CN117270315A - 一种掩模版图形的矫正方法、系统及计算机介质 - Google Patents
一种掩模版图形的矫正方法、系统及计算机介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117270315A CN117270315A CN202311234485.6A CN202311234485A CN117270315A CN 117270315 A CN117270315 A CN 117270315A CN 202311234485 A CN202311234485 A CN 202311234485A CN 117270315 A CN117270315 A CN 117270315A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sampling points
- units
- pattern
- mask
- corresponding relation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 94
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 14
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 abstract 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011077 uniformity evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本发明涉及光刻仿真技术领域，特别涉及一种掩模版图形的矫正方法、系统及计算机介质，本发明的掩模版图形的矫正方法包括以下步骤：提供一待矫正的掩模版，掩模版上有若干个周期性重复的单元；选取多个单元作为采样点并收集所述采样点的关键尺寸，以采样点为中心，计算多个采样点临近范围内的图形密度；根据采样点的关键尺寸及多个采样点临近范围内的图形密度，通过拟合得到关键尺寸与多个采样点临近范围内的图形密度之间的对应关系；根据对应关系预测其他单元的关键尺寸后进行补偿。本发明提供的掩模版图形的矫正方法解决由于图形密度而导致的图形关键尺寸一致性问题，提高了掩模版的优化效果。
Description
【技术领域】
本发明涉及光刻仿真技术领域，其特别涉及一种掩模版图形的矫正方法、系统及计算机介质。
【背景技术】
在掩模版的制作过程中产生的一致性评估，其被称为MCDUP(mask criticaldimension uniformity performance)，而在光刻工艺中的一致性评估，被称为WCDUP(wafer critical dimension uniformity performance)。
而关键尺寸一致性问题的来源可能是多种的，在晶圆光刻工艺中，可能会存在光学耀斑问题，同时也会存在刻蚀的负载效应的问题，这些影响因素都会影响到关键尺寸的一致性，导致在周围存在不同的掩模版图形密度时，使得显影后的关键尺寸或者刻蚀后的关键尺寸的一致性存在问题。
传统的光刻模型的可视范围在几微米的范围，在这样的可视范围内，不同阵列的周围环境是一致的，因此对于光刻模型来说，是无法检测到array-level甚至chip-level的密度偏差的。根据关键尺寸一致性问题的原因，以及实际采集的关键尺寸数据来分析，导致关键尺寸一致性较差的不同临近环境密度的范围，都是以um到mm为单位的。也就是说，阵列附近几um到几mm范围内，如果图形密度不一致，是会出现阵列单元的关键尺寸不同的，这种长程密度效应，是传统的光刻模型所无法评估的。
针对这种情况，针对芯片上的周期性重复单元，需要以单元为中心，计算以um或者mm为单位的图形密度，并以此来拟合密度与关键尺寸的关系，从而通过一些手段补偿这种长程的负载效应导致的关键尺寸不一致问题。
【发明内容】
为了解决掩模版长程范围内的图形密度导致的关键尺寸不一致的问题，本发明提供一种掩模版图形的矫正方法、系统及计算机介质。
本发明为解决上述技术问题，提供如下的技术方案：一种掩模版图形的矫正方法，包括以下步骤：
S1:提供一待矫正的掩模版，所述掩模版上形成有若干个周期性重复的单元；
S2:选取多个所述单元作为采样点并收集所述采样点的关键尺寸，以所述采样点为中心，计算多个所述采样点临近范围内的图形密度；
S3:根据所述采样点的关键尺寸及多个所述采样点临近范围内的图形密度，通过拟合得到所述关键尺寸与多个所述采样点临近范围内的图形密度之间的对应关系；
S4:根据所述对应关系预测其他单元的关键尺寸后进行补偿。
优选地，所述采样点的选取位置位于所述掩模版边缘与中心的单元。
优选地，所述采样点临近范围内的所述图形密度选取三个，包括density1，density2和density3。
优选地，定义所述关键尺寸为cd，所述对应关系的公式为：
优选地，定义需要计算的参数包括a，b，c，d，e，f，g，所述对应关系的公式为：
。
优选地，所述掩模版上的其他单元进行关键尺寸补偿时在所述其他单元的临近范围选取三个图形密度，通过所述对应关系的公式计算出所述其他单元的关键尺寸，从而根据关键尺寸偏差进行补偿。
优选地，所述单元为多边形单元，在所述掩模版上以阵列方式排布。
本发明为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：
一种掩模版图形的矫正系统，用于实现上文所述的掩模版图形的矫正方法，所述掩模版图形的矫正系统包括：
息获取模块：通过选取掩模版上多个单元作为采样点，用于获取多个采样点的图形关键尺寸；
图形密度计算模块：用于计算多个所述采样点的临近范围的图形密度；
拟合模块：根据所述采样点的关键尺寸及多个所述采样点临近范围内的图形密度，拟合得到所述关键尺寸与多个所述采样点临近范围内的图形密度之间的对应关系；
关键尺寸预测模块：根据所述对应关系预测其他单元的关键尺寸，输出预测结果；
重构模块：根据所述预测结果进行补偿。
本发明为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：
一种计算机介质，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现上文所述的掩模版图形的矫正方法。
与现有技术相比，本发明所提供的一种掩模版图形的矫正方法、系统及计算机介质，具有如下的有益效果：
1.本发明的掩模版图形的矫正方法通过选取掩模版上多个单元作为采样点并且收集其关键尺寸，进一步计算采样点临近范围内的多个图形密度，从而对关键尺寸与图形密度的拟合，得到关键尺寸与图形密度的对应关系，再将关键尺寸与图形密度的对应关系应用于掩模版上的其他单元，预测新的关键尺寸，从而得到关键尺寸的偏差，通过获取的关键尺寸的偏差对掩模版上的其他单元的关键尺寸进行补偿，对掩模版上由于密度而导致的关键尺寸偏差进行矫正，有效地弥补和解决在长程密度环境下关键尺寸不一致的问题。
2.本发明采样点的选取位置位于掩模版的边缘和中心的单元，由于实际芯片数据显示，掩模版的边缘和中心的单元会存在关键尺寸不同的现象，采样点选取位置位于掩模版的边缘和中心的单元，通过拟合得到关键尺寸与图形密度的对应关系更准确，从而使得到的关键尺寸偏差更准确，更有效地对掩模版上的其他单元的关键尺寸偏差作进一步的补偿。
3.本发明采样点的临近范围内选取三个图形密度，通过采样点临近范围的三个图形密度与其采样点的关键尺寸的拟合，得到对应关系公式所需要的参数具体数值，从而得到图形密度与关键尺寸的对应关系公式，继而获取掩模版上的其他单元临近范围的密度density1，density2和density3，利用所拟合的对应关系公式，预测其他单元的关键尺寸，通过获取到的预测的关键尺寸与实际关键尺寸的误差对掩模版上其他单元的关键尺寸进行补偿，因此，多个采样点临近范围选取的图形密度仅需三个即可进行拟合得到图形密度与关键尺寸的对应关系，从而得到关键尺寸误差，操作过程更加简练，更快速有效地解决不同单元的关键尺寸不一致的问题。
4.本发明采样点的临近范围内选取的图形密度可以大于三个，当采样点临近范围内所选取的图形密度越多时，所拟合的图形密度与关键尺寸的对应关系的公式会更加精确，得到的关键尺寸也会更加准确，更有效地补偿关键尺寸偏差，解决不同单元关键尺寸不一致的问题。
5.本发明的掩模版上的所述单元为多边形单元，又以阵列的方式排布，更便于拆分获取，且拆分速度快，从而提高掩模版图形的矫正效率。
6.本发明实施例还提供一种掩模版图形的矫正系统，用于实现上文所述的掩模版图形的矫正方法，包括：
信息获取模块：通过选取掩模版上多个单元作为采样点，用于获取多个采样点的图形关键尺寸；
图形密度计算模块：用于计算多个所述采样点的临近范围的图形密度；
拟合模块：根据所述采样点的关键尺寸及多个所述采样点临近范围内的图形密度，拟合得到所述关键尺寸与多个所述采样点临近范围内的图形密度之间的对应关系；
关键尺寸预测模块：根据所述对应关系预测其他单元的关键尺寸，输出预测结果；
重构模块：根据所述预测结果进行补偿。
该掩模版图形的矫正系统能够有效地实施上文所述的掩模版图形的矫正方法，具有相同的有益效果，在此不做赘述。
7.本发明实施例还提供一种计算机介质，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行所述计算机程序时，实现掩模版图形的矫正，该掩模版图形的矫正方法具有与上文所述的掩模版图形的矫正方法相同的有益效果，在此不做赘述。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明第一实施例提供的一种掩模版图形的矫正方法的步骤流程图。
图2是本发明第一实施例提供的一种掩模版图形的示意图。
图3是本发明第一实施例提供的一种掩模版图形的矫正方法中选取采样点及其临近范围密度的示意图。
图4是本发明第二实施例提供的一种掩模版图形的矫正系统的示意图。
图5是本发明第三实施例提供的一种计算机介质的示意图。
附图标识说明：
1、掩模版中心单元；2、掩模版边缘单元；3、采样点；4、采样点临近范围；5、掩模版图形矫正系统；6、计算机介质；
51、信息获取模块；52、图形密度计算模块；53、拟合模块；54、关键尺寸预测模块；55、重构模块；61、存储器；62、处理器；63、计算机程序。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，本发明第一实施例提供一种掩模版图形的矫正方法，包括以下步骤：
S1:提供一待矫正的掩模版，所述掩模版上形成有若干个周期性重复的单元；
S2:选取多个所述单元作为采样点并收集所述采样点的关键尺寸，以所述采样点为中心，计算多个所述采样点临近范围内的图形密度；
S3:根据所述采样点的关键尺寸及多个所述采样点临近范围内的图形密度，通过拟合得到所述关键尺寸与多个所述采样点临近范围内的图形密度之间的对应关系；
S4:根据所述对应关系预测其他单元的关键尺寸后进行补偿。
本发明的掩模版图形的矫正方法通过选取掩模版上多个单元作为采样点并且收集其关键尺寸，进一步计算采样点临近范围内的多个图形密度，从而对关键尺寸与图形密度的拟合，得到关键尺寸与图形密度的对应关系，再将关键尺寸与图形密度的对应关系应用于掩模版上的其他单元，预测新的关键尺寸，从而得到关键尺寸的偏差，通过获取到的关键尺寸偏差对掩模版上的其他单元进行补偿，对掩模版上由于密度而导致的关键尺寸偏差进行矫正，有效地弥补和解决在长程密度环境下关键尺寸不一致的问题。
可选地，本发明提供的掩模版图形的矫正方法应用于不同的长程范围内，长程范围可以是几um到几mm范围内的。
进一步参阅图2，图2的左右两部分为存储芯片的掩模版，在本实施例中，两个掩模版之间的间隔为700um，掩模内为50um*60um的单元，掩模版内的单元之间是周期性重复排列的，所述单元为多边形单元，在所述掩模版上以阵列方式排布。由于实际芯片数据显示，掩模版中心单元1和掩模版边缘单元2会存在关键尺寸不一致的现象，因此，通过收集掩模版内多个单元的关键尺寸时，选取单元主要选取位置位于掩模版中心单元1和掩模版边缘单元2。
进一步地，参阅图3，以采样点3为中心，收集采样点3的关键尺寸的实际数据，并计算多个采样点临近范围4内的图形密度。
具体地，这样的采样点3在掩模版上可以有多个，掩模版图形的矫正方法是通过选取多个单元作为采样点，从而收集选取多个单元的关键尺寸并计算其临近范围内的图形密度，对关键尺寸与图形密度的对应关系公式进行拟合的。
可选地，本申请掩模版图形的矫正方法所拟合的关键尺寸与图形密度的对应关系公式是以多个临近范围的密度作为自变量的，而不局限于固定的公式，可以通过多种方式进行拟合，比如拟合的对应关系公式可以用高斯函数进行拟合。
可选地，采样点临近范围4内的图形密度可选择计算多个，采样点临近范围4内的图形密度选取得越多，所拟合的图形密度与关键尺寸的对应关系公式会更加精确，得到的关键尺寸也会更加准确，更有效地补偿关键尺寸偏差，解决不同单元关键尺寸不一致的问题。
而在本实施例中，在采样点临近范围4内选取计算了三个图形密度，包括density1，density2和density3，定义所述关键尺寸为cd，那么对应关系的公式为：
更具体地，定义需要计算的参数包括a，b，c，d，e，f，g，则所述对应关系的公式为：
通过上述对应关系公式拟合得到a，b，c，d，e，f，g的具体数值，得到关键尺寸与图形密度拟合后的对应关系公式。
可以理解地，上述对应关系的公式不唯一。
进一步地，以掩模版的其他单元为中心，计算其他单元在临近范围内的多个图形密度，得到每个单元的density1，density2和density3，并通过关键尺寸与图形密度拟合后的对应关系的公式预测得到其他单元的关键尺寸。
更进一步地，跟据不同单元的关键尺寸偏差对每个单元的关键尺寸进行补偿，并应用于全尺寸芯片，有效地解决了不同单元的关键尺寸不一致问题。
因此，多个采样点临近范围4选取的图形密度仅需三个即可进行拟合得到图形密度与关键尺寸的对应关系，从而得到关键尺寸误差，使得掩模版能够对其他单元的关键尺寸进行补偿，整个方案实施过程更加简练，更快速有效地解决不同单元的关键尺寸不一致的问题，从而提高掩模版图形的矫正效率。
请参阅图4，本发明第二实施例还提供了一种掩模版图形的矫正系统5，用于实现上文所述的掩模版图形的矫正方法，掩模版图形的矫正系统5包括：
信息获取模块51：通过选取掩模版上多个单元作为采样点，用于获取多个采样点的图形关键尺寸；
图形密度计算模块52：用于计算多个所述采样点的临近范围的图形密度；
拟合模块53：根据所述采样点的关键尺寸及多个所述采样点临近范围内的图形密度，拟合得到所述关键尺寸与多个所述采样点临近范围内的图形密度之间的对应关系；
