐振的谐振频段和第三谐振的谐振频段均包括第一频段)，第二谐振的谐振频段和第四谐振的谐振频段同频(例如，第二谐振的谐振频段和第四谐振的谐振频段均包括第二频段)。
应理解，第一馈电单元141通过第一电容131间接耦合馈入电信号时，第一天线单元在第一频段激励起激发第一谐振，在第二频段激励起第二谐振。通过调整第一电容131的电容值，可以使第一电容131在第一频段呈开路状态，在第二频段呈短路状态。
当第一电容131呈开路状态时，第一位置和第二位置之间的边框上的电流如图11所示，在第一馈电点处为电流零点区域，对应电场强点区域，在第一馈电点处呈现大电场的边界条件。第一天线单元为线天线结构，可以工作在二分之一波长模式。
当第一电容131呈短路状态时，第一位置和第一馈电点之间的边框上的电流如图12所示，在第一馈电点处为电流强点区域，对应电场零点区域，在第一馈电点处呈现大电流的边界条件。第一天线单元为开槽孔结构，可以工作在四分之一波长模式。
因此，第一馈电单元141通过第一电容131间接耦合馈入电信号可以使第一天线单元工作在两种不同的模式下，产生两个谐振，以拓展天线120的工作带宽。第二馈电单元142通过第二电容132间接耦合馈入电信号的情况也可以相应理解。
在一个实施例中，第一馈电点121和第二馈电点122沿第一边框105的虚拟轴线对称,虚拟轴线两侧的第一边框105的长度相同(虚拟轴线为第一边框105的对称轴)。应理解，随着天线120的结构的对称性增加，天线120的辐射特性随之改善。
在一个实施例中，天线120的工作频段可以包括N77(3300MHz-42000MHz)，N78(3300MHz-3800MHz)或N79(4400MHz-5000MHz)中的至少部分频段。
在一个实施例中，第一电容131的电容值C1满足：0.3pF≤C1≤1pF。
在一个实施例中，第二电容132的电容值C2满足：0.3pF≤C2≤1pF。
在一个实施例中，电感151的电感值L1满足：1nH≤L1≤8nH。
应理解，为论述的简洁，本申请仅以上述5G频段为例进行说明，在实际的应用中，可以根据设计需求对第一电容的电容值以及第二电容的电容值进行调整，以调整馈入第一边框105的电信号。
在一个实施例中，第一电容131包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种。
在一个实施例中，第二电容132包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种。
在一个实施例中，当第一电容为分布式电容器时，第一电容包括第一金属层1311和第二金属层1312，如图13中的(a)所示。第一金属层1311和第二金属层1312沿第一方向间隔，且第一金属层1311和第二金属层1312沿第一方向在地板110所在的平面上的投影至少部分重叠。第一金属层1311与第一边框105在第一馈电点121处电连接，如图13中的(b)所示。第二金属层1312与第一馈电单元141电连接，如图13中的(c)所示。其中，第一方向为垂直于地板110所在平面的方向，例如z方向。
在一个实施例中，当第二电容为分布式电容器时，第二电容包括第三金属层1321和第四金属层1322。第三金属层1321和第四金属层1322沿第一方向间隔，且第三金属层1321和第四金属层1322沿第一方向在地板110所在的平面上的投影至少部分重叠。第三金属层1321与第一边框105在第二馈电点122处电连接，如图13中的(b)所示。第四金属层1322与第二馈电单元142电连接，如图13中的(c)所示。
在一个实施例中，电感151可以串联在第二金属层1312和第四金属层1322之间。
应理解，对于分布式电容器来说，其电容值满足以下公式：
其中，ε为两极板(例如，第一金属层1311和第二金属层1312)之间填充的介质的相对介电常数；δ为真空中的绝对介电常数；k为静电力常量；S为两极板正对面积，例如本申请实施例中的第一金属层1311和第二金属层1312的相对面积(第一金属层1311和第二金属层1312沿第一方向在地板110所在的平面上的投影的重叠部分的面积)；d为两极板间垂直距离，例如本申请实施例中的第一金属层1311和第二金属层1312之间的沿第一方向(z方向)的距离。
因此，可以通过控制上述第一电容131的电参数或第二电容132的电参数，调整第一电容131或第二电容132的电容值，从而调整天线的辐射特征。
在一个实施例中，第一金属层1311和第三金属1321层可以设置在设置于PCB17的第一表面。第二金属层1312和第四金属层1322可以设置于PCB17的第二表面。
应理解，PCB17的第一表面和第二表面可以是PCB17的上表面和下表面，也可以是PCB中层叠设置的多个介质板的任意表面(例如，第一金属层可以设置在PCB17中任意相邻的两个介质板之间)，本申请实施例对此并不做限制。
在一个实施例中，天线120还可以包括第一匹配电路161和第二匹配电路162，如图14所示。第一匹配电路161可以设置于第一电容131和第一馈电单元141之间，用于调整第一馈电点处天线120的阻抗，使第一馈电点处的阻抗与第一馈电单元141处的电路的阻抗匹配，提升第一馈电单元141馈入电信号时天线120(第一天线单元)的辐射特性。第二匹配电路162可以设置于第二电容132和第二馈电单元142之间，用于调整第二馈电点处天线120的阻抗，使第二馈电点处的阻抗与第二馈电单元142处的电路的阻抗匹配，提升第二馈电单元142馈入电信号时天线120(第二天线单元)的辐射特性。
图15是本申请实施例提供的一组天线的结构示意图。
如图15中的(a)所示，该天线中，辐射体包括两个馈电点，两个馈电点处在辐射体和馈电单元之间设置电容，通过间接耦合的方式馈入电信号，辐射体上未设置接地点。如图15中的(b)所示，相较于图15中的(a)所示的天线，其区别在于，辐射体的中心区域设置接地点，在该位置通过地板接地。如图15中的(c)所示，天线的结构与图10所示的天线120相同(为了论述的简洁，本申请实施例仅以第一边框105的长度为30.5mm，天线的净空(边框11与地板110之间的距离)为2mm，地板110的尺寸为80mm×30mm，电感151的电感值为3nH为例进行说明，上述的电参数可以根据实际的设计进行调整，本申请对此并不做限制)，相较于图15中的(b)所示的天线，其区别在于，在两个馈电点之间设置电感。如图15中的(d)所示，相较于图15中的(c)所示的天线，其区别在于，在馈电点和辐射体之间增加匹配电路，以提升天线的辐射性能。
图16至图19是图15所示多个天线的仿真结果图。其中，图16是图15中的(a)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。图17是图15中的(b)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。图18是图15中的(c)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。图19是图15中的(d)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。
如图16中的(a)所示，S21<-10dB为界限，图15中的(a)所示的天线中两个天线单元之间的隔离度的带宽仅为1000MHz。
如图17中的(b)所示，图15中的(b)所示的天线通过辐射体的中心区域设置接地点，可以调整天线中CM模式对应的阻抗曲线，使其可以向DM模式对应的阻抗曲线靠近，从而提升中两个天线单元之间的隔离度的带宽，如图17中的(a)所示。
如图18中的(b)所示，图15中的(c)所示的天线通过在两个馈电点之间设置电感，可以调整天线中DM模式对应的阻抗曲线，使其可以向CM模式对应的阻抗曲线靠近，从而提升中两个天线单元之间的隔离度的带宽，如图18中的(a)所示。
如图19中的(a)所示，图15中的(d)所示的天线在图15中的(c)所示的天线的基础上增加匹配电路，优化天线的辐射性能，以S11/S22<-10dB为界限，第一天线单元(第一馈电点馈入电信号时)和第二天线单元(第二馈电点馈入电信号时)的谐振频段均可以包括2.92GHz至5.03GHz，其工作频段均可以包括5G的N77、N78和N79频段。并且，CM模式对应的阻抗曲线与DM模式对应的阻抗曲线更加靠近，如图19中的(b)所示。在图19中的(a)所示的2.5GHz至5.5GHz的频率范围内，第一天线单元和第二天线单元的隔离度(S21)均大于12dB，两天线单元之间的隔离度的带宽大于3000MHz。
如上图所示，天线中CM模式对应的阻抗曲线和DM模式对应的阻抗曲线靠近时，天线中的两个天线单元之间可以具有更好的隔离度。
图20是图15中的(d)所示的天线的系统效率和辐射效率的仿真结果图。
如图20所示，在上述谐振频段(2.92GHz至5.03GHz)内，第一天线单元和第二天线单元的系统效率(大于-1dB)和辐射效率(大于-1dB)均可以满足通信需要。
图21是本申请实施例提供的一种电子设备200的示意图。
如图21所示，电子设备可以包括地板210，边框11和天线220。
其中，边框11上具有第一位置201和第二位置202，边框11在第一位置201设置第一缝隙203，在第二位置202设置第二缝隙204，第一位置201和第二位置202之间的边框11为第一边框205。
天线220可以包括第一边框205，由第一边框205作为辐射体。第一边框205可以包括第一馈电点221和第二馈电点222。
天线220还可以包括第一电容231，第二电容232，第一馈电单元241和第二馈电单元242。第一电容231的第一端与第一边框205在第一馈电点221处电连接，第一电容231的第二端与第一馈电单元241电连接。第二电容232的第一端与第一边框205在第二馈电点222处电连接，第二电容232的第二端与第二馈电单元242电连接。
天线220还可以包括第一电感251、第二电感252和第三电容233。第一电感251的第一端位于第一电容231的第二端与第一馈电单元241之间，第一电感251的第二端与第二电感252的第一端电连接，第二电感252的第二端位于第二电容232的第二端与第二馈电单元242之间(第一电感251和第二电感252串联在第一馈电点221和第二馈电点222之间)。第三电容233的第一端位于第一电感251的第二端与第二电感252的第一端之间，第三电容233的第二端接地。
应理解，图21所示的天线220与图10所示的天线120的区别在于，第一边框205上并未设置接地点，利用第一电感251、第二电感252和第三电容233形成的T型结构替代串联的电感。由于在第一边框205上不用设置接地点，因此，天线220的实际结构更为简单。
在图21所示的电子设备200中，可以利用串联的第一电感251和第二电感252调整天线220中的DM模式对应的阻抗曲线，如图22中的(a)所示。利用第三电容233调整天线220中的CM模式对应的阻抗曲线，如图22中的(b)所示。因此，可以通过串联的第一电感251和第二电感252调整天线220中的DM模式对应的阻抗曲线，可以通过第三电容233调整天线220中的CM模式对应的阻抗曲线，使CM模式对应的阻抗曲线和DM模式对应的阻抗曲线靠近，从而提升天线220的隔离度的带宽。
在一个实施例中，第一馈电单元241馈电时，天线220可以作为第一天线单元。第一天线单元可以产生第一谐振和第二谐振，第一谐振的谐振频率低于第二谐振的谐振频率。第二馈电单元242馈电时，天线220可以作为第二天线单元。第二天线单元可以产生第三谐振和第四谐振，第一谐振的谐振频段和第三谐振的谐振频段同频(例如，第一谐振的谐振频段和第三谐振的谐振频段均包括第一频段)，第二谐振的谐振频段和第四谐振的谐振频段同频(例如，第二谐振的谐振频段和第四谐振的谐振频段均包括第二频段)。
应理解，第一馈电单元241通过第一电容231间接耦合馈入电信号时，第一天线单元在第一频段激励起激发第一谐振，在第二频段激励起第二谐振。通过调整第一电容231的电容值，可以使第一电容231在第一频段呈开路状态，在第二频段呈短路状态。因此，第一馈电单元241通过第一电容231间接耦合馈入电信号可以使第一天线单元工作在两种不同的模式下，产生两个谐振，以拓展天线220的工作带宽。第二馈电单元242通过第二电容232间接耦合馈入电信号的情况也可以相应理解。
在一个实施例中，第一馈电点221和第二馈电点222沿第一边框205的虚拟轴线对称,虚拟轴线两侧的第一边框205的长度相同(虚拟轴线为第一边框205的对称轴)。应理解，随着天线220的结构的对称性增加，天线220的辐射特性随之改善。
在一个实施例中，天线220的工作频段可以包括N77(3300MHz-42000MHz)，N78(3300MHz-3800MHz)或N79(4400MHz-5000MHz)中的至少部分频段。
在一个实施例中，第一电容231的电容值C1满足：0.3pF≤C1≤1pF。
在一个实施例中，第二电容232的电容值C2满足：0.3pF≤C2≤1pF。
在一个实施例中，第一电感251的电感值L1满足：1nH≤L1≤8nH。
在一个实施例中，第二电感252的电感值L2满足：1nH≤L1≤8nH。
在一个实施例中，第三电容233的电容值C3满足：0.1pF≤C2≤5pF。
应理解，为论述的简洁，本申请仅以上述5G频段为例进行说明，在实际的应用中，可以根据设计需求对上述电容的电容值和电感的电感值进行调整。
在一个实施例中，第一电感251的电感值L1和第二电感252的电感值L2可以相同。
在一个实施例中，第一电容231包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种。
在一个实施例中，第二电容232包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种。
在一个实施例中，当第一电容为分布式电容器时，第一电容包括第一金属层和第二金属层。第一金属层和第二金属层沿第一方向间隔，且第一金属层和第二金属层沿第一方向在地板所在的平面上的投影至少部分重叠。第一金属层与第一边框在第一馈电点处电连接。第二金属层与第一馈电单元电连接。其中，第一方向为垂直于地板所在平面的方向，例如z方向。
在一个实施例中，当第二电容为分布式电容器时，第二电容包括第三金属层和第四金属层。第三金属层和第四金属层沿第一方向间隔，且第三金属层和第四金属层沿第一方向在地板所在的平面上的投影至少部分重叠。第三金属层与第一边框在第二馈电点处电连接。第四金属层与第二馈电单元电连接。
在一个实施例中，第一电感和第二电感可以串联在第二金属层和第四金属层之间。
应理解，对于分布式电容器来说，其电容值满足以下公式：
其中，ε为两极板(例如，第一金属层和第二金属层)之间填充的介质的相对介电常数；δ为真空中的绝对介电常数；k为静电力常量；S为两极板正对面积，例如本申请实施例中的第一金属层和第二金属层的相对面积(第一金属层和第二金属层沿第一方向在地板所在的平面上的投影的重叠部分的面积)；d为两极板间垂直距离，例如本申请实施例中的第一金属层和第二金属层之间的沿第一方向(z方向)的距离。
因此，可以通过控制上述第一电容的电参数或第二电容的电参数，调整第一电容或第二电容的电容值，从而调整天线的辐射特征。
在一个实施例中，第一金属层和第三金属层可以设置在设置于电子设备的PCB的第一表面。第二金属层和第四金属层可以设置于PCB的第二表面。
应理解，PCB的第一表面和第二表面可以是PCB的上表面和下表面，也可以是PCB中层叠设置的多个介质板的任意表面(例如，第一金属层可以设置在PCB中任意相邻的两个介质板之间)，本申请实施例对此并不做限制。
在一个实施例中，天线220还可以包括第一匹配电路和第二匹配电路。第一匹配电路可以设置于第一电容和第一馈电单元之间，用于调整第一馈电点处天线的阻抗，使第一馈电点处的阻抗与第一馈电单元处的电路的阻抗匹配，提升第一馈电单元馈入电信号时天线(第一天线单元)的辐射特性。第二匹配电路可以设置于第二电容和第二馈电单元之间，用于调整第二馈电点处天线的阻抗，使第二馈电点处的阻抗与第二馈电单元处的电路的阻抗匹配，提升第二馈电单元馈入电信号时天线(第二天线单元)的辐射特性。
图23和图24是图21所示的电子设备200中的天线的仿真结果图。其中，图23是图21所示的电子设备200中的天线的S参数。图24是图21所示的电子设备200中的天线的阻抗曲线。
应理解，第一电感251的电感值L1和第二电感252的电感值L2均为2.5nH，第三电容233的电容值C3为1.8pF，为论述的简洁，本申请实施例仅以上述电参数为例进行说明，在实际的设计中，可以根据需求进行调整。
如图23所示，以S11/S22<-10dB为界限，第一天线单元(第一馈电点馈入电信号时)和第二天线单元(第二馈电点馈入电信号时)的谐振频段均可以包括2.92GHz至5.03GHz，其工作频段均可以包括5G的N77、N78和N79频段。
并且，CM模式对应的阻抗曲线与DM模式对应的阻抗曲线更加靠近，如图24所示。在图23所示的2.6GHz至5.5GHz的频率范围内，第一天线单元和第二天线单元的隔离度(S21)均大于10dB，两天线单元之间的隔离度的带宽大于2900MHz。
图25是本申请实施例提供的一组天线的结构示意图。
如图25中的(a)所示，该天线中，辐射体包括两个馈电点，两个馈电点处在辐射体和馈电单元之间分别设置第一电容和第二电容，通过间接耦合的方式馈入电信号。如图25中的(b)所示，相较于图25中的(a)所示的天线，其区别在于在两个馈电点之间串联设置第一电感和第二电感。如图25中的(c)所示，相较于图25中的(b)所示的天线，其区别在于，在串联设置第一电感和第二电感之间增加并联接地的第三电容，以提升天线的辐射性能。
图26至图28是图25所示多个天线的仿真结果图。其中，图26是图15中的(a)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。图27是图15中的(b)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。图28是图15中的(c)所示的天线的S参数和阻抗曲线图。
如图26中的(b)所示，天线中CM模式对应的阻抗曲线和DM模式对应的阻抗曲线相距较远。如图26中的(a)所示，以S21<-10dB为界限，图25中的(a)所示的天线中两个天线单元之间的隔离度的带宽较窄。
如图27中的(b)所示，图25中的(b)所示的天线通过两个馈电点之间串联设置第一电感和第二电感，可以调整天线中DM模式对应的阻抗曲线，使其可以向CM模式对应的阻抗曲线靠近。如图27中的(a)所示，以S21<-10dB为界限，相较于图25中的(a)所示的天线，天线中两个天线单元之间的隔离度的带宽提升。
如图28中的(b)所示，在串联设置第一电感和第二电感之间增加并联接地的第三电容，可以调整天线中CM模式对应的阻抗曲线，使其可以向DM模式对应的阻抗曲线靠近。如图28中的(a)所示，以S21<-10dB为界限，相较于图25中的(b)所示的天线，天线中两个天线单元之间的隔离度的带宽进一步提升。
如上图所示，可以通过串联的第一电感和第二电感调整天线中的DM模式对应的阻抗曲线，可以通过第三电容调整天线中的CM模式对应的阻抗曲线。当天线中CM模式对应的阻抗曲线和DM模式对应的阻抗曲线靠近时，天线中的两个天线单元之间可以具有更好的隔离度。
图29是本申请实施例提供的电子设备300的结构示意图。
如图29中的(a)所示，电子设备300可以包括地板310，边框11和天线320。
其中，边框11上具有第一位置301和第二位置302，边框11在第一位置301和第二位置302通过地板310接地，第一位置301和第二位置302之间的边框11为第一边框303。
天线320可以包括第一边框303，天线320由第一边框303和地板310之间围成的缝隙形成缝隙天线。第一边框303包括缝隙304、第一馈电点321和第二馈电点322，缝隙304设置于第一馈电点321和第二馈电点322之间。
天线320还可以包括第一电容331，第二电容332，第一馈电单元341和第二馈电单元342。第一电容331的第一端与第一边框303在第一馈电点321处电连接，第一电容331的第二端与第一馈电单元341电连接。第二电容332的第一端与第一边框303在第二馈电点322处电连接，第二电容332的第二端与第二馈电单元342电连接。
天线320还可以包括第一电感351、第二电感352和第三电容333。第一电感351的第一端位于第一电容331的第二端与第一馈电单元341之间，第一电感351的第二端与第二电感352的第一端电连接，第二电感352的第二端位于第二电容332的第二端与第二馈电单元342之间(第一电感351和第二电感352串联在第一馈电点321和第二馈电点322之间)。第三电容333的第一端位于第一电感351的第二端与第二电感352的第一端之间，第三电容333的第二端接地。
应理解，本申请实施例提供的技术方案不仅仅可以应用于线天线的结构(例如，图10及图21所示天线的结构)，也可以应用于图29所示缝隙天线的结构。
在一个实施例中，第一馈电单元341馈电时，天线320可以作为第一天线单元。第一天线单元可以产生第一谐振和第二谐振，第一谐振的谐振频率低于第二谐振的谐振频率。第二馈电单元342馈电时，天线320可以作为第二天线单元。第二天线单元可以产生第三谐振和第四谐振，第一谐振的谐振频段和第三谐振的谐振频段同频(例如，第一谐振的谐振频段和第三谐振的谐振频段均包括第一频段)，第二谐振的谐振频段和第四谐振的谐振频段同频(例如，第二谐振的谐振频段和第四谐振的谐振频段均包括第二频段)。
应理解，第一馈电单元341通过第一电容331间接耦合馈入电信号时，第一天线单元在第一频段激励起激发第一谐振，在第二频段激励起第二谐振。通过调整第一电容331的电容值，可以使第一电容331在第一频段呈开路状态，在第二频段呈短路状态。因此，第一馈电单元341通过第一电容331间接耦合馈入电信号可以使第一天线单元工作在两种不同的模式下，产生两个谐振，以拓展天线320的工作带宽。第二馈电单元342通过第二电容332间接耦合馈入电信号的情况也可以相应理解。
在一个实施例中，第一馈电点321和第二馈电点322沿第一边框303的虚拟轴线对称,虚拟轴线两侧的第一边框303的长度相同(虚拟轴线为第一边框303的对称轴)。
在一个实施例中，缝隙304可以设置于第一边框303的中心区域。
应理解，随着天线320的结构的对称性增加，天线320的辐射特性随之改善。
在一个实施例中，天线320的工作频段可以包括N77(3300MHz-42000MHz)，N78(3300MHz-3800MHz)或N79(4400MHz-5000MHz)中的至少部分频段。
在一个实施例中，第一电容331的电容值C1满足：0.3pF≤C1≤1pF。
在一个实施例中，第二电容332的电容值C2满足：0.3pF≤C2≤1pF。
在一个实施例中，第一电感351的电感值L1满足：1nH≤L1≤8nH。
在一个实施例中，第二电感352的电感值L2满足：1nH≤L1≤8nH。
在一个实施例中，第三电容333的电容值C3满足：0.1pF≤C2≤5pF。
应理解，为论述的简洁，本申请仅以上述5G频段为例进行说明，在实际的应用中，可以根据设计需求对第一电容的电容值以及第二电容的电容值进行调整。
在一个实施例中，第一电感351的电感值L1和第二电感352的电感值L2可以相同。
在一个实施例中，第一电容331包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种。
在一个实施例中，第二电容332包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种。
在一个实施例中，当第一电容为分布式电容器时，第一电容包括第一金属层3311，如图29中的(b)所示。第一金属层3311的一端与第一馈电单元341电连接，第一金属层3311在第一馈电点处与第一边框303间接耦合。
第一金属层3311和第一边框303沿第一方向间隔，且第一金属层3311和第一边框303沿第一方向在地板所在的平面上的投影至少部分重叠。第一金属层3311与第一边框303之间形成第一电容。其中，第一方向为垂直于地板所在平面的方向，例如z方向。
在一个实施例中，当第二电容为分布式电容器时，第二电容包括第二金属层3321，如图29中的(b)所示。第二金属层3321的一端与第二馈电单元342电连接，第二金属层3321在第二馈电点处与第一边框303间接耦合。第二金属层3321和第一边框303沿第一方向间隔，且第二金属层3321和第一边框303沿第一方向在地板所在的平面上的投影至少部分重叠。第二金属层3321与第一边框303之间形成第二电容。
在一个实施例中，第一电感351和第二电感352可以串联在第一金属层3311和第二金属层3321之间。
应理解，对于分布式电容器来说，其电容值满足以下公式：
其中，ε为两极板(例如，第一金属层3311和第一边框303)之间填充的介质的相对介电常数；δ为真空中的绝对介电常数；k为静电力常量；S为两极板正对面积，例如本申请实施例中的第一金属层3311和第一边框303的相对面积(第一金属层3311和第一边框303沿第一方向在地板所在的平面上的投影的重叠部分的面积)；d为两极板间垂直距离，例如本申请实施例中的第一金属层3311和第一边框303之间的沿第一方向(z方向)的距离。
因此，可以通过控制上述第一电容的电参数或第二电容的电参数，调整第一电容或第二电容的电容值，从而调整天线的辐射特征。
图30是本申请实施例提供的一种天线的结构的示意图。
如图30所示，其与图29所示电子设备300中天线的区别仅在于未设置T型电路(第一电感、第二电感352和第三电容333)。
图31至图33是图29所示电子设备300中天线和图30所示天线的仿真结果图。其中，图31是图29所示的天线和图30所示天线的S参数。图32是图29所示的天线和图30所示天线在2.5GHz至3GHz的阻抗曲线。图33是图29所示的天线和图30所示天线在4.8GHz至5.8GHz的阻抗曲线。
应理解，在图29所示电子设备300中，第一电感351的电感值L1和第二电感352的电感值L2均为4nH，第三电容333的电容值C3为0.1pF，地板310的尺寸为80mm×40mm，缝隙304的尺寸为3mm×3mm，第一金属层3311和第一边框303之间的距离为0.2mm(耦合间距)，第一边框303与地板310之间的距离为2mm，第一边框303的长度为28mm。为论述的简洁，本申请实施例仅以上述电参数为例进行说明，在实际的设计中，可以根据需求进行调整。
如图31中的(a)所示，为图30图所示的天线的S参数，天线可以在3GHz以及5.3GHz附近产生谐振。
如图31中的(b)所示，为图29图所示的天线的S参数。以S11/S22<-6dB为界限，第一天线单元(第一馈电点馈入电信号时)和第二天线单元(第二馈电点馈入电信号时)的谐振频段均可以包括WiFi的2.4G频段以及5G频段，还可以包括5G的N79频段。
如图32中的(a)所示，为图30图所示的天线在2.5GHz至3GHz频段之间天线中的CM模式对应的阻抗曲线和DM模式对应的阻抗曲线。如图32中的(b)所示，为图29图所示的天线在2.5GHz至3GHz频段之间天线中的CM模式对应的阻抗曲线和DM模式对应的阻抗曲线。如图33中的(a)所示，为图30图所示的天线在4.8GHz至5.8GHz频段之间天线中的CM模式对应的阻抗曲线和DM模式对应的阻抗曲线。如图33中的(b)所示，为图29图所示的天线在4.8GHz至5.8GHz频段之间天线中的CM模式对应的阻抗曲线和DM模式对应的阻抗曲线。
如上图所示，在天线中增加T型电路(第一电感、第二电感352和第三电容333)，在2.5GHz至3GHz以及4.8GHz至5.8GHz频段之间，天线中的CM模式对应的阻抗曲线和DM模式对应的阻抗曲线靠近，在该频段内，两个天线单元之间的隔离度提升明显大于10dB(S21<-10dB)。
本领域技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的之间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (21)

1.一种电子设备，其特征在于，包括：
天线，所述天线包括所述辐射体，所述辐射体包括第一馈电点和第二馈电点；
地板，所述天线通过所述地板接地；
其中，所述天线还包括第一电容，第二电容，第一馈电单元和第二馈电单元，所述第一电容的第一端与所述辐射体在第一馈电点处电连接，所述第一电容的第二端与所述第一馈电单元电连接，所述第二电容的第一端与所述辐射体在第二馈电点处电连接，所述第二电容的第二端与所述第二馈电单元电连接；
所述天线还包括第一电感，第二电感和第三电容，所述第一电感的第一端位于所述第一电容的第二端与所述第一馈电单元之间，所述第一电感的第二端与所述第二电感的第一端电连接，所述第二电感的第二端位于所述第二电容的第二端与所述第二馈电单元之间，所述第三电容的第一端位于所述第一电感的第二端与所述第二电感的第一端之间，所述第三电容的第二端接地。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
所述第一电感的电容值L1满足：1nH≤L1≤8nH；和/或，
所述第二电感的电容值L2满足：1nH≤L2≤8nH；和/或，
所述第三电容的电容值C3满足：0.1pF≤C3≤5pF。
3.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，
所述第一馈电点和所述第二馈电点沿所述辐射体的虚拟轴线对称；
所述虚拟轴线两侧的辐射体的长度相同。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一电感的电感值和所述第二电感的电感值相同。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子设备，其特征在于，
所述第一馈电单元馈电时，所述天线产生第一谐振和第二谐振，所述第一谐振的谐振频率低于所述第二谐振的谐振频率；
所述第二馈电单元馈电时，所述天线产生第三谐振和第四谐振，所述第一谐振的谐振频段和所述第三谐振的谐振频段同频，所述第二谐振的谐振频段和所述第四谐振的谐振频段同频。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子设备，其特征在于，
所述第一电容的电容值C1满足：0.3pF≤C1≤1pF；和/或，
所述第二电容的电容值C2满足：0.3pF≤C2≤1pF。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子设备，其特征在于，
所述第一电容包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种；
所述第二电容包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子设备，其特征在于，
所述第一电容包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层沿第一方向间隔，且所述第一金属层和所述第二金属层沿所述第一方向在所述地板所在的平面上的投影至少部分重叠，所述第一金属层与所述辐射体在第一馈电点处电连接，所述第二金属层与所述第一馈电单元电连接，所述第一方向为垂直于所述地板所在平面的方向；
所述第二电容包括第三金属层和第四金属层，所述第三金属层和所述第四金属层沿所述第一方向间隔，且所述第三金属层和所述第四金属层沿所述第一方向在所述地板所在的平面上的投影至少部分重叠，所述第三金属层与所述辐射体在第二馈电点处电连接，所述第四金属层与所述第二馈电单元电连接；
所述第一电感的第一端与所述第二金属层电连接；
所述第二电感的第二端与所述第四金属层电连接。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的电子设备，其特征在于，
所述天线的工作频段包括下列频段中的至少部分频段：3300MHz-42000MHz，3300MHz-3800MHz或4400MHz-5000MHz。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的电子设备，其特征在于，
所述电子设备还包括：导电边框，所述边框上具有第一位置和第二位置，所述边框在所述第一位置设置第一缝隙，在所述第二位置设置第二缝隙，所述第一位置和所述第二位置之间的边框为第一边框，所述第一边框作为所述辐射体。
11.一种电子设备，其特征在于，包括：
天线，所述天线包括辐射体，所述辐射体包括缝隙，第一馈电点和第二馈电点，所述缝隙设置于所述第一馈电点和所述第二馈电点之间；
地板，所述天线通过所述地板接地；
其中，所述天线还包括第一电容，第二电容，第一馈电单元和第二馈电单元，所述第一电容的第一端与所述辐射体在第一馈电点处电连接，所述第一电容的第二端与所述第一馈电单元电连接，所述第二电容的第一端与所述辐射体在第二馈电点处电连接，所述第二电容的第二端与所述第二馈电单元电连接；
所述天线还包括第一电感，第二电感和第三电容，所述第一电感的第一端位于所述第一电容的第二端与所述第一馈电单元之间，所述第一电感的第二端与所述第二电感的第一端电连接，所述第二电感的第二端位于所述第二电容的第二端与所述第二馈电单元之间，所述第三电容的第一端位于所述第一电感的第二端与所述第二电感的第一端之间，所述第三电容的第二端接地。
12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，
所述第一电感的电容值L1满足：1nH≤L1≤8nH；和/或，
所述第二电感的电容值L2满足：1nH≤L2≤8nH；和/或，
所述第三电容的电容值C3满足：0.1pF≤C3≤5pF。
13.根据权利要求11或12所述的电子设备，其特征在于，
所述第一馈电点和所述第二馈电点沿所述辐射体的虚拟轴线对称；
所述虚拟轴线两侧的辐射体的长度相同。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述缝隙设置于所述辐射体的中心区域。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一电感的电感值和所述第二电感的电感值相同。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的电子设备，其特征在于，
所述第一馈电单元馈电时，所述天线产生第一谐振和第二谐振，所述第一谐振的谐振频率低于所述第二谐振的谐振频率；
所述第二馈电单元馈电时，所述天线产生第三谐振和第四谐振，所述第一谐振的谐振频段和所述第三谐振的谐振频段同频，所述第二谐振的谐振频段和所述第四谐振的谐振频段同频。
17.根据权利要求11至16中任一项所述的电子设备，其特征在于，
所述第一电容的电容值C1满足：0.3pF≤C1≤1pF；和/或，
所述第二电容的电容值C2满足：0.3pF≤C2≤1pF。
18.根据权利要求11至17中任一项所述的电子设备，其特征在于，
所述第一电容包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种；
所述第二电容包括集总电容器件，和分布式电容器件中的至少一种。
19.根据权利要求11至18中任一项所述的电子设备，其特征在于，
所述第一电容包括第一金属层，所述第一金属层的一端与所述第一馈电单元电连接，所述第一金属层在所述第一馈电点处与所述辐射体间接耦合；
所述第二电容包括第二金属层，所述第二金属层的一端与所述第二馈电单元电连接，所述第二金属在所述第二馈电点处层与所述辐射体间接耦合；
所述第一电感的第一端与所述第一金属层电连接；
所述第二电感的第二端与所述第二金属层电连接。
20.根据权利要求11至19中任一项所述的电子设备，其特征在于，
所述天线的工作频段包括下列频段中的至少部分频段：3300MHz-42000MHz，3300MHz-3800MHz或4400MHz-5000MHz。
21.根据权利要求11至20中任一项所述的电子设备，其特征在于，
所述电子设备还包括：导电边框，所述边框上具有第一位置和第二位置，所述边框在所述第一位置和所述第二位置接地，所述第一位置和所述第二位置之间的边框为第一边框，所述第一边框作为所述辐射体。
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