CN117270042A - 走滑断层的确定方法及确定装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种走滑断层的确定方法及确定装置，所述方法包括：获取目标区域的地震剖面图，所述地震剖面图包括多层标志层；若每一标志层均存在错断，确定多层标志层的错断是否属于同一断层；若是，获取断层的第一属性参数和第二属性参数，根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层；其中，所述第一属性参数包括多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度，所述第二属性参数至少包括以下中的一种：断层的构造样式、多层标志层中每一标志层的错断点的断距和多层标志层中每一标志层的错断点的倾向。本发明能够准确地确定出地震剖面中断层的走滑特征，支撑确定走滑断控型油气有利区，提高油气勘探开发效益。
Description
技术领域
本发明涉及断层判断技术领域，具体地涉及一种走滑断层的确定方法、一种走滑断层的确定装置、一种终端设备及一种机器可读存储介质。
背景技术
在正断层、逆断层、走滑断层三种断层的基本模式中，走滑断层是变形最复杂，最不容易判断的一种类型。走滑断层由于变形弱，规律性不强，常与正断层、逆断层混淆。如果不能准确的判断断层的变形性质，将导致不能明确断层对于储层和油气成藏之间的关系，难以确定走滑型断控油气藏的发育有利区。
现有技术中通常利用地震的平面属性(譬如相干、曲率等)刻画断层的展布，或者利用地震属性提取剖面断层进行断层判断，但是这些方法只能刻画出断层，无法准确的进行走滑断层的判断，因此，如何能通过地震剖面准确判断断层性质，找到有利油气区取得油气勘探开发效益是急需解决的问题。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种走滑断层的确定方法及确定装置，该走滑断层的确定方法及确定装置用以解决上述的不能准确的判断断层的变形性质，将导致不能明确断层对于储层和油气成藏之间的关系，难以确定走滑型断控油气藏的发育有利区的问题。
为了实现上述目的，本发明实施例提供一种走滑断层的确定方法，包括：
获取目标区域的地震剖面图，所述地震剖面图包括多层标志层；
若每一标志层均存在错断，确定多层标志层的错断是否属于同一断层；
若是，获取断层的第一属性参数和第二属性参数，并根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层；
其中，所述第一属性参数包括多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度，所述第二属性参数至少包括以下中的一种：断层的构造样式、多层标志层中每一标志层的错断点的断距和多层标志层中每一标志层的错断点的倾向。
可选的，所述地震剖面图基于目标区域的地震数据得到。
可选的，所述第二属性参数为断层的构造样式；所述根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层，包括：
若多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度、且断层的构造样式为最下层标志层到最上层标志层构成花状构造，则确定该断层为走滑断层。
可选的，所述第二属性参数为多层标志层中每一标志层的错断点的断距；所述根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层，包括：
若多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度、且多层标志层中相邻的两个标志层中错断点之间的断距的差值小于预设差值，则确定该断层为走滑断层。
可选的，所述第二属性参数为多层标志层中每一标志层的错断点的倾向；所述根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层，包括：
若多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度、且多层标志层中部分标志层的错断点的倾向相反，则确定该断层为走滑断层。
可选的，所述第二属性参数为多层标志层中每一标志层的错断点的倾向和多层标志层中每一标志层的错断点的断距；所述根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层，包括：
若多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度、且多层标志层中每一标志层的错断点的倾向相同且多层标志层中位于目标标志层上方的每一标志层的错断点的断距大于位于目标标志层下方的每一标志层的错断点的断距，则确定该断层为走滑断层。
可选的，所述方法还包括：在多层标志层中确定目标标志层，具体包括：
从最上层标志层遍历至最下层标志层，将多层标志层中第一次满足错断点的断距小于等于上方的每一标志层的错断点的断距且大于下方的每一标志层的错断点的断距的标志层确定为所述目标标志层。
本发明第二方面提供一种走滑断层的确定装置，包括：
获取模块，用于获取目标区域的地震剖面图，所述地震剖面图包括多层标志层；以及用于获取断层的第一属性参数和第二属性参数；
第一确定模块，用于在每一标志层均存在错断的情况下，确定多层标志层的错断是否属于同一断层；
第二确定模块，用于在确定多层标志层的错断属于同一断层的情况下，根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层；
其中，所述第一属性参数包括多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度，所述第二属性参数至少包括以下中的一种：断层的构造样式、多层标志层中每一标志层的错断点的断距和多层标志层中每一标志层的错断点的倾向。
本发明第三方面提供一种终端设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的走滑断层的确定方法的步骤。
另一方面，本发明提供一种机器可读存储介质，该机器可读存储介质上存储有指令，该指令用于使得机器执行本申请上述的走滑断层的确定方法。
本申请首先通过地震剖面图得到多层标志层，并判断出多层标志层的错断是否属于同一断层；在确定错断属于同一断层后，获取断层的第一属性参数和第二属性参数，并根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层；从而准确地确定出地震剖面中断层的走滑特征，明确断层对于储层和油气成藏的关系，支撑确定走滑断控型油气发育有利区，落实井位目标，提高油气勘探开发效益。
本发明实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明实施例，但并不构成对本发明实施例的限制。在附图中：
图1是本发明提供的走滑断层的确定方法的流程示意图；
图2是本发明提供的走滑断层的确定方法的整体流程框图；
图3是本发明提供的第一种走滑断层的示意图；
图4是本发明提供的第二种走滑断层的示意图；
图5是本发明提供的第三种走滑断层的示意图；
图6是本发明提供的第四种走滑断层的示意图；
图7是本发明提供的走滑断层的确定装置的结构示意图。
附图标记说明
10-获取模块；20-第一确定模块；30-第二确定模块。
具体实施方式
以下结合附图对本发明实施例的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明实施例，并不用于限制本发明实施例。
在本发明实施例中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下、左、右”通常是指基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系。
术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
图1是本发明提供的走滑断层的确定方法的流程示意图；图2是本发明提供的走滑断层的确定方法的整体流程框图；图3是本发明提供的第一种走滑断层的示意图；图4是本发明提供的第二种走滑断层的示意图；图5是本发明提供的第三种走滑断层的示意图；图6是本发明提供的第四种走滑断层的示意图。如图1-2所示，本实施例提供一种走滑断层的确定方法，包括：
步骤101、获取目标区域的地震剖面图，所述地震剖面图包括多层标志层；
步骤102、若每一标志层均存在错断，确定多层标志层的错断是否属于同一断层；
步骤103、若是，获取断层的第一属性参数和第二属性参数，并根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层；
其中，所述第一属性参数包括多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度，所述第二属性参数至少包括以下中的一种：断层的构造样式、多层标志层中每一标志层的错断点的断距和多层标志层中每一标志层的错断点的倾向。
具体地，首先采集目标区域的地震数据和测井数据，得到该目标区域的地震剖面图，其中，地震剖面图中包含有多层标志层，多层标志层的确定包括：将测井数据进行分析，确定标志层在井上的深度，然后用测井数据进行合成记录与地震数据匹配，确定井上标志层在地震上的位置，然后在地震数据上进行对比追踪，确定地震剖面中标志层的层位；在获取到的多层标志层后，若每一标志层均存在错断(标志层存在错断，则错断具有错断点)，且确定多层标志层的错断是否属于同一断层，则再获取断层的第一属性参数和第二属性参数，并根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层；其中，所述第一属性参数包括多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度，所述第二属性参数至少包括以下中的一种：断层的构造样式、多层标志层中每一标志层的错断点的断距和多层标志层中每一标志层的错断点的倾向。
另外，确定多层标志层的错断是否属于同一断层包括：若多层标志层的错断在垂向上具有连续性，则确定错断属于同一断层。
进一步地，所述地震剖面图基于目标区域的地震数据得到。
进一步地，所述第二属性参数为断层的构造样式；所述根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层，包括：
若多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度、且断层的构造样式为最下层标志层到最上层标志层构成花状构造，则确定该断层为走滑断层。
具体地，在确定多层标志层的错断属于同一个断层后，获取多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度，若最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度，且断层的构造样式为最下层标志层到最上层标志层构成花状构造，则确定该断层为走滑断层。其中，最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度，则说明断层为直立高陡，如图3所示，本实施例提供的第一种走滑断层的示意图，以存在4层标志层为例，从最上层标志层和最下层标志层依次命名为：第一层标志层、第二层标志层、第三层标志层和第四层标志层，以最上层标志层的错断点为基准点，最下层标志层中错断点相对于最上层标志层的错断点，在竖直方向上的偏移角度小于预设偏移角度，预设偏移角度通常设定为30度；断层的构造样式为最下层标志层到最上层标志层构成花状构造可以理解为：最下层标志层上只有一个错断点，上层的标志层中错断点变为多个且散开，从最下层标志层到最上层标志层构成花状构造，从最下层标志层到最上层标志层错断点的数量逐渐增加，形成增长趋势；最下层标志层到最上层标志层错断点的数量还可以是增长到一定的数量后保持。
组成花状构造的断层可具有张剪性质或压剪性质，据其可将花状构造分为正花状构造和负花状构造两种。正花状构造：聚敛型走滑断层派生的在压扭性应力状态中形成的构造，一条陡立走滑断层向上分叉撒开，以逆断层组成的背冲构造，断层下陡上缓凸面向上，被切断地层多成背形，但不具弯滑褶皱性质。负花状构造：离散型走滑断层派生的在张扭性应力场中形成的构造，一套凹面向上的正断层构成了似地堑式构造。堑内地层平缓，浅部稍成被正断层破坏的向斜，向斜也不具弯滑褶皱性质。
进一步地，所述第二属性参数为多层标志层中每一标志层的错断点的断距；所述根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层，包括：
若多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度、且多层标志层中相邻的两个标志层中错断点之间的断距的差值小于预设差值，则确定该断层为走滑断层。
具体地，在确定多层标志层的错断属于同一个断层后，获取多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度，若最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度，且多层标志层中相邻的两个标志层中错断点之间的断距的差值小于预设差值，则确定该断层为走滑断层。其中，如图4所示，本实施例提供的第一种走滑断层的示意图，以存在3层标志层为例，从最上层标志层和最下层标志层依次命名为：第一层标志层、第二层标志层和第三层标志层，第一层标志层、第二层标志层各自的错断点的断距的差值小于预设差值，且第二层标志层和第三层标志层各自的错断点的断距的差值小于预设差值，则可以确定该断层为走滑断层。
在另一种实施方式中，多层标志层中相邻的两个标志层中错断点之间的断距的差值小于预设差值可以替换为：多层标志层中每一标志层中错断点之间的断距的差值小于预设差值，同样能够实现走滑断层的判断，即以存在3层标志层为例，从最上层标志层和最下层标志层依次命名为：第一层标志层、第二层标志层和第三层标志层，第一层标志层、第二层标志层和第三层标志层各自的错断点的断距相互之间的差值均小于预设差值，则可以确定该断层为走滑断层。
进一步地，所述第二属性参数为多层标志层中每一标志层的错断点的倾向；所述根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层，包括：
若多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度、且多层标志层中部分标志层的错断点的倾向相反，则确定该断层为走滑断层。
具体地，在确定多层标志层的错断属于同一个断层后，获取多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度，若最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度，且多层标志层中部分标志层的错断点的倾向相反，则确定该断层为走滑断层，则确定该断层为走滑断层。其中，如图5所示，本实施例提供的第一种走滑断层的示意图，以存在4层标志层为例，从最上层标志层和最下层标志层依次命名为：第一层标志层、第二层标志层、第三层标志层和第四层标志层，其中，第一层标志层、第二层标志层和第三层标志层的错断点均为左低右高，而第四层标志层为左高右低，因此，多层标志层中部分标志层的错断点的倾向相反，存在倾向反转，则可以确定该断层为走滑断层。