关键尺寸预测模块54：根据所述对应关系预测其他单元的关键尺寸，输出预测结果；
重构模块55：根据所述预测结果对关键尺寸进行补偿。
掩模版图形的矫正系统5具有与上文所述掩模版图形的矫正方法相同的有益效果，在此不做赘述
请参阅图5，本发明第三实施例还提供了一种计算机介质6，包括存储器61、处理器62以及存储在存储器61上并可在处理器62上运行的计算机程序63，该计算机程序63被执行时实现上文所述的掩模版图形的矫正方法，因此本发明的计算机介质具有与上文所述掩模版图形的矫正方法相同的有益效果，在此不做赘述。
可以理解地，根据本发明公开的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序，可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本申请的操作的计算机程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言诸如Java、Smalltalk、C++，还包括常规的过程式程序设计语言诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务端上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络包括局域网(LAN)或广域网(WAN)连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
在本发明所提供的实施例中，应理解，“与A对应的B”表示B与A相关联，根据A可以确定B。但还应理解，根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B，还可以根据A和/或其他信息确定B。
应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定特征、结构或特性可以以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于可选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
在本发明的各种实施例中，应理解，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的必然先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
在本发明的附图中的流程图和框图，图示了按照本申请各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，该模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方案中，方框中所标注的功能也可以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，在此基于涉及的功能而确定。需要特别注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
与现有技术相比，本发明所提供给的一种掩模版图形的矫正方法、系统及计算机介质具有如下的有益效果：
1.本发明的掩模版图形的矫正方法通过选取掩模版上多个单元作为采样点并且收集其关键尺寸，进一步计算采样点临近范围内的多个图形密度，从而对关键尺寸与图形密度的拟合，得到关键尺寸与图形密度的对应关系，再将关键尺寸与图形密度的对应关系应用于掩模版上的其他单元，预测新的关键尺寸，从而得到关键尺寸的偏差，通过获取的关键尺寸的偏差对掩模版上的其他单元的关键尺寸进行补偿，对掩模版上由于密度而导致的关键尺寸偏差进行矫正，有效地弥补和解决在长程密度环境下关键尺寸不一致的问题。
2.本发明采样点的选取位置位于掩模版的边缘和中心的单元，由于实际芯片数据显示，掩模版的边缘和中心的单元会存在关键尺寸不同的现象，采样点选取位置位于掩模版的边缘和中心的单元，通过拟合得到关键尺寸与图形密度的对应关系更准确，从而使得到的关键尺寸偏差更准确，更有效地对掩模版上的其他单元的关键尺寸偏差作进一步的补偿。
3.本发明采样点的临近范围内选取三个图形密度，通过采样点临近范围的三个图形密度与其采样点的关键尺寸的拟合，得到对应关系公式所需要的参数具体数值，从而得到图形密度与关键尺寸的对应关系公式，继而获取掩模版上的其他单元临近范围的密度density1，density2和density3，利用所拟合的对应关系公式，预测其他单元的关键尺寸，通过获取到的预测的关键尺寸与实际关键尺寸的误差对掩模版上其他单元的关键尺寸进行补偿，因此，多个采样点临近范围选取的图形密度仅需三个即可进行拟合得到图形密度与关键尺寸的对应关系，从而得到关键尺寸误差，操作过程更加简练，更快速有效地解决不同单元的关键尺寸不一致的问题。
