CN117320512A - 发光显示设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光显示设备，包括基板、位于基板上的辅助电源电极、位于辅助电源电极上的第一保护层、位于第一保护层与辅助电源电极之间的第二保护层；用于经由第一保护层和第二保护层暴露辅助电源电极的一部分的触点部分；位于触点部分处的檐结构部分；和位于檐结构部分上的覆盖金属图案。

Description

发光显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年6月27日提交的第10-2022-0078470号韩国专利申请的权益，该申请通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开涉及一种发光显示设备。
背景技术
随着信息社会的发展，对显示图像的显示设备的需求也在增加。近年来，已经使用了各种显示设备，诸如液晶显示(LCD)设备、有机发光显示(OLED)设备、微发光二极管(micro-LED)显示设备和量子点显示(QD)设备。
在显示设备中，基于发光层的材料，发光显示设备通常被分类为无机发光显示设备或有机发光显示设备。例如，有机发光显示设备是自发光型显示设备，其中来自用于空穴注入的阳极的空穴和来自用于电子注入的阴极的电子被注入到发光层中，并且电子和空穴结合，从而产生激子，并且随着所产生的激子从激发态降低到基态而发射光并且因此显示图像。
基于光发射的方向，发光显示设备可分为顶部发射型发光显示设备、底部发射型发光显示设备或双发射型发光显示设备。
在顶部发射型发光显示设备中，半透明电极或透明电极用作阴极，以从发光层向上发射光。阴极形成为具有小的厚度以提高透射率，从而增加电阻。特别地，在大面积发光显示设备中，电压基于与电压供应焊盘单元的距离增加而下降，这导致发光显示设备的亮度不均匀。
发明内容
在一些方面，已经提出了一种具有底切形状的阴极触点结构，该底切形状被形成为使得分离的辅助电极电连接到阴极。具有底切形状的阴极可以防止由于气体泄漏而引起的电压下降和损坏。
为了防止具有底切形状的结构松散，底切结构使用具有相对优异的粘合特性的外覆层和钝化层来实现。然而，在底切结构的形成期间，发生外覆层图案的边缘松散，这增加了形成底切结构所需的图案化时间和蚀刻面积。
此外，被配置为保护发光元件免受外部湿气或氧气渗透到底切结构中的填料中包含的气体随后立即从底切结构排出。如果气体渗透到发光元件中，则发光元件可能发生故障并成为呈现为黑点的故障像素。
本公开的目的是提供一种发光显示设备，其能够防止阴极触点结构中的底切结构的外覆层图案的边缘松散，以减少形成底切结构所需的图案化时间和蚀刻面积。
本公开的另一个目的是提供一种具有阴极触点结构的发光显示设备，该阴极触点结构被配置为捕获从底切结构中的填料产生的气体，以保护发光元件。
除了本公开的上述目的之外，本公开的其他特征和优点将由本公开所属领域的普通技术人员通过以下描述清楚地理解。
根据本公开的一个方面的发光显示设备包括基板、位于基板上的辅助电源电极、位于辅助电源电极上的第一保护层、位于第一保护层与辅助电源电极之间的第二保护层；用于经由第一保护层和第二保护层暴露辅助电源电极的一部分的触点部分；位于触点部分处的檐结构部分；和所述檐结构部分上的覆盖金属图案。
根据本公开的另一个方面的发光显示设备包括基板、辅助电源电极和底切结构，所述基板包括子像素位于其中的有源区域和与有源区域相邻的非有源区域，辅助电源电极位于子像素之间，底切结构位于辅助电源电极上，其中所述底切结构包括位于所述辅助电源电极上的第一图案、被配置为支撑所述第一图案的第二图案、以及被配置为覆盖所述第一图案的整个上表面的覆盖金属图案。
根据本公开的另一个方面，一种用于制造发光显示设备的方法包括在基板上形成辅助电源电极，在辅助电源电极上形成钝化材料层，在钝化材料层上形成第一图案和外覆层，在第一图案和外覆层上形成覆盖金属材料层，对覆盖金属材料进行图案化，并去除所述图案化的覆盖金属材料下的钝化材料层以形成底切区域。
应当理解，本公开的上述一般描述和以下详细描述都是示例性的和解释性的，旨在提供对所要求保护的公开的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供对本公开的进一步理解，并纳入本申请中并构成本申请的一部分，附图说明了本公开的一个或多个方面，并与说明书一起用于解释本公开的原理。在图纸中：
图1是示意性地示出根据本公开的一个方面的发光显示设备的框图；
图2是示意性地示出根据本公开的该方面的发光显示设备的有源区域和非有源区域的局部平面图；
图3是根据本公开的一个方面的发光显示设备的沿图2的线I-I’截取的截面图；
图4A是示出根据本公开的一个方面的由图3的部分A指示的触点区域的平面图；
图4B是沿图4A的线II-II’截取的截面图；
图5A至5E是示出根据本公开的一个方面的制造底切结构的方法的截面图；
图6是根据比较示例的底切结构的截面图；
图7A是示出根据本公开的另一个方面的由图3的部分A指示的触点区域的平面图；
图7B是沿图7A的线III-III’截取的截面图；和
图8A至8D是示出根据本公开的另一个方面的制造底切结构的方法的截面图。
具体实施方式
通过以下参考附图描述的实施例，将更清楚地理解本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法。然而，本公开不限于以下实施例，并且可以以各种不同的形式来实现。提供实施例仅仅是为了完成本公开的公开，并将本公开所属领域的普通技术人员完全告知本公开的类别。本公开仅由权利要求的类别来定义。
在用于解释本公开的各种实施例的附图中，例如，所示的形状、尺寸、比率、角度和数量是通过示例的方式给出的，因此，它们不限制本公开的公开内容。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组成元件。此外，在本公开的以下描述中，当可能使本公开的主题相当不清楚时，将省略在此并入的已知功能和配置的详细描述。
说明书中使用的术语“包括”、“包含”和/或“具有”不排除存在或添加其他元素，除非与术语“仅”一起使用。除非上下文另有明确指示，否则单数形式也应包括复数形式。
在对组成元素的解释中，即使没有明确的描述，组成元素也被解释为包括误差范围。
当描述位置关系时，例如，当使用“上”、“上方”、“下”、“旁边”等来描述两个部分之间的位置关系，一个或多个其他部分可能位于两个部分中间，除非使用术语“直接”或“紧密”。
当描述时间关系时，例如，当使用“之后”、“随后”、“接下来”、“之前”等来描述两个动作之间的时间关系时时，除非使用术语“立即”或“直接”，否则动作可能不会连续发生。
尽管诸如“第一”和“第二”之类的术语可用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开来。因此，在以下描述中，第一元件可以是本公开的技术思想内的第二元件。
术语“第一水平轴方向”、“第二水平轴方向”和“垂直轴方向”不应仅被解释为它们相互垂直的几何关系，并且在本公开的结构功能操作的范围内可以具有更宽的方向性。
术语“至少一个”应理解为包括一个或多个相关项目可能呈现的所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”可以是指可以从第一项、第二项和第三项中的两个或多个以及第一项、第一项或第二项中呈现的所有项目的组合。
本公开的各个实施例的各个特征可以部分或全部相互耦合和组合，并且它们之间的各种技术联系及其操作方法是可能的。这些各种实施例可以彼此独立地执行，或者可以彼此关联地执行。
在下文中，将参考附图详细描述根据本公开的发光显示设备的优选实施例。在附图中，即使在不同的附图中描绘了相同的元件，也用相同的附图标记表示相同的元件。此外，为了便于描述，附图中所示的元件的比例与实际比例不同，因此不限于附图中所显示的比例。
图1是示意性地示出根据本公开的一个方面的发光显示设备的框图。
如图1所示，根据本公开的该方面的发光显示设备100可以包括显示面板110、图像处理单元120、时序控制器130、数据驱动单元140、扫描驱动单元150和电源单元160。
显示面板110可以根据从数据驱动单元140提供的数据信号DATA、从扫描驱动单元150提供的扫描信号以及从电源单元160提供的电力来显示图像。
显示面板110可以包括设置在多条栅极线GL和多条数据线DL之间的每个相交处的子像素SP。子像素SP的结构可以取决于发光显示设备100的种类而不同地改变。
例如，取决于其结构，子像素SP可以被形成为顶部发射型子像素、底部发射型子象素或双发射型子像元。子像素SP对应于具有特定种类的滤色器的单元像素或者能够在没有滤色器的情况下发射指定颜色的光的单元像素。
例如，子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。可替换地，子像素SP可以包括红色子像素、蓝色子像素、白色子像素和绿色子像素。取决于其发光特性，子像素SP可以具有一个或多个不同的发光区域。
一个或多个子像素SP可以构成一个单元像素。例如，一个单元像素可以包括红色、绿色和蓝色子像素，并且可以重复地布置红色、绿色以及蓝色子像素。可替换地，一个单元像素可以包括红色、绿色、蓝色和白色子像素，并且可以重复地布置红色、绿色、蓝色和白色子像素。可替换地，红色、绿色、蓝色和白色子像素可以设置为四元结构。在本公开中，可以取决于发光特性、元件的寿命和设备的规格来不同地配置子像素的颜色类型、布置类型和布置顺序，并且本公开不限于此。
显示面板110可分为其中设置子像素SP以显示图像的有源区域AA、和围绕有源区域AA的非有源区域NA。扫描驱动单元150可安装在显示面板110的非有源区域NA中。而且，焊盘电极PAD可以设置在非有源区域NA中。
图像处理单元120可以输出从外部提供的数据信号DATA和数据使能信号DE。除了数据使能信号DE之外，图像处理单元120还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的至少一个。为了便于描述，这些信号被省略。
时序控制器130可以从图像处理单元120接收驱动信号和数据信号DATA。驱动信号可以包括数据使能信号DE。可替换地，驱动信号可以包括垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号。时序控制器130可以基于驱动信号输出用于控制数据驱动单元140的操作时序的数据时序控制信号DDC和用于控制扫描驱动单元150的操作时序的栅极时序控制信号GDC。
数据驱动单元140可以对从时序控制器130提供的数据信号DATA进行采样、锁存并将其转换为伽马参考电压，并且可以响应于从时序控制器130提供的数据时序控制信号DDC来输出伽马参考电压。
数据驱动单元140可以经由数据线DL输出数据信号DATA。数据驱动单元140可以以集成电路(IC)的形式来实现。例如，数据驱动单元140可以经由柔性电路膜电连接到布置在显示面板110的非有源区域NA中的焊盘电极PAD。
扫描驱动单元150可以响应于从时序控制器130提供的栅极时序控制信号GDC来输出扫描信号。扫描驱动单元150可经由栅极线GL输出扫描信号。扫描驱动单元可以以IC形式或显示面板110中的面板内栅极(GIP)形式实现。
电源单元160可以输出用于驱动显示面板110的高电位电压和低电位电压。电源单元160可以经由第一电源线EVDD(例如，驱动电源线或像素电源线)向显示面板110提供高电位电压，并且可以经由第二电源线EVSS(例如，辅助电源线或公共电源线)向显示面板110提供低电位电压。
图2是示意性地示出根据本公开的该方面的发光显示设备的有源区域和非有源区域的局部平面图。
参考图1和图2，根据本公开的该方面的发光显示设备的显示面板110可以被划分为有源区域AA和非有源区域NA，并且可以包括由在有源区域AA中的基板上以矩阵形式彼此交叉的栅极线GL和数据线DL定义的多个子像素SP1、SP2、SP3、和子像素SP4。
如图2所示，多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4。例如，第一子像素SP1可以发射红色光，第二子像素SP2可以发射绿色光，第三子像素SP3可以发射蓝色光，并且第四子像素SP4可以发射白色光。然而，可以省略发射白色光的第四子像素SP4，并且可以使用被配置为发射红色光、绿色光、蓝色光、黄色光、品红色光和青色光中的至少两种的子像素。此外，多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素可以具有特定种类的滤色器，或者可以在没有滤色器的情况下发射指定颜色的光。然而，本公开不限于此，并且子像素SP1、SP2、SP3和SP4的颜色、布置类型和布置顺序可以取决于发光特性、元件的寿命和设备的规格而不同地配置。
像素电极PXL(例如，阳极或第一电极)可以设置在多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处。堤岸层BA被配置为覆盖像素电极PXL的边缘并限定与多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4相对应的开口，并且可以被设置在像素电极PXL上。发光层(或有机发光层)和公共电极(例如，阴极或第二电极)可以顺序堆叠在像素电极PXL和堤岸层BA上。
在本公开的该方面中，为了降低在显示面板110的整个表面上形成的公共电极的电阻，可以包括分离的辅助电源电极，该辅助电源电极由表现出比公共电极低的电阻的材料制成，并且通过触点电连接到公共电极。堤岸层BA可以限定触点部分CA，该触点部分CA被配置为暴露辅助电源电极的一部分，使得辅助电源电极和公共电极彼此电连接。
触点部分CA可以位于有源区域AA中，并且可以被子像素SP1、SP2、SP3和SP4包围。可以在平行于栅极线GL的方向上针对构成一个单元像素的每四个子像素SP1、SP2、SP3和SP4形成触点部分CA，然而，本公开不限于此。触点部分可以针对每任意数量的子像素形成。此外，触点部分CA可以在平行于数据线DL的方向上针对每个水平线形成，然而，本公开不限于此。触点部分可以针对每任意数量的水平线形成。
焊盘电极PAD可以形成在与显示面板110的端部相邻的非有源区域NA中。焊盘电极PAD可以对应于一个子像素，然而，本公开不限于此。
图3是根据本公开的该方面的沿着图2的线I-I’截取的发光显示设备的截面图。
参考图3，根据本公开的该方面的发光显示设备100可以包括第一基板SUB1、光阻挡层LS、辅助电源线EVSS(例如，第二电源线或公共电源线等)、缓冲层BUF、薄膜晶体管TR、存储电容器、栅极介质膜GI、层间介质膜ILD、辅助电源电极APE、钝化层PAS(例如，第二保护层等)、外覆层OC(例如，第一保护层或平坦化层等)、发光元件ED、堤岸层BA、触点部分CA、底切结构OC_P、PAS_P和CP、封装层EPAS、填料FILL、第二基板SUB2、挡坝DAM和焊盘电极PAD。
第一基板SUB1是基底基板，并且可以由玻璃或塑料制成。例如，第一基板SUB1可以由塑料制成，例如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)，由此第一基板SUB可以是柔性的。
对于多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素，可以在第一基板SUB1上形成包括各种信号线、薄膜晶体管TR和存储电容器的电路元件。信号线可以包括栅极线GL、数据线DL、第一电源线EVDD(例如，驱动电源线或像素电源线)、第二电源线EVSS(例如，辅助电源线或公共电源线)和参考线，并且薄膜晶体管TR可以包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管和感测薄膜晶体管。
光阻挡层LS和辅助电源线EVSS(例如，第二电源线或公共电源线)可以设置在第一基板SUB1上。光阻挡层LS可以与薄膜晶体管TR重叠。例如，光阻挡层LS可与薄膜晶体管TR的有源层ACT重叠。特别地，光阻挡层LS可能在平面中与有源层ACT的沟道区域重叠。光阻挡层LS可以用于防止外部光进入有源层ACT。此外，辅助电源线EVSS(第二电源线或公共电源线)可以向公共电极COM(阴极或第二电极)施加低电压。此外，辅助电源线EVSS可以与辅助电源电极APE一起降低公共电极COM的电阻。
光阻挡层LS和辅助电源线EVSS可以在相同层上由相同材料制成。在这种情况下，光阻挡层LS和辅助电源线EVSS可以通过相同的处理同时形成。
缓冲层BUF可以设置在第一基板SUB1上以覆盖光阻挡层LS和辅助电源线EVSS。缓冲层BUF可以是单层或者可以是多个堆叠的无机膜。例如，缓冲层BUF可以是由氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)或氮氧化硅膜制成的单层。可替换地，缓冲层BUF可以是氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)或氮氧化硅膜中的至少两种的堆叠。缓冲层BUF可以形成在第一基板SUB1的上表面上，以阻挡离子或杂质从第一基板SUB1扩散并防止湿气经由第一基板SUB1渗透到发光元件ED中。
薄膜晶体管TR、存储电容器和辅助电源电极APE可以设置在缓冲层BUF上。薄膜晶体管TR可以设置在缓冲层BUF上的多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处。例如，薄膜晶体管TR可以包括有源层ACT、在栅极介质膜GI介于其间的状态下与有源层ACT重叠的栅极电极GA、第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2。存储电容器可以形成为三重结构，在该三重结构中，被配置为使用光阻挡层LS或辅助电源线EVSS的一部分或全部的第一电容器电极、通过对与薄膜晶体管TR的栅极电极GA相同的金属材料进行图案化而形成的第二电容器电极、和被配置为利用光阻挡层LS或辅助电源线EVSS的一部分或者全部的第三电容器电极重叠，然而本公开不限于此。存储电容器可以根据需要通过各种数量的层来实现。此外，辅助电源电极APE可以经由穿过缓冲层BUF和层间介质膜ILD形成的接触孔CH电连接到辅助电源线EVSS。
薄膜晶体管TR的有源层ACT可以由硅基或氧化物基半导体材料制成，并且可以形成在缓冲层BUF上。有源层ACT可以包括与栅极电极GA重叠的沟道区域和连接到第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2的源极/漏极电极区域。
栅极介质膜GI可以形成在有源层ACT上。栅极介质膜GI可以设置在有源层ACT的沟道区域上，并且可以用于将有源层ACT和栅极电极GA彼此隔离。栅极介质膜GI可以由无机绝缘材料制成。例如，栅极介质膜GI可以由氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)或其组合制成。
栅极电极GA可形成在栅极介质膜GI上。栅极电极GA可以设置为面对有源层ACT，且栅极介质膜GI介于栅极电极GA和有源层ACT之间。栅极电极GA可以形成为由选自由铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、钽(Ta)和钨(W)或其合金组成的组中的任何一种制成的单层结构或多层结构。此外，构成存储电容器的一部分的第二电容器电极可以由与缓冲层BUF上的栅极电极GA相同的材料制成。在这种情况下，薄膜晶体管TR的栅极电极GA和存储电容器的第二电容器电极可以通过相同的处理同时形成。
层间介质膜ILD被配置为覆盖栅极电极GA，并且可以形成在缓冲层BUF上。此外，层间介质膜ILD可以形成为覆盖存储电容器的第二电容器电极。层间介质膜ILD可以保护薄膜晶体管TR。层间介质膜ILD可以由无机绝缘材料制成。例如，层间介质膜ILD可以是氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅薄膜(SiOxNy)或其组合。
第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2可以形成在层间介质膜ILD上。层间介质膜ILD的预定区域可以被去除，使得有源层ACT与第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏级电极SD2彼此接触。例如，第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2可以经由穿过层间介质膜ILD形成的接触孔电连接到有源层ACT。
辅助电源电极APE可以形成在层间介质膜ILD上。层间介质膜ILD和在其下方提供的缓冲层BUF中的每一个的预定区域可以被去除，使得辅助电源线EVSS和辅助电源电极APE彼此接触。例如，辅助电源电极APE可以经由穿过层间介质膜ILD和缓冲层BUF形成的接触孔CH电连接到辅助电源线EVSS。此外，辅助电源电极APE可以用作存储电容器的第三电容器电极。
第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2以及辅助电源电极APE可以在相同层上由相同材料制成。第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2以及辅助电源电极APE可以通过相同的处理同时形成。第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2以及辅助电源电极APE中的每一个可以以单层结构或多层结构形成。当第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2以及辅助电源电极APE中的每一个以单层结构形成时，可以使用从由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金组成的组中选择的任何材料。此外，当第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2以及辅助电源电极APE中的每一个以多层结构形成时，可以使用钼/铝-钕、钼/铝、钛/铝或铜/钼-钛的双层。可替换地，第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2以及辅助电源电极APE中的每一个可以形成为钼/铝-钕/钼、钼/铝/钼、钛/铝/钛或钼钛/铜/钼钛的三层结构。然而，本公开不限于此，并且第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2以及辅助电源电极APE中的每一个可以形成为由从由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金组成的组中选择的任何一种制成的多层结构。
设置在第一基板SUB1上的薄膜晶体管TR、存储电容器和辅助电源电极APE可以构成电路层(或薄膜晶体管阵列层)。
钝化层PAS(或第二保护层)可以设置在薄膜晶体管TR和辅助电源电极APE上。钝化层PAS可以形成为覆盖薄膜晶体管TR和辅助电源电极APE。被配置为保护薄膜晶体管TR的钝化层PAS可以由无机绝缘材料制成。例如，钝化层PAS可以由氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)或其组合制成。
外覆层OC(例如，第一保护层或平坦化层)可以设置在钝化层PAS(或第二保护层)上。被配置为对下方台阶进行平坦化的外覆层OC可以由有机绝缘材料制成。例如，外覆层OC可以由有机材料中的至少一种制成，诸如光丙烯酸、聚酰亚胺、苯并环丁烯和丙烯酸酯。
像素电极PXL(例如，阳极或第一电极)可以设置在外覆层OC(第一保护层或平坦化层)上。像素电极PXL(例如，阳极或第一电极)可以设置在外覆层OC上的多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处。像素电极PXL可以经由穿过外覆层OC和钝化层PAS形成的接触孔连接到薄膜晶体管TR的第一源极/漏极电极SD1。可替换地，像素电极PXL可以连接到薄膜晶体管TR的第二源极/漏极电极SD2。发光层EL和公共电极COM可以设置在像素电极PXL上。像素电极PXL、发光层EL和公共电极COM可以构成发光元件ED。
像素电极PXL(阳极或第一电极)可以由金属、其合金、或金属与金属氧化物的组合制成。例如，像素电极PXL可以形成为包括表现出高反射效率的透明导电膜和不透明导电膜的多层结构。像素电极PXL的透明导电膜可以由具有相对大功函数的材料制成，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，并且不透明导电膜可以形成为由选自由银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)和钨(W)或其合金组成的组中选择的任何一种制成的单层结构或多层结构。例如，像素电极PXL可以形成为其中透明导电膜、不透明导电膜和透明导电膜顺序堆叠的结构，或者透明导电膜和不透明导电膜顺序堆叠的结构。
连接电极CE可以设置在薄膜晶体管TR和像素电极PXL之间。也就是说，像素电极PXL可以经由连接电极CE电连接到薄膜晶体管TR。连接电极CE可以形成在外覆层OC上，并且可以完全被像素电极PXL覆盖。具体地，连接电极CE可以形成在像素电极PXL的端部下方。
连接电极CE可以由表现出高抗氧化性的金属制成。例如，连接电极CE可以由钼钛合金(MoTi)或铟锡氧化物(ITO)制成。连接电极CE可以降低薄膜晶体管TR和像素电极PXL之间的电阻，同时保护从外覆层OC和钝化层PAS暴露的薄膜晶体管TR的第一源极/漏极电极SD1。连接电极CE可以由与下面将描述的覆盖金属图案CP和/或焊盘电极PAD相同的材料制成。
堤岸层BA可以设置在像素电极PXL和外覆层OC上。堤岸层BA可以覆盖像素电极PXL的边缘并且可以限定子像素的开口。堤岸层BA可以由有机材料制成，诸如聚酰亚胺、丙烯酸酯或苯并环丁烯。由堤岸层BA暴露的像素电极PXL的中央部分可以被定义为发光区域。此外，堤岸层BA可以完全覆盖连接电极CE，从而可以覆盖由于连接电极CE而产生的像素电极PXL的台阶。此外，堤岸层BA可以限定触点部分CA，触点部分CA被配置为暴露辅助电源电极APE的一部分，使得辅助电源电极APE和公共电极COM彼此电连接。
触点部分CA可以经由钝化层PAS、外覆层OC和堤岸层BA暴露辅助电源电极APE的一部分。具有底切区域UC的底切结构OC_P、PAS_P和CP可以设置在由触点部分CA暴露的辅助电源电极APE上。
底切结构OC_P、PAS_P和CP可以设置在辅助电源电极APE的一部分上，并且可以包括底切区域UC。底切结构OC_P、PAS_P和CP可以以岛状图案形成在辅助电源电极APE的一部分上，并且辅助电源电极APE可以在底切结构OC_P、PAS_P和CP周围暴露。通过触点部分CA而在底切结构OC_P、PAS_P和CP周围暴露的辅助电源电极APE可以电连接到公共电极COM(阴极或第二电极)。底切结构OC_P、PAS_P和CPP可以由与钝化层PAS、外覆层OC和连接电极CE相同的材料制成。底切结构OC_P、PAS_P和CP可以包括由与外覆层OC相同的材料制成的第一图案OC_P(或檐结构部分)、由与钝化层PAS相同的材料制造的第二图案PAS_P(或者柱结构部分)、以及由与下文将描述的连接电极CE和/或焊盘电极PAD相同的材料制成的覆盖金属图案CP。
发光层EL可设置在像素电极PXL和堤岸层BA上。发光层EL可以设置在外覆层OC上。发光层EL可以设置在经由触点部分CA暴露的辅助电源电极APE上。在一些方面，发光层图案EL_P可以设置在底切结构OC_P、PAS_P和CP的覆盖金属图案CP上。发光层图案EL_P可以由与发光层EL相同的材料在相同的处理期间制成。发光层图案EL_P可以形成在底切结构OC_P、PAS_P和CP的底切区域UC中以与发光层EL断开。例如，发光层EL可以由具有较差台阶覆盖率的材料制成。因此，设置在辅助电源电极APE上的发光层EL的面积可以通过底切结构OC_P、PAS_P和CP而最小化，并且可以与底切结构OC_P、PAS_P和CP的底切区域UC中的发光层图案EL_P断开，由此设置在其下方的辅助电极电极APE可以暴露。
公共电极COM(阴极或第二电极)可以设置在发光层EL上。公共电极COM可以设置在像素电极PXL和发光层EL之上，以构成发光元件ED。公共电极COM可以广泛地形成在第一基板SUB1的整个表面上。同时，公共电极图案COM_P可以设置在位于底切结构OC_P、PAS_P和CP上的发光层图案EL_P上。公共电极图案COM_P可以由与公共电极COM相同的材料在相同的处理期间制成。公共电极图案COM_P可以形成为在底切结构OC_P、PAS_P和CP的底切区域UC中与公共电极COM断开。然而，本公开不限于此，并且公共电极图案COM_P和公共电极COM可以彼此连接。
公共电极COM可以由透明导电材料制成，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，或者可以由银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或其合金制成，其具有足以透射光的小厚度。
公共电极COM可电连接到通过触点部分CA暴露的辅助电源电极APE。公共电极COM可以被设置为覆盖堤岸层BA，并且可以被设置在底切结构OC_P、PAS_P和CP的底切区域UC中的辅助电源电极APE上。例如，公共电极COM可以由表现出优异的台阶覆盖率的材料制成。公共电极COM可以具有比通过沉积形成的发光层EL更好的台阶覆盖率，并且作为底切结构OC_P、PAS_P和CP的底切区域UC中的发光层断开的结果，公共电极COM可延伸到暴露于外部的辅助电源电极APE的上部。因此，发光层EL在底切结构OC_P、PAS_P和CP的底切区域UC中不接触辅助电源电极APE，并且辅助电源电极APE暴露。然而，公共电极COM可以不被发光层EL覆盖，可以设置在暴露的辅助电源电极APE的上表面，并且可以直接接触辅助电源电极APE，由此公共电极COM可电连接到辅助电源电极APE。
封装层EPAS被配置为保护发光元件ED，其可以设置在公共电极COM上。封装层EPAS可以完全覆盖公共电极COM，并防止外部湿气或氧气引入发光元件ED。在某些方面，封装层图案EPAS_P可以设置在位于底切结构OC_P、PAS_P和CP上的公共电极图案COM_P上。封装层图案EPAS_P可以由与封装层EPAS相同的材料在相同的处理期间制成。封装层图案EPAS_P可以形成为在底切结构OC_P、PAS_P和CP的底切区域UC中与封装层EPAS断开。然而，本公开不限于此，并且封装层图案EPAS_P和封装层EPAS可以连接。
同时，覆盖层被配置为覆盖公共电极COM，并且可以设置在封装层EPAS和公共电极COM之间。在这种情况下，封装层EPAS可以直接覆盖该覆盖层。封装层EPAS可以是薄膜封装层。
在一个方面中，封装层EPAS可以是单个无机层。例如，封装层EPAS可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)或氟化锂制成。在另一个方面，封装层EPAS可以形成为包括无机层、有机层和无机层的多层结构。在这种情况下，如上所述，无机层可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)或氟化锂制成，并且有机层可以由丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂或二萘嵌苯基树脂制成。
然而，封装层EPAS的结构不限于上述示例，并且封装层EPAS可以具有各种堆叠结构。
填料FILL可以设置在封装层EPAS上。填料FILL可以覆盖封装层EPAS以防止外部湿气或氧气引入到发光元件ED中。填料FILL可以由透射光的材料制成。例如，填料FILL可以由有机材料制成。填料FILL的非限制性示例可包括硅基有机材料、环氧基有机材料、或者硅基有机材料与环氧基有机材料的混合物。
第二基板SUB2可以设置在填料FILL上。第二基板SUB2可以以与填料FILL相同的方式防止外部湿气或氧气引入到发光元件ED中。第二基板SUB2可以由透射光的材料制成。例如，第二基板SUB2可以包括玻璃基板或塑料基板。此外，第二基板SUB2还可以包括位于玻璃基板或塑料基板上的分离层，诸如由无机膜制成的介电层。
挡坝DAM可位于与有源区域AA相邻的非有源区域NA中。挡坝DAM可以设置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间，以防止填料FILL流出到外部。挡坝DAM可以由有机材料制成。例如，挡坝DAM可以由环氧基树脂制成，然而，本公开不限于此。
焊盘电极PAD可以设置在与显示面板110的端部相邻的非有源区域NA中。焊盘电极PAD可以电连接到形成在钝化层PAS上的数据驱动单元140，以将数据信号提供给子像素SP1、SP2、SP3和SP4。焊盘电极PAD可以经由与辅助电源电极APE形成在相同层上的第一线L1连接到与辅助电源线EVSS形成在相同层上的第二线L2。第一线L1和第二线L2可以被配置为将数据信号从数据驱动单元140传输到子像素SP1、SP2、SP3和SP4。然而，本公开不限于此，并且焊盘电极PAD可以是被配置为向子像素SP1、SP2、SP3和SP4发送电力信号或参考信号的电极。
焊盘电极PAD可以由与连接电极CE和/或覆盖金属图案CP相同的材料制成。例如，焊盘电极PAD可以由钼钛合金(MoTi)或铟锡氧化物(ITO)制成。因此，即使暴露于外部，焊盘电极PAD也可能难以被氧化。
图4A是示出根据本公开的一个方面的由图3的部分A指示的触点区域的平面图，图4B是沿图4A的线II-II’截取的截面图。
参考图3、图4A和图4B，根据本公开的该方面的发光显示设备100的触点区域可以包括触点部分CA，触点部分CA被配置为暴露辅助电源电极APE的一部分。触点部分CA可以经由钝化层PAS(或第二保护层)、外覆层OC(或第一保护层)和堤岸层BA暴露辅助电源电极APE的一部分。包括第一图案OC_P(或檐结构部分)、第二图案PAS_P(或者柱结构部分)和覆盖金属图案CP的底切结构OC_P、PAS_P和CP可以设置在通过触点部分CA暴露的辅助电源电极APE上。
底切结构OC_P、PAS_P和CP可以设置在辅助电源电极APE的一部分上，并且可以包括底切区域UC。底切结构OC_P、PAS_P和CP可以以岛状图案形成在辅助电源电极APE的一部分上，并且可以在底切结构OC_P、PAS_P和CP周围形成其中暴露辅助电源电极APE的区域。通过触点部分CA而在底切结构OC_P、PAS_P和CP周围暴露的辅助电源电极APE可以电连接到公共电极COM(阴极或第二电极)。底切结构OC_P、PAS_P和CP可以包括由与外覆层OC相同的材料制成的第一图案OC_P(或檐结构部分)、由与钝化层PAS相同的材料制造的第二图案PAS_P(或柱结构部分)、以及由与连接电极CE和/或焊盘电极PAD相同的材料制造的覆盖金属图案CP。
底切结构OC_P、PAS_P和CP的第一图案OC_P可以由有机绝缘材料制成，第二图案PAS_P可以由无机绝缘材料制成。此外，覆盖金属图案CP可以由表现出高抗氧化性的金属制成。第一图案OC_P可以由与外覆层OC相同的材料制成。第一图案OC_P和外覆层OC可以通过相同的处理同时形成。第二图案PAS_P可以在相同层上由与钝化层PAS相同的材料制成。第二图案PAS_P和钝化层PAS可以通过相同的处理同时形成。覆盖金属图案CP可以由与连接电极CE和/或焊盘电极PAD相同的材料制成。例如，覆盖金属图案CP可以由钼钛合金(MoTi)或铟锡氧化物(ITO)制成。覆盖金属图案CP和连接电极CE和/或焊盘电极PAD可以通过相同的处理同时形成。然而，本公开不限于此。
第一图案OC_P可以设置在辅助电源电极APE的一部分上。第一图案OC_P可以以岛状图案形成在辅助电源电极APE上，并且底切区域UC可以形成在第一图案OC_P的边缘下方。第一图案OC_P可以设置在第二图案PAS_P下方，并且可以与暴露的辅助电源电极APE的一部分重叠。
第二图案PAS_P可以形成在辅助电源电极APE的上表面上以与第一图案OC_P重叠，以支撑第一图案OC_P。第二图案PAS_P可以以岛状图案形成在辅助电源电极APE上。第二图案PAS_P可以包括具有第一宽度并邻接第一图案OC_P的上表面、具有大于第一宽度的第二宽度并邻接辅助电源电极APE的下表面、以及设置在上表面和下表面之间的倾斜表面。第一图案OC_P的下表面的宽度可以大于第二图案PAS_P的上表面的第一宽度。此外，第一图案OC_P的宽度可以等于或大于第二图案PAS_P的下表面的第二宽度。由于第一图案OC_P的下表面具有比至少第二图案PAS_P的上表面大的宽度，所以可以在第一图案OC_P的边缘下方形成底切区域UC。
覆盖金属图案CP可以覆盖第一图案OC_P的整个上表面。覆盖金属图案CP的厚度可以从第一图案OC_P的中央到边缘逐渐减小。因此，覆盖金属图案CP的宽度可以基本上等于第一图案OC_P的宽度。此外，覆盖金属图案CP可以与第一图案OC_P完全重叠。此外，覆盖金属图案CP可以具有与第一图案OC_P相同的平坦形状。
可以作为与第一图案OC_P重叠的钝化层PAS被蚀刻为使得辅助电源电极APE的一部分在第一图案OC_P周围被暴露的结果，来形成第二图案PAS_P。第二图案PAS_P可以在其与第一图案OC_P的边缘重叠的区域中被过蚀刻，以比第一图案OC_P的边缘更向内凹陷，从而可以形成底切区域UC。
在根据本公开的该方面的底切结构OC_P、PAS_P和CP中，如图4A和4B所示，底切区域UC可以在第一图案OC_P和覆盖金属图案CP的边缘下方形成。可以作为与第一图案OC_P和覆盖金属图案CP的边缘相对应的第二图案PAS_P被图案化为比第一图案OC_P和覆盖金属图案CP的边缘更向内凹陷的结果，来形成底切区域UC。底切区域UC可以包括第一图案OC_P和覆盖金属图案CP的边缘的下表面以及第二图案PAS_P的侧表面。
可以沿着底切结构OC_P、PAS_P和CP周围的钝化层PAS、外覆层OC和堤岸层BA的台阶，在辅助电源电极APE的暴露区域上部分地形成发光层EL。此外，发光层图案EL_P可以形成在底切结构OC_P、PAS_P和CP上，并且可以与发光层EL断开。在辅助电源电极APE的暴露区域中的与底切区域UC相对应的辅助电源电极APE上可以不设置发光层EL。由于发光层EL由具有较差的台阶覆盖率的材料制成，因此发光层EL不延伸到底切区域UC中的辅助电源电极APE，并且与辅助电源电极APE断开，从而可以将设置在辅助电源电极APE的暴露区域上的发光层EL的面积最小化。
公共电极COM可形成在发光层EL上。可以沿着底切结构OC_P、PAS_P和CP周围的钝化层PAS、外覆层OC和堤岸层BA的台阶，在发光层EL上形成公共电极COM。此外，公共电极图案COM_P可形成在发光层图案EL_P上，并且可以与公共电极COM断开。然而，本公开不限于此，并且公共电极图案COM_P和公共电极COM可以彼此连接。公共电极COM可以设置在未被发光层EL覆盖而暴露的辅助电源电极APE的上表面，并且可以直接接触辅助电源电极APE，由此公共电极COM可电连接到辅助电源电极APE。由于公共电极COM由具有比发光层EL好的台阶覆盖率的材料制成，因此公共电极COM延伸到其中未形成发光层EL的底切区域UC中的辅助电源电极APE，由此公共电极COM可以直接接触辅助电源电极APE，并且因此公共电极COM可以电连接到辅助电源电极APE。在根据本公开的该方面的发光显示设备100中，发光层EL不覆盖与底切区域UC重叠的辅助电源电极APE，并且公共电极COM直接接触并电连接到未被发光层EL覆盖的辅助电源电极APE。在一些方面中，接触辅助电源电极APE的公共电极COM可以减少取决于公共电极COM在整个显示面板中的电阻偏差的电压降不均匀性。
封装层EPAS被配置为保护发光元件ED，并且可以设置在公共电极COM上。封装层EPAS可以完全覆盖公共电极COM，并防止外部湿气或氧气引入发光元件ED中。同时，封装层图案EPAS_P可以设置在位于底切结构OC_P、PAS_P和CP上的公共电极图案COM_P上。封装层图案EPAS_P可以由与封装层EPAS相同的材料在相同的处理期间制成。封装层图案EPAS_P可以形成为在底切结构OC_P、PAS_P和CP的底切区域UC中与封装层EPAS断开。然而，本公开不限于此，并且封装层图案EPAS_P和封装层EPAS可以彼此连接。
如前所述，填料FILL和第二基板SUB2可以设置在封装层EPAS上。
同时，在根据本公开的该方面的发光显示设备100中，可以作为触点部分CA周围的钝化层PAS的一部分被图案化以被暴露的结果，来形成外覆层OC。此外，也可以作为触点部分CA周围的外覆层OC的一部分被图案化以被暴露的结果，来形成堤岸层BA。如上所述，由于在触点部分CA周围的钝化层PAS、外覆层OC和堤岸层BA处形成平缓的台阶，所以公共电极COM可以稳定地接触辅助电源电极APE。
图5A至5E是示出根据本公开的一个方面的制造底切结构的方法的截面图。
首先，参考图5A，在第一基板SUB1上依次形成缓冲层BUF、层间介质膜ILD和辅助电源电极APE。随后，在其上形成有辅助电源电极APE的层间介质膜ILD上形成钝化材料层PAS’。随后，在钝化材料层PAS’上形成外覆层OC和第一图案OC_P。随后，在钝化材料层PAS’、外覆层OC和第一图案OC_P上形成覆盖金属材料层CP’。随后，形成具有比第一图案OC_P大的宽度的光致抗蚀剂图案PR。光致抗蚀剂图案PR完全覆盖第一图案OC_P，但不与外覆层OC重叠。
接下来，参照图5B，对覆盖金属材料层CP’进行图案化。具体地，使用光致抗蚀剂图案PR作为掩模蚀刻覆盖金属材料层CP’，以形成覆盖金属中间图案CP”。此时，覆盖金属材料层CP’可以被过蚀刻，使得覆盖金属中间图案CP”的宽度小于光致抗蚀剂图案PR的宽度。
接下来，参考图5C，进行灰化处理以形成覆盖金属图案CP。当进行灰化处理时，光致抗蚀剂图案PR的宽度减小，从而形成光致抗抗蚀剂灰化图案PR’。对应地，覆盖金属中间图案CP”的宽度也减小，从而形成覆盖金属图案CP。在这种情况下，第一图案OC_P、覆盖金属图案CP和光致抗蚀剂灰化图案PR’的宽度可以基本上彼此相等。
接下来，参考图5D，通过剥离去除光致抗蚀剂灰化图案PR’。
接下来，参考图5E，形成堤岸层BA，然后去除覆盖金属图案CP下方的钝化材料层PAS’，以形成钝化层PAS和第二图案PAS_P。结果，可以形成包括第一图案OC_P、第二图案PAS_P和覆盖金属图案CP的底切结构OC_P、PAS_P和CP。随后，如图4B所示，可以通过相同的处理同时形成发光层EL和发光层图案EL_P。随后，可以通过相同的处理同时形成公共电极COM和公共电极图案COM_P。随后，可以通过相同的处理同时形成封装层EPAS和封装层图案EPAS_P。
图6是根据比较示例的底切结构的截面图。将参考图6和图5E来描述本公开的该方面的效果。
首先，参考图6，未被覆盖金属图案覆盖的第一比较图案OC_P’的边缘发生松散。这里，第一比较图案OC_P’是由与第一图案相同的材料在相同的处理期间制成但未被覆盖金属图案覆盖的图案。由于构成第一比较图案OC_P’的有机材料的热稳定性低并且可能收缩，所以可能在边缘处发生第一比较图案OC_P’的松散。具体地，由于去除了牢固地保持第一比较图案OC_P’的边缘的下表面的钝化材料层PAS，第一比较图案OC_P’处于容易移动的状态。随后，当进行固化处理时，第一比较图案OC_P’收缩，从而出现松散现象。结果，第一比较图案OC_P’的侧端与第二图案PAS_P的下端之间的距离d’，即底切区域的宽度，变得小于第一图案OC_P'的侧端与第二图案PAS_P的下端之间的距离，即图5E的底切区域宽度。也就是说，由于在没有覆盖金属图案的情况下底切区域相对减少，所以增加了图案化时间和蚀刻面积以形成期望的底切区域。
相反，参考图5E，由于覆盖金属图案CP覆盖第一图案OC_P的边缘，因此边缘的移动性可以减少。也就是说，即使去除了牢固地保持第一图案OC_P的边缘的下表面的钝化材料层PAS，覆盖金属图案CP也牢固地支撑第一图案OC_P的边缘的上表面，从而不会发生第一图案OC_P的松散。因此，可以减少形成底切区域所需的图案化时间和蚀刻面积。
此外，由于第一图案OC_P的宽度和覆盖金属图案CP的宽度基本上彼此相等，因此可以减小底切结构OC_P、PAS_P和CP的尺寸，并且因此可以提高显示面板110的发光开口率。
将参照图4B描述本公开的该方面的另一效果。
气体可能从被配置为保护发光元件免受外部湿气或氧气的影响的填料FILL中包括的有机材料中排出。如果气体渗透到发光元件ED中，则发光元件ED的效率可能降低，或者发光元件ED可能变成黑点。因此，底切结构OC_P、PAS_P和CP被形成为岛状图案，从而可以防止气体从底切结构OC_P、PAS_P和CP渗透到发光元件ED中。
此外，气体被捕获在底切结构OC_P、PAS_P和CP中，从而可以提高显示面板110的整体可靠性。具体地，从填料FILL排出的气体可以沿着由实心箭头指示的路径P1被引入底切结构OC_P、PAS_P和CP中。这里，第一图案OC_P的边缘的下表面可以直接接触填料FILL，从而可以容易地引入气体。此时，如果不存在覆盖金属图案CP，则引入底切结构OC_P、PAS_P和CP中的气体再次被引入填料FILL中。气体可能渗透到发光元件ED中，从而可能损坏发光元件ED。然而，由于存在覆盖金属图案CP，所以引入底切结构OC_P、PAS_P和CP中的气体沿着虚线箭头所示的路径P2流动，并且可以被捕获在第一图案OC_P中。因此，可以减少由于气体对发光元件ED的损坏。
在下文中，将描述本公开的另一个方面。与上述元件基本相同的元件由相同的附图标记表示，并且将省略对其的描述。图7A是示出根据本公开的另一个方面的由图3的部分A指示的触点区域的平面图，图7B是沿图7A的线III-III’截取的截面图。
参考图7A和7B，在本公开的另一个方面，可以包括延伸覆盖金属图案ECP来代替本公开的覆盖金属图案CP。也就是说，底切结构OC_P、PAS_P和ECP可以包括延伸覆盖金属图案ECP。延伸覆盖金属图案ECP可以包括位于第一图案OC_P上的主体部分BP和在平行于基板的方向上从主体部分BP的侧端突出的延伸部分EP。这里，主体部分BP和延伸部分EP中的每一个的厚度可以是均匀的。此外，主体部分BP和延伸部分EP的厚度可以基本上彼此相等。
如上所述，由于底切结构OC_P、PAS_P和ECP包括延伸覆盖金属图案ECP，因此可以增加底切区域，并且可以省略灰化处理。因此，可以在降低成本的同时更稳定地实现阴极触点。
图8A至8D是示出根据本公开的另一个方面的制造底切结构的方法的截面图。
首先，参考图8A，在第一基板SUB1上依次形成缓冲层BUF、层间介质膜ILD和辅助电源电极APE。随后，在其上形成有辅助电源电极APE的层间介质膜ILD上形成钝化材料层PAS’。随后，在钝化材料层PAS’上形成外覆层OC和第一图案OC_P。随后，在钝化材料层PAS’、外覆层OC和第一图案OC_P上形成延伸覆盖金属材料层ECP’。随后，形成具有比第一图案OC_P大的宽度的光致抗蚀剂图案PR。光致抗蚀剂图案PR完全覆盖第一图案OC_P，但不与外覆层OC重叠。
接下来，参照图8B，对延伸覆盖金属材料层ECP’进行图案化。具体地，使用光致抗蚀剂图案PR作为掩模来蚀刻延伸覆盖金属材料层ECP’，以形成扩展覆盖金属图案ECP。此时，延伸覆盖金属材料层ECP’可被过蚀刻，使得延伸覆盖金属图案ECP的宽度小于光致抗蚀剂图案PR的宽度。
接下来，参考图8C，通过剥离去除光致抗蚀剂图案PR。
接下来，参考图8D，形成堤岸层BA，然后去除延伸覆盖金属图案ECP下方的钝化材料层PAS’，以形成钝化层PAS和第二图案PAS_P。结果，可以形成包括第一图案OC_P、第二图案PAS_P和延伸覆盖金属图案ECP的底切结构OC_P、PAS_P和ECP。随后，如图7B所示，可以通过相同的处理同时形成发光层EL和发光层图案EL_P。随后，可以通过相同的处理同时形成公共电极COM和公共电极图案COM_P。随后，可以通过相同的处理同时形成封装层EPAS和封装层图案EPAS_P。
根据本公开的一个方面的发光显示设备可以配置如下。
根据本公开的一个方面的发光显示设备可以包括基板；位于所述基板上的辅助电源电极；位于所述辅助电源电极上的第一保护层；位于所述第一保护层与所述辅助电源电极之间的第二保护层；触点部分，所述触点部分用于经由所述第一保护层和所述第二保护层暴露所述辅助电源电极的一部分；位于所述触点部分处的檐结构部分；和位于所述檐结构部分上的覆盖金属图案。
在根据本公开的该方面的发光显示设备中，檐结构部分可以由与第一保护层相同的材料制成。
在根据本公开的该方面的发光显示设备中，檐结构部分可以由设置在辅助电源电极的上表面与所述檐结构部分的下表面之间的柱结构部分支撑，并且所述柱结构部分可以用与第二保护层相同的材料制成。
在根据本公开的该方面的发光显示设备中，基板可以包括子像素位于其中的有源区域和与有源区域相邻的非有源区域。电连接到数据驱动单元以向子像素提供数据信号的焊盘电极可以位于非有源区域中。覆盖金属图案可以由与焊盘电极相同的材料制成。
在根据本公开的该方面的发光显示设备中，触点部分可以位于有源区域中并且被子像素包围。
在根据本公开的该方面的发光显示设备中，覆盖金属图案可以由钼钛(MoTi)合金或铟锡氧化物(铟锡氧化物)制成。
在根据本公开的该方面的发光显示设备中，覆盖金属图案可以与檐结构部分完全重叠。
在根据本公开的该方面的发光显示设备中，覆盖金属图案可以包括延伸部分，所述延伸部分在平行于基板的方向上从檐结构部分的侧端突出。
根据本公开的该方面的发光显示设备可以进一步包括位于基板上的薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的连接电极。覆盖金属图案可以由与连接电极相同的材料制成。
根据本公开的该方面的发光显示设备可以进一步包括位于第一保护层上的像素电极、位于第一保护层上并且在像素电极上限定开口的堤岸层、位于像素电极和堤岸层上的发光层以及位于发光层上的公共电极，所述公共电极在所述触点部分处与所述辅助电源电极接触。由与发光层相同的材料制成的发光层图案和由与公共电极相同的材料制造的公共电极图案可以被顺序堆叠在覆盖金属图案上。
根据本公开的该方面的发光显示设备可以进一步包括位于公共电极上的封装层。由与包封层相同的材料制成的包封层图案可以位于公共电极图案上。
根据本公开的另一个方面的发光显示设备可以包括基板，所述基板包括子像素位于其中的有源区域和与有源区域相邻的非有源区域；位于子像素之间的辅助电源电极；以及位于辅助电源电极上的底切结构。所述底切结构可以包括位于辅助电源电极上的第一图案、支撑第一图案的第二图案和覆盖第一图案的整个上表面的覆盖金属图案。
在根据本公开的该方面的发光显示设备中，底切结构可以具有底切区域，并且底切区域可以由第一图案和覆盖金属图案的下表面以及第二图案的侧表面限定。
根据本公开的该方面的发光显示设备可以进一步包括位于辅助电源电极上的第一保护层和位于第一保护层与辅助电源电极之间的第二保护层。第一保护层和第二保护层可以与底切结构间隔开，并且第一图案和第二图案可以分别由与第一保护层及第二保护层相同的材料制成。
根据本公开的该方面的发光显示设备可以进一步包括位于非有源区域中的焊盘电极。焊盘电极可以由与覆盖金属图案相同的材料制成。
在根据本公开的该方面的发光显示设备中，覆盖金属图案可以包括延伸部分，所述延伸部分在平行于基板的方向上从第一图案的侧端突出
根据本公开的一个方面的用于制造发光显示设备的方法可以包括在基板上形成辅助电源电极，在辅助电源电极上形成钝化材料层，在钝化材料层上形成第一图案和外覆层，在第一图案和外覆层上形成覆盖金属材料层，对覆盖金属材料进行图案化，并去除在图案化的覆盖金属材料下方的钝化材料层以形成底切区域。
根据本公开的一个方面的制造发光显示设备的方法可以进一步包括在与第一图案重叠的覆盖金属材料层上形成光致抗蚀剂图案，并去除不与光致抗阻剂图案重叠的覆盖金属材料层。
根据本公开的一个方面的制造发光显示设备的方法可以进一步包括在对覆盖金属材料层进行图案化的步骤与形成底切区域的步骤之间执行灰化处理以形成具有与第一图案相同宽度的覆盖金属图案。
根据本公开的一个方面的制造发光显示设备的方法可以进一步包括在形成底切区域的步骤之后在外覆层上形成发光层并且在图案化的覆盖金属材料层上形成发光层图案，在发光层上形成公共电极并在发光层图案上形成公共电路图案，在公共电极上形成封装层并在公共电极图案上形成封装层图案。
从以上描述中可以明显看出，在根据本公开的发光显示设备中，可以防止阴极触点结构中的底切结构的外覆层图案的边缘松散，从而可以减少形成底切结构所需的图案化时间和蚀刻面积。
此外，由填料产生的气体被捕获在底切结构中，从而可以保护发光元件。
除了本公开的上述效果之外，本公开的其他特征和优点将由本公开所属领域的普通技术人员根据上述描述清楚地理解。
虽然已经参考附图描述了本公开的实施例，并且本领域技术人员将理解，在不偏离本公开的技术思想和基本特征的情况下，本公开可以以不同于本文所述的特定形式来体现。因此，所公开的实施例在所有方面被解释为说明性的而非限制性的。

Claims (20)

1.一种发光显示设备，包括：
基板；
位于所述基板上的辅助电源电极；
位于所述辅助电源电极上的第一保护层；
位于所述第一保护层与所述辅助电源电极之间的第二保护层；
触点部分，所述触点部分用于经由所述第一保护层和所述第二保护层暴露所述辅助电源电极的一部分；
位于所述触点部分处的檐结构部分；和
位于所述檐结构部分上的覆盖金属图案。
2.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中所述檐结构部分包括与所述第一保护层相同的材料。
3.根据权利要求2所述的发光显示设备，进一步包括柱结构部分，所述柱结构部分用于在所述辅助电源电极的上表面与所述檐结构部分的下表面之间支撑所述檐结构部分，以及
其中，所述柱结构部分包括与所述第二保护层相同的材料。
4.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述基板包括子像素位于其中的有源区域和与所述有源区域相邻的非有源区域，
其中，电连接到数据驱动单元以向所述子像素提供数据信号的焊盘电极位于所述非有源区域中，以及
其中，所述覆盖金属图案由与所述焊盘电极相同的材料制成。
5.根据权利要求4所述的发光显示设备，其中，所述触点部分位于所述有源区域中并且被所述子像素包围。
6.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述覆盖金属图案由钼钛(MoTi)合金或铟锡氧化物(铟锡氧化物)制成。
7.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述覆盖金属图案覆盖所述檐结构部分的整个上部。
8.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述覆盖金属图案包括延伸部分，所述延伸部分在平行于所述基板的方向上从所述檐结构部分的侧端突出。
9.根据权利要求1所述的发光显示设备，进一步包括：
位于所述基板上的薄膜晶体管；和
连接到所述薄膜晶体管的连接电极，其中所述覆盖金属图案由与所述连接电极相同的材料制成。
10.根据权利要求1所述的发光显示设备，进一步包括：
位于所述第一保护层上的像素电极；
位于所述第一保护层上的堤岸层，所述堤岸层在所述像素电极上限定开口；
位于所述像素电极和所述堤岸层上的发光层；和
位于所述发光层上的公共电极，所述公共电极在所述触点部分处与所述辅助电源电极接触，其中由与所述发光层相同的材料制成的发光层图案和由与所述公共电极相同的材料制成的公共电极图案被顺序堆叠在所述覆盖金属图案上。
11.根据权利要求10所述的发光显示设备，进一步包括：
位于所述公共电极上的封装层，其中由与所述封装层相同的材料制成的封装层图案位于所述公共电极图案上。
12.一种发光显示设备，包括：
基板，所述基板包括子像素位于其中的有源区域和与所述有源区域相邻的非有源区域；
位于所述子像素之间的辅助电源电极；和
位于所述辅助电源电极上的底切结构，其中所述底切结构包括：
位于所述辅助电源电极上的第一图案；
第二图案，所述第二图案支撑所述第一图案；和
覆盖金属图案，所述覆盖金属图案用于覆盖所述第一图案的整个上表面。
13.根据权利要求12所述的发光显示设备，其中：
所述底切结构具有底切区域，并且
所述底切区域由所述第一图案和所述覆盖金属图案的下表面以及所述第二图案的侧表面限定。
14.根据权利要求12所述的发光显示设备，进一步包括：
位于所述辅助电源电极上的第一保护层；和
位于所述第一保护层和所述辅助电源电极之间的第二保护层，其中：
所述第一保护层和所述第二保护层与所述底切结构间隔开，并且
所述第一图案包括与所述第一保护层相同的材料，并且所述第一图案包括与第二保护层相同的材料。
15.根据权利要求14所述的发光显示设备，进一步包括：
位于所述非有源区域中的焊盘电极，其中所述焊盘电极包括与所述覆盖金属图案相同的材料。
16.根据权利要求12所述的发光显示设备，其中，所述覆盖金属图案包括延伸部分，所述延伸部分在平行于所述基板的方向上从所述第一图案的侧端突出。
17.一种用于制造发光显示设备的方法，所述方法包括：
在基板上形成辅助电源电极；
在所述辅助电源电极上形成钝化材料层；
在所述钝化材料层上形成第一图案和外覆层；
在所述第一图案和所述外覆层上形成覆盖金属材料层；
对所述覆盖金属材料层进行图案化；和
去除在图案化的覆盖金属材料层下方的钝化材料层以形成底切区域。
18.根据权利要求17所述的方法，其中对所述覆盖金属材料层进行图案化包括：
在与所述第一图案重叠的所述覆盖金属材料层上形成光致抗蚀剂图案；和
基于所述光致抗蚀剂图案去除所述覆盖金属材料层。
19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括在对所述覆盖金属材料层进行图案化的步骤与形成所述底切区域的步骤之间执行灰化处理以形成具有与所述第一图案相同宽度的覆盖金属图案。
20.根据权利要求17所述的方法，进一步包括：
在形成所述底切区域之后，在所述外覆层上形成发光层，并在所述图案化的覆盖金属材料层上形成发光层图案；
在所述发光层上形成公共电极，并在所述发光层图案上形成公共电极图案；和
在所述公共电极上形成封装层，并在所述公共电极图案上形成封装层图案。
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