在另一种实施方式中，以存在4层标志层为例，从最上层标志层和最下层标志层依次命名为：第一层标志层、第二层标志层、第三层标志层和第四层标志层，其中，第一层标志层、第二层标志层红和第三层标志层的错断点均为左高右低，而第四层标志层为左低右高，因此，多层标志层中部分标志层的错断点的倾向相反，存在倾向反转，同样可以确定该断层为走滑断层。
在另一种实施方式中，以存在4层标志层为例，从最上层标志层和最下层标志层依次命名为：第一层标志层、第二层标志层、第三层标志层和第四层标志层，其中，即第一层标志层和第二层标志层红的错断点均为左高右低，而第三层标志层和第四层标志层为左低右高，因此，多层标志层中部分标志层的错断点的倾向相反，存在倾向反转，同样可以确定该断层为走滑断层。
进一步地，所述第二属性参数为多层标志层中每一标志层的错断点的倾向和多层标志层中每一标志层的错断点的断距；所述根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层，包括：
若多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度；以及
若多层标志层中每一标志层的错断点的倾向相同且多层标志层中位于目标标志层上方的每一标志层的错断点的断距大于位于目标标志层下方的每一标志层的错断点的断距，则确定该断层为走滑断层。
具体地，在确定多层标志层的错断属于同一个断层后，获取多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度，若最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度，多层标志层中每一标志层的错断点的倾向相同且多层标志层中位于目标标志层上方的每一标志层的错断点的断距大于位于目标标志层下方的每一标志层的错断点的断距，则确定该断层为走滑断层。其中，如图6所示，本实施例提供的第一种走滑断层的示意图，以存在4层标志层为例，从最上层标志层和最下层标志层依次命名为：第一层标志层、第二层标志层、第三层标志层和第四层标志层，其中，四层标志层的倾向均为左高右低，倾向相同，并且，第一层标志层的错断点的断距等于第二层标志层错断点的断距，第一层标志层和第二层标志层的错断点的断距大于第三层标志层错断点的断距，第三层标志层错断点的断距大于第四层标志层错断点的断距。多层标志层中断距的分布规律为上大下小，其中，可以将第二层标志层确定为目标标志层，使得第二层标志层上方的第一层标志层的错断点的断距大于等于第二层标志层的错断点的断距，使得第二层标志层下方的第三层标志层和第四层标志层的错断点的断距小于第二层标志层的错断点的断距。
进一步地，所述方法还包括：在多层标志层中确定目标标志层，具体包括：
从最上层标志层遍历至最下层标志层，将多层标志层中第一次满足错断点的断距小于等于上方的每一标志层的错断点的断距且大于下方的每一标志层的错断点的断距的标志层确定为所述目标标志层。
具体地，以存在4层标志层为例，从最上层标志层和最下层标志层依次命名为：第一层标志层、第二层标志层、第三层标志层和第四层标志层，其中，四层标志层的倾向均为左高右低，倾向相同，并且，第一层标志层的错断点的断距为12.5ms，第二层标志层的错断点的断距为11.5ms，第三层标志层的错断点的断距为9.5ms，第四层标志层的错断点的断距为8ms。则从最上层标志层(即第一层标志层)遍历至最下层标志层(第四层标志层)，将多层标志层中第一次满足错断点的断距(11.5ms)小于等于上方的每一标志层的错断点的断距(12.5ms)且大于下方的每一标志层的错断点的断距(9.5ms和8ms)的标志层确定为所述目标标志层，即第二层标志层。
在另一种实施方式中，具体地，以存在4层标志层为例，从最上层标志层和最下层标志层依次命名为：第一层标志层、第二层标志层、第三层标志层和第四层标志层，其中，四层标志层的倾向均为左高右低，倾向相同，并且，第一层标志层的错断点的断距为12.5ms，第二层标志层的错断点的断距为12.5ms，第三层标志层的错断点的断距为9.5ms，第四层标志层的错断点的断距为9.5ms。则从最上层标志层(即第一层标志层)遍历至最下层标志层(第四层标志层)，将多层标志层中第一次满足错断点的断距(12.5ms)小于等于上方的每一标志层的错断点的断距(12.5ms)且大于下方的每一标志层的错断点的断距(9.5ms和9.5ms)的标志层确定为所述目标标志层，即第二层标志层。其中，ms为毫秒，其代表的含义是时间域地震数据的纵向深度单位。
图7是本发明提供的走滑断层的确定装置的结构示意图，如图7所示，本发明第二方面提供一种走滑断层的确定装置，包括：
获取模块10，用于获取目标区域的地震剖面图，所述地震剖面图包括多层标志层；以及用于获取断层的第一属性参数和第二属性参数；
第一确定模块20，用于在每一标志层均存在错断的情况下，确定多层标志层的错断是否属于同一断层；
第二确定模块30，用于在确定多层标志层的错断属于同一断层的情况下，根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层；
其中，所述第一属性参数包括多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度，所述第二属性参数至少包括以下中的一种：断层的构造样式、多层标志层中每一标志层的错断点的断距和多层标志层中每一标志层的错断点的倾向.
本发明的第三方面提供一种终端设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的走滑断层的确定方法的步骤。
本发明的第四方面提供一种机器可读存储介质，该机器可读存储介质上存储有指令，该指令用于使得机器执行本申请上述的走滑断层的确定方法。
以上结合附图详细描述了本发明实施例的可选实施方式，但是，本发明实施例并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明实施例的技术构思范围内，可以对本发明实施例的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明实施例的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明实施例对各种可能的组合方式不再另行说明。
本领域技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得单片机、芯片或处理器(processor)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
此外，本发明实施例的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明实施例的思想，其同样应当视为本发明实施例所公开的内容。
Claims (10)
1.一种走滑断层的确定方法，其特征在于，包括：
获取目标区域的地震剖面图，所述地震剖面图包括多层标志层；
若每一标志层均存在错断，确定多层标志层的错断是否属于同一断层；
若是，获取断层的第一属性参数和第二属性参数，并根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层；
其中，所述第一属性参数包括多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度，所述第二属性参数至少包括以下中的一种：断层的构造样式、多层标志层中每一标志层的错断点的断距和多层标志层中每一标志层的错断点的倾向。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述地震剖面图基于目标区域的地震数据得到。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二属性参数为断层的构造样式；
所述根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层，包括：
若多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度、且断层的构造样式为最下层标志层到最上层标志层构成花状构造，则确定该断层为走滑断层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二属性参数为多层标志层中每一标志层的错断点的断距；
所述根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层，包括：
若多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度、且多层标志层中相邻的两个标志层中错断点之间的断距的差值小于预设差值，则确定该断层为走滑断层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二属性参数为多层标志层中每一标志层的错断点的倾向；
所述根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层，包括：
若多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度、且多层标志层中部分标志层的错断点的倾向相反，则确定该断层为走滑断层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二属性参数为多层标志层中每一标志层的错断点的倾向和多层标志层中每一标志层的错断点的断距；
所述根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层，包括：
若多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度小于等于预设偏移角度、多层标志层中每一标志层的错断点的倾向相同、且多层标志层中位于目标标志层上方的每一标志层的错断点的断距大于位于目标标志层下方的每一标志层的错断点的断距，则确定该断层为走滑断层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在多层标志层中确定目标标志层，具体包括：
从最上层标志层遍历至最下层标志层，将多层标志层中第一次满足错断点的断距小于等于上方的每一标志层的错断点的断距且大于下方的每一标志层的错断点的断距的标志层确定为所述目标标志层。
8.一种走滑断层的确定装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取目标区域的地震剖面图，所述地震剖面图包括多层标志层；以及用于获取断层的第一属性参数和第二属性参数；
第一确定模块，用于在每一标志层均存在错断的情况下，确定多层标志层的错断是否属于同一断层；
第二确定模块，用于在确定多层标志层的错断属于同一断层的情况下，根据断层的第一属性参数和第二属性参数确定该断层是否为走滑断层；
其中，所述第一属性参数包括多层标志层中最上层标志层和最下层标志层中错断点的层位偏移角度，所述第二属性参数至少包括以下中的一种：断层的构造样式、多层标志层中每一标志层的错断点的断距和多层标志层中每一标志层的错断点的倾向。
9.一种终端设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1-7中任一项所述的走滑断层的确定方法的步骤。
10.一种机器可读存储介质，该机器可读存储介质上存储有指令，该指令用于使得机器执行本申请权利要求1-7任一项所述的走滑断层的确定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210665643.2A CN117270042A (zh) | 2022-06-13 | 2022-06-13 | 走滑断层的确定方法及确定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202210665643.2A CN117270042A (zh) | 2022-06-13 | 2022-06-13 | 走滑断层的确定方法及确定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN117270042A true CN117270042A (zh) | 2023-12-22 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210665643.2A Pending CN117270042A (zh) | 2022-06-13 | 2022-06-13 | 走滑断层的确定方法及确定装置 |
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| CN (1) | CN117270042A (zh) |
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2022
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