4.本发明采样点的临近范围内选取的图形密度可以大于三个，当采样点临近范围内所选取的图形密度越多时，所拟合的图形密度与关键尺寸的对应关系的公式会更加精确，得到的关键尺寸也会更加准确，更有效地补偿关键尺寸偏差，解决不同单元关键尺寸不一致的问题。
5.本发明的掩模版上的所述单元为多边形单元，又以阵列的方式排布，更便于拆分获取，且拆分速度快，从而提高掩模版图形的矫正效率。
6.本发明实施例还提供一种掩模版图形的矫正系统，用于实现上文所述的掩模版图形的矫正方法，包括：
信息获取模块：通过选取掩模版上多个单元作为采样点，用于获取多个采样点的图形关键尺寸；
图形密度计算模块：用于计算多个所述采样点的临近范围的图形密度；
拟合模块：根据所述采样点的关键尺寸及多个所述采样点临近范围内的图形密度，拟合得到所述关键尺寸与多个所述采样点临近范围内的图形密度之间的对应关系；
关键尺寸预测模块：根据所述对应关系预测其他单元的关键尺寸，输出预测结果；
重构模块：根据所述预测结果进行补偿。
该掩模版图形的矫正系统能够有效地实施上文所述的掩模版图形的矫正方法，具有相同的有益效果，在此不做赘述。
7.本发明实施例还提供一种计算机介质，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行所述计算机程序时，实现掩模版图形的矫正，该掩模版图形的矫正方法具有与上文所述的掩模版图形的矫正方法相同的有益效果，在此不做赘述。
以上对本发明实施例公开的一种掩模版图形的矫正方法、系统及计算机介质进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡在本发明的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种掩模版图形的矫正方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1:提供一待矫正的掩模版，所述掩模版上形成有若干个周期性重复的单元；
S2:选取多个所述单元作为采样点并收集所述采样点的关键尺寸，以所述采样点为中心，计算多个所述采样点临近范围内的图形密度；
S3:根据所述采样点的关键尺寸及多个所述采样点临近范围内的图形密度，通过拟合得到所述关键尺寸与多个所述采样点临近范围内的图形密度之间的对应关系；
S4:根据所述对应关系预测其他单元的关键尺寸后进行补偿。
2.如权利要求1所述的掩模版图形的矫正方法，其特征在于：所述采样点的选取位置位于所述掩模版边缘与中心的单元。
3.如权利要求2所述的掩模版图形的矫正方法，其特征在于：所述采样点临近范围内的所述图形密度选取三个，包括density1，density2和density3。
4.如权利要求3所述的掩模版图形的矫正方法，其特征在于：定义所述关键尺寸为cd，所述对应关系的公式为：
。
5.如权利要求4所述的掩模版图形的矫正方法，其特征在于：定义需要计算的参数包括a，b，c，d，e，f，g，所述对应关系的公式为：
。
6.如权利要求5所述的掩模版图形的矫正方法，其特征在于：所述掩模版上的其他单元进行关键尺寸补偿时在所述其他单元的临近范围选取三个图形密度，通过所述对应关系的公式计算出所述其他单元的关键尺寸，从而根据关键尺寸偏差进行补偿。
7.如权利要求6所述的掩模版图形的矫正方法，其特征在于：所述单元为多边形单元，在所述掩模版上以阵列方式排布。
8.一种掩模版图形的矫正系统，用于实现如权利要求1-7中任一项所述的掩模版图形的矫正方法，其特征在于：包括
信息获取模块：通过选取掩模版上多个单元作为采样点，用于获取多个采样点的图形关键尺寸；
图形密度计算模块：用于计算多个所述采样点的临近范围的图形密度；
拟合模块：根据所述采样点的关键尺寸及多个所述采样点临近范围内的图形密度，拟合得到所述关键尺寸与多个所述采样点临近范围内的图形密度之间的对应关系；
关键尺寸预测模块：根据所述对应关系预测其他单元的关键尺寸，输出预测结果；
重构模块：根据所述预测结果进行补偿。
9.一种计算机介质，其特征在于：包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现如权利要求1-7中任一项所述的掩模版图形的矫正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311234485.6A CN117270315A (zh) | 2023-09-21 | 2023-09-21 | 一种掩模版图形的矫正方法、系统及计算机介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311234485.6A CN117270315A (zh) | 2023-09-21 | 2023-09-21 | 一种掩模版图形的矫正方法、系统及计算机介质 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117270315A true CN117270315A (zh) | 2023-12-22 |
Family
ID=89217301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311234485.6A Pending CN117270315A (zh) | 2023-09-21 | 2023-09-21 | 一种掩模版图形的矫正方法、系统及计算机介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117270315A (zh) |
-
2023
- 2023-09-21 CN CN202311234485.6A patent/CN117270315A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2705526B1 (en) | Euv lithography flare calculation and compensation | |
| JP2005128553A (ja) | 相互関係マップの効率的な長距離計算用のデザインへの再ネスティング | |
| CN107885028B (zh) | Opc建模中次分辨率辅助图形确定的方法 | |
| JP4138318B2 (ja) | リソグラフィプロセスマージン評価装置、リソグラフィプロセスマージン評価方法およびリソグラフィプロセスマージン評価プログラム | |
| CN104950568A (zh) | 光学邻近校正方法及双重图形曝光方法 | |
| CN111832693B (zh) | 神经网络层运算、模型训练方法、装置及设备 | |
| KR960014051B1 (ko) | 보상에 의한 반도체 제조공정 | |
| CN109933515B (zh) | 一种回归测试用例集的优化方法和自动优化装置 | |
| CN117270315A (zh) | 一种掩模版图形的矫正方法、系统及计算机介质 | |
| CN107204616B (zh) | 基于自适应稀疏伪谱法的电力系统随机状态估计方法 | |
| Malakar et al. | Performance evaluation and optimization of nested high resolution weather simulations | |
| US20060023932A1 (en) | System and method for generating a set of test patterns for an optical proximity correction algorithm | |
| CN115457350B (zh) | 光学邻近修正的蚀刻模型训练方法及光学邻近修正方法 | |
| JP2013037437A (ja) | 構造解析システム，構造解析プログラムおよび構造解析方法 | |
| CN108520178B (zh) | 一种基于CFSFDP聚类的Android平台入侵检测方法 | |
| CN114595612A (zh) | 基于实体单元积分路径的受力构件的配筋计算方法及系统 | |
| CN113608410A (zh) | 晶圆对准掩膜版生成方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
| US20090293038A1 (en) | Method and correction apparatus for correcting process proximity effect and computer program product | |
| CN113990777A (zh) | 良率晶圆图的形成方法及装置、可读存储介质、终端 | |
| CN110941669B (zh) | 基于属性信息的空间矢量数据存储方法及坐标系转换系统 | |
| JP2022124240A (ja) | 診断パターン生成方法及び計算機 | |
| Shudler et al. | Fast Mesh Validation in Combustion Simulations through In-Situ Visualization. | |
| CN117688890A (zh) | 一种网格边界缺陷标定方法、系统及存储介质 | |
| CN113722955B (zh) | 基于有限元的风电机组轴承座结构优化设计方法 | |
| CN111061726B (zh) | 基于点m值的空间矢量数据存储方法及坐标系转换系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |