CN117290081A - 通道分路器、存储控制装置、片上系统及终端 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种通道分路器、存储控制装置、片上系统及终端,属于存储技术领域。通道分路器包括:分路组件和N个位宽转换组件;分路组件用于将内存地址划分至N条内存通道;位宽转换组件用于对分路组件输入的数据进行位宽转换;分路组件中包括地址译码器,地址译码器用于进行内存地址译码,地址译码器支持至少两种工作模式,且不同工作模式下地址译码器所采用的译码方式不同。采用本申请实施例提供的通道分路器有助于提高内存读写带宽,进而提高上游主设备的性能,实现对更多并发应用场景的支持;并且,地址译码器能够基于使用场景对性能以及功耗的需求,选择在不同的工作模式下工作,满足不同使用场景对功耗以及性能的需求。
Description
技术领域
本申请实施例涉及存储技术领域,特别涉及一种通道分路器、存储控制装置、片上系统及终端。
背景技术
随着终端功能的不断丰富,终端对内存的要求也越来越高。比如,终端的处理器在运行人工智能(Artificial Intelligence,AI)算法时,对内存的数据读写带宽的要求较高。
多通道(channel)作为一种提高内存读写带宽的技术,被广泛应用于终端中。例如,手机常见的是支持4个内存通道。
发明内容
本申请实施例提供了一种通道分路器、存储控制装置、片上系统及终端。所述技术方案如下:
一方面,本申请实施例提供了一种通道分路器,所述通道分路器包括:分路组件和N个位宽转换组件,N大于或等于2;
所述分路组件用于将内存地址划分至N条内存通道;
所述位宽转换组件用于对所述分路组件输入的数据进行位宽转换;
所述分路组件中包括地址译码器,所述地址译码器用于进行内存地址译码,所述地址译码器支持至少两种工作模式,且不同工作模式下所述地址译码器所采用的译码方式不同。
另一方面,本申请实施例提供了一种存储控制装置,所述存储控制装置包括:至少一个如上述方面所述的通道分路器以及控制器;
所述存储控制装置通过主总线与主设备相连,且所述存储控制装置通过物理层接口与存储器相连。
另一方面,本申请实施例提供了一种片上系统,所述片上系统包括:主设备以及如上述方面所述的存储控制装置;
所述主设备通过主总线与所述存储控制装置相连;
所述存储控制装置通过物理层接口与存储器相连。
另一方面,本申请实施例提供了一种终端,所述终端中设置有如上述方面所述的片上系统。
本申请实施例中,通过设计具有分路组件以及N个位宽转换组件的通道分路器,并在分路组件中设置支持至少两种工作模式的地址译码器,使不同工作模式下,地址译码器可以采用不同的译码方式进行内存地址译码,从而将内存地址划分至N条内存通道,进而能够通过多个内存通道进行数据读写,有助于提高内存读写带宽,进而提高上游主设备的性能,实现对更多并发应用场景的支持;并且,地址译码器能够基于使用场景对性能以及功耗的需求,选择在不同的工作模式下工作,以此满足不同使用场景对功耗以及性能的需求。
附图说明
图1是相关技术中内存读取架构的架构示意图;
图2示出了本申请一个示例性实施例示出的通道分路器的结构示意图;
图3示出了本申请一个示例性实施例示出的分路组件的结构示意图;
图4是本申请一个示例性实施例示出的地址译码器的结构示意图;
图5是本申请一个示例性实施例示出的具有两种工作模式的地址译码器的结构示意图;
图6是本申请一个示例性实施例示出的具有三种工作模式的地址译码器的结构示意图;
图7示出了本申请另一个示例性实施例示出的通道分路器的结构示意图;
图8是本申请一个示例性实施例示出的通道分路器设置在安全总线之外的结构示意图;
图9是本申请一个示例性实施例示出的通道分路器设置在安全总线之内的结构示意图;
图10是本申请一个示例性实施例示出的安全总线与加解密组件的连接示意图;
图11是本申请另一个示例性实施例示出的安全总线与加解密组件的连接示意图;
图12是本申请一个示例性实施例示出的存储控制装置的结构示意图;
图13是本申请一个示例性实施例示出的具有8条内容通道的存储控制装置的结构示意图;
图14示出了本申请一个示例性实施例示出的片上系统的结构示意图;
图15示出了本申请另一个示例性实施例示出的片上系统的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
在本文中提及的“多个”是指两个或两个以上。“和/或”,描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
如图1所示,终端中设置有N个主设备(Master)101至10N,各个主设备与主总线(primarybus)11建立有4条总线链路,以通过总线链路向主总线11发送数据读写指令。主总线11与从总线12(secondarybus)之间也建立有4条链路,而从总线12则与4个控制器13之间建立有4条内存通道。进行数据读写时,从总线12将数据读写指令发送至某一内存通道对应的控制器13,由控制器13通过物理层接口14实现对存储器15的数据读写。
显然,相关技术中,内存通道的数量与主从总线间链路的数量一致。这种内存读取方式虽然设计较简单,但其性能已经越来越难以满足人工智能以及其他并行运算等应用的需求。
本申请实施例提供了一种由分路组件和N个位宽转换组件构成的通道分路器(channelsplitter)。通过分路组件将内存地址划分至N个内存通道,并通过位宽转换组件对分路组件输入的数据进行位宽转换,实现内存通道扩充,进而实现通过多个内存通道进行数据读写,有助于提高内存读写带宽,进而提高上游主设备的性能,实现对更多并发应用场景的支持。
并且,分路组件中的地址译码器支持至少两种工作模式,能够根据场景对性能以及功耗的需求,在不同工作模式下采用不同的译码方式进行内存地址译码,以此满足不同使用场景对功耗以及性能的需求。
将本申请实施例提供的通道分路器应用于上述内存读取架构后(可以设置在从总线中),使从总线与控制器间内存通道的数量由原先与主从总线间链路的数量一致,变为大于主从总线间链路的数量,实现了对内存通道数量的扩充,从而提升了内存读写带宽,在不提升存储器颗粒的读写速度的前提下,也能提升片上系统以及终端设备的整体性能。下面通过示意性的实施例对通道分路器的结构以及工作原理进行说明。
请参考图2,其示出了本申请一个示例性实施例示出的通道分路器的结构示意图。该通道分路器21包括:分路组件211和N个位宽转换组件212,N大于或等于2。
在一个示例性的例子中,当通道分路器为双通道分路器时,双通道分路器中设置有分路组件和两个位宽转换组件;当通道分路器为三通道分路器时,三通道分路器中设置有分路组件和三个位宽转换组件。
在其他可能的命名方式中,通道分路器可以被称为1to N组件,本申请实施例对此不作限定。
其中,分路组件211包括输入接口和N个分路输出接口,且分路组件211通过N个分路输出接口与N个位宽转换组件212相连,该分路组件211用于实现分路功能,即将内存地址划分至N条内存通道,且分路组件211的输入位宽与输出位宽相同。
位宽转换组件212包括分路输入接口和输出接口,位宽转换组件212用于对来自分路输入接口的输入数据进行位宽转换,并通过输出接口输出位宽转换后的输出数据,即位宽转换组件212用于实现位宽转换功能,位宽转换组件212的输入位宽与输出位宽不同。
在一种可能的设计中,由于上游数据位宽通常大于下游数据位宽,因此该位宽转换组件212可以实现称为Downsizer,用于将高位宽输入转换为地位宽输出。其中,N个位宽转换组件212的输出位宽之和大于或等于输入位宽。
在一个示意性的例子中,该位宽转化组件用于实现256bits至128bits的位宽转换。当位宽转换组件的数量为2时,2个位宽转换组件的输出位宽之和(128bits×2)等于输入位宽;当位宽转换组件的数量为3时,3个位宽转换组件的输出位宽之和(128bits×3)大于输入位宽。需要说明的是,本实施例进以256bits转换为128bits为例进行示意性说明,但并不对此构成限定。
上游设备进行数据读写操作时,会在数据读写指令中指示待读写数据的地址。通道分路器接收到数据读写请求后,需要将主设备指示的地址(通常为虚拟地址)转换为物理地址,以便后续指示控制器根据该物理地址进行数据读取,该过程即为内存地址的译码过程。
本申请实施例中,分路组件211中包括地址译码器2111。其中,该地址译码器可以采用单译码(或称为字结构方式)或者双译码方式(或称为X-Y译码结构)进行译码。
在一些实施例中,地址译码器的输出地址比特数小于地址译码器的输入地址比特数,且比特数差值与N呈正相关关系。其中,N越大(即内存通道数越多),比特数差值越大。
在一个示意性的例子中,输入地址译码器的虚拟地址为37或40bits,在存在4个内存通道的情况下,经过译码后地址译码器输出的物理内存地址为35或38bits,在存在8个内存通道的情况下(即采用双通道分路器),经过译码后地址译码器输出的物理内存地址为34或37bits。
通过地址译码器完成内存地址译码后,需要基于译码得到的物理内存地址,确定该内存地址所属的内存通道,进而针对不同内存通道进行数据交织(interleave),得到分路至各个内存通道的数据,并将数据传输至内存通道对应的位宽转换组件。
如图3所示,对具有一个输入接口S0以及N个输出接口(M0至MN)的分路组件300进行内部结构放大,输入接口S0中设置有地址译码器301以及总线矩阵(BUS Matrix)302,各个输出接口设置有各自对应的矩阵(M0矩阵至MN矩阵)。地址译码器301完成地址译码后,基于译码得到的内存地址进行数据交织,从而通过总线矩阵302向输出接口的矩阵分发各个内存通道对应的数据。
不同于相关技术中地址译码器采用单一译码方式进行地址译码,本申请实施例中的地址译码器支持至少两种工作模式,且在不同工作模式下,地址译码器采用不同的译码方式进行地址译码。
在一种可能的实施方式中,采用不同译码方式进行地址译码时,内存读写的性能以及功耗存在差异。因此通道分路器可以基于使用场景对内存读写性能以及功耗的需求,将地址译码器设置为相应的工作模式,从而满足当前使用场景的性能需求和/或功耗需求。
关于实现多工作模式的具体方式,在一种可能的设计中,如图4所示,地址译码器400中设置有第一寄存器401以及至少两个地址译码模块402,不同地址译码模块402用于在不同工作模式下工作。
其中,第一寄存器401中存储的数据用于指示工作模式。在一种可能的实施方式中,在接收到上游主设备的模式设置指令时,第一寄存器中即模式设置指令所指示目标模式对应的模式数据。
在一种可能的设计中,该地址译码模块402为硬件模块。相应的,地址译码器400基于第一寄存器401中写入的数据,控制相应工作模式对应的地址译码模块402工作。
在一个示意性的例子中,如图5所示,当地址译码器500支持两种工作模式时,第一寄存器511中存储的数据包括0(指示第一工作模式)和1(指示第二工作模式),相应的,地址译码器500中设置有第一地址译码模块521和第二地址译码模块522。
在另一个示意性的例子中,如图6所示,当地址译码器600支持三种工作模式时,第一寄存器611中存储的数据包括00(指示第一工作模式)、01(指示第二工作模式)和10(指示第三工作模式),相应的,地址译码器600中设置有第一地址译码模块621、第二地址译码模块622和第三地址译码模块623。
需要说明的是,本申请实施例并不对第一寄存器中写入的具体数据,以及地址译码器支持的工作模式的数量进行限定。
划分内存通道时采用的划分粒度可以被称为交织颗粒度。比如,按照1GB这一交织颗粒度将8GB内存划分至8个内存通道时,第0至1GB被划分至第一内存通道,第1至2GB被划分至第二内存通道,第2至3GB被划分至第三内存通道,以此类推。
按照1MB这一交织颗粒度将8GB内存划分至8个内存通道时,第8i至(8i+1)MB将被划分至第一内存通道,第(8i+1)至(8i+2)MB将被划分至第二内存通道,第(8i+2)至(8i+3)MB将被划分至第三内存通道,以此类推,i为整数。
显然,不同交织颗粒度下各个内存通道划分到的内存块不同(总量相同)。随着交织颗粒度的降低,通过内存通道进行数据读写的速度会不断提高。比如,按照1GB这一粒度进行内存通道划分时,当读取第400至500MB的数据时只能通过第一内存通道;而按照1MB这一粒度进行内存通道划分时,能够同时通过8个内存通道读取第400至500MB的数据。
因此,出于功耗以及性能层面的考虑,在一种可能的设计中,如图5所示,地址译码器中设置的至少两个地址译码模块包括第一地址译码模块521和第二地址译码模块522。
第一地址译码模块521用于在第一工作模式下工作,第一地址译码模块521所采用的译码方式为低比特译码;
第二地址译码模块522用于在第二工作模式下工作,第二地址译码模块522所采用的译码方式为高比特译码。
由于低比特译码所采用的交织颗粒度小于高比特译码所采用的交织颗粒度,因此第一工作模式下的数据读写的性能优于第二工作模式下的数据读写的性能,相对应的,第一工作模式下的数据读写的功耗高于第二工作模式下的数据读写的性能。在一些实施例中,该第一工作模式可以被称为性能模式,第二工作模式则可以被称为功耗模式。
由于不同应用场景对数据读写性能和功耗需求不同,因此通过设置两种工作模式,地址译码器能够在不同的应用场景下,动态切换工作模式,以满足不同场景对数据读写性能以及功耗的需求。
比如,在对性能需求较高的场景下(例如并行运行多个应用程序时),地址译码器可以被设置为第一工作模式(采用低比特译码),优先保证该场景下的数据读写性能;而在对功耗要求较高的场景下(例如应用后台运行时),地址译码器可以被设置为第二工作模式(采用高比特译码),降低该场景下数据读写过程所带来的功耗。
在一个示意性的例子中,高比特译码所采用的交织颗粒度为10MB,而低比特译码所采用的交织颗粒度为2MB;或者,高比特译码所采用的交织颗粒度为1GB,而低比特译码所采用的交织颗粒度为100MB,本申请实施例并不对高低比特译码所采用的具体交织颗粒度进行限定。
进一步的,第一工作模式下,为了避免部分内存通道的读写操作过分频繁,而其他内存通道过分空闲,影响整体数据读写性能,在一种可能的设计中,第一地址译码模块中设置有哈希函数(hashfunction),从而在进行内存通道划分时,利用哈希函数对N个内存通道进行负载均衡,进而提高整体数据读写性能。
在一个示意性的例子中,该哈希函数可以表示为:hash_chsel=^(addr_s[32:6]&hash_mask[26:0]),其中,^表示按位异或操作,addr_s[32:6]表示选择第6至32位的地址比特,hash mask则用于对选取的地址比特进行掩码。当hash_chsel=0时,确定内存通道为内存通道1,当hash_chsel=1时,确定内存通道为内存通道2(具有两条内存通道的情况)。
需要说明的是,上述哈希函数仅用于示意性说明,第一地址译码模块还可以应用其他用于实现内存通道间负载均衡的哈希函数,本申请实施例并不对此进行限定。
上述实施例中,第一工作模式和第二工作模式下,不同通道分路器对应的内存通道均采用相同的交织颗粒度。在另一种可能的设计中,地址译码器除了支持第一工作模式和第二工作模式外,还支持第三工作模式,且第三工作模式下,不同通道分路器对应的内存通道可以采用不同的交织颗粒度。
在一种可能的设计中,地址译码器中还设置有第三地址译码模块,第三地址译码模块用于在第三工作模式下工作,且第三地址译码模块所采用的译码方式包括低比特译码和高比特译码,从而实现读写性能与功耗之间的兼顾。
在一种可能的设计中,为了同时支持低比特译码和高比特译码,需要对内存地址进行划分,并在不同的内存地址范围内采用不同的译码方式。
可选的,内存地址的划分方式为至少一种。
当支持一种内存地址划分方式时,第三工作模式下,第三地址译码模块即在第一内存地址范围内进行低比特译码,在第二内存地址范围内进行高比特译码。
比如,对于32GB内存,0至16GB内存地址范围采用低比特译码,16GB至32GB内存地址范围采用高比特译码。
当支持至少两种内存地址划分方式时,如图6所示,地址译码器600中还设置有第二寄存器612,第二寄存器612中存储的数据用于指示第三工作模式下不同译码方式对应的内存地址范围。其中,第二寄存器中存储的数据仅在第一寄存器中存储的数据指示当前为第三工作模式时有效。
在一种可能的实施方式中,在接收到上游主设备的模式设置指令时,且模式设置指令指示第三工作模式时,第一寄存器中写入第三工作模式对应的数据,第二寄存器中写入模式设置指令所指示内存地址范围对应的数据。
需要说明的是,低比特译码对应的内存地址范围越大,数据读写的性能越好,但功耗越高,反之,高比特译码对应的内存地址范围越大,数据读写的功耗越低,但性能越差。
在一个示意性的例子中,当第三工作模式支持4种内存地址划分方式,且内存为32GB时,第二寄存器中存储的数据包括00(指示8GB低比特译码+12GB×2高比特译码)、01(指示16GB低比特译码+8GB×2高比特译码)、10(指示24GB低比特译码+4GB×2高比特译码)以及11(指示24GB低比特译码+8GB高比特译码)。
在另一个示意性的例子中,当第三工作模式支持3种内存地址划分方式,且内存为24GB时,第二寄存器中存储的数据包括00(指示6GB低比特译码+9GB×2高比特译码)、01(指示12GB低比特译码+6GB×2高比特译码)以及10(指示18GB低比特译码+3GB×2高比特译码)。
在另一个示意性的例子中,当第三工作模式支持3种内存地址划分方式,且内存为16GB时,第二寄存器中存储的数据包括00(指示4GB低比特译码+6GB×2高比特译码)、01(指示8GB低比特译码+4GB×2高比特译码)以及10(指示12GB低比特译码+2GB×2高比特译码)。
在另一个示意性的例子中,当第三工作模式支持3种内存地址划分方式,且内存为12GB时,第二寄存器中存储的数据包括00(指示3GB低比特译码+4.5GB×2高比特译码)、01(指示6GB低比特译码+3GB×2高比特译码)以及10(指示9GB低比特译码+1.5GB×2高比特译码)。
需要说明的是,上述示例仅用于示意性说明内存地址范围的划分方式,但并不对此构成限定。
地址译码过程中,地址译码器进行译码过程中,读取第一寄存器中的数据,若该数据指示第三工作模式时,进一步读取第二寄存器中的数据,从而基于该数据指示的内存地址范围,采用对应的译码方式进行地址译码。
与第一工作模式类似的,为了避免部分内存通道的读写操作过分频繁,而其他内存通道过分空闲(特指采用低比特译码的内存通道),影响整体数据读写性能,在一种可能的设计中,第三地址译码模块中设置有哈希函数,从而在进行内存通道划分时,利用哈希函数在低比特译码过程中对N个内存通道进行负载均衡,进而提高整体数据读写性能。
需要说明的是,上述实施例仅以三种工作模式为例进行示意性说明,在其他可能的实施方式中,地址译码器可以支持三种以上工作模式,本实施例并不对此构成限定。
本实施例中,通过在通道分路器中设置支持至少两种工作模式的地址译码器,使通道分路器可以选择在不同工作模式下,通过不同的译码方式进行内存地址译码,以此满足不同场景对性能以及功耗的需求。
关于位宽转换组件所采用的结构,在一种可能的实施方式中,该位宽转换组件采用CAM(Content Addressable Memory,内容可寻址存储器)结构,即借助寄存器阵列(registerarray)实现位宽转换功能。
在缓冲深度较小的情况下,采用CAM结构的位宽转换组件的位宽转换速度较快。然而,随着缓冲深度的不断增加,当缓冲深度达到一定阈值时(比如128或256),寄存器阵列需要额外的周期(cycle)才能完成位宽转换。
为了降低位宽转换延迟,在另一种可能的实施方式中,该位宽转换组件采用RAM(Random Access Memory,随机存储存储器)结构,即借助SRAM(Static Random-AccessMemory,静态随机存储存储器)实现位宽转换功能。由于SRAM并不受限于深度问题,因此在缓冲深度较大的情况下,采用RAM结构的位宽转换组件相较于采用CAM结构的位宽转换组件具有更低的延迟(理论上可以节省一个周期)。
关于位宽转换组件的结构选择,在一些实施例中,对于低性能平台(缓冲深度较小),可以采用CAM结构的位宽转换组件;对于高性能平台(缓冲深度较大),可以采用RAM结构的位宽转换组件。
当然,在其他可能的实施例中,对于性能可变的平台(即同时支持高性能和低性能模式),可以设置采用CAM结构和RAM结构的两个位宽转换组件,并在低性能模式下使用CAM结构的位宽转换组件,在高性能模式下使用RAM结构的位宽转换组件,本申请实施例对此不作限定。
相关技术中,在读数据过程中,控制器需要对读取到的数据进行数据重排(dataordering),因此控制器内部需要设置数据重排模块。而本申请实施例中,由于增加了通道分路器,且在通道分路器处需要进行数据重排,以保证数据时序的准确性,因此为了避免控制器执行不必要的数据重排,影响读数据性能并在成片上面积浪费,在一种可能的设计中,将位宽转换组件与控制器中读数据通路的数据重排合并,即在位宽转换组件中设置数据重排模块,而不再控制器中设置数据重排模块。读数据过程中,读取到的数据对于控制器透明,控制器将读取到的数据传输至位宽转换组件后,由位宽转换组件中的数据重排模块进行数据重排,并进一步向上游传输重排后的数据。
本实施例中,由于无需在控制器中设置数据重排模块,因此能够节省片上面积,且控制器无需进行无效的数据重排,有助于降低读数据延迟,提高读数据性能。
关于通道分路器与其他组件之间的连接关系,在一种可能的设计中,如图7所示,通道分路器71的地址译码器711通过主总线73与主设备72相连,N个位宽转换组件712与N个控制器74相连。
其中,主设备72是在运行过程中具有数据读写需求的设备。主设备可以包括但不限于中央处理器(Central Processing Unit,CPU)、图像处理器(Graphics ProcessingUnit,GPU)、神经网络处理器(Neural-network Processing Unit,NPU)、数字信号处理器(Digital Signal Processor,DSP)等处理器,以及图像传感器(Image Sensor)、图像信号处理单元(Image Signal Processing Unit,ISP)、视频处理单元(Video ProcessingUnit,VPU)等非处理器。本申请实施例并不对主设备的具体类型进行限定。
此外,主设备72可以是有数据读和写的需求的主设备,如处理器,也可能只有读或者写的需求,如图像传感器。主设备是否同时具有读和写的需求不构成对本申请的限定。
在一些实施例中,主总线73可以实现成为系统缓存(System Cache,SC)总线。
在一些实施例中,控制器74可以实现成为动态存储控制器(Dynamic MemoryController,DMC)。N个控制器74对应N条内存通道,即不同控制器74用于控制通过不同内存通道进行数据读写操作。
在一些实施例中,控制器74通过对应的物理层接口(PHY)与存储器相连,实现对存储器的数据读写操作。
在一种可能的设计中,该通道分路器设置在用于连接主设备和存储器的从总线中,以实现主设备对存储器中数据多内存通道访问。其中,从总线可以实现成为双倍速率(Double Data Rate,DDR)总线;数据访问过程中,主设备作为Master,而存储器作为Slave。
从总线与主总线73之间通过n条链路相连。在一些实施例中,各个主设备72与主总线73之间通过n条链路相连,主总线73则通过对不同主设备72对应的链路进行交织,从而与从总线建立n条链路。其中,与从总线间建立的链路的数量与从总线中设置的通道分路器的数量相关。
在一种可能的实现方式中,主设备72与主总线73之间的链路,以及主总线73与从总线之间的链路采用相同的总线协议。比如,该链路均采用先进可扩展接口(AdvancedeXtensible Interface,AXI)总线协议。本申请实施例并不对链路所采用的具体总线协议进行限定。
除了在主总线下游(即将通道分路器设置在主总线与控制器之间)实现分路这一方式外,在另一种可能的实现方式中,可以通过增加主设备与主总线之间链路的数量(即在主设备侧进行分路),来增加内存通道的数量。比如,将主设备与主总线之间链路的数量由n提升至m,并将控制器的数量由n提升至m后,同样可以提升内存通道数量。
在还一种可能的实现方式中,可以通过在主总线处实现分路,来增加内存通道的数量。比如,在主设备与主总线之间建立n条链路的情况下,主总线通过分路与m个控制器建立m条链路,实现内容通道数量由n提升至m。
然而,在主设备侧还是在主总线处进行分路,因为分路过早,其硬件实现复杂度均高于在主总线下游处进行分路。且在主总线下游处实现分路,能够降低对主设备以及主总线的影响,保证与已有主设备以及总线的适配性,提高兼容性。
此外,相较于在主设备或主总线侧实现分路,在主总线下游处实现分路能够节省片上系统的面积,且在实现系统时序时更加简单;同时有助于降低功耗,并降低后续进行功耗优化的实现复杂度。
本申请实施例中,相较于在主设备或主总线侧实现分路,通过在主总线下游实现通道分路,不仅能够降低对上游的主设备以及主总线的影响,保证方案的适配性,还能够节省片上系统的面积,且在实现系统时序时更加简单。此外,采用在在存储控制装置处实现分路的方案,有助于降低功耗,并降低后续进行功耗优化的实现复杂度。
为了保证数据读写过程中数据的安全性,片上系统中通常会设置安全总线(Security BUS,SBUS)。关于上述通道分路器的设置位置,在一种可能的设计中,该通道分路器可以位于安全总线的外部,或者,通道分路器位于安全总线的内部。下面通过示例性实施例对这两种设置位置分别进行说明。
在通道分路器设置在安全总线外部的情况下,如图8所示,安全总线810包括第一接口811和第二接口812。通道分路器800的输出接口与安全总线810的第一接口811相连,且安全总线810的第二接口812与控制器830相连,即通道分路器向下输出的数据,以及控制器向上输出的数据均需要经过安全总线。
具体的,图8中的通道分路器800对应N条安全总线810,且通道分路器包括分路组件801以及N个位宽转换组件802,各个位宽转换组件802与对应安全总线810的第一接口811相连。
数据写入过程中,具有安全属性的数据的流向为:通道分路器的分路组件(AXI256)→通道分路器的位宽转换组件(AXI128)→安全总线的第一接口(AXI128)→安全总线的第二接口(AXI128)→控制器(AXI128)。
数据读取过程中,具有安全属性的数据的流向为:控制器→安全总线的第二接口→安全总线的第一接口→通道分路器的位宽转换组件→通道分路器的分路组件。
在图8中,箭头指向仅包含了有安全属性的数据的写入过程,而没有包含读取过程是为了图示简洁,而不是对本申请实施例的限定。
在通道分路器设置在安全总线内部的情况下,如图9所示,安全总线900包括通道分路器910和N个第三接口901。通道分路器910的N个输出接口与N个第三接口901相连,且第三接口901与控制器920相连。
具体的,图9中的通道分路器910包括分路组件911以及N个位宽转换组件912,各个位宽转换组件912与对应的第三接口901相连。
数据写入过程中,具有安全属性的数据的流向为:通道分路器的分路组件(AXI256)→通道分路器的位宽转换组件(AXI128)→安全总线的第三接口(AXI128)→控制器(AXI128)。
数据读取过程中,具有安全属性的数据的流向为:控制器→安全总线的第三接口→通道分路器的位宽转换组件→通道分路器的分路组件。
在图9中,箭头指向仅包含了有安全属性的数据的写入过程,而没有包含读取过程是为了图示简洁,而不是对本申请实施例的限定。
为了保证数据读写的安全性,部分数据写入存储器前需要经过加密,相应的,读取经过加密的数据时,需要对加密的数据进行解密。因此,在一种可能的设计中,安全总线还对应设置有加解密组件,从而通过加解密组件对数据进行加解密处理。在一些实施例中,该加解密组件可以实现成为DDR加密引擎(DDR Encryption Engine,DDRE)。
在一种可能的设计中,安全总线与加解密组件串行设置,数据读写过程中,数据传输与数据佳节串行执行。安全总线需要等待加解密组件完成数据加解密后,才能继续进行后续数据传输。
然而,采用上述串行传输方案时,待加解密数据会对无需加解密数据的传输造成阻塞,影响整体的数据读写速度。
在另一种可能的设计中,安全总线与加解密组件并行设置,使数据传输与数据加解密支持并行执行。下面以安全总线与加解密组件并行设置为例进行说明。
在通道分路器设置在安全总线内部的情况下,在图9的基础上,如图10所示,安全总线900对应设置有加解密组件930,且安全总线900除了包括第三接口901外,还包括第四接口902和第五接口903。其中,通道分路器910的输出接口与安全总线900的第三接口901和第四接口902相连,安全总线900的第三接口901与控制器920相连,第四接口902通过加解密组件930与第五接口903相连,且第五接口903与第三接口901相连。
数据加密过程中,对于需要进行加密的数据,位宽转换组件912将该数据传输至第四接口902,安全总线900即通过第四接口902向加解密组件930输入数据。加解密组件930完成数据加密后,向第五接口903输出加密后的数据。对应的,安全总线900通过第五接口903接收加解密组件930输出的加密后的数据,并通过第三接口901向控制器920输出加密后的数据。
对于无需进行加密的数据,位宽转换组件912将该数据传输至第三接口901,并不会因数据加密过程造成阻塞。
数据解密过程中,对于需要进行解密的数据,安全总线900通过第三接口901接收到控制器920传输的数据后,通过第四接口902向第五接口903发送数据,进而通过第五接口903向加解密组件930传输数据。加解密组件930完成数据解密后,向第四接口902输出解密后的数据。对应的,安全总线900通过第四接口902接收加解密组件930输出的解密后的数据,并向位宽转换组件912传输解密后的数据。
对于无需进行加密的数据,安全总线900直接通过第三接口901将该数据传输至位宽转换组件912,并不会因数据解密过程造成阻塞。
在一些实施例中,可以仅设置加密组件,或者,仅设置解密组件,或者,同时加密组件和解密组件。
在一种可能的设计中,加密组件和解密组件可以为两个独立的组件,也可以是一体化的组件,即通过单个加解密组件实现加密和解密功能。
在图9中,箭头指向仅包含了有安全属性的数据的写入过程,而没有包含读取过程是为了图示简洁,而不是对本申请实施例的限定。
在通道分路器设置在安全总线外部的情况下,在图8的基础上,如图11所示,安全总线810对应设置有加解密组件840,且安全总线810除了包括第一接口811和第二接口812外,还包括第六接口813和第七接口814。
数据加密过程中,对于需要进行加密的数据,位宽转换组件802将该数据传输至第一接口811,安全总线810即通过第六接口813向加解密组件840输入数据。加解密组件840完成数据加密后,向第七接口814输出加密后的数据。对应的,安全总线800通过第七接口814接收加解密组件840输出的加密后的数据,并通过第二接口812向控制器830输出加密后的数据。
对于无需进行加密的数据,安全总线810直接通过第二接口812将该数据传输控制器830,并不会因数据加密过程造成阻塞。
数据解密过程中,对于需要进行解密的数据,安全总线810通过第二接口812接收到控制器830传输的数据后,通过第二接口812向第七接口814发送数据,进而通过第七接口814向加解密组件840传输数据。加解密组件840完成数据解密后,向第六接口813输出解密后的数据。对应的,安全总线810通过第六接口813接收加解密组件840输出的解密后的数据,并向第一接口811传输解密后的数据,最终通过第一接口811向位宽转换组件802输出数据。
对于无需进行加密的数据,安全总线810直接通过第一接口811将该数据传输至位宽转换组件802,并不会因数据解密过程造成阻塞。
本实施例中,在设置有加解密组件的情况下,通过在安全总线上额外设置两个接口,并通过这两个接口连接加解密组件,使数据加解密过程与数据传输过程能够并行执行,避免加解密组件对数据进行加解密操作时阻塞数据传输通路,从而提高数据的读写带宽。
如图12所示,其示出了本申请一个示例性实施例示出的存储控制装置的结构示意图。该存储控制装置1200包括:至少一个通道分路器1210以及控制器1220。
其中,存储控制装置1200通过主总线1230与主设备相连,且存储控制装置1200通过物理层接口1240(可以被视为存储控制装置的一部分)与存储器相连。存储控制装置1200中通道分路器1210的结构可以参考上述各个实施例,本实施例在此不作赘述。
在一种可能的设计中,存储控制装置1200包括从总线,而通道分路器则设置在从总线中。此外,从总线中还可以设置有安全总线,本实施例对此不作赘述。
本实施例中,主总线1230与存储控制装置1200之间的链路在存储控制装置1200出分路,以此增加内存通道的数量。其中,内存通道的数量与通道分路器的结构以及数量相关。
在一种可能的设计中,如图13所示,存储控制装置1300中设置有双通道分路1310和控制器1320(对应设置有物理层接口1340),双通道分路器1310用于将内存地址划分至2个内存通道。在主总线1330与存储控制装置1300之间建立有4条链路(AXI位宽为256bits),且存储控制装置1300中设置有4个双通道分路器1310的情况下,存储控制装置1300与8个物理层接口1240相连,内存通道由4条提升至8条(AXI位宽为128bits)。
在另一种可能的设计中,存储控制装置中设置的通道分路器为三通道分路,三通道分路器用于将内存地址划分至3个内存通道。在主总线与存储控制装置之间建立有4条链路(AXI位宽为256bits),且存储控制装置中设置有4个三通道分路器的情况下,存储控制装置与12个物理层接口相连,内存通道由4条提升至12条(AXI位宽为128bits)。
在还一种可能的设计中,通道分路器为双通道分路器,在主总线与存储控制装置之间建立有4条链路(AXI位宽为256bits),且存储控制装置中设置有2个双通道分路器的情况下,存储控制装置与6个物理层接口相连,内存通道由4条提升至6条(AXI位宽为128bits)。
需要说明的是,上述实施例仅作为示例性说明,并不对存储控制装置中通道分路器的分路数量以及设置数量构成限定。
本申请实施例提供的存储控制装置可以被应用于移动终端中,以提高移动终端的性能。其中,该移动终端可以是智能手机、平板电脑、可穿戴式设备等等。
在一种可能的应用场景下,将本申请实施例提供的存储控制装置应用于具有图像拍摄功能的移动终端后,内存的数据读写带宽能够满足高速摄影、美颜算法、AI算法的需求,从而提升移动终端的拍摄质量,用户体验,以及整体性能。
在另一种可能的应用场景下,将本申请实施例提供的存储控制装置应用于折叠屏终端后,内存的数据读写带宽能够满足多个应用程序同时前台运行的需求,有助于提高折叠屏终端对并发应用场景的支持。
如图14所示,其示出了本申请一个示例性实施例示出的片上系统(SystemonChip,SoC)的结构示意图。该片上系统1400包括:主设备1401、主总线1402以及存储控制装置1403。
主设备1401通过主总线1402与存储控制装置1403相连,存储控制装置1403通过物理层接口14033与存储器相连。在一些实施例中,该存储器为动态随机存取存储器(DynamicRandom Access Memory,DRAM)。
主设备1401是具有数据读写需求的处理器或者非处理器。图14中以处理器包括CPU、GPU和NPU,非处理器包括图像传感器与VPU为例进行示意性说明,但并不对此构成限定。
其中,处理器利用各种接口和线路连接整个终端内的各个部分,通过运行或执行存储在存储器内的指令、程序、代码集或指令集,以及调用存储在存储器内的数据,执行终端的各种功能和处理数据。
在一些实施例中,处理器可以采用数字信号处理(Digital Signal Processing,DSP)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)、可编程逻辑阵列(Programmable Logic Array,PLA)中的至少一种硬件形式来实现。
处理器可集成CPU、GPU、NPU和基带芯片等中的一种或几种的组合。其中,CPU主要处理操作系统、用户界面和应用程序等;GPU用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制;NPU用于实现AI功能;基带芯片用于处理无线通信。
在一些实施例中,主设备1401与主总线1402之间建立有采用AXI协议的链路。比如,各个主设备1401与主总线1402之间建立有4条位宽为256bits的AXI链路。
在一些实施例中,存储控制装置1403包括从总线至少一个通道分路器14031、控制器14032以及各个控制器14032对应的物理层(PHY)接口14033。
在一些实施例中,通道分路器14031与控制器14032之间建立有采用AXI协议的链路。比如,通道分路器14031与控制器14032之间建立有N条位宽为128bits的AXI链路。
存储控制装置1403的具体结构可以参考上述实施例示出的存储控制装置,本实施例在此不再赘述。
图14以片上系统中不包含存储器(即存储器设置在片上系统外部)为例进行说明,在其他可能的设计中,如图15所示,存储器1404可以集成在片上系统1400上,即设置在片上系统内部。
在一些实施例中,本申请实施例还提供了一种终端,该终端设置有图14或图15所示的片上系统。需要说明的是,除了片上系统外,终端还可以包括其它必要组件,比如只读存储器(Read-Only Memory,ROM)、显示组件、输入单元、音频电路、扬声器、麦克风、电源等部件,本实施例在此不作赘述。
以上所述仅为本申请的可选实施例,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种通道分路器,其特征在于,所述通道分路器包括:分路组件和N个位宽转换组件,N大于或等于2;
所述分路组件用于将内存地址划分至N条内存通道;
所述位宽转换组件用于对所述分路组件输入的数据进行位宽转换;
所述分路组件中包括地址译码器,所述地址译码器用于进行内存地址译码,所述地址译码器支持至少两种工作模式,且不同工作模式下所述地址译码器所采用的译码方式不同。
2.根据权利要求1所述的通道分路器,其特征在于,所述地址译码器中设置有第一寄存器以及至少两个地址译码模块,所述第一寄存器中存储的数据用于指示所述工作模式,且不同地址译码模块用于在不同工作模式下工作。
3.根据权利要求2所述的通道分路器,其特征在于,至少两个所述地址译码模块包括第一地址译码模块和第二地址译码模块;
所述第一地址译码模块用于在第一工作模式下工作,所述第一地址译码模块所采用的译码方式为低比特译码;
所述第二地址译码模块用于在第二工作模式下工作,所述第二地址译码模块所采用的译码方式为高比特译码;
其中,低比特译码所采用的交织颗粒度小于高比特译码所采用的交织颗粒度。
4.根据权利要求3所述的通道分路器,其特征在于,所述第一地址译码模块还设置有哈希函数,所述哈希函数用于对N个所述内存通道进行负载均衡。
5.根据权利要求3所述的通道分路器,其特征在于,至少两个所述地址译码模块还包括第三地址译码模块;
所述第三地址译码模块用于在第三工作模式下工作,所述第三地址译码模块所采用的译码方式包括低比特译码和高比特译码。
6.根据权利要求5所述的通道分路器,其特征在于,所述地址译码器中还设置有第二寄存器,所述第二寄存器中存储的数据用于指示所述第三工作模式下不同译码方式对应的内存地址范围。
7.根据权利要求5所述的通道分路器,其特征在于,所述第三地址译码模块还设置有哈希函数,所述哈希函数用于在低比特译码过程中对N个所述内存通道进行负载均衡。
8.根据权利要求1至7任一所述的通道分路器,其特征在于,所述位宽转换组件采用随机存取存储器结构。
9.根据权利要求1至7任一所述的通道分路器,其特征在于,
所述通道分路器的输入接口与主设备之间通过主总线相连,所述主设备是具有数据读写需求的设备;
所述通道分路器的N个输出接口与N个控制器相连,N个所述控制器对应N条内存通道。
10.一种存储控制装置,其特征在于,所述存储控制装置包括:至少一个如权利要求1至9任一所述的通道分路器以及控制器;
所述存储控制装置通过主总线与主设备相连,且所述存储控制装置通过物理层接口与存储器相连。
11.一种片上系统,其特征在于,所述片上系统包括:主设备以及如权利要求10所述的存储控制装置;
所述主设备通过主总线与所述存储控制装置相连;
所述存储控制装置通过物理层接口与存储器相连。
12.根据权利要求11所述的片上系统,其特征在于,所述存储器设置在所述片上系统的内部,或者,所述存储器设置在所述片上系统的外部。
13.一种终端,其特征在于,所述终端中设置有如权利要求11或12所述的片上系统。
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