CN117334780A - 一种光伏建筑bipv组件的层压工艺 - Google Patents

一种光伏建筑bipv组件的层压工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN117334780A
CN117334780A CN202311272536.4A CN202311272536A CN117334780A CN 117334780 A CN117334780 A CN 117334780A CN 202311272536 A CN202311272536 A CN 202311272536A CN 117334780 A CN117334780 A CN 117334780A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lamination
bipv
40kpa
photovoltaic building
assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311272536.4A
Other languages
English (en)
Inventor
李元荣
王进忠
杨启林
姬祥民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huanghe Hydropower Development Co Ltd
Xian Solar Power Branch of Qinghai Huanghe Hydropower Development Co Ltd
Xining Solar Power branch of Qinghai Huanghe Hydropower Development Co Ltd
Original Assignee
Huanghe Hydropower Development Co Ltd
Xian Solar Power Branch of Qinghai Huanghe Hydropower Development Co Ltd
Xining Solar Power branch of Qinghai Huanghe Hydropower Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huanghe Hydropower Development Co Ltd, Xian Solar Power Branch of Qinghai Huanghe Hydropower Development Co Ltd, Xining Solar Power branch of Qinghai Huanghe Hydropower Development Co Ltd filed Critical Huanghe Hydropower Development Co Ltd
Priority to CN202311272536.4A priority Critical patent/CN117334780A/zh
Publication of CN117334780A publication Critical patent/CN117334780A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • H01L31/0488Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S20/00Supporting structures for PV modules
    • H02S20/20Supporting structures directly fixed to an immovable object
    • H02S20/22Supporting structures directly fixed to an immovable object specially adapted for buildings
    • H02S20/26Building materials integrated with PV modules, e.g. façade elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明属于光伏发电技术领域,具体涉及一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺。在层压前,在BIPV预层压组件侧面设置缓冲块,所述BIPV预层压组件的层压面为正面,BIPV预层压组件的非层压面为侧面。本发明通过设置缓冲块使BIPV预层压组件受力更加均匀,避免BIPV组件出现气泡,提高了组件的成品率。

Description

一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺
技术领域
本发明属于光伏发电技术领域,具体涉及一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺。
背景技术
BIPV组件由双层玻璃、晶硅电池、双层PVB(聚乙烯醇缩丁醛酯)组成,组件层压完成后,不可以进行二次返修,使用目前行业内通用的生产工艺,会出现气泡、边缘脱胶、PVB未融问题。目前行业内解决上述质量问题的主要方式是BIPV组件层压后,进入高压釜,通过二次气压将气泡挤出,PVB进行二次融化,但是这样不仅降低了组件的生产效率,增加了BIPV组件的生产时间,也影响了组件成品率,提高了生产成本。
有鉴于此,特提出本发明。
发明内容
BIPV预层压组件层压过程中会受到硅胶板的压力,由于BIPV受力不均匀,BIPV组件边缘会受力比较大,导致得到BIPV组件的存在气泡等问题。
为了解决现有技术中存在的技术问题,本发明提供了一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,本发明通过设置缓冲块使BIPV预层压组件受力更加均匀,避免BIPV组件出现气泡,提高了组件的成品率。
本发明包括如下技术方案:
本发明提供了一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,在层压前,在BIPV预层压组件侧面设置缓冲块,所述BIPV预层压组件的层压面为正面,BIPV预层压组件的非层压面为侧面。
进一步地,所述缓冲块设置在BIPV预层压组件的短边侧面,所述短边侧面为侧面中长度较短的侧面。
进一步地,所述短边侧面设置两个缓冲块,所述缓冲块设置在短边侧面的两端。
进一步地,所述缓冲块的长度为:15cm~30cm。
进一步地,所述缓冲块的高度大于所述BIPV预层压组件的高度。
进一步地,所述缓冲块的高度比所述BIPV预层压组件的高度高:2mm~10mm。
进一步地,包括如下步骤:
使侧面设置有缓冲件的BIPV预层压组件进行依次经过第一层压腔和第二层压腔进行真空层压。
进一步地,所述第一层压腔的硅胶板工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,二段加压30Kpa~50Kpa,三段加压40Kpa~60Kpa;
所述第二层压腔的硅胶板的工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,二段加压40Kpa~60Kpa,三段加压50Kpa~70Kpa。
进一步地,所述硅胶板在层压结束后抽真空。
进一步地,所述第一层压腔的硅胶板工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,保持10s;二段加压30Kpa~50Kpa,保持10s;三段加压40Kpa~60Kpa,保持570s;
所述第二层压腔的硅胶板的工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,保持5s;二段加压40Kpa~60Kpa,保持5s;三段加压50Kpa~70Kpa,保持2265s。采用上述技术方案,本发明包括如下优点:
1、本发明通过设置缓冲块使BIPV预层压组件受力更加均匀,避免BIPV组件出现气泡,提高了组件的成品率。
2、本发明采用双腔层压机分段层压,层压机两个腔室分别采用不同的层压工艺,配合缓冲块放置,有效解决层压后气泡、边缘脱胶、PVB未融异常的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺的流程示意图;
图2为本发明实施例中硅胶板与BIPV预层压组件的作用关系图;
图3为本发明实施例中BIPV预层压组件的结构示意图一;
图4为本发明实施例中BIPV预层压组件的结构示意图二;
图5为本发明实施例中现有技术层压工艺的流程示意图;
图中:10-BIPV预层压组件,11-BIPV组件,20-缓冲块,30-第一层压腔,40-第二层压腔,50-硅胶板,60-高压釜,70-高温胶带。
具体实施方式
以下的说明提供了许多不同的实施例或是例子,用来实施本发明的不同特征。以下特定例子所描述的元件和排列方式,仅用来精简的表达本发明,其仅作为例子,而并非用以限制本发明。
在本发明的描述中,术语"第一"、"第二"仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有"第一"、"第二"的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地说明,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本实施例提供了一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,如图1-图4所示,在层压前,在BIPV预层压组件10侧面设置缓冲块20,所述BIPV预层压组件10的层压面为正面,BIPV预层压组件10的非层压面为侧面。
如图3所示,缓冲块20通过高温胶带70粘贴在所述BIPV组件11上,在层压结束后便于将缓冲块20取下,缓冲块20可以重复使用。
由于BIPV预层压组件10是一个长方体结构,而在BIPV预层压组件10层压过程中,主要的受力不均匀出现在BIPV组件11的短边;在一些实施例中,如图4所示,所述缓冲块20设置在BIPV预层压组件10的短边侧面,所述短边侧面为侧面中长度较短的侧面。在节约材料的基础上,还能提高BIPV预层压组件10的受力均匀性。
在一些实施例中,如图4所示,所述短边侧面设置两个缓冲块20,所述缓冲块20设置在短边侧面的两端。基于此,在节约材料的基础上,还能提高BIPV预层压组件10的受力均匀性。
在一些实施例中,所述缓冲块20的长度为:15cm~30cm。基于此在节约材料的基础上,还能提高BIPV预层压组件10的受力均匀性。
在一些实施例中,所述缓冲块20的高度大于所述BIPV预层压组件10的高度。基于此,更有利于BIPV组件11边缘受力均匀,不易产生气泡,同时避免边缘脱胶。
在一些实施例中,所述缓冲块20的高度比所述BIPV预层压组件10的高度高:2mm~10mm。
在一些实施例中,如图1所示,包括如下步骤:
使侧面设置有缓冲件的BIPV预层压组件10进行依次经过第一层压腔30和第二层压腔40进行真空层压。
层压过程中,如图2所示,层压腔内的硅胶板50作用在预层压组件上,硅胶板50高压作用在BIPV组件11上,而硅胶板50的作用压力通过其内的气体含量决定的,所以在层压过程中,需要向硅胶板50内充入气体。
在一些实施例中,所述第一层压腔30的硅胶板50工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,二段加压30Kpa~50Kpa,三段加压40Kpa~60Kpa;
所述第二层压腔40的硅胶板50的工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,二段加压40Kpa~60Kpa,三段加压50Kpa~70Kpa。
由于硅胶板50自身有重量,非真空状态时它会自然下垂,影响其寿命。在一些实施例中,所述硅胶板50在层压结束后抽真空。基于此,能够提高硅胶板50的使用寿命。
在一些实施例中,所述第一层压腔30的硅胶板50工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,保持10s;二段加压30Kpa~50Kpa,保持10s;三段加压40Kpa~60Kpa,保持570s;
所述第二层压腔40的硅胶板50的工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,保持5s;二段加压40Kpa~60Kpa,保持5s;三段加压50Kpa~70Kpa,保持2265s。
在一些实施例中,如图4所示,在层压过程中多个BIPV预层压组件10同时进行层压,基于此可以提高生产效率;同时使多个BIPV预层压组件10的长边相互靠近,在多个BIPV预层压组件10的短边设置缓冲块20,这样,彼此靠近的长边,在层压过程中可以相互接触,可以起到缓冲块20的作用,从而可以消除BIPV预层压组件长边的受力不均匀。
如图5所示,现有技术中解决出现气泡、边缘脱胶、PVB未融等问题,是将两次层压后的组件通过高压釜60再次处理来消除上述问题,但是该方式不仅增加了成本,而且效率低。而本发明取消了高压釜60环节,通过设置缓冲块20和对层压工艺的控制来解决出现气泡、边缘脱胶、PVB未融等问题;提高组件层压后质量,减小生产时间,降低生产成本。
尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,在层压前,在BIPV预层压组件(10)侧面设置缓冲块(20),所述BIPV预层压组件(10)的层压面为正面,BIPV预层压组件(10)的非层压面为侧面。
2.如权利要求1所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述缓冲块(20)设置在BIPV预层压组件(10)的短边侧面,所述短边侧面为侧面中长度较短的侧面。
3.如权利要求2所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述短边侧面设置两个缓冲块(20),所述缓冲块(20)设置在短边侧面的两端。
4.如权利要求3所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述缓冲块(20)的长度为:15cm~30cm。
5.如权利要求1-4任意一项所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述缓冲块(20)的高度大于所述BIPV预层压组件(10)的高度。
6.如权利要求5所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述缓冲块(20)的高度比所述BIPV预层压组件(10)的高度高:2mm~10mm。
7.如权利要求1所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,包括如下步骤:
使侧面设置有缓冲件的BIPV预层压组件(10)进行依次经过第一层压腔(30)和第二层压腔(40)进行真空层压。
8.如权利要求7所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述第一层压腔(30)的硅胶板(50)工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,二段加压30Kpa~50Kpa,三段加压40Kpa~60Kpa;
所述第二层压腔(40)的硅胶板(50)的工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,二段加压40Kpa~60Kpa,三段加压50Kpa~70Kpa。
9.如权利要求8所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述硅胶板(50)在层压结束后抽真空。
10.如权利要求8所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述第一层压腔(30)的硅胶板(50)工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,保持10s;二段加压30Kpa~50Kpa,保持10s;三段加压40Kpa~60Kpa,保持570s;
所述第二层压腔(40)的硅胶板(50)的工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,保持5s;二段加压40Kpa~60Kpa,保持5s;三段加压50Kpa~70Kpa,保持2265s。
CN202311272536.4A 2023-09-28 2023-09-28 一种光伏建筑bipv组件的层压工艺 Pending CN117334780A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311272536.4A CN117334780A (zh) 2023-09-28 2023-09-28 一种光伏建筑bipv组件的层压工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311272536.4A CN117334780A (zh) 2023-09-28 2023-09-28 一种光伏建筑bipv组件的层压工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117334780A true CN117334780A (zh) 2024-01-02

Family

ID=89276651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311272536.4A Pending CN117334780A (zh) 2023-09-28 2023-09-28 一种光伏建筑bipv组件的层压工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117334780A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101661975B (zh) 太阳能电池组件层压的制造方法
JP3098003B2 (ja) 太陽電池におけるラミネート装置
CN107833942B (zh) 多功能层压机及其使用方法
JP2008296583A (ja) 板状加工物積層方法及び板状加工物積層装置
CN108269882B (zh) 一种光伏组件层压工艺
JP2003204074A (ja) 太陽電池用封止膜、およびこれを用いた太陽電池パネルの製造方法
CN105489706B (zh) 一种晶体硅太阳能电池双玻组件预封装设备
JP5897045B2 (ja) 太陽電池モジュールの製造方法、及びラミネータ装置
JP2013071387A (ja) ラミネート方法及びラミネート装置
CN110682633A (zh) 一种真空连续式夹胶玻璃生产方法
JP2021512837A (ja) サンドイッチ構造の曲面ガラスの製造方法
CN104779322A (zh) 一种双玻太阳能电池组件的封装方法
CN111098581A (zh) 一种异形玻璃夹胶设备
CN107962851A (zh) 多层三腔层压系统及其使用方法
CN117334780A (zh) 一种光伏建筑bipv组件的层压工艺
CN207549676U (zh) 一种太阳能电池层压设备
JP2022501293A (ja) サンドイッチ構造の曲面ガラスの製造方法
CN114883436B (zh) 光伏组件层压方法
CN110154499A (zh) 光伏组件的层压方法及层压设备
CN208637446U (zh) 一种适用于双玻光伏组件的层压硅胶板和层压装置
CN217753100U (zh) 一种电加热钢板层压机
CN109461793A (zh) 用于太阳能电池组件的压合模块及制造太阳能电池组件的方法
CN111844715A (zh) 一种真空状态下的车载玻璃贴合设备
CN112582500A (zh) 一种双玻璃光伏组件生产工艺
CN219706406U (zh) 一种高速层压机

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination