CN117253838A - 半导体制造用零件载体及半导体制造用零件搬运装置 - Google Patents
半导体制造用零件载体及半导体制造用零件搬运装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117253838A CN117253838A CN202310303652.1A CN202310303652A CN117253838A CN 117253838 A CN117253838 A CN 117253838A CN 202310303652 A CN202310303652 A CN 202310303652A CN 117253838 A CN117253838 A CN 117253838A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor manufacturing
- vacuum
- vacuum hole
- component carrier
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 70
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
- B25J15/009—Gripping heads and other end effectors with pins for accurately positioning the object on the gripping head
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
- B25J15/06—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
- B25J15/0616—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67769—Storage means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Manipulator (AREA)
Abstract
本发明涉及一种半导体制造用零件载体及半导体制造用零件搬运装置,更详细地,涉及一种结构得到改善以通过真空吸附的方式对环进行临时固定从而能够防止在环的搬运过程中环从半导体制造用零件载体脱落情况的半导体制造用零件载体及利用其的半导体制造用零件搬运装置。本发明提供一种半导体制造用零件载体,以第二面与搬运手相接且第一面与半导体制造用零件相接的状态搬运零件,其中,所述半导体制造用零件载体包括:第一真空孔,形成在所述第一面;第二真空孔,形成在所述第二面;以及空气流路,设在所述第一真空孔和所述第二真空孔之间。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体制造用零件载体及利用其的半导体制造用零件搬运装置,更详细地,涉及一种结构得到改善以通过真空吸附的方式对环进行临时固定从而能够防止在环的搬运过程中环从半导体制造用零件载体脱落情况的半导体制造用零件载体及利用其的半导体制造用零件搬运装置。
背景技术
在半导体工艺中,从FOUP之类存储区域分别向工艺腔室移送晶圆或从工艺腔室向工艺腔室移送晶圆时使用搬运臂。
工艺系统包括进行多个工艺步骤的工艺腔室,在工艺腔室中为了蚀刻(etch)对象物而还会使用气体。此时,工艺配套环(Process kit ring)为了保护对象物或者腔室的全部或者一部分而环绕对象物。例如,环形的边缘环(Edge ring)配置在对象物的外径部而在蚀刻对象物的期间对支承对象物的静电卡盘(ESC;Eletrostatic Chuck)的表面进行保护。
当因如这种环那样具有中央部贯通的形状或者底面不平而难以通过搬运臂进行吸附移送时,利用所谓载体的结构。载体配置在环之类零件和搬运臂之间而在移送零件时起到支承零件的作用,以往的半导体制造用零件载体不包括环之类用于临时固定零件的结构而仅通过零件和载体之间的摩擦力对零件临时固定,因此存在的问题是在移送过程中环之类零件从零件载体之上移动或者脱离的可能性。
发明内容
本发明为了解决前述的背景技术问题而提出,本发明所要解决的课题是提供一种能够提前防止在环之类半导体制造用零件的移送过程中所述零件从零件载体脱离的可能性的半导体制造用零件载体及利用其的半导体制造用零件搬运装置。
作为前述课题的解决方法,本发明提供一种半导体制造用零件载体,以第二面与搬运手相接且第一面与半导体制造用零件相接的状态搬运零件,其中,所述半导体制造用零件载体包括:第一真空孔,形成在所述第一面;第二真空孔,形成在所述第二面;以及空气流路,设在所述第一真空孔和所述第二真空孔之间。
优选地,所述半导体制造用零件载体还包括:零件支承垫,设置在所述第一面而与所述零件产生摩擦力,并包括与所述第一真空孔连通的贯通孔,所述第一真空孔形成在设置有所述零件支承垫的部分。
优选地,所述第一真空孔设置多个,所述第二真空孔为一个。
优选地,所述第二真空孔设在能够与形成在搬运手中的真空孔连通的位置。
也可以是,所述空气流路将所述第二真空孔和多个第一真空孔分别连接,也可以是,所述空气流路包括连接所述第二真空孔和任一个第一真空孔的第一空气流路和将所述第一真空孔全部连接的第二空气流路。
本发明作为第二个方式,提供一种半导体制造用零件搬运装置,其中,包括:半导体制造用零件载体,以与零件相接的状态搬运零件;搬运手,与所述半导体制造用零件载体的第二面接触;以及搬运臂,驱动所述搬运手,所述半导体制造用零件载体包括:第一真空孔,形成在所述第一面;第二真空孔,形成在所述第二面;以及空气流路,设在所述第一真空孔和所述第二真空孔之间。
优选地,所述半导体制造用零件载体还包括:零件支承垫,设置在所述第一面而与所述零件产生摩擦力,并包括与所述第一真空孔连通的贯通孔,所述第一真空孔形成在设置有所述零件支承垫的部分。
优选地,所述第一真空孔设置多个,所述第二真空孔设置一个。
优选地,所述第二真空孔设在能够与形成在搬运手中的真空孔连通的位置。
优选地,在形成在所述搬运手中的真空孔的上方设有摩擦垫,所述摩擦垫包括具有比所述真空孔大的截面积的贯通孔,所述第二真空孔与所述摩擦垫的贯通孔连通。
本发明作为第三个方式,提供一种等离子体处理设备,其中,包括:工艺腔室,对基板执行等离子体处理;以及搬运机器人,包括向所述工艺腔室搬运所述基板并在下方支承所述基板的搬运手及驱动所述搬运手的搬运臂,所述工艺腔室包括:外壳,在内部具有处理空间;支承单元,在所述处理空间内支承所述基板;气体供应单元,向所述处理空间供应工艺气体;以及等离子体源,从工艺气体产生等离子体,所述支承单元包括:静电卡盘,被放置所述基板;以及聚焦环,提供为围绕放置在所述静电卡盘的基板,并提供为能够从所述静电卡盘进行拆装,所述聚焦环与半导体制造用零件载体结合并通过所述搬运机器人搬运,所述半导体制造用零件载体的第二面与所述搬运手相接,并在所述半导体制造用零件载体的第一面设置通过所述聚焦环产生摩擦力的环支承垫而构成为与所述聚焦环相接,所述半导体制造用零件载体包括:第一真空孔,形成在所述第一面的环支承垫;第二真空孔,形成在所述第二面;以及空气流路,设在所述第一真空孔和所述第二真空孔之间。
根据本发明,可以提供能够提前防止在环之类半导体制造用零件的移送过程中零件从零件载体脱离的可能性的半导体制造用零件载体及利用其的半导体制造用零件搬运装置。
附图说明
图1是根据本发明的一实施例的环载体的平面图。
图2是图1中示出的环载体的第二面图。
图3是用于说明图1中示出的环载体的空气流路的两种示例的截面图。
图4是搬运手的平面图。
图5是图4中示出的搬运手的截面图。
图6是用于说明包括图1中示出的环载体的环搬运装置的图。
图7是示出图6中示出的环搬运装置中环夹持在半导体制造用零件载体的的状态的图。
图8是示出环载体的其它实施例的图。
图9是示出环的变形实施例的图。
图10是适用根据本发明的半导体制造用零件搬运装置的等离子体处理设备。
图11是适用根据本发明的半导体制造用零件搬运装置的等离子体处理设备的工艺腔室。
(附图标记说明)
100:环载体 110:第一面
120:第二面 10:第一真空孔
20:第二真空孔 30:空气流路
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的优选的实施例而提供用于实施本发明的具体内容。
首先,说明根据本发明的第一个方式的半导体制造用零件载体的一实施例。
以下,在对根据本实施例的半导体制造用零件载体的说明中,半导体制造用零件是环,由此在随之进行的说明中,将半导体制造用零件载体称为环载体,将零件支承垫称为环支承垫等,混用零件和环。
根据本实施例的环载体100如图1所示那样是圆盘形状,第二面120与搬运臂的搬运手200相接,在第一面110设置环支承垫130而以环R相接于环支承垫130的状态搬运环R。
所述环载体100的两个面中的与环相接的面称为第一面110,与搬运手相接的面称为第二面120。
所述环载体100包括第一真空孔10、第二真空孔20、空气流路30。
所述第一真空孔10作为在设置有所述环支承垫130的部分形成的孔,优选设置多个。
在本实施例中,所述第一真空孔10设置三个,与环载体100的中心O相邻的一对第一真空孔10的夹角θ是将360除以第一真空孔10的数量即N(本实施例中是3)的值,即120度。
另一方面,第一真空孔10不是必须设置多个。即使形成一个第一真空孔10,也能够通过作用在第一真空孔10的吸附力向环R施加下侧方向的力而固定环R。此外,摩擦力可以定义为法向力与摩擦系数的乘积,随着通过作用于环R的下侧方向的力(吸附力)而环支承垫130与环R之间的法向力变大,还产生环支承垫130与环R之间的摩擦力变大的效果,从而可以还期待增加的摩擦力所带来的环R的脱离防止效果。因此,即使仅形成一个第一真空孔10也可以期待本发明的效果。
当然,若有多个第一真空孔10,则能够比一个第一真空孔10稳定地支承的优点是显然的,所以在本实施例中形成有三个第一真空孔。
所述环支承垫130是与环R直接接触的摩擦部件而配置在第一面110,第一真空孔10形成在设置有环支承垫130的部分。
在所述环支承垫130形成有如图6所示那样与所述第一真空孔10连通的贯通孔131而使空气能够无堵塞地流动。
设置所述零件支承垫(在本实施例中,环支承垫)的位置根据所支承的零件的形状而确定。如本实施例,当零件是环时设置为以与环的形状匹配的方式设置在第一面110的边缘而能够与环R直接接触,但是若零件形状发生变化,则环支承垫130的位置也可以变更。
另一方面,也可以是,没有环支承垫130而环载体100与环R直接接触。
所述第二真空孔20作为设置在所述环载体100的第二面120的孔,形成于在与形成在搬运手200的真空孔210连通的位置。在本实施例中设置一个第二真空孔20,但也可以设置多个第二真空孔20。
所述空气流路30作为将第一真空孔10和第二真空孔20彼此连接的管,既可以如图3的(a)所示那样由将第二真空孔20和第一真空孔10分别连接的管30a、30b、30c构成,也可以如图3的(b)所示那样构成为包括连接第二真空孔20和任一个真空孔的第一空气流路31和沿着环载体100的边缘形成为圆形而将第一真空孔10全部连接的第二空气流路32。假如,与本实施例不同,若第一真空孔10为一个,则仅设置连接该一个第一真空孔10和第二真空孔20的一个管即可。
当比较图3的(a)中示出形式的空气流路30和图3的(b)中示出形式的空气流路30时,可以视为效果几乎相同。由于空气流路30的长度是几十厘米程度而不是达到几米,在通过真空泵(未图示)进行的空气的移动距离上没有大的差异,因此若启动真空泵,则第一真空孔10立即吸附环R,在这一点上产生几乎相同的效果。但是,图3的(a)中示出的空气流路30具有比图3的(b)中示出的空气流路短的特点,在图3的(b)中示出的空气流路30的情况下,在遍及环载体100的边缘整体设置有空气流路,因此具有在追加形成第一真空孔10的情况下不用追加设置空气流路30的特点。
以下,利用前述的结构对通过环载体100将环R临时固定的机理进行说明。
首先,环载体100放置在搬运手200的上面(朝上侧的面)。在所述搬运手200设置有包括贯通孔221的摩擦垫220。
此时,如图6所示,环载体100的第二真空孔20构成为与形成在搬运手200的真空孔210中的任一个连通,所以需要考虑此的放置。为了将此做得更容易,由于摩擦垫220包括具有比真空孔210的截面积大的截面积的贯通孔221,只要第二真空孔20配置在贯通孔221的上方就可以产生空气的流动。若贯通孔221的截面积与真空孔210的截面积相同,则由于第二真空孔20的中心与真空孔210的中心应配置在一个直线上而需要非常精确的配置,通过扩大贯通孔221的大小可以缓解这种困难。
如图7所示,若环R设置在环载体100的第一面,则通过真空泵开始吸附空气,空气的流动沿着第一真空孔10、空气流路30、第二真空孔20、贯通孔131、形成在搬运手的上面的真空孔210、搬运手的配管220、形成在搬运手的下面的真空孔240、形成在搬运臂的配管(未图示)流动,通过这种空气流动在第一真空孔10和环R之间作用有引力。通过这引力在环R的搬运过程中限制环R的移动。此外,如前所述那样第一真空孔10形成在设置有支承垫130的部分,环R与支承垫130之间也作用有引力,其与作用在环R和环载体100的重力一同作用为法向力,所以环R与支承垫130之间的摩擦力也变大而通过摩擦力还产生限制环R移动的效果。
根据本发明的第二个方式的零件移送装置(环移送装置)包括前述的环载体100、搬运手200、搬运臂A。
根据本实施例的环载体100如图1所示那样是圆盘形状,第二面120与搬运臂的搬运手200相接,在第一面110设置环支承垫130而以环R相接于环支承垫130的状态搬运环R。
所述环载体100的两个面中的与环相接的面称为第一面110,与搬运手相接的面称为第二面120。
所述环载体100包括第一真空孔10、第二真空孔20、空气流路30。
所述第一真空孔10作为在设置有所述环支承垫130的部分形成的孔,优选设置多个。
在本实施例中,所述第一真空孔10设置三个,与环载体100的中心O相邻的一对第一真空孔10的夹角θ是将360除以第一真空孔10的数量即N(本实施例中是3)的值,即120度。
另一方面,第一真空孔10不是必须设置多个。即使形成一个第一真空孔10,也能够通过作用在第一真空孔10的吸附力向环R施加下侧方向的力而固定环R。此外,摩擦力可以定义为法向力与摩擦系数的乘积,随着通过作用于环R的下侧方向的力(吸附力)而环支承垫130与环R之间的法向力变大,还产生环支承垫130与环R之间的摩擦力变大的效果,从而可以还期待增加的摩擦力所带来的环R的脱离防止效果。因此,即使仅形成一个第一真空孔10也可以期待本发明的效果。
当然,若有多个第一真空孔10,则能够比一个第一真空孔10稳定地支承的优点是显然的,所以在本实施例中形成有三个第一真空孔。
所述环支承垫130是与环R直接接触的摩擦部件而配置在第一面110,第一真空孔10形成在设置有支承垫130的部分。
在所述环支承垫130形成有如图6所示那样与所述第一真空孔10连通的贯通孔131而使空气能够无堵塞地流动。
设置所述零件支承垫(在本实施例中,环支承垫)的位置根据所支承的零件的形状而确定。如本实施例,当零件是环时设置为以与环的形状匹配的方式设置在第一面110的边缘而能够与环R直接接触,但是若零件形状发生变化,则环支承垫130的位置也可以变更。
另一方面,也可以是,没有环支承垫130而环载体100与环R直接接触。
所述第二真空孔20作为设置在所述环载体100的第二面120的孔,形成于在与形成在搬运手200的真空孔210连通的位置。在本实施例中设置一个第二真空孔20,但也可以设置多个第二真空孔20。
所述空气流路30作为将第一真空孔10和第二真空孔20彼此连接的管,既可以如图3的(a)所示那样由将第二真空孔20和第一真空孔10分别连接的管30a、30b、30c构成,也可以如图3的(b)所示那样构成为包括连接第二真空孔20和任一个真空孔的第一空气流路31和沿着环载体100的边缘形成为圆形而将第一真空孔10全部连接的第二空气流路32。假如,与本实施例不同,若第一真空孔10为一个,则仅设置连接该一个第一真空孔10和第二真空孔20的一个管即可。
当比较图3的(a)中示出形式的空气流路30和图3的(b)中示出形式的空气流路30时,可以视为效果几乎相同。由于空气流路30的长度是几十厘米程度而不是达到几米,在通过真空泵(未图示)进行的空气的移动距离上没有大的差异,因此若启动真空泵,则第一真空孔10立即吸附环R,在这一点上产生几乎相同的效果。但是,图3的(a)中示出的空气流路30具有比图3的(b)中示出的空气流路短的特点,在图3的(b)中示出的空气流路30的情况下,在遍及环载体100的边缘整体设置有空气流路,因此具有在追加形成第一真空孔10的情况下不用追加设置空气流路30的特点。
所述搬运手200与所述环载体100的第二面接触并包括真空孔210与摩擦垫220。
在所述摩擦垫220形成贯通孔221,所述贯通孔221的截面积比真空孔210的截面积大。
如此,若构成为贯通孔221的截面积比真空孔210的截面积大,则具有即使环载体100的第二真空孔20与真空孔210的中心没有准确地对齐也维持空气流动的效果。
所述搬运臂A与所述搬运手200结合而驱动所述搬运手200。
前面说明的实施例是重点说明了环载体100提供为圆盘形状的实施例,但环载体100可以提供为多种而不限于特定形状。例如,如图8那样,可以构成为在圆盘中局部区域平坦(Flat)地形成而使得便于在其它安装位置放置或抬起环载体100。另外,如图8那样,可以在环载体100的局部形成开口部40而减少环载体100的重量。另外,如图9那样,环载体100也可以形成为三角形而构成为便于将环载体100放置或者抬起的同时减少重量。
另一方面,上述的环载体100及包括环载体100的环搬运装置可以构成在等离子体处理设备中。
图10是示出根据本发明的实施例的等离子体处理设备300的平面图。
参照图10,等离子体处理设备300具有转位模组310、预真空锁模组330以及工艺模组320,转位模组310具有装载端口420、搬运框架440。装载端口420、搬运框架440以及工艺模组320依次排列成一列。以下,装载端口420、搬运框架440、预真空锁模组330以及工艺模组320所排列的方向称为第一方向12,当从上方观察时,与第一方向12垂直的方向称为第二方向14,垂直于包括第一方向12和第二方向14的平面的方向称为第三方向16。
在本发明中,将预真空锁模组330与工艺模组320合起来称为处理模组。
在装载端口420安装收纳有多个基板W的卡匣318。装载端口420提供多个,这些沿着第二方向14排列成一列。图10中示出为提供两个装载端口420及一个载体保管单元421。但是,装载端口420的数量也可以根据工艺模组320的工艺效率及占用空间等条件增加或减少。在卡匣318形成提供为支承基板的边缘的插槽(未图示)。插槽沿着第三方向16提供多个,基板以沿着第三方向16彼此隔开的状态层叠地位于卡匣318内。卡匣318可以使用前开式传送盒(Front Opening Unified Pod;FOUP)。
在转位模组310可以提供载体保管单元421。载体保管单元421是在利用搬运手向腔室搬运环部件(环R)时被放置环部件的载体的单元。载体保管单元421的外形可以提供为与卡匣318近似。载体保管单元421的内部也可以提供为与卡匣318近似。
可以是,在转位模组310内的放置卡匣318的一个或多个装载端口420和提供有在放置在装载端口420中的卡匣318与处理模组之间搬运基板的转位机器人的搬运框架440中,装载端口420和搬运框架440在第一方向12上排列,当从上方观察时装载端口420和载体保管单元421在与第一方向12相同的方向上排列。
根据图10所示,可以确认到载体保管单元421和装载端口420并排地排列。根据图10,示出为载体保管单元421配置在边缘,但可以还配置在装载端口420之间。即,载体保管单元421可以配置在能够配置装载端口420的任何位置。
在另一实施例中,当从上方望去时,载体保管单元421也可以在与第一方向12垂直的第二方向14上排列。载体保管单元421也可以在搬运框架440中配置在不是配置有装载端口420的侧面的另一侧面。根据另一实施例,载体保管单元421也可以提供在与处理模组320、330及转位模组310隔开的位置。在载体保管单元421提供在与处理模组320、330及转位模组310隔开的位置的情况下,可以利用另外的搬运装置(半导体制造用零件搬运装置)向转位模组310内部搬来载体保管单元421。
搬运框架440在安装在装载端口420的卡匣318、预真空锁模组330之间搬运基板W。在搬运框架440提供转位轨道442和转位机器人444。转位轨道442提供为其长度方向与第二方向14平行。转位机器人444设置在转位轨道442之上,沿着转位轨道442在第二方向14上直线移动。转位机器人444具有底座444a、主体444b、转位臂444c及手444d。底座444a设置为能够沿转位轨道442移动。主体444b与底座444a结合。主体444b提供为能够在底座444a上沿第三方向16移动。另外,主体444b提供为能够在底座444a上旋转。转位臂444c与主体444b结合,并提供为能够相对于主体444b前进及后退移动。转位臂444c提供多个并提供为各自单独驱动。转位臂444c以沿第三方向16彼此隔开的状态层叠配置。转位臂444c中的一部分当从工艺模组320向卡匣318搬运基板W时使用,另外一部分当从卡匣318向工艺模组320搬运基板W时使用。这样可以防止在转位机器人444搬入及搬出基板W的过程中从工艺处理前的基板W产生的粒子附着到工艺处理后的基板W。
预真空锁模组330配置在搬运框架440与搬运单元540之间。预真空锁模组330对搬入到工艺模组320的基板W将转位模组310的常压环境置换成工艺模组320的真空环境,或对搬出到转位模组310的的基板W将工艺模组320的真空环境置换成转位模组310的常压环境。预真空锁模组330提供在搬运单元540和搬运框架440之间搬运基板W之前使基板W停留的处理空间110b。预真空锁模组330包括预真空锁腔室332及解锁腔室334。
在预真空锁腔室332中临时停留从转位模组310向工艺模组320搬运的基板W。预真空锁腔室332在大气状态下维持常压环境,相对于工艺模组320切断而相对于转位模组310维持开放状态。若向预真空锁腔室332搬入基板W,则将内部空间相对于转位模组310和工艺模组320的每一个密闭。之后,将预真空锁腔室332的内部空间从常压环境置换成真空环境,并在相对于转位模组310切断的状态下相对于工艺模组320开放。
在解锁腔室334中临时停留从工艺模组320向转位模组310搬运的基板W。解锁腔室334在大气状态下维持真空环境,相对于转位模组310切断而相对于工艺模组320维持开放的状态。若向解锁腔室334搬入基板W,则将内部空间相对于转位模组310和工艺模组320的每一个密闭。之后,将解锁腔室334的内部空间从真空环境置换成常压环境,并在相对于工艺模组320切断的状态下对转位模组310开放。
工艺模组320包括搬运单元540及多个工艺腔室560。
搬运单元540在预真空锁腔室332、解锁腔室334、还有多个工艺腔室560之间搬运基板W。搬运单元540包括搬运腔室542及搬运机器人550。搬运腔室542可以提供为六边形的形状。选择性地,搬运腔室542可以提供为正四边形或者五边形的形状。在搬运腔室542的周边设置预真空锁腔室332、解锁腔室334以及多个工艺腔室560。在搬运腔室542的内部提供用于搬运基板W的搬运空间544。
搬运机器人550在搬运空间544中搬运基板W。搬运机器人550可以位于搬运腔室542的中央部。搬运机器人550可以在水平、垂直方向上移动,并可以具有能够在水平面上前进、后退或者旋转的多个搬运手552。各搬运手552可以独立驱动,基板W可以以水平状态安装到搬运手552。
搬运机器人550可以包括能够安装基板的搬运手552和搬运臂553。机器人主体(未图示)在内部具有步进电机等驱动单元,并控制搬运臂553的工作。搬运臂553从机器人主体(未图示)接收动力并为了搬运基板W而执行展开或者折叠的工作,另外可以在上下方向上执行上升或者下降。搬运手552可以提供为各种形状。图6中示出的搬运手200、搬运臂A可以分别适用到图10中示出的搬运手552、搬运臂553。
在一实施例中,搬运手552可以提供为连接于搬运臂553前端的Y字形状,以使得便于将基板及其它部件向其它构成部进行交接。在本实施例中,将搬运手552的形状以“Y”字形状示出并进行了说明,但是搬运手552的形状可以变形为“I”字形状等之类多种形态来提供。
工艺腔室560执行利用等离子体处理基板的工艺。根据一例,基板处理工艺可以是蚀刻工艺。与此不同,在工艺腔室560中执行的工艺可以是除等离子体以外利用气体来处理基板的工艺。
图11是示出图10的工艺腔室560的截面图。参照图11,工艺腔室包括外壳1100、基板支承单元1200、气体供应单元1300、等离子体源1400以及排气隔板1500。
外壳1100具有处理基板W的处理空间1106。外壳1100提供为圆形的桶状。外壳1100由金属材质提供。例如,外壳1100可以由铝材质提供。在外壳1100的一侧壁形成开口。开口起到将基板W搬出搬入的入口的功能。开口通过门1120进行开闭。在外壳1100的底面形成下孔1150。在下孔1150连接降压部件(未图示)。外壳1100的处理空间1106可以通过减压部件进行排气而形成减压环境。
基板支承单元1200在处理空间1106中支承基板W。基板支承单元1200可以提供为利用静电力支承基板W的静电卡盘1200。选择性地,基板支承单元1200可以以机械夹紧之类各种方式支承基板W。
基板支承单元1200包括电介质板1210、底座1230以及聚焦环1250。电介质板1210提供为含有电介质材质的电介质板1210。在电介质板1210的第一面直接放置基板W。电介质板1210提供为圆盘形状。电介质板1210可以具有比基板W小的半径。在电介质板1210的内部设置内部电极1212。在内部电极1212连接电源(未图示),从电源(未图示)接收电力。内部电极1212从施加的电力(未图示)提供静电力以能够使基板W吸附到电介质板1210。在电介质板1210的内部设置加热基板W的加热器1214。加热器1214可以位于内部电极1212的下侧。加热器1214可以提供为螺旋形状的线圈。
底座1230支承电介质板1210。底座1230位于电介质板1210的下侧,与电介质板1210固定结合。底座1230的第一面具有以其中央区域高于边缘区域的方式形成阶梯的形状。底座1230的第一面的中央区域具有对应于电介质板1210的底面的面积。在底座1230的内部形成冷却流路1232。冷却流路1232提供为供冷却流体循环的通路。冷却流路1232可以在底座1230的内部提供为螺旋形状。在底座1230连接位于外部的高频率电源1234。高频电源1234向底座1230施加电力。施加到底座1230的电力引导在外壳1100内产生的等离子体朝向底座1230移动。底座1230可以由金属材质提供。当在处理单元中理基板时,在基板的周围提供一个或多个聚焦环1250。
聚焦环1250可以相当于在本发明中说明的通过环载体100搬运的环R。
聚焦环1250使等离子体聚集到基板W。聚焦环1250提供为环状,沿着电介质板1210的周边配置。聚焦环1250的第一面可以提供为以与电介质板1210相邻的内侧部低于外侧部的方式形成阶梯。聚焦环1250的第一面内侧部可以位于与电介质板1210的第一面中央区域相同的高度。聚焦环1250的第一面内侧部支承位于电介质板1210的外侧的基板W的边缘区域。聚焦环1250扩张电场形成区域以使基板位于形成等离子体的区域的中心。
在聚焦环1250可以连接驱动聚焦环1250的驱动装置1240。当需要更换聚焦环1250时,驱动装置1240可以将聚焦环1250驱动成升降。驱动装置1240可以包括使聚焦环1250升降的销结构(为图示)。当需要更换聚焦环1250时,聚焦环1250通过包括在驱动装置1240中的销(未图示)升降。若聚焦环1250升降,则手144d、252插入到聚焦环1250的底面而从销(未图示)接收聚焦环1250。
气体供应单元1300向被基板支承单元1200支承的基板W上提供工艺气体。气体供应单元1300包括气体储存部1350、气体供应管道1330以及气体流入端口1310。气体供应管道1330连接气体储存部1350和气体流入端口1310。储存在气体储存部1350中的工艺气体通过气体供应管道1330向气体流入端口1310供应。气体流入端口1310设置在壳体1100的上壁。气体流入端口1310设置成与基板支承单元1200相对。根据一例,气体流入端口1310可以设置在壳体1100上壁的中心。在气体供应管道1330可以设置阀而开闭其内部通路,或者控制在其内部通路流动的气体流量。例如,工艺气体可以是蚀刻气体。
等离子体源1400在壳体1100内将工艺气体激发成等离子体状态。等离子体源1400可以使用电感耦合等离子体(ICP:inductively coupled plasma)源。等离子体源1400包括天线1410及外部电源1430。天线1410配置在壳体1100的外侧上方。天线1410提供为缠绕多次的螺旋形状并与外部电源1430连接。天线1410从外部电源1430接收电力。被施加电力的天线1410在壳体1100的内部空间形成放电空间。在放电空间内滞留的工艺气体激发成等离子体状态。
排气隔板1500在处理空间1106中将等离子体按照区域均匀地进行排气。排气隔板1500具有环形的环形状。排气隔板1500在处理空间1106中位于壳体1100的内侧壁与基板支承单元1200之间。在排气隔板1500形成多个排气孔1502。排气孔1502提供为朝向上下方向。排气孔1502提供为从排气隔板1500的上端延伸至下端的孔。排气孔1502沿着排气隔板1500的圆周方向彼此隔开排列。各个排气孔1502具有狭缝形状,并具有朝向半径方向的长度方向。
根据本发明的一实施例,当转位机器人444或搬运机器人550搬运聚焦环1250时,两个机器人全部可以利用载体1600而搬运环。但是,根据另一实施例,当通过转位机器人444搬运聚焦环1250时利用载体1600,当通过搬运机器人550搬运聚焦环1250时也可以不利用载体而进行搬运。在相应实施例中,通过将搬运臂553改进成搬运机器人550能够混用环部件和基板,还能够在无载体的情况下将环部件放到搬运臂553之上进行搬运。根据相应实施例,可以是,载体1600用于将环部件从载体保管单元421搬运至预真空锁模组330,在从预真空锁模组330搬运至工艺腔室560的过程中不使用载体。
等离子体处理设备300包括搬运机器人550,所述搬运机器人550包括:工艺腔室560,对基板W执行等离子体处理;搬运手552,向工艺腔室560搬运基板W,并从下方支承基板W;以及搬运臂553,驱动搬运手552。
工艺腔室560包括:外壳1100,在内部具有处理空间110b;支承单元1200,在处理空间110b内支承基板W;气体供应单元1300,向处理空间110b供应工艺气体;等离子体源1400,从工艺气体产生等离子体。
支承单元1200包括:静电卡盘1210,被放置基板W;以及聚焦环1250,提供为围绕放置在静电卡盘1210的基板W,并提供为能够从静电卡盘1210进行拆装。
聚焦环1250结合于环载体100并通过搬运机器人550搬运,环载体100的第二面120与搬运手552相接,在第一面110设置通过聚焦环1250产生摩擦力的环支承垫130并构成为与聚焦环1250相接。
环载体100包括:第一真空孔10,形成在第一面110的环支承垫130;第二真空孔20,形成在第二面;以及空气流路30,设在第一真空孔10与第二真空孔20之间。
在前述的实施例中,将环载体作为零件载体的例进行了说明,但是本发明的权利范围不限于环载体,视为涉及由于形成有贯通部或形成上侧方向的槽等形状而难以通过搬运手直接搬运,需利用所谓载体的介质搬运的零件载体。
以上,通过对本发明的优选实施例进行了说明而提供了用于实施本发明的具体的内容,但是本发明的技术构思不限于说明的实施例,可以在不背离本发明的技术构思的范围内以各种形式具体化。
Claims (20)
1.一种半导体制造用零件载体,以第二面与搬运手相接且第一面与半导体制造用零件相接的状态搬运零件,其中,所述半导体制造用零件载体包括:
第一真空孔,形成在所述第一面;
第二真空孔,形成在所述第二面;以及
空气流路,设在所述第一真空孔和所述第二真空孔之间。
2.根据权利要求1所述的半导体制造用零件载体,其中,
所述半导体制造用零件载体还包括:
零件支承垫,设置在所述第一面而与所述零件产生摩擦力,并包括与所述第一真空孔连通的贯通孔,
所述第一真空孔形成在设置有所述零件支承垫的部分。
3.根据权利要求2所述的半导体制造用零件载体,其中,
所述第一真空孔设置多个。
4.根据权利要求3所述的半导体制造用零件载体,其中,
所述第二真空孔为一个。
5.根据权利要求1所述的半导体制造用零件载体,其中,
所述第二真空孔设在能够与形成在搬运手中的真空孔连通的位置。
6.根据权利要求5所述的半导体制造用零件载体,其中,
所述半导体制造用零件载体还包括:
零件支承垫,设置在所述第一面而与所述零件产生摩擦力,并包括与所述第一真空孔连通的贯通孔,
所述第一真空孔形成在设置有所述零件支承垫的部分。
7.根据权利要求6所述的半导体制造用零件载体,其中,
所述第一真空孔设置多个。
8.根据权利要求7所述的半导体制造用零件载体,其中,
所述第二真空孔为一个。
9.根据权利要求3所述的半导体制造用零件载体,其中,
所述空气流路将所述第二真空孔和多个第一真空孔分别连接。
10.根据权利要求3所述的半导体制造用零件载体,其中,
所述空气流路包括连接所述第二真空孔和任一个第一真空孔的第一空气流路和将所述第一真空孔全部连接的第二空气流路。
11.根据权利要求6所述的半导体制造用零件载体,其中,
所述空气流路将所述第二真空孔和多个第一真空孔分别连接。
12.根据权利要求6所述的半导体制造用零件载体,其中,
所述空气流路包括连接所述第二真空孔和任一个第一真空孔的第一空气流路和将所述第一真空孔全部连接的第二空气流路。
13.一种半导体制造用零件搬运装置,其中,包括:
半导体制造用零件载体,以与零件相接的状态搬运零件;
搬运手,与所述半导体制造用零件载体的第二面接触;以及
搬运臂,驱动所述搬运手,
所述半导体制造用零件载体包括:
第一真空孔,形成在所述第一面;
第二真空孔,形成在所述第二面;以及
空气流路,设在所述第一真空孔和所述第二真空孔之间。
14.根据权利要求13所述的半导体制造用零件搬运装置,其中,
所述半导体制造用零件载体还包括:
零件支承垫,设置在所述第一面而与所述零件产生摩擦力,并包括与所述第一真空孔连通的贯通孔,
所述第一真空孔形成在设置有所述零件支承垫的部分。
15.根据权利要求14所述的半导体制造用零件搬运装置,其中,
所述第一真空孔设置多个,所述第二真空孔设置一个。
16.根据权利要求13所述的半导体制造用零件搬运装置,其中,
所述第二真空孔设在能够与形成在搬运手中的真空孔连通的位置。
17.根据权利要求16所述的半导体制造用零件搬运装置,其中,
在形成在所述搬运手中的真空孔的上方设有摩擦垫,所述摩擦垫包括具有比所述真空孔大的截面积的贯通孔,所述第二真空孔与所述摩擦垫的贯通孔连通。
18.根据权利要求17所述的半导体制造用零件搬运装置,其中,
所述第一真空孔设置多个,所述第二真空孔为一个。
19.根据权利要求18所述的半导体制造用零件搬运装置,其中,
所述空气流路将所述第二真空孔和多个第一真空孔分别连接。
20.一种等离子体处理设备,其中,包括:
工艺腔室,对基板执行等离子体处理;以及
搬运机器人,包括向所述工艺腔室搬运所述基板并在下方支承所述基板的搬运手及驱动所述搬运手的搬运臂,
所述工艺腔室包括:
外壳,在内部具有处理空间;
支承单元,在所述处理空间内支承所述基板;
气体供应单元,向所述处理空间供应工艺气体;以及
等离子体源,从工艺气体产生等离子体,
所述支承单元包括:
静电卡盘,被放置所述基板;以及
聚焦环,提供为围绕放置在所述静电卡盘的基板,并提供为能够从所述静电卡盘进行拆装,
所述聚焦环与半导体制造用零件载体结合并通过所述搬运机器人搬运,所述半导体制造用零件载体的第二面与所述搬运手相接,并在所述半导体制造用零件载体的第一面设置通过所述聚焦环产生摩擦力的环支承垫而构成为与所述聚焦环相接,
所述半导体制造用零件载体包括:
第一真空孔,形成在所述第一面的环支承垫;
第二真空孔,形成在所述第二面;以及
空气流路,设在所述第一真空孔和所述第二真空孔之间。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220073363A KR20230173245A (ko) | 2022-06-16 | 2022-06-16 | 반도체 제조용 부품 캐리어 및 이를 이용한 반도체 제조용 부품 반송장치 |
KR10-2022-0073363 | 2022-06-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117253838A true CN117253838A (zh) | 2023-12-19 |
Family
ID=89125311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310303652.1A Pending CN117253838A (zh) | 2022-06-16 | 2023-03-27 | 半导体制造用零件载体及半导体制造用零件搬运装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230411196A1 (zh) |
JP (1) | JP2023184445A (zh) |
KR (1) | KR20230173245A (zh) |
CN (1) | CN117253838A (zh) |
-
2022
- 2022-06-16 KR KR1020220073363A patent/KR20230173245A/ko not_active Application Discontinuation
-
2023
- 2023-03-27 US US18/126,974 patent/US20230411196A1/en active Pending
- 2023-03-27 CN CN202310303652.1A patent/CN117253838A/zh active Pending
- 2023-05-11 JP JP2023078899A patent/JP2023184445A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230411196A1 (en) | 2023-12-21 |
JP2023184445A (ja) | 2023-12-28 |
KR20230173245A (ko) | 2023-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11295936B2 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
US10763152B2 (en) | Substrate support unit, heat treatment unit, and substrate treating apparatus including the same | |
KR20070052331A (ko) | 다중-단일 웨이퍼 처리 장치 | |
KR102242812B1 (ko) | 반송 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치 | |
KR20240018556A (ko) | 링 캐리어 및 기판 처리 시스템 | |
US6860711B2 (en) | Semiconductor-manufacturing device having buffer mechanism and method for buffering semiconductor wafers | |
CN117253838A (zh) | 半导体制造用零件载体及半导体制造用零件搬运装置 | |
KR20210030917A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
TWI555075B (zh) | 基板處理設備及基板處理方法 | |
KR101578081B1 (ko) | 기판처리시스템 | |
US20230317434A1 (en) | Carrier for end effector, transportation apparatus including the same and the substrate processing apparatus | |
KR102174063B1 (ko) | 반송 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP7454714B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7236411B2 (ja) | 搬送ユニット及びこれを有する基板処理装置 | |
KR101649303B1 (ko) | 기판처리시스템 | |
KR20220094018A (ko) | 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
KR20240067698A (ko) | 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 | |
KR20220094022A (ko) | 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
KR20220094020A (ko) | 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
KR20230033190A (ko) | 액 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
KR20230063415A (ko) | 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 | |
KR20230034673A (ko) | 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 | |
KR20230031676A (ko) | 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |